CN1440417A - 有机金属化合物及其作为形成金属或金属衍生物薄膜和粉末前体的用途 - Google Patents
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Abstract
公开了用作前体，形成含金属粉末以及在基质上进行金属化学淀积，特别是用于适于生产电子器件的金属膜的化学蒸气沉积法的，源自VIIb，VIII，IX和X族金属的有机金属化合物。也公开它们的使用方法。优选的本发明有机金属化合物为式(R1)mM(PR2 3)x化合物，其中M是选自锰，锝，铼，铁，钴，镍，钌，铑，钯，锇，铱和铂的金属，其中m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x为2，3，4，5，6，7或8；m以及x按照各金属合适的化合价选择；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及各种取代的烷基；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，以及烷基－Z，芳基－Z以及芳烷基－Z；其中Z选自氧，甲硅烷基，甲硅烷氧基，氧代甲硅烷基，甲硅烷氧基，氧代甲硅烷氧基，甲硅烷基烷基，氧代甲硅烷基烷基，甲硅烷氧基烷基，氧代甲硅烷氧基烷基，甲硅烷基烷氧基，甲硅烷基烷氧基，甲硅烷氧基烷氧基以及氧代甲硅烷氧基烷氧基；以及其中当M是钴并且一个R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。
Description
发明背景
本发明涉及VIIb，VIII，IX，和X族金属，包括锰，锝，铼，铁，钴，镍，钌，铑，钯，锇，铱和铂的有机金属化合物以及它们在基质上沉积金属或金属衍生物或得到粉末状金属或金属衍生物的化学蒸气沉积法(CVD)中的用途。在优选方面，本发明更特别地涉及特别适于金属或衍生物高纯度沉淀的源自VIIb，VIII，IX，和X族金属的有机金属前体化合物(organometallic precursor compounds)，例如，利用CVD技术的金属硅化物。
在电子学领域特别是集成电路和微电子制造领域，源自VIIb，VIII，IX，和X族金属的金属硅化物为有吸引力的化合物。随着装置缩小的进程，由于其良好的热和化学稳定性，低阻抗，宽的加工范围及其对允许金属硅化物在硅上外延增长的硅晶体点阵小的晶格失配，人们对金属硅化物的兴趣正在增加。此外，有选择地沉积在硅基片上的源自VIIb，VIII，IX，和X族金属的金属薄膜可被制造形成自动整平的外延金属模型，其表面原子级水平环绕硅平接。
与其他沉积方法如等离子体汽相淀积(PVD)方法像喷射，电子束蒸发，分子束外延，和离子束注入相比，CVD是特别有用的沉积金属和金属硅化物薄膜技术。CVD还可以用来提供生产电子器件设计的灵活性，包括减少提供所需产品的加工阶段的数目的潜力。
迄今为止，由于缺乏适当的前体化合物，许多金属的CVD不能进行。例如，常规的钴有机金属CVD前体，如Co(C5H7O2)2，Co(C5H7O2)3，Co2(CO)8，Co(C5H5)2，Co(C5H5)(CO)2和Co(CO)3(NO)已经证明不具有满意的性质用于形成设备品质钴硅化物薄膜。Co(C5H7O2)2和Co(C5H7O2)3蒸气压低，因此需要高温以产生足够气流支持CVD。Co2(CO)8极易挥发，不加入还原剂即可产生钴金属镀层，但是它对热太不稳定以致不能成为实际的CVD前体，在存储期间，甚至在真空或惰性气体气氛下，产生竞争副反应并且分解。Co(C5H5)2和C(C5H5)(CO)2可用来沉积钴薄膜，但是甚至当H2用作还原剂时，该薄膜也存在严重的碳和氧污染问题。同样，当在低于350℃或用低于500标准立方公分(sccm)的氢气流沉积时，Co(CO)3(NO)在制备出的钴和钴硅化物层中存在无法接受的碳和氧污染问题。基于VIIb，VIII，IX，和X族其他金属的有机金属前体具有相似的缺点。
因此工业界仍需要适于可以产生高纯度，设备-等级金属和/或金属衍生物如金属硅化物薄膜的CVD的源自VIIb，VIII，IX，和X族金属的前体化合物。本发明提供能很好地适合上述用途的有机金属化合物。
发明概要
本发明的一个目的是提供适用于如VIIb，VIII，IX，和X族金属化学淀积的有机金属前体化合物。一个目的是提供优选的具有比较高的蒸气压和良好的热稳定性以致于蒸发时基本不分解的VIIb，VIII，IX，和X族金属的有机金属化合物。本发明一个具体方案的目的是提供优选的适用于化学气相淀积工艺，借此可以形成高纯金属或金属衍生物，例如，金属硅化物的缺乏金属-碳键的有机金属化合物。
本发明另一方面的一个目的是提供新的具有比较高的蒸气压和良好的热稳定性以使得可蒸发但基本不分解的有机金属化合物。
本发明再一方面的一个目的是提供在许多基质，包括硅和砷化镓(GaAs)上沉积源自VIIb，VIII，IX，和X族金属的金属或金属衍生物薄膜，以及形成粉末形式的金属和金属衍生物的化学淀积方法。本发明该方面的目的是提供优选的产生特别避免了碳和/或氧污染的膜的金属和金属衍生物如，金属硅高纯度膜的方法。本发明该方面另外的目的是提供优选的可用于制造基于VIIb，VIII，IX，和X族金属或该金属的衍生物，例如金属硅化物或金属氧化物的设备品质(device-quality)的薄膜的CVD方法。
这些及其他目的通过本发明有机金属亚磷酸酯(organometallicphosphite compound)和膦化合物及其在沉积方法中的使用而实现。
本发明的一个方面中，通过用具有通式I的以及含VIIb，VIII，IX或X族金属的有机金属化合物接触基质表面，通过金属或含金属材料在基质上的化学淀积，提供金属和金属衍生物膜如，硅化物膜，
(R1)mM(PR2 3)x I其中M是选自VIIb，VIII，IX或X族的金属，其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1；x是5以及m+x是6；(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；(c)当M是钴，铑或铱时，m是1，2，3或4以及x是2，3或4以及m+x是4，5，6，7或8；以及(d)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3或4以及m+x是2，3，4，5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中当M是钴，铑或铱并且一个R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。在CVD处理中，本发明该具体方案的优选的有机金属化合物是挥发性的并且具有良好的热稳定性，它们可以在基本不分解的情况下蒸发。
本发明的一个方面中，通过将蒸气或液体分散于介质中的有机金属前体的化学分解提供含金属和/或金属衍生物的粉末，该蒸气或液体含式(R1)mM(PR2 3)x有机金属化合物，其中M是选自VIIb，VIII，IX或X族的金属，其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1；x是5以及m+x是6；(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；(c)当M是钴，铑或铱时，m是1，2，3或4，x是2，3或4以及m+x是4，5，6，7或8；以及(d)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3或4以及m+x是2，3，4，5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4是氢或氘；以及其中当M是钴，铑或铱并且一个R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。在CVD处理中，本发明该具体方案的优选的有机金属化合物是挥发性的并且具有良好的热稳定性，它们可以在基本不分解的情况下蒸发。
“有机金属”表示具有至少一个金属原子和至少一个有机部分的化合物。本申请使用的“有机部分”，表示与分子的其余部分键合的分子的一部分，并且至少包括一个碳原子。
优选方案包括，但是不局限于，在集成电路设备工件上沉积金属膜。 由金属衍生物，例如，金属硅化物，组成的薄膜可以通过在基质上沉积后热处理该金属薄膜形成，或者，通过用本发明金属化合物和一种或多种硅化学蒸气沉积法前体化合物的混合物进行化学蒸气沉积法形成。上述的金属和/或金属硅化物薄膜可以在集成电路工件上有选择地沉积，从而在该工件上提供电子导电触点。
在本发明的优选方案中：
a.)R1是氢或氘，或，
b.)m是0。
有利地，这些优选方案的金属氢化物缺乏金属-碳键。
在另一个优选方案中提供式I新的有机金属亚磷酸酯和膦化合物，其中R2基团并非是完全一样的基团。在另一个优选方案中，当R2为烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基时，至少一个R2基团含，例如，硅原子，但是没有限制。
在本发明的另一个方面，提供一种化学沉积方法，用于在基质上沉积金属、金属氧化物和/或金属硅化物薄膜，通过将该基质表面与至少一种本发明金属前体化合物接触，该表面被加热至该金属化合物反应产生薄膜的温度或更高温度。在该方面的具体方案中，该表面被加热至有机金属化合物热分解的温度或更高。在另一个具体方案中，该表面使该有机金属化合物的分解反应容易在该有机金属化合物热分解温度以下的温度进行。。
本发明金属前体化合物同时可以适应液态化学淀积方法以及任何已知的CVD方法，某个应用的条件取决于使用的前体化合物，被涂敷的基质，和所需的金属膜的厚度。对于本发明金属化合物在液相传送，纯的或与该化合物和基质相容的溶剂中的液态金属前体化合物可以被传送到基质表面。固体金属前体化合物可以在同样地相容的溶剂中被传送。任何已知的液施方法可以被采用于上述金属化合物，包括雾化及其他液体喷雾技术。
在CVD方法中，惰性载气和/或还原剂，例如氢，不过没有限制，可以选择性地与本发明金属化合物被用于CVD方法中。在优选方案中，可以产生设备等级金属或金属硅化物薄膜。
喷雾热解和如上所述的技术还可以在无基质的情况下使用，在足够高的温度下，将前体化合物传送于介质如氮，形成粉末形式的金属或金属衍生物。如同沉积在基质上的薄膜，这样产生的金属粉末适合于高纯度的用途。
本发明相关的目的和优点用下列优选方案的详细说明阐明。
附图的简要描述
图1是其上具有金属薄膜或其上具有由金属衍生物诸如，金属硅化物衍生的薄膜的基质的截面示意图。
图2和3是概括集成电路工件在不同加工阶段的截面示意图。
优选方案的描述
为了促进对本发明原则的理解，现在提及具体的优选方案，并且使用专用语言公开本发明。然而，显然这不是对本发明范围的限制。在公开的发明中的任何改变和改进，以及其中说明的本发明原则的更进一步的应用，对于与本发明相关的领域的技术人员来说，通常是可以预期的。
典型的CVD方法涉及在其中气氛可以被控制的反应室中放置要涂敷的基质以及引入包括一种或多种气化的前体化合物以及任选存在的惰性载气和/或共同反应剂，如气化的还原剂的气流。典型地，至少一部分基质的表面被加热，大多数情况下至少加热至前体化合物热分解温度，因此与表面和/或共同反应剂接触的前体化合物分解，在基质表面上沉积物质。理论上，当前体化合物分解时，仅仅所需的物质沉积，其余的分解产物保持在气态并且从反应室中被抽空或排出。在某些优选的CVD方法中，表面催化或它的反面促进分解反应，允许反应在低于前体化合物热分解的温度下在基质表面发生。许多CVD方法使用有机金属前体化合物，在加热的基质表面热或催化分解，沉积金属或含金属的物质，释出有机部分作为蒸气从反应室排出。CVD方法包括常规的CVD方法，及其他利用化学蒸气如，等离子体辅助的CVD沉积方法以及原子层沉积方法。
在合乎需要的CVD方法中，最好是CVD前体化合物具有足够的挥发性可以产生足够的蒸气压支持具有实用沉积速率的CVD。同时，前体在产生需要的蒸气压的温度下最好是热稳定的。同样地，化合物应该具有足够的热稳定性，不至于在接触基质之前过早地分解，以便在所需的基质表面上产生最大化的产品金属沉积以及最小化的污染物。最后，为了这些合乎需要的方法，有机分解产物最好保持在气态中，不与基质或金属覆盖的表面反应以便避免涂敷污染。
在本发明一个具体方案中提供VIIb，VIII，IX，和X族金属的有机金属化合物在所需的基质上沉积金属膜的用途，其中化合物在CVD方法中是挥发性的并且具有良好的热稳定性。优选的本发明有机金属化合物能很好地适合用于CVD方法，它们具有足够高的蒸气压支持CVD的实用的沉积速率，并且具有足够的热稳定性，蒸发时无明显程度的分解。
同样地，优选的本发明有机金属化合物分解以致于金属沉积并且其余的分解产物保持在气态中，这样有利于通过从反应室中排出或抽空它们从而容易地将其从反应室中除去。
显然，本发明有机金属化合物的前体虽然能很好地适合用作CVD方法的前体化合物但它们也可有利地用来在许多固体表面上进行液相金属化学淀积。那些在反应条件下是液体的有机金属化合物可以通过任何已知的技术传送到基质表面，例如纯的，在适当的溶剂中的，但是没有限制，雾化及其他喷雾技术，包括但不限于电子喷雾，以及，以及在液浴中浸渍基质。那些在反应条件下是固体的有机金属化合物可以在适当的溶剂中传送到基质表面。利用标准的CVD方法或任何用来制备薄膜的分散方法可以制备粉末状金属和/或金属衍生物。
当优选的本发明有机金属化合物用于CVD方法产生金属膜时，不需要还原剂或载气。然而，如果需要，还原剂，例如氢，但是没有限制，可以作为共同反应剂用于本发明金属前体化合物的CVD方法中。
在本发明其他具体方案中，其他共同反应剂，例如，但是没有限制，硅烷或乙硅烷，可以任选地被用于与本发明有机金属化合物在基质表面共同沉积金属及其他物质，或含金属化合物，例如，但是没有限制，金属硅化物。在上述方法中，蒸气组分可以被合并以提供一种混合进料，借此这些组分同时或顺序相互反应，引起金属或含金属化合物在基质表面沉积，同时有机的分解副产物保持在气态中并且被从反应室中抽出。
在涉及CVD方法的本发明具体方案中，优选的有机金属化合物是比较容易挥发的，它们具有足够支持CVD方法的蒸气压。特别优选的化合物在室温下是液体。在另一个具体方案中，优选的化合物可以低于其热分解温度的温度下被蒸馏或升华，或者在周围气压或者在真空下。特别优选的化合物是可在等于或低于约200℃的温度以及约0.05mmHg，更优选，等于或低于150℃以及0.05mmHg下蒸馏或升华。
同样地，在涉及CVD方法的本发明具体方案中，有机金属化合物的热分解或催化分解温度的高端决定于基质的热稳定性；该分解温度，或基质表面催化分解化合物的温度，优选地低于基质熔化，分解或者产生不利效果的温度。本领域技术人员已知或可通过标准技术容易地确定这些温度。本发明优选的有机金属化合物的热分解温度显著地高于可使化合物产生足够蒸气压支持CVD的温度，但是低于使基质发生破坏的温度。优选的热分解温度在约100℃到约700℃之间，更优选在约130℃到约400℃之间。
优选的本发明有机金属化合物的前体化合物为式I化合物，
(R1)mM(PR2 3)x I其中：
(1)M是选自锰，锝，铼，铁，钌，锇，镍，钯，和铂的金属；各R1独立地选自氢，氘，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团，各R2独立地选自芳烷基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1，x是5以及m+x是6，以及其中上述的R2不完全一样；
(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；；以及其中上述的R2不完全一样；以及(c)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3或4以及m+x是2，3，4，5或6，以及其中上述的R2基团不完全一样；
(2)M是选自铑和铱的金属；m是1，3或4；x是2，3或4；以及m+x是4，5，6，7或8；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中上述的R2不完全一样；或者
(3)M是钴；m是1，2，或3；x是3或4；m+x是5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中当R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。以及其中上述的R2不完全一样。
R1和R2的大小和支化度可以影响有机金属化合物的挥发性和它的热分解特征，包括有机分解副产物的挥发性。变换R1和R2的选择可以衍生在给定的温度下具有所需的蒸气压的前体化合物。优选的烷基和烷氧基是C1-C6支链或无支链的烷基和烷氧基。本申请使用的芳基表示包括芳族6-碳环或缩合的芳族6-碳环并且环上任选具有烷基取代基的烃类基团。优选的芳基是6-碳环，任选具有一个或两个C1-C3烷基取代基。本申请使用的烷基，芳基或烷氧基表示含两个不同的烷基基团，各与相同的硅原子直接键合的R1或R2任何不同的烃类部分，例如烷基甲硅烷基烷基。
特别优选的式I有机金属前体化合物，其中：
a.)R1是氢或氘，或，
b.)m是0。
这些具体方案不含任何金属-碳键。现在已经意外地发现消除有机金属前体化合物中的直接金属-碳键可显著地降低金属膜由碳和/或氧产生的污染的可能性。
对于那些源自其中一个R1基团选自N2的IX族金属的本发明有机金属化合物的具体方案，m是2并且第二个R1基团是氢。N2基团的键合在总体上是通过与金属原子的pi键合，与此相对的是一个氮原子与金属的sigma或sp杂化键。
对于其中R1是式-CR3 2-CR3 2-R4基团的本发明有机金属化合物的具体方案，R4是氢或氘。同样地，R1是具有可互变异构的β-氢或β-氘的有机基团。没有被特别理论所束缚，这些R1基团被认为存在两种互变异构形式，一种是具有通过sp杂化键在α-碳与金属键合的R1基团，另一种具有置换金属原子的R4β-氢或β-氘，作为一种氢化物并且通过pi键与金属原子产生α，β碳-碳双键。人们相信上述互变异构的碳-金属键合增强了这些金属化合物分解并在基质表面沉积金属的可能性，同时大大地降低了产生金属膜的碳污染的可能性。
优选的R2基团是其中任一烷基为C1-C6烷基，任一芳基是苯基或C1-C3单或二取代苯基，以及任一烷氧基是C1-C6烷氧基的基团。
同样特别优选的有机金属化合物为其中至少一个R2基团含至少一个硅原子的有机金属化合物。优选的含硅的R2基团包括烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基。现在已经意外地发现部分上述化合物在室温下为液体，对于CVD具有满意的高蒸气压并且在CVD方法中显示有利的热稳定性。
然而更优选其中至少一个R2选自烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，或芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及其中R1为氢或氘的有机金属化合物。
显然本发明有机金属化合物中的任一硅原子与四个取代基键合，而且优选的化合物中与硅键合的取代基不为氢或氘。
适当的有基金属前体化合物包括，但是不局限于，下列：具有C-Co键的典型的化合物：
(CH3CH2)Co(P(CH3)3)3，
(CH3CH2)Co[P(OCH3)3]3，
(C4H9)Co[P(OCH3)3]3，
(C6H5-CH2CH2)Co[P(OCH3)3]3，
((CH3)3SiCH3CH2)Co[P(OCH3)3]3，
((OCH3)3SiOCH3CH2)Co[P(OCH3)3]3；具有C-Co键的优选的甲硅烷基亚磷酸酯化合物：
(C2H5)Co[(CH3O)3SiOP(OCH3)2]4，
(C2H5)Co[(CH3)3Si-P(CH3)2]4，
(C2H5)Co[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4；
优选的其中R1为氢以及M为铁，钌或锇的式I有机金属前体化合物为：
H2M[P(OCH3)3]4，
H2M[P(OC2H5)3]4，
H2M[P(OC3H7)3]4，
H2M[P(OCH(CH3)2)3]4，
H2M[P(OC4H9)3]4，
H2M[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]4，
H2M[P(OCH2CH(CH3)2)3]4，
H2M[(C6H5)OP(OCH3)2]4，
H2M[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
H2M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，
H2M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
H2M[(C3H7)OP(OCH3)2]4，
H2M[(CH3)3COP(OC2H5)2]4，
H2M[(CH3)OP(OC2H5)2]4
H2M[(C2H5)OP(OCH3)2]4，
H2M[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，
H2M[(C4H9)OP(OCH3)2]4，
H2M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，
H2M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，
H2M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，
H2M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4，优选的其中m为0以及M为铁，钌或锇的式I有机前体化合物为：
M[(C6H5)OP(OCH3)2]5，
M[(C6H5)OP(OC2H5)2]5，
M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]5，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]5，
M[(C3H7)OP(OCH3)2]5，
M[(C4H9)OP(OC2H5)2]5，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]5，
M[(C2H5)OP(OCH3)2]5，
M[(C4H9)OP(OCH3)2]5
M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]5，
M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]5，
M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]5，
M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]5；优选的其中R1为氢以及M为钴的式I有机金属前体化合物为：
HCo[P(OCH3)3]4，
HCo[P(OC2H5)3]4，
HCo[P(OC3H7)3]4，
HCo[P(OCH(CH3)2)3]4，
HCo[P(OC4H9)3]4，
HCo[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]4，
HCo[P(OCH2CH(CH3)2)3]4，
HCo[(C6H5)OP(OCH3)2]4，
HCo[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
HCo[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，
HCo[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
HCo[(C3H7)OP(OCH3)2]4，
HCo[(CH3)3COP(OC2H5)2]4，
HCo[(CH3)OP(OC2H5)2]4
HCo[(C2H5)OP(OCH3)2]4，
HCo[(C4h9)OP(OC2H5)2]4，
HCo[(C4H9)OP(OCH3)2]4，
HCo[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，
HCo[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，
HCo[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，
HCo[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4；优选的其中R1为氢以及M为铑的式I有机金属前体化合物为：
HRh[P(OCH3)3]4，
HRh[P(OC2H5)3]4，
HRh[P(OC3H7)3]4，
HRh[P(OCH(CH3)2)3]4，
HRh[P(OC4H9)3]4，
HRh[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]4，
HRh[P(OCH2CH(CH3)2)3]4，
HRh[(C6H5)OP(OCH3)2]4，
HRH[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
HRh[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，
HRh[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
HRh[(C3H7)OP(OCH3)2]4，
HRh[(CH3)3COP(OC2H5)2]4，
HRh[(CH3)OP(OC2H5)2]4
HRh[(C2H5)OP(OCH3)2]4，
HRh[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，
HRh[(C4H9)OP(OCH3)2]4，
HRh(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，
HRh[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，
HRh[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，
HRh[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4；优选的其中R1为氢以及M为铱的式I有机金属前体化合物为：
H3Ir[P(OCH3)3]3，
H3Ir[P(OC2H5)3]3，
H3Ir[P(OC3H7)3]3，
H3Ir[P(OCH(CH3)2)3]3，
H3Ir[P(OC4H9)3]3，
H3Ir[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]3，
H3Ir[P(OCH2CH(CH3)2)3]3，
H3Ir[(C6H5)OP(OCH3)2]3，
H3Ir[(C6H5)OP(OC2H5)2]3，
H3Ir[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]3，
H3Ir[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]3，
H3Ir[(C3H7)OP(OCH3)2]3，
H3Ir[(CH3)3COP(OC2H5)2]3，
H3Ir[(CH3)OP(OC2H5)2]3
H3Ir[(C2H5)OP(OCH3)2]3，
H3Ir[(C4H9)OP(OC2H5)2]3，
H3Ir[(C4H9)OP(OCH3)2]3，
H3Ir[(CH3)3SiOP(OCH3)2]3，
H3Ir[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]3，
H3Ir[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]3，
H3Ir[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]3
H5Ir[(CH3)3SiOP(OCH3)2]2，
H5Ir[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]2，
H5Ir[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]2，
H5Ir[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]2；优选的其中m为0以及M为镍，钯或铂的式I有机金属前体化合物为：
M[(C6H5)OP(OCH3)2]2，
M[(C6H5)OP(OC2H5)2]2，
M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]2，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]2，
M[(C3H7)OP(OCH3)2]2，
M[(C4H9)OP(OC2H5)2]2，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]2，
M[(C2H5)OP(OCH3)2]2，
M[(C4H9)OP(OCH3)2]2，
M[(C6H5)OP(OCH3)2]3，
M[(C6H5)OP(OC2H5)2]3，
M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]3，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]3，
M[(C3H7)OP(OCH3)2]3，
M[(C4H9)OP(OC2H5)2]3，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]3，
M[(C2H5)OP(OCH3)2]3，
M[(C4H9)OP(OCH3)2]3；
M[P(OCH3)3]4，
M[P(OC2H5)3]4，
M[P(OC3H7)3]4，
M[P(OCH(CH3)2)3]4，
M[P(OC4H9)3]4，
M[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]4，
M[P(OCH2CH(CH3)2)3]4，
M[(C6H5)OP(OCH3)2]4，
M[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
M[(C3H7)OP(OCH3)2]4，
M[(CH3)3COP(OC2H5)2]4，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]4
M[(C2H5)OP(OCH3)2]4，
M[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，
M[(C4H9)OP(OCH3)2]4，
M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，
M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，
M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，
M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4；以及氘取代任一氢的类似物。
在本发明的另一方面，提供源自锰，锝，铼，铁，钌，锇，钴，铑，铱，镍，钯和铂的新的金属有机亚磷酸酯和膦。本发明该方面的新的有机金属化合物为式I化合物，其中R2基团不完全一样。本发明该方面优选的化合物为钴化合物，其中至少一个R2基团为烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基。本发明该方面特别优选的化合物为其中R1为氢或氘的化合物。
这些新类有机金属化合物可以通过制备混合的亚磷酸酯或膦，接着与金属盐，例如，但是没有限制，CoCl2反应合成。例如，混合的亚磷酸酯可以通过在质子净化剂的存在下在适当的有机溶剂中的三氯化磷在二或三次循环中与具有所需的R基的醇等摩尔反应合成。一个非限制的举例说明是在-78℃在乙醚中的PCl3与1摩尔当量的乙醇和1摩尔当量的二甲苯胺反应。反应完成后，加入2摩尔当量的甲醇和二甲苯胺第二等分试样，第二次反应在室温下完成，产生乙基二甲基亚磷酸酯。在合适的溶剂，如甘醇二甲醚，中的乙基二甲基亚磷酸酯可在NaBH4的存在下与CoCl2反应产生HCo[C2H5OP(OCH3)2]4。然后将钴金属有机化合物通过本领域已知的方法，例如用有机溶剂萃取，分批用中性氧化铝吸附并且洗脱，接着通过最终的蒸馏或升华步骤纯化。VIIb，VIII，IX或X族金属的相似的盐可以使用这样的方式制备适用于CVD用途的有机金属化合物。
本发明有机金属前体化合物可被用于常规的CVD装置，使用已知的CVD技术，产生所需的基质上的金属和/或金属硅化物薄膜。使用本发明有机金属化合物作为CVD前体产生的薄膜基本上无碳和氧污染。特别令人感兴趣的基质包括硅，砷化镓(GaAs)，碳化硅，四氮化三硅，锗，以及各种多层基质，如钛和一氮化钛涂敷的硅和硅蓝宝石(sos)(siliconon sapphire)，或任何其他用于生产电子器件，特别是微电子的部件如集成电路的基质结构。其他适当的基质包括陶瓷表面，例如，但是没有限制，SiO2，SiOxNy，Al2O3，TiO2，MgO，Ta2O5，和ITO(氧化铟锡)，以及混合的金属氧化物和聚合物表面。
在本发明的一个具体方案中，通过使用本发明有机金属化合物接触所需基质的表面或其部分，金属或含金属的薄膜被沉积在该表面至少一部分上。在一个例子中，有机金属化合物在液相中接触基质表面。在一个优选方案中，有机金属化合物被气化，基质表面或其部分接触该蒸气，化合物分解，金属或金属衍生物被沉积在基质或其部分上。在一个具体方案中，该反应包括有机金属化合物在基质表面的热分解，例如但是没有限制，当基质表面或其部分的温度处于或高于有机金属化合物热分解温度时，使基质表面与气化的本发明有机金属化合物与基质表面接触。在第二具体方案中，当基质表面或其部分温度低于有机金属化合物热分解温度时，该反应包括被基质表面催化的或者使之变得容易进行的分解反应。
在典型的本发明CVD具体方案中，要被涂敷的基质被净化并且被放入CVD真空室中，然后用惰性气体冲洗并且抽空。在试剂源室中，该前体被维持在期望的温度下。将控制的气态前体化合物流通过均匀给料线路从试剂源室引入CVD室，并且传送通过基质，该过程可任选地在惰性载气流，例如，但是没有限制，氩，氮，氦，氙等等的帮助下进行。该基质被加热至前体化合物在基质上反应的温度，无论通过热分解还是通过基质促进分解反应，沉积VIIb，VIII，IX或X族金属，释出成为气相的其余反应产物，然后将它们作为废料排出该室。
本领域众所周知，该基质可作为整体被加热，在全部暴露表面上产生金属或含金属物质，例如，但是没有限制，金属硅化物的均匀涂层。选择性地，本领域也是已知的，可以将基质表面上的特定区域加热到所需的基质温度，例如使用聚焦的激光束扫描，金属或含金属物质的涂敷将仅仅发生于被加热的区域。在沉积期间或沉积后，可以通过许多本领域技术人员已知的方法将得到的薄膜构图。
优选的基质温度可以在约100℃到约700℃之间，更优选在约120℃到约500℃之间，更优选在约130℃到约400℃之间。有利的钴前体进料温度可为约25℃到约200℃，优选约40℃到约170℃。这些范围为举例方式，而非限制。最适温度取决于使用的基质和有机金属前体，以及反应条件，包括前体源室和反应室压力。例如，固体金属前体化合物进料和/或基质温度可以高于上述范围，而液体前体化合物，特别是在比较高的真空下，低于上述范围。
在给定的温度，用给定的基质和基质温度，以及任选的给定的载气流流速和/或还原剂浓度下测定给定的化合物的沉积率之后，可以容易地计算产生所需厚度的膜所需的沉淀时间。例如，但是没有限制，典型的沉淀时间为约10分钟到约24小时，更优选约10分钟到约60分钟。
在加热基质或开始沉积之前优选地用非反应性的气体如氩，氮，氦，氙等等清洗系统。尽管非必需，但优选在沉积之前抽空反应室。在沉积期间，反应器压力典型地维持在部分真空，例如，但是没有限制，当使用载气时，约0.1至约10mm Hg压力。当不使用载气时，系统压力通常较低，例如，但是没有限制，约0.01到0.1mmHg，当使用超高真空时，可以低到10-12到约10-6。沉积率取决于使用的全部反应条件结合而成的整体，包括压力和使用或未使用载气。
当硅为被涂敷基质时，初始金属膜可以任选地进行热处理过程，本领域众所周知，转换至少一部分金属为金属硅化物。在其他具体方案中，沉积金属膜不经处理形成相应硅化物，代之以使用其纯的形式。
选择性地，本领域已知，在金属硅化物在基质表面直接形成的条件下，使用适当的硅前体化合物诸如甲硅烷或乙硅烷，硅可以与金属通过CVD共同沉积。硅与金属的共同沉积可用来在非硅基质，如GaAs，以及硅表面上形成金属硅化物薄膜。通过硅和金属在硅基质上的共同沉积或通过金属在基质上沉积接着热处理步骤，金属硅化物可以在聚硅氧烷基质上形成。
同样地，通过在CVD反应室提供气化的合适的前体化合物，其他化合物与金属可以共同沉积。
在本发明另一方面，提供其中包括金属或含金属化合物的薄膜，该薄膜可通过本发明有机金属化合物与欲沉积金属或含金属化合物的基质表面接触而可获得。在本发明该方面的优选方案中，分解包括有机金属化合物与表面的接触的分解，当希望被涂敷的表面或其一部分加热到有机金属化合物接触分解的温度，无论在化合物热分解温度或该温度以上时的热分解，还是在低于该化合物热分解温度时的基质表面或前体分子催化分解或其他促进分解，例如，但是没有限制，在CVD方法中的分解。图1(不按比例)显示上述的薄膜14的示意图，其中基质10的表面12已经通过与本发明有机金属化合物反应涂有金属或含金属化合物13。在优选方案中，薄膜14基本上无碳和/或氧污染。
在本发明该方面的另一具体方案中，基质为集成电路工件。图2和3(不按比例)举例说明，但是没有限制，集成电路工件20的各处理阶段。图2描述选择性涂敷处理之前的工件20。图3描述选择性涂敷处理后的工件20。工件20包括具有基质表面24的硅片基质。工件20具有多重隔离栅场效应晶体管(IGFETs)30a和30b，各包括由一对电介质隔离物34和绝缘的栅垫36束缚的多晶硅栅单元32。例如，但是没有限制，在CVD方法中，工件20与本发明有机金属化合物反应，有机金属物质42，44，和46的金属沉积在如图3所示的工件上。通过许多本领域众所周知的方法可将金属或含金属物质42，44，和46有选择地沉积在硅基质表面24和多晶硅栅单元32表面上，或者沉积在整个工件表面的覆盖层上，然后有选择地除去，仅仅在硅基质表面24和多晶硅栅单元32表面留下42，44，和46的金属或含金属物质的雕出的图案。
在一个优选方案中，含金属物质42，44，和46为通过沉积后热处理金属薄膜，或者由金属与硅烷，乙硅烷或者其他硅CVD前体化合物共沉积形成的金属硅化物。
显然，在其他具体方案中，可以包括更多或更少集成电路设备，而且选择性地或另外地，按照本发明其他类型的集成电路设备可以包括但不限于，电阻器，电容器，双极结晶体管，二极管，等等。同样，含金属化合物可被用于其他类型基质如微型机器制造的元件。在其他具体方案中，可以选择性地或另外地应用不同基质和/或IGFET组合物和除CVD以外的沉积技术。
下列为本发明特定的具体方案的实施例，用来举例说明其原则。它们不应被考虑为限制，它们仅仅代表公开的广义的发明。
实施例1.金属前体化合物的合成
全部反应和随后的涉及有机金属化合物试剂的处理在氩气氛或氮气氛下使用Schlenk型玻璃器皿和手套箱技术进行。全部溶剂在氮气氛下用钠重新蒸馏。亚磷酸酯在氮气氛下重新蒸馏或升华。H-NMR光谱用VarianTM U400光谱仪记录。
C2H5OP(OCH3)2及其他混合的亚磷酸酯的合成
在装有500mL乙醚的2L圆底烧瓶中加入PCl3(0.1mole)并且冷却到-78℃。随着搅拌慢慢地加入二甲苯胺(0.10mole)和乙醇(0.1mole)。继续搅拌2-3小时。将该反应物再冷却到-78℃并且加入二甲苯胺(0.20moles)和甲醇(0.20moles)。将反应混合物温热至室温并且搅拌反应2-3小时。过滤产生的白色沉淀并且在除去溶剂后进行真空蒸馏。
用合适的醇重复该步骤产生下列亚磷酸酯和混合的亚磷酸酯：
(C2H5O)2P(OCH3)，
(C2H5O)2P(OiC2H9)，
(CH3O)2P(OiC3H7)，
(CH3O)2P(OnC3H7)，
(CH3O)2P(OnC4H9)，
(CH3O)2P(OCH2C6H5)，
(CH3O)2P(OC6H5)，P(OCH3)3，P(OC2H5)3，P(OCH(CH3)2)3，P(OC4H9)3和(CH3)3SiOP(OCH3)2从Aldrich购买。
金属配合物的合成
然后合成相应的钴配合物如下：
在氮气氛下，将60mmoles由上所述的亚磷酸酯产品加入30ml 2-甲氧基乙基醚(二甘醇二甲醚)中的15mmoles(2.0g)CoCl2并且搅拌。将该溶液冷却至-78℃并且往该混合物中加入20 mmoles NaBH4(3.0g)。随着搅拌在4小时内将该混合物慢慢地温热至室温，然后再搅拌2小时。真空除去溶剂，接着用己烷萃取。通过中性氧化铝色谱柱用己烷洗脱己烷萃取液。
通过H-NMR鉴定钴前体化合物产品。该前体在使用之前在约70-120℃和约0.02-0.50mmHg升华或蒸馏进一步纯化。对于HCo[(OCH3)P(OC2H5)2]4，温热至约70℃开始升华，然而，为了增加升华速率加热浴温度升至120℃。
HCo[(OCH3)P(OC2H5)2]4，HCO[P(OCH3)3]4，HCo[P(OC2H5)3]4，HCo[P(OCH(CH3)2)3]4，和HCo[P(OC4H9)3]4升华时没有显著的残余物。这显示前者比后面的前体具有较高的蒸气压以及良好的热稳定性。液体HCo[(OC6H5)P(OCH3)2]4蒸馏需要较高的真空，因此使用之前不要蒸馏。
利用如上所述的一般方法可以制备并且鉴定锰，锝，铼，铁，钌，锇，铑，铱，镍，钯和铂的金属配合物。
金属甲硅烷基亚磷酸酯的合成
在氮气氛以及搅拌下，将12.13mL二甲基三甲基甲硅烷基亚磷酸酯加入含2.0g CoCl2的30ml二甘醇二甲醚中。将该溶液冷却至-78℃并且往该混合物中加入3.0g NaBH4。在4小时内将该混合物慢慢地温热至室温，然后再搅拌2小时。真空除去溶剂，接着用己烷萃取。通过中性氧化铝色谱柱用己烷洗脱己烷萃取液。分离到一个液体产物，产率大约80％。由H-NMR鉴定，该产品为HCo[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4。
利用如上所述的一般方法可以制备并且分离锰，锝，铼，铁，钌，锇，铱，镍，钯和铂的金属甲硅烷基亚磷酸酯。
实施例2.金属前体化合物在CVD中的使用
如表1概括，通过CVD，来自实施例1的钴前体化合物用来在硅片上产生钴薄膜。对于每次沉积，将硅片置于CVD装置的反应室，用氩气清洗该系统。然后将该反应器抽空到10-6mmHg，并且将该硅片加热至所述的温度。前体容器被维持在所述的温度。沉积进行所述的时间。在沉积期间不使用载气时，反应室压力维持在0.05mmHg，使用氩或氢气时，反应室压力维持在5.0mmHg。使用载气时，压力通常优选0.1到10mmHg或更高。
沉积产生钴薄膜。在300℃基质温度，0.5mmHg，并且无载气的情况下，HCo[P(OC2H5)3]4沉积12分钟产生1600-1800nm厚的钴薄膜。
按类似方式，按照实施例1的基于锰，锝，铼，铁，钌，锇，铑，铱，镍，钯，以及铂的有机金属前体化合物可用于在硅片上产生金属膜。
表1
| 前体 | 基质温度 | 进料温度 | 沉积时间 |
| HCo[P(OCH3)3]4 | 230240260265280 | 140130130100130 | 1515157515 |
| HCo[P(OC2H5)3]4 | 250275300400500 | 130130130120120 | 1212122010 |
| HCo[P(OCH(CH3)2)3]4 | 140160175210 | 118118118118 | 30303030 |
| HCo[P(OC4H9)3]4 | 270280295310 | 150150150150 | 30303030 |
| HCo[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4 | 150 | 50 | 30 |
实施例3.具有钴薄膜的集成电路设备
有钴覆盖膜的集成电路设备工件按下法提供：通过标准方法净化集成电路工件并且将其放入CVD反应器中。将反应室抽空并且用氩回填。将试剂源室中的HCo[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4维持在50℃上。将集成电路工件加热至150℃。在50℃以及0.2mmHg压力下，将HCo[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4蒸气注入反应室30分钟。使用纯氩注入代替该蒸气注入，从该室冲洗剩余的分解副产物，并且将已涂敷工件冷却至室温。大于1800nm厚的钴层沉积在集成电路工件的表面上并且基本上无碳和氧污染。
按照实施例3利用本申请公开的有机金属前体可以制备具有源自锰，锝，铼，铁，钌，锇，铑，铱，镍，钯，和铂并且无氧和碳的金属薄膜的其他集成电路设备。
虽然本发明已在上述说明书中详细描写，但是这些应被认为是说明性的而非限制性的，显然已经公开的仅仅是优选方案，在本发明精神范围内所有的变化和改进都希望被保护。
Claims (77)
1.一种方法包括：
提供一种基质；和
在上述基质的表面上沉积金属或含金属物质；所述的沉积包括用式(R1)mM(PR2 3)x有机金属化合物接触上述基质表面，其中M是选自VIIb，VIII，IX或X族的金属，其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1；x是5以及m+x是6；(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；(c)当M是钴，铑或铱时，m是1，2，3或4以及x是2，3或4以及m+x是4，5，6，7或8；以及(d)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3或4以及m+x是2，3，4，5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中当M是钴并且一个R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。
2.权利要求1的方法，其中M是钴。
3.权利要求1的方法，其中所述的沉积包括所述的金属化合物在所述的基质表面上的热分解。
4.权利要求3的方法，其中所述的沉积为化学蒸气沉积法。
5.权利要求1的方法，其中所述的沉积包括在低于所述的金属化合物的热分解温度时所述的金属化合物在所述的基质表面上的表面催化分解。
6.权利要求5的方法，其中所述的沉积为化学蒸气沉积法。
7.权利要求1的方法，其中R1是氢。
8.权利要求1的方法，其中所述的R2基团不完全一样。
9.权利要求8的方法，其中R1是氢。
10.权利要求1的方法，其中M为铁，钌或锇。
11.权利要求10的方法，其中R1为H以及R2为OR5或OR6，其中R5为低级烷基，芳基，芳烷基，或烷基甲硅烷基以及R6为低级烷基。
12.权利要求11的方法，其中该化合物选自
H2M[P(OCH3)3]4，H2M[P(OC2H5)3]4，H2M[P(OC3H7)3]4，
H2M[P(OCH(CH3)2)3]4，H2M[P(OC4H9)3]4，H2M[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]4，
H2M[P(OCH2CH(CH3)2)3]4，H2M[(C6H5)OP(OCH3)2]4，
H2M[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，H2M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，
H2M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，H2M[(C3H7)OP(OCH3)2]4，
H2M[(CH3)3COP(OC2H5)2]4，H2M[(C2H5)OP(OCH3)2]4，
H2M[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，H2M[(C4H9)OP(OCH3)2]4，
H2M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，H2M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，
H2M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，和H2M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4.
13.权利要求10的方法，其中m为0以及R2为OR5或OR6，其中R5为低级烷基，芳基，芳烷基，或烷基甲硅烷基以及R6为低级烷基。
14.权利要求13的方法，其中该化合物选自
M[(C6H5)OP(OCH3)2]5，M[(C6H5)OP(OC2H5)2]5，
M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]5，M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]5，
M[(C3H7)OP(OCH3)2]5，M[(C4H9)OP(OC2H5)2]5，M[(CH3)OP(OC2H5)2]5，
M[(C2H5)OP(OCH3)2]5，and M[(C4H9)OP(OCH3)2]5，M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]5，
M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]5，M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]5，和
M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]5.
15.权利要求14的方法，其中M是铁。
16.权利要求14的方法，其中M是钌。
17.权利要求14的方法，其中M是锇。
18.权利要求1的方法，其中M为钴，铑或铱。
19.权利要求18的方法，其中R1为H以及R2为OR5或OR6，其中R5为低级烷基，芳基，芳烷基，或烷基甲硅烷基以及R6为低级烷基。
20.权利要求19的方法，其中M为钴以及该化合物选自
HCo[P(OCH3)3]4，HCo[P(OC2H5)3]4，
HCo[P(OC3H7)3]4，HCo[P(OCH(CH3)2)3]4，HCo[P(OC4H9)3]4，
HCo[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]4，HCo[P(OCH2CH(CH3)2)3]4，
HCo[(C6H5)OP(OCH3)2]4，HCo[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
HCo[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，HCo[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
HCo[(C3H7)OP(OCH3)2]4，HCo[(CH3)3COP(OC2H5)2]4，
HCo[(CH3)OP(OC2H5)2]4 HCo[(C2H5)OP(OCH3)2]4，
HCo[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，HCo[(C4H9)OP(OCH3)2]4，
HCo[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，HCo[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，
HCo[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，和HCo[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4.
21.权利要求19的方法，其中M为铑以及该化合物选自
HRh[P(OCH3)3]4，HRh[P(OC2H5)3]4，
HRh[P(OC3H7)3]4，HRh[P(OCH(CH3)2)3]4，HRh[P(OC4H9)3]4，
HRh[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]4，HRh[P(OCH2CH(CH3)2)3]4，
HRh[(C6H5)OP(OCH3)2]4，HRh[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
HRh[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，HRh[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
HRh[(C3H7)OP(OCH3)2]4，HRh[(CH3)3COP(OC2H5)2]4，
HRh[(C2H5)OP(OCH3)2]4，HRh[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，HRh[(C4H9)OP(OCH3)2]4，
HRh[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，HRh[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，
HRh[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，和HRh[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4.
22.权利要求19的方法，其中M为铱以及该化合物选自
H3Ir[P(OCH3)3]3，H3Ir[P(OC2H5)3]3，
H3Ir[P(OC3H7)3]3，H3Ir[P(OCH(CH3)2)3]3，H3Ir[P(OC4H9)3]3，
H3Ir[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]3，H3Ir[P(OCH2CH(CH3)2)3]3，
H3Ir[(C6H5)OP(OCH3)2]3，H3Ir[(C6H5)OP(OC2H5)2]3，
H3Ir[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]3，H3Ir[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]3，
H3Ir[(C3H7)OP(OCH3)2]3，H3Ir[(CH3)3COP(OC2H5)2]3，H3[Ir(C2H5)OP(OCH3)2]3，
H3Ir[(C4H9)OP(OC2H5)2]3，H3Ir[(C4H9)OP(OCH3)2]3，
H3Ir[(CH3)3SiOP(OCH3)2]3，H3Ir[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]3，
H3Ir[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]3，H3Ir[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]3，
H5Ir[(C6H5)OP(OC2H5)2]2，H5Ir[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]2，
H5Ir[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]2，H5Ir[(C3H7)OP(OCH3)2]2，
H5Ir[(C4H9)OP(OC2H5)2]2，H5Ir[CH3OP(OC2H5)2]2，H5Ir[(C2H5)OP(OCH3)2]2，
H5Ir[(C4H9)OP(OCH3)2]2，H5Ir[(CH3)3SiOP(OCH3)2]2，
H5Ir[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]2，H5Ir[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]2，和
H5Ir[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]2.
23.权利要求1的方法，其中M为镍，钯或铂。
24.权利要求23的方法，其中m为0以及R2为OR5或OR6，其中R5为低级烷基，芳烷基，或烷基甲硅烷基以及R6为低级烷基。
25.权利要求24的方法，其中该化合物选自
M[P(OCH3)3]4，M[P(OC2H5)3]4，M[P(OC3H7)3]4，
M[P(OCH(CH3)2)3]4，M[P(OC4H9)3]4，M[P(OCH(CH3)(CH2CH3))3]4，
M[P(OCH2CH(CH3)2)3]4，M[(C6H5)OP(OCH3)2]4，M[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
M[(C3H7)OP(OCH3)2]4，M[(CH3)3COP(OC2H5)2]4，M[(C2H5)OP(OCH3)2]4，
M[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，M[(C4H9)OP(OCH3)2]4，M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，
M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，和
M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4，M[(C6H5)OP(OCH3)2]2，M[(C6H5)OP(OC2H5)2]2，
M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]2，M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]2，
M[(C3H7)OP(OCH3)2]2，M[(C4H9)OP(OC2H5)2]2，M[(CH3)OP(OC2H5)2]2，
M[(C2H5)OP(OCH3)2]2，and M[(C4H9)OP(OCH3)2]2，M[(C6H5)OP(OCH3)2]3，
M[(C6H5)OP(OC2H5)2]3，M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]3，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]3，M[(C3H7)OP(OCH3)2]3，M[(C4H9)OP(OC2H5)2]3，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]3，M[(C2H5)OP(OCH3)2]3，和M[(C4H9)OP(OCH3)2]3.
26.权利要求25的方法，其中M是镍。
27.权利要求25的方法，其中M是钯。
28.权利要求25的方法，其中M是铂。
29.权利要求4的方法，进一步包括提供一种或多种硅化学蒸气沉积法前体化合物与金属化合物反应以及提供包括金属硅化物形式的所述含金属的物质。
30.权利要求29的方法，其中所述的一种或多种硅化学蒸气沉积法前体化合物包括甲硅烷，乙硅烷，或甲硅烷和乙硅烷的混合物。
31.权利要求6的方法，进一步包括提供一种或多种硅化学蒸气沉积法前体化合物与金属化合物反应以及提供包括金属硅化物形式的所述含金属的物质。
32.权利要求31的方法，其中所述的一种或多种硅化学蒸气沉积法前体化合物包括甲硅烷，乙硅烷，或甲硅烷和乙硅烷的混合物。
33.权利要求1方法，其中基质为集成电路设备工件形式。
34.权利要求33的方法，进一步包括含金属物质有选择地沉积.提供上述工件的导电触点。
35.权利要求34的方法，其中所述的工件包括许多晶体管设备，以及一种或多种由来自所述沉积的金属或含金属物质形成的电接触点。
36.式(R1)mM(PR2 3)x的有机金属化合物，其中M是选自锰，锝，铼，铁，钌，锇，镍，钯，和铂的金属；各R1独立地选自氢，氘，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团，各R2独立地选自芳烷基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1；x是5以及m+x是6；以及其中所述的R2基团不完全一样；以及(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；以及其中上述的R2不完全一样；以及(c)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3或4以及m+x是2，3，4，5或6；以及其中上述的R2不完全一样。
37.权利要求36的化合物，其中M为铁，钌或锇，R1为氢以及该化合物选自
H2M[(C6H5)OP(OCH3)2]4，H2M[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
H2M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，H2M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
H2M[(C3H7)OP(OCH3)2]4，H2M[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，H2M[(CH3)OP(OC2H5)2]4，
H2M[(C2H5)OP(OCH3)2]4，H2M[(C4H9)OP(OCH3)2]4，M[(C6H5)OP(OCH3)2]5，
M[(C6H5)OP(OC2H5)2]5，M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]5，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]5，M[(C3H7)OP(OCH3)2]5，M[(C4H9)OP(OC2H5)2]5，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]5，M[(C2H5)OP(OCH3)2]5，和M[(C4H9)OP(OCH3)2]5.
38.权利要求36的化合物，其中M为镍，钯或铂，m为0以及该化合物选自
M[(C6H5)OP(OCH3)2]4，M[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，M[(C3H7)OP(OCH3)2]4，M[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]4，M[(C2H5)OP(OCH3)2]4，M[(C4H9)OP(OCH3)2]4，
M[(C6H5)OP(OCH3)2]3，M[(C6H5)OP(OC2H5)2]3，M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]3，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]3，M[(C3H7)OP(OCH3)2]3，M[(C4H9)OP(OC2H5)2]3，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]3，M[(C2H5)OP(OCH3)2]3，M[(C4H9)OP(OCH3)2]3，
M[(C6H5)OP(OCH3)2]2，M[(C6H5)OP(OC2H5)2]2，M[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]2，
M[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]2，M[(C3H7)OP(OCH3)2]2，M[(C4H9)OP(OC2H5)2]2，
M[(CH3)OP(OC2H5)2]2，M[(C2H5)OP(OCH3)2]2，和M[(C4H9)OP(OCH3)2]2.
39.式(R1)mM(PR2 3)x有机金属化合物，其中M是选自铑和铱的金属；m是1，3或4；x为2，3或4；以及m+x为4，5，6，7或8；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中所述的R2基团不完全一样。
40.权利要求38的化合物，其中M为铑，R1为氢以及该化合物选自
HRh[(C6H5)OP(OCH3)2]4，HRh[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，
HRh[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，HRh[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，
HRh[(C3H7)OP(OCH3)2]4，HRh[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，HRh[(CH3)OP(OC2H5)2]4，
HRh[(C2H5)OP(OCH3)2]4，和HRh[(C4H9)OP(OCH3)2]4.
41.权利要求39的化合物，其中M为铱，R1为氢以及该化合物选自
H3Ir[(C6H5)OP(OCH3)2]3，H3Ir[(C6H5)OP(OC2H5)2]3，H3Ir[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]3，
H3Ir(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]3，H3Ir(C3H7)OP(OCH3)2]3，
H3Ir(C4H9)OP(OC2H5)2]3，H3Ir[(CH3)OP(OC2H5)2]3，H3Ir[(C2H5)OP(OCH3)2]3，
H3Ir[(C4H9)OP(OCH3)2]3，
H5Ir[(C6H5)OP(OC2H5)2]2，H5Ir[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]2，
H5Ir(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]2，H5Ir[(C3H7)OP(OCH3)2]2，
H5Ir[(C4H9)OP(OC2H5)2]2，H5Ir[(CH3)OP(OC2H5)2]2，H5Ir[(C2H5)OP(OCH3)2]2，
和H5Ir[(C4H9)OP(OCH3)2]2.
42.式(R1)mCo(PR2 3)x钴有机金属化合物，其中m是1，2，或3；x是3或4；m+x是5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中当R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。以及其中上述的R2不完全一样。
43.权利要求42的化合物，R1为氢以及该化合物选自
HCo[(C6H5)OP(OCH3)2]4，
HCo[(C6H5)OP(OC2H5)2]4，HCo[(C6H5)CH2OP(OCH3)2]4，
HCo[(C6H5)CH2OP(OC2H5)2]4，HCo[(C3H7)OP(OCH3)2]4，
HCo[(C4H9)OP(OC2H5)2]4，HCo[(CH3)OP(OC2H5)2]4，HCo[(C2H5)OP(OCH3)2]4，
和HCo[(C4H9)OP(OCH3)2]4.
44.权利要求36的化合物，其中至少一个R2选自烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基。
45.权利要求44的化合物，其中M为铁，钌或锇，以及该化合物选自
H2M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，H2M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，
H2M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，H2M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4，
M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]5，M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]5，M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]5，
和M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]5.
46.权利要求44的化合物，其中M为镍，钯或铂，以及该化合物选自
M[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，M[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，M[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，
和M[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4.
47.权利要求39的化合物，其中至少一个R2选自烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基。
48.权利要求47的化合物，其中M为铑以及该化合物选自
HRh[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，
HRh[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，HRh[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，和
HRh[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4.
49.权利要求47的化合物，其中M为铱以及该化合物选自
H3Ir[(CH3)3SiOP(OCH3)2]3，
H3Ir[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]3，H3Ir[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]3，
H3Ir[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]3，H5Ir[(CH3)3SiOP(OCH3)2]2，
H5Ir[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]2，H5Ir[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]2，和
H5Ir[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]2.
50.权利要求42的化合物，其中至少一个R2选自烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基。
51.权利要求50的化合物，该化合物选自
HCo[(CH3)3SiOP(OCH3)2]4，
HCo[(CH3)3SiOP(OC2H5)2]4，HCo[(C2H5)3SiOP(OCH3)2]4，和
HCo[(C2H5)3SiOP(OC2H5)2]4.
52.一种在基质表面上进行化学淀积的方法，包括：
用式(R1)mM(PR2 3)x有机金属前体化合物接触该基质表面，其中M是选自锰，锝，铼，铁，钌，锇，钴，铑，铱，镍，钯，和铂的金属，其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1，x是5以及m+x是6，(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；(c)当M是钴，铑或铱时，m是1，2，3或4以及x是2，3或4以及m+x是4，5，6，7或8；以及(d)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3或4以及m+x是2，3，4，5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中当M是钴，铑或铱并且一个R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘；以及将希望涂敷的基质表面的区域加热至有机金属前体化合物热分解温度或更高的温度。
53.权利要求52的方法，其中M是钴。
54.权利要求52的方法，其中与基质表面接触的化合物处于液态。
55.权利要求52的方法，其中与基质表面接触的化合物处于蒸气态。
56.权利要求55的方法，其中所述的接触进一步包括加热表面与惰性载气，气化还原剂，或惰性载气和气化还原剂的混合物的接触。
57.权利要求56的方法，其中还原剂是氢。
58.权利要求55的方法，其中所述的接触进一步包括加热基质表面与至少一种含非金属的化学蒸气沉积法前体化合物的接触。
59.权利要求58的方法，其中所述的至少一种含非金属的化学蒸气沉积法前体化合物包括甲硅烷，乙硅烷或甲硅烷和乙硅烷的混合物。
60.一种包括金属的薄膜，其中通过式(R1)mM(PR2 3)x有机金属化合物的化学蒸气沉积法获得，其中M是选自锰，锝，铼，铁，钌，锇，钴，铑，铱，镍，钯，和铂的金属，其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1，x是5以及m+x是6，(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；(c)当M是钴，铑或铱时，m是1，2，3或4以及x是2，3或4以及m+x是4，5，6，7或8；以及(d)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3，或4，以及m+x是2，3，4，5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中当M是钴并且一个R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。
61.按照权利要求60的薄膜，其中M为钴。
62.权利要求60的薄膜，其中至少一部分金属形成金属硅化物。
63.一种方法包括：
提供一种集成电路设备工件；以及在该工件上沉积金属或含金属物质；所述的沉积包括用式(R1)mM(PR2 3)x有机金属化合物接触上述工件或其一部分，其中M是选自锰，锝，铼，铁，钌，锇，钴，铑，铱，镍，钯，和铂的金属，其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1，x是5以及m+x是6，(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；(c)当M是钴，铑或铱时，m是1，2，3或4，x是2，3或4以及m+x为4，5，6，7或8；以及(d)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3，或4，以及m+x是2，3，4，5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中当M是钴并且一个R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。
64.按照权利要求63的方法，其中M为钴。
65.权利要求64的方法，其中所述的沉积为化学蒸气沉积法。
66.权利要求65的方法，进一步包括提供一种或多种硅化学蒸气沉积法前体化合物与金属化合物反应以及提供包括金属硅化物形式的所述含金属的物质。
67.权利要求66的方法，其中所述的一种或多种硅化学蒸气沉积法前体化合物包括甲硅烷，乙硅烷，或甲硅烷和乙硅烷的混合物。
68.权利要求63的方法，其中所述的R2基团不完全一样。
69.的权利要求63的方法，其中m为0。
70.权利要求68的方法，其中R1为氢或氘。
71.权利要求63的方法，进一步包括金属或含金属物质有选择地沉积提供所述工件的电子导电触点。
72.权利要求63的方法，其中所述的工件包括许多晶体管设备，以及进一步包括提供一种或多种来自金属或含金属物质的晶体管设备的电接触点。
73.权利要求72的方法，其中所述的晶体管设备为隔离栅场效应晶体管。
74.一种具有可通过式(R1)mM(PR2 3)x有机金属化合物的化学蒸气沉积法获得的薄膜的集成电路设备，式中M是选自锰，锝，铼，铁，钌，锇，钴，铑，铱，镍，钯，和铂的金属，其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1，x是5以及m+x是6，(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；(c)当M是钴，铑或铱时，m是1，2，3或4，x是2，3或4以及m+x为4，5，6，7或8；以及(d)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3或4，以及m+x是2，3，4，5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4是氢或氘；以及其中当M是钴并且一个R1选自N2时，m是2以及第二个R1是氢或氘。
75.权利要求74的集成电路设备，其中M是钴。
76.一种形成含金属或金属衍生物粉末的方法，其中包括：
提供一种介质；以及
将蒸气或液体分散进入介质，该蒸气或液体含有式(R1)mM(PR2 3)x有机金属化合物，式中M是选自VIIb，VIII，IX或X族的金属，其中(a)当M是锰，锝或铼时，m是1，x是5以及m+x是6，(b)当M是铁，钌或锇时，m是0，1，2，3或4；x是2，3，4或5以及m+x是4，5，6或7；(c)当M是钴，铑或铱时，m是1，2，3或4以及x是2，3或4以及m+x是4，5，6，7或8；以及(d)当M是镍，钯或铂时，m是0或2，x是2，3，或4，以及m+x是2，3，4，5或6；各R1独立地选自氢，氘，N2，H2，D2以及式-CR3 2-CR3 2-R4基团；各R2独立地选自低级烷基，芳基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，芳烷氧基，烷基甲硅烷基，芳基甲硅烷基，芳烷基甲硅烷基，烷氧基甲硅烷基，芳氧基甲硅烷基，芳烷氧基甲硅烷基，烷基甲硅烷氧基，芳基甲硅烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基，芳烷氧基甲硅烷氧基，烷基甲硅烷基烷基，芳基甲硅烷基烷基，芳烷基甲硅烷基烷基，烷氧基甲硅烷基烷基，芳氧基甲硅烷基烷基，芳烷氧基甲硅烷基烷基，烷基甲硅烷氧基烷基，芳基甲硅烷氧基烷基，芳烷基甲硅烷氧基烷基，烷氧基甲硅烷氧基烷基，芳氧基甲硅烷氧基烷基，芳烷氧基甲硅烷氧基烷基，烷基甲硅烷基烷氧基，芳基甲硅烷基烷氧基，芳烷基甲硅烷基烷氧基，烷氧基甲硅烷基烷氧基，芳氧基甲硅烷基烷氧基，芳烷氧基甲硅烷基烷氧基，烷基甲硅烷氧基烷氧基，芳基甲硅烷氧基烷氧基，芳烷基甲硅烷氧基烷氧基，烷氧基甲硅烷氧基烷氧基，芳氧基甲硅烷氧基烷氧基，以及芳烷氧基甲硅烷氧基烷氧基；各R3独立地选自氢，氘，C1-C6烷基，C1-C6环烷基，苯基，苄基，(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷基，以及(C1-C2烷基或烷氧基)3-甲硅烷氧基以及其中至少两个R3选自氢和氘；R4为氢或氘；以及其中当M是钴并且一个R1选自N2时，m是2并且第二个R1是氢或氘。
77.权利要求76的方法，其中介质温度处于或高于有机金属前体化合物热分解温度。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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