CN1637007A - (巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法 - Google Patents
(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1637007A CN1637007A CNA2004100922814A CN200410092281A CN1637007A CN 1637007 A CN1637007 A CN 1637007A CN A2004100922814 A CNA2004100922814 A CN A2004100922814A CN 200410092281 A CN200410092281 A CN 200410092281A CN 1637007 A CN1637007 A CN 1637007A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic radical
- organoalkoxysilane
- silane
- preparation
- sulfydryl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 51
- -1 silanes compound Chemical class 0.000 claims description 107
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 46
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 15
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 13
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 claims description 5
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical compound [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LTJSXGVQCAVSJW-UHFFFAOYSA-N [K+].[K+].[S-][S-] Chemical compound [K+].[K+].[S-][S-] LTJSXGVQCAVSJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052977 alkali metal sulfide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 abstract 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 33
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229960004756 ethanol Drugs 0.000 description 19
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 18
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 13
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 11
- 102000016397 Methyltransferase Human genes 0.000 description 10
- 108060004795 Methyltransferase Proteins 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- OOXSLJBUMMHDKW-UHFFFAOYSA-N trichloro(3-chloropropyl)silane Chemical compound ClCCC[Si](Cl)(Cl)Cl OOXSLJBUMMHDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 9
- PNNXBWWSFIVKQW-UHFFFAOYSA-N [O].CCCCCCCCCCCCCCCC Chemical compound [O].CCCCCCCCCCCCCCCC PNNXBWWSFIVKQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 125000001340 2-chloroethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)C([H])([H])* 0.000 description 6
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RJSAQZCIPLHQGO-UHFFFAOYSA-N [SiH4].C(CCCCCCCCCCCCC)ONC1=CC=CC=C1 Chemical compound [SiH4].C(CCCCCCCCCCCCC)ONC1=CC=CC=C1 RJSAQZCIPLHQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 6
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 description 6
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 6
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 6
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- CTGCXXFBIJQSSV-UHFFFAOYSA-N dodecoxysilane Chemical compound C(CCCCCCCCCCC)O[SiH3] CTGCXXFBIJQSSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MOLANWHCYXEHER-UHFFFAOYSA-N C(C)O[SiH2]OCC.[Cl] Chemical compound C(C)O[SiH2]OCC.[Cl] MOLANWHCYXEHER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KTICMFWDWIEQLM-UHFFFAOYSA-N CO[SiH2]OC.[Cl] Chemical compound CO[SiH2]OC.[Cl] KTICMFWDWIEQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 4
- 125000005358 mercaptoalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MCEBKLYUUDGVMD-UHFFFAOYSA-N [SiH3]S(=O)=O Chemical compound [SiH3]S(=O)=O MCEBKLYUUDGVMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002521 alkyl halide group Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N diethoxymethylsilane Chemical compound CCOC([SiH3])OCC NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- CIGIRZIOSVQVKQ-UHFFFAOYSA-N [O].CCCCCCCCCCCCCCCCCC Chemical compound [O].CCCCCCCCCCCCCCCCCC CIGIRZIOSVQVKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JTWSBLCOJHYGSJ-UHFFFAOYSA-N [SiH4].C(CCCCCCCCCCC)ON(C1=CC=CC=C1)OCCCCCCCCCCCCCC Chemical compound [SiH4].C(CCCCCCCCCCC)ON(C1=CC=CC=C1)OCCCCCCCCCCCCCC JTWSBLCOJHYGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 2
- RECJVUVMDRZCPY-UHFFFAOYSA-N diethoxymethoxysilane Chemical compound C(C)OC(O[SiH3])OCC RECJVUVMDRZCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYYQWMDBQFSCPB-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethylsilane Chemical compound COC([SiH3])OC XYYQWMDBQFSCPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTGKPTHUMQTAFJ-UHFFFAOYSA-N dipropoxymethoxysilane Chemical compound C(CC)OC(O[SiH3])OCCC OTGKPTHUMQTAFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYZIYCGDBGNDHE-UHFFFAOYSA-N (2-chloro-1,1-diethoxyethoxy)silane Chemical compound ClCC(O[SiH3])(OCC)OCC RYZIYCGDBGNDHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGOFHSLWCYZBAW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3-trichloropropan-2-yloxysilane Chemical compound ClCC(C(Cl)Cl)O[SiH3] DGOFHSLWCYZBAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZUKYLKQZSNBRN-UHFFFAOYSA-N 2-(diethoxymethoxysilyl)ethanethiol Chemical compound CCOC(OCC)O[SiH2]CCS ZZUKYLKQZSNBRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMKKPOXYIBPAIB-UHFFFAOYSA-N 2-(diethoxymethylsilyl)ethanethiol Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]CCS PMKKPOXYIBPAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKBBVTOGABTTHK-UHFFFAOYSA-N 2-[dimethoxy(methyl)silyl]ethanethiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCS RKBBVTOGABTTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JORUHFCBJHXNAX-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl(2,2-dichloroethoxy)silane Chemical compound ClCC[SiH2]OCC(Cl)Cl JORUHFCBJHXNAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZVITNSAIWYUEY-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl(dichloromethyl)silane Chemical compound ClCC[SiH2]C(Cl)Cl IZVITNSAIWYUEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHARCASMIQRWKG-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl(diethoxymethyl)silane Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]CCCl UHARCASMIQRWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKBFHCBHLOZDKH-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CCCl)(OCC)OCC IKBFHCBHLOZDKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CASYTJWXPQRCFF-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCl CASYTJWXPQRCFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGFSMOHWPOFZQW-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCl SGFSMOHWPOFZQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVNPFNZTPMWRAX-UHFFFAOYSA-N 2-triethoxysilylethanethiol Chemical compound CCO[Si](CCS)(OCC)OCC DVNPFNZTPMWRAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOSLJXKHQKRRFN-UHFFFAOYSA-N 2-trimethoxysilylethanethiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCS LOSLJXKHQKRRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZEBPNPRXOYGRA-UHFFFAOYSA-N 2-tripropoxysilylethanethiol Chemical compound CCCO[Si](CCS)(OCCC)OCCC UZEBPNPRXOYGRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDRFVLYGPMSFMO-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobutyl(2,2-dichloroethoxy)silane Chemical compound ClC(CC[SiH2]OCC(Cl)Cl)C NDRFVLYGPMSFMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIWFKASYQDCAJU-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobutyl(dichloromethyl)silane Chemical compound CC(Cl)CC[SiH2]C(Cl)Cl GIWFKASYQDCAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKYDXMGBRXFZAF-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobutyl(diethoxymethoxy)silane Chemical compound CCOC(OCC)O[SiH2]CCC(C)Cl FKYDXMGBRXFZAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPCAUZOMHQJBBP-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobutyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(C)Cl JPCAUZOMHQJBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKZFYIZYGVNWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobutyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(C)Cl WKZFYIZYGVNWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFAPBUKTSPHXQA-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(2,2-dichloroethoxy)silane Chemical compound ClCCC[SiH2]OCC(Cl)Cl YFAPBUKTSPHXQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUYTLBXBVBQGL-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(dichloromethyl)silane Chemical compound ClCCC[SiH2]C(Cl)Cl RJUYTLBXBVBQGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBPOFRFFAXFFKS-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(diethoxymethoxy)silane Chemical compound CCOC(OCC)O[SiH2]CCCCl SBPOFRFFAXFFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGOBLSHQPLVMNX-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(diethoxymethyl)silane Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]CCCCl PGOBLSHQPLVMNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCCl KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIFBEYQLKOBDQH-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)CCCCl IIFBEYQLKOBDQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKGFXMMZRMYOQR-UHFFFAOYSA-N 4-[dimethoxy(methyl)silyl]butane-2-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCC(C)S PKGFXMMZRMYOQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUGBJJNOIWRRPH-UHFFFAOYSA-N 4-triethoxysilylbutane-2-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(C)S XUGBJJNOIWRRPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWLDNGJSJBLBFK-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylbutane-2-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(C)S ZWLDNGJSJBLBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIVACBGNJINCKA-UHFFFAOYSA-N 4-tripropoxysilylbutane-2-thiol Chemical compound CCCO[Si](CCC(C)S)(OCCC)OCCC HIVACBGNJINCKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- OQBXQSREXANNIS-UHFFFAOYSA-N C(C(C)C)O[SiH](C)C Chemical compound C(C(C)C)O[SiH](C)C OQBXQSREXANNIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXYKIXHQDOQFFJ-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCCCC)ON(C1=CC=CC=C1)OCCCCCCCCCCCCCC Chemical compound C(CCCCCCCCCCC)ON(C1=CC=CC=C1)OCCCCCCCCCCCCCC YXYKIXHQDOQFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNKOYNOPBDSEMX-UHFFFAOYSA-N CCCOC(OCCC)O[SiH2]CCC(C)S Chemical compound CCCOC(OCCC)O[SiH2]CCC(C)S NNKOYNOPBDSEMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPULFFUSXKLZJZ-UHFFFAOYSA-N CCCOC(OCCC)O[SiH2]CCS Chemical compound CCCOC(OCCC)O[SiH2]CCS XPULFFUSXKLZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUBDYQOOFSPFBC-UHFFFAOYSA-N CCOC(OCC)O[SiH2]CCC(C)S Chemical compound CCOC(OCC)O[SiH2]CCC(C)S VUBDYQOOFSPFBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTXSQLNGWGYTEX-UHFFFAOYSA-N CCOC(OCC)O[SiH2]CCCl Chemical compound CCOC(OCC)O[SiH2]CCCl ZTXSQLNGWGYTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZJMMABHAMTFPR-UHFFFAOYSA-N CCOC(OCC)[SiH2]CCC(C)S Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]CCC(C)S YZJMMABHAMTFPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKKKACWBPFJYNS-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]C.C(CCCCCCCCCCCCC)ONC1=CC=CC=C1 Chemical compound C[SiH2]C.C(CCCCCCCCCCCCC)ONC1=CC=CC=C1 BKKKACWBPFJYNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIYBFVUJDAPOAC-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]OC.ClC(CCCl)C Chemical compound C[SiH2]OC.ClC(CCCl)C UIYBFVUJDAPOAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVIOEOGXWZALBL-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]OC.ClCCCCl Chemical compound C[SiH2]OC.ClCCCCl PVIOEOGXWZALBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGAASTNYZYTUBK-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]OC.ClCCCl Chemical compound C[SiH2]OC.ClCCCl ZGAASTNYZYTUBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIMWHEKKPLNPFH-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]OC.ClCCl Chemical compound C[SiH2]OC.ClCCl KIMWHEKKPLNPFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADNVYVSHPUDMPN-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]OCC.ClC(CCCl)C Chemical compound C[SiH2]OCC.ClC(CCCl)C ADNVYVSHPUDMPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRVXMOXIWQSYNZ-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]OCC.ClCCCCl Chemical compound C[SiH2]OCC.ClCCCCl QRVXMOXIWQSYNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKCACIUNPZETIP-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]OCC.ClCCCl Chemical compound C[SiH2]OCC.ClCCCl LKCACIUNPZETIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJKVOFWDLRCXGH-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]OCC.ClCCl Chemical compound C[SiH2]OCC.ClCCl NJKVOFWDLRCXGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMPJJFJLRJFVHD-UHFFFAOYSA-N C[SiH3].C(CCCCCCCCCCCCC)ONC1=CC=CC=C1 Chemical compound C[SiH3].C(CCCCCCCCCCCCC)ONC1=CC=CC=C1 KMPJJFJLRJFVHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHUBHSKKANABQW-UHFFFAOYSA-N SC(CCC1=C(N(OCCCCCCCCCCCCCC)OCCCCCCCCCCCC)C=CC=C1)C Chemical compound SC(CCC1=C(N(OCCCCCCCCCCCCCC)OCCCCCCCCCCCC)C=CC=C1)C RHUBHSKKANABQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKSPXZOBODBZCT-UHFFFAOYSA-N SCCC1=C(N(OCCCCCCCCCCCCCC)OCCCCCCCCCCCC)C=CC=C1 Chemical compound SCCC1=C(N(OCCCCCCCCCCCCCC)OCCCCCCCCCCCC)C=CC=C1 DKSPXZOBODBZCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- SOKKGFZWZZLHEK-UHFFFAOYSA-N butoxy(dimethyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](C)C SOKKGFZWZZLHEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIHBEVRKYFBXIK-UHFFFAOYSA-N chloro-(2-chloroethyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCCl MIHBEVRKYFBXIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZVRNKZNWATVDB-UHFFFAOYSA-N chloro-(3-chlorobutyl)-dimethylsilane Chemical compound CC(Cl)CC[Si](C)(C)Cl JZVRNKZNWATVDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJLJNLUARMMMLW-UHFFFAOYSA-N chloro-(3-chloropropyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCCCl BJLJNLUARMMMLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N chloro-(chloromethyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCl ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZWZGJQFUHYQOD-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(dichloromethyl)silane Chemical compound ClC[SiH2]C(Cl)Cl HZWZGJQFUHYQOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CCl)(OCC)OCC ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPOSCXQHGOVVPD-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](CCl)(OC)OC FPOSCXQHGOVVPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXZMFKUGAPMMCJ-UHFFFAOYSA-N chloromethyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(CCl)OC ZXZMFKUGAPMMCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- TTYHSEJYYROOSI-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](C)OCCCC TTYHSEJYYROOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OARYFQYHTWCNQO-UHFFFAOYSA-N dimethyl(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[SiH](C)C OARYFQYHTWCNQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEHPKGIJAWBJMV-UHFFFAOYSA-N dimethyl(propoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](C)C BEHPKGIJAWBJMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWADWCRXVXKDPN-UHFFFAOYSA-N dodecoxy(dimethyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCO[SiH](C)C CWADWCRXVXKDPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCFXPXPTUTZNAY-UHFFFAOYSA-N dodecoxy(methyl)silane Chemical compound C(CCCCCCCCCCC)O[SiH2]C DCFXPXPTUTZNAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N ethoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)C DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- PJJJBBJSCAKJQF-UHFFFAOYSA-N guanidinium chloride Chemical compound [Cl-].NC(N)=[NH2+] PJJJBBJSCAKJQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- VDXTYGONCKJCPN-UHFFFAOYSA-N methyl(2-methylpropoxy)silane Chemical class C[SiH2]OCC(C)C VDXTYGONCKJCPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEWMVMZALMGUJM-UHFFFAOYSA-N methyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](C)OCCC MEWMVMZALMGUJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYFRFHPHRQYQQR-UHFFFAOYSA-N methyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[SiH](C)OC(C)C FYFRFHPHRQYQQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- KOODSCBKXPPKHE-UHFFFAOYSA-N propanethioic s-acid Chemical compound CCC(S)=O KOODSCBKXPPKHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
- C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
- C07F7/1892—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions not provided for in C07F7/1876 - C07F7/1888
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
本发明涉及通过在排除空气并加压下,使碱金属硫化物和(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混合物在醇中反应而制备(巯基有机基)烷氧基硅烷的方法。
Description
技术领域
本发明涉及(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法。
背景技术
已知通过使适宜的(卤代有机基)烷氧基硅烷化合物和硫脲及氨反应而在一步反应中制备巯烷基硅烷(DE AS 2035619)。该方法的缺点是需要长的反应时间(大于24小时)以获得经济上可接受的转化速率。使用该方法可获得的收率不定,基于所用的(卤代有机基)烷氧基硅烷化合物的转化,收率仅达到75-80%的值。另外,在该方法中形成盐酸胍,其分离和去除需要额外的花费。
还已知巯烷基硅烷的制备方法,在该方法中,通过在压力下氢化硫代丙酸酰胺硅烷(EP 0018094)或者通过在元素硫或硫化氢存在下氢化腈烷基硅烷化合物(US-PS 4012403)进行形成巯基硅烷的反应。这两种方法都具有收率低的缺点。
US 3849471公开了通过适宜的(卤代有机基)烷氧基硅烷化合物和硫化氢在乙二胺和大量重金属硫化物存在下反应而制备巯基硅烷。该方法的缺点是有各种次要产物的形成及其分离。
还已知通过使起始硅烷与硫化氢在二胺不存在,但在氨、伯胺、仲胺或叔胺存在下,在极性、质子或非质子介质任选地存在下反应,而改善US 3849471的方法(US 4082790)。该方法的缺点是,为了达到反应物反应所需的反应温度,反应必须在高压釜中进行。如果反应在无极性介质存在下进行,为了获得可接受的转化速率,必须接受不经济的长反应时间。而且,在工业规模计量加入和处理高毒性H2S是不期望的,其花费昂贵,并需要采取高水平的安全预防措施。
从GB 1 102 251已知,碱金属氢硫化物(alkali hydrogen sulfide)和(卤烷基)烷氧基硅烷在甲醇介质中反应形成相应的巯基硅烷。该方法的缺点是需要相当长的反应时间(96小时)以获得高转化速率,因此获得的收率并不令人满意。
已知通过使碱金属氢硫化物和适宜的(卤烷基)烷氧基硅烷在10-100%摩尔过量的H2S存在下反应而制备(巯烷基)烷氧基硅烷(US5840952)。在工业规模上,该方法的缺点是必须计量加入和处理高毒性H2S。该已知方法必须2步进行,导致该方法的时空收率下降。
还已知通过使(卤烷基)烷氧基硅烷和碱金属氢硫化物(NaSH)在极性、非质子溶剂中反应而制备(巯烷基)烷氧基硅烷(EP 0 471 164)。该方法的缺点是使用至少50体积%的大量溶剂,例如在二甲基甲酰胺的情况下,这是有毒的。另外,由于二甲基甲酰胺的高沸点,使后来通过蒸馏收集(working-up)反应产物和它们的纯化更加困难。
发明内容
本发明的目的是提供(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,在该方法中不使用气体原料,实现了(卤代有机基)硅烷的反应中的高时空收率,同时避免了计量加入和处理高毒性硫化氢或有毒的二甲基甲酰胺。
本发明提供(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,在排除空气并加压下,使碱金属硫化物和(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混合物在醇中反应。
具体实施方式
(巯基有机基)烷氧基硅烷可以是通式I的化合物
其中
取代基R相同或不同,并且是优选为CH3的C1-C8烷基、链烯基、芳基或芳烷基,或OR’基,
取代基R’相同或不同,并且是C1-C24,优选C1-C4或C12-C18的支链或非支链一价烷基或链烯基、芳基、芳烷基,
R”是支链或非支链、饱和或不饱和脂族、芳族或脂族/芳族混合二价C1-C30烃基,其任选地被F、Cl、Br、I、NH2或NHR’取代,x是1-3。
对于x=1而言,R”可以代表-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2-、-CH(CH3)-、-CH2CH(CH3)-、-CH(CH3)CH2-、-C(CH3)2-、-CH(C2H5)-、-CH2CH2CH(CH3)-、-CH2CH(CH3)CH2-或
对于x=2而言,R”可以代表CH、-CH-CH2、-CH2-CH、C-CH3、-CH-CH2-CH2、-CH-CH-CH3或-CH2-CH-CH2。
通式I的(巯基有机基)烷氧基硅烷可以是:
3-巯丙基(三甲氧基硅烷),
3-巯丙基(三乙氧基硅烷),
3-巯丙基(二乙氧基甲氧基硅烷),
3-巯丙基(三丙氧基硅烷),
3-巯丙基(二丙氧基甲氧基硅烷),
3-巯丙基(三(十二烷氧基)硅烷),
3-巯丙基(三(十四烷氧基)硅烷),
3-巯丙基(三(十六烷氧基)硅烷),
3-巯丙基(三(十八烷氧基)硅烷),
3-巯丙基(二(十二烷氧基)十四烷氧基硅烷),
3-巯丙基(十二烷氧基)十四烷氧基(十六烷氧基)硅烷,
3-巯丙基(二甲氧基甲基硅烷),
3-巯丙基(甲氧基二甲基硅烷),
3-巯丙基(二乙氧基甲基硅烷),
3-巯丙基(乙氧基二甲基硅烷),
3-巯丙基(二丙氧基甲基硅烷),
3-巯丙基(丙氧基二甲基硅烷),
3-巯丙基(二异丙氧基甲基硅烷),
3-巯丙基(异丙氧基二甲基硅烷),
3-巯丙基(二丁氧基甲基硅烷),
3-巯丙基(丁氧基二甲基硅烷),
3-巯丙基(二异丁氧基甲基硅烷),
3-巯丙基(异丁氧基二甲基硅烷),
3-巯丙基(二(十二烷氧基)甲基硅烷),
3-巯丙基(十二烷氧基二甲基硅烷),
3-巯丙基(二(十四烷氧基)甲基硅烷),
3-巯丙基(十四烷氧基二甲基硅烷),
2-巯乙基(三甲氧基硅烷),
2-巯乙基(三乙氧基硅烷),
2-巯乙基(二乙氧基甲氧基硅烷),
2-巯乙基(三丙氧基硅烷),
2-巯乙基(二丙氧基甲氧基硅烷),
2-巯乙基(三(十二烷氧基)硅烷),
2-巯乙基(三(十四烷氧基)硅烷),
2-巯乙基(三(十六烷氧基)硅烷),
2-巯乙基(三(十八烷氧基)硅烷),
2-巯乙基(二(十二烷氧基)十四烷氧基硅烷),
2-巯乙基(十二烷氧基)十四烷氧基(十六烷氧基)硅烷,
2-巯乙基(二甲氧基甲基硅烷),
2-巯乙基(甲氧基二甲基硅烷),
2-巯乙基(二乙氧基甲基硅烷),
2-巯乙基(乙氧基二甲基硅烷),
1-巯甲基(三甲氧基硅烷),
1-巯甲基(三乙氧基硅烷),
1-巯甲基(二乙氧基甲氧基硅烷),
1-巯甲基(二丙氧基甲氧基硅烷),
1-巯甲基(三丙氧基硅烷),
1-巯甲基(三甲氧基硅烷),
1-巯甲基(二甲氧基甲基硅烷),
1-巯甲基(甲氧基二甲基硅烷),
1-巯甲基(二乙氧基甲基硅烷),
1-巯甲基(乙氧基二甲基硅烷),
1,3-二巯基丙基(三甲氧基硅烷),
1,3-二巯基丙基(三乙氧基硅烷),
1,3-二巯基丙基(三丙氧基硅烷),
1,3-二巯基丙基(三(十二烷氧基)硅烷),
1,3-二巯基丙基(三(十四烷氧基)硅烷),
1,3-二巯基丙基(三(十六烷氧基)硅烷),
2,3-二巯基丙基(三甲氧基硅烷),
2,3-二巯基丙基(三乙氧基硅烷),
2,3-二巯基丙基(三丙氧基硅烷),
2,3-二巯基丙基(三(十二烷氧基)硅烷),
2,3-二巯基丙基(三(十四烷氧基)硅烷),
2,3-二巯基丙基(三(十六烷氧基)硅烷),
3-巯丁基(三甲氧基硅烷),
3-巯丁基(三乙氧基硅烷),
3-巯丁基(二乙氧基甲氧基硅烷),
3-巯丁基(三丙氧基硅烷),
3-巯丁基(二丙氧基甲氧基硅烷),
3-巯丁基(二甲氧基甲基硅烷),
3-巯丁基(二乙氧基甲基硅烷),
3-巯丁基(二甲基甲氧基硅烷),
3-巯丁基(二甲基乙氧基硅烷),
3-巯丁基(三(十二烷氧基)硅烷),
3-巯丁基(三(十四烷氧基)硅烷),
3-巯丁基(三(十六烷氧基)硅烷),
3-巯丁基(二(十二烷氧基))十四烷氧基硅烷或
3-巯丁基(十二烷氧基)十四烷氧基(十六烷氧基)硅烷。
在(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法中可以形成通式I的化合物或几种通式I的化合物的混合物。
可以使用通式II的(卤代有机基)烷氧基硅烷化合物
其中x、R、R’和R”如上定义,而Hal是氯、溴、氟或碘。
优选地,可以使用以下物质作为(卤代有机基)烷氧基硅烷
3-氯丁基(三乙氧基硅烷),
3-氯丁基(三甲氧基硅烷),
3-氯丁基(二乙氧基甲氧基硅烷),
3-氯丙基(三乙氧基硅烷),
3-氯丙基(三甲氧基硅烷),
3-氯丙基(二乙氧基甲氧基硅烷),
2-氯乙基(三乙氧基硅烷),
2-氯乙基(三甲氧基硅烷),
2-氯乙基(二乙氧基甲氧基硅烷),
1-氯甲基(三乙氧基硅烷),
1-氯甲基(三甲氧基硅烷),
1-氯甲基(二乙氧基甲氧基硅烷),
3-氯丙基(二乙氧基甲基硅烷),
3-氯丙基(二甲氧基甲基硅烷),
2-氯乙基(二乙氧基甲基硅烷),
2-氯乙基(二甲氧基甲基硅烷),
1-氯甲基(二乙氧基甲基硅烷),
1-氯甲基(二甲氧基甲基硅烷),
3-氯丙基(乙氧基二甲基硅烷),
3-氯丙基(甲氧基二甲基硅烷),
2-氯乙基(乙氧基二甲基硅烷),
2-氯乙基(甲氧基二甲基硅烷),
1-氯甲基(乙氧基二甲基硅烷)或
1-氯甲基(甲氧基二甲基硅烷)。
(卤代有机基)烷氧基硅烷可以是通式II的(卤代有机基)烷氧基硅烷或几种通式II的(卤代有机基)烷氧基硅烷的混合物。
可以使用通式III的(卤代有机基)卤代硅烷化合物
其中x、Hal、R和R”如上定义,而取代基R彼此独立地是R或Hal。
优选可以使用以下物质作为(卤代有机基)卤代硅烷
3-氯丁基(三氯硅烷),
3-氯丙基(三氯硅烷),
2-氯乙基(三氯硅烷),
1-氯甲基(三氯硅烷),
3-氯丁基(二氯甲氧基硅烷),
3-氯丙基(二氯甲氧基硅烷),
2-氯乙基(二氯甲氧基硅烷),
1-氯甲基(二氯甲氧基硅烷),
3-氯丁基(二氯乙氧基硅烷),
3-氯丙基(二氯乙氧基硅烷),
2-氯乙基(二氯乙氧基硅烷),
1-氯甲基(二氯乙氧基硅烷),
3-氯丁基(氯二乙氧基硅烷),
3-氯丙基(氯二乙氧基硅烷),
2-氯乙基(氯二乙氧基硅烷),
1-氯甲基(氯二乙氧基硅烷),
3-氯丁基(氯二甲氧基硅烷),
3-氯丙基(氯二甲氧基硅烷),
2-氯乙基(氯二甲氧基硅烷),
1-氯甲基(氯二甲氧基硅烷),
3-氯丁基(二氯甲基硅烷),
3-氯丙基(二氯甲基硅烷),
2-氯乙基(二氯甲基硅烷),
1-氯甲基(二氯甲基硅烷),
3-氯丁基(氯)(甲基)甲氧基硅烷,
3-氯丙基(氯)(甲基)甲氧基硅烷,
2-氯乙基(氯)(甲基)甲氧基硅烷,
1-氯甲基(氯)(甲基)甲氧基硅烷,
3-氯丁基(氯)(甲基)乙氧基硅烷,
3-氯丙基(氯)(甲基)乙氧基硅烷),
2-氯乙基(氯)(甲基)乙氧基硅烷,
1-氯甲基(氯)(甲基)乙氧基硅烷,
3-氯丁基(氯二甲基硅烷),
3-氯丙基(氯二甲基硅烷),
2-氯乙基(氯二甲基硅烷)或
1-氯甲基(氯二甲基硅烷)。
(卤代有机基)卤代硅烷可以是通式III的(卤代有机基)卤代硅烷或几种通式III的(卤代有机基)卤代硅烷的混合物。
可以通过在排除空气并加压下,使碱金属硫化物和通式II的(卤代有机基)烷氧基硅烷与通式III的(卤代有机基)卤代硅烷的混合物在醇中反应而制备通式I的(巯基有机基)烷氧基硅烷
通过选择(卤代有机基)烷氧基硅烷和(卤代有机基)卤代硅烷,可以以有目标的方式有效地影响几种通式I的化合物的混合物的组成。
(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混合物的组成的性质和特性可以基于混合物中所含的可水解的硅-卤键的量和特性得到评价。
可水解的硅-卤键的量通过以下方法测定:
将80ml乙醇和10ml乙酸加入在150ml玻璃烧杯中的不超过20g的样品中。用硝酸银溶液(C(AgNO3)=0.01mol./l)电位图解(potentiographically)滴定卤化物含量。
(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混合物的有利的摩尔比可以特别取决于所选择的(卤代有机基)卤代硅烷的Si-卤素官能团的数目。
(卤代有机基)烷氧基硅烷和(卤代有机基)卤代硅烷可以以0.001∶1至2∶1的摩尔比使用。
例如,在3-氯丙基(三甲氧基硅烷)或3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和3-氯丙基(三氯硅烷)的反应中,可以优选地使用2∶1至2∶1.5的摩尔比,特别优选2∶1至2∶1.25的摩尔比。
例如,在3-氯丙基(甲基二甲氧基硅烷)或3-氯丙基(甲基二乙氧基硅烷)和3-氯丙基(甲基二氯硅烷)的反应中,可以优选地使用1∶1至1∶1.25的摩尔比,特别优选1∶1至1∶1.15的摩尔比。
例如,在3-氯丙基(二甲基甲氧基硅烷)或3-氯丙基(二甲基乙氧基硅烷)和3-氯丙基(二甲基氯硅烷)的反应中,可以优选地使用0.001∶1至0.05∶1。
取决于所用的装置和期望的效果,例如反应的选择性、反应的持续时间、反应器涂层、反应器材料或工艺步骤,可以在加入碱金属硫化物之前制备用于该方法的适宜的(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混和物。
碱金属硫化物可以是二碱金属硫化物Me2S。可以用作二碱金属硫化物的有硫化二锂(Li2S)、硫化二钠(Na2S)、硫化二钾(K2S)和硫化二铯(Cs2S)。
所用的碱金属硫化物的摩尔量可以超过(卤代有机基)卤代硅烷的摩尔量,其用量为1%至200%,优选为1%至150%,特别优选为1%至110%。
在(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混合物中,可水解的硅-卤素官能团与碱金属硫化物(Me2S)的摩尔比可以为1∶0.51至1∶1.2,优选为1∶0.6至1∶1.15,特别优选为1∶0.75至1∶1.05。
可能以任何期望的顺序和方式,在任何期望的温度下将(卤代有机基)烷氧基硅烷和(卤代有机基)卤代硅烷彼此混合任何期望的时间,然后仅一起或相继加入醇和碱金属硫化物。
可能以任何期望的顺序和方式,在任何期望的温度下将(卤代有机基)卤代硅烷、碱金属硫化物和醇彼此混合任何期望的时间,然后仅加入(卤代有机基)烷氧基硅烷。
可能以任何期望的顺序和方式,在任何期望的温度下将(卤代有机基)烷氧基硅烷、碱金属硫化物和醇彼此混合任何期望的时间,然后仅加入(卤代有机基)卤代硅烷。
可以使用1-24,优选1-6,更优选1-4个碳原子的伯醇、仲醇或叔醇作为醇。
可以使用甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、异丁醇或正丁醇作为伯醇、仲醇或叔醇。
醇的量可以至少为所用的硅烷组分的100体积%,优选250-1000体积%,特别优选500-1000体积%。
可以在反应开始时和/或在反应期间和/或在反应结束时向反应混合物中加入极性、质子、非质子、碱性或酸性添加剂。
在加压下可以理解为意指超过常压0.1-10巴,优选超过常压1-7巴。
反应可以下0-180℃,优选50-150℃,特别优选70-120℃的温度下进行。
就目标产物的收率和反应体积的利用而言最佳的反应温度可因所用的(卤代有机基)烷氧基硅烷、(卤代有机基)卤代硅烷和醇的结构而变。
例如,在甲醇中反应的情况,考虑反应时间、次要产物的量和压力增大,60-95℃的反应温度可能是有利的。
例如,在乙醇中反应的情况,考虑反应时间、次要产物的量和压力增大,75-120℃的反应温度可能是有利的。
反应可以在密闭容器中在保护气下进行。
反应可以在耐腐蚀高压釜,例如由玻璃、聚四氟乙烯、上釉或有涂层的钢、哈斯特洛伊耐蚀镍基合金或钽制成的耐腐蚀高压釜中进行。
作为反应条件的选择的结果,次要产物的量可以少于20摩尔%。
本发明的方法的优点是,可能无需使用高毒性气体物质,如硫化氢,作为硫供体。取而代之,将易于计量的固体碱金属硫化物(例如干的硫化二钠)用作硫供体。
本发明的方法的另一个优点是,可以仅通过使用密闭反应容器(高压釜等)提高反应的选择性。
本发明的方法与已知方法相比的另一个优点是,在短的反应时间和工业上易于达到的温度下实现高转化率。
实施例:
气相色谱分析
在具有DB5柱的HP 6890(WLD)气相色谱上进行气谱分析,柱内径(thickness)为0.53mm,膜厚度为1.5μm。检测器为热导检测器。
所用的温度程序包括以下周期:
-初始温度100℃
-初始时间1分钟
-20℃/分钟至280℃
-保持280℃10分钟。
以下组分的保留时间为:
3.3min =Cl-(CH2)3-Si(OEt)3
5.7min Si263 =HS-(CH2)3-Si(OEt)3
11.0min =(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3
12.4min =(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3
实施例1:
将29.6g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和200ml乙醇在-10℃下一起加入带有玻璃插入物和磁力搅拌装置的不锈钢高压釜中。向该溶液中分几部分加入17.6g干燥的Na2S。加入16.4g氯丙基(三氯硅烷)并快速关闭高压釜。将高压釜及其中的物质在120℃下加热180分钟。在这期间,压力上升到超过常压3.2巴。将高压釜冷却到常温,移出形成的悬浮液。将其中所含的溶剂在旋转蒸发仪中减少,用惰性化的玻璃器具除去沉淀的固体。获得38.4g透明的淡棕色溶液。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以面积百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 1.6 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 77.0 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 7.3 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 3.5 |
实施例2:
将24g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和150ml乙醇在-10℃下一起加入带有玻璃插入物和磁力搅拌装置的不锈钢高压釜中。向该溶液中分几部分加入12g干燥的Na2S。加入10.6g 3-氯丙基(三氯硅烷)并快速关闭高压釜。将高压釜及其中的物质在80℃下加热180分钟。将高压釜冷却到常温,移出形成的悬浮液。将其中所含的溶剂在旋转蒸发仪中减少,用惰性化的玻璃器具除去沉淀的固体。获得29.2g透明的淡棕色溶液。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以面积百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 5.8 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 71.1 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 8.4 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 4.4 |
实施例3:
将40g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)、23g干燥的Na2S和22g 3-氯丙基(三氯硅烷)在室温下一起加入带有双壁玻璃套和不锈钢盖子的高压釜中,并关闭高压釜。然后用高压泵在室温下向该悬浮液中泵入400ml乙醇。将混合物加热到80℃,并在80℃下保持5小时。然后将混合物冷却到室温,并通过气相色谱进行分析。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以重量百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 1.3 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 10.3 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.3 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.9 |
基于上述组分,选择性为89%,转化率为90%。
实施例4:
将40g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)、26.5g干燥的Na2S和24.1g 3-氯丙基(三氯硅烷)在室温下一起加入带有双壁玻璃套和不锈钢盖子的高压釜中,并关闭高压釜。将混合物加热到60℃。然后用高压泵在60℃下向该悬浮液中泵入400ml乙醇。将混合物进一步加热到80℃,并在80℃下保持5小时。然后将混合物冷却到室温,并通过气相色谱进行分析。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以重量百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.4 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 10.2 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(Oet)3 | 1.1 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.9 |
基于上述组分,选择性为82%,转化率为97%。
实施例5:
将50g干燥的Na2S和650ml无水乙醇在室温下加入带有双壁玻璃套和哈斯特洛伊耐蚀镍基合金C22盖子+配件(Buechi AG)的高压釜中。在50℃下将该悬浮液加热并搅拌20分钟。用压缩空气操作的滴定管向该悬浮液中加入128.2g 3-氯丙基(二乙氧基(氯)硅烷)、氯丙基(乙氧基(二氯)硅烷)、氯丙基(三氯硅烷)和3-氯丙基(三乙氧基硅烷)的硅烷混合物。所用的硅烷混合物通过使80g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和48.2g 3-氯丙基(三氯硅烷)反应而制备。用滴定管向该悬浮液中再加入150ml乙醇。在搅拌下将混合物加热到97-102℃,并在该温度下保持180分钟。然后将混合物冷却到室温。转移样品并通过气相色谱进行分析。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以面积百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.007 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 6.176 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.307 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.172 |
基于上述值,转化率>99%,反应选择性为93%。
实施例6:
将50g干燥的Na2S和650ml无水乙醇在室温下加入带有双壁玻璃套和哈斯特洛伊耐蚀镍基合金C22盖子+配件(Buechi AG)的高压釜中。在50℃下将该悬浮液加热并搅拌20分钟。用压缩空气操作的滴定管向该悬浮液中加入80g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和48.2g 3-氯丙基(三氯硅烷)的混合物。用滴定管再向该悬浮液中加入150ml乙醇。在搅拌下将混合物加热到95-100℃,并在该温度下保持180分钟。然后将混合物冷却到室温。转移样品并通过气相色谱进行分析。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以面积百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.166 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 4.467 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.276 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.245 |
基于上述值,转化率为97%,而反应选择性为89.5%。
倒空反应器,并用少量乙醇冲洗反应器以除去任何残留的残余物。过滤所得的悬浮液。用400ml正戊烷洗涤分离的固体。在200-600毫巴和60-80℃下用旋转蒸发仪除去所得溶液的挥发性组分。使所得悬浮液与200ml戊烷彻底混合,并在4-8℃下贮存10小时。通过过滤分离沉淀的固体,并用150ml戊烷洗涤。在200-600毫巴和60-80℃下用旋转蒸发仪从所得的澄清溶液中除去戊烷。获得119.3g无色液体。
GC、1H-NMR和29Si-NMR的联合分析表明,所得产物组成如下,以重量百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 2.6 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 84.7 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 3.6 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 5 |
基于上述值,转化率为96%,而反应选择性为91%。
实施例7:
将50g干燥的Na2S和800ml无水乙醇在室温下加入带有双壁玻璃套和哈斯特洛伊耐蚀镍基合金C22盖子+配件(Buechi AG)的高压釜中。在50℃下将该悬浮液加热并搅拌20分钟。用压缩空气操作的滴定管向该悬浮液中加入80g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和48.2g 3-氯丙基(三氯硅烷)的混合物。用滴定管再向该悬浮液中加入200ml乙醇。在搅拌下将混合物加热到95-100℃,并在该温度下保持180分钟。然后将混合物冷却到室温。转移样品并通过气相色谱进行分析。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以面积百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.070 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 3.037 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.2 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.105 |
基于上述值,转化率为98%,而反应选择性为91%。
倒空反应器,并用少量乙醇冲洗反应器以除去任何残留的残余物。过滤所得的悬浮液。用400ml正戊烷洗涤分离的固体。在200-600毫巴和60-80℃下用旋转蒸发仪除去所得溶液的挥发性组分。使所得悬浮液与200ml戊烷彻底混合,并在4-8℃下贮存10小时。通过过滤分离沉淀的固体,并用150ml戊烷洗涤。在200-600毫巴和60-80℃下用旋转蒸发仪从所得的澄清溶液中除去戊烷。获得116.2g无色液体。
GC、1H-NMR和29Si-NMR的联合分析表明,所得产物组成如下,以重量百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 1 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 81 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 4.2 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 7.1 |
基于上述值,转化率为99%,而反应选择性为88%。
实施例8:
将57.8g干燥的Na2S和650ml无水乙醇在室温下加入带有双壁玻璃套和哈斯特洛伊耐蚀镍基合金C22盖子+配件(Buechi AG)的高压釜中。在50℃下将该悬浮液加热并搅拌20分钟。用压缩空气操作的滴定管向该悬浮液中加入80.5g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和57.4g 3-氯丙基(三氯硅烷)的混合物。用滴定管再向该悬浮液中加入150ml乙醇。在搅拌下将混合物加热到110-115℃,并在该温度下保持120分钟。然后将混合物冷却到室温。转移样品并通过气相色谱进行分析。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以面积百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.012 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 4.204 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.262 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.159 |
基于上述值,转化率>99%,而反应选择性为91%。
倒空反应器,并用少量乙醇冲洗反应器以除去任何残留的残余物。过滤所得的悬浮液。用400ml正己烷洗涤分离的固体。在200-600毫巴和60-80℃下用旋转蒸发仪除去所得溶液的挥发性组分。使所得悬浮液与200ml己烷彻底混合,并在4-8℃下贮存10小时。通过过滤分离沉淀的固体,并用150ml己烷洗涤。在200-600毫巴和60-80℃下用旋转蒸发仪从所得的澄清溶液中除去正己烷。获得121.3g无色液体。
GC、1H-NMR和29Si-NMR的联合分析表明,所得产物组成如下,以重量百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.1 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 82.1 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 2.3 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 8.8 |
基于上述值,转化率>99%,而反应选择性为88%。
实施例9:
将57.7g干燥的Na2S和800ml无水乙醇在室温下加入带有双壁玻璃套和哈斯特洛伊耐蚀镍基合金C22盖子+配件(Buechi AG)的高压釜中。在50℃下将该悬浮液加热并搅拌20分钟。用压缩空气操作的滴定管向该悬浮液中加入80.5g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和57.4g 3-氯丙基(三氯硅烷)的混合物。用滴定管再向该悬浮液中加入200ml乙醇。在搅拌下将混合物加热到110-115℃,并在该温度下保持120分钟。然后将混合物冷却到室温。转移样品并通过气相色谱进行分析。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以面积百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.007 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 3.123 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.273 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.154 |
基于上述值,转化率>99%,而反应选择性为88%。
倒空反应器,并用少量乙醇冲洗反应器以除去任何残留的残余物。过滤所得的悬浮液。用400ml正己烷洗涤分离的固体。在200-600毫巴和60-80℃下用旋转蒸发仪除去所得溶液的挥发性组分。使所得悬浮液与200ml己烷彻底混合,并在4-8℃下贮存10小时。通过过滤分离沉淀的固体,并用150ml己烷洗涤。在200-600毫巴和60-90℃下用旋转蒸发仪从所得的澄清溶液中除去己烷。获得116.3g无色液体。
GC、1H-NMR和29Si-NMR的联合分析表明,所得产物组成如下,以重量百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.2 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 82.1 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 2.4 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 8.2 |
基于上述值,转化率>99%,而反应选择性为89%。
实施例10:
将50g干燥的Na2S和550ml无水乙醇在室温下加入带有双壁玻璃套和哈斯特洛伊耐蚀镍基合金C22盖子+配件(Buechi AG)的高压釜中。在50℃下将该悬浮液加热并搅拌20分钟。用压缩空气操作的滴定管向该悬浮液中加入80g 3-氯丙基(三乙氧基硅烷)和48.2g 3-氯丙基(三氯硅烷)的混合物。用滴定管再向该悬浮液中加入150ml乙醇。在搅拌下将混合物加热到112-117℃,并在该温度下保持180分钟。然后将混合物冷却到室温。用耐压滴定管在50℃下向反应溶液中加入在50ml乙醇中的1.8g甲酸。在50℃下将该悬浮液搅拌15分钟。转移样品并通过气相色谱进行分析。反应混合物的气相色谱分析表明以下组成,以面积百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 0.198 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 7.948 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.368 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 0.766 |
基于上述值,转化率为98%,而反应选择性为88%。
倒空反应器,并用少量乙醇冲洗反应器以除去任何残留的残余物。过滤所得的悬浮液。用400ml正戊烷洗涤分离的固体。在200-600毫巴和60-80℃下用旋转蒸发仪除去所得溶液的挥发性组分。使所得悬浮液与200ml戊烷彻底混合,并在4-8℃下贮存10小时。通过过滤分离沉淀的固体,并用150ml戊烷洗涤。在200-600毫巴和60-90℃下用旋转蒸发仪从所得的澄清溶液中除去戊烷。获得124.5g无色液体。
GC、1H-NMR和29Si-NMR的联合分析表明,所得产物组成如下,以重量百分比表示:
3-氯丙基(三乙氧基硅烷) | 2.1 |
3-巯丙基(三乙氧基硅烷) | 81.5 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S-(CH2)3-Si(OEt)3 | 4.2 |
(EtO)3Si-(CH2)3-S2-(CH2)3-Si(OEt)3 | 10.1 |
基于上述值,转化率为98%,而反应选择性为85%。
Claims (10)
1.(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,在排除空气并加压下,使碱金属硫化物和(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混合物在醇中反应。
4.根据权利要求1的(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,使用通式III的(卤代有机基)卤代硅烷化合物
其中x、Hal、R和R”如式II定义,而取代基R相同或不同,并且是R或Hal。
5.根据权利要求1的(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的摩尔比为0.001∶1至2∶1。
6.根据权利要求1的(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混合物中可水解的Si-卤素官能团与碱金属硫化物的摩尔比为1∶0.51至1∶1.2。
7.根据权利要求1的(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,将硫化二锂(Li2S)、硫化二钠(Na2S)或硫化二钾(K2S)用作该碱金属硫化物。
8.根据权利要求1的(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,将具有1-24个碳原子的伯、仲、叔醇用作该醇。
9.根据权利要求1的(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,在反应开始时和/或在反应期间和/或在反应结束时向反应混合物中加入极性、质子、非质子、碱性或酸性添加剂。
10.根据权利要求1的(巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法,其特征在于,反应在0-180℃的温度下进行。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10351736A DE10351736B3 (de) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | Verfahren zur Herstellung von (Mercaptoorganyl)-alkoxysilanen |
DE10351736.7 | 2003-11-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1637007A true CN1637007A (zh) | 2005-07-13 |
CN100406463C CN100406463C (zh) | 2008-07-30 |
Family
ID=33521610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004100922814A Expired - Fee Related CN100406463C (zh) | 2003-11-06 | 2004-11-05 | (巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7019160B2 (zh) |
EP (1) | EP1529782B1 (zh) |
JP (1) | JP4589082B2 (zh) |
KR (1) | KR101121844B1 (zh) |
CN (1) | CN100406463C (zh) |
AT (1) | ATE325798T1 (zh) |
DE (2) | DE10351736B3 (zh) |
IL (1) | IL165023A0 (zh) |
MX (1) | MXPA04011012A (zh) |
MY (1) | MY131923A (zh) |
PL (1) | PL1529782T3 (zh) |
RU (1) | RU2360918C2 (zh) |
TW (1) | TWI325001B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101423528B (zh) * | 2007-11-02 | 2012-07-25 | 张家港市国泰华荣化工新材料有限公司 | 巯基烷基烷氧基硅烷的制备方法 |
CN105017303A (zh) * | 2015-08-07 | 2015-11-04 | 荆州市江汉精细化工有限公司 | 一种双-[γ-(三乙氧基硅)-丙基]一硫化物的制备方法 |
CN106914146A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-04 | 常州大学 | 一种巯基化改性tries分离膜及其制备方法和用途 |
CN113348576A (zh) * | 2019-01-25 | 2021-09-03 | 国际壳牌研究有限公司 | 电能存储装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004030737A1 (de) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Degussa Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Extraktion von Stoffen aus silanmodifizierten Füllstoffen |
DE102005020535B3 (de) | 2005-05-03 | 2006-06-08 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Mercaptoorganyl(alkoxysilanen) |
DE102005038791A1 (de) | 2005-08-17 | 2007-02-22 | Degussa Ag | Organosiliciumverbindungen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
US7151188B1 (en) * | 2005-11-16 | 2006-12-19 | General Electric Company | Process for the production of mercaptoalkylalkoxysilanes |
DE102005060122A1 (de) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von (Mercaptoorganyl)alkylpolyethersilanen |
DE102006004062A1 (de) * | 2006-01-28 | 2007-08-09 | Degussa Gmbh | Kautschukmischungen |
DE102006027235A1 (de) | 2006-06-09 | 2008-01-17 | Evonik Degussa Gmbh | Kautschukmischungen |
EP1894938A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-03-05 | Evonik Degussa GmbH | New cyclopentadienyl, indenyl or fluorenyl substituted phosphine compounds and their use in catalytic reactions |
DE102007037556A1 (de) | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von alkylpolyethersubstituierten Mercaptosilanen |
US20100304338A1 (en) * | 2007-09-19 | 2010-12-02 | The Regents Of The University Of Colorado | Polymer impression materials |
CN112968158B (zh) * | 2021-03-02 | 2023-01-06 | 欣旺达电动汽车电池有限公司 | 有机硅硫正极材料及其制备方法、正极极片和锂硫电池 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1102251A (en) * | 1964-02-04 | 1968-02-07 | Union Carbide Corp | Treatment of metal surfaces |
US3590065A (en) | 1969-07-18 | 1971-06-29 | Dow Corning | Method of preparing mercaptoalkylalkoxy silanes |
US4012403A (en) | 1972-01-10 | 1977-03-15 | Union Carbide Corporation | Synthesis of mercapto-substituted silicon compounds |
US3849471A (en) | 1972-12-14 | 1974-11-19 | Union Carbide Corp | Process for reacting weak acids with chloroalkyl substituted silicon compounds |
US4082790A (en) | 1974-12-11 | 1978-04-04 | Dow Corning Corporation | Method of preparing mercaptans |
US4217294A (en) | 1979-03-30 | 1980-08-12 | Union Carbide Corporation | Method for producing mercaptan-containing organosilicon compounds |
DE4025866A1 (de) | 1990-08-16 | 1992-02-20 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur herstellung von mercaptosilanen |
JP3159638B2 (ja) * | 1994-11-04 | 2001-04-23 | 信越化学工業株式会社 | 3−メルカプトプロピルアルコキシシランの製造方法 |
US5840952A (en) * | 1995-11-02 | 1998-11-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing 3-mercaptopropylalkoxy silane |
DE10024037C1 (de) * | 2000-05-13 | 2001-08-09 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von gelbem Bis(3-(triethoxysilyl)propyl)tetrasulfan |
DE10045269A1 (de) * | 2000-09-13 | 2002-03-28 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von gelbem Bis(3-[triethoxysilyl]propyl)polysulfan |
JP4574034B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2010-11-04 | 日本曹達株式会社 | メルカプト基を有するケイ素化合物の製造方法 |
FR2830014B1 (fr) * | 2001-09-21 | 2005-02-18 | Rhodia Chimie Sa | Procede d'obtention de monoorganoxysilanes halogenes utilisables notamment en tant qu'intermediaires de synthese |
-
2003
- 2003-11-06 DE DE10351736A patent/DE10351736B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-23 DE DE502004000533T patent/DE502004000533D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-10-23 EP EP04025248A patent/EP1529782B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-10-23 PL PL04025248T patent/PL1529782T3/pl unknown
- 2004-10-23 AT AT04025248T patent/ATE325798T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-11-03 TW TW093133511A patent/TWI325001B/zh active
- 2004-11-04 IL IL16502304A patent/IL165023A0/xx unknown
- 2004-11-04 US US10/980,859 patent/US7019160B2/en active Active
- 2004-11-05 RU RU2004132344/04A patent/RU2360918C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-11-05 MY MYPI20044613A patent/MY131923A/en unknown
- 2004-11-05 KR KR1020040089710A patent/KR101121844B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-11-05 CN CNB2004100922814A patent/CN100406463C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-05 MX MXPA04011012A patent/MXPA04011012A/es active IP Right Grant
- 2004-11-05 JP JP2004322758A patent/JP4589082B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101423528B (zh) * | 2007-11-02 | 2012-07-25 | 张家港市国泰华荣化工新材料有限公司 | 巯基烷基烷氧基硅烷的制备方法 |
CN105017303A (zh) * | 2015-08-07 | 2015-11-04 | 荆州市江汉精细化工有限公司 | 一种双-[γ-(三乙氧基硅)-丙基]一硫化物的制备方法 |
CN105017303B (zh) * | 2015-08-07 | 2017-11-10 | 荆州市江汉精细化工有限公司 | 一种双‑[γ‑(三乙氧基硅)‑丙基]一硫化物的制备方法 |
CN106914146A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-07-04 | 常州大学 | 一种巯基化改性tries分离膜及其制备方法和用途 |
CN106914146B (zh) * | 2017-03-14 | 2019-05-28 | 常州大学 | 一种巯基化改性tries分离膜及其制备方法和用途 |
CN113348576A (zh) * | 2019-01-25 | 2021-09-03 | 国际壳牌研究有限公司 | 电能存储装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4589082B2 (ja) | 2010-12-01 |
RU2360918C2 (ru) | 2009-07-10 |
KR101121844B1 (ko) | 2012-03-21 |
DE502004000533D1 (de) | 2006-06-14 |
EP1529782A1 (de) | 2005-05-11 |
TWI325001B (en) | 2010-05-21 |
PL1529782T3 (pl) | 2006-09-29 |
IL165023A0 (en) | 2005-12-18 |
MY131923A (en) | 2007-09-28 |
ATE325798T1 (de) | 2006-06-15 |
EP1529782B1 (de) | 2006-05-10 |
CN100406463C (zh) | 2008-07-30 |
RU2004132344A (ru) | 2006-04-20 |
US7019160B2 (en) | 2006-03-28 |
DE10351736B3 (de) | 2005-01-13 |
JP2005139187A (ja) | 2005-06-02 |
TW200526675A (en) | 2005-08-16 |
US20050124822A1 (en) | 2005-06-09 |
KR20050043693A (ko) | 2005-05-11 |
MXPA04011012A (es) | 2005-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1637007A (zh) | (巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法 | |
CN1237068C (zh) | 氢化硅烷化反应的催化剂 | |
CN1930105A (zh) | 由氨基芳族胺化合物制备氟代芳族化合物的方法 | |
CN1515576A (zh) | 二烯烃的氢氰化和非共轭2-烷基-3-单烯烃腈的异构化 | |
CN1740183A (zh) | 氯亚磷酸酯的制备方法以及n,n-二烷基二芳基氨基亚磷酸酯的制备方法 | |
CN1271122C (zh) | 在卡宾型金属催化剂存在下通过氢化硅烷化可交联成弹性体的有机硅组合物及此类催化剂 | |
CN1545497A (zh) | 制备4-氨基二苯基胺的方法 | |
CN1637006A (zh) | 制备(巯基有机基)烷氧基硅烷的方法 | |
CN1380293A (zh) | 制备不饱和有机硅化合物的方法 | |
CN1874844A (zh) | 镍(0)-磷配体配合物的制备方法 | |
CN1830985A (zh) | 有机硅烷的制备方法 | |
CN1217722A (zh) | 制备嘧啶衍生物的方法 | |
CN1858053A (zh) | 制造巯基有机基(烷氧基硅烷)的方法 | |
CN1034277C (zh) | α-(烷基环己氧基)-β-链烷醇以及含此种成分的香精 | |
CN1518555A (zh) | 用于不饱和化合物的氢化硅烷化的卡宾基金属催化剂的制备方法及得到的催化剂 | |
CN100340563C (zh) | 尤其用作合成中间体的卤化单有机氧基硅烷的制备方法 | |
CN1231456C (zh) | 制备旋光的环丙羧酸衍生物的方法 | |
CN1458948A (zh) | 在催化金属络合物的存在下通过氢化硅烷化含有至少一个其中包括氧原子的烃环的合成子来制备硅油的方法 | |
CN1054778A (zh) | 基于1,1-二氟乙烯、六氟丙烯和四氟乙烯的新型氟橡胶 | |
CN1296374C (zh) | 生产三有机基-单烷氧基硅烷的方法以及生产三有机基-单氯硅烷的方法 | |
CN1539841A (zh) | 新型铋化合物、其制备方法和膜的制备方法 | |
CN1990450A (zh) | 前列腺素f型衍生物的制造方法及新颖中间体 | |
CN1717269A (zh) | 由对应的羧酸酯水解制造羧酸和醇的方法及装置 | |
CN1246298C (zh) | 制备酮亚胺的方法 | |
CN1133641C (zh) | 一种含有3'叠氮胸苷的硫代磷酰氨基酸酯化合物及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: EVONIK DEGUSSA CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: DECOUCHY STOCK COMPANY |
|
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: essen Patentee after: Evonik Degussa GmbH Address before: Dusseldorf, Federal Republic of Germany Patentee before: Degussa AG |
|
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080730 Termination date: 20121105 |