CN1439601A - 一种制备MgB2超导块材的方法 - Google Patents
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- 229910020073 MgB2 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 abstract 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 12
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 4
- 238000005049 combustion synthesis Methods 0.000 description 3
- PZKRHHZKOQZHIO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Mg] Chemical compound [B].[B].[Mg] PZKRHHZKOQZHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012496 blank sample Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
本发明是一种制备MgB2超导材料的方法，将Mg和B的粉料按1∶2的化学计量比例称取、混合，向该混合物中按所称取的Mg的质量的1％～6％再添加Mg的粉料，然后置于球磨机中充分磨制，将磨制成的粉末压制成片状坯料，放置到充有惰性气体的真空炉中，以10－30℃/min的加热速度进行加热，在400－650℃时激活放热反应，在激活反应后停止加热，持续3～5秒钟，将绝热温度保持在915℃，自然冷却到室温；或者以10－30℃/min的加热速度进行加热，在200－450℃时用电弧点燃坯料，当温度达到500－700℃时熄弧，持续3～5秒钟，燃烧温度达到915℃，自然冷却到室温。
Description
技术领域
本发明涉及制备MgB2超导块材的方法。
技术背景
2001年1月，日本青山学院大学教授秋光纯领导的研究小组发现了迄今为止临界温度最高的金属化合物超导体—二硼化镁(MgB2)，其超导转变温度达39K。它是迄今发现的临界温度最高、简单、稳定的金属化合物超导材料，MgB2的延展性比氧化物超导体好得多，容易成型、Mg、B相对便宜、合成简单、是一种希望实用化的超导材料。这种材料引起物理学界的广泛关注，2002年，美国《科学》杂志和我国《科技日报》都把MgB2超导特性的发现列为2001年国际十大科技新闻之一，世界各国不少实验室都开展了这类超导材料的研究。
目前国内外制备MgB2的主要方法是PLD(pulsed laser deposition)法、共同蒸发法、悬浮沉积法、镁扩散法、PIT(powder in tube)法等，已制备出块体、单晶、线材、带材、薄膜和粉末等MgB2超导材料。以上方法一般在600-900℃、高压或常压下反应、保温3-10小时，其工艺特点是设备投资大、过程复杂、反应时间长、消耗能量大、难批量生产。而用燃烧合成法制备MgB2超导块材就可以克服上述方法的不足。
发明内容
本发明是一种制备MgB2超导块材的方法，采用Mg和B的粉料，首先将Mg和B粉按1∶2的化学计量比例称取，再按所称取的Mg的质量的1％∽2％填加Mg的粉料，然后将该混合物置于球磨机中充分磨制、混合，将磨制成的粉末压制成片状或柱状坯料，装入真空或充有惰性气体的真空炉中，以30℃/min的加热速度进行加热，在650℃-690℃时激活放热反应：
激活反应后停止加热，反应持续3～5秒钟，绝热温度915℃，然后自然冷却到室温可得到MgB2超导块材，或者将坯料以25℃-30℃/min的加热速度进行加热，在250℃-300℃时用电弧点燃坯料，点燃后熄弧，反应持续3∽5秒钟，绝热温度830℃，自然冷却到室温可得到MgB2超导块材。
球磨机的转速为150～200转/分钟，球磨时间为2～2.5小时，磨球与Mg、B粉料的总重量比为1∶30～40。用压力机将磨制成的Mg、B混合物的粉末压制成片状或柱状坯料，压力为100～150Mpa。将坯料装入铁坩锅放置在真空炉中加热，真空炉的真空度为1.5∽2.5×10-3Pa，保护的惰性气体可以采用氩气。
具体实现方式
本发明针对现有各种方法的不足，提出了一种节能，快速、高效制备MgB2超导材料的新工艺。采用Mg和B粉料，首先将Mg和B粉料按1∶2的化学计量比例称取，再按所称取的Mg的质量的1％～2％填加Mg的粉料，然后将所称取的Mg粉和B粉置于球磨机中充分磨制、混合，将磨制成的粉末压制成片状或柱状坯料，装入铁坩锅放置到真空或充有惰性气体的真空炉中，以25～30℃/min的加热速度进行加热，分别采用热爆和自蔓延两种方式进行燃烧合成，反应结束后自然冷却至室温。
首先阐述热爆合成方式，以25～30℃/min的加热速度加热坯料，在615℃～690℃时激活放热反应：
本发明方法制备的MgB2超导材料临界温度Tc＝36K。
发明涉及制备MgB2超导块材的方法，分为热爆和自蔓延两种燃烧合成模式。按比例将原料粉末在球磨机上混合均匀后压制成坯样，热爆过程中：将坯料装入加盖铁坩锅中，在真空或惰性气体保护的真空炉中加热至反应激活温度后关掉电源，反应自发进行，反应后自然冷却；自蔓延过程中：将坯料装入无盖铁坩锅中在上述环境中加热到一定温度后，采用电弧点火，激活反应，反应后自然冷却。本发明制备的MgB2超导块材与其它方法比较主要优点是：制备工艺简单，时间短，能耗小，生产效率高，产品成分均匀，更适合批量生产。
从目前的研究结果看，MgB2超导体具有十分光明的应用前景，比如大的临界电流特性可提供强电输运，大的相干长度特性将适合于制备出更好的超导量子干涉器件和高品质的微波器件等，而更为优越的特点是它的延展性比氧化物超导体要好得多，容易成型。MgB2超导体具有输电损耗小、制成器件体积小、重量轻、效率高等特点，可广泛地用于研制开发新一代超导变压器、超导电缆、超导电机、超导磁分离装置、超导磁悬浮列车以及核磁共振人体成像仪。
Claims (4)
1、一种制备MgB2超导块材的方法，采用Mg和B的粉料，本发明的特征是首先将Mg和B的粉料按1∶2的化学计量比例称取，按所称取的Mg的质量的1％∽2％再填加Mg的粉料，然后将所称取的Mg和B粉料置于球磨机中充分磨制、混合，将磨制成的粉末压制成片状或柱状坯料，装入真空或充有惰性气体的真空炉中，以25℃∽30℃/min的加热速度进行加热，在650℃∽690℃时激活放热反应，激活反应后停止加热，绝热温度915℃，自然冷却到室温可得到MgB2超导块材；或者将坯料装入真空或有惰性气体的真空炉中，以25℃∽30℃/min的加热速度进行加热，在250℃∽300℃时用电弧点燃坯料，点燃后熄弧，反应持续3∽5秒钟，绝热温度830℃，自然冷却到室温可得到MgB2超导块材；
2、根据权利要求1所述的制备MgB2超导块材的方法，其特征是球磨机的转速为150∽200转/分钟，球磨的时间为2∽2.5小时，磨球与Mg、B粉料的总重量比为1∶35∽40；
3、根据权利要求1所述制备MgB2超导块材的方法，其特征是用压力机将磨制成的Mg、B混合物的粉末压制成片状或柱状坯料，压力为100∽150Mpa；
4、根据权利要求1所述的制备MgB2超导块材的方法，其特征是将坯料装入加盖或无盖的铁坩锅中放置在真空炉中加热，真空炉的真空度为1.5∽2.5×10-3Pa，惰性气体可以采用氩气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021455090A CN1180981C (zh) | 2002-12-09 | 2002-12-09 | 一种制备MgB2超导块材的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021455090A CN1180981C (zh) | 2002-12-09 | 2002-12-09 | 一种制备MgB2超导块材的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1439601A true CN1439601A (zh) | 2003-09-03 |
| CN1180981C CN1180981C (zh) | 2004-12-22 |
Family
ID=27793428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021455090A Expired - Fee Related CN1180981C (zh) | 2002-12-09 | 2002-12-09 | 一种制备MgB2超导块材的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1180981C (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN100376009C (zh) * | 2005-12-23 | 2008-03-19 | 上海大学 | 高密度MgB2超导块材的制备方法 |
| CN100376010C (zh) * | 2005-12-23 | 2008-03-19 | 上海大学 | 高密度MgB2超导线材的制备方法 |
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-
2002
- 2002-12-09 CN CNB021455090A patent/CN1180981C/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN112408988B (zh) * | 2020-11-25 | 2022-12-06 | 郑州华晶实业有限公司 | 一种超导材料二硼化镁的高温高压制备方法 |
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|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
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