CN101250060A - 一种用球形镁粉制备MgB2超导材料的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用球形粉制备高临界电流密度的MgB2超导材料的方法。该方法的制备过程为:将干燥的球形镁粉和无定形硼粉按一定摩尔比混合,在氩气保护气氛下球磨,将球磨后的Mg、B混合粉末加入有机物粘结剂调匀,低温真空烘干,然后压制成块材或片材;将压制好的块材或片材用Nb或Ta片包裹,置于真空退火炉中,在氩气保护气氛下,真空加热、保温、冷却后,即制备出MgB2超导材料。本发明的方法简单易行,可以有效地将MgB2晶粒尺度细化到纳米级,并且大大提高MgB2的晶粒间连结性,可以提供有效的磁通钉扎中心,使MgB2超导体在磁场下达到很高的临界电流密度。
Description
技术领域
本发明属于新型二硼化镁超导材料技术领域,具体涉及一种用球形镁粉制备具有高临界电流密度的MgB2超导体的方法。
背景技术
MgB2是2001年日本青山学院大学教授J.Akimitsu首先发现的一种新型超导材料,其晶体结构为AlB2型六方结构。MgB2的临界电流密度Jc由晶内钉扎和晶粒间连结性共同决定。因此,一方面,需要提高MgB2的晶粒连结性来提高Jc的磁场依赖性;另一方面,为了提高晶内Jc,必须引入有效的磁通钉扎中心,晶界及非超导第二相等晶体缺陷都可作为有效的磁通钉扎中心。MgB2超导体在小型制冷机所能提供的20K左右的温度和8万倍于地球磁场的情况下,可以承载很大的超导电流,而且能耗极低,在医学核磁共振成像仪用超导磁体领域有着非常重要的应用前景。
目前合成MgB2采用的原材料主要为屑形Mg粉和无定形B粉,标准的二硼化镁制备工艺过程为:将屑形镁粉(99%)和无定形硼粉(99%)按照MgB2的化学计量比混合研磨,压制成型后,将压坯密封于Nb片或Ta片中,然后在氩气保护条件下于600℃-1000℃烧结0.5小时以上,最后获得MgB2超导材料。该烧结工艺过程虽然简单,但是屑形Mg粉制备出MgB2晶粒尺度很难达到纳米级,晶粒间连结性较差(显微组织观察表现为沿晶断裂),因而制备的MgB2超导体在磁场下的临界电流密度较低。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足,提供一种用球形镁粉制备MgB2超导材料的方法。该方法可以有效地将晶粒尺度细化到纳米级,并且大大提高MgB2的晶粒间连结性(显微组织观察表现为穿晶断裂),同时通过大量纳米晶界和非超导第二相(碳)充当磁通钉扎中心,使MgB2超导体在磁场下达到很高的临界电流密度。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种用球形镁粉制备MgB2超导材料的方法,其特征在于其制备过程为:
(1)使用球形Mg粉和无定形B粉为原材料,球形Mg粉和无定形B粉按摩尔比1∶2混合后,在氩气保护气氛下用球磨罐球磨1~5小时;
(2)将步骤(1)中经过球磨后的Mg粉和B粉混合粉末加入有机物烧结粘结剂调匀,采用程控单管烧结炉在50~120℃低温真空烘干,然后压制成块材或片材,所述有机物烧结粘结剂的添加量为Mg粉和B粉混合粉末重量的3-5%;
(3)将步骤(2)中制备的块材或片材用Nb或Ta片包裹,置于真空退火炉中,待真空度达到10-3Pa以后,充入氩气保护,以15~45℃/分钟的升温速率加热,于600~1000℃保温0.5~3小时,最后以3~20℃/分钟的冷却速度将其快速冷却,制备出MgB2超导材料。
步骤(1)中球料重量百分比为3∶1,球磨罐为玛瑙罐,球磨罐转速为800r/min。
步骤(2)中所述有机物烧结粘结剂为石蜡或浓度为5-10%的聚乙烯醇。
为了证明采用球形粉制备MgB2超导体方法的可行性,本发明人对球形粉末的烧结方法进行了深入研究。发现只要添加合适的烧结粘结剂,就可以大大改善球形粉末的成形性,制备出高临界电流密度的MgB2超导材料。这种粘结剂在烧结过程中分解,以碳的形式沉积在MgB2晶粒上,在快速冷却的过程中不发生偏析,而且这种非超导第二相(碳)还会在MgB2超导体中充当磁通钉扎中心。以球形Mg粉为原材料,采用高能球磨方法制备的MgB2的晶粒尺度可以达到纳米级,MgB2晶粒间连结性显著提高(显微组织观察表现为穿晶断裂)。由于纳米晶粒产生的大量晶界和非超导第二相(碳)充当了磁通钉扎中心,MgB2超导体在磁场下的临界电流密度大大增加。因此,可以采用下述方法制备MgB2超导材料:将球形Mg粉和无定形B粉按摩尔比1∶2混合,在氩气保护气氛下高能球磨,然后加入有机物烧结粘结剂调匀,低温真空烘干,压制成块材或片材,并用Nb或Ta片包裹,置于真空退火炉中于氩气保护气氛下烧结,最后快速冷却制备出MgB2材料。
本发明与现有技术相比具有以下优点:本发明可以有效地将MgB2晶粒尺度细化到纳米级,并且大大提高MgB2的晶粒间连结性,可以提供有效的磁通钉扎中心,使MgB2超导体在磁场下达到很高的临界电流密度。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
将干燥的球形镁粉和无定形硼粉按摩尔比1∶2的化学计量比混合,在氩气保护气氛下高能球磨1小时,球料重量百分比为3∶1,球磨罐为玛瑙罐,球磨罐转速为800r/min,球磨后的Mg、B混合粉末加入浓度为10%的PVA(即聚乙烯醇)调匀,PVA的添加量为Mg粉和B粉混合粉末重量的3%,采用程控单管烧结炉在80℃的低温真空烘干,然后压制成块材;将压制好的块材用Nb片包裹,置于真空退火炉中,待真空度达到2.2×10-3Pa以后,充入氩气保护气氛,再以20℃/分钟的升温速率加热,于750℃保温1小时,最后以15℃/分钟的冷却速度将其冷却,制备出MgB2超导材料,其临界电流密度达2×106A/cm2(10K,1T)。
实施例2
将干燥的球形镁粉和无定形硼粉按摩尔比1∶2的化学计量比混合,在氩气保护气氛下高能球磨1小时,球料重量百分比为3∶1,球磨罐为玛瑙罐,球磨罐转速为800r/min,球磨后的Mg、B混合粉末加入浓度为5%的PVA(即聚乙烯醇)调匀,PVA的添加量为Mg粉和B粉混合粉末重量的5%,采用程控单管烧结炉在80℃的低温真空烘干,然后压制成块材。将压制好的块材用Nb片包裹,置于真空退火炉中,待真空度达到2.3×10-3Pa以后,充入氩气保护气氛,再以20℃/分钟的升温速率加热,于750℃保温1小时,最后以5℃/分钟的冷却速度将其冷却,制备出MgB2超导材料,其临界电流密度达1.8×106A/cm2(10K,1T)。
实施例3
将干燥的球形镁粉和无定形硼粉按摩尔比1∶2的化学计量比混合,在氩气保护气氛下高能球磨2小时,球料重量百分比为3∶1,球磨罐为玛瑙罐,球磨罐转速为800r/min,球磨后的Mg、B混合粉末加入石蜡调匀,石蜡的添加量为Mg粉和B粉混合粉末重量的5%,采用程控单管烧结炉在100℃的低温真空烘干,然后压制成块材;将压制好的块材用Ta片包裹,置于真空退火炉中,待真空度达到2.5×10-3Pa以后,充入氩气保护气氛,再以25℃/分钟的升温速率加热,于700℃保温2小时,最后以15℃/分钟的冷却速度将其冷却,制备出MgB2超导材料,其临界电流密度达1.5×106A/cm2(10K,1T)。
实施例4
将干燥的球形镁粉和无定形硼粉按摩尔比1∶2的化学计量比混合,在氩气保护气氛下高能球磨2小时,球料重量百分比为3∶1,球磨罐为玛瑙罐,球磨罐转速为800r/min,球磨后的Mg、B混合粉末加入石蜡调匀,石蜡的添加量为Mg粉和B粉混合粉末重量的4%,采用程控单管烧结炉在100℃的低温真空烘干,然后压制成块材;将压制好的块材用Ta片包裹,置于真空退火炉中,待真空度达到2.7×10-3Pa以后,充入氩气保护气氛,再以25℃/分钟的升温速率加热,于700℃保温2小时,最后以5℃/分钟的冷却速度将其冷却,制备出MgB2超导材料,其临界电流密度达1.3×106A/cm2(10K,1T)。
Claims (3)
1. 一种用球形镁粉制备MgB2超导材料的方法,其特征在于其制备过程为:
(1)使用球形Mg粉和无定形B粉为原材料,球形Mg粉和无定形B粉按摩尔比1∶2混合后,在氩气保护气氛下用球磨罐球磨1~5小时;
(2)将步骤(1)中经过球磨后的Mg粉和B粉混合粉末加入有机物烧结粘结剂调匀,采用程控单管烧结炉在50~120℃低温真空烘干,然后压制成块材或片材,所述有机物烧结粘结剂的添加量为Mg粉和B粉混合粉末重量的3-5%;
(3)将步骤(2)中制备的块材或片材用Nb或Ta片包裹,置于真空退火炉中,待真空度达到10-3Pa以后,充入氩气保护,以15~45℃/分钟的升温速率加热,于600~1000℃保温0.5~3小时,最后以3~20℃/分钟的冷却速度将其快速冷却,制备出MgB2超导材料。
2. 根据权利要求1所述的一种用球形镁粉制备MgB2超导材料的方法,其特征在于步骤(1)中球料重量百分比为3∶1,球磨罐为玛瑙罐,球磨罐转速为800r/min。
3. 根据权利要求1所述的一种用球形镁粉制备MgB2超导材料的方法,其特征在于步骤(2)中所述有机物烧结粘结剂为石蜡或浓度为5-10%的聚乙烯醇。
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