CN1333574A - 碱金属薄膜元件及其制造方法 - Google Patents
碱金属薄膜元件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1333574A CN1333574A CN01123142A CN01123142A CN1333574A CN 1333574 A CN1333574 A CN 1333574A CN 01123142 A CN01123142 A CN 01123142A CN 01123142 A CN01123142 A CN 01123142A CN 1333574 A CN1333574 A CN 1333574A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- alkali metal
- lithium
- group
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
- H01M4/0421—Methods of deposition of the material involving vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
- H01M10/0561—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of inorganic materials only
- H01M10/0562—Solid materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
- H01M4/0404—Methods of deposition of the material by coating on electrode collectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
- H01M4/0421—Methods of deposition of the material involving vapour deposition
- H01M4/0423—Physical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
- H01M4/0421—Methods of deposition of the material involving vapour deposition
- H01M4/0423—Physical vapour deposition
- H01M4/0426—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/139—Processes of manufacture
- H01M4/1395—Processes of manufacture of electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/383—Hydrogen absorbing alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/40—Alloys based on alkali metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49108—Electric battery cell making
- Y10T29/49115—Electric battery cell making including coating or impregnating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
提供具有锂金属薄膜的元件,该元件极薄、均匀,并且不被空气退化。该元件包括基底和利用汽相沉积法形成在基底上的锂金属薄膜。薄膜厚度一般0.1μm-20μm。基底一般由金属、合金、金属氧化物或碳组成。基底厚度一般1μm-100μm。该元件用作锂电池的电极元件。
Description
技术领域
本发明涉及碱金属薄膜元件以及制备碱金属薄膜元件的方法,具体而言,涉及用于锂电池等的锂金属薄膜元件以及制备该锂金属薄膜元件的方法。
背景技术
近年来,发展了许多小巧及轻便的电子设备,从而需要用于电子设备的电源更小巧及轻便。对于这种需求,使用锂金属作为负极的电池实用且引人注目。该电池中,希望降低锂金属的厚度,从而尽可能多地降低电池大小。
例如锂金属箔或薄片通过辊压制备。日本专利特许公开No.10-58007公开了该方法的一个例子,但厚度不小于20μm。此外,锂金属易于与水反应,当曝露于空气时,容易退化。
另一方面,已建议使用锂薄膜的固体二次电池。日本专利特许公开No.62-44960公开了固体二次电池的工艺,其中二硫化钛薄膜作为正极,Li2O-Al2O3薄膜作为电解质,而Li薄膜作为负极,它们在离子群束蒸发系统中依次形成在基底上。此外,日本专利公开No.5-48582公开了用于该固体电池的电解材料。然而,与固体电池有关的这些文献并未提供利用锂单独制备负极的技术。
发明内容
本发明的目的是提供制备应用于电池的锂金属薄膜的技术。
本发明的另一目的是提供明显减薄、均匀形成以及不被空气退化的锂金属薄膜元件。
本发明人已发现20μm或更薄的锂金属薄膜可通过汽相沉积法形成,从而实现本发明。
按照本发明,提供一种碱金属薄膜元件,它包括基底以及通过汽相沉积法形成在基底上的薄膜,薄膜元件由从碱金属和碱金属合金组成的组中选择出的材料制成。
按照本发明的碱金属薄膜元件的厚度为0.1μm-20μm。为防止针孔的形成,优选薄膜的厚度至少0.1μm。优选薄膜厚度范围为0.1μm-20μm,更优选范围为1μm-10μm。
在按照本发明的碱金属薄膜中,平面内薄膜厚度的波动在±30%之内。换句话说,优选在膜的横截面上薄膜厚度的变化在薄膜平均厚度的±30%内。
在按照本发明的碱金属薄膜元件中,优选基底厚度1μm-100μm。基底可由从金属、合金、金属氧化物和碳组成的组中选择出的材料制成。优选基底由从铜、镍、铝、铁、铌、钛、钨、镁、金、银、铂、上述两种或多种金属构成的合金、和不锈钢组成的组中选择出的材料制成。
在本发明中,一般薄膜由从锂和锂合金组成的组中选择出的材料制成。尤其是,本发明涉及用于锂电池的电极元件。
按照本发明,提供制备碱金属薄膜元件的方法,包括通过汽相沉积法在基底上形成薄膜的步骤,薄膜由从碱金属和碱金属合金组成的组中选择出的材料制成。
例如,汽相沉积法是从溅射、真空蒸发、激光烧蚀和离子镀组成的组中选择出的方法的任一种。由于低真空下可发生由水分引起的碱金属薄膜的氧化或退化,汽相沉积法中的环境真空度优选1.33×10-4Pa(1×10-6Torr)或更低。在汽相沉积法中,形成薄膜的气氛优选由不与碱金属特别是锂反应的气体组成,包括氦、氖、氩、氪或上述两种或多种的混合气体。构成气氛的气体纯度优选至少99.99%,从而在锂金属薄膜中不发生由水分引起的退化。
例如锂的金属薄膜将沉积其上的基底可以是由金属、合金、金属氧化物如SnO2、导电碳例如石墨等构成。作为所述金属或合金,可使用铜、镍、铝、铁、铌、钛、钨、铟、钼、镁、金、银、铂、上述两种或多种金属构成的合金、和不锈钢的任何一种。为降低锂电池等的大小,优选基底厚度最大100μm。为改善基底强度,优选基底厚度至少1μm。因此,基底厚度范围为1μm-100μm,为小型化而言,厚度范围可在1μm-20μm。
当用于形成薄膜的作为源材料的碱金属引入薄膜沉积系统时,以及当形成的碱金属薄膜从沉积系统取出时,不希望将源材料或碱金属薄膜曝露给空气,因为这种曝露会由水分导致源材料或薄膜的退化。因此,优选使用密封容器,从而源材料可以从在连接到薄膜沉积系统入口的室中的容器里取出,然后源材料可引入薄膜沉积系统。优选地,形成的碱金属薄膜也转移到在连接到薄膜沉积系统出口的室中的容器中,然后密封容纳膜的容器,从系统中取出,进入空气。
在优选实施例中,按照本发明的方法还包括如下步骤:在室空间里从密封容器中取出由碱金属和碱金属合金组成的组中选择出的材料,室空间基本上不与碱金属反应并与空气隔离,并与用于形成薄膜的装置相邻设置;将该材料从室空间转移到该装置中,而材料不曝露给空气。转移到该装置中的材料用于形成薄膜。在优选实施例中,按照本发明的方法还包括如下步骤:把其中形成薄膜的元件从形成薄膜的装置转移到室空间,室空间基本上不与碱金属反应并与空气隔离,并与用于形成薄膜的装置相邻设置;并且将转移的元件在室空间放入密封容器中。
与薄膜沉积系统入口相连的室空间、与薄膜沉积系统出口相连的室空间以及薄膜沉积系统自身可充有氦、氮、氖、氩或氪的气体,或上述两种或多种的混合气体。优选这些气体的纯度至少99.99%。另一方面,露点-50℃或更低的干空气可用于替代该非活性气体。优选在取出源材料以转移到沉积系统或当制备好的薄膜元件转移到室空间以放入密封容器中时,薄膜沉积系统以及与此相邻的室空间充满上述气体。
按照本发明的方法可应用于制备锂电池的电极元件,尤其是锂二次电池的负极元件。在这种情况下,从锂和锂合金组成的组中选择出的材料的薄膜通过汽相沉积法形成在基底上。在这种情况下,优选薄膜厚度20μm或更小。在制备好的锂电池的负极元件上,可利用适当方法例如汽相沉积法来形成无机固体电解质的薄膜,得到锂二次电池的负极。
因此,按照本发明,还提供制备用于锂电池的负极元件的方法。该方法包括如下步骤:在上述工艺得到的锂电池负极元件中由锂和锂合金组成的组中选择出的材料制成的薄膜上形成由无机固体电解质组成的薄膜。由无机固体电解质组成的薄膜含有如下成分A-C:
A:锂,其含量范围为30-65%的原子百分比;
B:从磷、硅、硼、锗和镓组成的组中选择出的一种或多种元素;和
C:硫
由无机固体电解质制成的薄膜至少还含有氧和氮的一种。元素B的含量范围一般为0.1%-30%原子百分比。元素C的含量范围一般为20%-60%原子百分比。氧和氮的一种或两种的含量范围一般为0.1%-10%。
在按照本发明制备锂电池的负极元件的方法中,25℃下无机固体电解质制成的薄膜的离子传导性(传导率)可至少为1×10-4S/cm。
结合附图,通过本发明的如下详述,对本发明的上述和其它目的、特征以及优点更为清楚。
附图说明
图1是表示用于本发明方法的整个装置的示意图。
图2示意表示按照本发明的元件例子的横截面图。
在图中,薄膜沉积系统用标号1表示,薄膜沉积系统的入口用2表示,薄膜沉积系统的出口用3表示,室用4和5表示,锂金属薄膜元件用10表示,而锂金属薄膜用12表示。
实施本发明的最佳方式
例子1
用锂作为例子如下进一步描述本发明。如下所示的方法中,锂金属的源材料引入薄膜沉积系统,取出形成的锂金属薄膜。图1表示用于制备薄膜的整个装置。首先,容纳在玻璃、塑料等的密封容器中的锂金属源材料放置在与薄膜沉积系统1的入口相连的室4中。然后将空气从室4抽空。之后,室4充满纯度99.99%的氩气。薄膜沉积系统1也充满纯度99.99%的氩气。室4备有手套,从而手带上手套在室4内完成操作。密封容器在室4中打开,取出锂金属源材料。然后,打开薄膜沉积系统1的入口2处的门,在薄膜沉积系统1内部放置锂金属源材料,关闭入口2的门。以这种方式,锂金属源材料放置在薄膜沉积系统1中而不曝露给空气。
在通过汽相沉积法在系统1的基底上形成锂金属薄膜之后,系统1充满充满纯度99.99%的氩气。将空气从与系统的出口3相连的室5抽空,之后室5充满纯度99.99%的氩气。如同室4那样,室5也备有手套,从而手带上手套在室5内完成操作。打开系统1的出口3处的门,从系统1取出形成的锂金属薄膜元件,然后放置在室5中,并关闭出口3的门。事先在室5中备有玻璃、塑料等的密封容器。锂金属薄膜元件放置在容器中,密封容器,取出密封容器进入空气。以这种方式,从系统1取出锂金属薄膜元件到另一地方而不曝露给空气。
在该方法中,可使用氦、氮、氖、氩和氪中的任何一种、或上述两种或多种的混合气体、或露点-50℃或更低的干空气,而没有问题。各个室和薄膜沉积系统中使用的气体根据需要,可以是相同或不同。
如图1所示的装置同时具有用于薄膜沉积系统的入口2和出口3。另一方面,一个通道可以既是入口又是出口,并设置一个室,通过该室源材料引入薄膜沉积系统并且从薄膜沉积系统取出薄膜元件。
在不同条件下,通过汽相沉积在基底上形成锂金属薄膜。表1表示包括锂膜形成技术、汽相沉积中的背底真空度、沉积使用的气氛气体、形成的锂金属薄膜的厚度、基底材料以及基底厚度的条件。溅射或激光烧蚀进行沉积中所用的气氛气体具有99.99%的纯度。
在所有形成的锂金属薄膜中,平面内(横截面内)厚度变化范围是在平均厚度的±30%内,显示形成均匀膜。在光学显微镜下检查薄膜表面。结果,在样品No.4的一个位置处发现针孔,其中锂金属薄膜厚度是0.1μm。其它锂金属薄膜中未发现针孔。样品中,未发现水分引起的退化部分。
表1
No. | 沉积技术 | 背底的真空度(Torr) | 气氛气体 | 气氛气体压力(Torr) | 金属膜厚度(μm) | 基底材料 | 基底厚度(μm) |
1 | 溅射 | 5×10-7 | 氩气 | 0.1 | 5 | 铜 | 1 |
2 | 溅射 | 5×10-7 | 氩气 | 0.1 | 5 | 铜 | 10 |
3 | 溅射 | 5×10-7 | 氩气 | 0.1 | 5 | 铜 | 100 |
4 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 0.1 | 铜 | 10 | |
5 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 1 | 铜 | 10 | |
6 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 铜 | 10 | |
7 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 10 | 铜 | 10 | |
8 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 20 | 铜 | 10 | |
9 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 镍 | 10 | |
10 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 铝 | 10 | |
11 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 铁 | 10 | |
12 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 钛 | 10 | |
13 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 铌 | 10 | |
14 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 钨 | 10 | |
15 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 铟 | 10 | |
16 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 镁 | 10 | |
17 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 钼 | 10 | |
18 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 金 | 10 | |
19 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 银 | 10 | |
20 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 铂 | 10 | |
21 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | SUS304 | 10 | |
22 | 真空蒸发 | 5×10-7 | -- | 5 | 石墨 | 100 | |
23 | 真空蒸发 | 1×10-6 | -- | 5 | 铜 | 10 | |
24 | 真空蒸发 | 5×10-10 | -- | 5 | 铜 | 10 | |
25 | 激光烧蚀 | 5×10-7 | 氩气 | 2×10-2 | 1 | 铜 | 10 |
26 | 激光烧蚀 | 5×10-7 | 氩气 | 2×10-2 | 5 | 铜 | 10 |
27 | 激光烧蚀 | 5×10-7 | 氩气 | 2×10-2 | 10 | 铜 | 10 |
28 | 激光烧蚀 | 5×10-7 | 氖 | 2×10-2 | 5 | 铜 | 10 |
29 | 激光烧蚀 | 5×10-7 | 氦 | 2×10-2 | 5 | 铜 | 10 |
30 | 离子镀 | 5×10-7 | -- | -- | 5 | 铜 | 10 |
(1Torr=101325/760Pa)
图2表示按照本发明的元件例子。在锂金属薄膜元件10中,锂金属薄膜12通过汽相沉积法形成在基底11上。薄膜12具有汽相沉积法产生的特定织构。薄膜12的厚度一般0.1μm-20μm,优选1μm-10μm。基底11的厚度一般1μm-100μm。
按照本发明的元件可特别用作锂电池的电极元件。一般,必需的材料例如无机固体电解质可设置在按照本发明的元件的锂金属薄膜上,以制备锂二次电池的负极。该负极可与必要的部件例如多孔聚合物隔板、正极和电解质有机溶液结合,制备锂二次电池。无机固体电解质可包括硫化物、氧化物、氮化物以及其混合物例如氮氧化物和硫氧化物。硫化物可包括Li2S、Li2S和SiS2的化合物、Li2S和GeS2的化合物以及Li2S和Ga2S3的化合物。氮氧化物可包括Li3PO4-xN2x/3、Li4SiO4-xN2x/3、Li4GeO4-xN2x/3(0<x<4)和Li3BO3-xN2x/3(0<x<3)。
替代上述锂,可使用锂合金。该锂合金的添加元素可包括In、Ti、Zn、Bi和Sn。通过常规汽相沉积法例如溅射、真空蒸发、或激光烧蚀可在基底上沉积锂合金。
按照本发明,可提供其它碱金属薄膜。例如,按照本发明,通过汽相沉积可在基底上形成钠、钾、铷或铯的薄膜。
例子2
室温下在Ar气体气氛中溅射Li2S-SiS2-P2O5基的靶,在表1No.7元件的锂金属薄膜上沉积1μm厚度的无机固体电解质薄膜。通过该方法,得到锂电池的负极元件。在该方法中,可使用其它锂金属薄膜替代表1中No.7的锂膜。可通过溅射、真空蒸发、激光烧蚀和离子镀中任一种技术制备无机固体电解质的薄膜。在形成锂金属薄膜之后,在相同装置中也可接着形成无机固体电解质薄膜。另一方面,基底可转移到另一装置,然后在其中形成无机固体电解质薄膜。
X-射线衍射分析表明,形成的无机固体电解质薄膜是非晶状态。25℃下无机固体电解质的离子传导率是3×10-4S/cm。成分分析表明,薄膜成分的原子比是Li(0.43)∶Si(0.12)∶S(0.44)∶P(0.003)∶O(0.007)。
使用具有如上所述形成的有机固体电解质薄膜的负极元件,制备锂二次电池,评估电池性能。加热碳酸亚乙酯(EC)和碳酸亚丙酯(PC)的混合物溶液,然后在溶液中溶解LiPF6。在混合物溶液中以高浓度溶解聚丙烯腈(PAN)。冷却溶液,得到含有大量EC和PC以及溶解有LiPF6的PAN制剂。将作为活性材料的LiCoO2颗粒和用于提供电子导电性的碳颗粒加入到PAN制剂中。在20μm厚的铝箔或薄片(正极集电体元件)上涂覆300μm厚度的所得混合物,以形成正极。
层叠如上所述其上形成无机固体电解质薄膜的负极元件、隔板(多孔聚合物膜)和正极,然后放入将要密封的不锈钢容器中。把在碳酸亚乙酯和碳酸亚丙酯的混合物溶液中含有充当电解质盐的1摩尔%LiPF6的电解质有机溶液点滴加入到容器中。在该方法中,在露点-60℃或更低的氩气气氛下制备锂二次电池。
检查所制备的电池的充电和放电性能。检测中,在4.2V电压下给电池充电,保持0.5Ah(安时)的容量,直至在100mA下恒放电,使得电压下降到3.5V。电池的能量密度是490Wh(瓦时)/l(升)。在相同条件下充电和放电100次循环之后,电池仍保持稳定。
所得到的锂电池的电极元件非常薄。在该例子中,在锂金属薄膜上沉积无机固体电解质。该方法可提供用于锂二次电池的高度稳定的负极元件,在充电和放电期间在负极上不易生长锂金属枝晶,具有优良的充电和放电循环性能。
例子3
除Li2S-SiS2-Li2O-P2O5用于靶之外,如同例子2一样,在锂金属薄膜上形成无机固体电解质的薄膜,制备并评估负极和二次电池。无机固体电解质的薄膜成分原子比是Li(0.43)∶Si(0.12)∶S(0.44)∶P(0.002)∶O(0.008),离子传导率是4 ×10-4S/cm。除这些之外,与例子2得到的结果相同。
例子4
除Li2S-SiS2用于靶之外,如同例子2一样,在锂金属薄膜上形成无机固体电解质的薄膜,制备并评估负极和二次电池。无机固体电解质的薄膜成分原子比是Li(0.40)∶Si(0.13)∶S(0.47)∶O(检测界限之下),离子传导率是3.5×10-4S/cm。除这些之外,与例子2得到的结果相同。
例子5
除Li2S-SiS2-Li2PO4用于靶之外,如同例子2一样,在锂金属薄膜上形成无机固体电解质的薄膜,制备并评估负极和二次电池。无机固体电解质的薄膜成分原予比是Li(0.41)∶Si(0.13)∶S(0.45)∶P(0.002)∶O(0.008),离子传导率是4.5×10-4S/cm。除这些之外,与例子2得到的结果相同。
如上所述,按照本发明提供的碱金属薄膜尤其是锂金属薄膜,特别薄、均匀,不被空气退化。具有该薄膜的元件特别用作电池的电极元件。
尽管已详细说明和描述了本发明,应清楚只是利用描述和例子,而并不被限制,本发明的精神和范围只被附属权利要求所限定。
Claims (24)
1.碱金属薄膜元件,包括
基底;和
在所述的基底上通过汽相沉积法形成的薄膜,该薄膜由碱金属和碱金属合金组成的组中选择出的材料制成。
2.按照权利要求1的碱金属薄膜元件,其中所述薄膜厚度为0.1μm-20μm。
3.按照权利要求2的碱金属薄膜元件,其中所述薄膜厚度为0.1μm-10μm。
4.按照权利要求1的碱金属薄膜元件,其中所述薄膜在平面内的厚度变化范围在±30%内。
5.按照权利要求1的碱金属薄膜元件,其中所述基底厚度为1μm-100μm。
6.按照权利要求1的碱金属薄膜元件,其中所述基底由从金属、合金、金属氧化物和碳组成组中的选择出的材料制成。
7.按照权利要求1的碱金属薄膜元件,其中所述基底由从铜、镍、铝、铁、铌、钛、钨、镁、金、银、铂、至少两种上述金属构成的合金、以及不锈钢组成的组中选择出的材料制成。
8.按照权利要求1的碱金属薄膜元件,其中所述薄膜由锂和锂合金组成的组中选择出的材料制成。
9.按照权利要求8的碱金属薄膜元件,它形成锂电池的电极元件。
10.制备碱金属薄膜元件的方法,包括如下步骤:
通过汽相沉积法在基底上形成由碱金属和碱金属合金组成的组中选择出的材料制成的薄膜。
11.按照权利要求10的方法,其中
所述汽相沉积法是从溅射、真空蒸发、激光烧蚀和离子镀组成的组中选择出的任一种。
12.按照权利要求10的方法,其中
在不大于1.33×10-4Pa(1×10-6Torr)的背底真空度下,实施所述汽相沉积法。
13.按照权利要求10的方法,其中
在从由氦、氖、氩、氪和上述两种或多种气体的混合气体组成的组中选择出的气氛气体中,通过所述汽相沉积法形成所述薄膜。
14.按照权利要求13的方法,其中
所述气氛气体纯度至少99.99%。
15.按照权利要求10的方法,还包括如下步骤:
在室空间里从密封容器中取出由碱金属和碱金属合金组成的组中选择出的材料,该室空间基本上不与碱金属反应并与空气隔离,并与用于形成薄膜的装置相邻设置;以及
从所述室空间将取出的材料转移到所述装置中,而不曝露给空气,其中
使用转移到所述装置中的材料来形成所述薄膜。
16.按照权利要求15的方法,其中
当取出所述材料并转移到所述装置中时,所述室空间和所述装置充满气体,该气体从由氦、氮、氖、氩、氪和上述两种或多种气体的混合气体以及露点为-50℃或更低的干空气组成的组中选择。
17.按照权利要求10的方法,还包括如下步骤:
把其中形成有所述薄膜的所述元件从形成薄膜的装置转移到室空间内,而不曝露于空气,该室空间基本上不与碱金属反应并与空气隔离,并与用于形成薄膜的所述装置相邻设置;以及
将转移的元件放置在所述室空间中的密封容器内。
18.按照权利要求17的方法,其中
当所述元件转移到所述室空间并放置在所述密封容器中时,所述室空间和所述装置充满气体,该气体从由氦、氮、氖、氩、氪和上述两种或多种气体的混合气体以及露点为-50℃或更低的干空气组成的组中选择。
19.按照权利要求10的方法,其中
所述材料是从锂和锂合金组成的组中选择出的材料,以及
所述方法制备用于锂电池的负极元件。
20.按照权利要求19的方法,其中
所述薄膜厚度最大20μm。
21.制备锂电池的负极元件的方法,包括如下步骤:
在由按照权利要求19的方法制备的所述元件中由所述材料制成的薄膜上形成无机固体电解质构成的薄膜。
22.按照权利要求21的方法,其中
所述无机固体电解质制成的所述薄膜,含有如下组分A、B和C:
A:锂,其含量范围为30-65%的原子百分比;
B:从磷、硅、硼、锗和镓组成的组中选择出的一种或多种元素;和
C:硫。
23.按照权利要求22的方法,其中
所述无机固体电解质制成的所述薄膜,还含有氧和氮的至少一种。
24.按照权利要求21的方法,其中
所述无机固体电解质制成的所述薄膜,在25℃下具有1×10-4S/cm的离子传导率。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP219071/2000 | 2000-07-19 | ||
JP2000219071 | 2000-07-19 | ||
JP382174/2000 | 2000-12-15 | ||
JP2000382174A JP3608507B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-12-15 | アルカリ金属薄膜部材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1333574A true CN1333574A (zh) | 2002-01-30 |
Family
ID=26596315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN01123142A Pending CN1333574A (zh) | 2000-07-19 | 2001-07-17 | 碱金属薄膜元件及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6713216B2 (zh) |
EP (1) | EP1174936A3 (zh) |
JP (1) | JP3608507B2 (zh) |
KR (1) | KR100789540B1 (zh) |
CN (1) | CN1333574A (zh) |
CA (1) | CA2350384C (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1305215C (zh) * | 2005-06-20 | 2007-03-14 | 清华大学 | 具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜 |
CN100435389C (zh) * | 2004-04-01 | 2008-11-19 | 住友电气工业株式会社 | 锂二次电池负极构成材料及其制造方法 |
CN101652496B (zh) * | 2007-04-06 | 2012-10-03 | H.E.F.公司 | 氧氮化物溅射靶 |
CN103972446A (zh) * | 2013-01-28 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 电化学电源隔膜及其制备方法、电化学电池或电容器 |
CN109244355A (zh) * | 2017-07-11 | 2019-01-18 | 天津中能锂业有限公司 | 制备补锂的负极的方法、补锂的负极和锂离子二次电池 |
CN113994020A (zh) * | 2019-07-09 | 2022-01-28 | 杰富意钢铁株式会社 | 用于硫化物系固体电池的集流体的铁素体系不锈钢板 |
US11296310B2 (en) | 2016-08-03 | 2022-04-05 | Sigma Lithium Limited | Method of forming a metallic lithium coating |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003007343A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池の製造方法および製造装置 |
US8394522B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Robust metal film encapsulation |
US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
US9793523B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-10-17 | Sapurast Research Llc | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
US8236443B2 (en) | 2002-08-09 | 2012-08-07 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
US8404376B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-26 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
US8445130B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
US8021778B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
US8431264B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-04-30 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
KR100467436B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2005-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬-황 전지용 음극, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는리튬-황 전지 |
CN1754275A (zh) * | 2002-12-23 | 2006-03-29 | A123系统公司 | 高能量和高功率密度电化学电池 |
JP4444572B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2010-03-31 | Tdk株式会社 | 電極の製造方法および電池の製造方法 |
US8728285B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-05-20 | Demaray, Llc | Transparent conductive oxides |
CA2489849C (en) | 2004-05-31 | 2011-05-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Lithium secondary battery negative-electrode component material and lithium secondary battery |
US7959769B2 (en) | 2004-12-08 | 2011-06-14 | Infinite Power Solutions, Inc. | Deposition of LiCoO2 |
KR101021536B1 (ko) | 2004-12-08 | 2011-03-16 | 섬모픽스, 인코포레이티드 | LiCoO2의 증착 |
JP2007280926A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池用負極の製造方法とそれを用いた非水電解質二次電池 |
JP2008016329A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リチウム二次電池用負極材 |
JP5260843B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2013-08-14 | 住友電気工業株式会社 | 蒸着法による成膜装置 |
JP2008066109A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Toyota Motor Corp | 非水系二次電池の製造方法 |
JP2010505044A (ja) | 2006-09-29 | 2010-02-18 | インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド | フレキシブル基板のマスキングおよびフレキシブル基板上にバッテリ層を堆積させるための材料拘束 |
US8197781B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same |
EP2225406A4 (en) | 2007-12-21 | 2012-12-05 | Infinite Power Solutions Inc | PROCEDURE FOR SPUTTER TARGETS FOR ELECTROLYTE FILMS |
US8268488B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-09-18 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film electrolyte for thin film batteries |
US8518581B2 (en) | 2008-01-11 | 2013-08-27 | Inifinite Power Solutions, Inc. | Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices |
JP5595377B2 (ja) | 2008-04-02 | 2014-09-24 | インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド | エネルギー取入れに関連したエネルギー貯蔵デバイスに対する受動的過不足電圧の制御および保護 |
EP2319101B1 (en) | 2008-08-11 | 2015-11-04 | Sapurast Research LLC | Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof |
CN102150185B (zh) | 2008-09-12 | 2014-05-28 | 无穷动力解决方案股份有限公司 | 具有经由电磁能进行数据通信的组成导电表面的能量装置及其方法 |
WO2010042594A1 (en) | 2008-10-08 | 2010-04-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Environmentally-powered wireless sensor module |
JP5372144B2 (ja) * | 2009-04-21 | 2013-12-18 | 株式会社アルバック | 真空蒸着システム及び真空蒸着方法 |
JP5492998B2 (ja) | 2009-09-01 | 2014-05-14 | インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド | 薄膜バッテリを組み込んだプリント回路基板 |
CN102947976B (zh) | 2010-06-07 | 2018-03-16 | 萨普拉斯特研究有限责任公司 | 可充电、高密度的电化学设备 |
JP2012017478A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Honjo Metal Co Ltd | リチウム積層部材およびその製造方法 |
JP5594583B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-09-24 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 参照電極の製造方法 |
CN111430659A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-07-17 | 蜂巢能源科技有限公司 | 锂离子电池负极的预锂化处理方法、锂离子电池的负极和锂离子电池 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56156674A (en) * | 1980-04-12 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Solid battery |
JPS58126679A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | Hitachi Ltd | 薄膜リチウム電池の電極形成法 |
JPS5960866A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-06 | Hitachi Ltd | 薄膜リチウム二次電池 |
JPS6072170A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Hitachi Maxell Ltd | 固体電解質電池 |
CA1266086A (en) | 1985-06-28 | 1990-02-20 | James Robert Akridge | Vitreous solid lithium cation conductive electrolyte |
JPS6244960A (ja) | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜二次電池の製造装置 |
EP0442681B1 (en) * | 1990-02-13 | 1997-08-06 | Yuasa Corporation | Manufacturing method for electrode and manufacturing method for electrode-electrolyte composite |
US5141614A (en) * | 1990-09-18 | 1992-08-25 | Eveready Battery Company, Inc. | Sputtering process for preparing vitreous compositions based on Li3 PO4 and LiPO3 as network formers and network modifiers |
JPH0548582A (ja) | 1991-08-13 | 1993-02-26 | Fujitsu Ltd | 回線切換方式 |
US5338625A (en) * | 1992-07-29 | 1994-08-16 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Thin film battery and method for making same |
US5961672A (en) | 1994-02-16 | 1999-10-05 | Moltech Corporation | Stabilized anode for lithium-polymer batteries |
US5561004A (en) * | 1994-02-25 | 1996-10-01 | Bates; John B. | Packaging material for thin film lithium batteries |
US5522955A (en) * | 1994-07-07 | 1996-06-04 | Brodd; Ralph J. | Process and apparatus for producing thin lithium coatings on electrically conductive foil for use in solid state rechargeable electrochemical cells |
JPH08167425A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 全固体リチウム電池の製造法 |
JPH1058007A (ja) | 1996-08-21 | 1998-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | リチウム金属箔又はリチウム合金箔の製造方法 |
JPH1083838A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 全固体リチウム電池 |
WO2000028608A1 (fr) * | 1998-11-10 | 2000-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pile secondaire au lithium |
US6168884B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-01-02 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Battery with an in-situ activation plated lithium anode |
JP2001284048A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-12 | Sharp Corp | 有機el素子フルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2002015728A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nec Corp | リチウム二次電池およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-12-15 JP JP2000382174A patent/JP3608507B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-13 CA CA002350384A patent/CA2350384C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-18 US US09/884,632 patent/US6713216B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-17 CN CN01123142A patent/CN1333574A/zh active Pending
- 2001-07-18 KR KR1020010043186A patent/KR100789540B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-07-19 EP EP01306241A patent/EP1174936A3/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100435389C (zh) * | 2004-04-01 | 2008-11-19 | 住友电气工业株式会社 | 锂二次电池负极构成材料及其制造方法 |
CN1305215C (zh) * | 2005-06-20 | 2007-03-14 | 清华大学 | 具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜 |
CN101652496B (zh) * | 2007-04-06 | 2012-10-03 | H.E.F.公司 | 氧氮化物溅射靶 |
CN103972446A (zh) * | 2013-01-28 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 电化学电源隔膜及其制备方法、电化学电池或电容器 |
US11296310B2 (en) | 2016-08-03 | 2022-04-05 | Sigma Lithium Limited | Method of forming a metallic lithium coating |
CN109244355A (zh) * | 2017-07-11 | 2019-01-18 | 天津中能锂业有限公司 | 制备补锂的负极的方法、补锂的负极和锂离子二次电池 |
CN113994020A (zh) * | 2019-07-09 | 2022-01-28 | 杰富意钢铁株式会社 | 用于硫化物系固体电池的集流体的铁素体系不锈钢板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020008068A (ko) | 2002-01-29 |
JP2002097564A (ja) | 2002-04-02 |
JP3608507B2 (ja) | 2005-01-12 |
US6713216B2 (en) | 2004-03-30 |
CA2350384C (en) | 2007-08-28 |
KR100789540B1 (ko) | 2007-12-28 |
EP1174936A3 (en) | 2006-08-30 |
US20020028383A1 (en) | 2002-03-07 |
CA2350384A1 (en) | 2002-01-19 |
EP1174936A2 (en) | 2002-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1333574A (zh) | 碱金属薄膜元件及其制造方法 | |
CN100337348C (zh) | 制备锂二次电池负极的方法 | |
KR101528897B1 (ko) | 전자화학 장치 콤포넌트 제조 방법 | |
CN100347890C (zh) | 形成无机固体电解质薄膜的方法 | |
US20030108795A1 (en) | Lithium secondary battery-use electrode and lithium secondary battery | |
JP2017529662A (ja) | 界面の抵抗及び過電圧を減少させるための中間層を含む電気化学デバイススタック | |
CN102656728A (zh) | 锂离子电池及这类电池的制造方法 | |
CN108336301A (zh) | 一种高性能钠离子电池负极及其制备方法 | |
US7883800B2 (en) | Lithium ion conducting lithium sulphur oxynitride thin film, and a process for the preparation thereof | |
KR20160059100A (ko) | Fe-Mo-P 복합체 음극 활물질, 그를 포함하는 음극 및 그 제조 방법 | |
CN110923646A (zh) | 复合型碳薄膜及其制备方法与应用 | |
US20220140406A1 (en) | Solid-state sodium-carbon dioxide battery | |
KR20220114916A (ko) | 음극 집전체 및 이를 포함하는 금속 전지 | |
WO2024101510A1 (ko) | 비정질 금속 합금 코팅층을 구비하는 무음극 리튬 이차전지, 리튬금속 이차전지, 리튬 이차전지 및 전고체 이차전지 | |
US20240072255A1 (en) | Method of preparing vse2 material and electrochemical whole cell and electrochemical symmetric cell using the same | |
KR20230030708A (ko) | 음극 집전체 및 이를 포함하는 금속 전지 | |
King et al. | Low-Cost Encapsulation of Silicon-Based Nanopowders Final Report | |
CN118553856A (zh) | 一种含有BiF3/Na人工界面层的钠金属负极及其制备方法和钠金属电池 | |
KR20220082468A (ko) | 금속 박막의 코팅층을 포함하는 전고체 전지용 음극 및 이의 제조방법 | |
CN118336096A (zh) | 一种卤氧化物固态电解质及其制备方法和应用 | |
CN118073576A (zh) | 利用修饰层稳定电极的方法、具有修饰层的电极与其应用 | |
CN114792796A (zh) | 氟化物离子二次电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |