CN1329741A - 具有电荷箝位的屏蔽磁阻磁头 - Google Patents
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Abstract
描述了一种MR或GMR磁头,其利用电荷箝位结构解决磁头的尖峰信号问题,所述电荷箝位结构提供一个从导电屏蔽到MR元件引线的非绝缘的电通路,用于阻止电荷积累。所描述的几种电荷箝位的实施例包括具有中心抽头的电阻,其提供从S2屏蔽(并且选择地从S1屏蔽)到MR元件的两个引线的电通路,以形成自跟踪箝位。此外,可以使每个屏蔽具有完全相同的所述电阻结构。一种使用本发明的存储系统连接该系统的偏置电路,用于在MR元件引线上提供直流偏压,所述引线和屏蔽电连接。
Description
发明领域
本发明一般涉及用于在磁膜上读和/或写数据的磁头，尤其涉及使用磁阻材料的磁头及其制造方法。
发明背景
磁数据记录的发展要求较高的密度，这又要求用于读写磁信号的变换器(磁头)具有提高的灵敏度。对于磁头的设计，重要的目标是减少噪声和保护磁头免受瞬变现象的影响。许多读磁头使用磁阻材料工作，因而被称为磁阻磁头。图1说明现有技术中的具有两个屏蔽的磁阻读磁头的基本元件，图1表示用于盘驱动中的一种现有类型磁头中叠层的截面图。因为一般这种磁头对于读写功能具有单独的结构。整个磁头的进行写操作的部分通常被称为写元件或写磁头。图1中的写元件是一种感应磁头。读功能是由被称为MR磁头的元件实现。作为第一屏蔽(S1)的导磁层111被设置在由基底层(未示出)支撑着的绝缘层101上。在导磁层111的上面设置第一绝缘层103。磁阻(MR)元件114及其引线(未示出)被设置在绝缘层103上。接着是第二绝缘层104，因而把MR元件夹在两个绝缘层之间。在第二绝缘层的顶上，设置有用于形成第二屏蔽(S2)222的导磁材料。共同作为感应写磁头的元件包括附加的绝缘材料107和被设置在绝缘层110中的感应线圈112。层109作为写磁头的极片。在这种特定类型的磁头中，S2层222具有双重作用，其还作为另一个极片，但是其它包括磁带磁头的设计对于这些功能使用单独的层。
图1的磁头旨在用于盘驱动器，但是其基本元件和功能和用于磁带驱动器的磁头相同。磁带磁头一般由并排设置的读写元件构成，S2不作为极片，不起双重作用。
图2表示一在被称为铁氧体磁头的现有技术的另一种磁阻磁头中读元件的简化的截面图。层61由铁氧体构成，其作为S1屏蔽，层65是磁或非磁的闭合元件。屏蔽S2 222和MR元件114被绝缘材料67包围着。所示的MR引线63(其可以由导电材料例如金制成)和偏置电源17相连。例如图2所示类型的MR磁头只有一个金属屏蔽。磁介质穿过由两个屏蔽形成的间隙。所述屏蔽用于阻止来自间隙外部的介质的磁场。恒定的直流偏流被加于MR元件，由电阻的波动引起的MR元件两端的电压的波动就是输出信号。
图3表示一现有技术的另一种MR磁头的简化的截面图。在这种磁头中，S1屏蔽是一个单独的元件111，如S2屏蔽222一样。两个屏蔽不需要由相同的材料制成。两个屏蔽和MR元件114被在制造过程中经过几步进行淀积的绝缘材料67包围着。和上述的情况一样，MR引线63和偏置电源17相连。
在现有技术的参考文献中具有许多不同的磁阻磁头设计，例如可以参见美国专利5713122。磁阻磁头通常被用于盘驱动系统和带驱动器中。虽然在盘驱动器中的磁头在一个单元中封装有一对单读/写元件，但是带磁头组件具有为多轨迹系统中的每个轨迹提供的一个读/写元件对。
在利用磁阻磁头从磁带中读取数据时已经观察到特殊的噪声现象。在下面，将用“磁阻磁头”包括使用巨磁阻效应的磁头和使用磁阻效应的磁头。已经观察到从读磁头输出的信号含有非常尖的尖峰信号，其接近于理想脉冲，具有非常窄的宽度和宽的频谱含量。这些尖峰信号可以具有每个极性并被分布在一个幅值范围内。来自磁头的输出信号一般通过一前置放大器，然后进入一输入通道，其中包括各种滤波器，检测器，译码器，纠错器等等。
在输入通道信号中尖峰信号的影响至少形成随机分布的可校正的一位误差，而且最坏可以干扰介质信号的检测。尖峰信号可以发生在没有记录信号或MR偏置电流的情况下，但是似乎需要介质和磁头接触并相对运动。
有许多设计方案用于元件的事故切断保护，但是这些方案没有直接涉及到存在的问题。提出了对磁头进行测试的许多方法，例如在盘磁头中通过电阻使MR屏蔽接地。然而，通过电阻使屏蔽接地实际上可能会通过在MR和屏蔽之间形成一个恒定的大的电位差加重尖峰问题，这在下面将要讨论。
发明公开
按照本发明的磁阻磁头，利用一种电荷箝位结构解决了磁头尖峰问题，所述电荷箝位结构提供从导电屏蔽到一或两个MR元件引线的导电通路，从而阻止与MR元件和屏蔽之间的相互作用(它们可被模拟成一个虚拟电容器)相关的大的破坏性的电荷的积累。在本发明的一个实施例中，该电荷箝位提供了从屏蔽到MR元件的两个引线的电阻性导电通路，从而形成一个自跟踪箝位。提供从MR元件引线到屏蔽的导电通路的附加的优点包括能够使屏蔽更有效地进行EMI保护，并且总体上保护MR元件不受来自其它源的大电流的影响。
本发明的一个实施，例使用在MR元件的一个引线和相关的屏蔽之间连接的电阻。
在另一个实施例中，带有单一金属屏蔽的磁头，从屏蔽到MR元件的每个引线具有一单独的电阻通路。两个电阻通路可以作为一薄膜结构来实施，所述薄膜结构和两个引线接触，并具有一中心连接点和屏蔽相连，形成近似的中心抽头电阻。
在又一个实施例中，带有一个以上的导电屏蔽的磁头使所述屏蔽电气相连，然后通过一电阻通路和一个引线相连。此外，对于每个屏蔽可以设置一个完全相同的电阻结构。
在再一个实施例中，用于把MR元件和屏蔽隔开的材料由比绝缘材料略微导电的材料制成，以提供电荷的导电通路。
按照本发明的存储系统，可以包括本发明的MR磁头的任何实施例。连接该系统的偏置电路以提供直流偏压，使得S2屏蔽和MR元件的正确的引线相连。虽然本发明很好地适用于磁带存储系统中，但是其也可应用于磁盘驱动器或测量装置，在这些装置中，磁头受到使在MR元件和屏蔽之间积累电荷的力，这些装置可以包括使用硬盘或软盘的接触或近似接触记录装置。
附图简介
下面以举例方式参照附图详细说明本发明，其中：
图1说明被设计来用于盘驱动器中的现有技术的磁阻磁头的截面图；
图2说明现有技术的使用铁氧体作为第一屏蔽和使用一单独元件作为第二屏蔽的MR磁头的截面图；
图3说明现有技术的对于第一和第二屏蔽使用单独元件的MR磁头的截面图；
图4说明用于MR磁头的一个简单的电路模型及其在数据存储系统中的相关的元件；
图5说明按照本发明的一个实施例用于MR磁头的电路模型的一部分及其相关的电路，其中使用由屏蔽到MR元件的一个引线的电阻；
图6说明按照本发明的一个实施例用于MR磁头的电路模型的一部分及其相关的电路，其中使用从屏蔽到MR元件的一个引线的小的或为0的电阻通路；
图7说明按照本发明的一个实施例用于MR磁头的电路模型的一部分，其中使用来自电气相连的两个屏蔽的有中心抽头的电阻通路；
图8说明按照本发明一实施例的一种MR磁头的截面图，其使用铁氧体作为第一屏蔽和一单独的导电元件作为S2屏蔽，并使用从S2屏蔽到MR引线的电阻通路；
图9说明按照本发明一实施例的一种MR磁头的截面图，其使用铁氧体作为第一屏蔽和一单独的导电元件作为S2屏蔽，并使用从S2屏蔽到MR引线的电阻通路；
图10说明按照本发明一实施例的MR磁头的分解图，其具有一单个导电的S2屏蔽和从S2屏蔽到MR元件的两个引线的中心抽头的电阻通路；
图11说明按照本发明的存储系统；以及
图12说明按照本发明一个实施例的MR磁头的电路模型的一部分，其使用从两个导电屏蔽的每一个到跨接在MR元件的两个引线上的中心抽头的电阻的单独的电阻通路。
发明详述
本发明提供一种用于通过对电位和在磁头中积累的相关电荷进行箝位来阻止在MR磁头的输出中发生噪声尖峰信号的方法和装置。所述磁头设计有用于消除积累的大电荷的装置，所述电荷会突然放电，尤其是可以引起大幅值的极窄的噪声脉冲，这些噪声脉冲会在对使用MR磁头从磁介质中读出的数据进行译码时产生误差。模拟和实验表明，所观察到的那种类型的脉冲来自MR材料和屏蔽之间的局部放电。MR材料和屏蔽之间具有电容，这些电容被称为“虚拟电容器”或MR屏蔽电容器。在现有技术的MR磁头中，申请人已经确定，上述的噪声尖峰信号在虚拟电容器突然放电时发生，所述放电是由于电压达到了击穿值或者是由于运动的介质例如磁带发生一放电事件而引起的。放电机理可以是介质辅助的，一般是非破坏性的，并且在一般情况下是非事故切断的。介质在磁头上的摩擦会使MR屏蔽电容(电容器)缓慢带电(所谓的“摩擦起电”)。当虚拟电容器放电时，存储电荷的一部分通过MR元件流过，引起在输出信号中的IR脉冲。本发明的变换器(磁头)设计限制对MR屏蔽电容器充电，因而可以把幅值降低到门限值以下或者可以消除噪声脉冲。
图4是用于说明一个简单模型的电路图，其有助于理解噪声尖峰信号是起源和由本发明提供的解决方法。所述模型包括更正偏置连接点17和更负偏置连接点16。在本文中使用的正负是相对的，用于简明地表示用于存储系统中的MR元件的直流偏置电流受到感应的影响。MR磁头的模型中包括电容11，其大约为总的MR屏蔽电容的一半，并通过MR引线和负偏置连接点16以及前置放大器的一个差动输入相连。在MR模型中的第二电容12大约为总的MR屏蔽电容的一半，并和更正偏置点17相连。电容11和12在屏蔽上具有公共节点。电容12和电阻13与开关14的串联组合并联，所述开关用于模拟充放电周期。当开关14打开时允许电容12充电。放电通过使开关14闭合进行模拟。当放电大约在存储电荷的50％发生时，即在电容器11上的电荷，通过MR元件向电阻13流动。应当注意，电阻13和开关14一对可以和电容11并联，以便模拟不同极性的脉冲。通过改变在电容11和12上存储的电荷的符号，脉冲的符号也被改变。
在本发明的一种简单的型式中，如图5所示，一个箝位电阻81使导电屏蔽83和相关的MR元件的引线相连，其中MR元件用MR的模拟电阻15表示。如果要被连接到正引线，则这能确保在MR和屏蔽之间具有恒定的小的电位差，也能保证MR元件处处和屏蔽的电位相等或者比屏蔽的电位更负。为了防止腐蚀，特别是在潮湿的环境中，这是优选的。如果腐蚀不是严重的问题，则应当把屏蔽连接到当和存储系统中的偏置电路相连时具有最低阻抗的引线，以便使信号返回或接地。所示的连接可用于多元件的磁头。
图6所示的本发明的实施例和图5类似，只是箝位电阻81被一个基本上导电的连接即基本上是0的电阻代替。这个电路模型构成本发明的一个实施例，其中导电的屏蔽材料直接和引线相连。这种直接接触可以借助于用这种方式淀积绝缘层，使得其不覆盖全部引线，或者通过利用任何其它的方法，在使屏蔽和引线分开的绝缘层中形成通路或间隙来实现。对于这个实施例或任何其它的实施例，可以使用在薄膜或在半导体中使用的许多方法和工具，按照此处的教导制造所需的连接。此处所述的导电连接与/或电阻连接可以是薄膜，垂直的通路或任何其它的结构。这些连接可以在结构中的任何高度或者在制造中的任何步骤被形成，例如，连接可以在一个公共平面内或者上下错开。类似地，这些连接可以在淀积层的同时被形成，或者在淀积成层之后通过研磨、刻蚀等等并通过淀积连接材料而被形成。用于实现所需的电功能的材料可以按照一般的原则进行选择。因而，这些材料可以包括金属、半导体、和其它的导体例如掺杂的氧化物。
虽然最好是所述的连接在磁头的内部结构中被形成，如果和磁头的一个或几个屏蔽连接的连接焊盘被设置在外部，则这些连接也可以被设置在结构的外部。在这种情况下，存储系统应当实现和屏蔽的电阻连接或导电连接，以便实现本发明的原理。这不是优选的方法，因为在这种连接中噪声、杂散电感等等可能是磁头的性能降低。
对于具有两个导电屏蔽的磁头，本发明的另一个实施例如图7的模型所示，一具有中心抽头的薄膜电阻模型(由电阻95和97构成)被跨接到MR元件15的两端，并且中心抽头通过电阻96和导电屏蔽(S2)93相连。在另一个实施例中，电阻96可以用一个导电通路代替。这个电阻网络把屏蔽的电位箝位到大约等于MR元件的中点的电位，因而避免由于介质(带或盘)和磁头之间的摩擦而使MR屏蔽虚拟电容器充电。这种方法的一个优点在于，MR屏蔽电位差是恒定的，并且和偏流的方向无关。注意有中心抽头的电阻也可以是两个被连接在屏蔽的相同位置或不同位置的单独的电阻。因为屏蔽是良导体，所以连接位置一般并不重要。在本实施例中，两个屏蔽都由导电材料制成。
在相应于图5，6或7的本发明的不同的实施例中，在变换器中具有两个导电屏蔽，它们或者是相互电气绝缘的，或者是由可以是导体或者是电阻的非绝缘材料94相连的。导电连接基本上把所述屏蔽短路。在图5-7中第一屏蔽S1由元件91表示。
图8表示按照本发明的基本上相应于图5的模型的实施例的磁阻磁头的截面侧视图，其中使用铁氧体作为第一(非导电的)屏蔽61和一个单独的导电的元件作为第二屏蔽222，电阻通路181从第二屏蔽连接到一个更正的MR引线63。(注意在该图中更负的MR引线未示出，因为它应该在更正的MR引线的正后方。)电阻通路181可以是一个薄膜片结构，或者是在向下通过绝缘材料67直到MR引线63的一个通路中淀积的电阻材料。在每种情况下，电阻性的导电通路的提供用于在S2上积累的电荷。
在图6中模拟的一个实施例中提供有导电通路(接近0的电阻)，其可以在屏蔽被淀积时使要被淀积的S2屏蔽材料流入一个通路中来实现。在这种情况下，屏蔽材料直接和MR引线63实现接触。此外，也可以在淀积屏蔽之前在通路中淀积和屏蔽材料不同的导电材料。注意对于具有两个导电屏蔽的磁头，通过用类似方式利用0电阻通路把两个屏蔽连接在一起，可以获得简单的电阻通路或导电通路的实施例。
图12所示的实施例是图7所示的实施例的改型。在图12中，两个屏蔽91和93通过电阻通路96a，96b分别和由95、97表示的电阻的中心抽头相连。具有许多连接方式和电阻网络可以用来实现本发明的原理。图5-7和12的例子的原理可以直接构成其它的组合，其中使用对于来自两个屏蔽的通路是公共的电阻，使用导电连接代替一些电阻连接，一个导电连接或电阻连接用于两个屏蔽等等。
图9表示相应于图8所示的实施例的拆开的示意图。铁氧体层61在第一绝缘层67a的下方。MR元件114被淀积在第一绝缘层67a上。两个MR引线63，63a被淀积在MR元件的相对端，在MR元件和绝缘层67a的上方延伸，最终在磁头的外部被连接。第二绝缘层67b盖住MR元件和引线。在第二绝缘层67b内刻蚀通路用于提供从MR引线63到第二绝缘层67b的容纳接触材料181的空间，以便实现和S2屏蔽222的电连接。如果在S2屏蔽材料被淀积时所述通路未被充满，所述屏蔽材料则充满通路，从而和MR引线63直接接触。
图10是按照本发明的具有一个导电屏蔽S2和由从S2屏蔽到两个MR引线的具有中心抽头的电阻通路构成电荷箝位的MR磁头的拆开的示意图。这基本上相应于图7的模型。为清楚起见，在MR元件前面的部分未示出。不规则形状的薄膜电阻片183大致相应于图7的电阻95-97，电阻片183的形状可以是任意的，并且可以按照工艺和材料限制进行选择。在本实施例中，用于电阻片183的材料被淀积使得跨过两个MR引线。(注意，层或结构的淀积顺序不受本发明的限制。)设置在第二绝缘层67b中的通路，用于连接电阻片上的一点，所述一点最好使得从屏蔽到每个引线具有相等的电阻。为了获得本发明的有益效果，所述被连接到每个引线的电阻不一定相等。实际上，图5和图6的实施例可以看作是图7的实施例的特殊情况，其中电路的各个脚开路或者短路。S2屏蔽222的材料是导电的，其被淀积在通路中以便使屏蔽和电阻网络相连，如模型中所示。在本发明的不同实施例中的箝位网络的垂直的公共脚可以被取消。对于一个另外的实施例，可以通过把通路置于电阻95和97之间从而把电阻96取消。在优选实施例中，由从屏蔽到两个引线的电荷箝位形成的导电通路基本上相等，而和电阻96存在与否无关。
在任何一个实施例中，电阻和导电通路可以是由材料制成的薄膜，并使用在本领域中用于薄膜电阻(例如多晶硅)或导体的已知的结构。注意，虽然金属被认为是导体，它们也具有可用于进行电荷箝位的电阻。电阻也可以是被淀积在一个或几个通路中(绝缘层中的通路)的电阻材料，例如氧化镍，富铝的氧化铝或掺杂的多晶硅。
按照任何一个实施例，箝位电阻主要用于阻止在屏蔽上的电压使其不超过大约0.1V。如果没有箝位电阻，估计电压可以达到10V的数量级或更高。
提供有限的箝位电阻值的理由是为了使由在MR和磁头表面上的屏蔽之间的间歇的金属污物可能引起的信号的改变最小。这种污物可以由装配、清洁带或数据带产生。一般50一150千欧姆的箝位电阻便足够了。不过，模拟表示箝位电阻应当小于几兆欧姆。如果这种污物不存在或者具有足够高的电阻，则只连接一个低的电阻即小于50千欧姆，一般几欧姆或几十欧姆便足够了。
一些现有技术的MR磁头在MR和屏蔽之间可能具有小于几兆欧姆的泄漏，因此，可能没有尖峰信号。具有尖峰信号问题的磁头具有较高的绝缘电阻，其使得摩擦起电能够达到足够高的电压。
另一个实施例利用产生同样的电阻规格的略微导电的材料例如氧化镍(其已被用在回旋阀引线中)代替MR屏蔽绝缘层。这个实施例不需要改变磁头的结构，因而能够容易地被实施。不过，注意，在这种方法中，摩擦电流流过MR本身。一般最好使摩擦电流转向MR引线，如在其它实施例中那样。本发明也可以用于其中S1、S2屏蔽都是导体的MR磁头中。在这种情况下，上面的实施例被提供给两个屏蔽而不是仅仅有S2。具有若干个用于形成连接的方法可以选择。其中一种选择是直接把两个屏蔽连接在一起，然后对引线电阻提供一个箝位带。两个屏蔽最好处于相同的电位。
除去此处所述的本发明的一个实施例之外的其它所有的实施例的一个优点在于，电位箝位通过更可靠的屏蔽把磁头-磁带摩擦电流转移到MR引线。已经表明，在某种条件下，这种电流如果不被转移，将会破坏MR元件，因而，按照本发明制造的磁头比现有技术的磁头更可靠。
本发明的另一个优点在于，其使得通过屏蔽能够更有效地实现EMI保护。在一些条件下，这能够减少噪声。
MR磁头结构一般通过一系列步骤处理芯片进行成批的生产，其中包括淀积材料层并使用熟知的技术有选择地进行刻蚀。上述的各个实施例可以被本领域的普通技术人员引入现有的用于磁头的芯片设计和处理中。
图11表示一种数据存储系统，其或者是使用按照本发明的MR磁头的磁带驱动器、硬盘驱动器或者是软盘驱动器。介质201(或者是硬盘，或者是软盘，或者是磁带形式)沿直线方向以标准方式在磁头203上方通过。MR元件114具有两个引线63，63a，它们被连接到MR电子电路205，所述电子电路供给正确的偏置并对信号进行最初的处理。使用本发明的磁头不要求改变MR电子电路205，驱动器处理器209或主机接口单元210，和现有技术中的相同。
Claims (23)
1.一种变换器，包括：
一磁阻元件(114)，其基本上被电绝缘材料(67)所包围；
从所述磁阻元件通过电绝缘材料到达所述变换器的外表面的第一和第二导电引线(63，63a)；以及
屏蔽(222，83)，其通过电绝缘材料和磁阻元件隔开，所述屏蔽和第一导电引线(63)电连接(181，81)。
2.如权利要求1所述的变换器，其中从屏蔽(222，83)到第一导电引线(63)的电阻可以和一电导体相比。
3.如权利要求1所述的变换器，其中所述屏蔽(222)通过电阻材料(183)和第一、第二导电引线(63)电连接。
4.如权利要求3所述的变换器，其中从屏蔽(222)到第一导电引线(63)的电阻基本上等于从该屏蔽到第二导电引线(63a)的电阻。
5.如权利要求3所述的变换器，还包括在第一和第二引线之间的电连接中的电阻材料(95，97)，并且所述变换器还包括从电阻材料的中点到屏蔽(96)的电连接(86)。
6.如权利要求5所述的变换器，其中从电阻材料的中点到屏蔽的电连接通过绝缘材料(67b)中的通路(185)来实现。
7.一种变换器，包括：
由导电材料制成的第一和第二屏蔽；
一被设置在第一屏蔽上方的由电绝缘材料制成的第一绝缘层；
一被设置在第一和第二屏蔽之间并和第一第二屏蔽电绝缘的磁阻元件；
从磁阻元件通过电绝缘材料到达变换器外表面的第一和第二导电引线；以及
一从至少第二屏蔽到变换器的外表面的电连接，用于提供从第二屏蔽流动的电荷通路。
8.如权利要求7所述的变换器，其中和第二屏蔽的电连接用于连接第二屏蔽和至少第一导电引线，用于提供从第二屏蔽向第一导电引线的电荷流动通路。
9.如权利要求8所述的变换器，其中从第二屏蔽到第一导电引线的电阻基本上等于从第二屏蔽到第二导电引线的电阻。
10.如权利要求8所述的变换器，还包括在第一和第二引线之间延伸的电阻材料，并且从所述电阻材料到第二屏蔽的电连接基本上在电阻材料的中点。
11.如权利要求9所述的变换器，还包括在第一和第二屏蔽之间的电连接。
12.如权利要求7所述的变换器，还包括用于在第一屏蔽和第二屏蔽之间形成电连接的非绝缘材料的通路。
13.一种用于制造薄膜变换器的方法，包括以下步骤：
淀积形成第一屏蔽的材料(61)；
在绝缘材料的层上淀积磁阻元件(114)；
淀积从磁阻元件到变换器的外表面的第一(63)和第二(63a)导电引线；
淀积由非绝缘材料制成的至少和第一导电引线电连接的电荷箝位(181，81)；
在磁阻元件的上方形成电绝缘材料制成的第二绝缘层，其至少使电荷箝位的部分保持非绝缘；以及
淀积由导电材料制成的和磁阻元件被第二绝缘层隔开的并且和电荷箝位电连接的第二屏蔽(222)。
14.如权利要求13所述的方法，其中电荷箝位以和第一第二导电引线电连接的形式被淀积，并且从第二屏蔽到第一导电引线的电阻等于从第二屏蔽到第二导电引线的电阻。
15.如权利要求13所述的方法，其中电荷箝位包括在第一和第二引线之间延伸的材料的薄膜，并且第二屏蔽基本上在电荷箝位的中点和电荷箝位电连接。
16.如权利要求13所述的方法，其中第一屏蔽由导电材料制成，还包括淀积用于使第一屏蔽和第二屏蔽电连接的非绝缘材料。
17.如权利要求13所述的方法，还包括在第二绝缘层中形成通路的步骤，并且其中淀积由导电材料构成的第二屏蔽的步骤在通路中淀积导电材料，从而在第二屏蔽和电荷箝位之间形成电连接。
18.一种存储系统，包括：
一变换器，其包括：
一磁阻元件，其被电绝缘材料所包围；
从所述磁阻元件通过电绝缘材料到达所述变换器的外表面的第一和第二导电引线；
由电绝缘材料和磁阻元件隔开的屏蔽；以及
被电连接到变换器的外侧面上的一点的屏蔽；以及
和第一第二引线以及屏蔽连接的偏置电路，其在第一和第二引线之间产生偏压。
19.如权利要求18所述的存储系统，其中从屏蔽到第一导电引线的电连接通过在变换器上的外部连接实现。
20.如权利要求18所述的存储系统，其中变换器包括从屏蔽向第一和第二导电引线延伸的由电阻材料制成的薄膜，用于把屏蔽上的直流电压维持在第一导电引线和第二导电引线上的直流电压之间。
21.如权利要求20所述的存储系统，其中在屏蔽上的直流电压是在第一导电引线和第二导电引线上的电压的一半。
22.如权利要求18所述的存储系统，其中在第一导电引线上的直流电压相对于第二导电引线是正的。
23.如权利要求18所述的存储系统，其中所述屏蔽和第一或第二引线中的一个相连，所述一个引线对于信号返回比被提供给另一个引线具有较低的阻抗。
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