JPH0845033A - 磁気ヘッド、磁気記録装置及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気ヘッド、磁気記録装置及び磁気ヘッドの製造方法

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JPH0845033A
JPH0845033A JP17880694A JP17880694A JPH0845033A JP H0845033 A JPH0845033 A JP H0845033A JP 17880694 A JP17880694 A JP 17880694A JP 17880694 A JP17880694 A JP 17880694A JP H0845033 A JPH0845033 A JP H0845033A
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magnetic
junction
protection
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JP17880694A
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Hidekazu Kanda
英一 神田
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature 

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  • Magnetic Heads (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの過大電圧、過大
電流又は静電気による放電によりＭＲ素子が破壊される
のを防止する。 【構成】 磁気抵抗素子２１と、磁気抵抗素子２１にそ
れぞれ接続され、磁気抵抗素子２１に流入し、或いは磁
気抵抗素子２１から流出するセンス電流を導く第１及び
第２の引出し導体22ａ，22ｂと、絶縁膜を介して磁気抵
抗素子２１及び第１及び第２の引出し導体22ａ，22ｂを
挟む第１及び第２の磁気シールド23ａ，23ｂと、それぞ
れの引出し導体22ａ，22ｂ，22ｃ，22ｄとそれぞれの磁
気シールド23ａ，23ｂ，23ｃ，23ｄに接続され、規定以
上の電圧に対して導通するそれぞれの保護素子24ａ，24
ｂ，24ｃ，24ｄとを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド，磁気記録
装置及び磁気ヘッドの製造方法に関し、より詳しくは、
磁気ディスク装置及び磁気テープ装置に用いられる磁気
シールドを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッド，磁気記録
装置及び磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
て用いられる磁気ディスク装置の大容量化に伴い、高性
能磁気ヘッドが要望されている。この要望を満たすもの
として、記録媒体の速度に依存せず高出力が得られる磁
気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）が注目されている。
【０００３】また、高密度記録化に伴い、情報の読出
し、或いは書込みを正確に行うため、読出し時に磁気デ
ィスクの読出し領域以外の領域からの磁力線を遮断し、
或いは書込み領域以外の領域に及ぶ磁力線を遮断する必
要がある。このため、ＭＲヘッドでは磁気抵抗素子層
（以下、ＭＲ素子層と称する。）を挟んで磁気シールド
が設けられる場合がある。
【０００４】図９（ａ）は、従来例の磁気シールドを備
えたＭＲヘッドを示す斜視図である。図９（ａ）におい
て、１はＭＲ素子層、２ａ，２ｂはＭＲ素子層１の両端
部と接続された引出し導体で、引出し導体２ａはセンス
電流をＭＲ素子層１に流入し、引出し導体２ｂはセンス
電流をＭＲ素子層１から流出する。３ａ，３ｂは不図示
の絶縁膜を介してＭＲ素子層１及び引出し導体２ａ，２
ｂを挟んで設けられた磁気シールドである。
【０００５】このＭＲヘッドは磁気ヘッドスライダの側
壁に取り付けられて、回転する磁気ディスク上に浮上
し、磁気ディスクからの信号磁束を検出する。信号磁束
がＭＲ素子層１に入ると、ＭＲ素子層１の抵抗値が変化
し、電圧の変化となって現れる。これを再生回路を介し
て取り出す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のＭＲヘ
ッドにおいては、センス電流にサージがのったり、誤っ
て過大電流が流れたりすると、ＭＲ素子層１が過熱し、
焼損する。また、図９（ｂ）に示すように、磁気ヘッド
の作成中に、或いは作成された磁気ヘッドの取扱い中
に、電気的に浮いている磁気シールド３ａ，３ｂが帯電
する場合がある。このため、絶縁膜を介して磁気シール
ド３ａ，３ｂとＭＲ素子層１間で放電し、ＭＲ素子層１
が破壊されることがある。
【０００７】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、過大電圧、過大電流又は静電気に
よる放電によりＭＲ素子が破壊されるのを防止すること
ができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目
的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、磁
気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子にそれぞれ接続され、
前記磁気抵抗素子に流入し、或いは前記磁気抵抗素子か
ら流出するセンス電流を導く第１及び第２の引出し導体
と、絶縁膜を介して前記磁気抵抗素子及び前記第１及び
前記第２の引出し導体を挟む第１及び第２の磁気シール
ドと、前記第１の引出し導体と前記第１の磁気シールド
に接続され、規定以上の電圧に対して導通する第１の保
護素子と、前記第２の引出し導体と前記第１の磁気シー
ルドに接続され、規定以上の電圧に対して導通する第２
の保護素子と、前記第１の引出し導体と前記第２の磁気
シールドに接続され、規定以上の電圧に対して導通する
第３の保護素子と、前記第２の引出し導体と前記第２の
磁気シールドに接続され、規定以上の電圧に対して導通
する第４の保護素子とを有する磁気ヘッドによって達成
され、第２に、前記第１乃至第４の保護素子は、ダイオ
ード，定電圧ダイオード又はバリスタであることを特徴
とする第１の発明に記載の磁気ヘッドによって達成さ
れ、第３に、前記第１乃至前記第４の保護素子のいずれ
もｐｎ接合を有し、かつ前記第１の保護素子は前記ｐｎ
接合のｐ側が前記第１の磁気シールドと接続し、前記第
２の保護素子は前記ｐｎ接合のｎ側が前記第１の磁気シ
ールドと接続し、前記第３の保護素子は前記ｐｎ接合の
ｐ側が前記第２の磁気シールドと接続し、前記第４の保
護素子は前記ｐｎ接合のｎ側が前記第２の磁気シールド
と接続していることを特徴とする第２の発明に記載の記
載の磁気ヘッドによって達成され、第４に、前記第１の
保護素子は前記第１の引出し導体と前記第１の磁気シー
ルドの間に介在し、前記第２の保護素子は前記第２の引
出し導体と前記第１の磁気シールドの間に介在し、前記
第３の保護素子は前記第１の引出し導体と前記第２の磁
気シールドの間に介在し、前記第４の保護素子は前記第
２の引出し導体と前記第２の磁気シールドの間に介在す
ることを特徴とする第１乃至第３の発明のいずれかに記
載の磁気ヘッドによって達成され、第５に、磁気抵抗素
子と、前記磁気抵抗素子にそれぞれ接続され、前記磁気
抵抗素子に流入し、或いは前記磁気抵抗素子から流出す
るセンス電流を導く第３及び第４の引出し導体と、絶縁
膜を介して前記磁気抵抗素子及び前記第３及び前記第４
の引出し導体を挟む第３及び第４の磁気シールドと、前
記第３又は前記第４の引出し導体と前記第３の磁気シー
ルドに接続され、規定以上の電圧に対して導通する第５
の保護素子と、前記第３又は前記第４の引出し導体と前
記第４の磁気シールドに接続され、規定以上の電圧に対
して導通する第６の保護素子とを有する磁気ヘッドによ
って達成され、第６に、前記第５及び第６の保護素子
は、ダイオード，定電圧ダイオード又はバリスタである
ことを特徴とする第５の発明に記載の磁気ヘッドによっ
て達成され、第７に、前記第５及び前記第６の保護素子
のいずれも、ｐｎ接合を有し、かつ前記第５の保護素子
は前記ｐｎ接合のｐ側が前記第３の磁気シールドと接続
し、前記第６の保護素子は前記ｐｎ接合のｐ側が前記第
４の磁気シールドと接続していることを特徴とする第６
の発明に記載の記載の磁気ヘッドによって達成され、第
８に、前記第５の保護素子は、前記第３又は前記第４の
引出し導体と前記第３の磁気シールドの間に介在し、前
記第６の保護素子は、前記第３又は前記第４の引出し導
体と前記第４の磁気シールドの間に介在することを特徴
とする第５乃至第７の発明のいずれかに記載の磁気ヘッ
ドによって達成され、第９に、第１、第２、第３、第
５、第６又は第７の発明に記載の磁気ヘッドを有する磁
気記録装置によって達成され、第１０に、前記磁気ヘッ
ドは磁気ヘッドスライダに取り付けられ、前記第１乃至
第４の保護素子のいずれも前記磁気ヘッドの外部に引き
出された配線と接続されていることを特徴とする第９の
発明に記載の磁気記録装置によって達成され、第１１
に、前記磁気ヘッドは磁気ヘッドスライダに取り付けら
れ、前記第５及び第６の保護素子のいずれも前記磁気ヘ
ッドの外部に引き出された配線と接続されていることを
特徴とする第９の発明に記載の磁気記録装置によって達
成され、第１２に、第４又は第８の発明に記載の磁気ヘ
ッドを有する磁気記録装置によって達成され、第１３
に、絶縁性基板上に第１の磁気シールド層を形成する工
程と、前記第１の磁気シールド層上にｐｎ接合を有する
半導体層からなる第１の保護素子層とｐｎ接合を有する
半導体層からなる第２の保護素子層をそれぞれ形成する
工程と、前記第１及び前記第２の保護素子層及び前記第
１の磁気シールド層を被覆して第１の絶縁膜を形成する
工程と、前記第１の絶縁膜をパターニングし、前記第１
及び前記第２の保護素子層上にそれぞれ第１及び第２の
開口を形成する工程と、前記第１の開口底部の前記第１
の保護素子層と接続する第１の引出し導体層を形成し、
第２の開口底部の前記第２の保護素子層と接続する第２
の引出し導体層を形成する工程と、前記第１及び前記第
２の引出し導体層と接続する磁気抵抗素子層を形成する
工程と、前記第１の引出し導体層上にｐｎ接合を有する
半導体層からなる第３の保護素子層を形成し、前記第２
の引出し導体層上にｐｎ接合を有する第４の保護素子層
を形成する工程と、前記第３及び前記第４の保護素子
層，前記第１及び前記第２の引出し導体層及び前記磁気
抵抗素子層を被覆して第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜をパターニングして前記第３及び前記
第４の保護素子層上にそれぞれ第３及び第４の開口を形
成する工程と、前記第３の開口底部の前記第３の保護素
子層と接続し、かつ前記第４の開口底部の前記第４の保
護素子層と接続する第２の磁気シールド層を形成する工
程と、前記第２の磁気シールド層を被覆して第３の絶縁
膜を形成する工程とを有する磁気ヘッドの製造方法によ
って達成され、第１４に、前記第１の保護素子層は前記
ｐｎ接合のｐ側が前記第１の磁気シールド層と接続し、
前記第２の保護素子層は前記ｐｎ接合のｎ側が前記第１
の磁気シールド層と接続し、前記第３の保護素子層は前
記ｐｎ接合のｐ側が前記第２の磁気シールド層と接続
し、前記第４の保護素子層は前記ｐｎ接合のｎ側が前記
第２の磁気シールド層と接続していることを特徴とする
第１３の発明に記載の磁気ヘッドの製造方法によって達
成され、第１５に、絶縁性基板上に第３の磁気シールド
層を形成する工程と、前記第３の磁気シールド層上にｐ
ｎ接合を有する半導体層からなる第５の保護素子層を形
成する工程と、前記第５の保護素子層及び前記第３の磁
気シールド層を被覆して第４の絶縁膜を形成する工程
と、前記第４の絶縁膜をパターニングし、前記第５の保
護素子層上に第５の開口を形成する工程と、第３及び第
４の引出し導体層を形成し、前記第３及び前記第４の引
出し導体層のうちいずれかと前記第５の開口底部の前記
第５の保護素子層を接続する工程と、前記第３及び前記
第４の引出し導体層とそれぞれ接続する磁気抵抗素子層
を形成する工程と、前記第３又は前記第４の引出し導体
層上にｐｎ接合を有する半導体層からなる第６の保護素
子層を形成する工程と、前記第６の保護素子層，前記第
３及び前記第４の引出し導体層及び前記磁気抵抗素子層
を被覆して第５の絶縁膜を形成する工程と、前記第５の
絶縁膜をパターニングして前記第６の保護素子層上に第
６の開口を形成する工程と、前記第６の開口底部の前記
第６の保護素子層と接続する第４の磁気シールド層を形
成する工程と、前記第４の磁気シールド層を被覆して第
６の絶縁膜を形成する工程とを有する磁気ヘッドの製造
方法によって達成され、第１６に、前記第５の保護素子
層は前記ｐｎ接合のｐ側が前記第３の磁気シールド層と
接続し、前記第６の保護素子層は前記ｐｎ接合のｐ側が
前記第４の磁気シールド層と接続していることを特徴と
する第１５の発明に記載の磁気ヘッドの製造方法によっ
て達成される。
【０００９】
【作用】本発明の磁気ヘッド及び磁気記録装置において
は、第１及び第２の引出し導体と第１の磁気シールドに
それぞれ接続され、規定以上の電圧に対して導通する第
１及び第２の保護素子と、第１及び第２の引出し導体と
第２の磁気シールドにそれぞれ接続され、規定以上の電
圧に対して導通する第３及び第４の保護素子とを有す
る。このような第１乃至第４の保護素子として、例え
ば、ダイオード，定電圧ダイオード又はバリスタの使用
が可能である。
【００１０】第１又は第２の磁気シールドは電気的に浮
いているので、静電気により帯電し易い。少なくともい
ずれかが帯電した場合、第１又は第２の引出し導体と第
１又は第２の磁気シールドの間に電圧が発生するため、
第１の磁気シールド側の第１或いは第２の保護素子か、
又は第２の磁気シールド側の第３或いは第４の保護素子
が導通し、第１の磁気シールド→第１或いは第２の保護
素子→第１又は第２の引出し導体の経路で、又は第２の
磁気シールド→第３或いは第４の保護素子→第１又は第
２の引出し導体の経路で静電気が放電される。
【００１１】従って、第２又は第３の保護素子が導通す
る電圧を、第１又は第２の引出し導体と第１又は第２の
磁気シールドの間に介在する絶縁膜の静電破壊耐圧より
も小さくしておけば、介在する絶縁膜の破壊を回避する
ことができる。更に、第１又は第２の引出し導体に過大
な電圧サージがのった場合、磁気抵抗素子の第１及び第
２の引出し導体間の電圧差が大きくなる。このとき、大
きくなった電圧差により、第１乃至第４の保護素子のい
ずれもが導通するため、磁気抵抗素子に並列に入ってい
る、第１又は第２の引出し導体→第１又は第２の保護素
子→第１の磁気シールド→第２又は第１の保護素子→第
２又は第１の引出し導体の経路に、或いは第１又は第２
の引出し導体→第３又は第４の保護素子→第２の磁気シ
ールド→第４又は第３の保護素子→第２又は第１の引出
し導体の経路に主として過剰な電流が流れ、磁気抵抗素
子にはあまり流れない。
【００１２】また、第１又は第２の引出し導体に過大な
電流サージがのった場合、その電流が磁気抵抗素子に流
れて第１及び第２の引出し導体間の電圧差が大きくなる
が、大きくなった電圧差により、第１乃至第４の保護素
子が導通するため、磁気抵抗素子と並列に入っている第
１又は第２の引出し導体→第１又は第２の保護素子→第
１又は第２の磁気シールド→第２又は第１の引出し導体
の経路で、或いは第１又は第２の引出し導体→第３又は
第４の保護素子→第２の磁気シールド→第４又は第３の
保護素子→第２又は第１の引出し導体の経路で過剰な電
流がバイパスされる。
【００１３】いずれの場合にも、磁気抵抗素子への過大
電圧の印加又は過大電流の流入を回避することができ
る。また、第３及び第４の引出し導体のいずれかと第３
の磁気シールドに接続され、規定以上の電圧に対して導
通する第５の保護素子と、第３及び第４の引出し導体の
いずれかと第４の磁気シールドに接続され、規定以上の
電圧に対して導通する第６の保護素子とを有する。
【００１４】従って、第３又は第４の磁気シールドのい
ずれかが帯電した場合、第５又は第６の保護素子が導通
し、第３又は第４の磁気シールド→第５又は第６の保護
素子→第３又は第４の引出し導体の経路で静電気が放電
される。従って、第５又は第６の保護素子が導通する電
圧を、第３又は第４の引出し導体と第３又は第４の磁気
シールドの間に介在する絶縁膜の静電破壊耐圧よりも小
さくしておけば、絶縁膜の破壊を防止することができ
る。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
について説明する。 （１）本発明の第１乃至第３の実施例に係る磁気抵抗効
果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）についての説明 （ａ）第１の実施例 図８は本発明の第１の実施例に係るＭＲヘッドが磁気ヘ
ッドスライダに取り付けられた磁気記録装置について示
す斜視図である。
【００１６】図８において、１１はＭＲヘッド、１２は
磁気ヘッドスライダで、磁気ヘッドスライダ１２の側壁
にＭＲヘッド１１が取り付けられている。１３は磁気ヘ
ッドスライダ１２を磁気ディスク１４の方に付勢するサ
スペンションである。１４は情報が磁気的に記録されて
いる磁気ディスクで、情報の読出し時に高速で回転す
る。
【００１７】また、図１は本発明の第１の実施例に係る
ＭＲヘッドの詳細について示す斜視図である。図１にお
いて、２１は厚さ約３４０Åの帯状のＭＲ素子層、22
ａ，22ｂはセンス電流をＭＲ素子層２１に供給するた
め、ＭＲ素子層２１の両端部と接続して設けられた膜厚
約1000Åの銅膜からなる第１及び第２の引出し導体であ
る。センス電流は、例えば、第１の引出し導体22ａから
ＭＲ素子層２１に流入し、ＭＲ素子層２１を通過してＭ
Ｒ素子層２１から第２の引出し導体22ｂに流出する。
【００１８】23ａ，23ｂは不図示の絶縁膜を介してＭＲ
素子層２１と第１及び第２の引出し導体22ａ，22ｂを挟
んで設けられた、軟磁性体、例えばパーマロイからなる
厚さ約２〜３μｍの平板状の第１及び第２の磁気シール
ドである。第１及び第２の磁気シールド23ａ，23ｂ間の
間隔は凡そ０．３５μｍとなっている。24ａ〜24ｄは過
大電流及び帯電した静電気による放電電流をバイパスす
るために設けられた第１乃至第４のダイオードである。
第１のダイオード24ａは第１の引出し導体22ａと第１の
磁気シールド23ａに接続され、第２のダイオード24ｂは
第２の引出し導体22ｂと第１の磁気シールド23ａに接続
されている。また、第３のダイオード24ｃは第１の引出
し導体22ａと第２の磁気シールド23ｂに接続され、第４
のダイオード24ｄは第２の引出し導体22ｂと第２の磁気
シールド23ｂに接続されている。詳細な接続関係につい
ては以下に述べる。
【００１９】図３は、本発明の第１の実施例に係るＭＲ
ヘッドの周辺の電気的接続について示す回路図である。
第１の引出し導体22ａにセンス電流供給回路２５が接続
され、第２の引出し導体22ｂは接地されている。センス
電流は第１の引出し導体22ａから第２の引出し導体22ｂ
の方に流れる。また、第１及び第２の引出し導体22ａ，
22ｂはそれぞれ直流カットのためのコンデンサ26ａ，26
ｂを介して再生回路２７に接続されている。
【００２０】第１の引出し導体22ａと第１の磁気シール
ド23ａの間に介在する第１のダイオード（第１の保護素
子）24ａは、第１の磁気シールド23ａにアノードが接続
され、第１の引出し導体22ａにカソードが接続されてい
る。第２の引出し導体22ｂと第１の磁気シールド23ａの
間に介在する第２のダイオード（第２の保護素子）24ｂ
は、第１の磁気シールド23ａにカソードが接続され、第
２の引出し導体22ｂにアノードが接続されている。
【００２１】第１の引出し導体22ａと第２の磁気シール
ド23ｂの間に介在する第３のダイオード（第３の保護素
子）24ｃは、第２の磁気シールド23ｂにカソードが接続
され、第１の引出し導体22ａにアノードが接続されてい
る。第２の引出し導体22ｂと第２の磁気シールド23ｂの
間に介在する第４のダイオード（第４の保護素子）24ｄ
は、第２の磁気シールド23ｂにアノードが接続され、第
２の引出し導体22ｂにカソードが接続されている。
【００２２】なお、通常の動作時に、ＭＲ素子層２１の
抵抗値は５〜１０Ω程度で、ＭＲ素子層２１にセンス電
流１０〜２０ｍＡを流しているため、ＭＲ素子層２１の
両端に電圧が発生するが、高々０．２Ｖ程度である。従
って、上記のダイオード24ａ〜24ｄが接続されても、磁
気記録装置の動作には何らの影響も与えない。上記のＭ
Ｒヘッド２１を用いて磁気ディスク１４から次のように
して情報の読出しを行う。即ち、図８に示すように、磁
気ディスク１４を回転させると、磁気ヘッドスライダ１
２は磁気ディスク１４上に浮き上り、浮上力とサスペン
ション１３による押圧力の釣り合いにより磁気ディスク
１４の表面からサブミクロンのスペーシングを保つ。そ
して、ＭＲヘッド１１が磁気ディスク１４からの信号磁
束を検出する。
【００２３】ＭＲ素子層２１には第１の引出し導体22ａ
から第２の引出し導体22ｂに向かって予めセンス電流１
０〜２０ｍＡを流しており、信号磁束がＭＲ素子層２１
に入ると、ＭＲ素子層２１の抵抗値が変化し、電圧の変
化となって現れる。これを再生回路を介して取り出す。
次に、上記の磁気ヘッドを用いて、過大電圧，過大電流
及び帯電した静電気による放電電流をバイパスさせる動
作について、図２（ａ），（ｃ）及び図３を参照しなが
ら説明する。
【００２４】図２（ａ）は磁気ヘッド内での保護素子の
電気的接続関係について示す接続図である。図２（ｃ）
は保護素子としての第１〜第４のダイオード24ａ〜24ｄ
の電流−電圧特性について示す特性図である。第１又は
第２の磁気シールド23ａ，23ｂが帯電した場合、第１又
は第２の磁気シールド23ａ，23ｂと第１又は第２の引出
し導体22ａ，22ｂの間に電圧が発生するため、第２又は
第３のダイオード24ｂ，24ｃが導通し、第１又は第２の
磁気シールド23ａ，23ｂ→第２又は第３のダイオード24
ｂ，24ｃ→第１又は第２の引出し導体22ａ，22ｂの経路
で静電気が放電される。
【００２５】ところで、第２又は第３のダイオード24
ｂ，24ｃが導通する電圧は０．６Ｖ程度であり、第１又
は第２の引出し導体22ａ，22ｂと第１又は第２の磁気シ
ールド23ａ，23ｂの間に介在する絶縁膜の絶縁破壊耐圧
よりも小さくなる。このため、絶縁膜の破壊を防止する
ことができる。また、第１の引出し導体22ａからセンス
電流をＭＲ素子層２１に流入させ、ＭＲ素子層２１から
第２の引出し導体22ｂにセンス電流を流出させていると
き、過大な電圧又は過大な電流が発生した場合、その電
圧は第１の引出し導体22ａ側が高く、第２の引出し導体
22ｂ側が低くなる。或いは、その電流は第１の引出し導
体22ａ側から第２の引出し導体22ｂ側に流れる。
【００２６】更に、第１の引出し導体22ａに過大な電圧
サージがのった場合、磁気抵抗素子の第１及び第２の引
出し導体22ａ，22ｂ間の電圧差が大きくなる。このと
き、その電圧差が大きくなることにより、第１及び第２
のダイオード24ａ，24ｂのいずれもが導通するため、Ｍ
Ｒ素子層２１に並列に入っている、第１の引出し導体22
ａ→第１のダイオード24ａ→第１の磁気シールド23ａ→
第２のダイオード24ｂ→第２の引出し導体22ｂの経路に
過剰な電流が流れ、磁気抵抗素子にはあまり流れない。
【００２７】また、第１又は第２の引出し導体22ａ，22
ｂに過大な電流サージがのった場合、その電流がＭＲ素
子層２１に流れて第１及び第２の引出し導体22ａ，22ｂ
間の電圧が上昇するが、その電圧の上昇により、第１及
び第２のダイオード24ａ，24ｂのいずれもが導通するた
め、ＭＲ素子層２１と並列に入っている、第１の引出し
導体22ａ→第１のダイオード24ａ→第１の磁気シールド
23ａ→第２のダイオード24ｂ→第２の引出し導体22ｂの
経路で過剰な電流がバイパスされる。
【００２８】上記と逆に、第２の引出し導体22ｂからセ
ンス電流をＭＲ素子層２１に流入させ、ＭＲ素子層２１
から第１の引出し導体22ａにセンス電流を流出させてい
るとき、過大な電圧又は過大な電流が発生した場合、そ
の電圧は第２の引出し導体22ｂ側が高く、第１の引出し
導体22ａ側が低くなる。或いは、その電流は第２の引出
し導体22ｂ側から第１の引出し導体22ａ側に流れる。従
って、第２の引出し導体→第４のダイオード24ｄ→第２
の磁気シールド23ｂ→第３のダイオード24ｃ→第１の引
出し導体22ａの経路に過剰な電流が流れ、ＭＲ素子層２
１にはあまり流れない。
【００２９】いずれの場合にも、ＭＲ素子層２１への過
大電圧又は過大電流の印加を回避することができる。以
上のように、本発明の実施例の磁気ヘッドによれば、サ
ージや静電気に強い磁気ヘッドを提供することができ、
磁気ヘッドの取扱いが容易になる。なお、図２（ｂ）に
示すように、第１及び第２のダイオード24ａ，24ｂの接
続は実施例のとおりそのままにしておき、第３及び第４
のダイオード24ｃ，24ｄをともに実施例と逆に接続して
もよい。
【００３０】また、第３及び第４のダイオード24ｃ，24
ｄの接続は実施例のとおりそのままにしておき、第１及
び第２のダイオード24ａ，24ｂともに実施例と逆に接続
してもよい。更に、図２（ａ）に示す第１及び第４のダ
イオード24ａ，24ｄを除去して、図６（ａ）に示すよう
に、第２及び第３のダイオード24ｂ，24ｃのみを残して
もよい。この場合、第１又は第２の磁気シールド23ａ，
23ｂが帯電したとき、第２又は第３のダイオード24ｂ，
24ｃを介して第１又は第２の引出し導体22ａ，22ｂに放
電させることができる。
【００３１】（ｂ）第２の実施例 図４（ａ）は本発明の第２の実施例に係るＭＲヘッドの
保護素子の接続関係の詳細について示す斜視図である。
図２（ａ）と異なるところは、保護素子としてダイオー
ドの代わりに定電圧ダイオード31ａ〜31ｄを用いている
ことである。この場合、図４（ｃ）の電流−電圧特性に
示すように、ダイオードと比較して、逆方向のブレーク
ダウン電圧が小さいものも作成できる。例えば、５Ｖ程
度も可能である。第１及び第２の引出し導体22ａ，22ｂ
と、第１及び第２の磁気シールド23ａ，23ｂとへの第１
〜第４の定電圧ダイオード31ａ〜31ｄの接続関係は図２
（ａ）の場合と同じとなっている。
【００３２】従って、第１〜第４の定電圧ダイオード31
ａ〜31ｄに対して逆方向の過大電圧が印加された場合
も、その電圧がダイオードの場合ほど高くならないうち
に導通する。このため、サージや静電気が生じたとき
に、ＭＲ素子に印加される過大電圧又は過大電流の値を
第１の実施例の場合よりも小さくすることができる。な
お、図４（ｂ）に示すように、第１〜第４の定電圧ダイ
オード31ａ，31ｂの接続は実施例のとおりそのままにし
ておき、第３及び第４の定電圧ダイオード31ｃ，31ｄを
ともに実施例と逆に接続してもよい。
【００３３】また、第３及び第４の定電圧ダイオード31
ｃ，31ｄの接続は実施例のとおりそのままにしておき、
第１及び第２の定電圧ダイオード31ａ，31ｂともに実施
例と逆に接続してもよい。更に、図４（ａ）に示す第１
及び第４の定電圧ダイオード32ａ，32ｄを除去して、図
６（ｂ）に示すように、第２及び第３の定電圧ダイオー
ド32ｂ，32ｃのみを残してもよい。この場合、第１又は
第２の磁気シールド23ａ，23ｂが帯電したとき、第２又
は第３の定電圧ダイオード32ｂ，32ｃを介して第１又は
第２の引き出し導体22ａ，22ｂに放電させることができ
る。
【００３４】（ｃ）第３の実施例 図５（ａ）は本発明の第３の実施例に係るＭＲヘッドの
保護素子の接続関係の詳細について示す斜視図である。
図２（ａ）及び図４（ａ）と異なるところは、保護素子
としてダイオード及び定電圧ダイオードの代わりに第１
〜第４のバリスタ32ａ〜32ｄを用いていることである。
この場合、図５（ｂ）の電流−電圧特性に示すように、
ダイオード及び定電圧ダイオードと比較して、順方向と
逆方向の電流−電圧特性はほぼ同じ形をしており、かつ
導通する電圧もダイオード及び定電圧ダイオードの順方
向電圧とほぼ同じくらいである。例えば、０．６Ｖ程度
である。このため、図２（ａ），図４（ａ）と異なり、
極性を考慮した特別な接続をする必要がない。
【００３５】従って、第１〜第４のバリスタ32ａ〜32ｄ
に対して逆方向の過大電圧が印加された場合も、導通す
る電圧がダイオード及び定電圧ダイオードよりも更に小
さくなる。このため、第１及び第２の実施例の場合より
も、ＭＲ素子層２１に印加される過大電圧又は過大電流
の値をより小さくすることができ、ＭＲ素子層２１の保
護効果が一層大きくなる。
【００３６】なお、第１〜第４のバリスタ32ａ〜32ｄを
用いた場合、順方向と逆方向とは同じ電流−電圧特性を
有するため、第１及び第２の実施例のように接続を逆に
する必要はない。 （２）本発明の実施例に係るＭＲヘッド及び磁気記録装
置の製造方法についての説明 （ａ）第４の実施例 次に、図１を参照しながら本発明の第４の実施例に係る
ＭＲヘッドの製造方法について説明する。
【００３７】まず、通常の工程により、図８に示す磁気
ヘッドスライダ１２の側壁上にパーマロイ膜からなる第
１の磁気シールド23ａまで作成する。次いで、磁気シー
ルド23ａの上にＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積
する。続いて、磁気シールド23ａ上の片側のポリシリコ
ン膜をマスクし、そのポリシリコン膜にＰ型不純物とＮ
型不純物を導入してｐｎ接合を形成する。続いて、磁気
シールド層23ｂ上の片側のポリシリコン膜をマスクし、
そのポリシリコン膜にＮ型不純物とＰ型不純物を導入し
てｐｎ接合を形成する。
【００３８】次いで、ポリシリコン膜をパターニングし
て第１及び第２のダイオード24ａ，24ｂを作成する。次
に、第１及び第２のダイオード24ａ，24ｂを被覆してシ
リコン酸化膜を形成した後、ＭＲ素子層２１をシリコン
酸化膜上に形成する。続いて、シリコン酸化膜をパター
ニングして第１及び第２のダイオード24ａ，24ｂ上に開
口を形成する。なお、シリコン酸化膜は図示していな
い。
【００３９】次いで、銅膜を形成してパターニングし、
第１及び第２のダイオード24ａ，24ｂと接続する第１及
び第２の引出し導体22ａ，22ｂを形成する。次に、ＣＶ
Ｄ法等により第１及び第２の引出し導体22ａ，22ｂを被
覆してポリシリコン膜を堆積した後、上記と同様にし
て、そのポリシリコン膜にＰ型不純物とＮ型不純物を導
入し、ｐｎ接合を形成する。続いて、パターニングして
第１及び第２の引出し導体22ａ，22ｂ上にそれぞれ第３
及び第４のダイオード24ｃ，24ｄを作成する。
【００４０】次いで、第３及び第４のダイオード24ｃ，
24ｄを被覆してシリコン酸化膜を形成した後、パターニ
ングして第３及び第４のダイオード24ｃ，24ｄ上に開口
を形成する。続いて、パーマロイ膜を堆積し、パターニ
ングして第３及び第４のダイオード24ｃ，24ｄと接続す
る他方の第２の磁気シールド23ｂを形成する。なお、シ
リコン酸化膜は図示していない。
【００４１】その後、図示しないカバー絶縁膜を形成す
ると、磁気ヘッド１１が完成する。以上のように、本発
明の第４の実施例によれば、半導体プロセスを用いて磁
気ヘッド１１に保護素子を内蔵させることができるの
で、小型化を維持し、かつサージ電流や静電気に強い磁
気ヘッドを提供するすることができる。 （ｂ）第５の実施例 次に、図７を参照しながら、本発明の第５の実施例に係
る磁気記録装置の製造方法について説明する。
【００４２】第４の実施例の製造工程において、第１及
び第２の引出し導体22ａ，22ｂを形成する際に、及び第
１及び第２の磁気シールド23ａ，23ｂを形成する際に、
第１及び第２の引出し導体22ａ，22ｂと第１及び第２の
磁気シールド23ａ，23ｂとそれぞれ接続し、磁気ヘッド
11ａの外部に引き出される４本の帯状の配線層22ｃ，22
ｄ，23ｃ，23ｄを磁気ヘッドスライダ12ａの側壁に形成
する。配線層22ｃ，22ｄ，23ｃ，23ｄの材料として、第
１及び第２の引出し導体22ａ，22ｂと第１及び第２の磁
気シールド23ａ，23ｂと同じ導電体を用いてもよいし、
異なる導電体を用いてもよい。
【００４３】次いで、第４の実施例に示す工程を経て、
磁気ヘッド11ａを形成する。なお、この場合、第４の実
施例と異なり、磁気ヘッド11ａ内には保護素子は形成し
ない。その後、図５の接続と同じ接続になるように、第
１の磁気シールド23ａと第１の引出し導体22ａの間、第
１の磁気シールド23ａと第２の引出し導体22ｂの間、第
２の磁気シールド23ｂと第１の引出し導体22ａの間及び
第２の磁気シールド23ｂと第２の引出し導体22ｂの間に
それぞれ別個に作成された保護素子、例えば、第１〜第
４のバリスタ素子33ａ〜33ｄの外部端子を接続する。
【００４４】以上のように、磁気ヘッド11ａの外部に、
別個に保護素子33ａ〜33ｄを取り付けることができる。
これにより、サージ電流や静電気に強い磁気記録装置を
提供することができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッド及び磁気記録装置に
おいては、第１及び第２の引出し導体と第１の磁気シー
ルドにそれぞれ接続され、規定以上の電圧に対して導通
する第１及び第２の保護素子と、第１及び第２の引出し
導体と第２の磁気シールドにそれぞれ接続され、規定以
上の電圧に対して導通する第３及び第４の保護素子とを
有する。
【００４６】従って、第１又は第２の磁気シールドが帯
電した場合、第１乃至第４の保護素子を介して、第１又
は第２の磁気シールドから第１又は第２の引出し導体に
確実に静電気が放電されるため、介在する絶縁膜の破壊
を回避することができる。更に、第１又は第２の引出し
導体に過大な電圧サージ又は電流サージがのった場合、
第１又は第２の保護素子→第１の磁気シールド→第２又
は第１の保護素子の経路で、或いは第３又は第４の保護
素子→第２の磁気シールド→第４又は第３の保護素子の
経路で過剰な電流をバイパスさせることができる。
【００４７】従って、磁気抵抗素子への過大電圧の印加
又は過大電流の流入を回避することができ、サージ又は
静電気に強い磁気ヘッドを提供することができる。ま
た、第３及び第４の引出し導体のいずれかと第３の磁気
シールドに接続され、規定以上の電圧に対して導通する
第５の保護素子と、第３及び第４の引出し導体のいずれ
かと第４の磁気シールドに接続され、規定以上の電圧に
対して導通する第６の保護素子とを有する。
【００４８】第３又は第４の磁気シールドのいずれかが
帯電した場合、第５又は第６の保護素子を介して第３又
は第４の磁気シールドから第３又は第４の引出し導体に
静電気が放電されるので、介在する絶縁膜の静電破壊を
防止することができる。従って、磁気シールドの帯電を
確実に放電させることができ、静電気に強い磁気ヘッド
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る磁気ヘッドについて示す
斜視図である。
【図２】本発明の実施例に係る磁気ヘッドの保護素子と
して用いられるダイオードの電流−電圧特性及び接続関
係について示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る磁気ヘッドの周辺回路の
電気的接続関係について示す図である。
【図４】本発明の実施例に係る磁気ヘッドの保護素子と
して用いられる定電圧ダイオードの電流−電圧特性及び
接続関係について示す図である。
【図５】本発明の実施例に係る磁気ヘッドの保護素子と
して用いられるバリスタの電流−電圧特性及び接続関係
について示す図である。
【図６】本発明の実施例に係る磁気ヘッドの保護素子の
他の接続関係について示す図である。
【図７】本発明の実施例に係る磁気記録装置への保護素
子の取り付け方法について示す斜視図である。
【図８】本発明の実施例に係る磁気記録装置について示
す斜視図である。
【図９】従来例に係る磁気ヘッドの斜視図及び問題点の
説明図である。
【符号の説明】
１１，11ａ 磁気ヘッド、 １２，12ａ 磁気ヘッドスライダ、 １３ サスペンション、 １４ 磁気ディスク、 ２１ ＭＲ素子層、 22ａ 第１の引出し導体、 22ｂ 第２の引出し導体、 22ｃ，22ｄ，23ｃ，23ｄ 配線層、 23ａ 第１の磁気シールド、 23ｂ 第２の磁気シールド、 24ａ 第１のダイオード（第１の保護素子）、 24ｂ 第２のダイオード（第２の保護素子）、 24ｃ 第３のダイオード（第３の保護素子）、 24ｄ 第４のダイオード（第４の保護素子）、 ２５ センス電流供給回路、 26ａ，26ｂ コンデンサ、 ２７ 再生回路、 31ａ 第１の定電圧ダイオード（第１の保護素子）、 31ｂ 第２の定電圧ダイオード（第２の保護素子）、 31ｃ 第３の定電圧ダイオード（第３の保護素子）、 31ｄ 第４の定電圧ダイオード（第４の保護素子）、 32ａ 第１のバリスタ（第１の保護素子）、 32ｂ 第２のバリスタ（第２の保護素子）、 32ｃ 第３のバリスタ（第３の保護素子）、 32ｄ 第４のバリスタ（第４の保護素子）、 32ｅ 第１のバリスタ素子（第１の保護素子）、 32ｆ 第２のバリスタ素子（第２の保護素子）、 32ｇ 第３のバリスタ素子（第３の保護素子）、 32ｈ 第４のバリスタ素子（第４の保護素子）。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子にそれぞれ接続され、前記磁気抵抗素
    子に流入し、或いは前記磁気抵抗素子から流出するセン
    ス電流を導く第１及び第２の引出し導体と、 絶縁膜を介して前記磁気抵抗素子及び前記第１及び前記
    第２の引出し導体を挟む第１及び第２の磁気シールド
    と、 前記第１の引出し導体と前記第１の磁気シールドに接続
    され、規定以上の電圧に対して導通する第１の保護素子
    と、 前記第２の引出し導体と前記第１の磁気シールドに接続
    され、規定以上の電圧に対して導通する第２の保護素子
    と、 前記第１の引出し導体と前記第２の磁気シールドに接続
    され、規定以上の電圧に対して導通する第３の保護素子
    と、 前記第２の引出し導体と前記第２の磁気シールドに接続
    され、規定以上の電圧に対して導通する第４の保護素子
    とを有する磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第１乃至第４の保護素子は、ダイオ
    ード、定電圧ダイオード又はバリスタであることを特徴
    とする請求項１記載の磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記第１乃至前記第４の保護素子のいず
    れもｐｎ接合を有し、かつ前記第１の保護素子は前記ｐ
    ｎ接合のｐ側が前記第１の磁気シールドと接続し、前記
    第２の保護素子は前記ｐｎ接合のｎ側が前記第１の磁気
    シールドと接続し、前記第３の保護素子は前記ｐｎ接合
    のｐ側が前記第２の磁気シールドと接続し、前記第４の
    保護素子は前記ｐｎ接合のｎ側が前記第２の磁気シール
    ドと接続していることを特徴とする請求項２記載の記載
    の磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記第１の保護素子は前記第１の引出し
    導体と前記第１の磁気シールドの間に介在し、前記第２
    の保護素子は前記第２の引出し導体と前記第１の磁気シ
    ールドの間に介在し、前記第３の保護素子は前記第１の
    引出し導体と前記第２の磁気シールドの間に介在し、前
    記第４の保護素子は前記第２の引出し導体と前記第２の
    磁気シールドの間に介在することを特徴とする請求項１
    乃至請求項３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子にそれぞれ接続され、前記磁気抵抗素
    子に流入し、或いは前記磁気抵抗素子から流出するセン
    ス電流を導く第３及び第４の引出し導体と、 絶縁膜を介して前記磁気抵抗素子及び前記第３及び前記
    第４の引出し導体を挟む第３及び第４の磁気シールド
    と、 前記第３又は前記第４の引出し導体と前記第３の磁気シ
    ールドに接続され、規定以上の電圧に対して導通する第
    ５の保護素子と、 前記第３又は前記第４の引出し導体と前記第４の磁気シ
    ールドに接続され、規定以上の電圧に対して導通する第
    ６の保護素子とを有する磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記第５及び第６の保護素子は、ダイオ
    ード，定電圧ダイオード又はバリスタであることを特徴
    とする請求項５記載の磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記第５及び前記第６の保護素子のいず
    れも、ｐｎ接合を有し、かつ前記第５の保護素子は前記
    ｐｎ接合のｐ側が前記第３の磁気シールドと接続し、前
    記第６の保護素子は前記ｐｎ接合のｐ側が前記第４の磁
    気シールドと接続していることを特徴とする請求項６記
    載の記載の磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記第５の保護素子は、前記第３又は前
    記第４の引出し導体と前記第３の磁気シールドの間に介
    在し、前記第６の保護素子は、前記第３又は前記第４の
    引出し導体と前記第４の磁気シールドの間に介在するこ
    とを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載
    の磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項
    ５、請求項６又は請求項７に記載の磁気ヘッドを有する
    磁気記録装置。
  10. 【請求項１０】 前記磁気ヘッドは磁気ヘッドスライダ
    に取り付けられ、前記第１乃至第４の保護素子のいずれ
    も前記磁気ヘッドの外部に引き出された配線と接続され
    ていることを特徴とする請求項９記載の磁気記録装置。
  11. 【請求項１１】 前記磁気ヘッドは磁気ヘッドスライダ
    に取り付けられ、前記第５及び第６の保護素子のいずれ
    も前記磁気ヘッドの外部に引き出された配線と接続され
    ていることを特徴とする請求項９記載の磁気記録装置。
  12. 【請求項１２】 請求項４又は請求項８記載の磁気ヘッ
    ドを有する磁気記録装置。
  13. 【請求項１３】 絶縁性基板上に第１の磁気シールド層
    を形成する工程と、 前記第１の磁気シールド層上にｐｎ接合を有する半導体
    層からなる第１の保護素子層とｐｎ接合を有する半導体
    層からなる第２の保護素子層をそれぞれ形成する工程
    と、 前記第１及び前記第２の保護素子層及び前記第１の磁気
    シールド層を被覆して第１の絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜をパターニングし、前記第１及び前記
    第２の保護素子層上にそれぞれ第１及び第２の開口を形
    成する工程と、 前記第１の開口底部の前記第１の保護素子層と接続する
    第１の引出し導体層を形成し、第２の開口底部の前記第
    ２の保護素子層と接続する第２の引出し導体層を形成す
    る工程と、 前記第１及び前記第２の引出し導体層と接続する磁気抵
    抗素子層を形成する工程と、 前記第１の引出し導体層上にｐｎ接合を有する半導体層
    からなる第３の保護素子層を形成し、前記第２の引出し
    導体層上にｐｎ接合を有する第４の保護素子層を形成す
    る工程と、 前記第３及び前記第４の半導体層，前記第１及び前記第
    ２の引出し導体層及び前記磁気抵抗素子層を被覆して第
    ２の絶縁膜を形成する工程と、 前記第２の絶縁膜をパターニングして前記第３及び前記
    第４の保護素子層上にそれぞれ第３及び第４の開口を形
    成する工程と、 前記第３の開口底部の前記第３の保護素子層と接続し、
    かつ前記第４の開口底部の前記第４の保護素子層と接続
    する第２の磁気シールド層を形成する工程と、 前記第２の磁気シールド層を被覆して第３の絶縁膜を形
    成する工程とを有する磁気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第１の保護素子層は前記ｐｎ接合
    のｐ側が前記第１の磁気シールド層と接続し、前記第２
    の保護素子層は前記ｐｎ接合のｎ側が前記第１の磁気シ
    ールド層と接続し、前記第３の保護素子層は前記ｐｎ接
    合のｐ側が前記第２の磁気シールド層と接続し、前記第
    ４の保護素子層は前記ｐｎ接合のｎ側が前記第２の磁気
    シールド層と接続していることを特徴とする請求項１３
    記載の磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 絶縁性基板上に第３の磁気シールド層
    を形成する工程と、 前記第３の磁気シールド層上にｐｎ接合を有する半導体
    層からなる第５の保護素子層を形成する工程と、 前記第５の保護素子層及び前記第３の磁気シールド層を
    被覆して第４の絶縁膜を形成する工程と、 前記第４の絶縁膜をパターニングし、前記第５の保護素
    子層上に第５の開口を形成する工程と、 第３及び第４の引出し導体層を形成し、前記第３及び前
    記第４の引出し導体層のうちいずれかと前記第５の開口
    底部の前記第５の保護素子層を接続する工程と、 前記第３及び前記第４の引出し導体層とそれぞれ接続す
    る磁気抵抗素子層を形成する工程と、 前記第３又は前記第４の引出し導体層上にｐｎ接合を有
    する半導体層からなる第６の保護素子層を形成する工程
    と、 前記第６の保護素子層，前記第３及び前記第４の引出し
    導体層及び前記磁気抵抗素子層を被覆して第５の絶縁膜
    を形成する工程と、 前記第５の絶縁膜をパターニングして前記第６の保護素
    子層上に第６の開口を形成する工程と、 前記第６の開口底部の前記第６の保護素子層と接続する
    第４の磁気シールド層を形成する工程と、 前記第６の磁気シールド層を被覆して第６の絶縁膜を形
    成する工程とを有する磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第５の保護素子層は前記ｐｎ接合
    のｐ側が前記第３の磁気シールド層と接続し、前記第６
    の保護素子層は前記ｐｎ接合のｐ側が前記第４の磁気シ
    ールド層と接続していることを特徴とする請求項１５記
    載の磁気ヘッドの製造方法。
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