JPS6196508A - 薄膜磁気ヘツドの構造 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの構造Info
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- JPS6196508A JPS6196508A JP21890484A JP21890484A JPS6196508A JP S6196508 A JPS6196508 A JP S6196508A JP 21890484 A JP21890484 A JP 21890484A JP 21890484 A JP21890484 A JP 21890484A JP S6196508 A JPS6196508 A JP S6196508A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に記録された情報の読み出しを
磁気抵抗効果を利用して行う薄膜磁気ヘッドの構造に関
する。
磁気抵抗効果を利用して行う薄膜磁気ヘッドの構造に関
する。
磁気抵抗素子（以下ＭＲ素子）を用いた薄膜磁気ヘッド
（ＭＲヘッド）は周知のようにその再生出力はインダク
ティブヘッドとは異なり、ヘッド及び記録媒体間の相対
移動速度によらないため、特に移動速度の低い磁気テー
プ装置等の再生用ヘッドとして有望であると言われてい
る。
（ＭＲヘッド）は周知のようにその再生出力はインダク
ティブヘッドとは異なり、ヘッド及び記録媒体間の相対
移動速度によらないため、特に移動速度の低い磁気テー
プ装置等の再生用ヘッドとして有望であると言われてい
る。
上記ＭＲヘッドの信号の検出は、ＭＲ素子に電流を流し
その電圧を検出することにより行われる。
その電圧を検出することにより行われる。
リードヘッドにこのＭＲヘッドを用いたテープ録音再生
機は、第２図に示すようにテープリール１から磁気テー
プ２が引き出され、テンションガイド３、固定ガイド４
を介して固定ヘット （イレーズヘッド５、ライトヘッ
ド６、リートヘソｉ・７）に接するようにテープ走行路
を形成して記録再生が行われる。
機は、第２図に示すようにテープリール１から磁気テー
プ２が引き出され、テンションガイド３、固定ガイド４
を介して固定ヘット （イレーズヘッド５、ライトヘッ
ド６、リートヘソｉ・７）に接するようにテープ走行路
を形成して記録再生が行われる。
上記磁気テープ２はポリエステルフィルムをへ一スに表
面に酸化鉄粉膜が付いたものであり、上記テープ走行に
おいて上記固定ヘッドに接し擦すられることにより、静
電気が起きる。
面に酸化鉄粉膜が付いたものであり、上記テープ走行に
おいて上記固定ヘッドに接し擦すられることにより、静
電気が起きる。
又リードヘッド７のＭＲ素子は磁気テープ２と接するよ
うに露出し、信号線の片側はアースに接続されており、
上記テープ走行により発生し溜った磁気テープ２゛上の
静電気が、ＭＲへ７Ｆに放電しＭＲ素子が破壊しないよ
うなヘットが望まれる。
うに露出し、信号線の片側はアースに接続されており、
上記テープ走行により発生し溜った磁気テープ２゛上の
静電気が、ＭＲへ７Ｆに放電しＭＲ素子が破壊しないよ
うなヘットが望まれる。
第３図はＦＩＪ膜技術で形成された従来のＭＲヘノドの
最も一般的な形状の斜視図を示す。
最も一般的な形状の斜視図を示す。
図において、８はフェライト等の磁性基板、９．１０は
ＭＲ素子、１１はＭＲ素子が磁気テープ２上の隣りのビ
ットの信号を拾うのを防くためのシールド層、１２はカ
バーガラス１３を接着する接着層、１３はヘッドの保護
と磁気テープ２が巻き付く際にＲを持たせる為のカバー
材である。なお、各部材の間には絶縁層１４がある。
ＭＲ素子、１１はＭＲ素子が磁気テープ２上の隣りのビ
ットの信号を拾うのを防くためのシールド層、１２はカ
バーガラス１３を接着する接着層、１３はヘッドの保護
と磁気テープ２が巻き付く際にＲを持たせる為のカバー
材である。なお、各部材の間には絶縁層１４がある。
第４図は第３図のＸ−Ｘ断面を示す図であり、ＭＲ素子
は図では２枚（９，１０）あるが、１枚でも良い。この
ＭＲ素子９．１０は第５図に示すようにＵ字形状で、そ
の片側は端子１５を接続し、その端子１５を介してアー
ス３こ落とし、他側にも端子１６を接続し、その端子１
６を介し一定電流を流すように措成し、ＭＲ素子９の抵
抗変化による電圧の変化を利用したものである。なお、
ＭＲ素子が２枚の場合でも、第５図の点線で示すもう１
枚のＭＲ素子１０も同様に片側に接続した端子を介しア
ースに、他側も接続した端子を介して一定電流を流すよ
うにしている。１７はＭＲ素子９．１０と端子１５．１
６を接続するために明けた絶縁層１４の穴である。
は図では２枚（９，１０）あるが、１枚でも良い。この
ＭＲ素子９．１０は第５図に示すようにＵ字形状で、そ
の片側は端子１５を接続し、その端子１５を介してアー
ス３こ落とし、他側にも端子１６を接続し、その端子１
６を介し一定電流を流すように措成し、ＭＲ素子９の抵
抗変化による電圧の変化を利用したものである。なお、
ＭＲ素子が２枚の場合でも、第５図の点線で示すもう１
枚のＭＲ素子１０も同様に片側に接続した端子を介しア
ースに、他側も接続した端子を介して一定電流を流すよ
うにしている。１７はＭＲ素子９．１０と端子１５．１
６を接続するために明けた絶縁層１４の穴である。
上記ＭＲ素子で構成した記録再生装置のり一トヘッドは
第６図に示すようにテープ幅方向に上記ＭＲヘッドＡを
並べて（図では４個のヘッドを示す）、多素子リードヘ
ッド１８を形成している。
第６図に示すようにテープ幅方向に上記ＭＲヘッドＡを
並べて（図では４個のヘッドを示す）、多素子リードヘ
ッド１８を形成している。
従来のＭＲヘッドＡは第４図に示すようにＭＲ素子９．
１０の磁気テープ２に接する側が露出しており、磁気テ
ープ走行時に磁気テープ２が接し擦られて静電気が発生
する。このとき磁気テープ２に発生する静電気は数ＫＶ
（３〜９ ＫＶ）と大きくなるが、ＭＲ素子９．１０
の幅Ｗ（第５図参照）の実際寸法は１０μｍ ４Ｍ度で
狭く、その為その静電気がＭＲ素９．１０に放電される
と、ＭＲ素子９．１０が破壊されると云う問題点があっ
た。
１０の磁気テープ２に接する側が露出しており、磁気テ
ープ走行時に磁気テープ２が接し擦られて静電気が発生
する。このとき磁気テープ２に発生する静電気は数ＫＶ
（３〜９ ＫＶ）と大きくなるが、ＭＲ素子９．１０
の幅Ｗ（第５図参照）の実際寸法は１０μｍ ４Ｍ度で
狭く、その為その静電気がＭＲ素９．１０に放電される
と、ＭＲ素子９．１０が破壊されると云う問題点があっ
た。
上記問題点は、シールド層とカバーガラスの間に磁気テ
ープに帯電された静電気の放電による磁気ヘッド素子の
破壊を防ぐために放電用のパターンを設けた本発明の薄
膜磁気へノドの構造により解決される。
ープに帯電された静電気の放電による磁気ヘッド素子の
破壊を防ぐために放電用のパターンを設けた本発明の薄
膜磁気へノドの構造により解決される。
即ち、ＭＲ素子への放電を防ぐ為に、放電用パターンを
シールド層とカバーガラスの間で、ＭＲ素子より適当に
離した所に設けている。磁気テープに帯電された静電気
をＭＲ素子の前部に配置した放電用パターンに放電させ
ることが出来るので、ＭＲ素子への落雷を防ぐことが出
来、ＭＲ素子の破壊が防げろ。
シールド層とカバーガラスの間で、ＭＲ素子より適当に
離した所に設けている。磁気テープに帯電された静電気
をＭＲ素子の前部に配置した放電用パターンに放電させ
ることが出来るので、ＭＲ素子への落雷を防ぐことが出
来、ＭＲ素子の破壊が防げろ。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
なお、企図を通し同一符合は同一対象物を示す。
第１図に示すＭＲヘッド１９は従来の第４図に示すＭＲ
ヘッド゛のシールド層１１とカバー材１３の間で、ＭＲ
素子９、ｌＯからＢ（数μｍ）離れた部分に放電用のパ
ターンとして導電性パターン２０を配置している。導電
性のパターン２０はほぼシールド層１１の長さで（導電
性パターン２０の長さＤは２００μｍ以上で、ＭＲ素子
９．１０の長さＷの１０μｍより這かに長い）あり、厚
みはＭＲ素子９．１０以−ヒとし、幅方向はテープ幅全
トラックにわたるようにして、先を端子に引出し°ｒ−
スに落とす。
ヘッド゛のシールド層１１とカバー材１３の間で、ＭＲ
素子９、ｌＯからＢ（数μｍ）離れた部分に放電用のパ
ターンとして導電性パターン２０を配置している。導電
性のパターン２０はほぼシールド層１１の長さで（導電
性パターン２０の長さＤは２００μｍ以上で、ＭＲ素子
９．１０の長さＷの１０μｍより這かに長い）あり、厚
みはＭＲ素子９．１０以−ヒとし、幅方向はテープ幅全
トラックにわたるようにして、先を端子に引出し°ｒ−
スに落とす。
磁気テープ２に蓄積された静電気が上記のように構成し
た導電性のパターン２０に落雷した時、上記導電性のパ
ターン２０を通り端子に流れる電流の抵抗は細い長さの
所を通るＭＲ素子９．１０の抵抗よりも広い長さの所を
通る導電性パターン２０の抵抗の方が約１／２０と小さ
くなる。従って、導電性パターン２０の厚みは最低０．
０５μｍあれば充分である。
た導電性のパターン２０に落雷した時、上記導電性のパ
ターン２０を通り端子に流れる電流の抵抗は細い長さの
所を通るＭＲ素子９．１０の抵抗よりも広い長さの所を
通る導電性パターン２０の抵抗の方が約１／２０と小さ
くなる。従って、導電性パターン２０の厚みは最低０．
０５μｍあれば充分である。
上記のように構成したＭＲヘッド１９を第２図に示すテ
ープ式録音再生機のリードへ７ド７に用いた場合は、テ
ープリールｌから図示テープ２が引き出され、テンショ
ンガイド３、固定ガイド４を介して固定ヘッド（イレー
ズヘッド５、ライトヘッド６、リードヘッド７）に接す
るようにテープ走行路（磁気テープの走行は矢印）を形
成して記録再生した時、固定ヘッドに接し擦すられて発
生した静電気が磁気テープ２に溜っても、ＭＲヘッド１
９のＭＲ素子ｌＯの前部に配置された導電性のパターン
２０に落雷してしまうので、後方に配置されたＭ Ｒ素
子１０には放電されないので破壊がない。
ープ式録音再生機のリードへ７ド７に用いた場合は、テ
ープリールｌから図示テープ２が引き出され、テンショ
ンガイド３、固定ガイド４を介して固定ヘッド（イレー
ズヘッド５、ライトヘッド６、リードヘッド７）に接す
るようにテープ走行路（磁気テープの走行は矢印）を形
成して記録再生した時、固定ヘッドに接し擦すられて発
生した静電気が磁気テープ２に溜っても、ＭＲヘッド１
９のＭＲ素子ｌＯの前部に配置された導電性のパターン
２０に落雷してしまうので、後方に配置されたＭ Ｒ素
子１０には放電されないので破壊がない。
以上説明したように本発明によれば、ＭＲヘッドのＭＲ
素子から数μｍ離れた部分に導電性のパターンを配置し
、これをアースに落としおくことにより直接ＭＲ素子へ
の落雷が無くなり、ＭＲ素子の破壊がなくなる。
素子から数μｍ離れた部分に導電性のパターンを配置し
、これをアースに落としおくことにより直接ＭＲ素子へ
の落雷が無くなり、ＭＲ素子の破壊がなくなる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図はテー
プ式録音再生機を説明する ための図、 第３図は薄膜技術で形成された従来のＭＲヘッドの斜視
図、 第４図は第３図のＸ−Ｘ断面を示す図、第５図はＭＲ素
子の形状を説明するための図、第６図はＭＲヘッドを並
べて多素子リードヘッドの断面図である。 図において、 ８は基板、 ９．１０はＭＲ素子、 １１はシールド層、 １２は接着層、 １３はカバーガラス、 １９はＭＲヘッド、 ２０は導電性パターンを示す。 茶 １ 口 ｔ（１ 茅２０ 箒 ３ 圓 ♀ ４ 国 箒 ぢ 日 竿 ４ 囚 ｇ
プ式録音再生機を説明する ための図、 第３図は薄膜技術で形成された従来のＭＲヘッドの斜視
図、 第４図は第３図のＸ−Ｘ断面を示す図、第５図はＭＲ素
子の形状を説明するための図、第６図はＭＲヘッドを並
べて多素子リードヘッドの断面図である。 図において、 ８は基板、 ９．１０はＭＲ素子、 １１はシールド層、 １２は接着層、 １３はカバーガラス、 １９はＭＲヘッド、 ２０は導電性パターンを示す。 茶 １ 口 ｔ（１ 茅２０ 箒 ３ 圓 ♀ ４ 国 箒 ぢ 日 竿 ４ 囚 ｇ
Claims (1)
- 基板上に絶縁層を介して磁気抵抗素子と、シールド層を
設け、さらにその上にカバー材を接着してなる薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記シールド層と前記カバー材の間に
導電材料のパターンを設けたことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21890484A JPS6196508A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 薄膜磁気ヘツドの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21890484A JPS6196508A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 薄膜磁気ヘツドの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196508A true JPS6196508A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16727132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21890484A Pending JPS6196508A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 薄膜磁気ヘツドの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196508A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0651375A1 (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-03 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head |
| US5424890A (en) * | 1990-02-05 | 1995-06-13 | Sony Corporation | Magnetoresistance effect type thin film head |
| EP0742549A2 (en) * | 1995-05-10 | 1996-11-13 | International Business Machines Corporation | Magneto-resistive read/write tape head |
| EP0747888A2 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-11 | International Business Machines Corporation | MR-head having parasitic shield for electrostatic discharge protection |
| US6246553B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-06-12 | International Business Machines Corporation | Shielded magnetoresistive head with charge clamp |
| KR20020072247A (ko) * | 2001-03-09 | 2002-09-14 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 집적된 충전 블리드 저항기를 구비하는 자기 변환기 |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21890484A patent/JPS6196508A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424890A (en) * | 1990-02-05 | 1995-06-13 | Sony Corporation | Magnetoresistance effect type thin film head |
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| EP0742549A3 (en) * | 1995-05-10 | 1997-02-26 | Ibm | Magnetoresistive tape read / write head |
| US6038106A (en) * | 1995-05-10 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | Piggyback magneto-resistive read/write tape head with optimized process for same gap read/write |
| EP0747888A2 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-11 | International Business Machines Corporation | MR-head having parasitic shield for electrostatic discharge protection |
| EP0747888A3 (en) * | 1995-06-07 | 1997-05-28 | Ibm | MR-head with parasitic screen for protection against electrostatic discharge |
| KR100263522B1 (ko) * | 1995-06-07 | 2000-08-01 | 포만 제프리 엘 | 판독헤드의 정전기 방전 보호회로 |
| KR100304026B1 (ko) * | 1995-06-07 | 2001-11-05 | 포만 제프리 엘 | 판독 헤드의 정전기 방전 보호 회로 |
| US6246553B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-06-12 | International Business Machines Corporation | Shielded magnetoresistive head with charge clamp |
| KR20020072247A (ko) * | 2001-03-09 | 2002-09-14 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 집적된 충전 블리드 저항기를 구비하는 자기 변환기 |
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