CN1322503C - 光记录介质、记录再现装置、存储装置及记录再现方法 - Google Patents

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Abstract

本发明之目的是提供使用相邻场光的且不产生记录头盘界面问题的光记录介质、记录再现装置、存储装置及记录再现方法。为达成该目的，按照本发明，可以在具有形成在基板上的记录膜和保护膜的光记录介质中，在光入射的信号记录面沿规定方向设置由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道，且上述突出部包含相邻场光产生膜地形成光记录介质。由此，可以在光盘介质内埋入增强电场的相邻场光产生膜，不产生记录头盘界面的问题。

Description

光记录介质、记录再现装置、存储装置及记录再现方法
技术领域
本发明涉及高密度光记录介质、其存储装置及其记录再现方法，特别涉及使用相邻场光的高密度光记录介质、其存储装置及其记录再现方法。
背景技术
在以往的光盘用光学头中，光是使用透镜进行聚光的。在该情况下，可以记录在光盘上的信息的容量依赖于所聚光的光束径，而该集光束径又受限于在光盘上记录或者再现信息的激光光的波长和光学透镜系统的数值孔径(NA)。为了高密度化光盘，增加光盘的可记录信息容量，需要短波长化激光光的波长、或者增加光学透镜系统的数值孔径。但是，由于存在衍射极限，故利用这些方法的光盘的高密度化也存在限制。
为了提高光学透镜系统的数值孔径(NA)，有人提出了通过使用SIL(固体浸没透镜)使NA达到1以上，利用从SIL的底面渗透出来的渐弱光在光盘上记录信息的方法。但是，如上所述这样，要使用渐弱光在光盘上记录信息，需要在保持SIL与光盘的记录面的间隔为1/10波长以内的同时进行记录。因此，为了保持光盘与SIL透镜系统之间的距离恒定，必须采用精密的控制，而在光盘上粘附了尘埃时，将出现SIL与尘埃冲撞之类的问题。特别是尘埃的问题将使作为光盘的优点的可换性(可变动能力)的实现变得困难。此外，在使用SIL的方法中，由于是利用SIL的折射率来提高数值孔径(NA)，故在采用该方法的光盘的高密度化上也存在限制。
与之相对应，为了通过光盘的高密度化来谋求大容量化，有人提出了利用相邻场光在光盘上记录信息或者从光盘再现信息的方法。
作为使之产生相邻场光的构造的相邻场光探头，广泛使用的是具有小于记录或者再现所使用的光的波长的微小开口的、尖锐化了前端的光纤(光纤探头)。该光纤探头的制作是在加热光纤的一端进行了拉伸后，或者在使用化学蚀刻法进行了尖锐化后，利用金属蒸镀其前端以外部分。通过在这样制作的光纤探头中入射激光光，可以在形成于前端部分的微小开口附近使之产生相邻场光。
但是，上述的光纤探头存在光的利用效率低的缺点。例如，在开口孔径为100nm时，入射到光纤探头的光的强度与从光纤探头的前端部分出射的光的强度之比为0.001％以下，可以出射的光的强度极低。因此，为了解决这样的问题，人们提出了下面这样的相邻场光探头。
探头之一是多台阶尖锐化光纤探头。该光纤探头记载于如1996年发行的Applied Physics Letters(应用物理通信)Vol.68，No.19，p2612-2614，或1998年发行的Applied Physics Letters(应用物理通信)Vol.73，No.15，p2090-2092。该光纤探头是从光纤的根部向前端2个台阶或者3个台阶地变化了光纤前端的尖角的光纤探头。
探头之二是金属探头。该探头记载于特开平6-137847号公报中，通过用光照射探头的前端，可以使尖端部分的附近产生相邻场光。
其他的探头之一是带微小金属球的微小开口纤维探头。该纤维探头记载于特开平11-101809号公报中，在纤维探头前端部分微小开口的中心形成有微小金属球。在该纤维探头上，利用从微小开口出射的光在微小金属球中激发基质，由此，在金属球附近产生强的相邻场光。
其他的探头之二是涂镀了金属的玻璃片探头。该探头记载于1997年发行的Physical Review B(物理回顾B)的Vol.55，No.12，p7977-7984。该探头是在切成三角柱状的玻璃片上形成了厚度50nm左右的金属膜的构造，使之在该金属膜上激发表面基质。由于如此激发起来的表面基质朝向探头的顶点传播，故在顶点附近产生强的相邻场光。
其他的探头之三是带金属散射体的玻璃基板探头。该探头记载于特开平11-250460号公报中，在玻璃基板的底面部安装着金属散射体。这样，由于通过安装金属散射体在金属散射体的附近产生了强的相邻场光，故可以使用该产生的相邻场光。
但是，在相邻场光学系统(near field optics)中，需要控制产生相邻场光的构造与记录材料表面的间隔在数纳米(nm)到数十纳米(nm)的左右。因此，在使用由上述的光纤或者玻璃片构成的探头时，需要精密地控制探头的前端部分和记录材料表面的间隔的特殊的控制系统。该控制系统一般地是通过测量在探头前端和记录材料表面之间作用的原子间力来测量探头的前端部分和记录材料表面的间隔，进而伺服控制该探头的位置，以使该测量值为恒定值。但是，由于上述伺服控制的伺服带域具有某一限制值，故探头伴随恒定值以下的误差扫描记录介质的相对速度将被限制在某一速度以下。特别地，在要求高数据传输速度的光盘存储装置中，需要通过高速地旋转光盘来提高探头扫描光盘的速度。但是，在高速旋转具有歪扭或倾斜的光盘时，由于上述伺服控制系统需要使探头追从高频率、大振幅的外部干扰，故在上述控制方法中，也会出现不能进行控制的情况。为了解决该问题，有人提出以下这样的探头。
探头之一是平面开口探头。该光纤探头记载于如根据1998年3月发行的电子信息通信学会论文集Vol.J81-C-I，No.3，pp.119-126翻译的Electronics and Communications in Japan，Part2，Vol.81，No.8，pp.41-48，1998。该探头在硅基板中采用各向异性蚀刻形成开口。由于该探头微小开口的周围部分呈平坦状，故通过将探头压向记录介质，可以保持探头的前端部分与记录材料表面的间隔为恒定的值。
探头之二是带垫片开口探头。该探头记载于特开平11-265520号公报。该探头在玻璃基板底面部形成前端部具有微小开口的四角砣的突起部，进而，在其突起部的周围部分形成垫片。通过该垫片可以使探头的前端部分与记录材料表面的间隔保持于恒定的值。
探头之三是带微小金属芯片的面发光激光器探头。该探头记载于1999年发行的应用物理Vol.68，No.12，p1380-1383。该探头在面发光激光器出射口的端面形成带有金属的微小开口和金属的微小突起。因为构造是平坦的，故通过将探头压向试样，可以保持探头的前端部分与记录材料表面的间隔为恒定的值。
探头之四记载于1989年发行的Optics Communications Vol.69，No.3，p219-224，目的是特别高效率地产生微弱的相邻场光。该探头是将在天线中使用的补片天线和同轴电缆应用于光中的探头，可以高效地产生相邻场光。
探头之五记载于1997年12月9日特许的Grober等的美国专利USP No.5696372中，目的是特别高效率地产生微弱的相邻场光。该探头通过使用由包带型的金属片构成的微小偶极子天线产生微小的相邻场光。
在利用相邻场光记录或者再现信息的系统中，要求其能够满足下面的3个要件。首先，第1是需要精密地控制作为产生相邻场光的构造的相邻场光探头等与记录介质的间隔于远小于记录或者再现所使用的激光光的波长的恒定的距离。第2是所产生的相邻场光的束点要微小。第3是为在记录介质上高速地存储信息或者从记录介质上高速地再现信息而具有高的所产生的相邻场光的光利用效率。
上述的多台阶尖锐化光纤探头与通常使用的光纤探头相比，具有从约10倍到100倍的高的光利用效率，但要对需要10％以上的高的光利用效率的光记录/再现进行应用，这还是不够的。进而，因为使用光纤在机械上较脆弱，故高速的扫描将特别困难。
由于上述的金属针探头、带微小金属球微小开口纤维探头、镀了金属的玻璃片探头以及带金属散射体的玻璃基板探头均为利用金属特性提高效率，故可以达成高的光利用效率。但是，由于哪一种探头都具有前端机械上脆弱的形状，故难以进行特别高速的扫描。特别地，由于金属针探头和带金属散射体的玻璃基板探头其探头的前端以及没遇到散射体的光都入射到了记录介质，故还存在过多地检测出背景光之类的问题。
此外，如上述所述这样，也提出过若干个可以进行高速扫描的探头。但虽然平面开口探头以及带垫片开口探头可以用于高速扫描，但光利用效率低。
可以预想带微小金属芯片的面发光激光器探头可以高速扫描且光利用效率也高，其背景光也少。但是，尽管要使用金属的微小突起产生强的相邻场光需要有最佳化的金属形状，但有关形状方面什么也没有开示。另外，关于其制造方法也什么都没有开示。
进而，通过将在天线中使用的补片天线和同轴电缆应用到光中的方法高效地产生相邻场光的方法，或通过使用由包带型的金属片构成的微小偶极子天线使之产生微小的相邻场光的方法也存在记录介质上的尘埃的问题和需要精密地控制使之产生相邻场光的构造与记录介质的间隔远小于记录或者再现所使用的激光光的波长的恒定的距离之类的问题(头盘界面的问题)。因而，要利用这些方法实现作为光盘的优点的可换性(可变动能力)是困难的。
另一方面，在光盘介质中设置透镜上的基板提高记录密度的方法由Guerra等发表在2001年4月22-25日的Optical Data Storage 2001Technical Digest pp277-279。该方法的目的在于解决尘埃、头盘界面的问题等。但该方法不使用相邻场光，而是一种在记录介质中内藏微透镜，进而使用通过其微透镜会聚的光在记录介质上进行记录/再现的构成。因而，通过增加透镜用材料的折射率，可以增加记录密度。但由于折射率具有限制，故如上述论文所记载的那样，对于使用了通常的光学系统的情况，只能形成约一半程度的光道间隙，故作为结果只能将记录密度提高到约2倍。此外，由于要在周围均匀地形成球面状的透镜形状的基板，因此，制造该记录介质比较困难。进而，由于光束扩散到了相邻的光道，故产生所谓的串光、交叉擦除以及光照交叉之类的问题，因而在现实中，存在因不能过窄地形成光道间隙而不能增大记录密度之类的问题。此外，加之透镜要求2.7这样的光折射率，虽然可以使用TiO2等透镜材料，但该透镜材料在兰紫色激光二极管(LD)所具有的410nm的波长区域不透光。因此，存在不能使用短波长的激光二极管而难以达成高记录密度之类的问题。
发明内容
本发明之目的是提供解决上述的以往技术的问题的、使用相邻场光的、高密度光记录介质、存储装置、高密度光记录介质的记录以及再现方法乃至于高密度光记录介质的制造方法。
本发明之目的还在于在利用相邻场光记录或者再现信息的系统中提供满足上述3个要件的高密度光记录介质、其存储装置、其记录再现。
为达成该目的，在至少在基板上形成了记录膜和保护膜的光记录介质中，构成在入射光的信号记录面具有沿规定方向由尖锐化了的突出部形成的多个记录光道，并在前述突出部形成相邻场光产生膜而成的光记录介质。
由此，可以在光盘介质内埋入增强电场的相邻场光产生用膜，可以在光盘的制造过程中形成膜时，确定相邻场光产生用膜和记录膜的间隔。进而，可以使用已有的溅射装置等，以纳米(nm)的精度控制该膜之间的距离。因而，只要能够进行控制，使用在通常的光盘装置中使用的光学系统使激光光会聚在相邻场光产生用膜的前端部分，则在离埋入光盘内的相邻场光产生用膜的前端部分恒定距离的位置将产生相邻场光，故可以使用相邻场光在记录膜上记录信号。从而，可以在产生相邻场光的距离准确地控制探头和记录介质之间的距离，不会产生头盘界面的问题。
另外，本发明的一种记录再现装置，其特征在于具有：照射光线的光源；使光线会聚在在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道且在上述突出部形成有相邻场光产生膜的光记录介质上的光学头；以及使上述光学头移动的移动部，通过利用上述光学头会聚的光所产生的相邻场光在上述光记录介质的尖锐化了的突出部前端记录或者再现信号。
另外，本发明的一种记录再现装置，其特征在于具有：照射光线的光源；使光线会聚在在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道且在上述突出部形成有相邻场光产生膜的光记录介质上的光学头；以及使上述光学头移动的移动部，设置具有磁场调制用的记录磁头功能和再现用磁头功能的磁头，使用由会聚的光产生的相邻场光在上述尖锐化了的突出部前端记录或者再现信号。
另外，本发明的一种存储装置，其特征在于至少具有：照射光线的光源；使来自光源的光线会聚到光记录介质的光学头；使上述光学头在光道方向上移动的移动部；检测从在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道且在上述突出部形成有相邻场光产生膜的光记录介质返回的光线的检测部；以及根据检测部所得到的推挽信号对上述移动部进行道跟踪控制的道跟踪控制部。
另外，本发明的一种记录再现装置，其特征在于具有：照射光线的光源；使光线会聚在在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道且在上述突出部形成有相邻场光产生膜的光记录介质的前述突出部的前端的光学头和移动上述光学头的移动部；该记录再现装置使用由上述光学头会聚的光产生的相邻场光在上述记录介质的尖锐化了的突出部前端记录或者再现信号，其中上述光学头沿预定方向具有上述波长λ的二分之一或其以下的开口。
另外，本发明的一种记录再现方法，其特征在于具有：通过光源照射光线的步骤；使照射的光线会聚在在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道的光记录介质的上述突出部的前端的步骤，通过利用上述光记录介质的上述尖锐化了的突出部前端产生的相邻场光记录或者再现信号。
附图说明
通过参照附图阅读下面的详细的说明，将可以进一步地明瞭本发明的其他目的、特征以及优点。
图1所示是用于在光盘上记录或者再现信号的记录/再现光学系统图；
图2所示是本发明的概念图；
图3所示是本发明的原理图；
图4所示是根据本发明的高密度记录介质的一个实施例图；
图5所示是来自根据本发明的高密度记录介质的一个实施例的金属膜的光强分布图；
图6所示是在根据本发明的高密度记录介质的突起的前端会聚了激光光束时的电场分布(光强)图；
图7所示是所示是根据本发明的高密度记录介质的其他实施例图；
图8所示是所示是根据本发明的高密度记录介质的其他实施例图；
图9所示是所示是根据本发明的高密度记录介质的其他实施例图；
图10所示是所示是根据本发明的高密度记录介质的其他实施例图；
图11所示是所示是根据本发明的高密度记录介质的其他实施例图；
图12所示是所示是根据本发明的高密度记录介质的其他实施例图；
图13所示是所示是根据本发明的高密度记录介质的其他实施例图；
图14所示是根据本发明的高密度记录介质的制造方法的一个实施例图；
图15所示是根据本发明的高密度记录介质的制造方法的其他实施例图；
图16所示是根据本发明的高密度记录介质的制造方法的其他实施例图；
图17所示是激光脉冲磁场调制记录的过程图；
图18所示是低光学头数值孔径(NA)时的光学头和磁头的构成的一个实施例图；
图19所示是高光学头数值孔径(NA)时的光学头和磁头的构成的一个实施例图；
图20所示是低光学头数值孔径(NA)时的光盘基板图；
图21所示是高光学头数值孔径(NA)时的光盘基板图；
图22所示是有关光点的扫描方向进行高密度化的构成的一个实施例图；
图23所示是有关光点的扫描方向进行高密度化的构成的其他的实施例图。
具体实施方式
下面使用图面对用于实施本发明的实施形态进行说明。
图1所示是在光盘上记录信号或者再现记录在光盘上的信号的装置100的实施例。在本实施例中，虽然以下是使用光磁记录方式进行的说明，但本发明并非仅限于该方式，也可以使用相变化方式。
图1所示的记录/再现装置100给出了光磁盘用读写头的光学系统，其主要由由半导体激光器101、平行光透镜102、光束整形棱镜103、第1偏光光束分离器104、物镜105、第2偏光光束分离器106、聚光透镜107、半反半透棱镜108、刀口(knife edge)109、第1光电检波器110、第2光电检波器111、λ/2板112、会聚透镜113、第3偏光光束分离器114、第3光电检波器115以及第4光电检波器116构成的记录/再现光学系统，将数据121作为输入驱动半导体激光器101的记录系统122，根据第3光电检波器115和第4光电检波器116的输出信号再现再现信号131的再现系统130，基于第1光电检波器110的输出进行聚焦控制的聚焦控制系统140和由聚焦控制系统140驱动的聚焦调节器141以及基于第2光电检波器111的输出进行光道控制的光道控制系统150和由光道控制系统150驱动的光道调节器151构成。
在光盘120上记录数据121时，数据121被输入记录系统122，记录系统122按照数据121驱动激光二极管101。反之，在读出记录在光盘120上的数据时，激光二极管101输出再现用光强度的光。
从半导体激光器101发射出来的激光光被平行光透镜102变换成平行光，在通过光束整形棱镜103后，被第1偏光光束分离器104变换成与光盘的扫描方向呈直角方向的直线偏振光，即P偏振光，并朝向物镜由物镜105会聚到光磁盘120上，以便能够以光磁方式进行合适的记录再现。这里，在在光盘120上记录信号时，利用力-效应旋转反射光的偏光角。即，在记录信号时，检测信号用的P成分的光因力-效应而旋转θk度的旋转角，产生S光成分。该P成分的和S成分的反射光通过第2偏光光束分离器106、λ/2板112、会聚透镜113，被第3偏光光束分离器114分离成P成分和S成分。该分离了的P成分和S成分分别入射到第3光电检波器115和第4光电检波器116。进而，通过利用再现系统130计算这2个检波器的输出的差，可以得到P成分和S成分的强度之差，由此检测出记录在光盘120上的信号并作为再现信号131输出。
一方面，从光盘120返回的光的一部分被第2偏光光束分离器106分离，通过会聚透镜107、半反半透棱镜108入射到刀口109。根据会聚到光盘120上的激光光的焦点偏离的量，通过刀口入射到第1光电检波器110的光通量将产生变化。通过利用聚焦控制系统140检测出入射到第1光电检波器110的该光通量的变化，可以检测到聚焦误差信号。进而，根据该聚焦误差信号驱动聚焦调节器141，控制物镜105的位置，使激光光会聚到光盘120上。
另一方面，被半反半透棱镜分离了的一部分光入射到第2光电检波器111，产生道跟踪误差信号。该道跟踪误差信号中介于光道控制系统150施加给光道调节器151，在光盘120的半径方向(即横切光道方向)移动物镜105，以控制激光光点追从正在进行信号记录的光道。
在这样的光盘装置中，光盘介质与光学头的前端部之间的距离为数百μm到数mm的量级。利用这样的大距离的优点，光盘介质可以广泛使用可换且低价格、高可靠性的记录介质。下面，使用图2说明本发明的高密度光记录介质的概念。图2所示是本发明的高密度光盘200，其由基板201、相邻场光产生用膜202、保护膜203、记录膜204、保护膜205、反射膜206以及保护膜或基板207构成。图2中，箭头R表示高密度光盘200的半径方向，箭头T表示高密度光盘200旋转时的圆周方向(或者切线方向)。在高密度光盘200上，在圆周方向连续形成有记录信号的光道。光道由沿圆周方向尖锐化了的突出部构成。该突出部沿圆周方向具有同样的直线状的形状，此外，相对于半径方向具有一定的倾斜，其三角形的顶点构成了前端部。激光光210从基板201入射，在基板上的入射面为211的形状，进而，因基板折射并在相邻场光产生用膜202的前端部会聚形成激光光点212。在使用诸如金、银、钛或铝等金属薄膜、或者灵敏度特别高的记录再现材料时，相邻场光产生用膜202由塑料或硅等的膜构成。例如，上述金属薄膜可以使用在入射光的波长处其复介电常数的实部或虚部至少一方具有负值的材料、在入射光的波长处其复介电常数的实部是负的而虚部的绝对值具有较实部的绝对值小的值的材料或者在入射光的波长处其复折射率的虚部的绝对值较实部的绝对值大的值的材料等。在产生通常的相邻场光的探头中，由于为了使相邻场光通过而需要形成小于激光光波长的微小的开口，故需要使用昂贵的离子束聚焦(FIB)等钻孔方法进行开孔。但在本发明中，因为不需要作成如此微小的开口，故可以廉价地进行批量生产。
其次，在与金属薄膜等的相邻场光产生用膜202的光的入射面相反侧形成如氮化硅(SiN)的保护膜，然后形成记录膜204(TbFeCo)，进而形成保护膜205和反射膜206。这里，为了降低与相邻光道间的串光，相邻场光产生用膜202也可以使用ZnS/SiO2这样的具有2左右的折射率的高折射材料。最后，形成保护膜207。
下面说明本发明的原理。图3所示是本发明的原理图。图3中，与图2同一序号的构成要素表示同一的构成要素。
如果通过用图1说明过的、在通常的光盘装置中使用的物镜从基板201侧照射激光光使之会聚在相邻场光产生用膜202的前端部，则根据计算可以看出，在光透过相邻场光产生用膜202的前端部后的区域，电场(光)被增强。进而可知，该光的强度在离开相邻场光产生用膜202某一距离的区域(邻近场区域)达到最大，且随着离开该区域而急剧地减小。这便是相邻场光的性质。在使用产生相邻场光用探头产生相邻场光时，需要控制产生相邻场光用探头和记录介质的距离，以能够边旋转光盘边让相邻场光到达记录膜，这就产生了上述的磁头寻址的问题。但是，在本发明的情况，由于在记录介质内埋入了增强电场的相邻场光产生用膜202，故可以在光盘的制造过程中形成膜时决定相邻场光产生用膜202与记录膜的间隔。例如，如果设入射到信号记录面的激光光的波长为λ，则在产生相邻场光方面，相邻场光产生用膜202与记录膜的间隔最好是良好的λ/10以下(但不包括0nm)。这里，如果相邻场光产生用膜过厚，则由于其不能透过光而不能产生相邻场光。进而，使用已有的溅射装置等可以以纳米(nm)的精度控制该膜之间的距离。因而，只要能够进行控制，使用在通常的光盘装置中使用的光学系统使激光光会聚在相邻场光产生用膜202的前端部分，则因在离埋入光盘120内的相邻场光产生用膜202的前端部分恒定距离的位置产生相邻场光，故可以使用相邻场光在记录膜上记录信号。从而，可以在产生相邻场光的距离准确地控制探头和记录介质之间的距离，不产生头盘界面的问题。
下面，对有关增强光电场的计算结果进行说明。图4所示是进行有关该光电场的增强的计算时的模型。图4中，与图2同一序号的构成要素表示同一的构成要素。有关该光电场的增强的计算使用图4的模型并使用FDTD法(Finite Difference Time Domain Method，有限差分时域法)进行。激光二极管照射的激光光的波长为780nm，物镜的数值孔径NA取0.8。此时的会聚光束的束径为0.95μm(1/e2)。此外，激光的偏光方向在光盘的半径方向按所谓的TM偏振光(P偏振光)进行计算。另外，光道间隙取500nm。进而，按相邻场光产生用膜202使用厚度为40nm的金的金属膜、折射率为0.175-i4.91进行了计算。式中，i表示复折射率的虚数部。再有，三角形的顶点的顶角是30度(全角)。
根据该模型计算的光强度示于图5。由图5可知，在离相邻场光产生用膜202的前端部80nm(离相邻场光产生用膜202和保护膜203的边界40nm)的位置电场强度(光)达到最大。该区域便是相邻场光的区域。在本计算例中，离开相邻场光产生用膜202和保护膜203的边界光强不是急剧地减小，而是在相邻场光区域存在光强达到最大的位置。会聚光束束径在光道方向达50nm，可以在光道方向进行足够细微的记录。当然，通过设计，也可以在相邻场光产生用膜202之后便使光强达到最大。此时，只要将保护膜203形成在相邻场光产生用膜202跟前即可。
这里，在单纯的平面的膜厚40nm的金的金属薄膜上，入射球面波时的、强度中心的透过率为3％，在以尖锐化了图4所示那样的同样的膜厚的金(Au)为主成分的金属薄膜中，透过率增加到了43倍。因此，其具有可以进行高速记录、可以高速化数据传输速度之类的优点。进而，其与相邻光道的串光是-26dB(20分之一)，不产生串光、交叉擦除以及光照交叉这样的问题。
如上述这样，由于使用相邻场光可以产生超过衍射极限的微细的光束，故可以进行强度高且对相邻光道的串光少的信号的记录以及再现。
这里，利用金属的自由电子的基质共振现象，通过在记录或者再现中使用的激光光的波长或光道间隙的最佳化，可以进一步提高光的利用效率。进而，利用金属面的形成角度或高度等，也可以进一步提高光的利用效率。
为了进一步高密度化，也可以为变窄光道间的间隙而改变相邻光道间的高度形成光道。在如图2所示那样的改变了相邻光道间的高度的介质中，我们与上述的过程同样地进行了光强度的计算。这里，相对于介质的折射率n，取与相邻光道的高度的差为0.65λ/n。由此，即使是变窄光道间隙，也可以充分地降低相邻光道间的串光。图6所示是在取相邻的光道间隙为250nm时，激光光会聚在尖锐化了接近入射光盘的激光光的入射面的光道的前端部时的光强。接近激光光的入射面的光道同类(所谓的凸缘部)的串光是-26dB(20分之一)，没有产生串光、交叉擦除以及光照交叉这样的问题。此时，相邻的远离激光光的入射面的光道(所谓的沟槽部)之间的强度比也是-26dB(0.05)，没有产生串光、交叉擦除以及光照交叉这样的问题。
串光变少的原因是，如果在尖锐化了前端的金属膜处入射会聚光束，则由于电场的增强作用，入射波的强度集中在中心，如图6所示的那样，原本为0.95μm(1/e2)的束径可以被缩小到0.5μm左右，光束可以相应地变小。进而，朝向会聚了光的侧面的光道或相邻的光道的光受到金属膜遮挡。同时，在上述的金属膜的膜厚中，热也不会通过保护膜传递给记录膜。为了进一步降低串光，最佳化前端部分的倾斜角度也是有效的。例如，呈90度以下(全角)(但不包括0度)地形成倾斜面的顶角。具体地，可以在约30度到90度的范围进行选择。
进而，可以在相邻的3个光道间或者超过3个光道间使尖锐化了的突出部的斜面的倾斜角度不同。通过采用这样的做法，可以进一步降低串光。这里，其他的计算参数为与前述图4的计算参数相同的参数。
这里，如果换算成确定束径的λ/NA，则在本计算例中，λ/NA＝0.975。与之相对应，如果假定使用兰紫激光二极管(λ＝400nm)和NA＝0.85的物镜，则λ/NA＝0.47，可以实现120nm的光道间隙。这与现在正在使用的光道间隙相比要窄数倍，因此可以谋求记录介质的高密度化。
图7所示是根据本发明的高密度光记录介质的其他的实施例。图7所示的高密度光记录介质的实施例是进一步减少相邻光道之间的串光的高密度光记录介质。在本实施例中，附加了与图2同一序号的构成要素表示同一的构成要素。本实施例的高密度光记录介质在基板201和相邻场光产生用膜202之间具有带有较保护膜或者基板201更高的折射率的高折射率电介质膜701，进而在突出部和突出部之间具有平坦部702。高折射率电介质膜701的例子是具有2.2左右的折射率值的ZnS等。利用该高折射率电介质膜701，可以通过折射率差弯曲使相对于作为记录或者再现对象的光道以外的光道扩散的光不扩散到相邻的光道。这里，在相对于使用了即使是产生比较大的串光也能容许的磁超解像的光磁盘适用本发明时，可以实现100nm以下的光道间隙。进而，在本发明中，由于没有产生头盘界面的问题，故可以作为可换介质(可变动介质)实现这样的高密度记录介质。在使用光超解像进行再现时，在集后部的中央部设置遮光体，使用降低具有高斯分布的入射光的中央部的光强度的光超解像透镜，相对于入射到光记录介质的光，可以在记录面使光点的中央部的强度变得低于周围的强度，以光超解像方式进行再现。
作为进而使用光超解像透镜光学地再现信息的方法，可以使用如特开平7-6379号公报所记载的方法。根据特开平7-6379号公报记载的方法，可以通过在本发明图1所示的λ/2板112和会聚透镜113之间配置遮光板来使用光超解像进行再现。
图8所示是根据本发明的高密度光记录介质的其他的实施例。图8中，附加了与图2同样的序号的构成要素表示同一的构成要素。图8所示的高密度光记录介质的实施例是在相邻的光道之间设置了多种光道高度时的高密度光记录介质的例子。此时，所谓的相邻光道不是指作为对象的光道的仅仅相邻的两个光道，而是指遍及若干个光道的范围内的光道。这样，通过在相邻的光道间改变光道的高度，可以进一步减少相邻光道之间的串光。该情况下，也可以在相邻光道之间改变斜面的顶角的大小。
图9所示是根据本发明的高密度光记录介质的其他的实施例。图9中，附加了与图2同样的序号的构成要素表示同一的构成要素。图9所示是根据在光道的最前端部具有平面形状的本发明的高密度光记录介质。虽然光道需要进行尖锐化，但在最前端部具有平坦部分202-A也可以产生相邻场光。这里，在设激光光的波长为λ，相邻场光产生用膜的折射率为n时，只有最前端部的平坦部的长度d为λ/(2n)以下(这里指除去0以外)才有效。
图10(a)所示是根据本发明的高密度光记录介质的其他的实施例。图10中，附加了与图2同样的序号的构成要素表示同一的构成要素。本实施例是在光道的侧面加有曲率且具有尖锐化了的形状的高密度光记录介质。这样，即使是用侧面不具有恒定的倾斜且顶点部具有变曲点的高密度光记录介质，也可以产生相邻场光。此外，如图10(b)所示的那样，前端也可以具有抛物线等曲线形状。进而，也可以如图10(c)所示的那样，在角部分带有曲率。另外，还有在塑料的基板上设置间隔作成高密度光记录介质的方法。因此，即使是使用折射率小的材料也可以实现根据本发明的高密度光记录介质。
图11所示是根据本发明的高密度光记录介质的其他的实施例。图11所示是在光盘的厚度方向设置了被分离层1111、1112分离了的、多层的根据本发明的相邻场光产生用膜的构造的高密度光记录介质。图11中，附加了与图2同样的序号的构成要素表示同一的构成要素。根据本实施例，可以比例于层数提高光记录介质的记录密度。例如，本实施例的各层的记录膜204是光磁记录膜。信号的读取是读取通过使各记录膜204产生相邻场光所产生的磁场记录的信号。作为一例这样的记录膜，可以利用国际会议MORIS1999的技术文摘的PP.164-165所记载的TbFeCo膜。该记录膜在室温附近磁化残留小，几乎不泄漏磁束，但如果在希望再现的位置会聚激光光则磁化残留增大，故可以用再现用的磁头检测出磁信号。如图11所示的那样，在由尖锐化了的相邻场光产生用膜202、保护膜203以及记录膜204形成的各记录层之间，配置紫外线硬化树脂或电介质以及铝等作为分离层1111、1112，以防止各层之间的干涉。
如果在1层的相邻场光产生用膜202处会聚激光光，则如上述那样，可以在记录膜204产生相邻场光，在记录膜204上记录信号。此外，在由记录膜204再现所记录的信号时，如果将激光光会聚在再现的层的相邻场光产生用膜202处，则如上述那样，在记录膜204产生相邻场光，由于可以由此增大磁化残留，故可以用再现用的磁头检测出磁信号。关于再现方面，我们用磁再现进行了说明，但也可以用光再现再现记录信号。这里，本实施例的说明是对光磁记录膜进行的说明，但对相变化型记录膜也可以同样地记录或者再现信号。
图12所示是根据本发明的高密度光记录介质的其他的实施例。图12所示是在设置了图11的实施例的、多层的根据本发明的相邻场光产生用膜的构造的高密度光记录介质中，相互错开各层之间的光道的半径方向的位置时的例子。但在本实施例这样构造的高密度光记录介质中，也可以与用图11的实施例说明过的例子同样地、逐层地在记录膜上记录或者再现信号。由此，可以有效地使用光利用效率。
此外，在上述的实施例的高密度光记录介质中，也可以利用铝成膜相邻场光产生用膜，并通过加热该相邻场光产生用膜使之退火。在该情况下，由于使用了铝膜，可以谋求更低的价格，且可以提高尖锐部的透过率，故具有可以提高光利用效率这样的优点。
图13所示是根据本发明的高密度光记录介质的其他的实施例。图13所示是可以作为道跟踪信号获得径向推挽信号的、根据本发明的高密度光记录介质的其他实施例。图13中，箭头R表示光盘的半径方向(横切光道的方向)。在本实施例中，将突起高度不同的多个(N)光道1301、1302、1303、1304以及1305作为一个重复周期(光道群)。进而，在光盘的半径方向重复由具有与该多个光道同样高度的多个光道1306、1307、1308、1309以及1310组成的光道群，在光盘上构成光道。光道1301与光道1306之间的距离是该重复周期的距离d。此外，光点1320表示入射到如上述这样构成的光道的激光光的光点，参照序号1321和1322表示反射光的光点的图案。
这里，如果设入射的激光光的光点1320的激光光波长为λ，则使上述的重复周期的距离d满足λ/d＜1地形成光盘的光道。在满足上述的关系时，产生±1次的衍射光。若如此地形成光道，则其衍射光的光点的图案伴随入射激光光的光点1320的中心离开各光道中心变位的量，如图案1321以及1322那样地变化。通过利用图1所示的第2光电检波器111检测该衍射光的图案的变化，可以检测出入射的激光光的光点1320离开各光道的中心的变位量。进而，对应于该检测出来的量，利用图1的光道控制系统150驱动作为光道移动部的光道调节器151，通过使图1的物镜105在半径方向(横切光道的方向)R进行变位，可以进行道跟踪控制。
下面对根据本发明的高密度记录介质的制造方法进行说明。图14所示是掩模工序。在步骤1中，在石英等基板1401上涂布光抗蚀剂或者电子束用抗蚀剂材料1402。进而，利用激光掩模装置或者电子束描绘装置，使用激光光或者电子束通过透镜1410等在该涂布的抗蚀剂1402上曝光形成了光道的部分，形成光道图案。通常虽然是使用激光光(波长250nm)曝光抗蚀剂，但在依存于光道间隙，形成光道间隙为100nm以下这样的窄光道间隙的光道时，需要使用电子束进行曝光。在改变光道的高度形成光道时，需要改变激光光或者电子束的曝光强度、扫描速度、焦点位置进行曝光。通过这样地进行曝光，可以改变沟槽的形状。在接着的步骤2中，显像曝光了的抗蚀剂材料，形成前端部尖锐化了的光道。光道断面的形状可以利用抗蚀剂或显像的条件进行控制。最后在步骤3通过电铸(electroforming)如此形成的光道，形成压印1403。
在形成了压印1403后，通过注塑成型形成复制盘的基板，如上述本发明的高密度光记录介质的实施例那样，形成相邻场光产生用膜、氮化硅(SiN)这样的保护膜、记录膜(TbTeCo)等，最后形成保护膜，完成复制盘。该方法可以使用作成光盘的压印的已有的设备，谋求低价格化。
下面，对根据本发明的高密度记录介质的其他的制造方法进行说明。图15所示是使用了反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching，RIE)的掩模工序。突起部分的形状要尖锐。因而，可通过该尖锐度决定可记录的标记的直径。在本实施例中，通过利用RIE蚀刻形成在石英基板上的抗蚀剂的曝光图案，可以更良好地尖锐化前端部。
在步骤1中，在石英等基板1501上涂布光抗蚀剂或者电子束用抗蚀剂材料1502。进而，利用激光掩模装置或者电子束描绘装置，使用激光光或者电子束，通过透镜1510等在该涂布的抗蚀剂1502上曝光形成光道的部分，形成光道图案。在改变光道的高度时，可以改变曝光图案的宽度。接着在步骤2，显像曝光了的抗蚀剂材料，除去形成光道的部分的抗蚀剂。最后，在步骤3通过反应性离子蚀刻这样的干蚀刻，形成尖锐化了前端部分的光道，进而，在最后除去抗蚀剂材料，形成压印1501。
在形成了压印1501后，通过注塑成型形成复制盘的基板，并与前述的实施例同样地完成复制盘。
下面，对根据本发明的高密度记录介质的其他的制造方法进行说明。图16所示是与图15同样地使用了反应性离子蚀刻(RIE)的掩模工序。在本实施例中，在步骤1改变光道的高度时，在曝光形成光道的部分之际使进行曝光的激光光或者电子束的强度变化。通过采用这样的做法，对应于光道的高度，步骤2显像后残留的抗蚀剂1502将具有不同的厚度。最后，在步骤3同样地通过反应性离子蚀刻这样的干蚀刻，形成尖锐化了前端部分的光道。进而，在最后除去抗蚀剂材料，形成压印1501。
在形成了压印1501后，通过注塑成型形成复制盘的基板，并与前述的实施例同样地完成复制盘。
这里，为了在空白盘上记录用于进行记录或者再现的地址，以往，一般地是如ROM盘那样形成压纹(凹凸的形状)。但是，在本发明中，在制造光盘时并不将这些地址作为压纹形成。进而，在复制盘作成后，作为初始化格式，与通常的数据记录(光记录或者光磁记录)同样地由存储装置进行记录。例如，在工厂内记录地址时，从制造装置处接收地址信息等格式信息，存储装置的控制部(光盘控制器或微处理器等)进行控制，以低功率的光束进行光道追从控制，每到达时钟的规定时序的规定位置便使用高功率的光束顺次地记录下地址信息。
此外，例如，在光记录介质的使用者在进行格式化的同时也记录地址信息时，可以事先将地址信息保存在存储装置本身的存储器内，在存储装置的控制部收到来自主机装置的格式化指令时，控制从存储器中读出地址信息，并以低功率的光束进行光道追从控制，每到达时钟的规定时序的规定位置便使用高功率的光束顺次地记录下地址信息。由此，可具有简单化介质的作成之类的优点。
下面对有关光道的圆周方向(即光点的扫描方向)的高密度化的实施例进行说明。图17所示是对光磁盘的磁场激光脉冲调制的实施例。图17的(A)所示是记录时进行照射的激光脉冲，(B)所示是对应记录信号的外部磁场，(C)所示是记录介质上的记录图案。(C)的图案1703所示是外部磁场为+H时记录的图案，图案1704所示是外部磁场为-H时记录的图案。外部磁场对应应该记录的信息。使用如参照符号1702所示那样的、具有作为脉冲的ON和OFF之间的比率的占空比的激光脉冲，可以在外部磁场的变化点和激光脉冲的上升点之间给予参照序号1701所示那样的延迟，记录(C)所示那样的图案。这样，通过利用磁场调制和激光脉冲进行记录，可以进行如图17概念地给出那样的所谓的月牙形记录，谋求光道的圆周方向(光道方向)的高密度化。进而，由于使用该磁场激光脉冲调制可以进行超强光记录，故可以进行更高速的记录以及再现。
图18所示是以图17的磁场激光脉冲调制的实施例的方式进行记录或者再现时的、光学头和磁头的构成的实施例。光学头1802由激光二极管1803、平行光透镜1804、物镜1805以及作为移动物镜的移动部的调节器1806构成。如用图1说明过的那样，在激光二极管1802出射的光被平行光透镜1804变换成了平行光线后，通过物镜1805将之会聚在光盘1801的记录面上。同样地，会聚光点如图1所示的那样，由聚焦控制系统140驱动作为移动物镜1805的移动部的调节器1806控制位置，以使光线会聚在光道的突出部的前端。
在光学头1802的数值孔径NA较小时，以光盘1801为中心，在光学头1802的相反侧配置带有记录用线圈1811和读取用磁头1812的浮动滑块1810。利用该浮动滑块1810的记录用线圈1811进行磁场调制在光盘1801上记录数据。此外，在光盘的记录密度为高密度时，也可以使用GMR(巨大磁阻)、TMR(隧道磁阻)等再现磁头。
例如，作为GMR头的例子，可以使用如特开平10-340430号公报所开示的那样的旋阀磁阻效果磁头。此外，作为TMR头的例子，可以使用如特开2001-229515号公报所开示的那样的由第1磁性层、绝缘层、第2磁性层等构成的磁阻效果型磁头。
图19所示也是以图17的磁场激光脉冲调制的实施例的方式进行记录或者再现时的、光学头和磁头的构成的实施例。与图18所示的结构同样地，光学头1802由激光二极管1803、平行光透镜1804、物镜1805以及作为移动物镜的移动部的调节器1806构成。在光学头1802的数值孔径NA较大时，相对于光盘1801，在光学头1802的相同侧配置空芯的记录用线圈1811、读取用磁头1812以及空芯内具有透镜1803的浮动滑块1810。或者也可以在入射光侧配置磁场调制用磁头，用光学头进行再现。
图20所示是通过上述图18说明过的、在光学头数值孔径NA较小时使用的高密度记录介质的光盘基板2001的例子。在该基板2001上，通过按照相邻场光产生用膜、保护膜以及记录膜的顺序层叠各种膜层，可以形成在光学头的数值孔径NA较小时使用的高密度记录介质。
此外，图21所示是通过上述图19说明过的、在光学头数值孔径NA较大时使用的高密度记录介质的光盘基板2101的例子。此时，在入射光的保护膜之后马上形成相邻场光产生用的金属膜。即，通过在该基板2002上按保护膜、记录膜以及相邻场光产生用膜的顺序层叠各种膜层，可以形成在光学头的数值孔径NA较大时使用的高密度记录介质。在作成这样的高密度记录介质的原盘时，利用具有悬臂之类的突起形状的装置，也可以达成将光会聚到记录突起面上的结果。
或者，例如在石英基板上配置抗蚀剂，进而曝光该抗蚀剂作成曝光图案。然后，显像曝过光抗蚀剂材料，除去形成光道的部分的抗蚀剂。最后，利用反应性离子蚀刻这样的干蚀刻，形成尖锐化了前端部分的光道。进而，最后除去抗蚀剂材料，形成压印。在形成了压印后，通过注塑成型形成复制盘的基板，并与前述的实施例同样地完成复制盘。
下面，对有关光道圆周方向的高密度化的其他实施例进行说明。图22所示是使用柱面透镜2202进行有关光道的圆周方向(即光点扫描方向)的高密度化的实施例。图22中，在光盘2201的光入射面上，通过悬挂装置2003支撑配置了柱面透镜2202。入射到柱面透镜2202的激光光2204被柱面透镜2202变成在光道的圆周方向(即光点扫描方向)压缩了的椭圆形状，光道的圆周方向的点径变短。由此，可以谋求光道的圆周方向的高密度化。进而，如果在柱面透镜2202的底部，例如在圆周方向(即光点扫描方向)设置小于等于λ/2长度的狭缝，则可以由此进一步压缩圆周方向的光束，达成进一步的高密度化。
此外，图23所示是在光盘2301和物镜2302之间使用只在光盘的圆周方向带有屋脊形状的屋脊棱镜2303进行有关光道的圆周方向(即光点扫描方向)的高密度化的实施例。由于通过使用这样的屋脊棱镜2303，可以相对于光盘的圆周方向(即光点扫描方向)以具有0阶贝塞尔函数分布的微细形状的光束记录信号，故可以谋求光道的圆周方向的高密度化。
如上述这样，根据本发明，可以提供使用相邻场光的高密度光记录介质、存储装置、高密度光记录介质的记录以及再现方法和高密度光记录介质的制造方法。
本发明并非仅限于具体展开了的实施例，在不脱离权利要求的本发明的范围内，可以考虑各种变形例或实施例。

Claims (24)

1.一种光记录介质，是在基板上至少形成了记录膜和保护膜的光记录介质，其特征在于：在光入射的信号记录面沿规定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道，在上述突出部形成有相邻场光产生膜。
2.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述相邻场光产生膜是金属膜。
3.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述相邻场光产生膜在入射的光的波长中，其复介电常数的实部或者虚部的至少一个具有负的值。
4.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述相邻场光产生膜在入射的光的波长中，其复介电常数的实部是负的，虚部的绝对值具有小于实部的绝对值的值，或者其复折射率的虚部的绝对值大于实部的绝对值。
5.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：在上述基板与上述相邻场光产生膜之间形成有具有较保护膜以及基板的折射率大的折射率的介质膜。
6.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述相邻场光产生膜和上述记录膜之间的距离是入射信号记录面的激光光波长λ的10分之一或其以下。
7.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述尖锐化了的突出部的高度以及斜面的顶角的至少一个在相邻的光道间具有不同的值。
8.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述尖锐化了的突出部的斜面的顶角全角具有90度或其以下的角度。
9.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：在上述尖锐化了的突出部和突出部之间带有平坦部。
10.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述尖锐化了的突出部的前端是平坦部，上述平坦部的长度为以基板的折射率n的2倍除以入射到信号记录面的激光光的波长λ后的值或该值以下，且是不包括0的值。
11.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述尖锐化了的突出部的前端成为具有变曲点的形状或者曲线形状，或者前端的两角带有曲率。
12.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：上述尖锐化了的突出部的高度每N光道周期地改变高度，且在将突起高度不同的多个光道设为一个重复周期时，使上述重复周期的距离d满足λ/d＜1地形成光道。
13.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：光盘的厚度方向具有多个信号记录层。
14.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：在上述尖锐化了的突出部内部，按上述相邻场光产生膜、上述保护膜、上述记录膜的顺序在上述基板上进行层叠。
15.根据权利要求1所记载的光记录介质，其特征在于：在上述尖锐化了的突出部外部，按上述记录膜、上述保护膜、上述相邻场光产生膜的顺序在上述基板上进行层叠。
16.一种记录再现装置，其特征在于具有：
照射光线的光源；
使光线会聚在在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道且在上述突出部形成有相邻场光产生膜的光记录介质上的光学头；以及
使上述光学头移动的移动部，
通过利用上述光学头会聚的光所产生的相邻场光在上述光记录介质的尖锐化了的突出部前端记录或者再现信号。
17.根据权利要求16所记载的记录再现装置，其特征在于进一步具有：
使入射到上述光记录介质的光在记录膜上光点中央部的强度低于周围的强度的光超解像光学元件。
18.根据权利要求16所记载的记录再现装置，其特征在于：在上述装置中安装了上述光记录介质后，在上述光记录介质上记录表示上述光记录介质内的位置的地址信息。
19.根据权利要求16所记载的记录再现装置，其特征在于：在入射到上述光记录介质时，由上述光源照射的光的直线偏振光的方向为与上述光记录介质的光扫描方向成直角方向的P偏振光。
20.一种记录再现装置，其特征在于具有：
照射光线的光源；
使光线会聚在在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道且在上述突出部形成有相邻场光产生膜的光记录介质上的光学头；以及
使上述光学头移动的移动部，
设置具有磁场调制用的记录磁头功能和再现用磁头功能的磁头，
使用由会聚的光产生的相邻场光在上述尖锐化了的突出部前端记录或者再现信号。
21.根据权利要求20所记载的记录再现装置，其特征在于：具有上述再现用磁头功能的磁头是巨大磁阻头或者隧道磁阻头。
22.一种存储装置，其特征在于至少具有：
照射光线的光源；
使来自光源的光线会聚到光记录介质的光学头；
使上述光学头在光道方向上移动的移动部；
检测从在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道且在上述突出部形成有相邻场光产生膜的光记录介质返回的光线的检测部；以及
根据检测部所得到的推挽信号对上述移动部进行道跟踪控制的道跟踪控制部。
23.一种记录再现装置，其特征在于具有：
照射光线的光源；
使光线会聚在在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道且在上述突出部形成有相邻场光产生膜的光记录介质的前述突出部的前端的光学头和移动上述光学头的移动部；
该记录再现装置使用由上述光学头会聚的光产生的相邻场光在上述光记录介质的尖锐化了的突出部前端记录或者再现信号，其中上述光学头沿预定方向具有上述入射的光的波长λ的二分之一或其以下的开口。
24.一种记录再现方法，其特征在于具有：
通过光源照射光线的步骤；
使照射的光线会聚在在光入射的信号记录面沿预定方向具有由尖锐化了的突出部构成的多个记录光道的光记录介质的上述突出部的前端的步骤，
通过利用上述光记录介质的上述尖锐化了的突出部前端产生的相邻场光记录或者再现信号。
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