CN1316066C - 用于低介电基片的表面处理铜箔和包铜层压板和使用这些材料的印刷电路板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种表面处理铜箔，它能够足够保证与低介电基片的粘合强度，该基片用在形成高频率应用中的印刷电路板，并能够尽量减少传输损失。提供一种用于低介电基片的表面处理铜箔，它用在与低介电基片的粘合关系中，其特征为在铜箔表面上形成由块状铜粒构成的球化处理层，并且超细铜粒促使沉淀在整个球化处理层的表面上和粘合在其上面，而表面粗糙度Rz值为1.0到6.5μm。表面处理铜箔的表面颜色具有不大于50的L*、不大于20的a*和不大于15的b*。含有至少一种从由锌和镍构成的组中选出成分的钝化层设置在超细铜粒的表面上，而超细铜粒被促使沉淀在球化处理层的块状铜粒的整个表面上并粘合在其上面。

Description

用于低介电基片的表面处理铜箔和包铜层压板 和使用这些材料的印刷电路板
技术领域
本发明涉及用于印刷电路板的表面处理铜箔，更具体地涉及适合用低介电基片组成的印刷电路板的表面处理铜箔，该基片与高频信号相容。
背景技术
近年来，由于在信息和通讯技术方面显著的进展，国际互联网已经从简单的从介质检索信息的介质成为供给和接受各种形式信息和服务。连同这一变化，对于更加适宜环境的要求，即对于“在更高速度下更大量的信息，在更实在模式下”的要求变得强烈。为实现该适宜环境(国际互联网)，必须在短时间内发出或接收大量信息，而信息的高速设计，即信息的高频率设计变得不可缺少。
使用基片的印刷电路板，用于处理高频率信号要求尽量减少传输损失的技术以便保持和保证信号的质量。传输损失可以区分为导体损失、介电损失和辐射损失等三个因素。当从组成印刷电路板导体线路的铜箔观点看来，传输损失因素应该考虑下列各点。
首先，将描述导体损失。在高频率信号设计的情况，导体线路的表皮电阻增加和导体损失增加。在高频率信号中，表皮效应现象发生，就是说当交流电流被促使流过导体电路，在导体线路的中心部分由于磁通量的变化而产生向后电动力并且电流变得比较不容易流动，其结果是发生电流在导体表面部分流动的现象。由于这一原因，电流在导体线路中有效截面积减少而阻力增加。这叫做表皮阻力。电流在导体线路中流动的表皮部分称作表皮深度并且认为表皮深度随着频率的平方根而成反比例地减少。
当从表皮电阻、表皮深度和频率之间的关系探讨导体线路的表皮深度和表皮电阻时，很明显在信号频率处于GHz区域时表皮深度不大于2μm，并且高频信号只在导体线路的表面层和部分流动。此外，当传输损失通过由形成具有不同导体线路表面形状的铜箔导体电路，即粘结于基片表面的不同形状(粗糙度)而探讨时，当导体线路由具有较大粘结表面粗糙度的铜箔制成时，传输损失显示增加的趋势。这是由于导体线路的表皮效应并且可以认为这是由于信号的传播距离在具有高粘结表面粗糙度的铜箔中变成较长。由此可以认为具有低粗糙度的铜箔，即低轮廓铜箔，作为在用于高频率应用中形成印刷电路板使用的铜箔是有效的。
其次，将描述介电损失。介电损失由基片树脂的介电常数和介电耗散因子决定。当脉冲信号促使在导体电路中流动时，在导体电路周围产生电场的变化。当电场的(频率)变化周期接近基片树脂的极化松弛时间(极化的充电物体传播时间)，电场变化发生延迟。当产生这样的状态时，在树脂中发生分子摩擦而产生热量，从而导致损失。为此，在用于高频率信号的树脂中，大极化性替代基尽量减少或几乎等于零的状态，以便促使由于电场变化而引起上述极化较少发生。顺便提及，在本说明书中一种具有低介电常数性质的基片，其中这样的大极化性替代基尽量减少或几乎为零状态，或者具有低介电耗散因子性质的基片称作低介电基片。
顺便提及，如此大极化性替代基对于基片树脂和铜箔之间的化学粘连作用很大。因此，在由树脂形成的低介电基片(其中大极化性替代基尽量减少或几乎为零状态)中，为了降低介电常数和介电耗散因子，对于铜箔的粘着力是不利的并且因此导体线路的剥离强度趋向于变成很低。在传统使用的FR-4基片和低介电基片之间比较其剥离强度显示，在FR-4基片中，粘着力故障(此时在基片树脂内联结面之间的粘合物碎裂)发生在剥离时并且获得高剥离强度，而在低介电基片中联结面之间故障(此时在铜箔和基片树脂之间的粘合物碎裂)发生并且只获得低剥离强度。当剥离强度低时，有可能在印刷电路板制造过程中电路剥离并且在最外层发生已经安装的零件跌落，显然这是不希望的。
为了减少介电损失，有可能通过合理设计铜箔对付剥离强度的减少(由于使用低介电基片)。就是说，通过增加铜箔的粘合表面粗糙度可能改进剥离强度。不过，当铜箔的粘合表面粗糙度增加时，如上所说导体损失效应增加，虽然在低介电基片中的剥离强度问题可以解决。
发明内容
本发明是在上述情况的背景下建立起来。本发明目的是提供一种表面处理铜箔，它能够保证与低介电基片一起使用时有足够的粘合强度，该基片用在形成高频率应用的印刷电路板上并且能够尽量减少传输损失。
为实施上述任务，考虑到在高频率应用中低介电基片内抑制传输损失的要求，本发明者研究一种改进的与基片粘合强度的铜箔。结果，本发明提出一种用于低介电基片的表面处理铜箔，它与低介电基片形成粘合关系，其特征为块状铜颗粒组成的球化处理层在铜箔表面上形成，并且超细铜颗粒被促使沉积在球化处理层的整个表面和在其上面粘合，而表面粗糙度值Rz为1.0到6.5μm。
按照有关本发明用于低介电基片的表面处理铜箔，有可能实现高粘合强度，因为对于低介电基片也可保证确实的粘合。就是说，当低介电基片和属于本发明的表面处理铜箔粘合在一起时，铜箔不容易从粘合联结面剥下。当用于属于本发明的表面处理的铜箔从基片剥下时，在基片的树脂内发生碎裂现象而所谓粘着故障的现象发生时，将导致高剥离强度。
用于属于本发明的低介电基片的表面处理铜箔中的球化处理层是通过在铜箔表面上用燃烧镀膜条件下形成铜微粒和通过执行密封镀膜而防止铜微粒的跌落。这里所谓“密封镀膜”涉及在均匀状态下进行沉积铜的镀膜处理。在该球化处理层中，具有粒子尺寸为0.5到3.0μm的大量块状铜的颗粒存在于铜箔表面。
在属于本发明的低介电基片的表面处理铜箔中，超细铜颗粒被促使沉积在该球化处理层的块状铜颗粒上并粘合在球化处理层的所有表面。该超细铜颗粒涉及非常细的铜颗粒(粒子尺寸为0.1到1.0μm)而其形状，并不特别限制，包括所谓球形的和针状的(在本行业熟练人士称做“胡须镀膜”)。例如，有可能考虑环境保护因素利用铜电解液中添加苯喹啉而形成超细铜颗粒，苯喹啉可以利用含砷电解液沉淀和粘合并具有较低的影响人体的可能性。当如此超细铜颗粒均匀地沉淀在各块状铜颗粒的表面上并促使在整个球化处理表面上沉淀而粘合在这里时，在整个球化处理的块装铜粒表面上给予细小凹形和凸形的形状，其结果有可能在很高程度上增加对于基片的粘合力。最小水平的L*是-50，而在该值的负向方面，超细铜粒的跌落现象(称作粉末化)变得容易发生，而当粘合在基片上的表面处理铜箔被剥离时铜粒保留在基片表面上的现象(称作转移)变得容易发生。此外，a*和b*的最小值为0，因为表面处理铜箔获得彩色的色调，看上去有点红色的铜色。
较佳地，在属于本发明的低介电基片的表面处理铜箔中，在表面处理铜箔粘合于低介电基片一面的表面处理铜箔的表面颜色具有L*不大于50，a*不大于20而b*不大于15。当属于本发明的低介电基片的表面处理铜箔的表面颜色按照JIS Z 8729标准定义的色彩系统中L*a*b*(L星、a星、b星)识别时，粘合表面具有这样的颜色。如果粘合表面具有这样的表面颜色，有可能更确实地改进对于低介电基片的粘合强度。此外，当超细铜粒被促使沉淀在铜箔表面并如本发明中一般粘合在此，有点红色的色调并且看上去是所谓铜色的颜色趋向于消失。
在开发属于本发明的低介电基片的表面处理铜箔中，本发明者认识到在传输特性中有一种如下所述的趋向。如以前所描述，当信号频率处于GHz区域时，该高频信号只在导体电路的表面层和表皮部分流动，而当与基片粘合的铜箔表面形状(粗糙度)变粗时传输损失趋向于增加。因此，本发明者探讨粘合表面的表面形状之间的关系，即在表面处理铜箔中球化层和传输特性并求出具有粒子尺寸为0.5到3.0μm的块状铜粒(组成球化处理层的成分)影响传输特性的发生条件。更具体地说，当块状铜粒(组成球化处理层的成分)的密度极度增加时传输特性趋向于变坏。块状铜粒发生条件之间的相互关系，例如，块状铜粒的分布密度值和传输特性还没有澄清。
不过，本发明者已经确定通过适当地控制块状铜粒(组成球化处理层的成分)的密度，有可能实现用于低介电基片的表面处理铜箔，而该基片并不削弱传输特性。
再说，在关于本发明的用于低介电基片的表面处理铜箔中，较佳地包含至少从由锌和镍构成的组中选出的一种钝化层设置在超细铜粒表面上，这些超细铜粒被促使沉积在球化处理层的块状铜粒整个表面上并且粘合在此。在这种情况，锌和镍成份按照各种类型低介电基片的特性可决定最佳钝化层。
按照本发明者的研究，已经确定在关于本发明的用于低介电基片的表面处理铜箔中，在锌和镍的钝化层形成的情况下，镍和锌的沉积总量较佳地为20到60毫克/平方米。如果该钝化层在事前形成，铜箔不容易从通过粘合于低介电基片获得的粘合接合面剥离，而钝化层提供绝佳的化学阻力、潮湿阻力或钎焊热阻力。基本上，镍含量越高，剥离强度、化学阻力、潮湿阻力和钎焊热阻力越好，而化学阻力和钎焊热阻力随着锌含量增加而变坏。因而，当镍和锌的钝化层形成时，较佳地从实用角度出发，当镍和锌的沉积总量为20到60毫克/平方米时，钝化层含有镍和锌的比例在6∶4到8∶2(镍比锌)的范围。当镍比例超过80％时，在形成线路时趋向于形成蚀刻残余物。此外，当锌比例超过40％时，化学阻力、潮湿阻力或钎焊热阻力化学阻力和钎焊热阻力变坏，使包铜成为不可能。
还有，本发明者已经确定在该钝化层中，镍和锌的沉积量取决于上述超细铜粒的处理条件而易于变化。就是说，在表面被处理提供大量超细铜粒的情况下，当用镍和锌的钝化实际上已经执行时，镍和锌的沉积量易于比计划中沉积的量更大。因此，在形成钝化层时，必须事前考虑超细铜粒的处理条件而决定镍和/或锌的钝化条件。还有，虽然在关于本发明的用于低介电基片的表面处理铜箔中，球化处理层要求块状铜粒具有0.5到3.0μm的颗粒尺寸和超细铜粒具有0.5到3.0μm的颗粒尺寸作为基本要求，本作者已经确定即使球化处理层只具有块状铜粒(即，形成超细铜粒的处理没有执行)，通过在球化处理层(没有经过形成超细铜粒的处理)上形成上述镍和/或锌的钝化层，可以保证对于低介电基片的粘合达到一定程度。
在关于本发明的用于低介电基片的表面处理铜箔中，较佳的是在包含在由锌和镍构成的组中至少选出一种成分的钝化层上形成铬酸盐层，并且形成硅烷联结剂吸收层，其中硅烷联结剂吸收在铬酸盐层的表面上。铬酸盐层和硅烷联结剂吸收层可进一步改善潮湿阻力和化学阻力和进一步改善对于低介电基片的粘合。
在这一情况，硅烷联结剂的类型并不特别限制并且可能利用，例如，vinyltrimethoxysilane，vinyl phenyl trimethoxysilane，γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane，4-glycidylbutyl trimethoxysilane，imidazolesilane，triazinesilane和γ-mercaptopropyltrimethoxysilane。此外，按照本发明者的研究，已经确定氨基功能的硅烷和丙烯酸硅烷适合于低介电基片。例如可能列举γ-aminopropyltriethoxysilane，N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltrimethoxysilane，N-3-(4-(3-aminopropoxy) ptoxy)propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane，γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane，γ-acryloxypropylmethoxysilane等。
在关于本发明的用于低介电基片的表面处理铜箔中，较佳的是用电解铜方法使铜沉积在阴极上而形成铜箔，并且从阴极上剥下的铜箔(在阴极的反面)的表面经受表面处理。通常，用电解制造的铜箔是通过用阴极在硫酸铜电解液浸蘸而获得的。在连续制造的方法中，鼓状旋转阴极浸入硫酸铜电解液，促使铜通过电解反应沉积在阴极上形成铜箔，而铜箔从阴极表面剥下。在这样电解沉积的铜箔上，在初始电解沉积阶段电解沉积在阴极表面上的一面称作光亮面而与该光亮面相反的一面(在该面上电解终止)称作不光滑面，以示区别。光亮面是光滑表面，它提供阴极表面的转移外形，而不光滑面提供具有不规则性的未完工表面。如果在本发明中需要获得具有低粗糙度的表面处理铜箔，该表面处理铜箔可以容易地通过使该光亮面经受上述表面处理而形成。
顺便提及，理所当然，有可能利用两面均为光滑的轧制的铜箔代替电解沉积的铜箔。
此外，关于本发明的用于低介电基片的表面处理铜箔也适合应用在含有从由液晶聚合物、聚氟乙烯、异氰酸化合物和低介电聚酰亚胺化合物构成的组中选出至少任何一种成分的低介电基片。由这些材料形成的低介电基片具有绝佳低介电常数，并且可能通过粘合该低介电基片在用于关于本发明的低介电基片的表面处理铜箔上而获得高剥离强度。这是因为如上所说，当用于关于本发明低介电基片的表面处理铜箔粘合在这些低介电基片和铜箔被剥离时，一种所谓粘着故障现象在基片的树脂内发生。
附图简单说明
图1为表面处理设备的示意性侧视图。
图2为按照本发明铜箔粘合表面的观察图像照片，在扫描电子显微镜下通过表面观察获得。
图3为传统铜箔粘合表面的观察图像照片，在扫描电子显微镜下通过表面观察获得。
具体的实施方式
本发明的较佳实施例将在以下描述。
第一实施例  对于用于第一实施例的低介电基片的表面处理铜箔，由电解沉积铜箔制造设备(设置钛制旋转阴极筒浸入硫酸铜电解液中)生产并卷成筒形的电解沉积铜箔作为原料。该卷成筒形的电解沉积铜箔利用图1所示表面处理设备经受表面处理，然后产生适合于高频印刷电路板的本实施例用于低介电基片的表面处理铜箔。图1显示表面处理设备1的示意性侧视图。图中该处理设备是从侧面观察的形式，电解沉积铜箔2通过导向辊筒3被导向各处理槽使其蛇形前进。各表面处理段将在图1的基础上描述。
图1的表面处理设备1把电解沉积的铜箔2绕成卷筒形状(低轮廓形式的电解沉积铜箔具有国际先进水平18μm的公称厚度和表面粗糙度Rz为3.0μm)，并且当铜箔由于导向辊筒3以如下顺序通过各处理槽而执行表面处理。
卷绕的电解沉积铜箔2首先进入酸洗槽4。在充满具有硫酸浓度为150克/升的稀硫酸溶液，并且在温度为30℃的酸洗槽4中除去粘合在电解沉积铜箔2上的油脂成份，浸泡时间为大约30秒，同时除去表面上的氧化物薄膜，从而使电解沉积铜箔2清洁。在离开酸洗槽后4后，电解沉积铜箔2通过清水漂洗槽5，并进入球化处理槽6以便在电解沉积铜箔2的不光滑面形成块状铜粒。在球化处理槽6中执行的表面处理包括在处理槽6A中的处理，其中包括使铜微粒沉淀在电解沉积铜箔2的不光滑面上并粘合在上面，和为了防止铜微粒的跌落而在密封镀槽6B中的处理。电解沉积铜箔2本身此时被极化在阴极上，并且在处理槽6A、6B内平板状阳极7适当地设置为平行于电解沉积铜箔的不光滑表面。
在处理槽6A中为了使铜微粒沉淀并粘合在电解沉积铜箔2上，在燃烧镀膜的条件下和在硫酸铜溶液中执行电解过程10秒：硫酸浓度为120克/升，铜浓度为23克/升，液体温度为28℃和电流密度为15安培/平方分米。在防止铜微粒跌落的密封镀膜槽6B中微粒在处理槽6A中已经形成，密封镀膜是通过在硫酸铜溶液中并在水平镀膜条件下执行电解过程25秒而实施：该条件为硫酸浓度为160克/升，铜浓度为70克/升，液体温度为48℃和电流密度为18安培/平方分米。此时，平板状阳极7以与处理槽6A相同的方式设置在处理槽6A中。
随着以这样的方式形成块状铜粒的球化处理步骤后，在硫酸铜溶液中超细铜粒被促使均匀地沉淀在块状铜粒的表面上并粘合在其面上，其镀膜条件为：硫酸浓度为80克/升，铜浓度为15克/升，α-萘酚喹啉浓度为本120毫克/升，液体温度为40℃和电流密度为35安培/平方分米。在图1显示的用于形成超细铜粒8的处理槽中，超细铜粒8促使沉淀在所有块状铜粒上并粘合在其上面。
随后，在通过清水漂洗槽5后在镍锌钝化槽9中执行镍锌合金镀膜。在此阳极7也如图1所示设置。对于该槽中的镀膜，采用焦磷酸浴槽，其中维持Ni浓度为0.3克/升和锌浓度为2.5克/升，镀膜条件为液体温度40℃，电流密度10安培/平方分米和电解时间2秒。
其次，在电解铬酸盐钝化槽10中，通过在镍-锌钝化层上执行电解而形成铬酸盐层，镍-锌钝化层是在通过清水漂洗槽5后在镍锌钝化槽8中形成。此时的电解条件为铬酸浓度5.0克/升，pH值11.5，液体温度35℃，电流密度8安培/平方分米和电解时间5秒。在该处理槽内，阳极7设置如以上所述。
清水漂洗是在完成电解铬酸盐钝化以后执行的，在此以后硅烷联结剂槽处理槽11中，硅烷联结剂对于球化处理表面的吸附处理在铜箔表面没有干燥以前立即执行。此时液体成份用添加5.0克/升的γ-氨基丙基三甲氧硅烷到离子交换水作为溶剂。通过用喷淋法向铜箔表面喷射该溶液而实施吸附处理。
在完成硅烷联结剂处理后，电解沉积的铜箔2最后在干燥段12中处理，其中大气温度用电热器13调整，使铜箔温度不大于100℃，电解沉积铜箔被促使花费约4秒时间通过加热炉内部，从而除去湿汽成份并且促进硅烷联结剂的凝聚反应。电解沉积铜箔2卷绕成为筒形作为完工的表面处理铜箔14(今后称作发明的铜箔)。在上述步骤中电解沉积铜箔的移动速度为2.0米/分钟，而在各清水漂洗槽5步骤之间能够用15秒进行清水漂洗提供作为执行清水漂洗的需要，从而防止在先前处理步骤中遗留的溶液。
此外，传统表面处理铜箔(今后称作传统铜箔)也生产作为比较。如同在上述本实施例的表面处理铜箔作为原料一样，该传统铜箔从同样的电解沉积铜箔中产生。虽然该传统铜箔也是通过图1中所示表面处理设备执行表面处理，其制造方法与上述本实施例的表面处理铜箔相同，但例外的是在执行球化处理后不再执行超细铜粒的沉积和粘合(不设置形成超细铜粒8的处理槽)，同时用锌钝化代替镍-锌钝化，并且用环氧硅烷作为硅烷联结剂(不过，溶液浓度和应用条件相同)。因此，省略了制造方法的描述。在该锌钝化的镀膜中，采用磷酸锌浴槽，维持锌浓度为5.0克/升，而镀膜条件为液体温度为40℃，电流密度为10安培/平方分米和电解时间为2秒。
表1显示粘合表面粗糙度(Rz)和发明的铜箔A及传统铜箔表面钝化量的测量结果。
[表1]
(Zn，Ni和Cr量的单位：毫克/平方米)
利用热固性PPO(聚氧化苯二胺)树脂基片预浸料坯作为用于高频应用的低介电基片，从表1所示发明的铜箔和传统的铜箔各制造出包铜的层压板，并测量在铜箔和基片之间粘合接合面的剥离强度。该剥离强度测量的实施是通过在形成各包铜层压板后制成0.8毫米宽的电路并且剥离该电路(按照IPC-TM-650 2.4.8.5)。结果，很明显发明的铜箔剥离强度平均为0.89kN/m(千牛/米)而传统的铜箔为0.28kN/m。当在剥离试验后观察铜箔和基片表面，可以确定在发明的铜箔中，所谓粘合故障发生在基片的树脂中。另一方面，在传统的铜箔中剥离发生在铜箔和基片之间的接合面上，就是说发生面与面之间的故障。
另外，具有公称厚度为12μm的铜箔(表面粗糙度Rz 3.5μm)和具有公称厚度为35μm的铜箔(表面粗糙度Rz 4.6μm)作为电解沉积铜箔2经受与上述发明的铜箔同样的处理，形成热固性PPO(聚氧化苯二胺)树脂基片的基片和包铜层压板，并测量其剥离强度。结果，很明显发明的铜箔剥离强度当厚度为0.12μm时为0.72kN/m(千牛/米)而当厚度为35μm时为1.00kN/m。
其次，以下将描述探讨用超细铜粒表面处理对传输损失效果的结果。一条5厘米长的剥离电线调整使其形成50Ω的特性阻抗，信号从该玻璃电线一端输入，从另外一端探测其输出并从信号的衰减率估算其传输损失。结果，无论在1GHz或3GHz处发明的铜箔和传统铜箔之间均没有很大的差别，并且可以判断超细铜粒对于传输损失没有影响。
随后，将描述在扫描电子显微镜(SEM，放大倍数：5000)下观察发明的铜箔和传统的铜箔粘合表面的结果。图2显示发明的铜箔而图3显示传统铜箔。从图2和图3之间的比较，显然在发明的铜箔中超细铜粒被促使均匀地沉淀在块状铜粒的表面上并且粘合在上面。
第二实施例
在第二实施例中，将描述探讨粘合表面的钝化层和低介电基片的粘结的结果。
在第二实施例中使用的用于低介电基片的表面处理铜箔是通过与在上述第一实施例中同样的方法制造。不过，在图1中表面处理设备1中镍-锌钝化槽9内的电流密度为控制钝化层的镍和锌的沉积量而变化，(其它条件相同)。结果，可以获得具有不同镍和锌沉积量的用于低介电基片的表面处理铜箔。用于该实施例中的电解沉积铜箔为低轮廓铜箔并具有18μm的公称厚度(表面粗糙度Rz：3.0μm)。表2显示在第二实施例中生产的各表面处理低介电基片的钝化层成份。
[表2]
Figure C0380134700121
氨基硅烷：γ-aminopropyltrimethoxysilane
环氧硅烷：γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane
如表2所示，发明铜箔B是作为用于关于本发明低介电基片的表面处理铜箔而生产的。此外，作为比较，镍和锌成份比例变化的铜箔，不经受形成超细铜粒处理的铜箔，和采用环氧硅烷联结剂的铜箔等(溶液浓度和应用条件与第一实施例相同)生产作为比较铜箔B1到B4的表面处理铜箔。
通过利用相似于第一实施例用于高频率应用的低介电基片(热固性PPO树脂基片)预浸料坯，从表2所示各表面处理铜箔制成包铜层压板。对于在铜箔和基片之间粘结接合面的剥离强度(在正常状态下)利用这些包铜层压板进行测量(按照IPC-TM-650 2.4.8.5)，并且调查在PCT后的潮湿阻力和PCT后的钎焊热阻力。PCT表示压力锅试验。在PCT后的潮湿阻力衰败率是如此获得的：即通过对于各包铜层压板形成0.8毫米宽的电路，在温度为121℃和2个大气压力的100％RH(相对湿度)气氛中维持2小时，在干燥后测量其剥离强度，并检查比正常状态的玻璃强度衰退多少百分率。在PCT后的钎焊热阻力是如此获得的：即通过对于各包铜层压板制作5毫米方形的试样，使试样在温度为121℃和2个大气压力的100％RH(相对湿度)气氛中，在246℃的钎焊熔液槽中飘浮20秒，在干燥后用肉眼观察铜箔和基片之间粘结状态。表3显示该测量的结果。
[表3]
Figure C0380134700131
如在表3中所示，显然发明铜箔B是处于任何正常状态的剥离强度、PCT后的潮湿阻力的衰减率和PCT后的钎焊热阻力中均无实际问题的水平。另一方面，在比较铜箔B1(其中镍和锌的沉积量有变化，镍对于锌之比在6∶4到8∶2范围变化)的情况中，PCT后的潮湿阻力衰减率显示有一点变坏的趋向。在比较铜箔B2的情况(其中形成仅含有锌而根本不含镍的钝化层)中，在PCT后潮湿阻力的衰减率极度变坏，而在探讨PCT后的钎焊热阻力中，发生说明铜箔同基片剥离的分层得到肯定。也在比较铜箔B3的情况(没有经受形成超细铜粒的处理)和比较铜箔B4(采用环氧硅烷联结剂)中，在PCT后的潮湿阻力衰减率极度变坏，并且PCT后的钎焊热阻力也显示出坏的结果。
工业应用可能性
如以上所描述，按照关于本发明用于低介电基片的表面处理铜箔，有可能确定地粘合铜箔在基片上，即使基片为高频应用中的低介电基片，这被认为具有低粘合强度，并且有可能维持高粘合强度。此外，即使在严酷的潮湿条件下有可能维持极佳的粘合强度。并且有可能制造适合于高频率应用并具有低传输损失的包铜层压板和印刷电路板。

Claims (8)

1.一种用于低介电基片的表面处理铜箔，粘合在低介电基片上使用，其特征在于，在铜箔表面形成由块状铜粒构成的球化处理层，和超细铜粒促使沉淀在球化处理层的整个表面上并粘合在其上面，和表面粗糙度Rz为1.0到6.5μm，
还包含至少一种从锌和镍构成的组中选出的金属的钝化层被设置在超细铜粒的表面上，而超细铜粒促使沉淀在球化处理层的块状铜粒的整个表面上并粘合在其上面，钝化层由锌和镍形成并且锌和镍的总沉积量为20到60毫克/平方米，由锌和镍形成的钝化层包含镍对于锌的比例在6∶4到8∶2的范围中的镍和锌。
2.按照权利要求1所述的用于低介电基片的表面处理铜箔，其特征在于，表面处理铜箔在表面处理铜箔粘合于低介电基片的一侧上的表面颜色具有不大于50的L*、不大于20的a*和不大于15的b*.
3.按照权利要求1所述的用于低介电基片的表面处理铜箔，其特征在于，在包含至少一种从锌和镍构成的组中选出的金属的钝化层上形成铬酸盐层，并且形成其中有硅烷联结剂吸附在铬酸盐层表面上的硅烷联结剂吸附层。
4.按照权利要求1到3之一所述的用于低介电基片的表面处理铜箔，其特征在于，铜箔是由铜的电解过程中通过促使铜沉积在阴极上而形成，并且在阴极反面的铜箔表面在剥下以后进行表面处理。
5.按照权利要求1到3之一所述的用于低介电基片的表面处理铜箔，其特征在于，铜箔是由铜的电解过程中通过促使铜沉积在阴极上而形成，并且在铜箔的电解的精整面的铜箔表面经受表面处理。
6.一种包铜层压板，其中按照任何权利要求1到5中任一个所述的用于低介电基片的表面处理铜箔粘合在低介电基片上。
7.按照权利要求6所述的包铜层压板，其特征在于，低介电基片包含从由液晶聚合物、聚氟乙烯、异氰酸化合物和低介电聚酰亚胺化合物构成的组选出的任何一种成份。
8.一种印刷电路板，由按照权利要求6或7所述的包铜层压板形成。
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