CN1306556C - 薄膜装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种薄膜装置的制造方法、电光学装置和电子设备，所述薄膜装置的制造方法包括：在第一基板(11)上使用根据光刻法的图像形成工艺形成细微构造体或薄膜电路层(30)的过程(图1(a))；将细微构造体或薄膜电路层从第一基板移动到第二基板(42)，或经第三基板(33)从第一基板移动到第二基板(42)的过程(图1(b)～图2(b))；在移动到第二基板上的上述细微构造体或上述薄膜电路层上使用非光刻法形成薄膜图案(51～52)的过程(图3(a)～该图(d))。利用本发明的转移技术，即使在形状稳定性差的基板上转移形成细微构造体或薄膜电路层情况下，也可不降低所制造的薄膜装置的尺寸精度。

Description

薄膜装置的制造方法
技术领域
本发明涉及采用了使用转移技术来制作薄膜装置的转移法的薄膜装置的制造方法，所述转移技术，是将在元件形成基板上形成的薄膜电路层或微细构造体等转移到其他基板上的技术。
背景技术
在液晶显示装置(LCD)和有机EL显示装置等装置中，存在因防止变形或坠落引起的破坏、降低成本等原因希望将塑料基板用于底层基板的情况。
但是，由于用于面板型显示装置等的薄膜晶体管的制造过程要经过较高温工艺，所以具有在上述工艺中不能使用有机EL元件等电路元件的问题。
因此，申请人提出了通过包括高温半导体工艺的半导体制造技术，在耐热基板上制造半导体装置后，从该基板剥离形成了半导体装置的元件形成层，并通过将其粘贴在塑料基板上来制造薄膜装置的转移技术。例如，在特开平10-12529号公报、特开平10-12530号公报、特开平10-12531号公报中介绍了剥离转移技术。通过使用这种剥离转移技术，将在高温工艺下制造的薄膜晶体管等薄膜电路层转移到塑料基板上而可制造薄膜装置。
【专利文献1】特开平10-12529号公报
【专利文献2】特开平10-12530号公报
【专利文献3】特开平10-12531号公报
但是，在塑料基板上转移了薄膜电路层后到完成薄膜装置之前需要形成布线、布线连接、追加外部电路、形成保护膜等在塑料基板上的成膜。但是，塑料基板存在形状的稳定性差的缺点。即，塑料基板因热膨胀/热收缩或水分的吸收/释放而在工艺过程中产生了伸缩。另外，由于塑料基板机械强度差，所以工艺过程中容易产生挠性。因此，对于转移到塑料基板上的薄膜电路层图案，确保严密的尺寸精度来实施追加工序是困难的。
发明内容
本发明的目的是提供一种转移技术，也就是，即使向转移形成在塑料基板上的薄膜电路层实施适当的追加工序，转移形成具有正确功能的薄膜装置的制造方法等情况下，也不降低所制造的薄膜装置的尺寸精度的转移技术。
为实现上述目的，本发明的薄膜装置的制造方法包括以下步骤：在第一基板上使用根据光刻法的图案形成工艺形成细微构造体或薄膜电路层的步骤；将所述细微构造体或上述薄膜电路层从所述第一基板转移到第二基板上，或经第三基板从所述第一基板转移到所述第二基板的步骤；对移动到所述第二基板上的上述细微构造体或上述薄膜电路层使用非光刻法对所述薄膜电路层施加附加工艺的步骤，其中所述第一基板是石英玻璃、碱玻璃等的硬质基板，所述第二基板是塑料等的软质或挠性基板。
根据该结构，在所有光刻工序结束之后进行细微构造体和薄膜电路层的转移工序，且对于转移后的所述薄膜电路层的追加工序是利用液滴喷出(喷墨)法、印刷法、掩膜蒸镀法、伴随对位工序的贴合法等而进行，所以即使在最终转移基板(第二基板)为如塑料的场合，由热膨胀性或挠性而使形状稳定性差的情况下，也可避免图案形成精度或对位精度的降低。
这里，在为制作由细微构造体构成的薄膜电路层所使用的光刻法中，需要1μm以下的尺寸精度和对位精度。另一方面，假设一边的长度例如为50cm的塑料基板仅有10ppm(0.01％)的膨胀，则基板整体产生5μm左右的尺寸变化。由于该变化量超过了光刻法所要求的尺寸精度，所以在塑料基板上实施本方法是很困难的。
因此，可以利用这样的结构，也就是，在例如玻璃基板、石英基板等硬质基板上完成形成薄膜电路层的细微构造的工序，将该薄膜电路层转移形成到塑料基板上后，使用不需要严密的尺寸精度的手段(液滴排出(喷墨)法、掩膜蒸镀法、伴随对位工序的贴合法等)对该薄膜电路层进行追加工序的结构，而可制造具有正确功能的薄膜装置。
例如，在有机EL显示装置上使用上述制造工艺的情况下，对于第一基板(玻璃基板)实施从底层的形成到分离彼此相邻的有机EL发光元件的贮存格层为止使用光刻法的工序，而结束形成作为转移对象的薄膜电路层的工序。将该薄膜电路层转移到第二基板(塑料基板)上后，通过液滴喷出法进行有机EL发光层的成膜。由此，可以以需要的充分精度在薄膜电路层上形成有机EL发光层。
由于所述第一基板是石英玻璃、碱玻璃等的硬质基板，所述第二基板是塑料等的软质或挠性基板。由此，可在硬质基板上高精度地进行薄膜电路的形成等要求图案化精度的工序。
最好，所述非光刻法包含液滴喷出法、印刷法、掩膜蒸镀法、伴随对位工序的贴合法中的至少一种。根据液滴喷出法，由于不使用掩膜，不需要进行掩膜重合，所以即使在因塑料基板膨胀，基板图案和掩膜图案不重合的情况下也可形成图案。另外，印刷法、掩膜蒸镀法、伴随对位工序的贴合法等虽然需要掩膜重合，但是若图案化所要求的尺寸精度和对位精度比塑料基板的变形量更大，则可以避免因尺寸和对位的误差所造成的薄膜装置制品的不佳。
最好，通过贴合所述第一基板和所述第二基板后，将能量施加给配置在所述第一基板和所述细微构造体或所述薄膜电路层之间的剥离层而产生剥离，或者，通过蚀刻或研磨，从贴合的所述第一基板和所述第二基板中去除所述第一基板而将所述细微构造体或所述薄膜电路层从所述第一基板转移到所述第二基板。在剥离了第一基板的情况下，可以重新使用第一基板，由于可反复使用石英玻璃等价格昂贵的基板，故很好。但不作特别限定，也可通过研磨、蚀刻等除去第一基板。
另外，本发明的电光学装置和电子设备的特征在于包含由上述制造方法所制造的薄膜装置。使用本发明的制造法作成的薄膜装置等，在最终基板是塑料基板的情况下，也可得到具有精度较好的细微构造体和薄膜电路层等的装置。
薄膜装置通过使用半导体制造技术来成膜薄膜材料而实现其功能，典型的是薄膜电路。另外，薄膜装置包括使用半导体制造技术等实施了细微加工的振动体、执行元件、光学元件等细微构造体。电光学装置一般是指包括通过电作用发光或使来自外部的光的状态改变的电光学元件的装置，包括自己发光和控制来自外部的光通过的装置两者。例如，作为电光学元件，可举出有液晶元件、具有分散电泳粒子的分散介质的电泳元件、EL(场致发光)元件、使施加电场所产生的电子与发光板碰撞而发光的电子发射元件，具有该电光学元件的显示装置是电光学装置。
电子设备是将薄膜装置或电光学装置用作显示部等的设备，包含摄像机、电视机、大型屏幕、携带电话、个人计算机、便携信息设备(所谓的PDA)和其他各种设备。
附图说明
图1中，图1(a)到(d)是说明制造本发明实施例的有机EL显示器过程的工序图；
图2中，图2(a)到(d)是说明制造本发明实施例的有机EL显示器过程的工序图；
图3中，图3(a)到(d)是说明制造本发明实施例的有机EL显示器过程的工序图；
图4中，图4(a)到(d)是说明制造本发明第二实施例的有机EL显示器过程的工序图；
图5中，图5(a)到(d)是说明制造本发明第二实施例的有机EL显示器过程的工序图；
图6中，图6(a)到(e)是说明第三实施例的工序图；
图7中，图7(a)到(c)是说明第四实施例的工序图；
图8中，图8(a)到(c)是说明第五实施例的工序图；
图9是说明有机EL显示装置(电光学装置)的例子的说明图；
图10是说明具有薄膜装置、电光学装置的电子设备的例子的说明图。
图中：11-玻璃基板(第一基板)，12-剥离层(非晶硅层)，30-细微构造体·薄膜电路层，31-临时粘接剂，33-临时转移基板(第三基板)，41-永久粘接剂，42-塑料基板(第二基板)
具体实施方式
(第一实施例)
下面，参照附图说明本发明的实施形态。本发明的实施形态中，在石英玻璃或碱玻璃等第一基板上形成细微构造体和薄膜电路等的功能元件。使用上述转移法将该功能元件移动到第二基板上。第一基板上的功能元件的形成中，虽然通过光刻来进行成膜的图案化，但是在第二基板上不进行由光刻法实施的成膜的图案化。转移后所需的图案化是使用液滴喷出法等没有必要进行掩膜重合的方法。因此，尽可能在第一基板上进行成膜的图案化。
例如，在薄膜装置为有机EL显示装置的情况下，在第一基板上一直进行到隔开各象素的障壁(贮存格)形成工序之后，才转移到第二基板(塑料基板)上。另外，对于用于有机EL显示装置的贮存格结构和其作用已详细记载在本申请人的特开2001-341296号公报和特开2002-222695号公报等中。
图1到图3是说明通过薄膜结构的转移法来制造作为电光学装置的有机EL显示装置的制造工序的工序图。
首先，如图1(a)所示，在作为第一基板的透明玻璃基板11上通过CVD(化学蒸镀)法成膜非晶硅(α-Si)12来作为剥离层。
剥离层通过后述的激光等照射光而在该层内、界面上产生剥离(称为“层内剥离”或“界面剥离”)。即，通过照射一定强度的光，构成结构物质的原子或分子中的原子间或分子间的结合力消失或减小，产生消蚀(ablation)等而引起剥离。另外，还存在通过照射光的照射，从剥离层中释放气体，而达到分离的情况。有剥离层中所含的成分成为气体释放而达到分离的情况以及剥离层吸收光而成为气体并释放其蒸汽而达到分离的情况。作为这种剥离层的组成虽然最好为非晶硅(α-Si)，但是并不限于此。
该非晶硅中也可含有氢。氢的含有量最好在2at％以上，但是若为2～20at％更好。这是因为当含有氢时，通过光的照射释放氢而在剥离层中产生内压，其促进了剥离。氢的含有量是通过适当设定成膜条件、在使用CVD法的情况下其气体的组成、气体压力、气体气氛、气体流量、气体温度、基板温度、投射光的功率等条件来进行调整。
在该非晶硅12上成膜二氧化硅层(SiO2)13作为绝缘层。接着，将二氧化硅层13作为底层，通过CVD法在其上成膜硅层14后作为半导体层。通过激元激光等对该硅层14进行热处理，而使其多晶化。另外，也可通过等离子CVD法成膜多晶硅层。通过光蚀刻法图案化该硅层14，而形成形成了薄膜晶体管的活性化区域。
在该硅层14上通过CVD法形成作为栅绝缘膜的二氧化硅层15。其上通过CVD法成膜以高浓度含有不纯物的硅层，并通过光刻法来进行图案化，而形成栅极和布线16。将栅电极16作为掩膜，通过离子注入法将不纯物注入到薄膜晶体管的源·漏极区域。通过进行热处理而活化不纯物。在栅绝缘膜15、栅电极和布线16上通过CVD法成膜硅氧化膜17来作为层间绝缘膜。
在薄膜晶体管的源·漏极区域上的硅氧化膜17上通过光刻法开口接触孔。成膜铝等金属层或多晶硅层来作为源·栅极和布线，并通过光刻法实施图案化，而形成源·漏极和布线18。
进一步，在源·漏极和布线18等上通过CVD法成膜二氧化硅19来作为保护层。接着，通过光刻法开口漏极上的二氧化硅19。其上成膜ITO等的透明电极层，并由光刻法进行图案化而形成有机EL发光元件的下部电极层20。在其上成膜二氧化硅21，并通过光刻法开口下部电极(ITO)20部分。进一步，涂敷感光性树脂22作为分离象素区域的贮存格层，进行下部电极20的图案曝光而显像，而在下部电极20上开口。底层的绝缘层13到贮存格层22形成了薄膜电路层30。
另外，虽然在本实施例中将薄膜电路层30作为转移对象，但是在其他薄膜装置中可以在该部分单独或与薄膜电路层同时形成作为转移对象的细微构造体。如上所述，细微构造体中包括压电振动体、静电振动体、执行元件、衍射光栅、微型反射镜、微型透镜、光学元件、活体样品和DNA样品的检验结构等。
下面，如图1(b)所示，对基板表面进行亲液处理。例如，在等离子体蚀刻装置内设置形成了薄膜电路层30的基板11，在对向电极61和基板11上面之间产生氧等离子体(O2 +)或氩等离子体(Ar+)，将基板上面暴露在该等离子体62中而使表面变粗糙。由此，使贮存格层22和下部电极20的表面成为亲液性。
接着，在第一基板的贮存格层22上平坦地涂敷水溶性粘接剂31来作为临时粘接层，并贴合作为第三基板的临时转移基板33。由于在贮存格层22和下部电极20的表面上实施了亲液性处理，所以基板11上面的薄膜电路层30和粘接层31的结合很强(图1(c))。
从下方经透明玻璃基板11将激元激光照射到作为剥离层的非晶硅层12而产生消蚀，并产生剥离(图1(d))。将玻璃基板11剥离而分离。由此，将薄膜电路层30从玻璃基板11一侧转移(移动)到临时转移基板33一侧。通过蚀刻去除在薄膜电路层30下部残留的剥离层12的残余部分。
另外，通过对基板上实施上述亲液处理，可使粘接层31和薄膜电路层30的界面结合力比剥离基板11时的力更大，而可避免在基板剥离时在粘接层31上产生剥离(图2(a))。
在薄膜电路层30的下部涂敷非水溶性的永久粘接剂41，并粘附作为第二基板的最终转移基板42。最终转移基板42例如为塑料基板(图2(b))。进一步，水洗并除去水溶性粘接剂31，而分离临时转移基板33。将薄膜电路层30重新转移(移动)到最终转移基板42一侧(图2(c))。
接着，为使发光层形成的精度提高而对基板实施防液处理。例如，在等离子蚀刻装置内设置露出了有机EL元件形成部的贮存格层22的基板，使其表面产生氟离子体(F+)，将贮存格层22的斜面暴露在等离子体63中而使斜面变平滑。接着，如图3所示，形成发光层。从液滴喷出头(图中未示)的喷嘴65向作为象素的下部电极20上喷出有机EL材料66，形成涂敷图案而形成发光层。如上所述，由于对下部电极面进行亲液处理、对贮存格层22的斜面(壁面)进行防液处理，故喷出到包含该斜面的发光元件区域上的有机EL材料被导入到下部电极20上进行成膜，因此很方便(图3(a))。
通过液滴喷出头在下部电极20上依次涂敷作为发光层的空穴输送层51、EL发光层的膜材料，而成膜(图3(b))。形成例如钙层53后作为电子输送层，通过喷溅法、真空蒸镀法等成膜铝层54后作为阴极(图3(c))。
在最上部涂敷作为保护膜的密封剂55，而完成有机EL显示装置(薄膜装置)。在图示的情况下，形成向下方发光的有机EL发光元件(图3(d))。
另外，虽然上述的亲液处理(图1(a))、防液处理(图2(d))不是必须的工序，但是具有在剥离工序中，很难剥离粘接层31，并使发光元件的形成精度提高等的优点。
在上述薄膜电路(有机EL显示装置)的制造工艺中，由于在将薄膜电路层30临时转移到最终转移基板42上后(参照图2(c))，不进行需要图案化精度的光刻工艺，所以即使使用塑料基板等形状稳定性差的基板，在图案的尺寸精度上也不特别成为问题。
(第二实施例)
参照图4和图5说明第二实施例。两图中对于与图1和图2对座的部分使用同一符号而省略该部分的说明。
该实施例中，不对上述的贮存格层22进行防液处理(图2(d))，而通过防液性材料成膜贮存格层22本身。因此，由于有与粘接层31的结合不充分的危险，故在贮存格层22和粘接层31之间形成中间层23，并经中间层23来确保贮存格层22和粘接层31之间所需要的结合力。并且，在将薄膜电路层30转移到最终基板上后，去除中间层31，并根据需要对发光元件区域进行亲液处理。之后，与图3所示相同，通过液滴喷出法成膜有机EL材料。
首先，如图4所示，在作为第一基板的透明剥离基板11上经剥离层12形成薄膜电路层30。如前所述，由防液性材料成膜贮存格层22(图4(a))。接着，对基板表面成膜中间层23。中间层23可使用以无机材料的氧化硅(SiO2)、聚硅氮烷(SiH2NH)为单位的聚合物等，例如，通过CVD法等成膜例如氧化硅(图4(b))。
接着，在中间层23上平坦地涂敷水溶性粘接剂31作为临时粘接层，贴合作为第三基板的临时转移基板33。由于经过了中间层23，所以即使贮存格22具有防液性，粘接剂31也可产生必要的结合力(粘接力)(图4(c))。
从下方经透明玻璃基板11将激元激光照射到作为剥离层的非晶硅层12而产生消蚀，产生剥离(图4(d))。将玻璃基板11剥离而分离。由此，将薄膜电路层30从玻璃基板11一侧转移(移动)到临时转移基板33一侧。通过蚀刻去除在薄膜电路层30下部残留的剥离层12的残余部分。
另外，通过在基板上实施上述亲液处理可使粘接层31和薄膜电路层30的界面结合力比剥离基板11时的力更大，可避免在基板剥离时在粘接层31上产生剥离(图5(a))。
在薄膜电路层30的下部涂敷非水溶性的永久粘接剂41，并粘附作为第二基板的最终转移基板42。最终转移基板42例如为塑料基板(图5(b))。进一步，水洗并除去水溶性粘接剂31，分离临时转移基板33。将薄膜电路层30重新转移(移动)到最终转移基板42一侧(图5(c))。
接着，通过蚀刻，去除中间层23(图5(d))。并根据需要对发光元件区域实施亲液处理(参照图1(b))。下面，与图3所示的顺序相同，成膜发光层而形成有机EL显示装置。另外，该实施例中贮存格层22本身具有防液性。
(第三实施例)
参照图6说明第三实施例。图6中对于与图2(c)对应的部分使用同一符号而省略该部分的说明。
第三实施例中，代替第一实施例中使用的液滴喷出法，使用掩膜蒸镀法来制造有机EL显示装置。与第一实施例相同，使用光刻法在第一基板上形成由细微构造体构成的薄膜电路层30，将其转移到第二基板上。
在使用掩膜蒸镀法制造有机EL显示装置的情况下，由于不需要第一实施例中所描述的贮存格22，所以将一直实施到象素区域的开口工序为止的薄膜电路层30作为转移对象(图6(a))。
接着，在下部电极20上经掩膜71蒸镀有机EL材料，形成图案后而形成发光层(图6(b))。反复进行成膜，而在下部电极20上成膜作为发光层的空穴输送层51、EL发光层52的膜材料(图6(c))。
接着，形成例如钙层53作为电子输送层，通过溅射法、真空蒸镀法等成膜铝层54作为阴极(图6(d))。在最上部涂敷作为保护膜的密封剂55，而完成有机EL显示装置(薄膜装置)(图6(e))。
在上述薄膜电路(有机EL显示装置)的制造工艺中，在将薄膜电路层30转移到最终转移基板42上后，由于仅进行至多要求5um以上的对位精度的掩膜蒸镀法，所以即使使用塑料基板等形状稳定性差的基板，图案的尺寸精度也不特别成为问题。
(第四实施例)
参照图7说明第四实施例。第四实施例中，在本发明所提出的电子设备中在实施从外部供给电信号和电源的布线工序中，使用印刷法。与第一实施例相同，使用光刻法在第一基板上形成由细微构造体形成的薄膜电路层30，并将此移动到第二基板上(参照图2(c))。
图7(a)是转移到第二基板上的薄膜电路层30的信号/电源导入端子部71的截面构造。这里，对第二基板11预先实施与薄膜电路层30的信号/电源导入端子部71连接用的端子、和布线72。作为这种第二基板11的最佳例子，可举出有弹性印刷基板(FPC)。
如图7(b)所示，在配置在第二基板42和薄膜电路层30上的端子部71中将导电性材料73印刷成同时与应连接的端子相连的形状。作为导电性材料73的最佳例子，可举出有银膏等。另外，作为印刷方式，可举出有丝网印刷法、苯胺印刷法、胶印法、液滴喷出法(喷墨法)等。
图7(c)是表示使用本实施例制造的电子设备的俯视图。
(第五实施例)
参照图8说明第五实施例。该图中与图7相对应的部分使用同一符号，并省略该部分的说明。第五实施例中，对本发明所提出的电子设备实施从外部提供电信号和电源的布线工序中，在对位工序中使用贴合法。
与第一实施例相同，使用光刻法在第一基板上形成由细微构造体形成的薄膜电路层30，并将其转移到第二基板上。
图8(a)是移动到第二基板42上的薄膜电路层30的信号/电源导入端子部71的截面结构。
如图8(b)所示，例如经异向导电性薄膜(ACF)82将挠性印刷基板81的连接端子部83的位置与薄膜电路层30的信号/电源导入端子部71重合，来进行粘接。ACF82具有将直径几um～几十um的导电性粒子83分散到绝缘性树脂82b中的结构，通过由上下施加热和压力使导电性粒子82a与端子部71接触而确保导通，同时，绝缘性树脂82b硬化而确保机械强度。
另外，图8(c)表示使用本实施例制造的电子设备的俯视图。
本实施例中，由于挠性印刷基板的对位精度为几十um以上、很充分，所以即使使用塑料基板等形状稳定性差的基板，在图案的尺寸精度上也不特别成为问题。
另外，上述的第一到第五实施例中，虽然使用临时转移基板(第三基板)以直立状态将薄膜电路层30转移或移动到最终基板(第二基板)42上，但是薄膜电路层30在最终基板42上可以以倒立状态使用的情况下，可不需要使用临时转移基板(第三基板)33的临时转移工序。这时，可直接从第一基板转移或移动到第二基板上。
另外，上述第一到第五实施例中，当薄膜电路层在基板间转移或移动时，虽然通过剥离剥离层来剥离原始转移基板，但是通过研磨或蚀刻来去除原始转移基板也可得到同样的结果。
由本发明的制造方法得到的薄膜装置可用作例如作为电光学装置的液晶显示装置的显示面板，或有机EL显示装置的显示面板。
图9是以有源矩阵方式驱动的有机EL显示装置100的图像区域的象素结构图。该显示面板由本发明的制造方法来制造。各个象素构成为包括可通过电场发光效果来发光的发光层OLED、存储驱动发光层用的电流的保持电容C、以及薄膜晶体管T1和T2。从扫描线驱动器102向各象素提供选择信号线Vsel。从数据线驱动器103向各象素提供信号线Vsig和电源线Vdd。通过控制选择信号线Vsel和信号线Vsig，对各象素进行电流规划，并控制由发光部OLED得到的发光。
由本发明的制造方法所得到的薄膜装置(例如薄膜晶体管电路装置)可适用于包括电光学装置的各种电子设备。
图10举出了包括电光学装置的电子设备的例子。
该图(a)是适用于携带电话的例子，携带电话230包括天线部231、声音输出部232、声音输入部233、操作部234和本发明的薄膜装置(有机EL显示装置)100。这样，可将本发明的薄膜装置100用作携带电话230的显示部。
该图(b)是适用于摄像机的例子，摄像机240包括显像部241、操作部242、声音输入部243和本发明的薄膜装置100。这样，本发明的薄膜装置100可用作取景器和显示部。
该图(c)是适应于便携型个人计算机的例子，个人计算机250包括照相部251、操作部252和本发明的薄膜装置100。这样，本发明的电光学装置可用作显示部。
该图(d)是适用于头置式显示器的例子，头置式显示器260包括区域261、光学容纳部262和本发明的薄膜装置100。这样，本发明的电光学装置可用作图像显示源。
该图(e)是适用于背投型投影仪的例子，投影仪270在筐体271上包括光源272、合成光学系统273、反射镜274、反射镜275、屏幕276和本发明的薄膜装置100。这样，本发明的薄膜装置可用作图像显示源。
该图(f)是适用于前投型投影仪的例子，投影仪270在筐体282上包括光学系统281和本发明的薄膜装置100，可将图像显示到屏幕283上。这样，可将本发明的薄膜装置用作图像显示源。
并不限于上述例子，本发明的薄膜装置100可用于包括薄膜电路和细微构造体的电子设备，例如带显示功能的传真装置、数字相机的取景器、便携型TV、DSP装置、PDA、电子计算器、电光公告盘、宣传公告用显示器等。
如上面所说明的，本发明经需要的光刻工序在第一基板上形成了细微构造体或薄膜电路后，执行转移到第二基板(最终转移基板)的工序，而其后避免了需要精度的图案化。由此，可减小因第二基板的形状不稳定性(尺寸不稳定性)造成的对制作精度的影响。

Claims (3)

1、一种薄膜装置的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
在第一基板上使用根据光刻法的图案形成工艺形成细微构造体或薄膜电路层的步骤，其中所述第一基板是硬质基板；
将所述细微构造体或薄膜电路层从所述第一基板转移到第二基板上，或经第三基板从所述第一基板转移到所述第二基板的步骤，其中所述第二基板是软质或挠性基板；
在转移到所述第二基板上的细微构造体或薄膜电路层上使用非光刻法对所述薄膜电路层施加附加工艺的步骤。
2、根据权利要求1所述的薄膜装置的制造方法，其特征在于：所述非光刻法包含液滴喷出法、印刷法、掩膜蒸镀法、伴随对位工序的贴合法中的至少一种。
3、根据权利要求1～2中任意一项所述的薄膜装置的制造方法，其特征在于：通过贴合所述第一基板和所述第二基板后、将能量施加给配置在所述第一基板和所述细微构造体或所述薄膜电路层间的剥离层而产生剥离，或者，通过蚀刻或研磨从贴合后的所述第一基板和所述第二基板中去除所述第一基板而将所述细微构造体或所述薄膜电路层从所述第一基板转移到所述第二基板。
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