CN1295787C - 闸流体结构及具有该闸流体结构的过电压保护装置 - Google Patents

闸流体结构及具有该闸流体结构的过电压保护装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1295787C
CN1295787C CNB028062485A CN02806248A CN1295787C CN 1295787 C CN1295787 C CN 1295787C CN B028062485 A CNB028062485 A CN B028062485A CN 02806248 A CN02806248 A CN 02806248A CN 1295787 C CN1295787 C CN 1295787C
Authority
CN
China
Prior art keywords
zone
area
conductivity
region
auxiliary electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB028062485A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1518769A (zh
Inventor
C·彼得斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN1518769A publication Critical patent/CN1518769A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1295787C publication Critical patent/CN1295787C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0259—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements
    • H01L27/0262—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base coupled to the collector of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/7436—Lateral thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提出一种闸流体结构以及具有该闸流体结构的过保护装置，用于避免寄生效应的干扰。该闸流体结构包括具有一第一导电形态的一第一区域(1)；具有一第二导电型态的一第二区域(2)，其中所述第一区域(1)是位于所述第二区域(2)内；具有所述第一导电型态的一第三区域(3)，其邻近所述第二区域(2)并与所述第二区域(2)具有一共同表面(8)，以及具有所述第二导电型态的一第四区域，其中所述第四区域是位于所述第三导电区域(3)内。所述闸流体结构更具有一辅助电极(6，7)，其邻近所述第二区域(2)及所述第三区域(3)中的至少其中一个区域，且位于所述第二区域(2)与所述第三区域(3)的共同表面(8)上。

Description

闸流体结构及具有该闸流体结构的过电压保护装置
技术领域
本发明涉及一种闸流体结构及具有所述闸流体结构的过电压保护装置。
背景技术
现今具有平面结构的闸流体结构于使用CMOS技术时是平常的。一种典型的闸流体结构表示于图3。在此一组件的表面上设置相邻的一n-型态区域2以及一p-型态区域3，所述区域也形成所谓的闸流体结构的基体区域。代表阳极端的p+区域1形成于n-型区域2之中。形成于p-型区域3之中的n+型区域4代表阴极端。形成于p-型区域3之中的p+型区域5接着形成控制端。
在以上所述的结构的制程中，一层的氮化物层被施加于表面8之上。该硅氮化物层中的电荷导致寄生场效应。如果于制程中在表面8，于区域2及3中包含污染物，则可能发生相同的效应。
以上所述的闸流体结构经常被使用于称为ESD的过电压保护设计。ESD保护通常被用于集成电路的MOS输入级。过电压检测器被设置于将被保护的集成电路的部份，该过电压检测器连接于该闸流体的控制端。此型态的设计描述于US 4,896,243。
闸流体的阳极及阴极依序连接至将被保护的组件的供应电源，如果供应电源将被监视的话。
如果随后发生过电压，闸流体经由控制端被开启且此过电压被移除。
如果如上所述的寄生场效应晶体管形成，被监视的电压被短路，其导致将被保护的组件整个失效。
US5,907,462及US5,465,189公开通过一种场效结构控制的ESD结构。
发明内容
本发明基于以可避免寄生效应干扰的方式发展闸流体结构及具有此闸流体结构的过电压保护装置为目的。
此目的由依据本发明通过本发明所提供的闸流体结构而达成。
本发明的一种闸流体结构，具有：一个第一端，它被形成做为具有第一导电形态的第一区域；具有第二导电型态的一个第二区域，其中所述第一区域位于所述第二区域内；具有所述第一导电型态的一个第三区域，其邻近所述第二区域并与所述第二区域具有一共同表面，以及一个第二端，它做为具有所述第二导电型态的一个第四区域，其中所述第四区域位于所述第三导电区域内，其中，在所述第二区域和所述第三区域的所述共同表面处，所述闸流体结构还具有一个辅助电极，所述辅助电极配置为邻近所述第二区域和所述第三区域中的至少其中一个区域，其特征在于，所述辅助电极位于所述第二区域和所述第三区域的所述共同表面上，并且邻近所述第二区域和所述第三区域。
根据本发明，所述闸流体结构的特征在于，所述辅助电极是由一导电区域与—辅助氧化物形成，其中所述导电区域是由多晶硅制成，而所述辅助氧化物隔离所述导电区域与所述共同表面。
通过在第二及第三区域之一的一表面上形成至少一所述辅助电极，可以将辅助电极区域中的该表面放入一预定电荷状态。
具有此种闸流体结构的过电压保护设计不会导致将被保护的组件因寄生效应而失效。
根据本发明，在具有所述闸流体结构的过电压保护装置中，被保护的一组件是以导电连接的方式设置于所述第一端与所述第二端之间，而所述第二区域或所述第三区域具有一控制端，所述控制端与一过电压检测器连接，所述过电压检测器检测将被保护的所述组件两端的一过电压。
根据本发明，所述过电压保护装置的特征在于，所述控制端是一个导电型态与其所在区域的导电型态相同的区域，并所述控制端的导电性比其所在区域高。
根据本发明，所述过电压保护装置的特征在于，将被保护的所述组件的供应电压(VDD，VSS)是连接于所述第一端(1)及所述第二端(4)。
根据本发明，所述过电压保护装置的特征在于，所述过电压保护装置是以集成方式设置于一个单一的半导体芯片上。
通过在第二及第三区域提供一辅助电极及以并连接第二区域上的辅助电极至第一端以及连接位于第三区域的辅助电极至第二端，可以简单的方式产生该预定电荷状态。
通过以多晶硅形成的辅助电极及形成隔离第二与第三区域的栅极氧化物，该辅助电极可以使用一般的方法以简单的方式被产生。
通过将过电压保护装置集积于半导体芯片上，可以简单地及有效率地产生过电压保护。
附图说明
本发明使用例示实施例参考所附图式而被解释如下：
在图式中：
图1表示依据本发明的闸流体结构；
图2表示本发明过电压保护装置的基本图；
图3表示一般的闸流体结构。
具体实施方式
图1表示依据本发明的闸流体结构，其原则上对应引言中已参照图3的描述。于本例中，相同的部份被提供相同的标号。
在所示的例示实施例中，互相隔离的辅助电极被额外形成于闸流体的第二区域2与第三区域3，其亦被称为闸流体的基体，的共同表面上。此等辅助电极由一栅极氧化物6，一般用以产生场效晶体管，以及以多晶硅制成的一电极接触7。形成于表面区域2的表面上的辅助电极导电连接于第一端1，即阳极电极。形成于区域3的辅助电极导电连接于第二端，即阴极端。这确保将产生于第一端1与第二端3之间的短路的导电信道不会因为寄生效应而在基体区域内产生。此闸流体结构仅由施加于控制端5的电流导通。
图2表示过电压设计中的闸流体结构。以上所述的闸流体结构由其阳极及阴极端，亦即第一端1及第二端3连接至将被保护的组件11的供应电压VDD及VSS。当过电压发生时，过电压保护检测装置13经由控制端5施加一电流至闸流体结构的基体区域内，称为第三区域3。后者触发并将供应电压短路。
此设计尤其适合于集积化。这表示闸流体结构与被检测组件的表面上的过电压检测器以及二辅助电极集积在一起，避免闸流体被设置于一薄氧化物之下的情况，以避免寄生效应。因此，闸流体结构的行为可完全被维持。
此外，此种设计可以应用于其它电压监视的情况，例如信号输入的电压。

Claims (6)

1.一种闸流体结构，具有：
一个第一端(1)，它被形成做为具有第一导电形态的第一区域；
具有第二导电型态的一个第二区域(2)，其中所述第一区域(1)位于所述第二区域(2)内；
具有所述第一导电型态的一个第三区域(3)，其邻近所述第二区域(2)并与所述第二区域(2)具有一共同表面(8)，以及
一个第二端(4)，它做为具有所述第二导电型态的一个第四区域，其中所述第四区域位于所述第三导电区域(3)内，
其中，在所述第二区域(2)和所述第三区域(3)的所述共同表面(8)处，所述闸流体结构还具有一个辅助电极(6，7)，所述辅助电极(6，7)配置为邻近所述第二区域(2)和所述第三区域(3)中的至少其中一个区域，其特征在于，所述辅助电极(6，7)位于所述第二区域(2)和所述第三区域(3)的所述共同表面(8)上，并且邻近所述第二区域(2)和所述第三区域(3)。
2.如权利要求1所述的闸流体结构，其特征在于，所述辅助电极(6，7)由一个导电区域(7)与一辅助氧化物形成，其中所述导电区域(7)由多晶硅制成，而所述辅助氧化物隔离所述导电区域(7)和所述共同表面(8)。
3.一种过电压保护装置，具有如权利要求1或2所述的闸流体结构，其中将被保护的一组件(5)以导电连接的方式设置于所述第一端(1)与所述第二端(2)之间，而所述第二区域(2)或所述第三区域(3)具有一个控制端(5)，所述控制端(5)与一个过电压检测器连接，所述过电压检测器检测将被保护的所述组件两端的一个过电压。
4.如权利要求3所述的过电压保护装置，其特征在于，所述控制端(5)是一个导电型态与其所在区域的导电型态相同的区域，并且所述控制端(5)的导电性比其所在区域高。
5.如权利要求4所述的过电压保护装置，其特征在于，将被保护的所述组件的供应电压VDD连接于所述第一端(1)，及供应电压VSS连接于所述第二端(4)。
6.如权利要求5所述的过电压保护装置，其特征在于，所述过电压保护装置是以集成方式设置于一个单一的半导体芯片上。
CNB028062485A 2001-03-09 2002-02-15 闸流体结构及具有该闸流体结构的过电压保护装置 Expired - Fee Related CN1295787C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10111462.1 2001-03-09
DE10111462A DE10111462A1 (de) 2001-03-09 2001-03-09 Thyristorstruktur und Überspannungsschutzanordnung mit einer solchen Thyristorstruktur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1518769A CN1518769A (zh) 2004-08-04
CN1295787C true CN1295787C (zh) 2007-01-17

Family

ID=7676923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028062485A Expired - Fee Related CN1295787C (zh) 2001-03-09 2002-02-15 闸流体结构及具有该闸流体结构的过电压保护装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7205581B2 (zh)
EP (1) EP1399968B1 (zh)
JP (1) JP4139688B2 (zh)
CN (1) CN1295787C (zh)
DE (1) DE10111462A1 (zh)
TW (1) TW548846B (zh)
WO (1) WO2002073695A2 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4588247B2 (ja) * 2001-04-27 2010-11-24 セイコーインスツル株式会社 半導体装置
US6965129B1 (en) * 2002-11-06 2005-11-15 T-Ram, Inc. Thyristor-based device having dual control ports
US7335954B2 (en) * 2005-04-20 2008-02-26 Delphi Technolgoies, Inc. Electrostatic discharge protection device
US20120313692A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Sehat Sutardja Super-high-voltage resistor on silicon
US9437590B2 (en) * 2015-01-29 2016-09-06 Mediatek Inc. Electrostatic discharge protection device and electrostatic discharge protection system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1045444A1 (en) * 1999-04-15 2000-10-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatic discharge protection
EP1058308A1 (en) * 1999-06-01 2000-12-06 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Intermediate trigger voltage ESD protection device

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1193465A (en) * 1967-08-09 1970-06-03 Associated Semiconductor Mft Improvements in Semiconductor Integrated Circuits
US4779126A (en) * 1983-11-25 1988-10-18 International Rectifier Corporation Optically triggered lateral thyristor with auxiliary region
JPS6112072A (ja) 1984-06-27 1986-01-20 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS61150617A (ja) * 1984-12-24 1986-07-09 日本電信電話株式会社 サ−ジ防護回路
US5077591A (en) * 1986-09-30 1991-12-31 Texas Instruments Incorporated Electrostatic discharge protection for semiconductor input devices
DE3821644A1 (de) * 1987-12-23 1989-12-28 Siemens Ag Integrierte schaltung mit "latch-up"-schutzschaltung in komplementaerer mos-schaltungstechnik
US4896243A (en) * 1988-12-20 1990-01-23 Texas Instruments Incorporated Efficient ESD input protection scheme
US4980741A (en) * 1989-02-10 1990-12-25 General Electric Company MOS protection device
US5072273A (en) * 1990-05-04 1991-12-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Low trigger voltage SCR protection device and structure
US5465189A (en) * 1990-03-05 1995-11-07 Texas Instruments Incorporated Low voltage triggering semiconductor controlled rectifiers
JP2633746B2 (ja) * 1991-05-27 1997-07-23 株式会社東芝 半導体装置
FR2677821B1 (fr) * 1991-06-11 1993-10-08 Sgs Thomson Microelectronics Sa Composant de protection bidirectionnel.
US5225702A (en) * 1991-12-05 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Silicon controlled rectifier structure for electrostatic discharge protection
JPH05283702A (ja) * 1992-04-03 1993-10-29 Hitachi Ltd 複合制御型半導体装置及びそれを使用した電力変換装置
US5182220A (en) * 1992-04-02 1993-01-26 United Microelectronics Corporation CMOS on-chip ESD protection circuit and semiconductor structure
US5400202A (en) * 1992-06-15 1995-03-21 Hewlett-Packard Company Electrostatic discharge protection circuit for integrated circuits
JPH06112072A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Toshiba Lighting & Technol Corp 無電極放電ランプ用励起コイル及びこれを用いた無電極放電ランプ点灯装置
US5517379A (en) * 1993-05-26 1996-05-14 Siliconix Incorporated Reverse battery protection device containing power MOSFET
US5907462A (en) * 1994-09-07 1999-05-25 Texas Instruments Incorporated Gate coupled SCR for ESD protection circuits
US5754380A (en) * 1995-04-06 1998-05-19 Industrial Technology Research Institute CMOS output buffer with enhanced high ESD protection capability
US5637900A (en) * 1995-04-06 1997-06-10 Industrial Technology Research Institute Latchup-free fully-protected CMOS on-chip ESD protection circuit
US5576557A (en) * 1995-04-14 1996-11-19 United Microelectronics Corp. Complementary LVTSCR ESD protection circuit for sub-micron CMOS integrated circuits
US5682047A (en) * 1995-06-07 1997-10-28 Lsi Logic Corporation Input-output (I/O) structure with capacitively triggered thyristor for electrostatic discharge (ESD) protection
US5739998A (en) * 1996-07-12 1998-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Protective circuit and semiconductor integrated circuit incorporating protective circuit
WO1998020564A1 (en) * 1996-11-07 1998-05-14 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and its manufacture
DE19811297B4 (de) * 1997-03-17 2009-03-19 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung
DE19721655C1 (de) * 1997-05-23 1998-12-03 Daimler Benz Ag Thyristor mit Selbstschutz
US6081002A (en) * 1997-05-29 2000-06-27 Texas Instruments Incorporated Lateral SCR structure for ESD protection in trench isolated technologies
JP2959528B2 (ja) * 1997-06-09 1999-10-06 日本電気株式会社 保護回路
JP2002522906A (ja) * 1998-08-04 2002-07-23 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ｅｓｄ保護手段を具備する集積回路
US6424013B1 (en) * 1999-07-09 2002-07-23 Texas Instruments Incorporated Body-triggered ESD protection circuit
DE19936636A1 (de) * 1999-08-04 2001-02-15 Siemens Ag Schutzstruktur für eine integrierte Halbleiterschaltung zum Schutz vor elektrostatischer Entladung
US6479869B1 (en) * 1999-10-01 2002-11-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with enhanced protection from electrostatic breakdown
TW457688B (en) * 1999-12-20 2001-10-01 Winbond Electronics Corp Input/output port with high voltage tolerance
US6323523B1 (en) * 2000-01-31 2001-11-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. N-type structure for n-type pull-up and down I/O protection circuit
TW441074B (en) * 2000-04-15 2001-06-16 United Microelectronics Corp Electrostatic discharge protection circuit structure for high voltage device
US20030042498A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-06 Ming-Dou Ker Method of forming a substrate-triggered SCR device in CMOS technology

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1045444A1 (en) * 1999-04-15 2000-10-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatic discharge protection
EP1058308A1 (en) * 1999-06-01 2000-12-06 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Intermediate trigger voltage ESD protection device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002073695A2 (de) 2002-09-19
JP4139688B2 (ja) 2008-08-27
WO2002073695A3 (de) 2003-12-24
DE10111462A1 (de) 2002-09-19
EP1399968A2 (de) 2004-03-24
EP1399968B1 (de) 2012-11-28
US7205581B2 (en) 2007-04-17
TW548846B (en) 2003-08-21
US20040046181A1 (en) 2004-03-11
CN1518769A (zh) 2004-08-04
JP2004528709A (ja) 2004-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW473977B (en) Low-voltage triggering electrostatic discharge protection device and the associated circuit
KR960009180A (ko) 정전 방전 보호 장치 및 그 제조 방법
CN1354516A (zh) 静电放电防护元件及相关的电路
JPH08222643A (ja) 半導体装置の入力保護回路
CN1295787C (zh) 闸流体结构及具有该闸流体结构的过电压保护装置
KR100272685B1 (ko) 정전 방전에 의한 손상을 방지할 수 있는 반도체 장치
JP5764254B2 (ja) 半導体装置
US20070264804A1 (en) Method and system for reducing charge damage in silicon-on-insulator technology
CN101364596A (zh) 半导体器件
CN1212670C (zh) 具有防护环控制电路的硅控整流器
CN100347855C (zh) 静电放电nmos器件及其形成方法，以及电子系统
JP3275850B2 (ja) 高耐圧ダイオードとその製造方法
US6281553B1 (en) Semiconductor device, electrostatic discharge protection device, and dielectric breakdown preventing method
CN1667827A (zh) 具有静电放电保护电路的半导体电路的保护装置
CN100352054C (zh) 多晶硅界定阶跃恢复器件
US5521413A (en) Semiconductor device having a solid metal wiring with a contact portion for improved protection
CN1946261A (zh) 静电放电防护电路
JP4899292B2 (ja) 半導体装置
CN108183100B (zh) 半导体结构及其操作方法
JP2002176347A (ja) 過電流制限型半導体素子
JP3387622B2 (ja) 半導体装置の保護回路
JPH11177023A (ja) 半導体装置
CN1577887A (zh) 半导体装置
CN2831438Y (zh) 可控制保持电流的静电放电装置
EP0620598A1 (en) Input/output protective circuit

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070117

Termination date: 20190215