CN1278235A - 水处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于除去水中杂质和用于制备具有较低溶解物质,如海水中的盐的水的方法,它包括将水通过沸石膜,该沸石膜已经通过与硅酸和/或硅酸烷基酯接触而经过处理,该方法可以达到较高的具有非常低的杂质的高水流量。

Description

水处理方法
本发明涉及一种制备纯净水的方法，更进一步地说，涉及通过膜制备纯净水的方法。
在不能得到纯净水的地方可以进行水提纯，例如由含有溶解盐和其它化学物质的水中制备可饮用水或化学纯水。
两种广泛运用的技术是蒸馏和反渗透法。这些方法用于使水脱盐以及提纯含盐水并且得到了广泛运用。但是这些方法在作为蒸馏，甚至采用闪蒸法时成本相当高并且真空蒸馏技术需要大量能量和较大规模的设备。反渗透法需要采用高压以及能够承受这些压力的膜。
人们已经提出了其它的聚合物膜，但是由于这些膜缺乏稳定性(易淤塞)和难以形成较大尺寸而在实践中存在缺陷。
已知沸石膜可以用于由有机流体中除去水并且人们已经公开了数种方法和运用。但是在这些以前公开的运用中，只能由有机液体中除去相当少量的水，该有机液体需要进行脱水。我们已经发现采用以前公开的沸石膜，不可能与主要是水的液体混合物接触，从而将水与其它化合物分离。这可以认为是由于膜中的缺陷使得水中存在杂质，当需要脱水有机液体时这一点不太明显，但当需要纯净水时就不合适了。
由沸石膜的性质还会产生其它一些缺陷，这些缺陷包括破裂和离子交换。当含盐水与沸石膜接触时，该膜会破裂和产生缺陷，它们会影响膜的使用。存在于水中的盐和其它离子化合物会与沸石膜发生离子交换并且该膜会失去其作用。
至今，利用已知的沸石膜尚未证实当仅仅存在少量杂质时可以从水中除去杂质，这是因为通过该膜的水量使其不适用。
但是我们惊人地发现利用我们的膜，已经证实它适用于除去少量存在的杂质并且我们已经采用经过处理的膜发明了一种提纯水的方法，所说的膜减轻了这些问题。
根据本发明，它提供了一种由含有杂质的水获得纯净水的方法，该方法包括将含有杂质的水通过结晶沸石型材料，从而从水中分离出杂质，其特征在于该沸石膜已经通过与硅酸和/或聚硅酸、或硅酸和/或聚硅酸或与一种有机硅酸酯的混合物接触而经过处理。
已经知道沸石型材料作为分子筛而为人们熟知并运用。它们包括通过氧原子连接而成的硅/氧四面体形成的广泛通道网络。沸石与铝硅酸盐是最常见的沸石材料并且本发明适用于任何由沸石型材料形成的膜，特别是适用于沸石和铝硅酸盐。在“《沸石结构类型的图谱集》”，Meier和Ofsen，1987，Polycrystal Book Service，Pittsburg USA中，描述了各种结构，并且举例来说，可以采用所描述的具有LTA，MEL，MFI或TON结构的那些材料。
在“第七届沸石科学和技术新进展国际会议论文集，东京，1986，p103”中，公开了另一种沸石型材料，它是结晶铝磷酸盐、硅铝磷酸盐和其它金属铝磷酸盐。
可用于本发明中的典型沸石是沸石，包括但不限于3A、4A、5A、13X、X、Y、ZSM5、MAPOs、SAPOs、硅沸石、β、θ等。
用于在其上形成沸石型膜并且可用于本发明中的多孔载体包括那些由金属、陶瓷、玻璃、矿物、碳或聚合物纤维或纤维素或有机或无机聚合物。合适的金属包括钛、铬和合金，例如以商标“Fecralloy”和“Hastalloy”出售的那些合金以及不锈钢。该多孔载体可以形成网状或由烧结金属颗粒或其混合物形成。这些材料均以过滤材料市场有售。
可以采用多孔陶瓷、玻璃、矿物或碳材料，它们包括多孔硅和其它碳化物、粘土和其它硅酸盐和多孔氧化硅。如果需要，该载体可以是通过加压或使用粘接剂而形成的沸石。载体的形状不是关键之所在，例如可以采用平板、管形、螺旋绕形等。如果采用聚合物材料，则任选地它可以是涂以金属或金属氧化物或本文中所说硅酸的薄膜。
该多孔载体还可以是颗粒固体，例如由紧密填充材料的颗粒如颗粒状催化剂形成的。
本发明可以采用任意合适尺寸的多孔载体，尽管对于较大的膜通过流量来说，较大的孔隙尺寸是优选的。优选地，可以采用孔隙尺寸0.01-2000微米、更优选地0.1-200微米，理想地1-20微米。不超过300微米的孔隙尺寸可以通过如ISO 4003中所说的泡点压力法测定。更大的孔隙尺寸可以通过显微法测定。
通常由孔隙组成的表面相对量越大，该多孔载体越合适。
经过处理而用于本发明的方法中的膜可以通过任何方法形成，例如可以通过由凝胶或溶液结晶、通过等离子体沉积或通过任何其它方法，如在导电基体上电沉积晶体，如DE4109037中所说。
当该包括沸石型材料膜的膜通过由合成凝胶结晶而制备时，可以采用现有技术中所说的任何一种方法。
用于该工艺中的合成凝胶可以是任何一种可以制备所需的结晶沸石型材料的凝胶。用于合成沸石型材料的凝胶是已知的并且描述于上述现有技术中，例如在EP-A-57049、EP-A-104800、EP-A-2899和EP-A-2900。由John Wiley(1974)出版的D W Breck(“沸石分子筛，结构化学，和用途”)和由Elsevier(1987)出版的P.A.Jacobs andJ.A.Martens(“表面科学和催化研究NO.33，高硅的铝硅酸盐沸石的合成”)标准教科书描述了许多这类合成凝胶。可以采用的方法包括常规合成沸石型材料，其不同之处在于该合成是在多孔载体存在下进行的。最常见的是，该凝胶通过运用热而结晶。
用于本发明的方法中的经过处理的膜可以通过这样一种方法而制得，该方法包括由一种生长介质中沉积或结晶。在本发明的一种实施方案中，该生长介质可以用于两种不同的方法中。
在用于形成膜的凝胶方法(方法1)中，用于形成膜的凝胶优选地具有下列范围的摩尔组成：
(1.5-3.0)Na2O∶(1)Al2O3∶(2.0)SiO2∶(50-200)H2O并且所说的方法可以用于任何一种在上述参考文献中所列出的方法中。
在液体溶液方法(方法2)中，用来形成膜的液体溶液优选地具有下列范围的摩尔组成：
(6-10.0)Na2O∶(0.2)Al2O3∶(1.0)SiO2∶(150-250)H2O该液体溶液优选地含有最大量的能够形成沸石型材料但同时仍保持液体溶液的化合物。所谓最大量是指可以保持在溶液中但不会在形成沸石前发生沉积的最大量。
方法(1)和(2)可以在下列条件下使用并且方法(1)和方法(2)可以自己独立使用或者在方法(1)后用方法(2)，或者反过来。
可以用来形成膜的条件是生长溶液的温度优选地为50-100℃，pH可以通过加入氢氧化钠或氨调整为12.5-14。如果需要，通过加入钠盐如氯化钠，可以增加钠离子浓度但不会增加pH。生长溶液可以用需要合成的沸石的沸石晶体为晶种。在形成膜以后、任何后处理以前对膜进行冲洗到pH呈中性。
该多孔载体可以通过浸渍或通过将生长介质倒在基本保持水平的载体上而与生长介质接触，载体可以在容器底部面朝上，或在生长介质表面面向下，或在载体基本上保持水平的同时介质从其一面或两面上经过，或者在载体基本上保持垂直或载体处于任意中间位置的时候，介质从其一面或两面上经过。
该生长介质可以保持静止不动、搅拌、翻动或者从载体上或载体附近经过，也可以将生长介质经过载体两侧，同时载体基本上保持水平或处于任意中间位置。
还可以加压，但是通常在自生压力下更容易进行结晶。优选地将该多孔载体完全浸渍在生长介质中；或者如果需要，可以仅将该载体的一面与生长介质接触。这种做法是适用的，举例来说，如果需要以管状形状形成膜，则仅仅管的内部或外部需要与生长介质接触。
如果需要制备含有两种不同沸石(每一种沸石在载体的一面上)的膜，这也是适用的。采用这种双功能膜等于采用两种不同的膜，每一种带有不同的沸石。
如果需要，用凝胶或液体溶液进行的处理可以重复一次或更多次，从而获得更厚的膜涂层。
优选地，可以用沸石引发剂对多孔载体进行预处理。该沸石引发剂优选地是钴、钼或镍氧化物或者它可以是沸石颗粒，例如沉积在多孔载体上的沸石或其任意组合。另一种引发剂的例子是可以沉积沸石型前体材料的化合物，如硅酸或聚硅酸。
该沸石引发剂可以通过湿法或干法与多孔载体接触。如果采用干法、可以将沸石引发剂的颗粒摩擦到多孔材料的表面中，或者将多孔材料表面在颗粒中摩擦。
另外，可以将沸石引发剂的颗粒在多孔载体上方流过或流过该多孔载体，或者通过真空拉入载体中。
如果采用湿法，则可以形成沸石引发剂粉末的液体悬浮液并且将液体悬浮液与多孔载体接触，从而使沸石引发剂沉积在载体上。
在将多孔载体与沸石引发剂的表面接触之前，该表面优选地用润湿剂如酒精、水或其混合物润湿。
当采用硅酸作为引发剂时，它可以是本文中所说的硅酸。
在本发明中，所谓硅酸是指单硅酸、低、中和高分子量的聚硅酸及其混合物。
用硅酸处理沸石型材料可以用原硅酸烷基酯，如原硅酸四乙酯(TEOS)和原硅酸四异丙酯(TIPOT)、原硅酸烷氧基酯，如原硅酸四甲氧酯进行处理，它们在涂覆到沸石型材料上时会形成聚硅酸。这些原硅酸烷基酯和原硅酸烷氧基酯会形成中孔氧化硅化合物，这些化合物基本上由一些相互连接而成的聚硅酸单元组成，每一个单元包括在GB专利申请9316350.9中所说的聚硅酸分子并且包括多个相互连接而成的三维成分，这些成分每一种或者具有由氧原子桥接的硅原子或在硅原子上有羟基。
用硅酸对沸石型材料进行的处理公开在WO96/09110中。
制备硅酸的方法公开在GB专利申请2269377中并且优选的方法是酸化硅酸钠溶液而后通过用有机溶剂如四氢呋喃进行相分离而分离硅酸。而后将有机相干燥并且通过加入正丁醇而分离无水硅酸，从而获得基本上无水的硅酸溶液。硅酸的聚合度取决于所用的实际条件，如在加入有机溶剂之前硅酸钠溶液与酸的接触时间、温度等。
用于本发明的硅酸优选地其平均分子量为96-10000，更优选地为96-3220。
该硅酸是已知的化合物并且通常作为不同分子量的酸的混合物而制得，该混合物适用于本发明。
硅酸是硅、氧和氢组合而成的，在聚硅酸的情况下，它们通过氧桥与-OH端基而连接在一起。
它们的通式是SinOp(OH)r，其中n、p和r在单硅酸情况下可以是n＝1，p＝0，r＝4，而在中等分子量硅酸的情况下为n＝8-12，p＝12-20，r＝8-12，而在高分子量聚硅酸的情况下为n＝20-32，p＝36-60，r＝8-20。
该膜可以用无水硅酸进行处理并且优选的方法是将该膜与无水硅酸溶液接触，例如通过浸渍、在真空下拉过、在压力下形成等。优选地，含有硅酸的溶液例如通过在室温下和/或加热下蒸发而除去。
另外，通过用酸或碱或酸性水或碱性水，例如其pH为2-12，优选地为4-10进行处理而实现交联。
用于本发明的硅酸可以以所形成的较“窄”的分子量分布或不同分子量范围的组合使用。
通过在膜处理之前将一种以羟基为端基的聚硅氧烷加入到硅酸溶液中、用一种柔软剂对膜进行处理，可以在最终的膜中引入更多的柔软性。
当用原硅酸烷基酯处理膜时，优选地如上所说用原硅酸烷基酯代替硅酸来处理膜。
用该方法处理过的膜与未经过处理的膜相比其性能及膜强度均有改善。
本发明的方法可以用来由带杂质的水制备具有非常低的杂质量，例如低于10ppm的水。
水的纯净度，即仍然存在于纯净水中的杂质量取决于沸石膜的厚度和性质、施加到水上的压力、含杂质的水与沸石膜的接触时间、温度等。在非常低的杂质量下，特别是当杂质的准确性质不清楚时，较为方便的是测定水的导电率。去离子水典型地其导电率约为0.1-30μS/cm，而蒸馏水的导电率约为1-2μS/cm。本发明的方法可以制备导电率低于这些值的水，这表明它具有非常低的杂质量。
可以通过在膜的一面上施加负压或真空、将水经过该膜而提纯水，这种降压导致水从膜中流过并且与杂质分离。
由于经过处理的膜的作用，可以提纯多种含杂质的水，例如海水、盐水、受工业试剂如烃、有机氯化合物、金属、洗涤剂等污染的水、生物材料，如脲等以及被人类或动物使用污染的水，例如所谓的由冲洗、淋浴、洗浴而造成的“灰色”水。如果需要，可以通过增加处理条件的程度而获得基本纯净的水或去离子水。
即使是对于具有相当高的导电率(～30000μS/cm)的海水，也可以获得低于30μS/cm的导电率，这表明在水中具有非常低的盐量。
令人惊奇的是通过如上所说处理沸石可以使得该膜可用于提纯含有杂质的水，这在采用未经处理的沸石膜时是不可能的，并且获得具有如此低的导电率。
该方法可以用于渗透蒸发或反渗透工艺中。通过反渗透工艺具有非常高的流量。
在下列实施例中描述了本发明，其中实施例1是采用已知的方法制备膜的例子，实施例2是制备后处理溶液的例子，实施例3是测试过程，实施例4是后处理过程，实施例5-11是制备和测试经过处理的膜的例子。实施例1  膜生长
所用的基体是Bekipor(商标)ST 5BL3过滤器。它由非常细的316不锈钢纤维组成，以三维迷宫结构构成。这些纤维以均匀的毡形式随机排列。该毡还被压紧并烧结，从而在每一个纤维交叉点处形成非常强的金属键。其平均孔隙尺寸大约为5.3微米，表面丝的直径为6.5微米。
在100毫升平底陪替氏培养皿中放入7厘米金属网盘，该培养皿事先已经用去离子水、丙酮、甲苯和最后是丙酮冲洗过并且而后在90℃下在炉中干燥3小时。(a)钴预处理：
将该网放在烧杯中，向其中加入50毫升0.1M硝酸钴溶液，将该烧杯放入90℃的炉中干燥，而后将该网从烧杯中取出并且在250℃下烧结4小时。将该网由炉中取出并且使其冷却。将该过程重复2次以上，从而获得良好的氧化钴涂层。(b)沸石后处理
利用带手套的手将沸石4A粉末摩擦到基体活性面中，该活性面事先已经如上所说涂覆了钴，直到不再有沸石摩入该表面中，轻轻拍走过量的沸石。
在两只500毫升玻璃瓶中分别制备两种溶液A和B，其过程如下：溶液A
将24.49克铝酸钠、3.75克氢氧化钠和148.60克去离子水机械摇动，直到溶解。铝酸钠的实际组成为62.48％Al2O3、35.24％Na2O和2.28％H2O。溶液B
将50.57克硅酸钠(其组成为14.21％Na2O、35.59％SiO2和50.20％H2O)溶解在148.60克去离子水中。
将溶液A慢慢加入到溶液B中，同时搅拌并用手摇动以确保完全和均匀混合(重要的是不形成凝胶块)。这就形成了具有下列摩尔组成的凝胶
     2.01 Na2O∶Al2O3∶2.0 SiO2∶120.0 H2O
将100毫升凝胶慢慢加入到生长容器中，该容器在垂直位置含有经过氧化钴处理和沸石摩擦的网。将该生长容器与含有剩余凝胶溶液的烧杯一起放入家用压力锅中。将该压力锅放入预热到100℃的炉中5小时。而后将其从炉中取出并且使其冷却30分钟。取出生长容器并且将溶液倒出。
用一根长平棒小心地取出该金属网，从而保证网不会弯曲或受到任何损害。将该网放入玻璃烧杯中并且用100ml等份的去离子水冲洗3次，每次搅拌该溶液以确保完全除去残余物。将该膜空气干燥过夜。
而后用清洁的透镜纸擦洗干净经过干燥的涂覆网表面，以除去任何在表面上形成的粉末沉积物。将该网反过来并且重复该过程。
将该网再反过来并且将顶表面清洗干净。用去离子水冲洗并空气干燥。
X-射线分析表面它是沸石4A。实施例2  制备用于膜后处理的TEOS
通过将40毫升TEOS放入清洁干燥的烧杯中、加入180毫升去离子水和180毫升乙醇，由此制得后处理溶液。而后将该混合物以300转/分钟搅拌5分钟。实施例3  膜测试过程
将该膜放入如附图所示装置中的渗透蒸发测试单元中。该装置由配有压力表(2)、释放阀(3)、磁搅拌器(4)和热电偶(5)的不锈钢测试单元(1)组成。将在实施例1中制得的膜放入多孔不锈钢盘(6)中并且用O型环(7)密封。
通过加热器/搅拌器(8)将该单元同时加热并搅拌。通过管线(9)施加真空。由该测试单元取出的蒸汽冷凝在冷却器(10)中。管线(9)配有压力表(11)和释放阀(12)。
用异丙醇/水(IPA/H2O)混合物(分别为90/10重量％)填充该测试单元。在大约70℃下测试该膜。
将远离液体的膜一侧的压力降低到4毫巴(0.4kN)。在8小时内收集渗透物并称重，对小等份进行分析，对整个过程中的加入水浓度进行监测。实施例4  膜的后处理过程
在实施例3的装置中用IPA/水对未经处理的膜进行初始测试以后，将单元倒空，用2×50毫升等份乙醇进行冲洗，而后将另外50毫升乙醇放入该单元中，而后在真空下放置30分钟。
将乙醇从单元中取出并且将在实施例2中制得的TEOS后处理溶液倒入到该单元中。将该单元加热到70℃并且保温24小时，下游侧处于真空下。这段时间以后，取出混合物，关闭加热，除去真空并且将加压空气在膜上方流过达1小时。实施例5
将在实施例1中制得的膜在如实施例3所说的渗透蒸发条件下处理，其结果如下：表  170℃下的异丙醇/水混合物
流动时间      加入的水      渗透水      渗透水流量(J)
 (小时)       ％重量        ％重量      公斤/平方米/天
   1          11.10          90.11          147.75
   1.5        6.00           96.47          88.00
   2.0        4.36           94.81          72.87
   4.0        2.94           81.14          29.74
   5.5        0.47           30.57          4.91
而后像实施例4中那样对膜进行处理，该膜在如实施例3所说的渗透蒸发条件下再测试，其结果示于表2中。表270℃下的异丙醇/水混合物
流动时间      加入的水       渗透水         渗透水流量(J)
 (小时)        ％重量        ％重量       公斤/平方米/天
  0.5           7.36         98.62            102.82
  0.8           5.27         100.00           99.40
  1.3           4.01         99.69            63.05
  1.8           2.60         98.28            30.96
  3.2           0.75         89.06            10.51
  3.5           0.63         85.00            1.13实施例6
将在实施例1中制得的膜在如实施例3所说的渗透蒸发条件下处理，其结果示于下表3中：表370℃异丙醇/水混合物
流动时间        加入的水      渗透水        渗透水流量(J)
 (小时)         ％重量        ％重量       公斤/平方米/天
  1.0            9.42         87.46            156.34
  1.5            3.33         86.31            65.84
  2.0            2.10         76.84            45.81
  4.0            1.15         46.30            12.65
  5.5            0.37         18.88            1.36
而后像实施例4中那样对膜进行处理，该膜在如实施例3所说的渗透蒸发条件下再测试，其结果示于表4中。表470℃异丙醇/水混合物
流动时间        加入的水       渗透水         渗透水流量(J)
 (小时)          ％重量        ％重量        公斤/平方米/天
  0.5            10.16         98.83              103.04
  0.83           6.86          100.00             99.40
  1.33           4.91          99.53              62.95
  1.83           3.39          97.43              30.69
  3.17           0.40          88.48              10.44
  3.5            0.28          85.00              1.13实施例7-11  采用本发明的膜提纯各种不同的水样品实施例7
如实施例6中所说制得所用的膜并且在如实施例3中所说的渗透蒸发条件下再次进行后处理，其结果如表5中所示。表570℃自来水
流动时间             渗透水流量(J)
(小时)              公斤/平方米/天
  1                      269.6
  2                      270.2
  3                      274.1
  4                      274.7
  5                      279.2
  6                      280.2导电率自来水          660μS/cm自来水渗透物    2.2μS/cm实施例8
如实施例6中所说制得所用的膜并且在如实施例3中所说的渗透蒸发条件下再次进行后处理，其结果如表6中所示。表670℃去离子水
流动时间             渗透水流量(J)
(小时)              公斤/平方米/天
  1                      394.9
  2                      368.1
  3                      346.3
  4                      339.4导电率去离子水         1.8μS/cm去离子水渗透物   0.8μS/cm实施例9
如实施例5中所说制得所用的膜并且在如实施例3中所说的渗透蒸发条件下再次进行后处理，其结果如表7中所示。表770℃肥皂水
流动时间              渗透水流量(J)
 (小时)              公斤/平方米/天
   1                      129.1
   2                      154.1
   3                      172.4
   4                      182.1
   5                      183.2
   6                      182.2
   7                      180.7导电率肥皂水          771μS/cm肥皂水渗透物    24.8μS/cm实施例10
如实施例5中所说制得所用的膜并且在如实施例3中所说的渗透蒸发条件下再次进行后处理，其结果如表8中所示。表870℃尿
流动时间             渗透水流量(J)
 (小时)             公斤/平方米/天
   1                      91.9
   2                      77.1
   3                      77.2
   4                      71.9
   5                      72.3
   6                      70.1导电率尿           12600μS/cm尿渗透物     25.6μS/cm实施例11
如实施例6中所说制得所用的膜并且在如实施例3中所说的渗透蒸发条件下再次进行后处理，其结果如表9中所示。表970℃人造海水
流动时间              渗透水流量(J)
 (小时)              公斤/平方米/天
   1                        96.1
   2                        97.0
   3                        96.0
   4                        103.7
   5                        104.2
   6                        91.9导电率海水         31000μS/cm海水渗透物   25.2μS/cm

Claims (20)

1.一种由含有杂质的水获得纯净水的方法，该方法包括将含有杂质的水通过结晶沸石型材料，从而从水中分离出杂质，其特征在于该沸石膜已经通过与硅酸和/或聚硅酸、或硅酸和/或聚硅酸或与一种有机硅酸酯的混合物接触而经过处理。
2.如权利要求1中所说的方法，其特征在于该膜是通过将沸石型材料的膜沉积在多孔载体上而形成的。
3.如权利要求1或2所说的方法，其特征在于该膜是通过将多孔载体浸渍在包括沸石型材料凝胶的合成凝胶中而由合成凝胶结晶获得沸石型材料膜而形成的，并且该沸石型材料是通过施加压力和/加热而沉积在多孔载体上的。
4.如前面权利要求中任意一个所说的方法，其中该沸石型材料是3A、4A、5A、13X、X、Y、ZSM5、MPOs、SAPOs、硅沸石、β、θ型沸石。
5.如权利要求1-4中任意一个所说的方法，其特征在于可以用沸石引发剂对多孔载体进行预处理，该沸石引发剂选自氧化钴、氧化钼或氧化镍、沸石或硅酸。
6.如权利要求1-5中任意一个所说的方法，其特征在于该结晶沸石型膜是通过这样一种方法制备的，该方法包括将多孔载体的至少一个表面浸渍在能够结晶产生结晶沸石型材料的合成凝胶或溶液中，引发所说的凝胶结晶，从而使沸石型材料在载体上结晶，从该混合物中移出载体而后将多孔载体与含有溶解的能够由溶液中结晶的化合物的液体溶液接触，从而由所说的溶液形成结晶，结果在载体上结晶形成第二层沸石型材料涂层。
7.如前面权利要求中任意一个所说的方法，其中该硅酸的平均分子量为96-10000并且其中该硅酸在该膜的孔隙中是交联的。
8.如权利要求7所说的方法，其中该硅酸的平均分子量为96-3220。
9.如权利要求1-8中任意一个所说的方法，其中该硅酸的通式为SinOp(OH)r，其中n、p和r可以从n＝1，p＝0，r＝4，变化为n＝8-12，p＝12-20，r＝8-12。
10.如权利要求1-9中任意一个所说的方法，其中该硅酸的通式为SinOp(OH)r，其中n＝20-32，p＝36-60，r＝8-20。
11.如权利要求1-10中任意一个所说的方法，其特征在于该膜用无水硅酸进行处理。
12.如权利要求11所说的方法，其特征在于该硅酸通过用一种酸或碱处理而交联。
13.如权利要求1-6中任意一个所说的方法，其特征在于该有机硅酸酯是原硅酸烷基酯或原硅酸烷氧基酯。
14.如权利要求13所说的方法，其特征在于该有机硅酸酯是原硅酸四乙酯或原硅酸四异丙酯或原硅酸四甲氧酯。
15.如权利要求1-14中任意一个所说的方法，其特征在于在处理膜之前将一种柔软剂加入到硅酸或有机硅酸酯溶液中。
16.如权利要求15所说的方法，其特征在于柔软剂是以羟基为端基的聚硅氧烷。
17.如前面任意一个权利要求所说的方法，其特征在于该多孔载体是由金属网和/或烧结的金属颗粒形成的。
18.如权利要求1-17中任意一个所说的方法，其特征在于将含有杂质的水经过该膜，从而至少部分杂质不会通过该膜。
19.如权利要求18所说的方法，其特征在于在远离含有杂质的水的膜一侧施加减压。
20.如权利要求18或19中任意一个所说的方法，其特征在于除去杂质的水的导电率低于30.0μS/cm。
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