CN1268984C - 固体摄像元件的制造方法 - Google Patents
固体摄像元件的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1268984C CN1268984C CN03160221.5A CN03160221A CN1268984C CN 1268984 C CN1268984 C CN 1268984C CN 03160221 A CN03160221 A CN 03160221A CN 1268984 C CN1268984 C CN 1268984C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- colour filter
- exposure
- color filters
- solid
- mentioned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N Aesculin Natural products OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1Oc2cc3C=CC(=O)Oc3cc2O PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N 0.000 claims description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
本发明提供一种固体摄像元件的制造方法,在规定的膜的整个面上涂敷成为第1滤色层的负型彩色抗蚀剂,对规定的位置照射曝光光束,通过显影形成第1滤色层,在整个面上以覆盖第1滤色层的方式涂敷成为第2滤色层的负型彩色抗蚀剂,对比第1滤色层所包围的区域小的区域照射曝光光束,通过显影形成第2滤色层。此外,本发明提供具有多色的滤色层的固体摄像元件,使该滤色层的边缘呈锥状或反锥状或楔形,以使邻接的滤色层相互间彼此组合在一起。根据本发明能大幅度地减少在利用一般的光刻技术形成滤色层时所产生的光电变换部特性的面内分布或能减少因使用分割曝光法形成滤色层所产生的各曝光区域间的摄像图像的图像不匀。
Description
技术领域
本发明涉及一种固体摄像元件的制造方法。
背景技术
以往,作为在彩色摄像机或彩色数码相机等中使用的固体摄像元件,已知有图8中示出的结构。
图8是示出现有的固体摄像元件的结构的侧剖面图。
如图8中所示,固体摄像元件在半导体衬底100的表面附近具备产生与入射光量对应的信号电荷的光电变换部110而构成。在以栅格状排列的多个像素中分别设置了光电变换部110。
形成了在各像素中生成与在光电变换部110中已产生的信号电荷对应的像素信号并按照来自在固体摄像元件的边缘设置的垂直扫描电路(未图示)的控制信号对水平扫描电路(未图示)传送该像素信号用的驱动电路。
如图8中所示,在半导体衬底100上形成构成上述驱动电路的晶体管的栅电极109,在其上根据驱动电路的电路结构形成了多个布线层。再有,在图8中示出了形成2个布线层105、107的结构例。此外,在栅电极下的半导体衬底中形成了成为晶体管的源漏的未图示的扩散层。
在布线层中形成了使用铝(Al)等构图为所希望的形状的布线,在各布线层间例如用由SiO2构成的层间绝缘膜106、108进行了绝缘。
此外,在最上层布线层105上以覆盖该布线的方式形成了例如由丙烯酸类树脂构成的第1平坦化膜104,在第1平坦化膜104上与各像素对应地设置了对入射光进行分光用的滤色层103。使用包含红(R)、绿(G)、蓝(B)这3原色的颜料的光致抗蚀剂形成滤色层103,以便对每个像素覆盖一种颜色的滤色层。
在滤色层103上形成了具有光透射性的第2平坦化膜102,在其上形成了作为对入射到光电变换部110上的入射光进行聚光用的聚光透镜的微透镜101。
图9是示出图8中示出的现有的滤色层的形成次序的侧剖面图。
在形成图8中示出的滤色层的情况下,首先,在第1平坦化膜104的表面上涂敷例如被分散了绿(G)的颜料的负型的彩色抗蚀剂。接着,使用在除了应形成绿的滤色层(以下,称为G滤色层)的位置之外形成有遮光部的掩摸,照射例如波长365nm的紫外线,通过显影,如图9A中所示,在第1平坦化膜上形成G滤色层103G。此时,G滤色层103G的图形尺寸在底部部位(第1平坦化膜104侧)为9.0μm。
其次,如图9B中所示,在第1平坦化膜104的整个面上以覆盖G滤色层103G的方式涂敷被分散了红(R)的颜料的负型的彩色抗蚀剂103A,使用在除了应形成红的滤色层(以下,称为R滤色层)的位置外形成有遮光部的掩摸,照射例如波长365nm的紫外线。
在此,在现有的固体摄像元件的制造方法中,使用被形成了与由G滤色层103G包围的区域的宽度相等的9.0μm宽度的透射部的的掩摸来照射紫外线(参照图9B),通过显影形成R滤色层103R。此时,如图9C中所示,R滤色层103R的边缘在与G滤色层103G相接的部位上隆起。再者,如果使紫外线的照射能量增加,则如图9D中所示,伴随照射能量的增加,与G滤色层103G相接的部位进入G滤色层103G的边缘上。再有,在现有的固体摄像元件的制造方法中,也有通过使用具备比由G滤色层包围的区域的宽度稍窄的透射部照射紫外线来形成G滤色层103G的情况。
再有,关于除了滤色层外的其它的构成要素的制造方法,由于与本发明的特征无关,故在此省略其详细的说明,但如果能在各自的构成要素中得到最佳的形状,则可使用众所周知的任一种制造方法。
但是,在芯片尺寸大的固体摄像元件中,由于包含上述垂直扫描电路和水平扫描电路的摄像区域比用曝光装置的1次取景能曝光的范围(场尺寸)大,故采用了将摄像区域分割为多个曝光区域、通过将这些分割了的图形联系起来以形成所希望的摄像区域的分割曝光法。关于以上所述,例如在日本公开专利的特开平5-6849号公报中进行了记载。
此外,在近年来的固体摄像元件中,由于伴随像素的高集成化而产生了各种各样的制造离散性(掩摸尺寸差、微透镜的失真分量、1次取景内的曝光量分布、掩摸的对准精度、抗蚀剂特性的随时间的变化等),故产生滤色层的尺寸或形状的离散性或位置偏移,有时邻接的滤色层相互间重叠地形成或留出间隙来形成。
在上述的固体摄像元件的制造方法中,由于滤色层的角部因曝光装置的解像度的下降的缘故而被形成为圆弧状,故在这样的角部上也产生不形成滤色层的间隙。此外,如上所述,在彩色抗蚀剂的曝光中使用的紫外线的照射能量大到必要的程度以上的情况下或在以邻接的滤色层的位置关系比设计值更接近的形态进行了位置重合的情况下,也有邻接的滤色层相互间重叠的情况。例如在日本公开专利的特开平10-209410号公报中公开了消除这些滤色层的重叠或间隙的一例。其中记载了依次重叠地形成3种滤色层、其后通过除去上层的滤色层直到露出最下层的滤色层来消除邻接的滤色层间的间隙的方法。
如上所述,通常使用光刻技术来制造固体摄像元件的滤色层。此外,为了准确地形成宽度为几微米的近年来的固体摄像元件,使用缩小投影曝光装置、即被称为所谓的步进机的曝光装置对图形进行曝光。
在滤色层的形成时产生了制造工艺的离散性或掩摸的位置偏移的情况下,由于滤色层的尺寸或位置随该离散量而变化,故在每次曝光中滤色层的形状、尺寸、滤色层间的间隙或重叠量都不同。此外,在形成上述R滤色层用的紫外线照射时,在使用了比被G滤色层包围的区域的宽度窄的掩摸的情况下,由于R滤色层的尺寸或位置也随制造工艺的离散性或掩摸的位置偏移而变化,故滤色层间的间隙或重叠量以在每次曝光的面内具有分布的方式变化,或有时在每次曝光中变动。
在芯片尺寸处于曝光装置的场尺寸内的一般的固体摄像元件的情况下,在一次的曝光处理中形成图形。此时,如果如上所述那样存在重叠或间隙,则由于在芯片面内连续地以二维方式变化的形态产生重叠或间隙,故入射到光电变换部上的光量以具有二维分布的形态在摄像区域内变化。因而,在被输出的像素信号中就包含与间隙的宽度或重叠量的变化对应的遮蔽分量或混色分量,成为摄像图像的性能变坏的原因。
此外,在利用上述的分割曝光法形成的固体摄像元件中,由于滤色层的尺寸或位置在每个已被分割的曝光区域中变化,故以同一尺寸且在相同的对准的状态下形成各曝光区域的滤色层是极为困难的。
来自被摄体的光例如以图10的a或b示出的光路入射到在固体摄像元件的表面上形成的微透镜上。在此,光线a透过微透镜、第1平坦化层、第2平坦化层、滤色层和多个层间绝缘膜到达光电变换部。此外,如光线b那样入射到像素的边界部位上的光,在滤色层的边界或布线层处引起了漫射、反射、折射、衍射等后,其分量的一部分到达光电变换部。
如果在滤色层的边界部分上存在间隙,则由于入射的光的绝对量与在相同的间隙中存在滤色层的情况下相比为约3倍,故在间隙的宽度不同的情况下,由于漫射、反射、折射、衍射等的缘故到达光电变换部的光的量产生了变化。再者,如果在邻接的滤色层相互间存在重叠或间隙,则在滤色层上形成的第2平坦化膜的表面不能充分地平坦化,在滤色层的重叠的部位或间隙的部位上产生了凹凸。
例如,在滤色层的间隙部位上产生的第2平坦化膜的凹部,如图11A中所示,与透镜同样地起作用,使入射光分散。其结果,已被分散的光通过滤色层到达光电变换部,在像素间在入射光量中产生了离散性。
另一方面,在滤色层的重叠的部位上,由于因通过膜厚厚的滤色层的缘故到达光电变换部的光的光量衰减了,故在像素间在入射光量中产生了离散性。此外,由于邻接的滤色层通常其颜色不同,故因通过滤色层的重叠的部位的缘故,已混色的光到达光电变换部。再者,由于在滤色层的重叠的部位上如图11B中所示产生了第2平坦化膜的凹部,故由于因第2平坦化膜的凹部引起的光的折射的缘故,间接地入射到光电变换部上的光的量产生变化。因而,即使来自被摄体的光在同一条件下入射到各像素上,入射到光电变换部上的光的绝对量在每个像素中也不同。
因而,在使用上述的分割曝光法形成滤色层的情况下,由于如图12或图13中所示在每个已被分割的曝光区域(第1曝光区域、第2曝光区域)中滤色层的重叠量或间隙量产生变化,故这一点反映在对于曝光区域中的入射光量的像素信号的电压值(光检测灵敏度)的差上,作为摄像图像的明暗的差别而被识别。于是,在使用由分割曝光法形成的固体摄像元件进行了摄像的情况下,存在在与已被分割的曝光区域的边界对应的摄像图像的部位上产生了用肉眼可确认的条状的图像不匀的问题。
如上所述,主要起因于曝光工序而产生滤色层的重叠或间隙。因而,通过使用曝光中使用的掩摸尺寸的高精度化、掩摸的位置校正、或各曝光区域中的曝光能量差的校正、成为滤色层的抗蚀剂特性的均匀化等各种各样的方法,可减小重叠量或间隙量。但是,要完全将曝光区域内的工艺离散性、面内分布抑制为零是不可能的,而且,只要采用上述的分割曝光法,要完全消除曝光区域间的曝光工序差是不可能的,在以往将各曝光区域中的光检测灵敏度的差抑制为一定值以下是困难的。
发明内容
本发明是为了解决上述的现有的技术所存在的问题而进行的,其目的在于提供能大幅度地减少在利用一般的光刻技术形成滤色层时所产生的光电变换部特性的面内分布或能减少因使用分割曝光法形成滤色层所产生的各曝光区域间的摄像图像的图像不匀的固体摄像元件的制造方法。
为了达到上述目的,本发明的固体摄像元件的制造方法是具有由负型彩色抗蚀剂构成的多色的滤色层的固体摄像元件的制造方法,其中,在规定的膜的整个面上涂敷成为第1滤色层的负型彩色抗蚀剂,对规定的位置照射曝光光束,通过显影形成上述第1滤色层,在整个面上以覆盖上述第1滤色层的方式涂敷成为第2滤色层的负型彩色抗蚀剂,对比第1滤色层所包围的区域小的区域照射曝光光束,通过显影形成上述第2滤色层。
在上述那样的固体摄像元件的制造方法中,通过在第2滤色层的曝光时改变曝光条件使之偏离标准的条件,可使第2滤色层的图形变粗。因而,即使在存在制造工艺的离散性或对准状态的离散性的情况下,也可由邻接的滤色层的大小来规定并无间隙地稳定地形成滤色层的尺寸和位置。
附图说明
图1A、1B、1C、1D、1E是示出本发明的固体摄像元件的第1实施例的制造次序的剖面图。
图2是示出使用分割曝光法形成的本发明的固体摄像元件的滤色层的位置关系的俯视图。
图3A、3B、3C、3D、3E是示出本发明的固体摄像元件的第2实施例的制造次序的剖面图。
图4A、4B是示出图3中示出的固体摄像元件所具有的滤色层的形状例的主要部分放大图。
图5A、5B、5C是示出图3中示出的固体摄像元件所具有的滤色层的另一形状例的主要部分放大图。
图6A、6B、6C、6D、6E是示出本发明的固体摄像元件的第3实施例的制造次序的剖面图。
图7A、7B、7C是示出本发明的固体摄像元件的第4实施例的结构的俯视图。
图8是示出现有的固体摄像元件的结构的侧剖面图。
图9A、9B、9C、9D是示出图8中示出的现有的滤色层的形成次序的侧剖面图。
图10是示出来自入射到固体摄像元件上的被摄体的光的光路例的侧剖面图。
图11A、11B是示出图9中示出的现有的固体摄像元件所具有的滤色层位置偏移和第1平坦化膜的形状例的主要部分放大图。
图12是示出使用分割曝光法形成的现有的固体摄像元件的滤色层的位置关系的俯视图。
图13是示出使用分割曝光法形成的现有的固体摄像元件的滤色层的位置关系的俯视图。
具体实施方式
其次,参照附图说明本发明。
(第1实施例)
图1是示出本发明的固体摄像元件的第1实施例的制造次序的剖面图。
再有,图1中示出的固体摄像元件的像素间距为9μm,滤色层与图12和图13中示出的现有的固体摄像元件同样,成为通路排列式结构。此外,由于固体摄像元件的结构除了滤色层的形状不同外,与图8中示出的现有的固体摄像元件是同样的,故省略其说明。
在本实施例的固体摄像元件的制造方法中,首先,如图1A中所示,在第1平坦化膜的表面上涂敷例如被分散了绿(G)的颜料的负型的彩色抗蚀剂。接着,使用在除了应形成G滤色层的位置外形成有遮光部的掩摸,照射例如波长365nm的紫外线,通过显影,在第1平坦化膜4上形成G滤色层3G。此时,G滤色层3G的图形尺寸在底部部位(第1平坦化膜侧)为9.0μm。
其次,如图1B中所示,在第1平坦化膜4的整个面上以覆盖G滤色层3G的方式涂敷被分散了红(R)的颜料的负型的彩色抗蚀剂3A,使用在除了应形成R滤色层3R的位置外形成有遮光部的掩摸,照射例如波长365nm的紫外线。
在本实施例的固体摄像元件的制造方法中,即使掩摸产生位置偏移,也不会重叠地形成G滤色层3G和R滤色层3R。例如,如图1B中所示,使用被形成了离被G滤色层3G包围的区域的边缘为0.25μm的8.5μm见方的透射部的掩摸来照射紫外线。
在此,在紫外线的照射能量小的情况下,在显影后,如图1C中所示,在被G滤色层3G包围的区域中以岛状孤立地形成R滤色层3R。此外,如果使紫外线的照射能量增加(过度曝光),则伴随照射能量的增加,R滤色层3R逐渐地变粗,如图1D中所示,与G滤色层3G的边缘接触。再者,如果使紫外线的照射能量增加,则R滤色层3R的尺寸增加,直到埋入被G滤色层3G包围的区域,通过使照射能量最佳化,如图1E中所示,R滤色层3R大致完全埋入被G滤色层3G包围的区域内。
此时,即使使照射能量增加,由于与G滤色层3G的边缘接触的阶段中R滤色层3R的尺寸增加也被抑制,故R滤色层3R不会进入G滤色层3G之上。这一点显示了R滤色层3R的尺寸由G滤色层3G的形状、尺寸来规定。
因而,按照本实施例的固体摄像元件的制造方法,即使在存在制造工艺的离散性或对准状态的离散性的情况下,也可由先前形成的邻接的滤色层的大小来规定并无间隙地稳定地形成滤色层的尺寸和位置。
此外,通过应用于使用分割曝光形成的固体摄像元件的滤色层制造工序,即使在每次曝光间存在工艺离散性的情况下,在每个曝光区域(第1曝光区域、第2曝光区域)中如图2中所示也可将邻接的滤色层间的间隔大致保持为同等程度,可减少各曝光区域间的摄像图像的图像不匀。
在使用本实施例的固体摄像元件进行了摄像的图像中,即使在滤色层的制造工序中使用分割曝光法,在与各曝光区域的边界对应的摄像图像的部位上也没有见到用肉眼可确认的条状的图像不匀。
(第2实施例)
图3是示出本发明的固体摄像元件的第2实施例的制造次序的剖面图。
再有,图3中示出的固体摄像元件与第1实施例同样,像素间距为9μm,滤色层成为通路排列式结构。
在第2实施例的固体摄像元件的制造方法中,首先,如图3A中所示,在第1平坦化膜4的表面上涂敷例如被分散了绿(G)的颜料的负型的彩色抗蚀剂。接着,使用在除了应形成G滤色层13G的位置外形成有遮光部的掩摸,照射例如波长365nm的紫外线,通过显影,在第1平坦化膜4上形成G滤色层13G。
在本实施例中,在G滤色层13G的曝光时以具有照度分布的方式照射紫外线。即,通过提高曝光区域的边缘部的曝光对比度,将G滤色层13G的图形尺寸在底部部位(第1平坦化膜侧)形成为9.11μm。此时,G滤色层13G的边缘如图3A中所示为锥状。再有,作为降低曝光区域的边缘的曝光对比度的方法,使曝光光束的焦点错开即可。
其次,如图3B中所示,在第1平坦化膜4的整个面上以覆盖G滤色层13G的方式涂敷被分散了红(R)的颜料的负型的彩色抗蚀剂13A,使用在除了应形成R滤色层13R的位置外形成有遮光部的掩摸,照射例如波长365nm的紫外线。
在第2实施例中,被G滤色层13G包围的区域的宽度为8.9μm,在离开G滤色层13G的边缘的区域内照射紫外线,具体地说,在R滤色层13R形成时,即使掩摸产生位置偏移,也不会与G滤色层13G重叠地形成R滤色层13R。在离G滤色层13G的边缘为0.25μm的8.4μm见方的区域内照射紫外线。
在此,在紫外线的照射能量小的情况下,在显影后,如图3C中所示,在被G滤色层13G包围的区域中以岛状孤立地形成R滤色层13R。此外,如果使紫外线的照射能量增加,则伴随照射能量的增加,R滤色层13R逐渐地变粗,如图3D中所示,与G滤色层13G的边缘接触。再者,如果使紫外线的照射能量增加,则R滤色层13R的尺寸增加,直到埋入被G滤色层13G包围的区域,通过使照射能量最佳化,如图3E中所示,R滤色层13R大致完全埋入被G滤色层13G包围的区域内。此时,R滤色层13R的边缘如图3E中所示成为反锥状,以便与G滤色层13G的形状相一致。
在本实施例中,通过将G滤色层13G的边缘形成为锥状,在埋入并形成R滤色层13R时,即使在G滤色层13G的边缘存在局部的变形等,在埋入部分中也难以产生空洞等的缺陷。
再有,为了完全地防止来自间隙的光的透过,希望邻接的滤色层相互间的锥状部的重叠量为0.1μm以上。
在本实施例中,由于将滤色层的边缘形成为锥状,故在邻接的滤色层相互间的接合部分中不产生间隙。
因而,通过应用于使用分割曝光形成的固体摄像元件的滤色层制造工序,即使在每次曝光间存在工艺离散性的情况下,在每个曝光区域中也可将邻接的滤色层间的间隔大致保持为同等程度。
再有,在本实施例中,如果在R滤色层13R的形成时紫外线的照射能量小,则在滤色层的边缘部处在上表面上产生微小的间隙。此外,如果在R滤色层13R的形成时紫外线的照射能量大,则如图4B中所示,在滤色层的边缘部处在上表面上产生微小的重叠。但是,即使在这样的结构中,也防止了来自邻接的滤色层13间的间隙的光的进入,在滤色层13上形成的第2平坦化膜2的表面上产生的凹凸也减小了。因而,不产生到达像素间的光电变换部的入射光量的离散性。
此外,在本实施例中,滤色层13的边缘的形状,如图5A中所示,没有必要是锥状或反锥状的,只要是邻接的滤色层相互间组合在一起的形状,例如,如图5B、C中所示,可将滤色层13的边缘的形状形成为楔形。通过使彩色抗蚀剂的曝光的区域的边缘部中的曝光对比度变化,可实现这样的形状。
(第3实施例)
图6是示出本发明的固体摄像元件的第3实施例的制造次序的剖面图。
再有,图6中示出的固体摄像元件与第1实施例同样,像素间距为9μm,滤色层成为通路排列式结构。
在第3实施例的固体摄像元件的制造方法中,首先,与第1实施例同样,在第1平坦化膜4的表面上涂敷例如被分散了绿(G)的颜料的负型的彩色抗蚀剂。接着,使用在除了应形成G滤色层23G的位置外形成有遮光部的掩摸,照射例如波长365nm的紫外线,通过显影,如图6A中所示,在第1平坦化膜4上形成G滤色层23G。在本实施例中,在G滤色层23G的曝光时以具有照度分布的方式照射紫外线。即,通过提高曝光区域的边缘部的曝光对比度,将G滤色层23G的图形尺寸在底部部位(第1平坦化膜侧)形成为9.1μm。此时,G滤色层23G的边缘如图6A中所示为锥状。再有,作为降低曝光区域的边缘的曝光对比度的方法,使曝光光束的焦点错开即可。
其次,如图6B中所示,在第1平坦化膜4的整个面上以覆盖G滤色层23G的方式涂敷被分散了红(R)的颜料的负型的彩色抗蚀剂23A,使用在除了应形成R滤色层23R的位置外形成有遮光部的掩摸,照射例如波长365nm的紫外线。
此时,与第2实施例同样,被G滤色层23G包围的区域的宽度为8.9μm,在第3实施例中,在该被G滤色层23G包围的区域内以具有照度分布的方式照射紫外线(参照图6B)。即,降低曝光的区域的边缘中的曝光对比度来形成。
在此,在紫外线的照射能量小的情况下,在显影后,如图6C中所示,在被G滤色层23G包围的区域中以岛状孤立地形成R滤色层23R。
另一方面,如果使紫外线的照射能量增加,则R滤色层23R逐渐地变粗,如图6D中所示,与G滤色层23G的边缘接触。再者,如果使紫外线的照射能量增加,则R滤色层23R的尺寸增加,以便埋入被G滤色层23G包围的区域。
因而,通过使照射能量最佳化,如图6E中所示,以大致完全埋入被G滤色层23G包围的区域内的方式形成R滤色层23R。
在本实施例中,由于与第2实施例同样地将各滤色层23的边缘的形状形成为锥状,故在邻接的滤色层相互间的接合部分中不产生间隙。
因而,通过应用于使用分割曝光形成的固体摄像元件的滤色层制造工序,即使在每次曝光间存在工艺离散性的情况下,在每个曝光区域中也可将邻接的滤色层间的间隔大致保持为同等程度。
再有,在上述第2实施例和第3实施例中,作为降低曝光区域的边缘中的曝光对比度的方法,使用了使曝光光束的焦点与掩摸表面错开的方法,但即使阶段性地使掩摸的边缘的透射率变化(使光学浓度具有级差)以降低曝光区域的边缘部位上的曝光对比度,也可得到良好的结果。
此外,在上述第1实施例~第3实施例的说明中,示出了在形成G滤色层后形成R滤色层的例子,但滤色层的形成顺序不限定于该顺序,可按任意的顺序形成G滤色层、R滤色层和蓝的滤色层(以下,称为B滤色层)。此时,使用与各实施例的R滤色层的形成方法同样的方法形成其后形成的2色的滤色层即可。
(第4实施例)
图7是示出本发明的固体摄像元件的第4实施例的结构的俯视图。
如图2中所示,由于滤色层的角部与边不同,曝光时的对比度变小,故存在图形的形状起因于制造工艺的离散性而容易变化的问题。
在本实施例中,如图7A~C中所示,通过在邻接的滤色层中的某一方埋入曝光对比度变小的滤色层的角部,作成消除间隙的结构。
在滤色层的角部上设置在曝光时使用的掩摸的透射部的角部上埋入间隙用的微小图形,使用该掩摸对彩色抗蚀剂进行曝光即可。
通过以这种方式用邻接的滤色层填埋滤色层的角部,减少了因角部的间隙的离散性导致的各曝光区域间的摄像图像的图像不匀。特别是通过组合第1实施例~第3实施例的制造方法与第4实施例,由于完全消除了滤色层间的间隙,故与第1实施例~第3实施例相比可进一步减少各曝光区域间的摄像图像的图像不匀。
再有,图7A示出了在各滤色层的角部形成了G滤色层的例子,图7B示出了在各滤色层的角部形成了B滤色层的例子,图7C示出了在各滤色层的角部形成了R滤色层的例子。
其次,以下列举本发明的实际形态。
〔实际形态1〕一种具有由负型彩色抗蚀剂构成的多色的滤色层的固体摄像元件的制造方法,其中:
在规定的膜的整个面上涂敷成为第1滤色层的负型彩色抗蚀剂,
对规定的位置照射曝光光束,通过显影形成上述第1滤色层,
在整个面上以覆盖上述第1滤色层的方式涂敷成为第2滤色层的负型彩色抗蚀剂,
对比上述第1所包围的区域小的区域照射曝光光束,通过显影形成上述第2滤色层。
〔实际形态2〕实际形态1中记载的固体摄像元件的制造方法,其中:
在上述第2滤色层的形成时曝光的区域的边缘处,进行比标准的曝光条件过分的曝光。
〔实际形态3〕实际形态1中记载的固体摄像元件的制造方法,其中:
在上述第1滤色层的形成时曝光的区域的边缘处或在上述第2滤色层的形成时曝光的区域的边缘处的至少任意一方,使曝光对比度比标准的曝光条件小。
〔实际形态4〕实际形态2或3中记载的固体摄像元件的制造方法,其中:
在上述第1滤色层的形成时曝光的区域的边缘处或在上述第2滤色层的形成时曝光的区域的边缘处的至少任意一方,使曝光光束的焦点位置偏离标准的曝光条件。
〔实际形态5〕实际形态2至4的任一实际形态中记载的固体摄像元件的制造方法,其中:
在上述第1滤色层的形成时曝光的区域的边缘处或在上述第2滤色层的形成时曝光的区域的边缘处的至少任意一方,使曝光光束的光学浓度具有级差。
〔实际形态6〕一种具有多色的滤色层的固体摄像元件,其中:
该滤色层的边缘呈锥状或反锥状,以使邻接的滤色层相互间彼此组合在一起。
〔实际形态7〕一种具有多色的滤色层的固体摄像元件,其中:
该滤色层的边缘呈楔形,以使邻接的滤色层相互间彼此组合在一起。
〔实际形态8〕实际形态6或7中记载的固体摄像元件,其中:
在角部形成了邻接的滤色层中至少某一方的滤色层。
〔实际形态9〕实际形态6至8的任一实际形态中记载的固体摄像元件,其中:
邻接的滤色层相互间的重叠量为0.1μm以上。
由于本发明如以上已说明的那样来构成,故可起到以下记载的效果。
即使在存在制造工艺的离散性或对准状态的离散性的情况下,也可由邻接的滤色层的大小来规定并无间隙地稳定地形成滤色层的尺寸和位置。
此外,通过应用于使用分割曝光形成的固体摄像元件的滤色层制造工序,即使在每次曝光间存在工艺离散性的情况下,在每个曝光区域中也可将邻接的滤色层间的间隔大致保持为同等程度,可减少各曝光区域间的摄像图像的图像不匀。
Claims (6)
1.一种固体摄像元件的制造方法,该固体摄像元件具有由彩色抗蚀剂构成的多色的滤色层,其特征在于:
在规定的膜的整个面上涂敷成为第1滤色层的彩色抗蚀剂,
对规定的位置照射曝光光束,通过显影形成上述第1滤色层,
在整个面上以覆盖上述第1滤色层的方式涂敷成为第2滤色层的彩色抗蚀剂,
在上述第1滤色层所包围区域的内侧区域中形成照射曝光光束的区域与不照射曝光光束的区域之间的边界,通过显影形成上述第2滤色层。
2.如权利要求1中所述的固体摄像元件的制造方法,其特征在于:
上述彩色抗蚀剂是负型的。
3.如权利要求1中所述的固体摄像元件的制造方法,其特征在于:
在上述第2滤色层形成时曝光区域的边缘处,进行比标准的曝光条件过分的曝光。
4.如权利要求1中所述的固体摄像元件的制造方法,其特征在于:
在上述第1滤色层形成时曝光区域的边缘处或在上述第2滤色层形成时曝光区域的边缘处的至少任意一方,使曝光对比度比标准的曝光条件小。
5.如权利要求1中所述的固体摄像元件的制造方法,其特征在于:
在上述第1滤色层形成时曝光区域的边缘处或在上述第2滤色层形成时曝光区域的边缘处的至少任意一方,使曝光光束的焦点位置偏离标准的曝光条件。
6.如权利要求1中所述的固体摄像元件的制造方法,其特征在于:
在上述第1滤色层形成时曝光区域的边缘处或在上述第2滤色层形成时曝光区域的边缘处的至少任意一方,使曝光光束的光学浓度具有级差。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP296491/2002 | 2002-10-09 | ||
JP2002296491A JP4310093B2 (ja) | 2002-10-09 | 2002-10-09 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1501169A CN1501169A (zh) | 2004-06-02 |
CN1268984C true CN1268984C (zh) | 2006-08-09 |
Family
ID=32064144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN03160221.5A Expired - Fee Related CN1268984C (zh) | 2002-10-09 | 2003-09-28 | 固体摄像元件的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20040070039A1 (zh) |
JP (1) | JP4310093B2 (zh) |
CN (1) | CN1268984C (zh) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4447988B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2010-04-07 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ |
JP4646575B2 (ja) | 2004-08-31 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4428231B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2010-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板、電気光学装置、および電子機器 |
KR100628230B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-09-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 경사진 계면의 컬러필터를 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP4725108B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2011-07-13 | 凸版印刷株式会社 | カラー固体撮像素子 |
JP4761505B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、ならびに撮像システム |
JP4765376B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2011-09-07 | ソニー株式会社 | カラーフィルタの製造方法、固体撮像装置の製造方法 |
JP4771466B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2011-09-14 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR101114608B1 (ko) * | 2006-04-03 | 2012-03-05 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 컬러 촬상 소자 및 컬러 촬상 소자 제조 방법 |
JP4997907B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2012-08-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラ |
JP5034484B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2012-09-26 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
US8023017B2 (en) * | 2007-01-08 | 2011-09-20 | United Microelectronics Corp. | Pattern of color filter array |
US7675024B2 (en) * | 2008-04-23 | 2010-03-09 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing color filter array with non-uniform color filter sizes |
JP4835719B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2011-12-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2010073819A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2010085703A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法 |
JP2010085702A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法 |
RU2515185C2 (ru) | 2009-02-05 | 2014-05-10 | СиСиЭс ИНК. | Светодиодное светоизлучающее устройство |
KR20100090971A (ko) * | 2009-02-09 | 2010-08-18 | 삼성전자주식회사 | 후면 수광 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
JP2010282992A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
GB2481651B (en) * | 2009-07-02 | 2012-10-10 | Candela Microsystems S Pte Ltd | Light guide array for an image sensor |
JP5623230B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2014-11-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
JP6200188B2 (ja) | 2013-04-08 | 2017-09-20 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
JP6166640B2 (ja) | 2013-10-22 | 2017-07-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
JP2016058538A (ja) | 2014-09-09 | 2016-04-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
KR20160079975A (ko) * | 2014-12-26 | 2016-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6079804B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2017-02-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP6929119B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタアレイの形成方法および電子デバイスの製造方法 |
CN111712921A (zh) * | 2017-12-12 | 2020-09-25 | 拉芳德利责任有限公司 | 用于可见光和紫外光检测的半导体光学传感器及其对应的制造过程 |
CN110164898A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-23 | 德淮半导体有限公司 | 彩色滤光片阵列和图像传感器 |
CN111882995B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4917471A (en) * | 1986-08-30 | 1990-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
JPH03287103A (ja) | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | カラーフィルターの形成法 |
JP2902506B2 (ja) * | 1990-08-24 | 1999-06-07 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US5561317A (en) * | 1990-08-24 | 1996-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor devices |
JPH10209410A (ja) | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP3711211B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2005-11-02 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4372955B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2009-11-25 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置および信号処理方法 |
JP2002014221A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | 緑色フィルタ層を有する色フィルタアレイおよびその製造方法 |
-
2002
- 2002-10-09 JP JP2002296491A patent/JP4310093B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-28 CN CN03160221.5A patent/CN1268984C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-02 US US10/676,085 patent/US20040070039A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-11-17 US US11/280,323 patent/US7202103B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060076591A1 (en) | 2006-04-13 |
US7202103B2 (en) | 2007-04-10 |
JP2004134524A (ja) | 2004-04-30 |
US20040070039A1 (en) | 2004-04-15 |
CN1501169A (zh) | 2004-06-02 |
JP4310093B2 (ja) | 2009-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1268984C (zh) | 固体摄像元件的制造方法 | |
US7659929B2 (en) | Solid-state image sensor and method of manufacturing thereof | |
US20110074991A1 (en) | Solid-state image device and method of manufacturing the same | |
CN1702873A (zh) | 固体摄像器件及其制造方法以及摄像机 | |
CN1893098A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
US7986019B2 (en) | Solid-state imaging device and its manufacturing method | |
US8193025B2 (en) | Photomask, image sensor, and method of manufacturing the image sensor | |
CN1271458C (zh) | 微透镜基板的制作方法和微透镜曝光光学系统 | |
CN1881605A (zh) | 固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法 | |
CN1763963A (zh) | 固体摄像器件及其制造方法 | |
US20090242735A1 (en) | Solid-state image pickup device and mask manufacturing method | |
US7777795B2 (en) | Solid-state image pickup device | |
CN1192543A (zh) | 曝光用光掩模及其制造方法 | |
US8410532B2 (en) | Solid-state imaging device including a multilayer wiring layer, color filters, lenses, and waveguide groove and manufacturing method for the same | |
CN1591886A (zh) | 固体摄像器件及其制造方法 | |
CN1941391A (zh) | 固体摄像元件及其制造方法 | |
JP2004356585A (ja) | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置。 | |
JP2006269775A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
TW201444069A (zh) | 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器 | |
CN1992318A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
CN1622335A (zh) | 固体摄像装置和其制造方法 | |
JP2006216904A (ja) | カラー固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2007288057A (ja) | カラー撮像素子及びカラー撮像素子製造方法 | |
US20240036237A1 (en) | Microlens array and manufacturing method thereof | |
JP2009168874A (ja) | カラーフィルタ製造用のフォトマスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060809 Termination date: 20150928 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |