CN1702873A - 固体摄像器件及其制造方法以及摄像机 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 82
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 claims description 14
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010019 resist printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/135—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
- H04N25/136—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements using complementary colours
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Signal Processing (AREA)
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Abstract
本发明以更低成本地提供一种具有能够防止由倾斜光引起的来自邻接像素的混色的片上滤色片的固体摄像器件。在具有在半导体衬底上矩阵状地形成的受光元件、和在上述受光元件的上层形成的由3种或3种颜色以上的滤色片构成的滤色片层的固体摄像器件的上述滤色片层中,在2种颜色滤色片的像素邻接的边界部分的至少一部分,设置与该2种颜色不同颜色的滤色片壁。
Description
技术领域
本发明涉及一种包括彩色的片上滤色片(on-chip filter)的固体摄像器件及其制造方法,以及包括上述固体摄像器件的摄像机。
背景技术
以往,具有将光转换为电荷的光电转换部的CCD固体摄像器件及MOS固体摄像器件等固体摄像器件使用于摄影机及数字静态摄像机(digital still camera)、或传真等的各种图像输入设备中。
此外,作为这些固体摄像器件,还已知有一种包括滤色片的彩色固体摄像器件。例如,现有的彩色固体摄像器件具有这样的结构:将由红(R)、蓝(B)、绿(G)组合而成的原色滤色片或由青色(C)、洋红色(M)、黄色(Y)、绿(G)组合而成的互补色滤色片,按规定的图形层叠在固体摄像器件中二维排列的受光元件的受光面上,以使每一受光元件对应一种颜色。因此,在受光元件的受光面上层叠的滤色片一般被称为“片上滤色片”。
但是,射向彩色固体摄像器件的受光面的入射光不一定垂直于受光面,且也不限于相互平行。自倾斜方向向受光面入射的光倾斜地透射一个滤色片并入射到邻接的受光元件时,存在产生混色的问题。
为了解决这种混色问题,例如,已知有如图19所示的彩色固体摄像器件91(例如,参照特公平8-8344号公报(第3~4页、第1~3图)),其在由发光二极管(PD)形成的受光像素区域的边界部分(像素边界部分)设置了黑色遮光膜96a~96c。图19所示的彩色固体摄像器件经以下工序来制造。
首先,在固体摄像器件91的成像面上的像素边界部分、按规定的膜厚构图可染性树脂,并用黑色染料进行染色,由此形成第一遮光膜96a。接着,在用此遮光膜96a划分的区域中的规定区域,构图可染性树脂来进行染色,由此形成第一滤色片(R)93。
接着,在形成第1遮光膜96a及第1滤色片93的受光面上,形成透明的防染膜97,并在其上的上述像素边界部,按照预定的膜厚构图可染性树脂,并用黑色燃料进行染色,从而形成第2遮光膜96b。接着,在由该遮光膜96b划分的区域中预定的区域内,构图可染性树脂并进行染色,来形成第2滤色片(G)94。
并且,与上述相同地,形成透明的防染色膜98、第三遮光膜96c、第三滤色片(B)95,最后形成透明的防染色膜99作为保护层。
由此,例如,通过在像素边界部分形成黑色的遮光膜96a~96c,例如倾斜地入射并透射B的滤色片95的光被遮光膜96a~96c遮挡,从而不会向邻接的受光像素区域(PD部)92入射。由此,能够防止由倾斜光引起的混色。
但是,上述现有结构存在需要以下的多个工序的问题,所述工序包括:(1)黑色遮光膜的形成、(2)第一滤色片的形成、(3)防染色膜的形成、(4)黑色遮光膜的形成、(5)第二滤色片的形成、(6)防染色膜的形成、(7)黑色遮光膜的形成、(8)第三滤色片的形成、(9)保护层的形成。
发明内容
本发明鉴于此问题,其目的在于,利用更简单的制造工序提供一种具有片上滤色片的固体摄像器件,该片上滤色片可防止来自由倾斜光引起的邻接像素的混色。
为了实现上述目的,本发明的固体摄像器件,其特征在于,包括:半导体衬底;在上述半导体衬底上矩阵状地形成的受光元件;在上述受光元件的上层形成的、由3种颜色或3种颜色以上的滤色片构成的滤色片层,其特征在于,在上述滤色片层中,在2种颜色滤色片邻接的像素边界部分的至少一部分具有与该2种颜色不同颜色的滤色片壁。
此外,本发明的固体摄像器件的制造方法,其特征在于,包括:在半导体衬底上矩阵状地形成受光元件的工序;在上述受光元件的上层依次形成至少第1~第3颜色的滤色片的工序,在形成上述第1~第3颜色的滤色片的工序的至少任意一个工序中,将与在该工序中形成的滤色片相同颜色的滤色片壁,形成在与该滤色片不同的2种颜色的滤色片相邻接的像素边界部分的至少一部分。
根据本发明,就能够以更低成本提供一种具有片上滤色片的固体摄像器件,该片上滤色片可防止来自由倾斜光引起的邻接像素的混色。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件中的滤色片的结构的平面图。
图2A是沿图1的a-a′线的剖面图。
图2B是沿图1的b-b′线的剖面图。
图3是表示倾斜光入射到本发明的一实施方式的固体摄像器件的状态的模式图。
图4是表示RGB的各色光的光谱特性的曲线图。
图5是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图6是在本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序中所使用的掩膜的平面图。
图7A是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图7B是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图8A是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图8B是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图9是在本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序中所使用的掩膜的平面图。
图10A是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图10B是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图11A是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图11B是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件的制造方法的一个工序的剖面图。
图12A是表示本发明的固体摄像器件中的滤色片的另一个例子的剖面图。
图12B是表示本发明的固体摄像器件中的滤色片的另一个例子的剖面图。
图13A是表示本发明的固体摄像器件中的滤色片的另一个例子的剖面图。
图13B是表示本发明的固体摄像器件中的滤色片的另一个例子的剖面图。
图14A是表示用于形成图12A的滤色片的制造方法的一个工序的剖面图。
图14B是表示用于形成图12A的滤色片的制造方法的一个工序的剖面图。
图15是表示用于形成图13A的滤色片的制造方法的一个工序的剖面图。
图16是表示CMYG的各色的光谱特性的曲线图。
图17A是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件中的滤色片的结构的另一个例子的平面图。
图17B是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件中的滤色片的结构的另一个例子的平面图。
图17C是表示本发明的一实施方式的固体摄像器件中的滤色片的结构的另一个例子的平面图。
图18是表示本发明的一实施方式的摄像机的简略结构的方框图。
图19是表示现有的彩色固体摄像器件的结构的一个例子的剖面图。
具体实施方式
本发明的固体摄像器件,包括:半导体衬底;在上述半导体衬底上矩阵状地形成的受光元件;在上述受光元件的上层形成的、由3种颜色或3种颜色以上的滤色片构成的滤色片层,在上述滤色片层中,在2种颜色滤色片邻接的像素边界部分的至少一部分具有与该2种颜色不同颜色的滤色片壁。
根据此结构,当透射某一个像素的滤色片的倾斜光入射到滤色片壁时,由于滤色片和滤色片壁的颜色互不相同,因此会产生抵消倾斜光的效果。由此,能够防止来自由倾斜光引起的邻接像素的混色。由于不需要现有的这种黑色的遮光膜,所以可简化制造工序,并能够提供更低成本的固体摄像器件。
在上述结构的固体摄像器件中,例如,上述滤色片层可由原色拜耳排列(bayer pattern)的滤色片、原色带状排列(stripe array)的滤色片或互补色的滤色片构成。
在上述结构的固体摄像器件中,如果上述滤色片层是由着色的光致抗蚀剂形成的结构,则由于不需要染色工序就能够制造,所以可进一步削减制造成本。
根据上述结构的固体摄像器件,上述滤色片壁具有与上述滤色片层几乎相同的高度,并且也可按照几乎均匀的宽度形成。此外,上述滤色片壁也可形成为比上述滤色片层更低。或者,上述滤色片壁也可形成为其宽度越靠近上述滤色片层的光入射侧越窄。根据后者两种方式,具有确保扩大像素开口面积且防止由倾斜光引起的混色的优点。
此外,本发明也可以作为包括上述的任何结构的固体摄像器件的摄像机来进行实施。
并且,本发明的固体摄像器件的制造方法,包括:在半导体衬底上矩阵状地形成受光元件的工序;在上述受光元件的上层依次形成至少第1~第3颜色的滤色片的工序,在形成上述第1~第3颜色的滤色片的工序的至少任意一个工序中,将与在该工序中形成的滤色片相同颜色的滤色片壁,形成在与该滤色片不同的2种颜色的滤色片相邻接的像素边界部分的至少一部分。
根据此制造方法,能够制造出防止来自由倾斜光引起的邻接像素的混色的固体摄像器件。即,在此固体摄像器件中,透射某一个像素的滤色片的倾斜光入射到滤色片壁时,由于滤色片和滤色片壁的颜色互不相同,所以产生抵消倾斜光的效果。由此,能够防止由倾斜光引起的混色。此外,用与相同颜色的滤色片相同工序形成滤色片壁,以及,由于不需要现有的这样的黑色遮光膜的形成工序,所以可简化制造工序,能够提供更低成本的固体摄像器件。
在上述的制造方法中,可以用光刻方法来形成上述滤色片及滤色片壁。此情况下,作为上述滤色片及滤色片壁的材料,优选使用着色了的光致抗蚀剂。由于不需要染色工序,就能够进一步简化制造工序。并且,在形成上述滤色片壁时,通过使用半色调网点掩膜或灰色调掩膜,就能够形成比滤色片层低的滤色片壁,或形成其宽度越靠近滤色片层的光入射侧越窄的滤色片壁。
此外,上述的制造方法中,可使用可染性树脂作为上述滤色片及滤色片壁的材料,也可包含构图上述可染性树脂的工序,并且对已构图的可染性树脂进行染色的工序。此情况下,优选在对上述可染性进行染色的工序之后,还包含浸润固定液(固着液)的工序。由于不需要防染色膜,所以可实现制造工序的简化,能够实现片上滤色片的薄膜化。
下面,参照附图来说明本发明的固体摄像器件的更具体的实施方式。
(实施方式1)
下面,说明本发明的一实施方式的固体摄像器件。而且,在此,作为一实施方式,虽然举例示出了CCD固体摄像器件,但本发明不限定于CCD固体摄像器件,也可适用于MOS型固体摄像器件等。
如图1所示,本实施方式的固体摄像器件具有以所谓的拜耳排列为基准的滤色片层,即,在纵2×横2的4个像素中的对角线上的2个像素中配置有G的滤色片4,在剩余的2个像素中的1个像素中配置有R的滤色片6,并且在剩余的1个像素中配置有B的滤色片5。然而,在G的滤色片4和R的滤色片6的边界(像素边界区域)处,具有B的滤色片壁5w,在G的滤色片4和B的滤色片5的边界(像素边界区域)处,具有R的滤色片壁6w。
图2A是沿图1的a-a′线的剖面图,图2B是沿图1的b-b′线的剖面图。而且,在图2A及图2B中,示出了列方向的3个像素的结构,以便容易理解邻接像素的相互关系。
如图2A及图2B所示,本发明的固体摄像器件10包括:半导体衬底1,在半导体衬底1上形成矩阵状的多个发光二极管2,以及传输电极9。在半导体衬底1上隔着绝缘膜12设置了传输电极9,并使其与发光二极管2邻接。此外,在传输电极9及绝缘膜12的上表面设置有用于阻止向传输电极9入射光的遮光膜11。并且,在形成发光二极管2及传输电极9等的半导体衬底1的上层之上,设置有由透明的丙烯树脂构成的第一平坦膜3。
并且,在第一平坦膜3的上层之上,形成有滤色片层。如图2A所表明,滤色片层在拜耳排列的Gb列中,在第一平坦膜3的上层之上对位于各发光二极管2,交替设置了G的滤色片4和B的滤色片5。并且,在这些G的滤色片4和B的滤色片5的边界处,设置了R的滤色片壁6w。R的滤色片壁6w具有与G的滤色片4及B的滤色片5的厚度相同的高度,且其宽度均匀。
此外,如图2B所表明,在拜耳排列的Gr列中,在第一平坦膜3的上层之上对位于各发光二极管2,交替设置了G的滤色片4和R的滤色片6。并且,在这些G的滤色片4和R的滤色片6的边界处,设置了B的滤色片壁5w。B的滤色片壁5w具有与G的滤色片4及R的滤色片6的厚度相同的高度,且其宽度均匀。
并且,例如,在由上述G的滤色片4、B的滤色片5、R的滤色片6、R的滤色片壁6w及B的滤色片壁5w构成的滤色片层的上层之上,设置有如由透明的丙烯树脂构成的第二平坦膜7。并且,在第二平坦膜7的上层上,对位于各发光二极管2而设置了用于将入射光聚焦到各发光二极管2的微透镜8。
在此,使用图3及图4来说明倾斜光入射到上述结构的固体摄像器件10的情况。例如,如图3所示,考虑透射R的滤色片6的光向位于G的滤色片4的正下方的发光二极管2入射的情况。此情况下,透射R的滤色片6的倾斜光还透射设置在该滤色片6旁边的B的滤色片壁5w。图4表示RGB的各色光的透射系数。如图4所示,R的光,在波长小于等于550nm时透射系数几乎为0%,相对于此,B的光,在波长大于等于550nm时透射系数几乎为0%。在不同颜色的混合光的情况下,混合光的光谱特性为单色光的透射系数之积。因此,如图3所示,透射R的滤色片6和B的滤色片壁5w的倾斜光的透射系数,在整个波长区域中几乎为0%。因此,在位于G的滤色片4的正下方的发光二极管2中,几乎不产生上述倾斜光引起的混色。
此外,在图3中,例如,如图4所示,由于G的光和R的光的透射系数曲线的重叠较小,所以除了一部分的波长区域(550~600nm及650~800nm)之外,透射G的滤色片4之后向位于R的滤色片6的正下方的发光二极管2入射的倾斜光的透射系数也几乎成为0%。并且,即使550~600nm及650~800nm的波长区域中,其混色的透射系数也极小。
同样,如图2B所示,透射G的滤色片4和与其邻接的B的滤色片壁5w的倾斜光的透射系数也如图4所表明那样相当低。
如上所述,利用固体摄像器件10,就能够有效地防止来自由倾斜光引起的邻接像素的混色。此外,R、G、B的滤色片4、5、6及滤色片壁5w、6w作为具有均匀高度的一层滤色片层来形成固体摄像器件10。因此,如图19所示,R、G、B的滤色片与由多层形成的现有结构相比,具有可使片上滤色片薄膜化、提高灵敏度的优点。
接着,说明本实施方式的固体摄像器件10的制造方法。
首先,如图5所示,在半导体衬底1上利用公知的方法来形成发光二极管2、绝缘膜12、传输电极9、遮光膜11之后,通过旋涂,在整个表面上涂敷丙烯树脂,再通过加热烘干,形成第一平坦膜3。此后,在第一平坦膜3的表面上形成G的滤色片4。此时,在半导体衬底1上形成矩阵状的发光二极管2上,按行方向1个、列方向也1个地配置G的滤色片4。即,在受光面上按照方格纹形状配置G的滤色片4。而且,例如,通过使第一平坦膜3的表面厚度均匀地涂敷着色为绿色的正型光致抗蚀剂,并敷设使应形成滤色片4的位置之外的区域曝光的掩膜并照射光之后,进行显影,来能够形成G的滤色片4。
接着,通过旋涂涂敷着色为蓝色的正型光致抗蚀剂,以便完全覆盖G的滤色片4和第一平坦膜3。并且,将如图6所示的图形的掩膜,配置在上述蓝色正型光致抗蚀剂的上方。此时,对位掩膜,使掩膜中的无图形的区域(图6中虚线表示的区域61)与G的滤色片4的位置相重合。
在此状态下,当从掩膜上方照射光时,在图6所示的c-c′的截面中,如图7A所示,在掩膜中无图形区域61的正下方的光致抗蚀剂由透射区域61的光进行曝光。另一方面,图6的掩膜中相当于掩膜区域62部分的光致抗蚀剂,由于被掩膜区域62遮挡了光,因此不被曝光。因此,经过显影工序,在图6所示的c-c′的截面中,如图7B所示,只有在相当于掩膜区域62的地方残留蓝色的光致抗蚀剂,从而形成B的滤色片5。
此外,在图6所示的d-d′的截面中,如图8A所示,在掩膜中无图形区域61及区域64(参照图6)的正下方的光致抗蚀剂,分别被透射区域61及区域64的光进行曝光。另一方面,图6的掩膜中相当于掩膜区域63部分的光致抗蚀剂,由于被掩膜区域63遮挡了光,因此没有曝光。因此,经过显影工序,在图6所示的d-d′的截面中,如图8B所示,仅在相当于掩膜区域63的地方残留蓝色的光致抗蚀剂,从而以邻接G的滤色片4的状态,形成B的滤色片壁5w。
接着,通过旋涂涂敷着色为红色的正型光致抗蚀剂,以使整体地覆盖如图7B及图8B所示形成的G滤色片4及B滤色片5以及滤色片壁5w。并且,将如图9所示的这种图形的掩膜,配置在上述红色的正型光致抗蚀剂的上方。此时,对位掩膜,使在掩膜中无图形的区域(图9中虚线表示的区域71)与G的滤色片4的位置相重合。
在此状态下,当从掩膜上方照射光时,图9所示的e-e′的截面中,如图10A所示,在掩膜中无图形区域71及区域74(参照图9)的正下方的光致抗蚀剂,分别被透射区域71及区域74的光进行曝光。另一方面,图9的掩膜中相当于掩膜区域73部分的光致抗蚀剂,由于被掩膜区域73遮挡了光,因此没有曝光。因此,经过显影工序,在图9所示的e-e′的截面中,如图10B所示,仅在相当于掩膜区域73的位置残留红色的光致抗蚀剂,从而在G的滤色片4及B的滤色片5的边界处,形成R的滤色片壁6w。
此外,图9所示的f-f′的截面中,如图11A所示,在掩膜中无图形区域71的正下方的光致抗蚀剂由透射区域71的光进行曝光。另一方面,在图9的掩膜中,相当于掩膜区域72部分的光致抗蚀剂,由于被掩膜区域72遮挡了光,因此不被曝光。因此,经过显影工序,在图9所示的f-f′的截面中,如图11B所示,仅在相当于掩膜区域72的位置残留红色的光致抗蚀剂,来形成R的滤色片6。
接着,如图10B及图11B形成的滤色片层之上,通过旋涂涂敷丙烯树脂,经加热烘干,形成第二平坦膜7。并且,同样在第二平坦膜7的表面上形成微透镜8,完成图2A及图2B所示结构的固体摄像器件10。
根据以上的制造方法,通过以下三个工序(1)G的滤色片的形成、(2)B的滤色片及滤色片壁的形成、(3)R的滤色片及滤色片壁的形成,能够形成滤色片层。因此,与在像素边界区域具有上述那样的黑色遮光膜的现有结构相比,能够简化制造工序。
而且,上述的制造方法也只是一个例子,可进行各种变化。例如,在此,虽然示出了按G、B、R的顺序来形成滤色片的例子,但形成滤色片的顺序不限定于此,可为任意的顺序。此外,也可使用负型光致抗蚀剂代替正型光致抗蚀剂。此情况下,透射光的区域和遮挡光的区域与图6及图9所示的结构相反,也可改变掩膜图形。
此外,作为滤色片层的材料,也可使用可染性树脂等来代替上述着色抗蚀剂。此情况下,首先将透明的可染性树脂按任意颜色(例如G)的滤色片的形状构图后,使用染料进行染色。并且,在其上形成防染色膜后,再次按滤色片及滤色片壁的形状构图透明的可染性树脂,并染色为下一种颜色(例如B)。并且进一步,在其上形成防染色膜后,按滤色片及滤色片壁的形状构图透明的可染性树脂,染色成下一种颜色(例如R)。
使用可染性树脂的情况下,也可在染色工序之后追加浸润固定液的工序,来代替使用上述的防染色膜。此情况下,由于浸润了固定液的可染性树脂,即使在其后浸入其它染料也不会被染色,所以具有不需要防染色膜且不必增厚滤色片层这样的优点。
此外,图2A及图2B所示的R或B的滤色片壁6w、5w具有与滤色片层的厚度相同的高度,其宽度几乎均匀。但是,本发明的滤色片壁不限于该具体实例。滤色片壁也只要形成在像素边界部分的至少一部分。例如,即使是图12A、图12B、图13A、图13B所示的结构,也能够起到防止由来自邻接像素的倾斜光引起的混色的效果。
形成图12A所示的滤色片壁6w′,使其高度为滤色片层的厚度1/2左右。例如,如图14A所示,作为应形成滤色片壁的位置的掩膜,可通过使用半色调网点掩膜73H来形成这样的滤色片壁。而且,图14A所示的掩膜是将图9所示的掩膜中73的部分作为半色调网点掩膜73H的掩膜。所谓半色调网点掩膜是光的透射系数约为50%左右的掩膜。使用该掩膜进行曝光后,经显影,如图14B所示,去除了在网点掩膜73H区域上覆盖的抗蚀剂的上部大约一半,从而形成滤色片层的约1/2高度的滤色片壁6w′。而且,滤色片壁的高度不限于滤色片层的约1/2。通过调整掩膜的透射系数,或调整曝光时间,能够以任意高度形成滤色片壁。
而且,在图12A中,虽然在G的滤色片4和B的滤色片5的像素边界部分,使其与B的滤色片5重合地配置了滤色片壁6w′,但也可与此相反地配置成使滤色片壁6w′与G的滤色片4重合。此外,如图12B所示,也将比滤色片层的厚度更低的滤色片壁6w′形成为跨过像素边界,并与G的滤色片4和B的滤色片5的两个滤色片重合。
此外,滤色片壁的厚度也可以不均匀。例如,也可如图13A所示,滤色片壁6w的宽度越向滤色片层的上层(入射光的一侧)移动,滤色片6w′的宽度越小。根据此结构,能够扩宽并确保滤色片的开口,并有效防止由向邻接像素入射的倾斜光引起的混色。
而且,如图15所示,作为应形成滤色片壁的位置的掩膜,可使用灰色调掩膜73G来形成图13A所示的滤色片壁6w”。而且,图15所示的掩膜是将图9所示掩膜中73的部分作为灰色调掩膜73G的掩膜。所谓灰色调掩膜是光的透射系数部分不同的掩膜。为了形成图13A所示的滤色片壁6w”,作为灰色调掩膜73G,也可使用透射系数向图15所示的箭头标记A的方向逐渐变大的掩膜。
而且,滤色片壁6w”的斜面优选按使垂直入射到受光面并由微透镜8向发光二极管2聚焦的光不会入射到该滤色片壁6w”的角度来形成。
此外,在图13A中,虽然滤色片壁6w”配置成在G的滤色片4和B的滤色片5的像素边界部分与B的滤色片5重合,但也可以与此相反地配置成使滤色片壁6w”与G的滤色片4重合。此外,如图13B所示,也可将其宽度越靠进滤色片层的上层(入射光的一侧)侧越小的滤色片壁6w”形成为跨过像素边界处,以使其与G的滤色片4和B的滤色片5的两个滤色片重合。
此外,在上述说明中,虽然举例示出了滤色片的基本排列是原色拜耳排列的结构,但即使三原色的带状排列的滤色片的情况下,也能够适用本发明。此情况下,也可分别在R和G的像素边界部分处配置B的滤色片壁,在R和B的像素边界部分处配置G的滤色片壁,在G和B的像素边界部分处配置R的滤色片壁。
并且,利用互补色滤色片也能够实施本发明。CMYG的各色光谱特性如图16所示。因此,优选分别在Y和C的像素边界部分处配置M,在Y和M的像素边界部分配置G,在C和M的像素边界部分处配置G,在Y和G的像素边界部分处配置M,在G和C的像素边界部分处配置M。而且,在G和M的像素边界部分处不需要设置滤色片壁。因此,也可如图17A~图17C所示,设置滤色片和滤色片壁。
(实施方式2)
用图18来说明本发明的另一实施方式。
假如将用实施方式1说明的固体摄像器件应用于数字摄像机中,就能够以低成本实现通过防止混色而使画质优良的数字摄像机。图18是表示本实施方式的摄像机的简要结构的方框图。如图18所示,本实施方式的摄像机包括:固体摄像器件10、包含用于将来自被摄物的入射光成像到固体摄像器件10的成像面的透镜等的光学系统31、控制固体摄像器件10的驱动的控制部32、对来自固体摄像器件10的输出信号实施各种信号处理的图像处理部33、显示由图像处理部33处理过的图像信号的显示器34、存储由图像处理部33处理过的图像信号的图像存储器35等。而且,此摄像机可以是仅能拍摄静止图像的静片摄像机、能够拍摄动画的摄像机,以及能够拍摄静止图像和动画这两种的摄像机中的任何一种。
Claims (15)
1、一种固体摄像器件,包括:半导体衬底;在上述半导体衬底上矩阵状地形成的受光元件;在上述受光元件的上层形成的、由3种颜色或3种颜色以上的滤色片构成的滤色片层,其特征在于,
在上述滤色片层中,在2种颜色滤色片邻接的像素边界部分的至少一部分具有与该2种颜色不同颜色的滤色片壁。
2、根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述滤色片层由原色拜耳排列的滤色片构成。
3、根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述滤色片层由原色带状排列的滤色片构成。
4、根据权利要求1中所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述滤色片层由互补色的滤色片构成。
5、根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述滤色片层由着色的光致抗蚀剂形成。
6、根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述滤色片壁具有与上述滤色片层大致相同的高度,并且以大致均匀的宽度形成。
7、根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述滤色片壁形成为比上述滤色片层更低。
8、根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述滤色片壁形成为其宽度越靠近上述滤色片层的光入射侧越窄。
9、一种固体摄像器件的制造方法,其特征在于,包括:
在半导体衬底上矩阵状地形成受光元件的工序;
在上述受光元件的上层依次形成至少第1~第3颜色的滤色片的工序,
在形成上述第1~第3颜色的滤色片的工序的至少任意一个工序中,将与在该工序中形成的滤色片相同颜色的滤色片壁,形成在与该滤色片不同的2种颜色的滤色片相邻接的像素边界部分的至少一部分。
10、根据权利要求9所述的固体摄像器件的制造方法,其特征在于,
通过光刻来形成上述滤色片及滤色片壁。
11、根据权利要求10所述的固体摄像器件的制造方法,其特征在于,
将着色的光致抗蚀剂用作上述滤色片及滤色片壁的材料。
12、根据权利要求10所述的固体摄像器件的制造方法,其特征在于,
形成上述滤色片壁时,使用半色调网点掩膜或灰色调掩膜。
13、根据权利要求9所述的固体摄像器件的制造方法,其特征在于,
将可染性树脂用作上述滤色片及滤色片壁的材料,
该固体摄像器件的制造方法包括:构图上述可染性树脂的工序和将已构图的可染性树脂进行染色的工序。
14、根据权利要求13所述的固体摄像器件的制造方法,其特征在于,
还包括:在染色上述可染性树脂的工序之后,进行浸润固定液的工序。
15、一种摄像机,包括权利要求1~8中任意一项所述的固体摄像器件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP153726/2004 | 2004-05-24 | ||
JP2004153726A JP2005340299A (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | 固体撮像装置およびその製造方法並びにカメラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1702873A true CN1702873A (zh) | 2005-11-30 |
Family
ID=35448576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2005100728486A Pending CN1702873A (zh) | 2004-05-24 | 2005-05-24 | 固体摄像器件及其制造方法以及摄像机 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050270594A1 (zh) |
JP (1) | JP2005340299A (zh) |
KR (1) | KR20060048083A (zh) |
CN (1) | CN1702873A (zh) |
TW (1) | TW200539436A (zh) |
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JP6003316B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2016-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
JP6103947B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2017-03-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP6929511B2 (ja) * | 2017-04-04 | 2021-09-01 | 株式会社ニコン | 撮像素子、及び、撮像装置 |
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JP7238306B2 (ja) * | 2018-09-19 | 2023-03-14 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
WO2020137259A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
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-
2004
- 2004-05-24 JP JP2004153726A patent/JP2005340299A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-05-20 TW TW094116488A patent/TW200539436A/zh unknown
- 2005-05-24 US US11/136,193 patent/US20050270594A1/en not_active Abandoned
- 2005-05-24 KR KR1020050043693A patent/KR20060048083A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-05-24 CN CNA2005100728486A patent/CN1702873A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20050270594A1 (en) | 2005-12-08 |
TW200539436A (en) | 2005-12-01 |
JP2005340299A (ja) | 2005-12-08 |
KR20060048083A (ko) | 2006-05-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |