CN1819230A - 固体摄像器件、其制造方法和摄像机 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 37
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 20
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 6
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
本发明的固体摄像器件，在半导体衬底上排列有多个像素单元，所述像素单元具有：对入射光进行光电变换的光电变换部；以及微透镜，在上述光电变换部的上方，与各上述光电变换部相对应地形成，其特征在于：上述微透镜由透明层和滤色层这两层形成。
Description
技术领域
本发明涉及排列有多个像素单元的固体摄像器件，尤其涉及对光谱灵敏度误差进行了改良的固体摄像器件及其制造方法。
背景技术
在固体摄像器件(CCD)中，随着摄像机的小型化、高像素化，摄像机镜头和固体摄像器件的出射光瞳距离在缩短，像素单元在微细化。因此，迫切需要确立这样一种技术，它能够使固体摄像器件的主要特性即光灵敏度不会因此而降低。
图1是过去的固体摄像器件的像素部分的断面图。在半导体衬底上光电二极管排列形成二维状，在光电二极管部1上利用BPSG(硼磷硅玻璃)等平坦膜2来进行平坦化处理，在平坦膜2上形成滤色器3。滤色器3的包括由补色黄、青、品红、绿构成的滤色器，或者由基色红、绿、蓝构成的滤色器等。
过去，滤色器层例如通过染色法，或者着色防染，即对含有染料、颜料的光致抗蚀剂膜进行选择曝光、显影处理，形成目的滤色器。再者，形成微透镜下平坦膜(透明膜)4，减小滤色器形成后的表面高低差，形成误差小的微透镜5。
在这样的固体摄像器件中，随着摄像机镜头和固体摄像器件之间的出射光瞳距离在缩短、以及像素尺寸的缩小，仅依靠滤色器的薄膜化，很难控制住光谱灵敏度的降低以及和相邻像素的混色。
因此，根据专利文献1内公开的改进例，则由于像素单元微细化为了缓解倾斜方向的入射光9的光灵敏度降低和蹭伤，必须使从半导体衬底表面到微透镜下平坦膜的距离缩短，其方法是提出了如图2所示具有滤色器功能的有色微透镜6的方案。
该滤色器的制造方法是，通过涂敷、曝光、显影而形成各滤色器之后，对用于形成微透镜形状的透镜形成层在滤色器上进行层压、构图、用热流等形成半圆球状，进行各向同性腐蚀，以此来实现从半导体衬底表面到微透镜下平坦膜的薄膜化。
这样，提出的方案是，通过使微透镜具有颜色来使微透镜具有滤色器的作用。
[专利文献1]特开平5-206429号公报。
然而，根据上述现有技术，则提出了这样的方案，也就是说，使微透镜具有滤色器作用，使微透镜具有颜色。但存在的问题是光谱灵敏度的F值依存性大。例如垂直光和斜光等光，若入射角度不同，则通过滤色器的光路长度不同，所以，F值(光圈值)不同使光谱灵敏度的变化产生误差。
发明内容
本发明的目的是提供减小光谱灵敏度的F值依存性的固体摄像器件、其制造方法和摄像机。
为了解决上述问题，在半导体衬底上排列有多个像素单元，所述像素单元具有：对入射光进行光电变换的光电变换部；以及微透镜，在上述光电变换部的上方，与各上述光电变换部相对应地形成，其特征在于：上述微透镜由透明层和滤色层这两层形成。
根据该结构，则并非全部微透镜都兼用作滤色器，而是在构成微透镜的二层中只有一层兼用作滤色器，所以，能够减小通过滤色器层的入射光的角度所造成的光路长度变化，因此，在倾斜光、垂直光中也能够获得误差小的光谱灵敏度，能够减小光谱灵敏度随F值的变动。
在此，也可以是，上述滤色层形成在上述透明层的下层并包括上述微透镜的底面；各像素单元中的上述滤色层以均匀的厚度形成。
在此，也可以是，各像素单元中的上述滤色器层的中央部分，膜厚大于周边部分。
根据该结构，则进一步减小由光入射角度所造成的滤色器层的光路长度变化，所以，能够进一步减小光谱灵敏度误差。
在此也可以是，上述透明层具有底面比上述微透镜的底面更靠内侧、高度比上述微透镜的高度低的透镜形状，上述滤色层形成在上述透明层的上层，覆盖上述透明层的上侧表面。
根据这种结构，也能够使光入射角度所造成的滤色器层中的光路长度变化更小，因此，能够控制光入射角度造成的光谱灵敏度误差。
在此也可以是，上述滤色器层的厚度是上述微透镜的厚度的1/4～2/3。
并且，本发明的固体摄像器件的制造方法，该固体摄像器件在半导体衬底上排列多个像素单元，所述像素单元具有：对入射光进行光电变换的光电变换部；以及微透镜，在上述光电变换部的上方，与各上述光电变换部相对应地形成，所述固体摄像器件的制造方法的特征在于，包括以下工序：在上述半导体衬底上形成光电变换部的工序；利用平坦膜来使上述光电变换部上面平坦化的工序；在上述平坦膜上面，与各个上述光电变换部相对应地形成具有透明层和滤色层这两层的微透镜。
根据本发明的固体摄像器件，则能够使滤色器层和微透镜一体化，把滤色器层布置在微透镜的下部或表面部上，因此，光入射角度所造成的通过滤色器的光路长度变化减小，所以光谱随F值的变化减小，因此，能够减小垂直光和倾斜光的光谱灵敏度的误差或变化。
附图说明
根据下面的说明本发明的实施方式的附图和对实施方式的说明，本发明的其他目的和优点将会更加明了。
图1是过去的固体摄像器件的断面图。
图2是使微透镜具有滤色器功能的结构断面图。
图3是第1实施方式中的固体摄像器件的断面图。
图4是第2实施方式中的固体摄像器件的断面图。
图5是第3实施方式中的固体摄像器件的断面图。
图6A～6C是表示图3所示的固体摄像器件的第1制造方法的说明图。
图7A～7C是表示图3所示的固体摄像器件的第2制造方法的说明图。
图8A～8D是表示图3所示的固体摄像器件的第3制造方法的说明图。
图9A～9D是表示图3所示的固体摄像器件的第4制造方法的说明图。
图10A～10C是表示图3所示的固体摄像器件的第5制造方法的说明图。
图11A～11C是表示图3所示的固体摄像器件的第6制造方法的说明图。
图12A、12B是表示图3所示的固体摄像器件的第7制造方法的说明图。
图13A～13C是表示图4所示的固体摄像器件的第1制造方法的说明图。
图14A～14C是表示图5所示的固体摄像器件的第1制造方法的说明图。
图15A～15D是表示图5所示的固体摄像器件的第2制造方法的说明图。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下参照附图，详细说明本发明的实施方式的固体摄像器件。
图3～图5表示第1实施方式的固体摄像器件的结构。这些固体摄像器件在光电二极管部1上用PBSG等来对表面进行平坦化，使滤色器形成为微透镜的一部分。
在此，图3～图5说明结构的特征及其效果。图3是表示第1实施方式的固体摄像器件的结构的图之一。利用BPSG等平坦膜2来使光电二极管1上的表面平坦化，根据需要涂敷0.1～10μm厚度范围内的丙烯等透明膜4，利用滤色器3按照微透镜5高度的1/4～2/3的均匀厚度来形成微透镜5的下部，并且在其上面形成微透镜5的上部。
如图3所示，滤色器3以均匀厚度形成在微透镜5的底部上，所以如图1所示，与滤色器和微透镜独立的原有结构相比较，在斜入射时，光很难通过邻接像素的滤色器边缘部分而射入，能够抑制混色，能够有效防止线条浓淡不匀以及颜色暗影。并且，如图2所示，具有如下优点：与使微透镜本身具有滤色器功能的结构相比，光入射角度所造成的光谱灵敏度产生误差的情况较少，光谱灵敏度的F值依存性较小。
<第2实施方式>
图4表示第2实施方式的固体摄像器件的结构。利用BPSG等来使光电二极管1上的表面平坦化，根据需要涂敷在0.1～10μm厚度范围内的丙烯等透明膜4，利用滤色器3按照微透镜5高度的1/4～2/3的厚度来形成微透镜5的下部，并且在其上面形成微透镜5的上部。
在此，滤色器3的膜厚如图4所示，在像素单元的中央部分较厚，在周边部分较薄，所以如图1所示，与滤色器和微透镜独立的现有结构相比，在斜入射时，光很难通过邻接像素的滤色器边缘部分射入，能够抑制混色，能够有效地防止线条浓淡不匀以及颜色暗影。并且，如图2所示，具有如下优点：与使整个微透镜具有滤色器功能的结构相比，光入射角度所造成的光谱灵敏度产生误差的情况较少，光谱灵敏度的F值依存性较小。此外，与第1实施方式相比，光入射角度引起的滤色器2中的光路长变化较小，所以能够进一步抑制光谱灵敏度的误差。
<第3实施方式>
图5是表示第3实施方式的固体摄像器件的结构的图之一。
利用BPSG等来对光电二极管1上的表面进行平坦化，根据需要涂敷在0.1～10μm厚度范围内的丙烯等透明膜4，先形成小型微透镜5，在其表面上覆盖滤色器3，这样形成最终的微透镜形状。
如图5所示，通过用滤色器3来覆盖微透镜5的表面，如图1所示，与滤色器和微透镜独立的现有结构相比，在斜入射时，光很难通过邻接像素的滤色器边缘部分射入，能够抑制混色，能够有效地防止线条浓淡不匀以及颜色暗影。并且，如图2所示，具有如下优点：与使微透镜本身具有滤色器功能的结构相比，光入射角度所造成的光谱灵敏度误差较小，光谱灵敏度的F值依存性较小。并且，与第1实施方式和第2实施方式相比，光入射角度所造成的滤色器2中的光路长度变化较小，所以能够进一步抑制光入射角度造成的光谱灵敏度的误差。
<制造方法>
以下，说明图3～图5所示的固体摄像器件的滤色器部分的制造方法。
图6A～图6C是表示图3所示的固体摄像器件的第1制造方法的说明图。
首先，利用图6A～图6C，详细说明图3所示的第1实施方式的固体摄像器件的制造方法。在这些图中，利用BPSG等来对光电二极管1上的表面进行平坦化，根据需要涂敷在0.1～10μm厚度范围内的丙烯等透明膜4(图6A(a))。在透明膜4上涂敷滤色器用抗蚀剂(图6A(b))，进行曝光、显影。用规定图形来形成滤色器3(图6A(c))。在此，滤色器3的形成为达到微透镜5的加工完成高度的1/4～2/3。然后，对滤色器3的各色，在同样的工序中进行涂敷、显影、曝光，形成滤色器层(图6B(d))。
再者，在滤色器3上涂敷微透镜抗蚀剂(图6B(e))，进行曝光、显影，用规定图形来形成微透镜5的图形(图6B(f))。再用紫外线进行脱色(图6C(g))，利用热流形成微透镜形状(图6C(h))。此外，从上方来对微透镜形状进行深腐蚀，并转印形成到滤色器上(图6C(i))，从而能够形成固体摄像器件。
图7A～图7C是表示第3所示的固体摄像器件的第2制造方法的说明图。图7A～图7C与图6A～图6C相比，不同之处是图6B(f)以后的工序置换成图7B(f)以后的工序。以下，对相同点省略说明，集中说明不同点。在图7B(f)以后的工序中，最后进行微透镜5的紫外线脱色，这样来形成由透明层和滤色器层的两层构成的微透镜5。
图8A～图8D是表示图3所示的固体摄像器件的第3制造方法的说明图。图8A～图8D与图6A～图6C相比，不同点是图6C(g)以后的工序置换成图8C(g)以后的工序。以下对相同点省略说明，集中说明不同点。
在图8C(g)～图8D(k)工序中，表示微透镜5所使用的材料没有热流性的情况下的制造方法。如图8A～图8D所示，涂敷微透镜抗蚀剂5(图8B(e))之后，进行曝光、显影后，用规定图形来形成微透镜5的图形(图8B(f))。然后，用紫外线进行脱色(图8C(g))，并在微透镜5的图形上涂敷具有热流性的微透镜形状形成用抗蚀剂10(图8C(h))，进行曝光、显影，用规定图形来形成微透镜5的图形(图8D(i))，使其受热流动，形成微透镜形状(图8D(j))，通过深腐蚀，即可转印微透镜形状(图8D(k))。
图9A～图9D是表示图3所示的固体摄像器件的第4制造方法的说明图。图9A～图9D，与图8A～图8D相比，不同点是图8C(g)以后的工序置换成图9C(g)以后的工序。以下对相同点省略说明，集中说明不同点。在图9C(g)以后的工序中，通过最后进行微透镜5的紫外线脱色，来形成由透明层和滤色器层这两层构成的微透镜5。
图10A～图10C是表示图3所示的固体摄像器件的第5制造方法的说明图。图10A～图10C与图8A～图8D相比，不同点是图8B(f)以后的工序置换成图10B(f)以后的工序。以下对相同点省略说明，集中说明不同点。
在图8(f)以后的工序中，结果利用具有热流性的抗蚀剂来形成微透镜，其形状通过深腐蚀而形成。如图10(f)以后所示，在涂敷了微透镜形状形成用抗蚀剂10之后，省略微透镜的曝光、显影，也能够形成。
图11A～图11C是表示图3所示的固体摄像器件的第6制造方法的说明图。图11A～图11C，与图10A～图10C相比，不同点是图10B(f)以后的工序置换成图11B(f)以后的工序。以下对相同点省略说明，集中说明不同点。在图10B(f)以后的工序中，通过最后进行微透镜5的紫外线脱色，来形成由透明层和滤色器层这两层构成的微透镜5。
并且，如图12A、图12B、图13A、图13B所示，也可以用灰色调掩模来形成滤色器、微透镜。在此说明灰色调掩模。现行掩模是为了以黑白图形的状态来留下或除掉抗蚀剂而使用的掩模。但灰色调掩模是为了形成灰色图形，即对抗蚀剂既进行清除而又不清除干净，使其留下一薄层的掩模。利用该特性，灰色调掩模能够调整抗蚀剂的加工完成余膜。也就是说，能够使抗蚀剂不是“完全除掉或完全留下”，而是留下必要的膜厚。例如，在利用现用的一般掩模来形成微透镜的情况下，在涂敷抗蚀剂之后，用掩模来构图，形成矩形形状。然后通过热流来形成。但在使用灰色调掩模的情况下，因为掩模图形是灰色图形，所以，如果制成能够获得必要残膜的灰色图形掩模，那么，在曝光、显影后能获得透镜形状。
图12A、图12B是表示图3所示的固体摄像器件的第7制造方法的说明图。
在图12A中，用BPSG等来使光电二极管1上的表面平坦化，根据需要涂敷在0.1～10μm厚度范围内的丙烯等透明膜4(图12A(a))。在透明膜4上涂敷滤色器用抗蚀剂(图12A(b))，利用上述灰色调掩模进行曝光、显影，利用规定的图形来形成作为微透镜5的下部的滤色器3(图12A(c))。在此，滤色器3形成的状态是微透镜5的加工完成后的高度的1/4～2/3。对于滤色器3的各色，按照同样的工序进行涂敷、曝光、显影，形成滤色器层。
再者，在滤色器3上涂敷微透镜抗蚀剂(图12B(d))，进行曝光、显影，按规定图形来形成微透镜5的图形(图12B(e))。再者，用紫外线进行脱色(图12B(f))，进行热流处理，形成微透镜形状(图12B(g))。而且，如图13A～图13C所示，也可以最后进行微透镜5的紫外线脱色。
图13A～图13C是表示图4所示的固体摄像器件的第1制造方法的说明图。图13A～图13C与图12A～12C相比，不同点是图12A(c)以后的工序置换成图13A(c)以后的工序。以下对相同点省略说明，集中说明不同点。
在此，由于使用灰色调掩模11，所以滤色器断面形状能够调整自如。如图4所示，把滤色器形成在微透镜的底部上，而且，在滤色器3的单元的中央部分较厚，周边部分较薄，在这样形成的情况下，滤色器按照微透镜5高度的1/4～2/3(单元中央部分膜厚)进行涂敷后(图13A(b))，把灰色调掩模11的图形更改成与图12A(c)不同的图形，进行曝光、显影(图13A(c))，然后，对滤色器3的各色，按同样的工序进行涂敷、曝光、显影，形成滤色器3(图13B(d))。然后，在滤色器3上涂敷微透镜抗蚀剂(图13B(e))，利用灰色调掩模11进行曝光、显影(图13C(f))，用紫外线脱色(图13C(g))。
图14A～图14C是表示图5所示的固体摄像器件的第1制造方法的说明图。
如图5所示，在形成用滤色器来覆盖微透镜表面的形状的情况下，把微透镜5和滤色器3均制成具有热流性的抗蚀剂，涂敷微透镜抗蚀剂(图14A(b))，进行曝光、显影，制成图形(图14A(c))，利用紫外线来使已形成的微透镜图形脱色(图14B(d))，其上涂敷热流制的滤色器3(图14B(e))，并且，对于滤色器3的各色按同样的工序进行涂敷、显影、曝光(图14B(f))，通过曝光、显影，使滤色器3残留在上述微透镜图形的上面和侧面上(图14C(g))，同时对微透镜5和滤色器3进行热流处理，即可形成(图14C(h))。而且，如图15A～图15D所示，微透镜5的紫外线脱色处理，也可以在形成微透镜3和滤色器5的图形之后进行热流处理之前来进行。
图15A～图15D是表示图5所示的固体摄像器件的第2制造方法的说明图。图15A～图15D与图14A～14C相比，不同点是图14B(e)以后的工序置换成图15B(e)以后的工序。以下省略相同的说明，集中说明不同点。
在滤色器3不是热流性的情况下，也能够如图15A以后的工序所示，涂敷微透镜抗蚀剂(图15A(b))，进行曝光、显影，构图(图15A(c))，用紫外线来使已形成的微透镜图形脱色(图15B(d))，进行热流处理，形成小型微透镜形状(图15B(e))。然后涂敷滤色器3(图15B(f))，进行曝光、显影，形成滤色器图形3(图15B(g))。并且，对滤色器3的各色，用同样的工序进行涂敷、显影、曝光，形成滤色器3(图15C(h))。涂敷具有热流性的抗蚀剂(图15C(i)，进行、曝光、显影，构图(图15C(j))，进行热流处理(图15D(k))，进行深腐蚀，把微透镜形状转印到滤色器上，即可形成(图15D(l))。
而且，在上述实施方式中，在透镜形状的形成中，利用过去的黑白掩模进行显影、曝光，构图，进行热流处理的方法，该方法可以置换为利用灰色调掩模11来形成各层形状以构成微透镜5的方法。
并且，在上述实施方式中，微透镜5的紫外线脱色处理也可以在构成微透镜5形状之前或之后进行。
如以上说明的那样，本发明适用于具有多个光电二极管的固体摄像器件、摄像机，例如适用于图像传感器、静态数码摄像机、带摄像机的移动电话机、笔记本电脑所具有的摄像机、以及与信息处理设备相连接的摄像机组件等。
已经结合附图对本发明的实施方式进行了详细说明，可以在不脱离本发明进行各种变形和修改。此外，基于本发明精神所做的各种变形和修改应该属于本发明。
Claims (14)
1、一种固体摄像器件，在半导体衬底上排列有多个像素单元，所述像素单元具有：对入射光进行光电变换的光电变换部；以及微透镜，在上述光电变换部的上方，与各上述光电变换部相对应地形成，其特征在于：
上述微透镜由透明层和滤色层这两层形成。
2、如权利要求1所述的固体摄像器件，其特征在于：上述滤色层形成在上述透明层的下层并包括上述微透镜的底面；各像素单元中的上述滤色层以均匀的厚度形成。
3、如权利要求1所述的固体摄像器件，其特征在于：上述滤色层形成在上述透明层的下层并包括上述微透镜的底面，各像素单元中的上述滤色层的中央部分的膜厚比周边部分厚。
4、如权利要求1所述的固体摄像器件，其特征在于：上述透明层具有底面比上述微透镜的底面更靠内侧、高度比上述微透镜的高度低的透镜形状，上述滤色层形成在上述透明层的上层，覆盖上述透明层的上侧表面。
5、如权利要求2所述的固体摄像器件，其特征在于：上述滤色层的厚度是上述微透镜的厚度的1/4～2/3。
6、一种固体摄像器件的制造方法，该固体摄像器件在半导体衬底上排列多个像素单元，所述像素单元具有：对入射光进行光电变换的光电变换部；以及微透镜，在上述光电变换部的上方，与各上述光电变换部相对应地形成，所述固体摄像器件的制造方法的特征在于，包括以下工序：
在上述半导体衬底上形成光电变换部的工序；
利用平坦膜来使上述光电变换部上面平坦化的工序；
在上述平坦膜上面，与各个上述光电变换部相对应地形成具有透明层和滤色层这两层的微透镜。
7、如权利要求6所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，
形成上述微透镜的工序包括如下工序：
在上述平坦膜上构图形成滤色器抗蚀剂的工序，
在上述滤色器上面构图形成具有热流性的微透镜抗蚀剂的工序，
对上述微透镜抗蚀剂进行热流处理，并在上面形成凸形状的上述微透镜的工序，
对上述微透镜抗蚀剂和上述滤色器抗蚀剂进行深腐蚀，形成由上述微透镜抗蚀剂层和上述滤色层这两层构成的透镜形状。
8、如权利要求6所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，形成上述微透镜的工序包括如下工序：
在上述平坦膜上构图形成滤色器抗蚀剂的工序，
在上述滤色器上面构图形成微透镜抗蚀剂的工序，
在上述滤色器上面构图形成具有热流性的抗蚀剂的工序，
对上述具有热流性的抗蚀剂进行热流处理，并在上面形成凸形状的上述微透镜的工序，
对上述具有热流性的抗蚀剂、上述微透镜抗蚀剂和上述滤色器抗蚀剂进行深腐蚀，形成由上述微透镜抗蚀剂层和上述滤色层这两层构成的透镜形状。
9、如权利要求6所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，形成上述微透镜的工序包括如下工序：
在上述平坦膜上构图形成滤色器抗蚀剂的工序，
在上述滤色器上面，在排列多个的上述像素单元整面上形成微透镜抗蚀剂的工序，
在上述微透镜抗蚀剂上面构图形成具有热流性的抗蚀剂的工序，
对上述具有热流性的抗蚀剂进行热流处理，并在上面形成凸形状的上述微透镜的工序，
对上述具有热流性的抗蚀剂、上述微透镜抗蚀剂以及上述滤色器抗蚀剂进行深腐蚀，形成由上述微透镜抗蚀剂层和上述滤色层这两层构成的透镜形状的工序。
10、如权利要求6所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，形成上述微透镜的工序包括如下工序：
在上述平坦膜上，用灰色调掩模来对滤色器抗蚀剂进行曝光和显影，形成上述微透镜的透镜形状的下层部分的工序，
在上述滤色器上面构图形成具有热流性的微透镜抗蚀剂的工序，
对上述微透镜抗蚀剂进行热流处理，在上面形成凸形状的透镜，形成上述微透镜的透镜形状的上层部分的工序。
11、如权利要求6所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，形成上述微透镜的工序包括如下工序：
在上述平坦膜上，用灰色调掩模来对滤色器抗蚀剂进行曝光和显影，形成上述微透镜的透镜形状的下层部分的工序，
在上述滤色器上面用灰色调掩模来对微透镜抗蚀剂进行曝光和显影，形成上述微透镜的透镜形状的上层部分的工序。
12、如权利要求6所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
在上述平坦膜上面构图形成具有热流性的微透镜抗蚀剂的工序，
以覆盖上述微透镜抗蚀剂的上面和侧壁的方式，构图形成具有热流性的滤色器抗蚀剂的工序，
对上述微透镜抗蚀剂和滤色器抗蚀剂进行热流处理，在上面形成凸形状的透镜的工序。
13、如权利要求6所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
在上述平坦膜上构图形成具有热流性的微透镜抗蚀剂的工序，
对上述微透镜抗蚀剂进行热流处理，在上面形成凸形状的透镜的工序，
在上述平坦膜和上述微透镜抗蚀剂上面构图形成滤色器抗蚀剂的工序，
在上述滤色器抗蚀剂上面构图形成具有热流性的抗蚀剂的工序，
对上述具有热流性的抗蚀剂进行热流处理，并在上面形成凸形状的上述微透镜的工序，
对上述具有热流性的抗蚀剂、上述微透镜抗蚀剂以及上述滤色器抗蚀剂进行深腐蚀，形成由上述微透镜抗蚀剂层和上述滤色层这两层构成的透镜形状的工序。
14、具有如权利要求1所述的固体摄像器件的摄像机。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379943/2004 | 2004-12-28 | ||
| JP2004379943A JP4510613B2 (ja) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1819230A true CN1819230A (zh) | 2006-08-16 |
Family
ID=36610414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005101073778A Pending CN1819230A (zh) | 2004-12-28 | 2005-12-28 | 固体摄像器件、其制造方法和摄像机 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7535043B2 (zh) |
| JP (1) | JP4510613B2 (zh) |
| CN (1) | CN1819230A (zh) |
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| CN108269815A (zh) * | 2018-01-10 | 2018-07-10 | 德淮半导体有限公司 | Cmos图像传感器及其形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100790225B1 (ko) | 2005-12-26 | 2008-01-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
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| KR101248806B1 (ko) | 2010-12-01 | 2013-03-29 | 주식회사 동부하이텍 | 마이크로 렌즈 제조 방법 및 마이크로 렌즈 어레이 |
| US20120261731A1 (en) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Cheng-Hung Yu | Image sensor |
| JP6012692B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2016-10-25 | キヤノン株式会社 | マイクロレンズアレイの形成方法および固体撮像装置の製造方法 |
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| JP7423908B2 (ja) | 2019-05-27 | 2024-01-30 | Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 | 固体撮像装置 |
| WO2021174425A1 (zh) * | 2020-03-03 | 2021-09-10 | 华为技术有限公司 | 图像传感器和图像感光方法 |
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| JPH03230101A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Matsushita Electron Corp | カラー固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2566087B2 (ja) | 1992-01-27 | 1996-12-25 | 株式会社東芝 | 有色マイクロレンズアレイ及びその製造方法 |
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-
2004
- 2004-12-28 JP JP2004379943A patent/JP4510613B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-27 US US11/317,194 patent/US7535043B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-28 CN CNA2005101073778A patent/CN1819230A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4510613B2 (ja) | 2010-07-28 |
| JP2006186203A (ja) | 2006-07-13 |
| US7535043B2 (en) | 2009-05-19 |
| US20060138499A1 (en) | 2006-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20060816 |
|
| C20 | Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned |