CN1265238A - 多层陶瓷rc器件 - Google Patents

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约翰·L·加尔瓦格尼
安德鲁·P·里特
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Abstract

复合RC器件在与以前技术的多层陶瓷电容相类似的包中提供预定阻抗特性。RC器件(10)包括多个第一和第二陶瓷层(32),它们交叉形成一堆栈。每个陶瓷层包括一极性相反的合适电极结构(28,30),形成多个双板电容器的等同物。一个或多个电阻(34,36)嵌入在器件主体中,并有选择地连接到电容器结构上。在本发明的有些优选实施例中,提供了多个平行电阻(34,36),如,在电容器结构的每个电侧上。

Description

多层陶瓷RC器件
本发明涉及通过多层陶瓷技术制造的电子器件，更具体地说，本发明涉及具有RC特性的多层陶瓷器件。
多层陶瓷技术一般用于电容，如多层陶瓷电容(MLCs，multilayer ceramiccapacitors)的制造。在MLCs的制造过程中，在一个叠层上布置多个陶瓷电极层。叠层被加压并烧结，以获得基本均匀的电容体。电容体的形状通常是矩形的，极性相对的各电端子提供在两侧或位于相对的两端。
众所周知，在交叉堆叠中，每隔一个电极与极性相对的电端子之一连接。因此，每个端子为各套交替电极提供一公共节点。结果，通过这种方法获得的电容表现为并联布置的多个分立电容。
通常需要将一串联电阻与通过MLC器件提供的电容器连接。为此，可以利用一分立电阻，但是，由于现代电子装置的设计经常受到空间的限制，所以，这并不是理想的方法。
另外，已经开发出了包括与片上电阻(on-chip resistor)串联的MLC结构的复合器件。这种器件的MLC结构是用与分立MLCs相类似的方法制造的。电容器制成以后，一电阻放在电容器主体的外表面上，在一个端子和与其相关的电极板之间电连接。在美国专利No.5,227,951(授予deNeuf等)中示出了这种类型的器件。
虽然，复合RC器件一般可以满足某些特定目的，但它并不是没有某些缺点。
本发明认识到现有技术的构造和方法的各种缺点。因此，本发明的一个目的是提供改进的复合RC器件。
本发明的一个更具体的目的是提供通过多层陶瓷技术制造的改进型复合RC器件。
本发明的另一个目的是提供使用嵌入式电阻的多层复合RC器件。
本发明的另一个目的是提供使用多个电阻以获得误差平均的多层复合RC器件。
本发明的另一个目的是提供在电容器结构的每个电侧上都有电阻的多层复合RC器件。
本发明的另一个目的是提供一种改进的制造多层复合RC器件的方法。
本发明的有些目的是通过一种复合RC器件来实现的，它包括：一器件主体，它由至少一第一陶瓷层和至少一位于上述第一陶瓷层上面的第二陶瓷层形成；上述第一陶瓷层上具有第一电路，它形成一第一串联电阻和一第一极性电容器电极；上述第二陶瓷层上具有第二电路，它形成一第二串联电阻和一第二极性电容器电极；和第一和第二极性端子，它们位于上述电容器主体上，并分别与上述第一电路第二电路连接。
在有些实施例中，第一电路可能包括：上述第一电路包括一第一导电电容器板和一第一串联电阻，后者在上述第一导电电容器板和上述第一极性端子之间电连接；上述第二电路包括一第二导电电容器板和一第二串联电阻，后者在上述第二导电电容器板和上述第二极性端子之间电连接。上述第一和第二极性端子位于与上述另一个器件主体相对的位置上，以使上述第一电阻与上述第二电阻对齐。
在另一些实施例中，上述第一电路和上述第二电路都包括一分别与上述第一和第二端子连接的电阻材料和一电极板配置。
复合RC器件的优选实施例可能包括多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层，它们交叉形成一堆栈。因为电阻是位于电容器主体内，电阻和陶瓷层在制造工序中是一起烧成的。第一和第二陶瓷层可能由烧成温度低于约850℃的LTCC材料制成。
本发明的其它目的是通过一种复合RC器件来实现的，它包括：一器件主体，它由多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层构成，它们交叉形成一堆栈；上述各第一陶瓷层上具有一第一电极，上述各第二陶瓷层上具有一第二电极，上述第一电极和上述第二电极相对而置，形成一多层平行电容器结构；位于上述器件主体之上的第一和第二极性端子，和至少一第一电阻，它嵌入在位于相邻一对第一和第二陶瓷层之间的电容器主体内；上述至少一第一电阻在电连接上述第一极性端子和至少上述第一电极当中之一之间。
在有些实施例中，多个第一电阻在第一极性端子和各第一电极之间形成电连接。多个第二电阻电连接在第二极性端子和各第二电极之间。
在有些实施例中，每个上述第一电极还包括至少一个从其上延伸的引线结构，上述引线结构电连接到位于上述器件主体上的第三端子上。在这样的实施例中，第二极性端子最好直接电连接到第二电极上。
在其它一些实施例中，第一电阻电连接到位于器件主体上的一外部通道上。上述通道还与至少一个第一电极电连接。例如，通道可能电连接到多个第一电极上。此时，每个第一电极最好包括一延伸至上述通道的引线结构。
本发明的还有一些目的是通过在单片封装中具有预定数目的RC电路的阵列器件来实现的，该阵列器件包括：一器件主体，它由多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层构成，它们交叉形成一堆栈；每个上述第一陶瓷层上面包括上述预定数目的第一电极，每个上述第二陶瓷层上面包括上述预定数目的第二电极，上述第一电极与上述第二电极相对布置，形成各多层平行电容器结构；上述每个RC电路的各第一极性端子和各第二端子，上述第一极性端子和上述第二端子位于上述器件主体上；和上述每个RC电路的至少一第一电阻，上述至少一第一电阻嵌入在位于相邻一对第一和第二陶瓷层之间的器件主体上，上述第一电阻电连接在上述第一极性端子和上述第一电极当中至少一个之间。
在有些实施例中，上述至少一第一电阻包括多个第一电阻，它们在上述第一极性端子和各上述第一电极之间形成电连接。还包括多个第二电阻以供上述每个RC电路使用，上述第二电阻在上述第二端子和各上述第二电极之间形成电连接。上述第一和第二陶瓷层是由烧成温度低于约850℃的LTCC材料制成。
本发明的另外一些目的是通过一种复合RC器件来实现的，它包括：一器件主体，它由多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层构成，它们交叉形成一堆栈，上述第一和第二陶瓷层是由烧成温度低于约850℃的LTCC材料制成；每个上述第一陶瓷层上面包括形成一第一串联电阻和一第一极性电容器电极的第一电路；每个上述第二陶瓷层上面包括形成一第二串联电阻和一第二极性电容器电极的第二电路；位于上述器件主体上面的第一和第二极性端子，它们分别电连接到上述第一电路和上述第二电路上。
在有些实施例中，上述第一电路包括一第一导电电容器板和一第一串联电阻，后者在上述第一导电电容器板和上述第一极性端子之间形成电连接，上述第二电路包括一第二导电电容器板和一第二串联电阻，后者在上述第二导电电容器板和上述第二极性端子之间形成电连接。上述第一电路和上述第二电路都包括一分别和上述第一和第二端子连接的电阻材料和一电极板配置。
本发明的其他目的是通过一种制造复合RC器件器件的方法来实现的。它包括以下各步：(a)提供多个第一陶瓷材料层，上述每个第一层上面具有形成一第一电极和一第一电阻元件的第一电路；(b)提供多个第二陶瓷材料层，上述第二层具有形成一第二电极的第二电路；(c)堆栈上面第一层和上述第二层，以形成交叉的器件主体，以使上述第一电极和上述第二电极交替；(d)在上述器件主体上提供第一和第二极性相反的电极，并分别电连接到上述第一电路和上述第二电路上。
根据本发明的技术，第二电路可能还包括一第二电阻元件。另外，器件主体通常在作用电极之前烧成，以获得基本单体的结构，最好在低于约850℃的温度下烧成器件主体。
本发明的其它目的、特征是通过所公开的元件的组合或再组合来实现的，这将在下面详细介绍。
下面将参考附图，介绍实现本发明的最佳方式，以使本领域的技术人员全面掌握和理解本发明。
图1是在印刷电路板中，根据本发明制造的复合RC器件的透视图；
图1A是沿图1中1A-1A线的截面图；
图1B是沿图1中1B-1B线的截面图；
图1C是图1所示复合RC器件的电路简图；
图2是在制造过程中多个复合RC器件的平面图；
图3A和3B是截面图，示出了在沿左和右方向发生切割对准不良时图1所示的复合RC器件上内部结构；
图4A和4B是沿图1A和1B中相同线的截面图，示出了根据本发明形成的复合RC器件的第一实施例；
图5是根据本发明形成的复合RC器件的一第二实施例的透视图；
图5A是沿图5中线5A-5A的截面图；
图5B是沿图5中线5B-5B的截面图；
图5C是图5所示复合RC器件的电路图；
图6是根据本发明形成的复合RC器件的一第二实施例的透视图；
图6A是沿图6中线6A-6B的截面图；
图6B是沿图6中线6B-6B的截面图；
图6C是同图6相似的透视图，其中，外部通道连接少于插在RC电路中的内部电容器的总数；
图6D是图6所示复合RC器件的电路图；
图7是根据本发明形成的单片封装中RC阵列的透视图；和
图7A和7B是图7中RC阵列内交叉成堆叠形式的第一和第二陶瓷层的平面图。
在本说明和图中反复使用参考标号来表示本发明机器或相似特征或元件。
对于本领域的技术人员来说，必须理解的是本讨论仅是对实施例的描述，而非对本发明更广范围的限制，这些更广的特征在实施例中都得到体现。
图1示出了根据本发明的复合RC器件的一个实施例。更具体地说，所示出的复合RC器件10固定在一印刷电路板12上。器件10包括一主体14，在其两端具有极性相反的端子16和18。
端子16和18电连接到在印刷电路板12上形成的各导电通道20和22上。每个端子和与它相关的导电通道之间的电连接可能受到各焊接球24和26的影响。电路板12可能是由低温有机材料制成，其焊接通常是通过波或回流焊接技术作用的低温易熔焊接。
RC器件10的规格可以选择成与带有分立MLCs的标准大小相应。根据工业实践，MLC的大小通常用一数字“XXYY”来表示，XX和YY是以百分之几英寸表示的宽度或长度。形成端子一侧的宽度或长度是XX，而YY表示另一个尺寸。在实践中，一些典型规格是1206，1210，0805，0603和1812外形比(由高度和宽度或长度当中较大者的比值)小于1∶1，通常小于0.5∶1，这都是通常的情况。
现在将参考图1A，介绍主体14的内部结构。和现有技术的MLC一样，主体14包括多个第一电极板28，它们反向交叉并与多个第二电极板30隔开。电极板通过陶瓷材料层(如层32)隔开，以提供预定的介电常数。
在一个MLC中，每套交替电极板直接连接到相反极性端子中的一个上。然而，每个电极板28和端子16之间的连接是通过各电阻元件34来实现的。电阻元件36同样电连接在端子18和各电极板30之间。
图1B更详细地示出了各电极板28和与之相关的电阻元件34之间的关系。如图所示，电极板28位于陶瓷层32之上，其大小可以使陶瓷的边界保持在所有侧上。电阻元件34覆盖板28的一部分，并从此延伸至端子16。必须理解的是每个板30和其相关电阻元件36的布置相同，但是连接到端子18上。
下面将参考图1C介绍RC器件10的电操作。如图所示，相反电极板28和30形成多个双板电容器38(这里分别用C1-Cn来表示)。电阻34位于每个电容器38的一侧上，以使奇数电阻R1，R3，R5等将电容器结构的这些侧连接至端子16上。电阻36位于电容器38的相反侧上，因此，端子18通过偶数电阻R2，R4，R6等电连接至电容器结构的这些侧上。
必须理解的是所得到的电路功能类似串联RC结构。整个电路的角频率可用下式表示：
f＝1/(2□RTCT)
其中RT和RC分别表示器件的整体电阻和电容。由于其并联特征，该器件可以制造成较少或较多层，而不需要理论上改变其角频率。层数的改变性改变RT和RC的值，然而，结果会改变器件的阻抗。
参考图2，RC器件10最好通过多层陶瓷技术来制造。更具体地说，一坯料陶瓷带40首先用多个电极板(如板42)一起通过Ag或Ag/Pd油墨来印刷。接着，在一对交替的电极板之间施加电阻油墨以形成各电阻，如电阻44。带的多层然后被堆叠，以使每个另外层的电极板覆盖下面层的极板，以形成一电容结构。然而，相邻层的电阻油墨将位于电容器结构的相反侧上。在多数情况下，这将得到一种结构，其中各相邻层的电阻和位于电极板的相对侧上的电阻对齐，从电阻44和下置电阻46之间的关系可以看出这一点。
通过这种方法形成堆叠层以后，坯料带被加压并烧结。因此，陶瓷层和电阻油墨可以一起烧成，以形成基本单体的结构。典型的以前技术MLC器件通常使用烧成温度超过1100℃的高温陶瓷。然而，这种温度不适合用于形成本发明电阻的电阻油墨。器件10最好使用烧成温度低于约850℃的LTCC。可以从加州Santa Barbara的Ferro Corporation，和NC州的DuPontPhotopolymer & Electronic Material of Research Park得到合适的LTCC材料。
烧成以后，陶瓷堆叠层被沿纵向和横向线，如48和50剪切，以形成单个器件主体。上述相反极性端子然后通过厚膜技术被施加到每个器件主体的外面。
与RC器件的每对电阻相应的电阻和每侧上的电阻总值相同。结果，当电极位置从中心偏移时，总电阻不会明显变化。因此，在剪切工序中，位置的稍微偏移不会明显影响整个器件的电特性。
例如，图3A示出了一器件10′，其中，板28′和30′相对于其理想中心位置向左偏移。结果，电阻34′的长度变短，导致电阻随之减小。然而，这种电阻的减小通过电阻36′长度的相应增大而得以平衡。同样，图3B所示的右移导致电阻34″的电阻增加，电阻36′的电阻相应减小。
尽管并没有应用于本发明的所有实施例，上述多个平行电阻结构易于在RC器件中获得更稳定的电阻值。更具体地说，在单个电阻制造过程中，可能经常出现各单元标称电阻值的变化。例如，电阻油墨的厚度和宽度在多个单元中也稍不相同。然而，在多个平行电阻结构中，整体电阻可以获得更加可预测的平均值。
下面将参考其它图，介绍本发明的其它实施例。对本领域的技术人员来说，必须理解的是下面实施例的许多方面类似于器件10。为了简单起见，相类似方面参考上面的介绍。
因此，图4A和4B示出了具有一器件主体50的另一RC器件48，在器件主体50上有相反极性端子52和54。如图所示，多个第一板56电连接到端子52上。多个与第一板56交叉的第二板58电连接到端子54上。
此时，板本身全部由电阻材料构成，以代替分立的R和C元件。例如，如图4B所示，板56最好通过印刷电阻材料来形成，以形成与端子56直接电连接的电极板。同样，板58形成一直接与端子54连接的电极板。所得到的结构呈现出理想的RC特性。对本领域的技术人员来说，必须理解的是该技术可以和这里所介绍的多种其它实施例一起使用。
图5示出了另一实施例。更具体地说，图5示出了具有一器件主体62的RC器件60，在器件主体62上有相反极性端子64和66。此时，器件主体还包括一对侧端子68和70。
下面将参考图5A和5B介绍器件60的内部结构。如图所示，一第一套导电板72与一第二套导电板74交叉。板74的形状通常为矩形，并电连接至端子64上。板72包括与覆盖板74相对的通常为矩形的电极部分。另外，板72包括一对整体引线结构76和78，它们沿侧向延伸到各端子68和70上。
器件60还包括多个电连接端子66和各自板72的电阻80。此时，还提供由导电材料制成的短引线82，以实现与端子66的最终连接。
图5C示出了器件60的整体电路图。如图所示，板72和74形成多个平行布置的双板电容器84。一电阻80位于每个电容器84的一侧，因此，端子66通过电阻R1，R2，R2等电连接至电容器结构的这些侧上。
可以看出，端子68和70的功能和单个电端子相同，因此，允许在电容和电阻之间有一“头(tap)”，以便和理想的外部电路连接。为了方便起见，虽然在所示实施例中提供了两个侧向端子68和70，但是，对熟悉该技术的人，必须理解的是器件60也可以仅配有一个侧向端子。
参考图6，本发明的另一RC器件用86表示。器件86包括一器件主体88，在它上面有相反极性端子90和92。器件主体88还包括一连接通道94，类似于一端子，位于其一侧面上。
图6A和6B示出了器件86的内部结构。如图所示，一第一套导电板96与一第二套导电板98交叉。板98通常为矩形，并电连接至端子90上。每个板96包括一通常为矩形的电极部分，以及一沿侧向延伸至通道94的整体引线结构100。
器件86还包括一嵌入电阻102，它在端子92和通路94之间形成电连接。一短引线104提供来实现与端子92的最终连接，而引线106在通道94和电阻102之间延伸。必须理解的是通路94的规格可以适合连接电阻102和电容器结构中的双板电容器。例如，图6C示出了具有一通路94′的实施例86′，它连接内部电阻和较少的电容器板。因此，器件的电容在制造时可以调成各种分立值。
图6D示出了器件86中的整体电路图。如图所示，板96和98形成多个平行布置的双板电容器。电阻80(用R表示)连接在一个或多个电容器108和端子92之间。
图7示出了包含在单片封装中根据本发明的RC电路的阵列110。此时，阵列110构造成具有总共4个彼此电隔离的RC电路，它们包含在器件主体112中。因此，多个第一极性端子114a-d位于主体112的一个侧面上。同样，多个第二极性端子116a-d位于主体112的一侧面上。
此时，阵列110的单个RC电路用与上述器件10的RC电路相同的方式形成。从图7A和7B中予以清楚地看出这一点，它示出了可以堆叠形成器件主体112的交替陶瓷层118和120。如图所示，陶瓷层118包括4个电极板122a-d，它们通过电阻124a-d分别与端子114a-d连接。同样，陶瓷层120的各电极板126a-d通过电阻128a-d与端子116a-d互连。另外，电极板可以用参考图4B介绍的相同方法全部用电阻材料构成。
可以看出本发明提供了通过多层陶瓷技术制造的改进的复合RC器件。尽管已经示出并介绍了本发明的优选实施例，对于本领域的技术人员来说，在不离开下述权利要求所规定的本发明的范畴和精神的前提下，可以对本发明进行修改和变化。另外，必须理解的是各个实施例的特点可以局部或全部相互变化。另外，对本领域的技术人员，必须理解的是上面的描术仅是一个例子，并不是作为对下面权利要求所规定的本发明的限制。

Claims (31)

1.一种复合RC器件，包括：
一器件主体，它由至少一第一陶瓷层和至少一位于上述第一陶瓷层上面的第二陶瓷层形成；
上述第一陶瓷层上具有第一电路，它形成一第一串联电阻和一第一极性电容器电极；
上述第二陶瓷层上具有第二电路，它形成一第二串联电阻和一第二极性电容器电极；和
第一和第二极性端子，它们位于上述电容器主体上，并分别与上述第一电路第二电路连接。
2.如权利要求1所述的一种器件，其中，上述第一和第二陶瓷层是由烧成温度低于约850℃的LTCC材料制成。
3.如权利要求1所述的器件，其中，上述第一电路包括一第一导电电容器板和一第一串联电阻，后者在上述第一导电电容器板和上述第一极性端子之间电连接；上述第二电路包括一第二导电电容器板和一第二串联电阻，后者在上述第二导电电容器板和上述第二极性端子之间电连接。
4.如权利要求3所述的器件，包括多个第一陶瓷层和第二陶瓷层，它们交叉形成一堆栈。
5.如权利要求4所述的器件，其中，上述第一和第二极性端子位于与上述另一个器件主体相对的位置上，以使上述第一电阻与上述第二电阻对齐。
6.如权利要求1所述的器件，其中，上述第一电路和上述第二电路都包括一分别与上述第一和第二端子连接的电阻材料和一电极板配置。
7.如权利要求6所述的一种器件，包括多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层，它们交叉形成一堆栈。
8.一种复合RC器件，包括：
一器件主体，它由多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层构成，它们交叉形成一堆栈；
上述各第一陶瓷层上具有一第一电极，上述各第二陶瓷层上具有一第二电极，上述第一电极和上述第二电极相对而置，形成一多层并联电容器结构；
位于上述器件主体之上的第一和第二极性端子，和
至少一第一电阻，它嵌入在位于相邻一对第一和第二陶瓷层之间的电容器主体内；上述至少一第一电阻电连接在上述第一极性端子和至少上述第一电极当中之一之间。
9.如权利要求8所述的器件，其中，上述至少一电阻包括多个第一电阻，它电连接在上述第一极性端子和各上述第一电极之间。
10.如权利要求9所述的一种器件，还包括多个第二电阻，它电连接在上述第二极性端子和各上述第二电极之间。
11.如权利要求9所述的器件，其中，每个上述第一电极还包括至少一个从其上延伸的引线结构，上述引线结构电连接到位于上述器件主体上的第三端子上。
12.如权利要求11所述的器件，其中，上述第二极性端子直接电连接到上述第二电极上。
13.如权利要求8所述的器件，其中，上述至少一第一电阻电连接到位于上述器件主体上的一连接通路上，上述连接通路还与上述第一电极中的至少一个电连接。
14.如权利要求13所述的器件，其中，上述连接通路电连接到多个上述第一电极上。
15.如权利要求14所述的器件，其中，每个上述第一电极分别包括延伸到上述连接通路上的引线结构。
16.如权利要求8所述的器件，其中，上述第一和第二陶瓷层是由烧成温度低于约850℃的LTCC材料制成。
17.一种在单片封装中具有预定数目的RC电路的阵列器件，包括：
一器件主体，它由多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层构成，它们交叉形成一堆栈；
每个上述第一陶瓷层上面包括上述预定数目的第一电极，每个上述第二陶瓷层上面包括上述预定数目的第二电极，上述第一电极与上述第二电极相对布置，形成各多层并联电容器结构；
上述每个RC电路的各第一极性端子和各第二极性端子，上述第一极性端子和上述第二端子位于上述器件主体上；和
上述每个RC电路的至少一第一电阻，上述至少一第一电阻嵌入在位于相邻一对第一和第二陶瓷层之间的器件主体上，上述第一电阻电连接在上述第一极性端子和上述第一电极当中至少一个之间。
18.如权利要求17所述的器件，其中，上述至少一第一电阻包括多个第一电阻，它们电连接在上述第一极性端子和各上述第一电极之间。
19.如权利要求18所述的器件，还包括上述每个RC电路的多个第二电阻，上述第二电阻电连接在上述第二端子和各上述第二电极之间。
20.如权利要求19所述的器件，其中，上述第一和第二陶瓷层是由烧成温度低于约850℃的LTCC材料制成。
21.一种在单片封装中具有预定数目的RC电路的阵列器件，包括：
一器件主体，它包括多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层，它们交叉形成一堆栈；
每个上述第一陶瓷层上面包括一预定数目的第一电阻板，每个上述第二陶瓷层上面包括一预定数目的第二电阻板；和
上述第一电阻板和上述第二电阻板相对而置，以形成具有RC特性的多层结构。
22.如权利要求21所述的器件，其中，上述第一和第二陶瓷层是由烧成温度低于约850℃的LTCC材料制成。
23.一种复合RC器件，包括：
一器件主体，它由多个第一陶瓷层和多个第二陶瓷层构成，它们交叉形成一堆栈，上述第一和第二陶瓷层是由烧成温度低于约850℃的LTCC材料制成；
每个上述第一陶瓷层上面包括形成一第一串联电阻和一第一极性电容器电极的第一电路；
每个上述第二陶瓷层上面包括形成一第二串联电阻和一第二极性电容器电极的第二电路；
位于上述器件主体上面的第一和第二极性端子，它们分别电连接到上述第一电路和上述第二电路上。
24.如权利要求23所述的器件，其中，上述第一电路包括一第一导电电容器板和一第一串联电阻，后者电连接在上述第一导电电容器板和上述第一极性端子之间，上述第二电路包括一第二导电电容器板和一第二串联电阻，后者电连接在上述第二导电电容器板和上述第二极性端子之间。
25.如权利要求23所述的器件，其中，上述第一电路和上述第二电路都包括一分别和上述第一和第二端子电连接的电阻材料，并包括一电极板配置。
26.一种制造复合RC器件的方法，包括以下步骤：
(a)提供多个陶瓷材料的第一层，上述每个第一层上面具有形成一第一电极和一第一电阻元件的第一电路；
(b)提供多个陶瓷材料的第二层，上述第二层具有形成一第二电极的第二电路；
(c)堆叠所述第一层和所述第二层，以形成交叉的器件主体，以使上述第一电极和上述第二电极交替；
(d)在上述器件主体上提供第一和第二极性相反的电极，并分别电连接到上述第一电路和上述第二电路上。
27.如权利要求26所述的方法，其中，上述第二电路还形成第二电阻元件。
28.如权利要求26所一种方法，还包括在作用上述电极之前在选定温度下烧成上述器件主体，以获得基本单体的结构。
29.如权利要求28所述方法，其中，上述选定温度低于850℃。
30.如权利要求26所述的方法，其中，上述第一电极和上述第一电阻元件是分立电路元件。
31.如权利要求26所述的方法，其中，上述第一电极和上述第一电阻元件是通过一单体电路元件形成的。
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