CN1251275C - 磁控管装置 - Google Patents

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Abstract

在本发明的磁控管装置上，在放射状配置在阳极筒体(6)的内侧的阳极叶片(15)上形成第1切口部(17)、第2切口部(19)以及第3切口部(20)，并将流过由相邻的2片阳极叶片(15)和阳极筒体(6)以及均压环(9)、(10)构成的共振体的高频电流的通路形成得细而长。

Description

磁控管装置
技术领域
本发明涉及电子炉灶等电器上作为高频发生装置使用的磁控管装置。
背景技术
磁控管装置，是以例如2,450MHz的基本频率工作的微波振荡管。微波振荡管作为利用微波加热器或微波放电管等的微波的电器上的高频发生源使用。这样的磁控管装置，一般是阴极和阳极配制成同轴圆筒状的构成。
图11是传统的磁控管装置的内部构成的断面图。如图11所示那样，传统的磁控管装置，由配置在中心部的真空管部分101、设置在该真空管部分101的外周的多片散热片102、与真空管部分101同轴设置的一对环状磁铁103、与该环状磁铁103磁性连接并形成磁路的一对框状磁轭104以及滤波回路部分105构成。
真空管部分101是具有圆筒状的阳极筒体106、与阳极筒体106同轴配置的阴极107、在阳极筒体106的中心轴的周围放射状配置的多片板状的阳极叶片108、与这些阳极叶片108交替电连接的2个均压(耦合)环109、110以及一端与任何一片阳极叶片108连接的微波放射用的天线111的构成。
如图11所示那样，分别在板状的阳极叶片108的上下两端面上连接大小均压环109、110。这样，为了在阳极叶片108的上下两端面上连接均压环109、110，在一方的端面上形成第1凹部112，在另一方的端面上形成第2凹部113。又，在任何一方的端面上形成用于固定天线111的槽114。上述那样形成的阳极叶片108，其各端面交错配置。因此，在放射状配置的阳极叶片108上，相邻的形成第1凹部112的第1端面与形成第2凹部113的第2端面配置在相向的位置上。配置成放射状的阳极叶片108上的各外周侧端部被固定在阳极筒体106的内壁面上。
近年来，在使用磁控管装置的电器领域，正处于开发新的应用机器以及开拓新的市场的时期，希望能开发出小型化的磁控管装置。但是，在传统的磁控管装置上，如果为达到小型化的目的而将阳极筒体的内径尺寸设计得比传统的大致35mm小，则存在振荡频率高于规定频率的问题。因此，在传统的磁控管装置的构成中，不能单纯地减小内径尺寸而形成。这样，在传统的磁控管装置上，不能单纯减小阳极筒体，因而阻碍小型化的进程。
发明内容
本发明的目的在于解决前述的传统装置上的各种问题，提供小型化的磁控管装置。
本发明提供一种磁控管装置，其包括：圆筒状的阳极筒体；固定在所述阳极筒体的内壁面上并放射状地配置在所述阳极筒体的中心轴周围且主面与所述阳极筒体的中心轴平行地配置的板状的多片阳极叶片；以及交替电连接放射状配置的所述阳极叶片的第1均压环以及第2均压环；所述阳极叶片具有：与所述阳极筒体的中心轴垂直的第1端面；与所述第1端面平行的第2端面；在所述第1端面上、与所述阳极筒体的中心轴平行地切入而形成且在所述阳极叶片与所述第1均压环之间具有既定距离地构成的第1切口部；在所述第2端面上、与所述阳极筒体的中心轴平行地切入而形成且在所述阳极叶片与所述第2均压环之间具有既定距离地构成的第2切口部；以及在所述第2端面上、并相对所述第1切口部的形成位置从所述阳极筒体的中心轴向外周方向的方向偏移的位置上形成的第3切口部，所述第3切口部形成有与所述阳极筒体的所述内壁面对向的面，并且具有相对于所述第1切口部的内侧空间在与所述阳极筒体的中心轴平行的方向上重叠的空间；所述阳极筒体在所述内壁面上形成有凹部，所述凹部的中心位于所述第1端面和所述第2端面的两端面的中间位置。
这样构成的磁控管装置，通过在阳极叶片上形成切口部而设计成特殊形状，从而可使用比传统装置内径小的阳极筒体和小的板状阳极叶片。在本发明的磁控管装置上，在由相邻的阳极叶片和阳极筒体以及均压环构成的共振体上，流过高频电流的通路弯曲且细而长地形成，即使使用比传统装置内径小的阳极筒体和小的板状阳极叶片也可确保与传统装置同样的电感。
在本发明的磁控管装置上，也可将微波放射用天线固定槽，在前述阳极叶片的第1端面上形成，并且在与前述第1切口部的形成位置不同的位置上形成。
在本发明的磁控管装置上，也可将前述第1切口部的深度形成得比从前述第1切口部上的底边到前述第2端面的距离长。
在本发明的磁控管装置上，也可将前述第3切口部的深度形成得比从前述第3切口部上的底边到前述第1端面的距离长。
在本发明的磁控管装置上，也可将前述第1切口部的深度与前述第3切口部的深度形成不同的尺寸。
在本发明的磁控管装置上，也可将前述第1切口部的深度与前述第3切口部的深度形成同样的尺寸。
在本发明的磁控管装置上，也可将前述第1切口部与前述第3切口部的各切口形状形成矩形。
在本发明的磁控管装置上，也可将前述第1切口部与前述第3切口部的各切口形状设计为由曲线构成的形状。
在本发明的磁控管装置上，也可将前述第1切口部与前述第3切口部的各切口形状设计为具有相对前述阳极筒体的中心轴倾斜的边地构成。
在本发明的磁控管装置上，前述阳极叶片也可利用前述第1切口部与前述第3切口部，使高频电流的通路弯曲地形成。
发明的新的特征，虽然不外乎随附的权利要求范围特别记述的内容，但关于构成以及内容的两方面，本发明通过对照其它的目的或特征与图面一同继续进行以下的详细的说明，以更好地理解和评价。
附图说明
图1是本发明的实施形式1的磁控管装置的内部构成的局部剖开的断面图。
图2是本发明的实施形式1的磁控管装置的内部构成的局部放大的断面图。
图3是本发明的实施形式1的磁控管装置上的阳极筒体和阳极叶片等的配置的平面图。
图4是本发明的实施形式1的磁控管装置上的另一阳极叶片的形状的断面图。
图5是将本发明的磁控管装置上的阳极筒体的内径与振荡频率之间的关系与传统的磁控管装置比较的坐标图。
图6是本发明的另一实施形式的磁控管装置上的阳极叶片的形状的断面图。
图7是本发明的又一实施形式的磁控管装置上的阳极叶片的形状的断面图。
图8是本发明的又一实施形式的磁控管装置上的阳极叶片的形状的断面图。
图9是本发明的又一实施形式的磁控管装置上的阳极叶片的形状的断面图。
图10是本发明的又一实施形式的磁控管装置上的阳极叶片的形状的断面图。
图11是传统的磁控管装置的内部构成的局部剖开的断面图。
图面的一部分或者全部，是以示意为目的的简单表现，不一定忠实于构件之间实际的相对大小以及位置。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的合适的实施形式的磁控管装置进行说明。
《实施形式1》
图1是本发明的实施形式1的磁控管装置的内部构成的局部剖开的断面图。图2是实施形式1的磁控管装置上的作为主要构件的阳极筒体以及阳极叶片的放大断面图。图3是在实施形式1的磁控管装置上的阳极筒体内放射状配置的阳极叶片的平面图。
如图1所示那样，实施形式1的磁控管装置，由配置在其中心部的真空管部分1、设置在该真空管部分1的外周的散热片2、与真空管部分1同轴设置的上下一对圆环状的永久磁铁3a、3b、磁性连接在该永久磁铁3a、3b上并形成磁路的一对框状磁轭4、以及滤波回路部分5构成。
真空管部分1，具有圆筒状的阳极筒体6、配置在阳极筒体6的中心轴上的阴极7、以同样间隔放射状地配置在阳极筒体6的中心轴周围的多片板状的阳极叶片15、交替电连接这些阳极叶片15的2个均压环(带环)9、10、以及一端连接在任意一片阳极叶片15上的微波放射用的天线11。
在图1中，在阳极筒体6的上侧以及下侧的开口端部设计分别安装第1以及第2磁极片21、22的第1以及第2金属筒体23、24。第1磁极片21的外周端面被设计在第1金属筒体23的一方的端面上的凸缘部覆盖，该凸缘部的外周缘被固定在阳极筒体6的上侧的开口端部上。
在第1金属筒体23的另一端部上，微波输出端子8被绝缘环12封住。同样，第2磁极片22的外周端面被设计在第2金属筒体24的一方的端部上的凸缘部覆盖，该凸缘部的外周缘被固定在阳极筒体6的下侧的开口端部上。
如图1所示那样，在阳极筒体6的外周面上，为了释放在阳极筒体6的内部产生的热，多段安装多片散热片2。在第1磁极片21的外周端面上，圆环状的第1永久磁铁3a同轴地配置在第1金属筒体23的凸缘部的上面。第1永久磁铁3a与第1磁极片21磁性结合。同样，在第2磁极片22的外周端面上，圆环状的第2永久磁铁3b同轴地配置在第2金属筒体24的凸缘部的下面。第2永久磁铁3b与第2磁极片3磁性结合。又，第1以及第2的永久磁铁3a、3b在包围散热片2的框状磁轭4的下部，为了防止高频噪声的泄漏，安装内装有LC滤波回路件等的滤波回路部分5的金属制的屏蔽罩13。
在阳极筒体6的内部，设计沿其中心轴配置的线圈状的阴极7以及在该阴极7的周围同轴放射状地配置的阳极叶片15。阴极7在阳极筒体6的内部连接在一对阴极端子7a、7b上。一对阴极端子7a、7b，在屏蔽罩13内通过阴极端子导出用的杆(图中未画)从阳极筒体6的内部引出，连接到图中未画的高频电源上。
在阳极筒体6的内部，在放射状配置的阳极叶片15上的各外周侧端部被固定在阳极筒体6的内壁面上。阳极叶片15的片数是偶数，在实施形式1中，由10片构成。阳极叶片15，由例如长9.5mm、宽7.0mm、厚2.0mm的板材形成。在阳极筒体6的内部，连接在阳极叶片15的1片上的天线11，连接在微波输出端子8上，具有例如2,450MHz的基本频率的微波从微波输出端子8输出。
在实施形式1中，阳极筒体6、阳极叶片15、均压环9、10以及天线11由同一金属材料构成，例如无氧铜，并分别采用由银和铜的合金构成的焊料利用压接钎焊方法固定。
如图1所示那样，在放射状配置的多片阳极叶片15的上下两端面上，配置大直径和小直径的2个均压环9、10。2个均压环9、10各每隔1片地连接在放射状配置的多片阳极叶片15上。这样，为了在阳极叶片15的上下两端面的所希望的位置上连接均压环9或10，在阳极叶片15上的一方的端面16(图2中的阳极叶片15的上面)上形成第1切口部17，在另一方的端面18(图2中的阳极叶片15的下面)上形成第2切口部19。第1切口部17以及第2切口部19的形状，当从阳极叶片15的厚度方向，即与放射状配置的阳极叶片15的主面垂直的方向看时，为矩形的凹槽，利用切口形成。
又，如图2所示那样，天线11的一端被固定在阳极叶片15的上面形成的槽14内。这样，连接天线11的一端的阳极叶片15是放射状配置的阳极叶片15中的1片。
图4是与图2所示阳极叶片15相对而邻的阳极叶片15的形状。图4所示阳极叶片15，与图2所示阳极叶片15的形状相同，但上下相反地固定在阳极筒体6上。这样，在放射状配置的阳极叶片15上，形成第1切口部17的第1端面16与形成第2切口部19的第2端面18上下相错地配置。
下面，说明实施形式1的磁控管装置上的阳极叶片15的具体形状。
在图2所示的阳极叶片15的第1端面16上，实质上在同一平面上配置环状的大小一对第1均压环9以及第2均压环10。在第1端面16上形成的第1切口部17使第1均压环9与阳极叶片15不接触。第1切口部17的深度是D1，宽是W1。第1切口部17的深度D1在阳极叶片15的高度H的一半以上。在此，所谓阳极叶片15的高度是第1端面16与第2端面18之间的距离。而且，在图2所示的阳极叶片15的第1端面16上固定第2均压环10。
另一方面，在阳极叶片15上，在作为第1端面16的相反侧的第2端面18上，同样实质上在同一平面上配置环状的大小一对第1均压环9以及第2均压环10。在第2端面18上形成的第2切口部19使第2均压环10与阳极叶片15不接触。第2切口部19的深度是D2，宽是W2。第2切口部19距离第1切口部17的最底部有一定距离地形成。而且，在图2所示的阳极叶片15的第2端面18上固定第1均压环9。
又，如图2所示那样，在第2端面18上，在与第2切口部19形成位置不同的位置上，并且是与在第1端面16上形成的第1切口部17的形成位置完全错开的位置上形成第3切口部20。即，第2端面18上的第3切口部20与第1端面16上形成的第1切口部17在与阳极筒体6的中心轴平行的方向上错开形成。第3切口部20的深度是D3，宽是W3。第3切口部20的深度D3在阳极叶片15的高度H的一半以上。
另外，在图2中，第1切口部17的最底部与第2端面18之间的间隔用符号L1表示，第1端面16与第3切口部20的最底部之间的间隔用符号L2表示。
在本发明的实施形式1的磁控管装置上，第1切口部17的深度D1形成得比距离L1长。并且，第3切口部20的深度D3形成得比距离L2长。因此，在各阳极叶片15上，从阴极侧到阳极筒体侧的电流的通路不是直线的，而是弯曲地形成的。
下面，作为第1实施例，对本发明的实施形式1的磁控管装置的具体例进行说明。
在第1实施例中，阳极叶片15的第2切口部19的深度D2是1.7mm，与传统的磁控管装置上的阳极叶片的切口部相同。第1切口部17的深度D1是5.8mm，第3切口部20的深度D3是7.5mm。采用这样构成的阳极叶片15的磁控管装置，当阳极筒体6的内径为22.0mm时为2,450MHz。这时的阳极筒体6的内径比传统的磁控管装置的阳极筒体的内径35mm小13mm，可使阳极筒体6大幅度减小。
图5是上述那样构成的本发明的磁控管装置与传统的磁控管装置进行比较的实验结果。在图5中，横轴表示阳极筒体6的内径[mm]，纵轴表示振荡频率[MHz]。在图5上，也表示出了阳极筒体6的内径为上述第1实施例以外的值时的结果。并且，在图5中，也表示出了作为比较例，在传统的磁控管装置上改变阳极筒体的内径时的振荡频率的变化。
如图5的坐标图所表明的那样，在本发明的磁控管装置上，即使改变阳极筒体6的内径，振荡频率也没有变化。根据发明者的试验，即使将阳极筒体6的内径从22mm变化到35mm，振荡频率的标准离差也在±10MHz内。
另外，在第1实施例中，虽然是以第1切口部17的深度D1与第3切口部20的深度D3尺寸不同的例子进行说明的，但发明者根据试验可证明即使第1切口部17的深度D1与第3切口部20的深度D3以实质上相同尺寸形成，也可减小阳极筒体6的内径。
上述那样构成的本发明的磁控管装置，可将阳极筒体6的内径设计得比传统磁控管装置上的阳极筒体的内径小。在本发明的磁控管装置上，可将流过由相邻的2片阳极叶片15和阳极筒体6以及均压环9、10构成的共振体的高频电流的通路形成得细而长。因此，本发明的磁控管装置，可确保与传统的磁控管装置同等的电感。其结果，根据本发明，可提供以与传统的磁控管装置同样的振荡频率工作的小型化的磁控管装置。
在图2所示的实施形式1的磁控管装置上，在阳极叶片15的第1端面16侧，第1切口部17形成深度D1使第1均压环9与阳极叶片15不接触，第2均压环10固定在阳极叶片15上。在作为第1端面16的相反侧的第2端面18侧，第2切口部19形成深度D2使第2均压环10与阳极叶片15不接触，第1均压环9固定在阳极叶片15上。本发明的磁控管装置，具有不限于上述那样的形状的阳极叶片。例如，图6所示的阳极叶片150，虽然具有与图2所示的阳极叶片15不同的形状，但具有与上述实施形式1同样的效果。如图6所示那样，该阳极叶片150，在第1端面160侧形成第1切口部170使第2均压环10与阳极叶片150不接触，第1均压环9固定在阳极叶片150上。另一方面，在第2端面180侧形成第2切口部190使第1均压环9与阳极叶片150不接触，第2均压环10固定在阳极叶片150上。
图7以及图8是又一实施形式的阳极叶片的断面图。图7所示的阳极叶片250，固定在阳极筒体6的内壁面上的部分形成得较长。即，在图7所示的阳极叶片250上，在形成第3切口部20的阳极筒体6侧形成突出部分23。因此，具有可将相对阳极筒体6的固定面形成得较大的效果。
在图8所示的阳极叶片350上，与前述的图2所示的阳极叶片15相比将第3切口部20的高度方向的长度(D3)形成得较长。并且，在图8所示的阳极筒体6上，在相对第3切口部20的阳极筒体6的内壁面的一部分上形成凹部24。该凹部24，其高度方向的中心位置与阳极叶片350的高度方向的中心位置相同地形成。通过这样在阳极筒体6的内壁面的一部分上形成凹部24，使流过阳极叶片350的电流所产生的磁场不受阳极筒体6限制，可进一步确保充分的电感成分。空腔谐振器上的振荡频率用fr＝1/2π(LC)表示。在该式中，L是电感成分，C是电容成分。该式表示的是具有由阳极叶片和阳极筒体以及均压环构成的共振体的磁控管装置的一般的振荡频率。
在图8所示的阳极叶片350的上下方向的细长的部分A上，当电流沿箭头所示方向流动的时候，其周围产生磁场。当作为导体的阳极筒体6的内壁面接近该细长的部分A时，上述磁场被限制，使上述式中的电感成分(L)变小。其结果，磁控管装置的振荡频率增大。在此，在图8所示的磁控管装置的阳极筒体6上，为了确保充分的电感成分，在阳极筒体6的内壁面的一部分上形成凹部24使阳极筒体6的壁面不遮挡上述磁场。其结果，图8所示的磁控管装置，可确保与传统的磁控管装置同样或在其以上的电感，可提供振荡频率与传统的磁控管装置相同而小型化的磁控管装置。
另外，在上述的实施形式中，虽然说明的是第1切口部17和第3切口部20的形状为矩形的情况，但本发明不局限于这样的形状。图9以及图10是展示本发明的阳极叶片的其它的具体形状的图。图9所示为第1切口部171和第3切口部201具有圆弧的形状的阳极叶片151。图10所示为第1切口部172和第2切口部192以及第3切口部202具有相对阳极筒体6的中心轴倾斜的边的形状的阳极叶片152。
通过采用上述那样的形状的阳极叶片151、152，可将流过高频电流的通路形成得较长，可提供与前述的实施形式1同样以所希望的振荡频率工作的小型的磁控管装置。
另外，在实施形式1中，虽然是以阳极筒体6的中心轴为垂直方向配置的磁控管装置的例子进行的说明，但本发明的磁控管装置是不限于在该方向上配置的情况。如果本发明的磁控管装置如上述那样构成，则阳极筒体6的中心轴的方向无论配置在哪个方向都具有与上述
实施形式同样的效果。
以上，根据本发明，即使使用内径尺寸比传统的阳极筒体小的阳极筒体，通过在阳极叶片上形成切口部，可将流过由相邻的2片阳极叶片和阳极筒体以及均压环构成的共振体的高频电流的通路形成得细而长。因此，本发明的磁控管装置，可确保与传统的磁控管装置同样的电感，其结果，可提供振荡频率与传统的磁控管装置同样的小型化的磁控管装置。
虽然对发明就合适的形式以一定的详细程度进行了说明，但该合适形式在此所展示的内容是在构成的细部上适当变化的例子，各要点的组合或顺序的变化是不超出权利要求的发明的范围以及宗旨而可以实现的。

Claims (10)

1.一种磁控管装置，其包括：
圆筒状的阳极筒体；
固定在所述阳极筒体的内壁面上并放射状地配置在所述阳极筒体的中心轴周围且主面与所述阳极筒体的中心轴平行地配置的板状的多片阳极叶片；以及
交替电连接放射状配置的所述阳极叶片的第1均压环以及第2均压环；
所述阳极叶片具有：
与所述阳极筒体的中心轴垂直的第1端面；
与所述第1端面平行的第2端面；
在所述第1端面上、与所述阳极筒体的中心轴平行地切入而形成且在所述阳极叶片与所述第1均压环之间具有既定距离地构成的第1切口部；
在所述第2端面上、与所述阳极筒体的中心轴平行地切入而形成且在所述阳极叶片与所述第2均压环之间具有既定距离地构成的第2切口部；以及
在所述第2端面上、并相对所述第1切口部的形成位置从所述阳极筒体的中心轴向外周方向的方向偏移的位置上形成的第3切口部，所述第3切口部形成有与所述阳极筒体的所述内壁面对向的面，并且具有相对于所述第1切口部的内侧空间在与所述阳极筒体的中心轴平行的方向上重叠的空间；
所述阳极筒体在所述内壁面上形成有凹部，所述凹部的中心位于所述第1端面和所述第2端面的两端面的中间位置。
2.如权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于：微波放射用天线固定槽，在所述阳极叶片的第1端面上形成，并且在与所述第1切口部的形成位置不同的位置上形成。
3.如权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于：所述第1切口部的深度形成得比从所述第1切口部的底边到所述第2端面的距离长。
4.如权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于：所述第3切口部的深度形成得比从所述第3切口部的底边到所述第1端面的距离长。
5.如权利要求3或4所述的磁控管装置，其特征在于：所述第1切口部的深度与所述第3切口部的深度形成不同的尺寸。
6.如权利要求3或4所述的磁控管装置，其特征在于：所述第1切口部的深度与所述第3切口部的深度形成同样的尺寸。
7.如权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于：所述第1切口部与所述第3切口部的各切口形状是矩形。
8.如权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于：所述第1切口部与所述第3切口部的各切口形状是由曲线构成的形状。
9.如权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于：所述第1切口部与所述第3切口部的各切口形状设计为具有相对所述阳极筒体的中心轴倾斜的边地构成。
10.如权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于：所述阳极叶片利用所述第1切口部与所述第3切口部，使高频电流的通路弯曲地形成。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100913145B1 (ko) * 2003-05-29 2009-08-19 삼성전자주식회사 마그네트론
KR20050026596A (ko) * 2003-09-09 2005-03-15 삼성전자주식회사 전자레인지용 마그네트론
JP2005259508A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Toshiba Hokuto Electronics Corp 電子レンジ用マグネトロン
KR100651905B1 (ko) * 2005-03-29 2006-12-01 엘지전자 주식회사 마그네트론
GB2457046A (en) * 2008-01-30 2009-08-05 E2V Tech Anode structure for a magnetron
EP2096660A3 (en) * 2008-02-28 2010-04-14 Panasonic Corporation Magnetron
JP2009205963A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Panasonic Corp マグネトロン
WO2010097882A1 (ja) 2009-02-27 2010-09-02 パナソニック株式会社 マグネトロン及びマイクロ波利用機器
CN104253008B (zh) * 2013-06-27 2017-05-31 乐金电子(天津)电器有限公司 微波炉用磁控管的阴极组件及其磁控管
CN108834301B (zh) * 2018-06-27 2020-03-24 中国原子能科学研究院 同步回旋加速器中旋转电容转子的电接触方法及其结构
CN110379692B (zh) * 2019-08-19 2024-01-26 电子科技大学 一种采用对称磁路的微波炉用扁平化磁控管

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1007440B (de) * 1955-10-27 1957-05-02 Deutsche Elektronik Gmbh Magnetfeldroehre der Radbauart
JPS58908Y2 (ja) * 1975-08-11 1983-01-08 三洋電機株式会社 ナイジガタマグネトロン
JPS53112052A (en) * 1977-03-11 1978-09-30 Toshiba Corp Magnetron
JPS5935497B2 (ja) * 1979-02-28 1984-08-29 株式会社東芝 マグネトロン
JPS61285641A (ja) * 1985-06-13 1986-12-16 Matsushita Electronics Corp マグネトロン陽極構体
DE3673587D1 (de) * 1985-09-09 1990-09-27 Toshiba Kawasaki Kk Magnetronanode und deren herstellung.
US5003223A (en) * 1987-08-19 1991-03-26 Hitachi, Ltd. Structure of anode of magnetron and a method of manufacturing the same
JPH01307147A (ja) * 1988-06-02 1989-12-12 Sanyo Electric Co Ltd マグネトロン
JPH02242551A (ja) * 1989-03-15 1990-09-26 Matsushita Electron Corp マグネトロン用陽極構体
US6222319B1 (en) * 1997-04-11 2001-04-24 Matsushita Electronics Corporation Magnetron apparatus having a segmented anode edges and manufacturing method
JP2000173485A (ja) 1998-12-07 2000-06-23 Hitachi Ltd マグネトロン陽極空胴共振器

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