KR200145045Y1 - 마그네트론의 폴피스구조 - Google Patents
마그네트론의 폴피스구조 Download PDFInfo
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Abstract
본 고안은 마그네트론의 폴피스에 관한 것으로서, 특히 마그네트와 면접.설치되는 폴피스 구조를 개선하여 마그네트로 전달되는 열이 극소화되도록 한 한 마그네트론의 폴피스구조에 관한 것이다.
본 고안은 특히, 마그네트의 자기력선을 에노드 내의 공진회로로 집속시켜 주는 마그네트론의 폴피스에 있어서, 마그네트와 면접되는 폴피스의 접촉면 일부를 소정폭으로 절결시킨 공간부가 구비된 것을 특징으로 한 것으로서, 마그네트로 전달되는 열을 극소화시켜 온도특성에 민감한 마그네트의 자속을 안정화 시킴으로써 결국, 마그네트론의 전체 효율이 상승된 이점이 있다.
Description
본 고안은 마그네트론의 폴피스에 관한 것으로서, 특히 마그네트와 면접.설치되는 폴피스 구조를 개선하여 마그네트로 전달되는 열이 극소화되도록 한 한 마그네트론의 폴피스구조에 관한 것이다.
일반적인 마그네트론의 공진구조를 첨부도면 도 1를 참고로 설명하면 다음과 같다. 에노드(2)와, 상기 에노드(2) 중심축에 열전자를 방출하는 필라멘트(1)와, 상기 에노드(2) 내측에 방사상으로 형성된 복수매인 베인(3)과, 상기 에노드(2) 상단과 하단에 설치되어 자기력선을 생성하는 마그네트(5)와, 상기 마그네트(5)로 부터 자기력선을 인가받아 수직 방향으로 자계를 형성시키는 폴피스(4)와, 상기 베인(3)의 상측에 설치되어 전자기파를 외부로 돌출하는 캡안테나(6) 등으로 구성된다.
여기서, 미설명부호 7은 요크, 8은 냉각핀이다.
이와같이 구성된 마그네트론의 동작은 캐소드 역활을 하는 필라멘트(1)가 가열되면 열전자가 방출되는데, 이 열전자는 전계와 마그네트(5) 및 폴피스(4)에 의해 생성된 자계의 작용에 의해 베인(3)쪽으로 회전하면서 이끌려간다. 이때 베인(3)선단부는 공진회로 끝단부로서 (+) 또는 (-)전하가 유도되며, 이에따라 작용공간내에서 회전하는 전자들은 바뀌살처럼 모이게 되고 이 바뀌살의 회전각 주파수와 베인(3)들 사이의 공간으로 구성된 공진회로의 공진주파수가 동기가 되면 발진은 안전하게 지속된다.
부연하면, 스트랩링간의 공간에 의한 콘덴서(C)와 스트랩링과 베인(3)간의 공간에 의한 콘덴서, 베인(3) 및 에노드(2) 그 자체에 의한 인덕터스(L)에 의해 공진회로가 구성되어() 마그네트론의 발진주파수인 2,450 MHZ가 생성되는 것이다.
한데, 상술한 마그네트론은 도 2에 도시된 바와 같이, 자계를 발생시키는 마그네트(5)의 저부로 설치되는 폴피스(4) 접촉면(41)이 평면으로 형성된 관계로, 특히 온도특성에 민감한 마그네트(5)의 자속변화에 영향을 많이 끼쳐 마그네트론의 전체 효율을 저하시키는 주 원인이 되어 왔다.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 폴피스의 접촉면을 협소하게 하여 마그네트로 전달되는 열이 극소화되도록 함으로써 마그네트론의 효율이 상승되도록 한 마그네트론의 폴피스구조를 제공함에 있다.
도 1은 일반적인 마그네트론의 종단면도.
도 2a는 종래 마그네트론의 폴피스 설치 예시도,
도 2b는 종래 마그네트론의 폴피스 사시도,
도 3a는 본 고안 마그네트론의 폴피스 설치 예시도,
도 3b는 본 고안 마그네트론의 폴피스 사시도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
7 - 폴피스,5 - 마그네트,
71 - 공간부.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안은 마그네트의 자기력선을 에노드 내의 공진회로로 집속시켜 주는 마그네트론의 폴피스에 있어서, 마그네트와 면접되는 폴피스의 접촉면이 협소토록 접촉면 일부를 절결시켜 형성한 공간부가 구비되어 마그네트로 전달되는 열이 감소된 특징이 있다.
이하, 본 고안의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a는 본 고안 마그네트론의 폴피스 설치 예시도, 도 3b는 본 고안 마그네트론의 폴피스 사시도이다. 종래기술과 동일 기술요소는 동일부호로써 설명한다.
본 고안 폴피스(7)는 상부는 넓고 하부가 좁은 형태로 이루어진 원형상으로 이루어지되, 마그네트(5)와 면접되는 접촉면(72)을 갖음과 함께, 소정폭으로 일부가 절결되어 형성된 턱(a,b) 및 공간부(71)가 구비된다.
또한, 진공봉입시 버츄얼 리크를 제거하기 위해 상기 턱(b) 적소로 수개의 홈(c)이 형성되는 것이 바람직하다.
상술한 폴피스(7)는 상부 마그네트(2)와 접촉된 상부폴피스에 관한 설명이며, 하부로 설치되는 폴피스는 상부폴피스와 동일형상으로 성형됨은 당연하다.
이러한 폴피스를 포함한 마그네트론은 에노드(2)와, 상기 에노드(2) 중심축에 열전자를 방출하는 필라멘트(1)와, 상기 에노드(2) 내측에 방사상으로 형성된 복수매인 베인(3)과, 상기 에노드(2) 상단과 하단에 설치되어 자기력선을 생성하는 마그네트(5)와, 상기 베인(3)의 상측에 설치되어 전자기파를 외부로 돌출하는 캡안테나(6)와, 그리고 상기 마그네트(5)의 저부로 접촉면(72)의 턱(a,b)이 면접되게 설치되어 마그네트(5)의 자기력선을 인가받아 수직 방향으로 자계를 형성시키는 폴피스(4)로 구성된다.
상기와 같이 구성된 본 고안의 마그네트론은 캐소드 역활을 하는 필라멘트(1)가 가열되어 열전자를 방출하고, 이 열전자는 전계와 자계의 작용에 의해 베인(3)쪽으로 회전하면서 이끌려 공진회로 끝단부에서 (+) 또는 (-)전하가 유도되며, 이에따라 작용공간내에서 회전하는 전자들은 바퀴살처럼 모이게 되고 이 바퀴살의 회전각 주파수와 베인(3)들 사이의 공간으로 구성된 LC 공진회로의 공진주파수가 동기가 되면 발진은 안전하게 지속됨은 통상의 작용과 동일하다.
한데, 본 고안은 에노드(2) 상단에 설치된 마그네트(5)로 부터 자기력선이 발생될때 폴피스(7)를 통해 작용공간으로 전달되는 자속은 동일하나, 이에 반해 폴피스(7)를 통해 마그네트(5)로 전달되는 열은 종래와 다름을 알수 있다.
즉, 폴피스(7)의 접촉면(72) 단면적이 공간부(71)로 인해 협소케 됨으로써 이에따른 열전달도 줄어든 상태에서 마그네트로 전달이 되는 효과를 얻게 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안은 폴피스의 접촉면을 협소하게 하여 마그네트로 전달되는 열을 극소화시켜 마그네트론의 전체효율이 상승되도록 한 특징이 있다.
이상의 예는 본 고안의 일 실시예에 불과하며, 본 고안의 그 구성요지 범위내에서 얼마든지 변경 및 개조가 가능하다.
Claims (1)
- 마그네트(5)의 자기력선을 에노드 내의 공진회로로 집속시켜 주는 마그네트론의 폴피스(7)에 있어서, 마그네트(5)로 전달되는 열을 감소키 위해 마그네트(5)와 면접되는 폴피스(7)의 접촉면 일부를 소정폭으로 절결시킨 공간부(72)가 더 포함되어 구비된 것을 특징으로 한 마그네트론의 폴피스구조.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019960042604U KR200145045Y1 (ko) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 마그네트론의 폴피스구조 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019960042604U KR200145045Y1 (ko) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 마그네트론의 폴피스구조 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980029540U KR19980029540U (ko) | 1998-08-17 |
KR200145045Y1 true KR200145045Y1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=53985086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019960042604U KR200145045Y1 (ko) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 마그네트론의 폴피스구조 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR200145045Y1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6774568B2 (en) | 2002-11-21 | 2004-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetron for microwave oven |
-
1996
- 1996-11-27 KR KR2019960042604U patent/KR200145045Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6774568B2 (en) | 2002-11-21 | 2004-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetron for microwave oven |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980029540U (ko) | 1998-08-17 |
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