KR19980024332U - 마그네트론의 출력 저하 방지 구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 마그네트론에 관한 것으로서, 특히 에노드에서 발생된 열로 인한 마그네트의 자속변화를 억제할수 있도록 된 마그네트론의 출력 저하 방지 구조에 관한 것이다.

본 고안은 특히, 에노드 상, 하부로 폴피스가 형성되며, 상기 폴피스로 자계를 발생시키는 마그네트가 설치된 공지의 마그네트론에 있어서, 상기 마그네트와 에노드 사이로 차열성 및 내열성 수지로 제작된 방열판이 구비된 특징이 있다.

Description

마그네트론의 출력 저하 방지 구조

본 고안은 마그네트론의 과열방지 기술에 관한 것으로서, 특히 에노드에서 발생된 열로인한 마그네트의 자속변화를 억제함으로써 마그네트론의 전체출력저하 현상을 피할수 있도록 된 마그네트론의 출력 저하 방지 구조에 관한 것이다.

일반적인 마그네트론의 동작을 도 1 및 2를 근거로 설명하면 다음과 같다. 즉, 캐소드 역활을 하는 필라멘트(1)가 가열되면 열전자가 방출되는데 이 열전자는 전계와 자계의 작용에 의해 베인(3)쪽으로 회전하면서 이끌려간다. 이때 베인(3)선단부는 공진회로 끝단부로서 (+) 또는 (-)전하가 유도되며 이에따라 작용공간내에서 회전하는 전자들은 바뀌살처럼 모이게 되고 이 바뀌살의 회전각 주파수와 베인(3)들 사이의 공간으로 구성된 공진회로의 발진주파수인 전자기파가 에노드(2) 상단에 설치된 안테나(6)를 통하여 전자레인지의 가열용 캐비티로 운반된다.

따라서, 전자기파를 생성하는 베인(3), 에노드(2), 마그네트(4), 스트랩링(7), 및 안테나(6) 등의 미세한 변화요인은 양질의 전자기파를 생성하는데 악영향을 끼칠 수밖에 없다.

특히, 본 고안과 관련된 에노드(2)와 마그네트(4)는 전자공진을 일으키는 주 핵심요소인 관계로 그 중요성은 크다 할 수 있다.

그런데, 종래의 에노드(2)와 마그네트(4)는 도 2에 도시된 바와 같이, 에노드(2) 상, 하부로 폴피스(5)가 형성되며, 상기 폴피스(5)로 자계를 발생시키는 원통형의 마그네트(4)가 설치됨으로써 마그네트(4)로 열전달이 쉬운 구조로 이루어져 마그네트론의 전체 출력저하를 유도하였다.

부연하면, 통상 에노드(2)에서는 발진중 상당한 열이 발생되며, 이 열은 온도변화에 대해 자속변화가 심한 마그네트(4)로 직접 열이 전달되어 자속 저하에 따른 마그네트론의 출력저하 현상을 발하였던 것이다.

본 고안은 상기와 같은 사항을 감안하여 개발된 것으로서, 그 목적은 에노드에서 마그네트로 전달되는 열을 억제하는 별도의 방열판을 설치하여 열로 인한 마그네트의 자속변화를 억제함으로써 마그네트론의 전체 출력 저하 현상을 피할수 있도록 된 마그네트론의 출력 저하 방지 구조를 제공함에 있다.

도 1은 일반적인 마그네트론의 종단면도,

도 2는 종래기술을 설명하기 위한 마그네트론의 분해 사시도,

도 3은 본 고안 마그네트론의 종단면도,

도 4는 본 고안 마그네트론의 분해 사시도,

도면의 주요 부분에 대한 부호 설명

2 - 에노드,4 - 마그네트,

10 - 방열판.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안은 에노드 상, 하부로 폴피스가 형성되며, 상기 폴피스로 자계를 발생시키는 원통형의 마그네트가 설치된 공지의 마그네트론에 있어서, 상기 마그네트와 에노드 사이로 차열성 및 내열성 수지로 제작된 방열판이 더 포함되어 구비된 특징이 있다.

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 고안 마그네트론의 종단면도, 도 4는 본 고안 마그네트론의 분해 사시도이다. 종래기술과 동일한 기술요소는 동일부호로써 설명한다.

본 고안은 도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 에노드(2)와, 캐소드의 역할로서 전류에 의해 가열된 열전자를 방출시키는 필라멘트(1)와, 상기 필라멘(1)트에서 발생된 열전자를 끌어당기는 베인(3)과, 상기 열전자와 수직 방향으로 형성된 상,하부폴피스(5)와, 상기 상,하부폴피스(5)에 설치되어 자계를 형성시키는 원통형의 마그네트(5) 등으로 구성된 공지의 마그네트론에 있어서, 상기 에노드(2) 상단에 설치되며 그 중앙으로 끼움공(10a)이 형성되는 한편, 상기 마그네트(4)와 밀착,면접되게 좋은 원통형 형상으로 이루어진 방열판(10)을 마그네트(4)와 에노드(2) 사이로 설치된다.

여기서, 상기 방열판(10)은 차열성 및 내열성 수지로 제작되도록 한 것이 그 동작상 바람직하다.

상기와 같이 구성된 본 고안의 마그네트론은 캐소드 역할을 하는 필라멘트(1)가 전류에 의하여 가열되면 열전자가 방출되는데 이 열전자는 상,하부폴피스(5)에서 발생되는 자계의 작용에 의해 베인(3)쪽으로 회전하면서 이끌려 간다.

상기 베인(3)선단부는 공진회로 끝단부로서 (+) 또는 (-)전하가 유도되며 이에 따라 작용공간 내에서 회전하는 전자들은 바퀴 살처럼 모이게 되고, 이 바퀴 살의 회전각주파수와 베인(3)들 사이의 공간으로 구성된 공진회로의 공진 주파수가 동기 되어 안정된 고주파를 발진하게 된다.

한편, 상기 발진동작에 의한 구동열이 에노드(2)에서 크게 발생되고, 이 열은 마그네트(4)로 전달되는데, 이때 에노드(2) 상단 즉, 마그네트(4)와 에노드(2)사이로 설치된 방열판(10)이 상기한 구동열을 차단한다. 그래서, 온도특성에 따라 그 자속변화가 심한 마그네트(4)로 전달되던 열이 최소한으로 억제되므로써 자속의 변화없이 지속적으로 안정한 자계를 생성하므로 종국에는 양질의 전자기파를 생성하는데 유용케 된다.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안은 에노드에서 발생된 열을 방열판으로 차단하여 마그네트의 자속변화를 억제함으로써 결국, 마그네트론의 전체 출력저하 현상을 피할수 있는 유용한 고안이다.

이상의 예는 본 발명의 일실시예에 불과하며, 본 발명의 그 구성요지 범위내에서 얼마든지 변경이 가능하다.

Claims (2)

1. 에노드(2)와, 캐소드의 역할로서 전류에 의해 가열된 열전자를 방출시키는 필라멘트(1)와, 상기 필라멘(1)트에서 발생된 열전자를 끌어당기는 베인(3)과, 상기 열전자와 수직 방향으로 형성된 상,하부폴피스(5)와, 상기 상,하부폴피스(5)에 설치되어 자계를 형성시키는 원통형의 마그네트(5) 등으로 구성된 공지의 마그네트론에 있어서,

   상기 에노드(2) 상단에 설치되며 그 중앙으로 끼움공(10a)이 형성되는 한편, 상기 마그네트(4)와 밀착,면접되게 좋은 원통형 형상으로 이루어진 방열판(10)을 마그네트(4)와 에노드(2) 사이로 설치되게 구비된 것임을 특징으로 한 마그네트론의 출력 저하 방지 구조.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 방열판(10)은 차열성 및 내열성 수지로 제작되도록 한 것임을 특징으로 한 마그네트론의 출력 저하 방지 구조.