KR940009188B1 - 마그네트론의 양극부 구조 - Google Patents

마그네트론의 양극부 구조 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론의 양극부 구조
제1도는 일반적인 마그네트론의 반단면도.
제2도는 종래 마그네트론의 진공구체를 나타낸 종단면도.
제3도는 본 발명이 적용된 마그네트론의 진공구체를 나타낸 종단면도.
제4도는 본 발명의 요부를 나타낸 평면도.
제5도는 제4도의 A-A선 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
22 : 애노드 22a : 애노드베인
23 : 무산소동
본 발명은 음극부에서 방출된 열전자가 자기회로에서 작용공간에 인가된 자계로인해 방출된 에너지를 받아들이는 음극부의 구조에 관한 것이다.
일반적으로 고주파를 발생시키는 마그네트론은 제1도와 같은 형태로서, 중심에 직렬형 캐소드(이하“필라멘트”라 함) (1)가 설치되고 그 주변에는 방사상의 양극 구조물인 애노드(2)가 설치된 일종의 2극 진공관이다.
여기에 필라멘트(1)와 애노드(2)사이의 작용공간(3)에 자속을 인가시켜 주기 위해 상요크(4a)와 하요크(4b)가 설치되고 상기 각 요크의 상하면에는 자석(5)과 자극(6)이 차례로 설치된 자기회로가 있으며, 애노드(2)에 전달된 고주파 에너지를 외부(캐비티)로 토출시키기 위해 안테나 피더(7)와 안테나 씨일(8) 그리고 안테나 세라믹(9)과 안테나 캡(10)등이 설치된다.
또한 애노드베인(2a)에서 열전자의 충돌에 의해 생성된 열을 외부로 방열시키기 위해 애노드(2) 외측으로 방열핀(11)이 설치되고 작용공간(3)에서 생긴 불요 고주파 성분이 전원으로 역류하는 것을 막아주기 위한 쵸크코일(12)과 고압캐퍼시터(13)등이 필터박스(14)로 보호될 수 있도록 하요크(4b)의 하부에 설치된다.
따라서 필라멘트(1)에서 발생된 열전자가 애노드(2)의 내벽에 설치된 복수개의 애노드베인(2a)끝과 필라멘트(1)사이의 작용공간(3)으로 방출되어 전계와 자석(5)과 자극(6)으로 구성되는 자기회로에서 인가되는 자계에 의해 싸이클로이드 운동을 하여 에너지를 애노드베인(2a)에 전달시키면 이 에너지를 애노드베인(2a)에 접속되어 있는 안테나 피더(7)와 안테나 세라믹(9) 그리고 안테나 씨일(8)등으로 구성된 출력부를 통해 방사시켜 전자레인지의 도파관(도시는 생략함)을 통해 캐비티내로 전달시키게 된다.
상기한 바와 같이 전자레인지의 마그네트론에서 양극부를 구성하는 애노드(2)와 애노드베인(2a)은 동재질로 되어 제2도와 같이 진공구체를 이루게 되므로 진공상태에서 사용중에 불순물로 인한 가스발생이 없어야 한다.
만약 가스가 발생될 경우에는 가스 불순물들이 진공상태에서 전자들이 운동을 할 때 방해를 하게 되므로 모딩(Moding) 현상 및 발진을 일으키지 못하게 되는 원인으로 작용하게 된다.
따라서 종래에는 양극부를 이루는 애노드(2)와 애노드베인(2a)을 불순물의 함유량이 거의 없는 고가의 무산소동을 사용하여야 되었으므로 마그네트론의 생산원가가 상승되는 문제점이 있었다.
본 발명은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 그 구조를 변경하여 마그네트론을 저렴한 가격으로 생산할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 필라멘트 주변에 방사상으로 배치되는 애노드베인과 상기 애노드베인을 고정하기 위한 원통형의 애노드로 구성된 음극부에 있어서, 애노드와 애노드베인을 일반 전기동으로 하여 그 표면을 무산소동으로 도금하여서 된 마그네트론의 음극부 구조가 제공된다
이하, 본 발명은 일실시예로 도시한 첨부된 도면 제3도 내지 제5도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부도면 제3도는 본 발명이 적용된 마그네트론의 진공구체를 나타낸 종단면도이고 제4도는 본 발명의 요부를 나타낸 평면도이며 제5도는 제4도의 A-A선 단면도로서, 진공구체중 애노드(22)의 애노드베인(22a)을 제외한 나머지부분은 종래의 구조와 동일하다.
본 발명의 요부인 애노드(22)와 애노드베인(22a)은 일반 전기동으로 형성되어 있고 그 표면으로는 무산소동(23)이 일정두께로 도금되어 있는데, 이때 애노드(22)와 애노드베인(22a)을 각각 도금하여 고정시킬 수도 있지만 상기 애노드(22)와 애노드베인(22a)을 고정시킨 상태에서 한꺼번에 무산소동(23)을 도금하는 것이 바람직하다.
이상에서와 같이 본 발명은 일반 전기동으로 애노드(22)와 애노드베인(22a) 표면에 무산소동(23)을 도금하도록 되어 있으므로 마그네트론의 생산원가를 대폭 절감시킬 수 있게 되는 효과를 가지게 된다.

Claims (1)

  1. 무산소동으로 된 애노드(22)와 애노드베인(22a)에 있어서, 애노드(22)와 애노드베인(22a)이 일반 전기동이고, 그 표면에 무산소동(23)이 피복하여서 된 것임을 특징으로 하는 마그네트론의 양극부 구조.
KR1019910022939A 1991-12-13 1991-12-13 마그네트론의 양극부 구조 KR940009188B1 (ko)

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