CN1797670A - 磁控管a-密封件的固定结构 - Google Patents

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CN1797670A CN 200410094036 CN200410094036A CN1797670A CN 1797670 A CN1797670 A CN 1797670A CN 200410094036 CN200410094036 CN 200410094036 CN 200410094036 A CN200410094036 A CN 200410094036A CN 1797670 A CN1797670 A CN 1797670A
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李京采
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Abstract

一种磁控管的A-密封件固定结构,在阳极圆筒上结合有上部磁极和A-密封件的磁控管;A-密封件的下端部配合在上部磁极的固定部位上,且结合有A-密封件的上部磁极的边缘配合在阳极圆筒的端部上。本发明让A-密封件的下端部与上部磁极的中央部接触,把焊接有A-密封件的上部磁极安放在阳极筒体的上端部,使其边缘部相互接触,并通过电焊封闭其内部,减少密封不良率,并缩小A-密封件的体积,节省成本。

Description

磁控管A-密封件的固定结构
技术领域
本发明涉及一种磁控管A-密封件的固定结构。
背景技术
通常,磁铁用于微波炉或照明器具等,把电能转换成高频能量装置。
如图1、2所示,上部磁轭1a和下部磁轭1b互相结合后,形成“口”字形结合的磁轭1内侧设有圆筒形阳极筒体2,其阳极筒体2的内部,向轴心方向以放射形状设有多个叶片3,叶片3形成可以激励高频成分的共用谐振器,上述叶片3的前端部上下部结合有内侧压环4和外侧压环5,因上述内侧压环4和外侧压环5可以交替地进行接触,可以使上述阳极筒体2和叶片3形成阳极部(ANODE)。
为了和叶片3的前端部形成一定间隔的工作空间,阳极筒体2的中心轴上设有以螺旋装缠绕的灯丝7,该灯丝7为钨和氧化钍的混合物形成的阴极部(CATHODE),向阴极部供电时,在被加热的同时释放出热电子。
上述灯丝7的上端部固装有用于切断热电子向上方放射的上密封件8,下端部固装有用于切断热电子向下方放射的下密封件9,上述下密封件9中央部贯通孔中,插入有由钼材质构成的中心引线10,中心引线10焊接固定在上密封件8的下面,上述下密封件9下面与中心引线10相距一定间距设有由钼材质构成的旁侧导线11,该旁侧导线11的上端部焊接固定在上述下密封件9的下面。
上述阳极筒体2的上下侧开口部结合有由磁性体构成的杆状上部磁极13和下部磁极14,其上部磁极13的上侧和下部磁极14的下侧分别焊接有圆筒状A-密封件15和F-室16,该A-密封件15的上侧和F-室16的下侧焊接有用于向外部输出高频振荡的A-陶瓷体17和用于隔热的F-陶瓷体18,该A-陶瓷体17的上侧焊接有排气管19,为了使阳极筒体2的内部密闭形成真空,其排气管19的上端部被切断后,并封合起来。
上述A-密封件15的内侧,设有用于输出共用谐振器内产生高频的天线20,上述天线20的下端部与某一个叶片3结合,上端部固定在排气管19内侧上面。
上述阳极筒体2的上侧和下侧结合有用于与磁轭1接触的上部磁铁21和下部磁铁22,与上述上,下部磁极13,14一同形成磁场。
上述磁轭1的下侧结合有箱体结构的滤波器盒26,该滤波器盒26的内侧设有用于减弱逆流到输入部高频杂波的一对扼流圈27,该一对扼流圈27的一端部与一对F-导线28的下端部接触,一对F-导线28插入结合在F-陶瓷体18的贯通孔中。
插入结合在F-陶瓷体18贯通孔中的F-导线28的上端部,分别焊接在设置在上述F-陶瓷体18上侧的一对盘状体29的下面,盘状体29的上面分别焊接有中心引线10和旁侧导线11的下端部。
上述滤波器盒26侧壁设有电容器31,该电容器31的内侧端部与扼流圈27接触,上述扼流圈27中以长度方向插入有用于吸收低频杂波的铁氧体磁芯32。
上述磁轭1的内表面和阳极筒体2的外表面之间设有冷却片41,该A-陶瓷体17的上侧罩有用于保护排气管19封合部的天线罩42。
上述A-密封件15的内侧结合有用于减弱不必要高频的屏蔽件43,如图3所示,该屏蔽件43与圆筒形状的A-密封件15的垂直折曲部15a结合,使两者保持一定的间隙G。该屏蔽件43的上端部水平折曲的凸缘部43a焊接结合在A-密封件15向上折曲的A-陶瓷体焊接部15b的下侧。
图中未说明标号51为密封件,52为密封环。
上述普通磁铁,外部电源通过F-导线28供向中心引线10和旁侧导线11,并形成由F-导线28、中心引线10、灯丝7、上密封件8、下密封件9、旁侧导线11、盘状体29构成的封闭回路,向灯丝7供应电源,通过上述供应的电源,上述灯丝7被加热,并放出热电子,通过所放出的热电子形成电子群。
通过旁侧导线11向阳极部接通驱动电源,在工作空间6内形成强电场。上部磁铁21和下部磁铁22所产生的磁束,会顺着下部磁极14引向工作空间6侧,并通过工作空间6进入上部磁极13,在工作空间6内形成较强的磁场。
从高温灯丝7表面散发到工作空间6内部的热电子,在工作空间6内的强电场作用下,移向叶片3侧,同时受到强磁场的垂直力的作用,进行螺旋圆周运动到达叶片3。
这里,相向的叶片3间形成电容,上述相向的叶片3和连接上述相向的叶片3的阳极筒体2形成电感(inductance),上述电容和电感形成并联谐振回路。由上述电子运动形成的电子群,以周期性高频振荡频率倍数分之一的周期,与叶片3发生干扰,通过上述作用叶片3间的空间中,即,谐振器中,让叶片3产生谐振频率为高频电磁波,该高频通过天线20放射到外部,使食物的分子以每秒24亿5千万次进行振动,利用摩擦热进行烹饪。
另外,产生上述高频能量时,从输入部侧泄漏的电子杂波,会被结合在磁轭1下侧的滤波器盒26屏蔽,防止漏向外部,从输出部泄漏的电子杂波由结合在A-密封件15上端部外侧的室51屏蔽。
另外,如图3所示,把上部磁极13的边缘部安放在上述阳极筒体2的上端部,同时还把A-密封件15的下端部边缘也安放在上述阳极筒体2的上端部的状态下,同时焊接上部磁极13和A-密封件15,进而使其内部保持真空。
但是,具有上述结构的现有磁控管存在如下问题。在把上述上部磁极13和A-密封件15焊接到阳极筒体2时,需要同时焊接到阳极筒体2,所以,只要哪一个出现晃动或移位,就会出现焊接不良的情况。
发明内容
为了克服现有技术存在的上述缺点,本发明提供一种磁控管A-密封件的固定结构,让A-密封件的下端部与上部磁极的中央部接触,把焊接有A-密封件的上部磁极安放在阳极筒体的上端部,使其边缘部相互接触,并通过电焊封闭其内部,减少密封不良率,并缩小A-密封件的体积,节省成本。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种磁控管的A-密封件固定结构,在阳极圆筒上结合有上部磁极和A-密封件的磁控管;其特征在于上述A-密封件的下端部配合在上部磁极的固定部位上,且结合有A-密封件的上部磁极的边缘配合在阳极圆筒的端部上。
前述的磁控管的A-密封件固定结构,其中A-密封件的下端部是配合在上述上部磁极的中央部位上。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为现有磁控管结构示意图。
图2为图1所示现有磁控管的纵向断面图。
图3为图2所示A部的放大纵向断面图。
图4为本发明的具有A-密封件的固定结构的磁铁纵向断面图。
图5为图4所示B部的放大纵断面图。
图中标号说明:
101:上部磁极           102:A-密封件
103:阳极筒体
具体实施方式
如图4,图5所示,对形成磁铁的基本结构和作用而言,本发明和现有技术是相同的,因此,对于相同部分采用相同符号,省略详细的说明。
本发明的结构中,上部磁极101的中央部位焊接有A-密封件102的下端部,同时,焊接有A-密封件102的上部磁极101边缘焊接在阳极筒体103的上端部。
即,与现有技术不同,上述A-密封件102焊接在上部磁极101,而不是阳极筒体103的端部,因此,与现有相比可以缩小体积。
具有上述结构的本发明特点为,先使A-密封件102与上部磁极101的上面中央部接触,再利用银焊条对接触部位进行焊接。
然后,把焊接有A-密封件102的上部磁极101安放在阳极筒体2的上端部,使其边缘部相互接触,接着,通过电弧焊焊接封闭其内部。本发明具有如下效果:本发明的磁控管A-密封件的固定结构特点为,A-密封件的下端部与上部磁极的中央部接触,把焊接有A-密封件的上部磁极安放在阳极筒体的上端部,使其边缘部相互接触,接着,通过电焊封闭其内部,进而与在阳极筒体上同时焊接上部磁极和A-密封件的现有技术相比,减少了密封不良率,而且,还缩小了A-密封件的体积,进而节省了成本。

Claims (2)

1.一种磁控管的A-密封件固定结构,在阳极圆筒上结合有上部磁极和A-密封件的磁控管;其特征在于上述A-密封件的下端部配合在上部磁极的固定部位上,且结合有A-密封件的上部磁极的边缘配合在阳极圆筒的端部上。
2.根据权利要求1所述的磁控管的A-密封件固定结构,其特征在于上述A-密封件的下端部是配合在上述上部磁极的中央部位上。
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