CN1230982C - 纵向耦合谐振器型表面声波滤波器 - Google Patents

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Abstract

一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，包括压电基片和第一、第二与第三IDT，所述IDT设置在压电基片上且沿表面波传播方向排列，使第二IDT插在第一与第三IDT之间。各第一、第二与第三IDT都有多根电极指。第一与第二IDT在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比其余电极指间距更窄。第二与第三IDT在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比其余电极指间距更窄。第一与第二IDT中窄电极指间距部分的电极指间距，不同于第二与第三IDT中窄电极指间距的电极指间距。

Description

纵向耦合谐振器型表面声波滤波器
技术领域
本发明涉及纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，尤其涉及在表面波传播方向排列至少3根IDT的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
背景技术
近年来，随着客户数量与各种服务的增长，许多移动电话系统应用着相互接近的发射侧频率与接收侧频率。此外，为防止干扰其它通信系统，要求增大极靠近通带的衰减量。
结果，在被广泛用作移动电话RF级的带通滤波器的表面声波滤波器，强烈要求在极靠近通带之处有一衰减带。
另一方面，近年为了减少元件数量，对平衡一不平衡转换功能(所谓的对称一不对称功能)的要求在不断增长。因此，作为移动电话中RF级的带通滤波器，一直在使用容易接受平衡-不平衡转换功能的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，并且有各种类型的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器(如日本待审专利申请公报NO.5-267990等)。
然而，在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，一种不希望有的响应(指横向响应)出现在高于通带的频率一侧，因而就无法例如在通带频侧获得大的衰减，而这种衰减却是PCS系统的移动电话系统所要求的。
图10示出的示意平面图，表明日本待审专利申请公报NO.10-190394揭示的一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的电极结构。在该纵向耦合谐振器型表面声波滤波器101中，IDT102～104沿表面波传播方向排列。在IDT102～104的两侧，装有反射器105和106，此时IDT102与103之间的IDT间隙P不同于IDT103与104之间的IDT间隙Q，这种结构抑制了上述的横向响应。在普通的3IDT型纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，除了零次模与二次模以外，在IDT之间的间隙中，在表面声波强度分布曲线的峰值上还产生一种谐振模(下面称作IDT间隙产生的谐振模)。这三种谐振模用来产生滤波器的通带。
在常规技术描述的方法中，通过使IDT间隙P与IDT间隙Q不同，可在IDT的每个间隙中产生由IDT间隙造成的谐振模。这两种谐振模用来产生通带。在这种方法中，靠近通带，特别在其高频侧产生的衰减量，减小的程度比普通纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的减小程度更大。
然而，IDT间隙P与Q必须基本上与电极指间距确定的波长相差0.50倍，结果由于失去了表面声波的传播连续性，严重劣化了通带中的插入损失。
发明内容
为了解决原有技术的上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种可消除横向响应的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，由此在通带高频侧得到足够大的衰减量，大大减小了通带中的插入损失。
本发明较佳实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器包括压电基片和第一、第二与第三IDT，各IDT的多根电极指设置在压电基片与且沿表面波传播方向排列，使第二IDT插在第一与第三IDT之间。
第一与第二IDT的窄电极指间距部分，在第一与第二IDT相邻的各端部有一比其余电极指间距更窄的电极指间距。第二与第三IDT的窄电极指间距部分，在第二与第三IDT相邻的各端部有一比其余电极指间距更窄的电极指间距。
根据本发明的一实施例，第一与第二IDT中窄电极指间距部分的电极指间距不同于第二与第三IDT中窄电极指间距部分的电极指间距。
根据本发明的第二实施例，第一与第二IDT中窄电极指间距部分的电极指数不同于第二与第三IDT中窄电极指间距部分的电极指数。
根据本发明的第三实施例，只有第一与第二IDT或只有第二与第三IDT在它们相邻的各端部才具有窄电极指间距部分，其电极指间距比其余电极指间距更窄。
根据这些实施例独特的结构，大大减小了横向响应。此外，通过调节窄电极指间距部分的间距，不增大通带的插入损失，可容易地调节通带宽度。可将第一与第二实施例结合起来进一步减弱横向响应。
本发明的第一至第三实施例已成功地应用于包括第一与第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。具体而言，窄纵向耦合谐振器型表面声波滤波器部分的间距和/或电极指数，在第一与第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元之间是不同的。或者，或将窄间距电极指部分只设置在第一或第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元中。利用上述结构，容易调节带宽而不劣化插入损失。
在本发明各实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，当第二IDT的电极指数为偶数时，或当第二与第五IDT的电极指数各为偶数时，可以减小中央IDT两侧窄电极指间距部分之间的电极指间距之差。因此，与中央IDT为奇数根电极指的情况相比，电极指间最窄的间距扩大了，因此便于以稳定的方式制造本发明第一与第二实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。此外，如上述第三实施例所示，进一步减小了通带内的插入损失。
当至少一根IDT变薄并加重时，特别是当变薄与加重同表面波传播方向两侧的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的传播方向中心不对称时，就更有效地抑制横向响应。
当纵向耦合谐振器型表面声波滤波器与表面声波谐振器串联和/或并联时，大大增强了通带外的衰减作用。另外，在此情况下，当纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的至少一根IDT加重时，更有效地抑制了横向响应，结果由于减小了表面声波谐振器的数量，单元尺寸可实现超小型化。
在本发明诸实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，当设置了平衡输入或输出端且设置了不平衡输出或输入端时，根据本发明诸实施例，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器就具有平衡/不平衡的转换功能，有效地消除了横向响应。
附图说明
通过下面参照附图对本发明诸实施例的详述，本发明的其它特点、要素、特征与优点就更清楚了。
图1是本发明第一实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的平面图。
图2曲线表示第一实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性与作比较的常规例子。
图3是表示比较用常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的电极结构的平面图。
图4曲线表示第一实施例与比较用常规例子二者的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元的频率特性。
图5A与5B曲线表示第一实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的原理，图5A示出谐振模的位置，图5B表示相位特性。
图6曲线示出当第一实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中将两个纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元相互并联时得到的谐振模的位置。
图7的平面图示出第一实施例修改例中的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图8平面图示出第一实施例另一修改例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图9平面图示出第一实施例另一修改例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图10平面图示出常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的电极结构。
图11平面图示出第二实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图12平面图示出第三实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图13曲线表示第三实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性和图14所示用于比较的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。
图14平面图表示与第三实施例作比较的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图15框图为一例用本发明一较佳实施例的表面声波滤波器构成的通信设备。
图16图为另一例用本发明一较佳实施例的表面声波滤波器构成的通信设备。
图17平面图示出第四实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图18平面图示出第四实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中的一个纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元。
图19平面图示出与本发明诸实施例作比较的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图20曲线图表示第四实施例与图19所示常规例二者的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。
图21平面图示出与本发明诸实施例作比较的另一常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图22的曲线图表示第四实施例与图21的常规例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。
图23曲线图表示第四实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器与图21用常规技术方法修改的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。
图24是第四实施例修改例的平面图，表示包括电极指数为奇数的中同IDT的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
图25曲线图表示第四实施例与图24的修改例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。
图26是第一实施例修改例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的平面图。
图27是图26第一实施例修改例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性曲线。
图28是第一实施例另一修改例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的平面图。
图29是图26第一实施例另一修改例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性曲线。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明诸实施例。
图1平面图示出本发明第一实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的电极结构。
本例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器1最好用作PCS系统中Rx的带通滤波器。
本例中，图1所示电极结构最好由压电基片2上的铝构成，压电基片2最好包括40±5°y切割x传播的LiTaO3基片。
在压电基片2上，设置有纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3，它连接有表面声波谐振器4与5。
纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3最好包括沿表面波传播方向排列的第一至第三IDT6～8，后者具有成对的梳形电极6a与6b、7a与7b和8a与8b，排列成使电极指相互交指。
在沿表面波传播方向排列的IDT6～8的每一侧，设置有反射器9与10，它们最好是栅状反射器，通过对多根电极指两端短路而限定。
在IDT6与7相邻的区内，从各IDT6与7的某一端部接近相对端部分，其电极指间距不同于其余部分的电极指间距。换言之，以IDT6为例，沿着从面对IDT7的IDT6的端部出发的表面波传播方向，沿远离该端部的方向延伸的某一部分，即窄电极指间距部分N1的电极指间距X1小于其余部分的电极指间距。同样在IDT7中，作为从面对IDT6的IDT7端部开始的某一部分，把窄电极指间距部分N2的电极指间距设置成X1，它小于其余部分的电极指间距。
另一方面，IDT7包括窄电极指间距部分N2和窄电极指间距部分N3，下面再作描述。其余电极指间的电极指间距则大于窄电极指间距部分N2与N3的电极指间距。但在IDT7中，其余窄电极指间距部分的电极指间距却不一样。
在IDT相邻的区中，如上所述，将每个IDT6与7的窄电极指间距部分的间距均匀地设置成X1。此外，IDT6与7中相邻电极指间的间距也设置成X1。
同样地，在IDT7与8相邻的地方，窄电极指间距部分N3与N4设置在IDT7与8中，即从面对IDT8的IDT7端部开始的一部分，把窄电极指间距部分N3的电极指间距设置成Y1，它小于其余部分的电极指间距。在IDT8中，在从面对IDT7的IDT8端部开始的某一部分，同样把窄间距电极指N4的电极指间距设置成Y1，它也小于其余部分的电极指间距。此外，还将IDT7与8的相邻电极指间的间距设置成Y1。
在IDT6～8中，除了窄电极指间距部分N1～N4以外，电极指间的电极指间距最好基本上相等。此外，作为对某个实验例的详细说明，下面将描述窄电极指间距部分与其余电极指部分间电极指间距的确定方法。在IDT6与7相邻的地方设置的窄电极指间距部分的间距X1，不同于在IDT7与8相邻的地方设置的窄电极指间距部分的间距Y1。本例中，X1小于Y1。
图1中，为便于理解，电极指数显示成少于实际的电极指数。
IDT6与8的梳形电极6a与8a经表面声波谐振器4与5接至输入端11。表面声波谐振器4与5是单端成对表面声波谐振器，串接在梳形电极6a与8a和输入端11之间。各梳形电极6b与8b接地电位。此外，梳形电极7a也接地电位。另一方面，梳形电极7b电气连接至输出端口。
下面将描述第一实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器1的详细结构与特性。
由IDT6与7相邻的窄电极指间距部分的间距X1确定的表面声波波长设置为λI2，而把由IDT7与8相邻的窄电极指间距部分的间距Y1确定的表面声波波长设置为λI3。由其余电极指间的间距确定的表面声波波长设置为λI1。IDT6～8按下述方法设置。
即跨超宽度的电极指最好基本上等于69.0λI1。
IDT6的电极指数：窄电极指间距部分的电极指数为4，其余电极指部分的电极指数为21。
配置IDT7，使面对IDT6的窄电极指间距部分的电极指数为4；面对IDT8的窄电极指间距部分的电极指数为4；而其余电极指部分的电极指数为27。
配置IDT28，使窄电极指间距部分的电极指数为4，其余电极指部分的电极指数21。
λI1等于约2.03μm；λI2等于约1.62μm；λI3等于约1.98μm。
各反射器9与10的波长λR约为2.05μm，各反射器9与10的电极指数为100。
图1中箭头Z1所指部分的距离(电极指中心之间的距离)，即波长λI1电极指6b1与波长λI2电极指6a1之间的距离等于约0.25λI1+0.25λI2。
波长λI1电极指7b1与波长λI2电极指7a1之间的距离等于约0.25λI1+0.25λI2。
图1箭头Z2所指的距离，即波长电极指8a1与波长λI1电极指8b1间的距离等于约0.25λI1+0.25λI3。
波长λI3电极指7b2与波长λI1电极指7a2间的距离也等于约0.25λI1+0.25λI3。
相邻IDT6与7的电极指中心距离X1约0.50λI2。
相邻IDT7与8的电极指中心距离Y1约0.50λI3。
像电极指中心距离一样，IDT6与反射器9的距离和IDT8与反射器10的距离都等于0.55λR。
各IDT6～8的能率，即电极指横向尺寸/(电极指横向+相邻电极指间间隙的横向尺寸)等于约0.60。
各反射器的能率约为0.60。
各IDT6～8和反射器9与10的膜厚度均等于约0.08λI1。
此外，表1列出所设置的表面声波谐振器4和5。
                          表1
  表面声波谐振器4   表面声波谐振器5
 交叉宽度   34.7λ   20.2λ
 IDT数   301   201
 波入λ(IDT与反射器)   2.02μm   1.98μm
 IDT-反射器距离   0.50λ   0.50λ
 反射器数   30   30
 能率(IDT与反射器)   0.60   0.60
 电极膜厚度   0.080λ   0.082λ
为了比较，制作了图3的常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器201。在该常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，下述(1)～(4)点同于本实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的结构：
(1)电极指的交叉宽度为69.0(λI＝λI1，即不设窄间距电极指部分)。
(2)中央IDT207的电极指数为41，表面波传播方向两侧各IDT206与208的电极指数为26。
(3)相邻IDT间的距离为0.77λI，即相邻电极指中心之间的距离。
(4)当IDT间的距离为0.77λI时，IDT间的间隙内的元电极部分增大。因而如图3所示，IDT207两侧IDT209与210的宽度增大了。
其余部分则与本发明第一实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器1相同。
图2示出本例与以上述方法制得的常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器二者的频率特性。
图2中，实线B1与B2表示第一实施例的结构，虚线C1与C2表示原有常规技术的结果。实线B2与虚线C2以垂直轴适当比例表示特性。
从图2可看出，在常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器201中，通常高频侧有一箭头D指示的很大的横向响应。但在第一实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，横向响应约比原有常规技术的响应低5dB。而且，在第一实施例中，通带低频侧的滤波器特性的陡度大大增加了。此外，本实施例中通常内插入损失与从通过电平衰减4dB的通带宽度，都与常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中的相似。
因此在第一实施例中，大大减小了横向响应，且明显增大了通常附近滤波器特性的陡度。
现在描述第一实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的原理。
图4示出第一实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3的频率特性和纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元203的频率特性，单元203与本例中常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器201的表面声波谐振器4与5断接。实线E1与E2表示第一实施例的频率特性，实线F1与F2表示原有常规技术的频率特性。实线E2和虚线F2表示以垂直轴适当的比例对实线E1与虚线F1指示的特性作放大而得到的特性。
如图4所示，在第一实施例中使用的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3中，通常高频侧的横向响应比常规技术抑制得更多。
图5A示出滤波器(下指滤波器1)诸谐振模的位置，其中电极指间距X1等于Y1，窄间距电极指的间距在图1结构中最好都约为1.62μm，还示出了某滤波器(下指滤波器2)的谐振模，其中窄间距电极指的间距X1与Y1最好都约为1.98μm。图5B示出相位特性。在图5A与5B中，实线H表示滤波器1的结果，虚线I表示滤波器2的结果。
此外，图6示出滤波器1和2并联时的谐振膜。
图5和6示出为检查谐振膜而有意明显偏离阻抗匹配条件得出的特性。
如图5与6所示，滤波器1和2中都有两个谐振膜，即在滤波器1示中示出了谐振膜J和L，在滤波器2中示出了谐振膜J和K。在常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，可用这两种谐振模得到滤波器特性。
在这两种谐振模中，谐振模J的频率在滤波器1和2中接近相同，此时，谐振模J的相位在滤波器1与2之间的偏移120°。因此，如图6箭头M所示，谐振模的幅值减小了。
在希望减小谐振模J的幅值时，必须使滤波器1与2的相位差接近约180°。
另一方面，滤波器1与2其余谐振模K和L的相移为180°。因此，通过以适当的频距安排这两个谐振模以允许在其间作声耦合，便可得到滤波器特性。此时，各滤波器的通带宽度由两谐振模K与L间的频率差确定。改变窄间距电极指间的间距，可改变各谐振模K与L的频率。
即改变各滤波器1与2中窄电极指间距部分的电极指间距，可在两谐振模作声耦合的范围内产生任意的通带宽度。
此外，横向响应部分的相位在滤波器1与2之间的偏移180°，结果减小了邻近部分的幅值电平(图6箭头P所指)。因此，如上所述，与常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器相比，本实施例进一步抑制了横向响应。
在图10的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器101中，通过改变IDT之间的间隙(图10的IDT间隙P与Q)，也获得了这类结果。然而，在这种方法中，必须将IDT之间的间隙明显改变超过电极指间距确定的波长的0.50倍，结果失去了表面声波传播的连续性，增大了通带内插入损失。
与此对照，在本实施例中，最好将IDT的间隙设置成加上相邻电极指间的间距确定的波长约0.25倍的值而得到的值，因而基本上不丢失表面声波传播的连续性，所以通带内插入损失不会增大。
下面的表2列出通带内最小插入损失和通带度至少为75MHz的电平，该电平在上述实施例和相当于用图10所示方法设计的图1实施例的PCS-Rx滤波器中得到。
                        表2
  常规技术   本发明
  最小插入损失   2.8dB   2.1dB
  75MHz通带宽度电平   4.5dB   3.9dB
如表2所示，与原有常规技术方法相比，通带内插入损失减小得多得多。
如上所述，在本实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，通带宽度可任意设置，而且可有效地抑制横向响应。
虽然IDT6与7相邻部分的窄间距电极指数与IDT6与7相邻部分的窄间距电极指数相同，但是通过设置不同数量的窄间距电极指，可得到同样的效果。在图26的结构中，将IDT7与IDT6相邻一侧的窄间距电极指数减少了一根。图26的结构与图1的结构相同，只是除了上述的指数以外，窄间距电极指部分N1与N2的波长约为1.57λ。
图27示出图26中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。从图27可明显看出，将通带高频侧横向响应减至最小的方法与图1纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的一样。因此，使右侧IDT与中央IDT相邻的部分和中央IDT与左侧IDT相邻的部分的窄间距电极指数不同，可以明显改善通带高频侧的横向响应。
虽然在图26示出的实施例中，IDT6与7相邻部分的窄间距电极指的间距为IDT7与8相邻部分的窄间距电极指的间距不同，但是只有使这些部分的窄间距电极指部分的数量不同，才能明显改进通带高频侧的横向响应。
在上述实施例中，虽然在IDT6与7相邻的区域与IDT7与8相邻的区域都设置了窄间距电极指部分，但是窄间距电极指部分只设置在其一侧。
在图28示出的实施例中，IDT7与8没有窄间距电极指部分，而在IDT6与7相邻的区域设置窄间电极指部分。图28的实施例与图1的实施例相同，只是IDT6与7的电极中心距X1约为0.42λI2，IDT7与8的电极中心距Y1约为λ0.50I2，再加上有关窄间距电极指部分的特点有所不同。表面声波装置中电极指的连续性未受损害。
图29示出图28所示纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。从图29可看出，通带高频侧横向响应的抑制方法与图1中的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器相同。这样，通过在右侧IDT与中央IDT相邻的部分或同IDT与左侧IDT相邻的部分设置窄间距电极指部分，可大大改善通带高频侧的横向响应。另外，使IDT6与7相邻的部分或IDT7与8相邻的部分的间距做得大于其余间距，可得到同样的效果。
在上述实施例中，作为压电基片2，最好使用一种40±5°Y切割X传播的LiTaO3基片。然而，本发明的压电基片并不限于上述材料。例如，作为压电基片，可以使用另一种压电单晶制作的压电基片，诸如64～72°Y切割X传播的LiNbO3基片、41°Y切割X手段的LiNbO3基片等。
再者，在上述实施例中，表面声波滤波器4和5串接至纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3。然而，这些表面声波谐振器可以同纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3并联，还可以串并联。而且如图7所示，类似于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3A与3B可以串接起来。当这种双级纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元串接时，各级的电极指定叉宽度可以不一样，因而这两个纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3A与3B的设计有差异。
另外，如图7所示，例如，相邻IDT最接近的电极指，电极指6a2与7b3的极性可以不同，以便限定为信号电极与接地电极。这种配置可得到上述诸实施例中的同样的优点。
还有，如图8所示，通过从作输出端的端子21与22提取信号，可提供平衡—不平衡转换功能，此时也可获得上述诸实施例同样的优点。
与图8的配置相反，端子21与22可用作输入端。
此外，如图9所示，除了第一到第三IDT以外，一个或多个IDT可以沿表面波传播方向排列。在图9的修改例中，由于在第一至第三IDT6～8上表面波传播方向的每一侧安置了IDT13与14，提供了一种5根IDT的结构。同样地，此时当设置在至少一个IDT-IDT间隙内的窄电极指间距部分的间距与设置在其余IDT-IDT间隙内的窄电极指间距部分的间距不同时，可获得上述诸实施例同样的优点。
图11平面图示出本发明第二实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
在该实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器31中，将第一实施例使用的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3并联于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3C，后者的结构与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3一样。此时，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3最好具有基本上与第一实施例相同的结构。然而，在靠近箭头S与T指示的部分，窄电极指间距部分的间距最好约为1.98μm。关于这方面，在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3C中，靠近箭头U与V所指部分的窄电极指间距部分的间距最好约为1.62μm。另外，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3和3C各自的电极指交叉宽度W最好是第一实施例中电极指交叉宽度的约一半，即最好为约34.5λI1。在其它部分中，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3与3C的结构，最好同第一实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中使用的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3的结构相同。
在第二实施例中，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3和3C同样并联在一起，它们各自具有与第一实施例使用的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3一样的结构。结果，与第一实施例一样，明显减小了通带内插入损失，而且出现在通带高频侧的横向响应减至最小。
另外，与第一实施例相似，调节窄间距电极指的间距，可容易地调节宽度。
此外，在第二实施例的第一和第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器部分3与3C中，虽然窄间距电极指部分的间距不同，但是除了间距以外，窄间距电极指部分的电极指数也可以不同。或者，电极指数和间距二者均可以不一样。此外，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器部分3和3C中可以只有一个包括窄间距电极部分。
图12平面图示出本发明第三实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的电极结构。
在第三实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器41中，表面声波谐振器42串接至纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3D。纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3D的具体设计与第一实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元3的设计相似，第三实施例的一个不同特点是置于中同的第二IDT47变薄且加重。
如图12所示，相对于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器41的中央，变薄和加重在左右两侧(即表面波传播方向的两侧)是不对称的。此外，电极指交叉宽度最好接近83.7λI1，而IDT的波长λI3最好接近1.97μm。其它结构与第一实施例中表面声波谐振器滤波器单元3的结构基本上相同。另外，表面声波谐振器4的形成方法与第一实施例使用的表面声波谐振器4相同。
图13示出第三实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器41的频率特性。为作比较，虚线表示图14所示纵向耦合谐振器型表面声波滤波器51的频率特性。图14所示纵向耦合谐振器型表面声波滤波器51的结构，类似于从第一实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器1中去除表面声波谐振器5以后的结构。图14所示纵向耦合谐振器型表面声波滤波器51也包括在本发明的范围内。
图13中，实线W1与W2表示第三实施例的结果，虚线W3与W4表示上述对比例的结果。
在图13中发现，当在图1实施例中的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器1里去除表面声波谐振器5后，横向响应的幅值电平略有增大。但像第三实施例一样，使IDT47变薄加重，可抑制横向响应。
如上所述，在本发明诸实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，该IDT最好对传播方向两侧的表面声波传播方向中心不对称地变薄加重，以上将横向响应有效地减至最小并消除。
根据第二实施例，由于表面声波谐振器数量比第一实施例少一个，可明显地使纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的单元尺寸超小型化。
图15和16的框图表示包括本发明一实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的通信设备60。
图15中，天线61接至双工器62，在双工器62与接收侧混频器63之间接有表面声波滤波器64和放大器65，此外在双工器62与发射侧混频器66之间接有放大器67和表面声波滤波器68。此以方法，当放大器65适合平衡信号时，可有效地将本发明诸实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器用作表面声波滤波器64。
此外，如图16所示，当接收侧使用的放大器65A适合不平衡信号时，则本发明诸实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器适于用作表面声波滤波器65A。
在通信设备60中，通过应用按本发明诸实施例形成的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，大大减小了通带内插入损失。
在本发明第一与第二实施例各自的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，排列在表面波传播方向中心的IDT最好具有偶数根电极楷。换言之，在第一实施例中，第二IDT的电极指最好是偶数，而在第二实施例中，第二和第五根IDT的电极指最好为偶数。在本发明第一与第二实施例中，把中央IDT的电极指数设成偶数，进一步减小了损失。这一情况将参照下面的第四与第五实施例来说明。
图17平面图表示第四实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的电极结构。
该实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器201包括第一与第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元202和203。单元202包括沿表面波传播方向排列的第一到第三IDT204～206，在排列IDT204～206的区域的两侧设置有反射器207和208。此外，在单元203中，沿表面波传播方向排列了第四到第六IDT209～211，并在IDT209～211两侧设置有反射器212和213。
纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元203类似于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元202，只是IDT210具有IDT205倒置的结构。
在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器202中，在IDT204～206中设置了窄电极指间距部分N1～N4。然而，窄电极指间距部分N1与N2的电极指间距不同于窄电极指间距部分N3与N4的电极指间距。
此外，中央IDT205的电极指最好为偶数。
输入端214经表面声波谐振器215接至纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元202，表面声波谐振器215电连接至各IDT204与206的一端。另一方面，输入端214经表面声波谐振器216接至纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元203，此时将表面声波谐振器的一端电连接至各IDT209与211。
此外，IDT205经表面声波谐振器217电连接至第一输出端218。同样地，IDT210的一端经表面声波谐振器219接至第二输出端220，在输出端218与220之间接电感221。
在本实施例中，如上所述，把纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元202串接至表面声波谐振器215与217的第一滤波器并联于将纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元203串接至表面声波谐振器216与219的滤波器。运用这种结构，可从输出端218与220输出相位差为180°的信号，由此实现平衡—不平衡转换功能。
图18平面图表示图17所示纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元202修改例的电极结构。如图18所示，第一至第三IDT204A～206A具有把梳形电极接至地电位的结构。此外，在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元203中，同样将第四到第六IDT209～211配置成把梳形电极电连接至地电位。
下面根据一更详尽地实施例子说明本实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器201的工作原理。
在该实施例中，上述电极设置在40±5°Y切割X传播的LiTaO3基片上。下面说明电极的细节。当由窄电极指间距部分N3与N4的间距确定的表面波波长最好约为λI2时，由窄电极指间距部分N3与N4的间距确定的该波长最好为约λI3，而由其余电极指的间距确定的该波长最好约为λI1。
IDT204～206和209～211各自的电极指交叉宽度W1基本上约为41.7λI1。
IDT204与209的电极指数：窄电极指间距部分的电极指数为4，其余电极指部分的电极指数为21。
在IDT205与210中，窄电极指间距部分N2的电极指数为4；窄电极指间距部分N3的电极指数为4，其余电极指数为24。
在IDT206与211中，窄电极指间距部分N4的电极指数为4，其余电极指部分的电极指数为21。
λI1为2.04μm，λI2约1.85μm，λI3约2.05μm。
各反射器的波长λR约2.05μm.
各反射器的电极指数为100。
窄电极指间距部分N1与N2和续接的其余电极指的电极指中心距约为0.25λI1+0.25λI2。
窄电极指间距部分N3与N4和续接至这些部分的其余电极指的电极指中心距约为0.25λI1+0.25λI3。
IDT204与205的电极指中心距和IDT209与210的电极指中心距(即IDT之间的间隙)约为0.50λI2。
IDT205与206的电极指中心距和IDT210与211的电极指中心距(即IDT之间的间隙)约为0.50λI3。
IDT与反射器之间的间隙约为0.55λR。
各IDT的能率约为0.60。
各反射器的能率约为0.60。
电极模厚度约为0.08λI1。
电感220的值为27nH。
下面的表3列出了表面声波谐振器215、216、217与219的详细情况。
                      表3
  谐振器
  215，216   217，219
 交叉宽度   40.8λ   24.6λ
 IDT数   141   341
 波入λ(IDT与反射器)   1.96μm   2.03μm
 IDT-反射器间隙   0.50λ   0.50λ
 反射器数   30   30
 能率(IDT与反射器)   0.60   0.60
 电极膜厚度   0.083λ   0.080λ
图19平面图示出的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，用于同第四实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器210作比较。在常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301中，其结构基本上与第四实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器210的结构相同，但在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元302与303中无窄电极指间距部分。下面将详细描述为比较而制备的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301的设计情况。
电极指交叉宽度W约为29.7λI1。
IDT的电极指数：IDT304与306为23；IDT305为35；IDT309与311为22；IDT310为35。
各IDT的波长λI1约为2.02μm。
各反射器307、308、312与313的波长λR约为2.05μm。
各反射器307、308、312与313的的电极指数为100。
纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元302中IDT之间的间隙约为λ0.785λI。
纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元303中IDT之间的间隙约为λ1.285λI。
IDT与反射器之间的间隙约为0.52λR。
各IDT的能率约为0.60。
各反射器的能率约为0.60。
电极膜厚度约为0.08λI。
表4列出了表面声波谐振器315、316、317与319的设计参数。
                    表4
  谐振器
  315，316   317，319
 交叉宽度   19.8λ   34.7λ
 IDT数   281   281
 波入λ(IDT与反射器)   2.02μm   2.02μm
 IDT-反射器间隙   0.50λ   0.50λ
 反射器数   30   30
 能率(IDT与反射器)   0.60   0.60
 电极膜厚度   0.080λ   0.080λ
图20示出图17中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器201和图19中供比较的常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301的频率特性。在图20中，实线表示第四实施例获得的结果，虚线表示作比较的常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301的特性。此外，在图20中，示出的特性通过以垂直轴适当地比例对频率特性的主要部分作了放大。
在图20中发现，在第四实施例中，箭头Z指示的横向响应约比常规例低5dB。此外，通带内插入损失和离通过电平约4dB的通带宽度几乎与常规例一样。因此在本实施例中，当与常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301比较时，不改变插入损失与带宽，就可明显减弱横向响应。
在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301中，作为一种抑制横向响应的方法，考虑过添加另一个串接的表面声波谐振器。这样，如图21所示，在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301的输入侧装一个纵向耦合谐振器型表面声波滤波器400，其中增加了表面声波谐振器401与402。此时，表面声波谐振器401与402的技术指标列于表5。
              表5
 交叉宽度   20.3λ
 IDT数   141
 波入λ(IDT与反射器)   1.97μm
 IDT-反射器间隙   0.50λ
 反射器数   30
 能率(IDT与反射器)   0.60
 电极膜厚度   0.082λ
图22示出纵向耦合谐振器型表面声波滤波器400和第四实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。在添加了表面声波谐振器401与402的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器400中，改变了其它元件的某些设计参数。
在图22中，实线表示第四实施例的结果，虚线表示纵向耦合谐振器型表面声波滤波器400的结果。
如图22所示，通过对纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301添加表面声波谐振器401与402，在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器400中，在205MHz范围内衰减量比第四实施例有了提高，但在2010～2050MHz附近的衰减作用比第四实施例劣化了。此外，添加表面声波谐振器401与402后，滤波器的阻抗增大了，结果增大了通带内插入损失。
还有，增加了表面声波谐振器401与402后，装置无法超小型化。
因此，应用第四实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器201，提供的表面声波滤波器允许较小的通带内插入损失，横向响应比常规纵向耦合谐振器型表面声波滤波器301和使用许多表面声波谐振器的表面声波滤波器400更小。
图23示出的结果是将日本等专利申请公报NO.10-190394描述的上述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性与第四实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性比较后得到的。为比较而制备的表面声波滤波器的结构基本上与图19的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的结构相同，其设计参数如下：
交叉宽度W约为29.7λI。
IDT的电极指数、中央IDT的电极指数为37，中央IDT两侧设置的IDT的电极指数为23。
各IDT的波长λI约为2.04μm。
各反射器的波长λR约为2.05μm。
各反射器的电极指数100。
IDT之间的间隙：图21中箭头Z1所指IDT之间的间隙约为0.370λI，箭头Z2所指IDT之间的间隙约为0.690λI，箭头Z3所指IDT之间的间隙约为0.870λI，而箭头Z4所指IDT之间的间隙约为λ1.190I。
IDT-反射器间隙约为0.52λR。
IDT能率约为0.60。
反射器能率约为0.60。
电极膜厚度约为λ0.08λI。
表6列出了表面声波谐振器315与316以及317与319的详细设计参数。
                        表6
  谐振器
  315，316   317，319
 交叉宽度   19.8λ   34.7λ
 IDT数   341   281
 波入λ(IDT与反射器)   2.02μm   2.02μm
 IDT-反射器间隙   0.50λ   0.50λ
 反射器数   30   30
 能率(IDT与反射器)   0.60   0.60
 电极膜厚度   0.080λ   0.080λ
如图23所示，在按日本待审专利申请公报NO.10-190394描述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器形成的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性中，(图23虚线所示)，当与第四实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性(实线)比较时，通带内插入损失未处于合适的电平，且通带宽度更窄。以这种方式，通过应用第四实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，若与应用常规技术描述的表面声波滤波器的情况相比，不引起插入损失明显的劣化，可有效地减弱横向响应。
下面说明在第四实施例中中央IDT205和210具有偶数根电极指的理由。
在第四实施例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器中，像第一实施例那样，通过使中央IDT两侧窄电极指间距部分的电极指间距不同，可有效地减弱横向响应。即中央IDT可以具有奇数根电极指。
然而，如图24所示，在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器501中，当中央IDT502与503具有奇数根电极指而实现最合适的设计时，则在各中央IDT502与503两侧的窄电极指间距部分之间出现簋大的间距差。结果，当各中央IDT一侧的窄电极指间距部分的电极指间距极窄时，表面声波传播通路就失去了连续性，由此明显增大了通带内插入损失。
因此，在本发明诸实施例中，中央IDT最好有偶数根电极指。利用这种结构，可大大减小各中央IDT两侧窄电极指间距部分之间的电极指间距差，从而有效地减小通带内插入损失。
此外，在用于处理诸如PCS系统等高频的滤波器中，当电极指间距很窄时，电极指宽度与电极指间隙也变窄了。因此，通过让中央IDT具有偶数根电极指，可大大减小各中央IDT两侧电极指间距之差。换言之，由于可扩展最窄的电极指间距，容易得到所需的IDT。
图25示出第四实施例中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器与图24所示作为第四实施例修改例的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的频率特性。图25中，实线表示第四实施例，虚线表示图24修改例的频率特性。在图25的特性中，图24中纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的特性，是通过将中央IDT配置成具有奇数根电极指并且各中央IDT两侧窄电极指间距部分的间距最好约为1.62μm与1.98μm而得到的特性。即设置的电极指部分，其间距约比第四实施例中电极指间距的最窄间距还要窄0.23μm。
从图25可看出，在修改例中，横向响应的衰减量约增大2dB，大于第四实施例的衰减量。然而，通带内插入损失却大于第四实施例。
因此，如在第四实施例中一样，将中央IDT配置成有偶数根电极指，可大大减弱横向响应，而且还明显减少了通带内插入损失。
虽然已指示了本发明的诸较佳实施例，但是仍试图将实施这里揭示的原理的各种方式包括在所附权项的范围内。因此，应当理解，本发明的范围并不受此限制，它只受所附权项的限制。

Claims (44)

1.一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于包括：
压电基片；和
设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而第二IDT插在第一与第三IDT之间的第一、第二和第三IDT，各IDT有多根电极指；其中
第一与第二IDT在它们相邻的各个端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第一与第二IDT的其余电极指间距更窄；
第二与第三IDT在它们相邻的各个端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第二与第三IDT的其余电极指间距更窄；和
第一与第二IDT中窄电极指间距部分的电极指间距，不同于第二与第三IDT中窄电极指间距部分的电极指间距。
2.如权利要求1所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中第一与第二IDT中窄电极指间距部分的电极指数，不同于第二与第三IDT中窄电极指间距部分的电极指数。
3.如权利要求1或2所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中第二IDT有偶数根电极指。
4.如权利要求1或2所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中至少一根IDT变薄并加重。
5.如权利要求1或2所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中IDT的变薄和加重在表面波传播方向对于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的中央不对称。
6.如权利要求1或2所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器串接的表面声波谐振器和与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器并联的表面声波谐振器中的至少一个。
7.如权利要求1或2所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括配置成提供平衡—不平衡转换功能的平衡型输入端或输出端和不平衡型输出端或输入端。
8.一种通信设备，其特征在于包括权利要求1或2所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
9.一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于包括：
压电基片；和
设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而第二IDT插在第一与第三IDT之间的第一、第二和第三IDT，各IDT有多根电极指；其中
第一与第二IDT在它们相邻的各个端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第一与第二IDT的其余电极指间距更窄；
第二与第三IDT在它们相邻的各个端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第二与第三IDT的其余电极指间距更窄；和
第一与第二IDT中窄电极指间距部分的电极指数，不同于第二与第三IDT中窄电极指间距部分的电极指数。
10.如权利要求9所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中第二IDT有偶数根电极指。
11.如权利要求9所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中至少一根IDT变薄并加重。
12.如权利要求9所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中IDT的变薄和加重在表面波传播方向对于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的中央不对称。
13.如权利要求9所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器串接的表面声波谐振器和与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器并联的表面声波谐振器中的至少一个。
14.如权利要求9所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括配置成提供平衡—不平衡转换功能的平衡型输入端或输出端和不平衡型输出端或输入端。
15.一种通信设备，其特征在于包括权利要求9所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
16.一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于包括：
压电基片；和
设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而使第二IDT插在第一与第三IDT之间的第一、第二与第三IDT，各IDT有多根电极指；其中
只有第一与第二IDT或只有第二与第三IDT在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第一与第二IDT或第二与第三IDT的其余电极指间距更窄。
17.如权利要求16所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中第二IDT有偶数根电极指。
18.如权利要求16所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中至少一根IDT变薄并加重。
19.如权利要求16所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中IDT的变薄和加重在表面波传播方向对于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的中央不对称。
20.如权利要求16所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器串接的表面声波谐振器和与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器并联的表面声波谐振器中的至少一个。
21.如权利要求16所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括配置成提供平衡—不平衡转换功能的平衡型输入端或输出端和不平衡型输出端或输入端。
22.一种通信设备，其特征在于包括权利要求16所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
23.一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于包括：
压电基片；
第一纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元，它包括设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而使第二IDT插在第一与第三IDT之间的第一、第二与第三IDT，各IDT有多根电极指；
第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元，它包括设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而使第五IDT插在第四与第六IDT之间的第四、第五与第六IDT，各IDT有多根电极指；其中
第一、第二与第三IDT在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第一、第二与第三IDT的其余电极指间距更窄；
第四、第五与第六IDT在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第四、第五与第六IDT的其余电极指间距更窄；和
第一、第二与第三IDT中窄电极指间距部分的电极指间距，不同于第四、第五与第六IDT中窄电极指间距部分的电极指间距。
24.如权利要求23所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中第一、第二与第三IDT中窄电极指间距部分的电极指数，不同于第四、第五与第六IDT中窄电极指间距部分的电极指数。
25.如权利要求23或24所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中第二IDT有偶数根电极指。
26.如权利要求23或24所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中至少一根IDT变薄并加重。
27.如权利要求23或24所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中IDT的变薄和加重在表面波传播方向对于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的中央不对称。
28.如权利要求23或24所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器串接的表面声波谐振器和与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器并联的表面声波谐振器中的至少一个。
29.如权利要求23或24所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括配置成提供平衡—不平衡转换功能的平衡型输入端或输出端和不平衡型输出端或输入端。
30.一种通信设备，其特征在于包括权利要求23或24所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
31.一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于包括：
压电基片；
第一纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元，它包括设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而使第二IDT插在第一与第三IDT之间的第一、第二与第三IDT，各IDT有多根电极指；
第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元，它包括设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而使第五IDT插在第四与第六IDT之间的第四、第五与第六IDT，各IDT有多根电极指；其中
第一、第二与第三IDT在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第一、第二与第三IDT的其余电极指间距更窄；
第四、第五与第六IDT在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第四、第五与第六IDT的其余电极指间距更窄；和
第一、第二与第三IDT中窄电极指间距部分的电极指数，不同于第四、第五与第六IDT中窄电极指间距部分的电极指数。
32.如权利要求31所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中第二IDT有偶数根电极指。
33.如权利要求31所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中至少一根IDT变薄并加重。
34.如权利要求31所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中IDT的变薄和加重在表面波传播方向对于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的中央不对称。
35.如权利要求31所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器串接的表面声波谐振器和与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器并联的表面声波谐振器中的至少一个。
36.如权利要求31所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括配置成提供平衡—不平衡转换功能的平衡型输入端或输出端和不平衡型输出端或输入端。
37.一种通信设备，其特征在于包括权利要求31所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
38.一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于包括：
压电基片；
第一纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元，它包括设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而使第二IDT插在第一与第三IDT之间的第一、第二与第三IDT，各IDT有多根电极指；
第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器单元，它包括设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而使第五IDT插在第四与第六IDT之间的第四、第五与第六IDT，各IDT有多根电极指；其中
只有第一、第二与第三IDT或只有第四、第五与第六IDT在它们各自相邻的端部才具有窄电极指间距部分，其电极指间距比第一、第二与第三IDT或第四、第五与第六IDT的其余电极指间距更窄。
39.如权利要求38所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中第二IDT有偶数根电极指。
40.如权利要求38所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中至少一根IDT变薄并加重。
41.如权利要求38所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其中IDT的变薄和加重在表面波传播方向对于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的中央不对称。
42.如权利要求38所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器串接的表面声波谐振器和与纵向耦合谐振器型表面声波滤波器并联的表面声波谐振器中的至少一个。
43.如权利要求38所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于还包括配置成提供平衡—不平衡转换功能的平衡型输入端或输出端和不平衡型输出端或输入端。
44.一种通信设备，其特征在于包括权利要求38所述的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器。
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