CN1695298A - 滤波器和双工器中具有两个压电层作为平衡－不平衡变换器的体声波谐振器 - Google Patents

滤波器和双工器中具有两个压电层作为平衡－不平衡变换器的体声波谐振器 Download PDF

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Abstract

一种具有两个处于堆叠配置的由电介质层分开的谐振器的体声波器件。该器件可耦合至格型滤波器或梯型滤波器，用于形成具有不平衡输入端口和两个平衡输出端口的通带滤波器。一个或多个此通带滤波器可以与另一格型或梯型滤波器相结合使用，以形成具有不平衡天线端口、用于一个收发器部分的两个平衡端口和用于另一个收发器部分的两个平衡端口的双工器。

Description

滤波器和双工器中具有两个压电层 作为平衡-不平衡变换器的体声波谐振器
发明领域
本发明一般涉及体声波谐振器和滤波器，更具体地涉及用于滤波器和双工器中的体声波平衡-不平衡变换器(balun)。
发明背景
众所周知，体声波(BAW)器件通常包括夹在两个用作电极的导电层之间的压电层。当射频(RF)信号跨越该器件施加时，其在压电层中产生机械波。当机械波的波长约为压电层的厚度的两倍时发生基频谐振。虽然BAW器件的谐振频率也依赖其它因素，但是压电层的厚度在确定谐振频率中是主要的因素。当减小压电层的厚度时，谐振频率增大。BAW器件通常被制作在石英晶体薄片上。通常，使用这样的制造方法获得高谐振频率的器件是困难的。当通过在无源衬底材料上淀积薄膜层制造BAW器件时，可以将谐振频率扩展至0.5-10GHz的范围。这些类型的BAW器件通常被称为薄膜体声谐振器或FBAR。主要有两种类型的FBAR，即，BAW谐振器和堆叠的晶体滤波器(SCF)。SCF通常具有两个或更多的压电层以及三个或更多的电极，某些电极接地。这两种类型的器件之间的区别主要在于它们的结构。FBAR通常组合使用以产生通带或阻带滤波器。一个串联FBAR和一个并联、或分路FBAR的组合组成了所谓梯型滤波器的一个部分。例如，在Ella(美国专利No.6,081,171)中可找到梯型滤波器的说明。如Ella中所公开的，基于FBAR的器件可具有一个或多个的通常被称作钝化层的保护层。图1a到1d显示了典型的基于FBAR的器件。如图1a到1d所示，FBAR器件包括衬底501、底部电极507、压电层509和顶部电极511。电极和压电层形成声谐振器。FBAR器件可另外包括薄膜层505。如图1a所示，刻蚀的孔503制作在衬底501上用以提供空气界面，将谐振器同衬底501分开。可替换地，在衬底501上提供刻蚀的凹坑502，如图1b所示。还可能提供将谐振器和衬底分开的牺牲层506，如图1c所示。还可能在底部电极507和衬底510之间形成声反射镜521用于将声波反射回谐振器。衬底可由硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、砷化镓(GaAs)、玻璃或陶瓷材料制成。底部电极和顶部电极可由金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、铌(Nb)、银(Ag)、钽(Ta)、钴(Co)、铝(Al)或这些金属的组合，如钨和铝来制成。压电层130可由氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、氮化铝(AlN)、钽酸锂(LiTaO3)或其它所谓锆钛酸铅镧族中的成员制成。此外，典型地由诸如SiO2、Si3N4或聚酰亚胺的电介质材料制成的钝化层被用作电绝缘体并用于保护压电层。应当指出，如图1c所示，桥型BAW器件中的牺牲层506通常在最终的制作阶段中被刻蚀掉，用于产生器件下方的空气界面。在如图1d所示的镜型BAW器件中，声反射镜521包括数层高和低声阻抗材料对，通常为四分之一波长厚。桥型和镜型BAW器件在本领域是已知的。
在本领域还已知的是，FBAR被用于在具有不平衡的输入和输出端口的梯型滤波器结构中、或者在具有平衡端口的格型滤波器结构中形成阻抗元件滤波器。在某些应用中，在滤波器中将不平衡输入转换为平衡输出(或者反之)是有利的。使用声耦合的表面声波(SAW)谐振器已制造了这种滤波器。这些结构基本上基于谐振器对，如图2所示。如显示的那样，第一谐振器620产生声波而第二谐振器630用作接收器。由于谐振器不是电连接，因此它们中的一个可连接作为不平衡器件，而另一个既可被用作平衡器件也可被用作不平衡器件。如图2所示，第一谐振器620提供了不平衡端口622用于信号输入，然而第二谐振器630提供了两个端口632、634用于平衡信号输出。正如所显示的，数字610和640表示用于表面声波器件的反射器或声反射镜。此相同的原理可用于具有两个压电层结构的BAW器件中，这两个压电层一个在另一个之上。使用该结构能够执行不平衡到平衡的转换。于是此结构可用作滤波器或甚至用作双工器的一部分。在“High performance Stacked Crystal Filtersfor GPS and Wide Bandwidth Applications”，K.M.Lakin，J.Belsick，J.F.McDonald，K.T.McCarron，IEEE 2001 Ultrasonics SymposiumPaper 3E-6，Octobef 9，2001(后文中称作Lakin)中描述了实现此结构的一种可能的方法。图3是Lakin中公开的耦合谐振器滤波器(CRF)。如图3所示，通过底部电极507、底部压电层508、跨接电极511、多个耦合层512、地电极513、顶部压电层509和两个分开的顶部电极531和532形成了CRF。这样，CRF具有第一谐振器垂直对541和第二谐振器垂直对542。每个垂直对充当一个单极滤波器。接连地，两个垂直对充当一个双极滤波器。CRF制作在由声反射镜521所分开的衬底501上。由于输出和输入谐振器水平并排排列，因此该结构需要相当数量的衬底面积。这使得该滤波器的成本非常高。
提供能够将不平衡信号转换成平衡信号的方法和器件是有利的，其中器件具有较小的面积和较简单的结构。
发明概述
根据本发明的第一个方面，体声波器件具有谐振频率和表示谐振频率特征的声波长。器件的特征在于：
具有第一电极、第二电极和设置在第一和第二电极之间的第一压电层的第一谐振器；
具有第三电极、第四电极和设置在第三和第四电极之间的第二压电层的第二谐振器；和电绝缘层，其中第一谐振器和第二谐振器排列为堆层，电绝缘层设置在第二电极和第三电极之间。
优选地，电绝缘层包括电介质层。
优选地，电介质层具有基本上与声波长的一半相等的厚度。
根据本发明，本器件具有信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端和器件地(device ground)，其中
第一电极耦合至信号输入端，
第二电极电连接至地，
第三电极耦合至第一信号输出端，且
第四电极耦合至第二信号输出端。
优选地，本器件具有耦合在第四电极和器件地之间的电容性元件，用于调节其间的寄生电容。优选地，本器件具有耦合在第一和第二信号输出端口之间的电感元件，以及耦合在信号输入端口和器件地之间的另外的电感元件，用于阻抗匹配和带宽扩展。
根据本发明，第一和第二压电层的每一个具有基本上与声波长的一半相等的厚度。
根据本发明的第二方面，体声波器件结构，其形成在具有上面部分的衬底上，此结构的特征在于：
在上面部分上提供的第一电极；
在第一电极的至少一部分的顶部上提供的第一压电层；
在第一压电层的至少一部分的顶部上提供的第二电极，其中第一电极、第一压电层和第二电极具有重叠区域，用于形成第一声谐振器；
设置在第二电极的至少一部分的顶部上的电介质层；
设置在电介质层的至少一部分的顶部上的第三电极，使得第三电极和第二电极通过电介质层而电绝缘，
在第三电极的至少一部分的顶部上提供的第二压电层，以及
在第二压电层的至少一部分的顶部上提供的第四电极，其中第三电极、第二压电层和第四电极具有另外的重叠区域，用于形成第二谐振器。
优选地，体声波器件结构还具有提供在第一电极的一部分和衬底的上面部分之间提供的声反射镜结构。
根据本发明，该声波器件结构具有信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端和器件地，其中
第一电极耦合至信号输入端，
第二电极电连接至地，
第三电极耦合至第一信号输出端，且
第四电极耦合至第二信号输出端。
根据本发明，第一声谐振器和第二声谐振器具有另外的重叠区域，用于定义体声波器件结构的有源区。第二电极具有位于有源区外侧的延伸部分，且第四电极具有位于有源区外侧的另外的延伸部分，其中延伸部分和另外的延伸部分还具有另一个重叠区域用于形成所述电容性元件。
根据本发明的第三个方面，形成在具有上表面的衬底上的声波装置具有器件地、信号输入、第一信号输出、第二信号输出和器件地。该结构进一步特征在于：
第一体声波器件；和
耦合至第一体声波器件的第二体声波器件，其中
第一体声波器件包括：
具有第一电极、第二电极和设置在第一和第二电极之间的第一压电层的第一谐振器；和
具有第三电极、第四电极和设置在第三和第四电极之间的第二压电层的第二谐振器，其中第一谐振器和第二谐振器排列为堆层，第一电介质层设置在第二和第三电极之间用于将第二电极与第三电极电绝缘，而第二体声波器件包括：
具有第一电极、第二电极和设置在第一和第二电极之间的第一压电层的第一谐振器；和
具有第三电极、第四电极和设置在第三和第四电极之间的第二压电层的第二谐振器，其中第一谐振器和第二谐振器排列为堆层，第一电介质层设置在第二和第三电极之间用于将第二电极与第三电极电绝缘，其中
第一体声波器件的第四电极耦合至该结构的第一信号输出，
第二体声波器件的第四电极耦合至该结构的第二信号输出，
第一体声波器件的第一电极耦合至该结构的信号输入，并电连接至第二体声波器件的第二电极，和
第一体声波器件的第二电极和第三电极电连接至器件地和第二体声波器件的第一电极。
根据本发明的第四方面，体声波滤波器具有信号输入接线端、第一信号输出接线端，第二信号输出接线端和器件地。体声波滤波器的特征在于
具有至少两个处于堆叠配置的谐振器的平衡-不平衡变换器(balun)，包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中
第一信号输出端耦合至第一信号输出，
第二信号输出端耦合至第二信号输出接线端；且
至少一个声滤波器节具有：
具有第一端和第二端的串联元件，和
具有第一端和第二端的分路元件，其中
串联元件的第一端连接至平衡-不平衡变换器的信号输入端，
串联元件的第二端连接至信号输入接线端，
分路元件的第一端连接至串联元件的第二端，而
分路元件(140)的第二端(144)连接至器件地(12)。
根据本发明，平衡-不平衡变换器(10)的第一谐振器(92)包括
连接至信号输入端(14)的第一电极(40)，
连接至器件地(12)的第二电极(44)，和
设置在第一和第二电极(40，44)之间的第一压电层(42)，并且
平衡-不平衡变换器(10)的第二谐振器(94)包括：
连接至第一信号输出端(16)的第三电极(60)，
连接至第二信号输出端(18)的第四电极(64)，和
设置在第三和第四电极(60，64)之间的第二压电层(62)，其中
平衡-不平衡变换器(10)进一步包括设置于第一谐振器(92)的第二电极(44)和第二谐振器(94)的第三电极(60)之间的电介质层(50)。
根据本发明的第五个方面，体声波滤波器(100’)具有信号输入接线端(102)、第一信号输出接线端(104)、第二信号输出接线端(106)和器件地(12)。体声波滤波器进一步的特征在于：
至少一个声滤波器节(150)，其具有
耦合至第一信号输出接线端(104)的第一接线端(152)，
耦合至第二信号输出接线端(106)的第二接线端(153)，
第三接线端(155)，
第四接线端(156)，
具有连接至第一接线端(152)的第一端(162)和连接至第三接线端(155)的第二端(164)的第一串联元件(160)，
具有连接至第二接线端(153)的第一端(172)和连接至第四接线端(156)的第二端(174)的第二串联元件(170)，
具有连接至第三接线端(155)的第一端(182)和连接至第二接线端(153)的第二端(184)的第一分路元件(180)，和
具有连接至第一接线端(152)的第一端(192)和连接至第四接线端(156)的第二端(194)的第二分路元件(190)；以及具有至少两个处于堆叠配置的谐振器的平衡-不平衡变换器(10)，包括
耦合在信号输入端(14)和器件地(12)之间的第一谐振器(92)，和
耦合在第一信号输出端(16)和第二信号输出端(18)之间的第二谐振器(94)，其中
信号输入端(14)耦合至信号输入接线端(102)，
第一信号输出端(16)连接至声滤波器节(150)的第四接线端(156)，且
第二信号输出端(18)连接至声滤波器节(150)的第三接线端(155)。
优选地，体声波滤波器中第一和第二串联元件的每一个具有第一有源区，而第一和第二分路元件的每一个具有比第一有源区尺寸更大的第二有源区。
根据本发明的第六个方面，双工器的特征在于：
第一端口(210)；
第二端口(220)；
第三端口(230)；
器件地(12)；
设置在第一端口(210)和第二端口(220)之间的格型体声波滤波器(150)，所述格型体声波滤波器(150)具有
第一端(151)，和
耦合至第一端口(210)的第二端(154)；
耦合在第二端口(220)和格型体声波滤波器(150)的第二端(154)之间的平衡-不平衡变换器(10)；
另外的体声波滤波器(150’，250)，其具有
耦合至第三端口(230)的第一端(151，251)，和
耦合至第二端口(220)的第二端(154，254)；以及
相移装置(242，244)，耦合在格型体声波滤波器(150)和另外的体声波滤波器(150’，250)之间用于匹配格型体声波滤波器(150)和另外的体声波滤波器(150’，250)，其中平衡-不平衡变换器(10)具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端(14)和器件地(12)之间的第一谐振器(92)，和
耦合在第一信号输出端(16)和第二信号输出端(18)之间的第二谐振器(94)，其中
信号输入端(14)连接至第二端口(220)，而
第一和第二信号输出端(16，18)连接至格型体声波滤波器(150)的第二端(154)。
根据本发明，另外的体声波滤波器可以是另外的格型体声波滤波器。在此情况下，双工器可包括耦合在相移装置(242)和另外的格型体声波滤波器(150’)之间的另外的平衡-不平衡变换器(10’)，其中所述另外的平衡-不平衡变换器(10’)具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端(14)和器件地(12)之间的第一谐振器(92)，和
耦合在第一信号输出端(16)和第二信号输出端(18)之间的第二谐振器(94)，其中信号输入端连接至相移装置(242)，且信号输出端(16，18)连接至另外的格型滤波器(150’)的第二端(154)。
根据本发明，另外的体声波滤波器可以是梯型体声波滤波器(250)。在此情况下，双工器可包括设置在梯型体声波滤波器(250)和第三端口(230)之间的另外的平衡-不平衡变换器(10’)，其中所述另外的平衡-不平衡变换器(10’)具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端(14)和器件地(12)之间的第一谐振器(92)，和
耦合在第一信号端(16)和第二信号端(18)之间的第二谐振器(94)，其中信号输入端(14)连接至梯型体声波滤波器(250)的第一端(252)，而信号输出端(16，18)连接至第三端口(230)。
根据本发明的第七个方面，双工器的特征在于：
天线端口(220)；
第一收发器端口(210)；
第二收发器端口(230)；
器件地(12)；
耦合在天线端口(220)和第一收发器端口(210)之间的平衡-不平衡变换器(10)；
体声波滤波器(150’，250)具有
耦合至第二收发器端口(230)的第一端(151，251)，和
耦合至天线端口(220)的第二端(154，254)；以及
相移装置(242，244)，耦合在平衡-不平衡变换器(10)和体声波滤波器(150’，250)之间用于匹配平衡-不平衡变换器(10)和体声波滤波器(150’，250)，其中平衡-不平衡变换器(10)具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端(14)和器件地(12)之间的第一谐振器(92)，和
耦合在第一信号输出端(16)和第二信号输出端(18)之间的第二谐振器(94)，其中
信号输入端(14)连接至天线端口(220)，而
第一和第二信号输出端(16，18)连接至第一收发器端口(210)。
根据本发明，体声波滤波器可为一个或多个格型和梯型滤波器节。
根据本发明的第八个方面，双工器的特征在于
天线端口(220)；
第一收发器端口(210)；
第二收发器端口(230)；
器件地(12)；
耦合在天线端口(220)和第一收发器端口(210)之间的第一平衡-不平衡变换器(10)；
耦合在天线端口(220)和第二收发器端口(230)之间的第二平衡-不平衡变换器(10’)；以及
耦合在与天线端口(220)相邻的第一和第二平衡-不平衡变换器之间的相移装置(242，244)，其中
第一平衡-不平衡变换器(10)具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端(14)和器件地(12)之间的第一谐振器(92)，和
耦合在第一信号输出端(16)和第二信号输出端(18)之间的第二谐振器(94)，其中
信号输入端(14)连接至天线端口(220)，而
第一和第二信号输出端(16，18)连接至第一收发器端口(210)；且其中
第二平衡-不平衡变换器(10’)具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端(14)和器件地(12)之间的第一谐振器(92)，和
耦合在第一信号输出端(16)和第二信号输出端(18)之间的第二谐振器(94)，其中
信号输入端(14)经由相移装置(242)连接至天线端口(220)，且
第一和第二信号输出端(16，18)连接至第二收发器端口(230)。
当通过结合图4到18来阅读说明书时，本发明将变得显而易见。
附图简述
图1a是说明具有形成在衬底上的谐振器和薄膜的典型体声波器件的截面视图，其中衬底具有用于为薄膜提供空气界面的通孔。
图1b是说明具有形成在衬底上的谐振器和薄膜的典型体声波器件的截面视图，其中衬底具有用于为薄膜提供空气界面的刻蚀部分。
图1c是说明具有形成在衬底上的谐振器和薄膜的典型体声波器件的截面视图，其中牺牲层形成于薄膜和衬底之间。
图1d是说明具有形成在衬底上的谐振器的典型体声波器件的截面视图，其中声反射镜形成于衬底和谐振器的底部电极之间。
图2是显示现有技术领域方案的图表表述，其中两个谐振器用于将不平衡信号转换为平衡信号。
图3是说明耦合谐振器滤波器的现有技术方案的截面视图，其中两个晶体滤波器谐振器水平隔开。
图4是显示根据本发明的具有一个信号输入端口和两个信号输出端口的平衡-不平衡变换器的顶部视图的图表表述。
图5是显示图4的平衡-不平衡变换器的截面视图。
图6是显示根据本发明的具有补偿电容和带宽扩展电感线圈的体声波器件的图表表述。
图7是显示根据本发明的具有两个滤波器堆叠的体声波器件结构的图表表述。
图8是显示根据本发明的具有梯型滤波器节的体声波滤波装置的框图。
图9是显示根据本发明的具有格型滤波器节的体声波滤波装置的框图。
图10是显示根据本发明的具有单一平衡-不平衡变换器的双工器的框图，其中每个收发器滤波器具有格型滤波器节。
图11是显示双工器的框图，其中每个收发器滤波器具有平衡-不平衡变换器和格型滤波器节。
图12是显示双工器的框图，其中一个收发器滤波器具有耦合至格型滤波器节的平衡-不平衡变换器，而另一个收发器滤波器具有梯型滤波器节。
图13是显示双工器的框图，其中一个收发器滤波器具有耦合至格型滤波器节的平衡-不平衡变换器，而另一个收发器滤波器具有耦合至梯型滤波器的平衡-不平衡变换器。
图14是显示双工器的图表表述，其中平衡-不平衡变换器中的压电层具有不同的厚度。
图15是显示格型滤波器节的图表表述，其中串联元件的有源区和分路元件的有源区是不同的。
图16a是显示双工器的框图，其中平衡-不平衡变换器用于一个收发器部分而格型滤波器用于另一个收发器部分。
图16b是显示双工器的框图，其中平衡-不平衡变换器用于一个收发器部分而梯型滤波器用于另一个收发器部分。
图17a是显示双工器的框图，其中平衡-不平衡变换器用于一个收发器部分，而格型滤波器同另一个平衡-不平衡变换器一起用于另一个收发器部分。
图17b是显示双工器的框图，其中平衡-不平衡变换器用于一个收发器部分，而梯型滤波器同另一个平衡-不平衡变换器一起用于另一个收发器部分。
图18是显示双工器的框图，其中每个收发器部分具有平衡-不平衡变换器用作其滤波器。
实现本发明的最佳方式
图4是根据本发明的平衡-不平衡变换器10的图示。平衡-不平衡变换器10包括耦合至器件地12的体声波器件20、信号输入端14和两个信号输出端16、18。单一输入端14是不平衡端口，而两个信号输出端16、18是平衡端口。如图5所示的体声波器件20具有两个谐振器和在此两者之间的电介质层。正如所显示的，器件20形成在衬底30上并包括第一电极40、第一压电层42、连接至器件地12的第二电极44、第三电极60、在第二电极44和第三电极60之间的电介质层50、第二压电层62和第四电极64。第一电极40、第一压电层42和第二电极44具有用于形成第一谐振器92的重叠区域。第三电极60、第二压电层62和第四电极64具有用于形成第二谐振器94的重叠区域。体声波器件20具有谐振频率和表示谐振频率特征的声波长λ。第一和第二压电层42、46的厚度基本上与λ/2相等。优选具有形成于第一电极40和衬底30之间的声反射镜34用于将声波反射回第一谐振器92。如图5所示，在第一压电层42和电介质层50中提供了开口52，使得第一电极40的一部分暴露出来以用作到平衡-不平衡变换器10的信号输入端14的连接点41。类似地，在电介质层50中提供了开口51，使得第二电极44的一部分暴露出来以用作到器件地12的连接点45。第一谐振器92和第二谐振器94具有重叠区域70，定义了体声波器件20的有源区。
如从图5的两压电层结构的截面视图所看到的，从第一信号输出端16和第二信号输出端18到地电极44可能存在不等的寄生效应。这些不等的寄生效应可引起平衡端口间的幅度和相位的不平衡。可通过使用第四电极64和地电极44之间的补偿电容72改善此不等的寄生效应，如图6所示。应当指出，第一电极40用作信号输入端口，使得地电极44提供了输入和输出之间的电隔离。而且，电介质层50用于对较低的输出端口、即第三电极60电去耦合。电介质层50可以是任意厚度。较厚的电介质层减小了地电极44和上面的电极60、64之间的寄生耦合，但是也增加了声损耗。因此，用于使性能最优的电介质层厚度的优良初始值是λ/2。优选地，电介质层50具有低的介电常数用以使声损耗最小化。也可通过基本上减小整体器件的温度系数的方法使电介质层的厚度和材料最优化。已知的是，当使用适当的厚度时氧化硅具有此补偿效应。因此，使用具有正温度系数诸如氧化硅、具有适当厚度的材料作为电介质层50用以补偿其它层的负的总体温度系数是有利的。为了在此双腔谐振器20中扩宽带宽，可以将电感元件74、76耦合在谐振器92、94中的任一或两者的分路中。通常，对于1GHz频率的电感值很小。因此，例如，有可能在芯片上将电感元件74、76实现为螺旋线圈。
提供补偿电容使得从第一信号输出端16到地的电容等于从第二信号输出端18到地的电容。提供该补偿电容的一个方法是清除体声波器件20的有源区70外部的第二压电层62，使得地电极44的延伸部分46和第四电极64的延伸部分66在区域67上互相重叠。
如图5和6所示，不平衡谐振器92位于双腔结构的底部。不平衡谐振器位于结构的顶部也是可能的。然而，梯型结构将产生从两个平衡端口到衬底的不等的寄生效应。
对于有较低带宽需要的应用，可使用如图7所示的本发明的另一实施方案。如图7所示，平衡-不平衡变换器10具有两个相同的层的堆叠21、21’，与图5和6的体声波器件20相似。然而，层堆叠21’的第一电极40’和第三电极60’，以及层堆叠20的第二电极44和第三电极60连接至地12。另外，层堆叠21’的第二电极44’连接至层堆叠21的第一电极40并用作信号输入端14。层堆叠21的顶部电极64用作第一信号输出端16，而层堆叠21’的顶部电极64’用作第二信号输出端18。此双结构在功能上等价于如图4-6所示的平衡-不平衡变换器10。使用该双结构，由于上面的压电层62、62’下方的电极60、60’接地，因此不需要补偿电容。此电屏蔽效应导致对于第一和第二信号输出端16、18对称的阻抗。电介质层50、50’的寄生电容与信号输入端14并联。此寄生电容使器件的带宽稍有降低但不破坏其对称性。交叉连接的输入电极40、44’在堆叠21和堆叠21’中的声波之间产生理想的180°相位。与如图6所示的电感元件74、76相似，匹配和带宽扩展线圈也可实现在双结构10上。如果输出处的阻抗级显著大于输入处的阻抗，则如图7所示的结构也具有潜在优势。不使用另外的匹配元件，输出处的差动阻抗比单端输入阻抗大于等于4倍。
如图4-7所示的平衡-不平衡变换器10可用作具有一个不平衡端口和两个平衡端口的滤波器的一部分。例如，平衡-不平衡变换器10可耦合至具有一个或多个L节的梯型滤波器120，用以形成通带滤波器100，如图8所示。平衡-不平衡变换器10也可以耦合至具有一个或多个交叉连接节的格型滤波器150，用以形成通带滤波器100’，如图9所示。不平衡端口用参考数字102表示，而平衡端口用参考数字104和106表示。这些通带滤波器100、100’可互相组合或与其它梯型或滤波器节组合，用以形成双工器或双通道通带滤波器，如图10-13所示。在图8-13中，平衡-不平衡变换器10或10’通过一个耦合于信号输入端14和器件地12之间的谐振器92，和一个耦合于两个信号输出端14、16之间的谐振器94表示。可以理解，不论是如图5和6所示的单一结构BAW器件还是如图7所示的双结构BAW器件，都可用于图8-13的滤波器中的平衡-不平衡变换器10或10’。
在如图8所示，在滤波器100中，平衡-不平衡变换器10与梯形滤波器120组合，该梯型滤波器120耦合于通带滤波器100的不平衡端口102和平衡-不平衡变换器10的信号输入端14之间。平衡-不平衡变换器10的两个信号输出端16、18连接至平衡端口104、106。如图8所示，梯型滤波器120仅具有一个包括一个串联元件130和一个分路元件140的L节。然而，梯型滤波器120可具有两个或多个L节。如图8所示，串联元件130具有连接至平衡-不平衡变换器10的信号输入端14的第一端132，和连接至不平衡端口102的第二端134。分路元件140具有连接至串联元件130的第二端134的第一端142和连接至器件地的第二端144。
如图9所示，当平衡-不平衡变换器10与格型滤波器150组合时，平衡-不平衡变换器10的信号输入端14耦合至不平衡端口102，而格型滤波器150耦合于平衡-不平衡变换器10的信号输出16、18和平衡端口104、106之间。如图9所示，格型滤波器150仅具有一个包括两个串联元件160、170和两个分路元件180、190的交叉连接节。然而，格型滤波器150可具有两个或多个这种节。格型滤波器150具有第一滤波器端151和第二滤波器端154，该第一滤波器端151具有分别耦合至平衡-不平衡变换器10的第一和第二信号输出端16、18的第一接线端152和第二接线端153，该第二滤波器端154具有分别耦合至通带滤波器100’的平衡端口104、106的第三接线端155和第四接线端156。如图9所示，串联元件160具有连接至第一接线端152的第一端162和连接至第三接线端155的第二端164。串联元件170具有连接至第二接线端153的第一端172和连接至第四接线端156的第二端174。分路元件180具有连接至串联元件160的第二端164的第一端182，和连接至串联元件170的第一端172的第二端184。分路元件190具有连接至串联元件160的第一端162的第一端192，和连接至串联元件170的第二端174的第二端194。
如图8和9所示的通带滤波器100和100’可进一步组合形成双通道通带滤波器或双工器，如图10-13所示。在图10-13中，每个双工器具有两个收发器滤波器204和206。例如，如图9所示的滤波器100’用作如图10-13所示的双工器200、201、202和203的RX部分中的通带滤波器。这些双工器200、201、202和203的每一个具有天线端口220和两个收发器端口210和230。天线端口210是不平衡的，而两个收发器端口210、230的每一个具有两个平衡接线端。
在如图10所示的双工器200中，另一格型滤波器150’用作TX部分206中的通带滤波器。为了匹配格型滤波器150和格型滤波器150’，两个移相器242和244通常耦合于格型滤波器150的第二端154和格型滤波器150’的第二端154之间。
在如图11所示的双工器201中，两个相似的通带滤波器分别用于RX部分204和TX部分206中。移相器242用于匹配这两个通带滤波器。
在如图12所示的双工器202中，具有两个L节的梯型滤波器250用作TX部分206中的通带滤波器。正如所显示的，梯型滤波器250具有连接至不平衡端口230的第一端252，和耦合至天线端口220的第二端254。移相器242用于匹配RX部分204中的通带滤波器和TX部分206中的通带滤波器。梯型滤波器250具有两个串联元件260、270和两个分路元件280、290。串联元件260具有连接至梯型滤波器250的第一端252的第一端262，和第二端264。串联元件270具有连接至串联元件260的第二端264的第一端272，和连接至梯型滤波器250的第二端254的第二端274。分路元件280具有连接至串联元件260的第二端264的第一端282，连接地的第二端284。分路元件290具有连接至串联元件270的第二端274的第一端292，和连接地的第二端294。
除双工器202中的体声波部件外，另一平衡-不平衡变换器10’也用于双工器203中，如图13所示。在双工器203中，平衡-不平衡变换器10’用于将TX部分的不平衡端口转换成平衡端口。正如所显示的，平衡-不平衡变换器10’的信号输入端14连接至格型滤波器250的第一端252，而信号输出端16、18连接至平衡端口230。应当指出，如图12和13所示的格型滤波器250具有两个L节。但是，格型滤波器可具有一个L节或者三个或多个L节。
在如图5到7所示的体声波结构中，压电层42和62具有基本上相同的厚度，或近似为8/2。但是，当平衡-不平衡变换器10用于双工器200-203中时，优选的是第一谐振器92的压电层42的厚度T1与第二谐振器94的压电层62的厚度T2稍有不同。如图14所示，T2稍大于T1。但是，也可能T2小于T1。因而，双工器的TX部分206中分路和串联元件的每一个中的压电层具有基本上等于T2的厚度，而RX部分204中分路和串联元件的每一个中的压电层具有基本上等于T1的厚度。如图14所示，单层谐振器24代表RX部分中格型或梯型滤波器中的串联或分路元件，而单层谐振器26代表双工器的TX部分中格型或梯型滤波器中的串联或分路元件。正如所显示的，谐振器24中的压电层62具有与T1基本相等的厚度，而谐振器26中的压电层42具有与T2基本相等的厚度。
而且，图9-13中的格型滤波器150、150’可具有不等的串联和分路谐振器区域用以改善封闭(close-in)选择性，如EP 1017170的“A Balanced Filter Structure”中所公开的。如图15所示，串联元件160、170的谐振器区域A1稍大于分路元件180、190的谐振器区域B1。
此外，在如图10-13所示的双工器200、201、202、203中，格型滤波器150可被略去，使得平衡-不平衡变换器10的信号输出端18、16直接连接到平衡端口210。在如图11所示的双工器201中，格型滤波器150、150’都可被略去。在如图13所示的双工器203中，格型滤波器150和梯型滤波器250都可被略去。从而，双工器将具有在一个收发器部分204中的一个平衡-不平衡变换器10和在另一个收发器部分206中的一个滤波器150或250，如图16a到17b所示。可替换地，每个收发器部分将具有平衡-不平衡变换器10、10’作为其滤波器，如图18所示。
双工器200、201、202和203中的移相器242、244向在RX部分204和TX部分206之间传送的信号提供90°的相移。但是，相移角度可以小于或大于90°。
因此，尽管本发明通过其优选实施方案得到了描述，但是本领域的技术人员将了解到其形式和细节上的前述和其它不同的变化、删略和偏差可在不偏离本发明的范围的前提下进行。

Claims (56)

1.一种具有谐振频率和表示谐振频率特征的声波长的体声波器件，所述器件的特征在于：
具有第一电极、第二电极和设置在第一和第二电极之间的第一压电层的第一谐振器；
具有第三电极、第四电极和设置在第三和第四电极之间的第二压电层的第二谐振器；和
电绝缘层，其中第一谐振器和第二谐振器排列为堆叠，电绝缘层设置在第二电极和第三电极之间。
2.权利要求1的体声波器件，其特征在于电绝缘层包括电介质层。
3.权利要求2的体声波器件，其特征在于电介质层具有基本上与声波长的一半相等的厚度。
4.权利要求1的体声波器件，其特征在于器件具有信号输入端口、第一信号输出端口、第二信号输出端口和器件地，其中
第一电极耦合至信号输入端口，
第二电极电连接至器件地，
第三电极耦合至第一信号输出端口，且
第四电极耦合至第二信号输出端口。
5.权利要求4的体声波器件，其特征还在于，
耦合在第四电极和器件地之间的用于调节其间的寄生电容的电容性元件。
6.权利要求4的体声波器件，其特征还在于，
耦合在第一和第二信号输出端口之间的用于阻抗匹配和带宽扩展的电感元件。
7.权利要求4的体声波器件，其特征还在于，
耦合在信号输入端口和器件地之间的用于阻抗匹配和带宽扩展的电感元件。
8.权利要求1的体声波器件，其特征在于第一压电层具有基本上与声波长的一半相等的厚度。
9.权利要求1的体声波器件，其特征在于第二压电层具有基本上与声波长的一半相等的厚度。
10.权利要求2的体声波器件，其特征在于第一和第二压电层由具有负的温度系数的材料制成，而电介质层由具有正的温度系数的材料制成，用于补偿体声波器件上的温度效应。
11.权利要求2的体声波器件，其特征在于电介质层由氧化硅制成。
12.一种体声波器件，具有信号输入端口、第一信号输出端口、第二信号输出端口和器件地，所述器件具有谐振频率和表示谐振频率特征的声波长，所述器件的特征在于：
具有第一电极、第二电极和设置在第一和第二电极之间的第一压电层的第一谐振器；
具有第三电极、第四电极和设置在第三和第四电极之间的第二压电层的第二谐振器；和
电介质层，其中第一谐振器和第二谐振器排列为堆叠，电介质层设置在第二电极和第三电极之间，其中
第一电极耦合至信号输入端口，
第二电极电连接至器件地，
第三电极耦合至第一信号输出端口，且
第四电极耦合至第二信号输出端口。
13.一种形成在具有上面部分的衬底上的体声波器件结构，所述结构的特征在于：
在上面部分上提供的第一电极；
在至少部分第一电极的顶部上提供的第一压电层；
在至少部分第一压电层的顶部上提供的第二电极，其中第一电极、第一压电层和第二电极具有重叠区域用于形成第一声谐振器；
设置在至少部分第二电极的顶部上的电介质层；
设置在至少部分电介质层的顶部上的第三电极，使得第三电极和第二电极通过电介质层电绝缘，
在至少部分第三电极的顶部上提供的第二压电层，以及
在至少部分第二压电层的顶部上提供的第四电极，其中第三电极、第二压电层和第四电极具有另外的重叠区域用于形成第二谐振器。
14.权利要求13的体声波器件结构，其特征还在于，
提供在部分第一电极和衬底的上面部分之间的声反射镜结构。
15.权利要求13的体声波器件结构，其特征在于该结构具有信号输入端口、第一信号输出端口、第二信号输出端口和器件地，其中
第一电极耦合至信号输入端口，
第二电极电连接至器件地，
第三电极耦合至第一信号输出端口，且
第四电极耦合至第二信号输出端口。
16.权利要求15的体声波器件结构，其特征还在于，
耦合在第四电极和器件地之间的用于调节其间的寄生电容的电容性元件。
17.权利要求16的体声波器件结构，其特征在于第一声谐振器和第二声谐振器具有另外的重叠区域用于定义体声波器件结构的有源区，其中
第二电极具有位于有源区外侧的延伸部分，
第四电极具有位于有源区外侧的另外的延伸部分，其中延伸部分和另外的延伸部分还具有另一重叠区域用于形成所述电容性元件。
18.权利要求15的体声波器件结构，其特征还在于，
耦合在第一和第二信号输出端口之间的用于阻抗匹配和带宽扩展的电感元件。
19.权利要求15的体声波器件结构，其特征还在于，
耦合在信号输入端口和器件地之间的用于阻抗匹配和带宽扩展的电感元件。
20.一种形成在具有上表面的衬底上的声波装置，所述装置具有器件地、信号输入、第一信号输出、第二信号输出和器件地，所述装置的特征在于：
第一体声波器件；和
耦合至第一体声波器件的第二体声波器件，其中
第一体声波器件包括：
具有第一电极、第二电极和设置在第一和第二电极之间的第一压电层的第一谐振器；和
具有第三电极、第四电极和设置在第三和第四电极之间的第二压电层的第二谐振器，其中第一谐振器和第二谐振器排列为堆叠，第一电介质层设置在第二和第三电极之间用于将第二电极与第三电极电绝缘，而第二体声波器件包括：
具有第一电极、第二电极和设置在第一和第二电极之间的第一压电层的第一谐振器；和
具有第三电极、第四电极和设置在第三和第四电极之间的第二压电层的第二谐振器，其中第一谐振器和第二谐振器排列为堆叠，第一电介质层设置在第二和第三电极之间用于将第二电极与第三电极电绝缘，其中
第一体声波器件的第四电极耦合至该结构的第一信号输出，
第二体声波器件的第四电极耦合至该结构的第二信号输出，
第一体声波器件的第一电极耦合至该结构的信号输入并电连接至第二体声波器件的第二电极，和
第一体声波器件的第二电极和第三电极电连接至器件地和第二体声波器件的第一电极。
21.一种体声波滤波器，具有信号输入接线端、第一信号输出接线端，第二信号输出接线端和器件地，所述体声波滤波器的特征在于：
具有至少两个处于堆叠配置的谐振器的平衡-不平衡变换器，包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中
第一信号输出端耦合至第一信号输出接线端，
第二信号输出端耦合至第二信号输出接线端；且
至少一个声滤波器节具有
具有第一端和第二端的串联元件，和
具有第一端和第二端的分路元件，其中
串联元件的第一端连接至平衡-不平衡变换器的信号输入端，
串联元件的第二端连接至信号输入接线端，
分路元件的第一端连接至串联元件的第二端，和
分路元件的第二端连接至器件地。
22.权利要求21的体声波滤波器，其特征在于
平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括
连接至信号输入端的第一电极，
连接至器件地的第二电极，和
设置在第一和第二电极之间的第一压电层，而
平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括
连接至第一信号输出端的第三电极，
连接至第二信号输出端的第四电极，和
设置在第三和第四电极之间的第二压电层，而其中平衡-不平衡变换器进一步包括设置于第一谐振器的第二电极和第二谐振器的第三电极之间的电介质层。
23.一种体声波滤波器，具有信号输入接线端、第一信号输出接线端、第二信号输出接线端和器件地，所述体声波滤波器的特征在于：
至少一个声滤波器节，具有
耦合至第一信号输出接线端的第一接线端，
耦合至第二信号输出接线端的第二接线端，
第三接线端，
第四接线端，
具有连接至第一接线端的第一端和连接至第三接线端的第二端的第一串联元件，
具有连接至第二接线端的第一端和连接至第四接线端的第二端的第二串联元件，
具有连接至第三接线端的第一端和连接至第二接线端的第二端的第一分路元件，和
具有连接至第一接线端的第一端和连接至第四接线端的第二端的第二分路元件；以及
具有至少两个处于堆叠配置的谐振器的平衡-不平衡变换器，所述平衡-不平衡变换器包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中
信号输入端耦合至信号输入接线端，
第一信号输出端连接至声滤波器节的第四接线端，且
第二信号输出端连接至声滤波器节的第三接线端。
24.权利要求的23的体声波滤波器，其特征在于
平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括
连接至信号输入端的第一电极，
连接至器件地的第二电极，和
设置在第一和第二电极之间的第一压电层，而
平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括
连接至第一信号输出端的第三电极，
连接至第二信号输出端的第四电极，和
设置在第三和第四电极之间的第二压电层，而其中平衡-不平衡变换器进一步包括设置于第一谐振器的第二电极和第二谐振器的第三电极之间的电介质层。
25.权利要求的23的体声波滤波器，其特征在于第一和第二串联元件的每一个具有第一有源区，且第一和第二分路元件的每一个具有在尺寸上不同于第一有源区的第二有源区。
26.权利要求的25的体声波滤波器，其特征在于第一有源区大于第二有源区。
27.权利要求的25的体声波滤波器，其特征在于第一有源区与第二有源区的比率基本上等于1.2。
28.一种双工器，其特征在于：
第一端口；
第二端口；
第三端口；
器件地；
设置在第一端口和第二端口之间的格型体声波滤波器，所述格型体声波滤波器具有
第一端，和
耦合至第一端口的第二端；
耦合在第二端口和格型滤波器的第二端之间的平衡-不平衡变换器；
另外的体声波滤波器，具有
耦合至第三端口的第一端，和
耦合至第二端口的第二端；以及
耦合在格型体声波滤波器和另外的体声波滤波器之间的用于匹配格型体声波滤波器和另外的体声波滤波器的相移装置，其中具有至少两个处于堆叠配置的谐振器的平衡-不平衡变换器包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中
信号输入端连接至第二端口，和
第一和第二信号输出端连接至格型体声波滤波器的第二端。
29.权利要求28的双工器，其特征在于另外的体声波滤波器包括另外的格型体声波滤波器。
30.权利要求28的双工器，其特征还在于，
耦合在相移装置和另外的格型体声波滤波器之间的另外的平衡-不平衡变换器，其中所述具有至少两个处于堆叠配置的谐振器的另外的平衡-不平衡变换器包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中信号输入端连接至相移装置且信号输出端连接至另外的格型滤波器的第二端。
31.权利要求28的双工器，其特征在于另外的体声波滤波器包括另外的梯型体声波滤波器。
32.权利要求31的双工器，其特征还在于，
设置在梯型体声波滤波器和第三端口之间的另外的平衡-不平衡变换器，其中所述具有至少两个处于堆叠配置的谐振器的另外的平衡-不平衡变换器包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号端和第二信号端之间的第二谐振器，其中信号输入端连接至梯型体声波器件的第一端，且信号输出端连接至第三端口。
33.权利要求28的双工器，其特征在于
格型体声波滤波器包括多个串联元件和分路元件，每个元件包括具有第一厚度的压电层，
另外的体声波滤波器包括至少一个串联元件和一个分路元件，每个元件包括具有不同于第一厚度的第二厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第一厚度的第三厚度的压电层，和
平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第二厚度的第四厚度的压电层。
34.权利要求28的双工器，其特征在于
格型体声波滤波器包括多个串联元件和分路元件，每个元件包括具有第一厚度的压电层，
另外的体声波滤波器包括至少一个串联元件和一个分路元件，每个元件包括具有不同于第一厚度的第二厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第二厚度的第三厚度的压电层，和
平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第一厚度的第四厚度的压电层。
35.权利要求33的双工器，其特征在于第一厚度大于第二厚度。
36.权利要求33的双工器，其特征在于第一厚度小于第二厚度。
37.权利要求34的双工器，其特征在于第一厚度大于第二厚度。
38.权利要求34的双工器，其特征在于第一厚度小于第二厚度。
39.权利要求30的双工器，其特征在于
格型体声波滤波器包括多个串联元件和分路元件，每个元件包括具有第一厚度的压电层，
另外的体声波滤波器包括至少一个串联元件和一个分路元件，每个元件包括具有不同于第一厚度的第二厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第一厚度的第三厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第二厚度的第四厚度的压电层，
另外的平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第三厚度的第五厚度的压电层，和
另外的平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第四厚度的第六厚度的压电层。
40.权利要求30的双工器，其特征在于
格型体声波滤波器包括多个串联元件和分路元件，每个元件包括具有第一厚度的压电层，
另外的体声波滤波器包括至少一个串联元件和一个分路元件，每个元件包括具有不同于第一厚度的第二厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第二厚度的第三厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第一厚度的第四厚度的压电层，
另外的平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第三厚度的第五厚度的压电层，且
另外的平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第四厚度的第六厚度的压电层。
41.权利要求39的双工器，其特征在于第一厚度大于第二厚度。
42.权利要求39的双工器，其特征在于第一厚度小于第二厚度。
43.权利要求40的双工器，其特征在于第一厚度大于第二厚度。
44.权利要求40的双工器，其特征在于第一厚度小于第二厚度。
45.权利要求32的双工器，其特征在于
格型体声波滤波器包括多个串联元件和分路元件，每个元件包括具有第一厚度的压电层，
另外的体声波滤波器包括至少一个串联元件和一个分路元件，每个元件包括具有不同于第一厚度的第二厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第一厚度的第三厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第二厚度的第四厚度的压电层，
另外的平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第三厚度的第五厚度的压电层，和
另外的平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第四厚度的第六厚度的压电层。
46.权利要求32的双工器，其特征在于
格型体声波滤波器包括多个串联元件和分路元件，每个元件包括具有第一厚度的压电层，
另外的体声波滤波器包括至少一个串联元件和一个分路元件，每个元件包括具有不同于第一厚度的第二厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第二厚度的第三厚度的压电层，
平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第一厚度的第四厚度的压电层，
另外的平衡-不平衡变换器的第一谐振器包括具有基本上等于第三厚度的第五厚度的压电层，和
另外的平衡-不平衡变换器的第二谐振器包括具有基本上等于第四厚度的第六厚度的压电层。
47.权利要求45的双工器，其特征在于第一厚度大于第二厚度。
48.权利要求45的双工器，其特征在于第一厚度小于第二厚度。
49.权利要求46的双工器，其特征在于第一厚度大于第二厚度。
50.权利要求46的双工器，其特征在于第一厚度小于第二厚度。
51.一种双工器，其特征在于，
天线端口；
第一收发器端口；
第二收发器端口；
器件地；
耦合在天线端口和第一收发器端口之间的平衡-不平衡变换器；
体声波滤波器，具有
耦合至第二收发器端口的第一滤波器端，和
耦合至天线端口的第二滤波器端；以及
在天线端口处耦合在平衡-不平衡变换器和体声波滤波器之间的用于匹配平衡-不平衡变换器和体声波滤波器的相移装置，其中具有至少两个处于堆叠配置的谐振器的平衡-不平衡变换器包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中
信号输入端连接至天线端口，和
第一和第二信号输出端连接至第一收发器端口。
52.权利要求51的双工器，其特征在于体声波滤波器包括至少一个格型滤波器，该格型滤波器包括两个元件和以交叉连接方式连接至串联元件的两个分路元件。
53.权利要求51的双工器，其特征在于体声波滤波器包括至少一个梯形滤波器，包括
具有连接至第一滤波器端的第一端、和经由移相器耦合至天线端口的第二端的串联元件，和
具有连接至串联元件第二端的第一端和连接至器件地的第二端的分路元件。
54.权利要求52的双工器，其特征还在于：
耦合在体声波滤波器和天线端口之间的另外的平衡-不平衡变换器，其中另外的平衡-不平衡变换器具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中
信号输入端经由相移装置连接至天线端口，和
第一和第二信号输出端连接至体声波滤波器的第二滤波器端。
55.权利要求53的双工器，其特征还在于：
耦合在体声波滤波器和第二收发器端口之间的另外的平衡-不平衡变换器，其中另外的平衡-不平衡变换器具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中
信号输入端连接至体声波滤波器的第一滤波器端，和
第一和第二信号输出端连接至第二收发器端口。
56.一种双工器，其特征在于，
天线端口；
第一收发器端口；
第二收发器端口；
器件地；
耦合在天线端口和第一收发器端口之间的第一平衡-不平衡变换器；
耦合在天线端口和第二收发器端口之间的第二平衡-不平衡变换器；和
在天线端口处耦合在第一平衡-不平衡变换器和第二平衡-不平衡变换器之间的相移装置，其中每个平衡-不平衡变换器具有至少两个处于堆叠配置的谐振器，包括
耦合在信号输入端和器件地之间的第一谐振器，和
耦合在第一信号输出端和第二信号输出端之间的第二谐振器，其中
信号输入端连接至天线端口，和
每个平衡-不平衡变换器的第一和第二信号输出端连接至第一和第二收发器端口的每一个。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315856A (zh) * 2010-06-03 2012-01-11 美国博通公司 无表面声波接收器
CN102332931A (zh) * 2010-06-03 2012-01-25 美国博通公司 带有补偿双工器的前端模块
CN102447452A (zh) * 2010-10-11 2012-05-09 立积电子股份有限公司 体声波共振组件与体声波滤波器及其方法
CN104604144A (zh) * 2012-07-09 2015-05-06 瑞典爱立信有限公司 收发器前端
CN104604145A (zh) * 2012-07-09 2015-05-06 瑞典爱立信有限公司 收发器前端
CN107979353A (zh) * 2018-01-08 2018-05-01 杭州左蓝微电子技术有限公司 Rf mems滤波器及其制备方法
CN108449068A (zh) * 2018-01-31 2018-08-24 湖北宙讯科技有限公司 双工器
CN108988819A (zh) * 2010-10-14 2018-12-11 芬兰国家技术研究中心股份公司 宽带声耦合薄膜baw滤波器
CN111146328A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶压电结构及具有其的电子设备
CN111146327A (zh) * 2019-12-25 2020-05-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶压电结构及其制造方法、单晶压电层叠结构的电子设备
CN113783548A (zh) * 2021-11-08 2021-12-10 深圳新声半导体有限公司 谐振器及滤波器

Families Citing this family (178)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10123369A1 (de) * 2001-05-14 2002-12-05 Infineon Technologies Ag Filteranordnung für, symmetrische und unsymmetrische Leitungssysteme
DE10147075A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10149542A1 (de) * 2001-10-08 2003-04-17 Infineon Technologies Ag BAW-Resonator
US6982609B1 (en) 2002-05-15 2006-01-03 Zeevo System method and apparatus for a three-line balun with power amplifier bias
US6844792B1 (en) * 2002-05-15 2005-01-18 Zeevo Single ended tuning of a differential power amplifier output
US7283793B1 (en) 2002-05-15 2007-10-16 Broadcom Corporation Package filter and combiner network
EP1510005A1 (en) * 2002-05-20 2005-03-02 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Filter structure
KR100506729B1 (ko) * 2002-05-21 2005-08-08 삼성전기주식회사 박막 벌크 어코스틱 공진기（ＦＢＡＲｓ）소자 및 그제조방법
US7276994B2 (en) * 2002-05-23 2007-10-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter
DE10234685A1 (de) * 2002-07-30 2004-02-19 Infineon Technologies Ag Filterschaltung
CN100566152C (zh) * 2002-09-12 2009-12-02 Nxp股份有限公司 具有抑制体声波滤波器中通带波纹的装置的体声波谐振器
FR2848036B1 (fr) * 2002-11-28 2005-08-26 St Microelectronics Sa Support pour resonateur acoustique, resonateur acoustique et circuit integre correspondant
DE10256937B4 (de) * 2002-12-05 2018-02-01 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit unsymmetrisch/symmetrischer Beschaltung
DE10305379A1 (de) * 2003-02-10 2004-08-19 Epcos Ag Frontendschaltung
KR100486627B1 (ko) * 2003-02-21 2005-05-03 엘지전자 주식회사 반도체 패키지
US7275292B2 (en) 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
DE10317969B4 (de) * 2003-04-17 2005-06-16 Epcos Ag Duplexer mit erweiterter Funktionalität
US7123883B2 (en) * 2003-09-26 2006-10-17 Nokia Corporation Systems and methods that employ a balanced duplexer
US7155252B2 (en) * 2003-10-17 2006-12-26 Nokia Corporation Mimo and diversity front-end arrangements for multiband multimode communication engines
US7391285B2 (en) * 2003-10-30 2008-06-24 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Film acoustically-coupled transformer
US7332985B2 (en) * 2003-10-30 2008-02-19 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd. Cavity-less film bulk acoustic resonator (FBAR) devices
DE602004000851T2 (de) * 2003-10-30 2007-05-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten
US7242270B2 (en) * 2003-10-30 2007-07-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Decoupled stacked bulk acoustic resonator-based band-pass filter
US7019605B2 (en) * 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
DE602004002363T2 (de) * 2003-10-30 2007-09-20 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit piezoelektrischem Material, welches entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzt
US6946928B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
US20050093652A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Qing Ma Size scaling of film bulk acoustic resonator (FBAR) filters using impedance transformer (IT) or balun
DE102004002133A1 (de) * 2004-01-15 2005-08-04 Robert Bosch Gmbh Piezoelektrischer Aktor
US7038559B2 (en) * 2004-02-23 2006-05-02 Ruby Richard C Vertically separated acoustic filters and resonators
US6963257B2 (en) * 2004-03-19 2005-11-08 Nokia Corporation Coupled BAW resonator based duplexers
JP4586404B2 (ja) * 2004-04-28 2010-11-24 ソニー株式会社 フィルタ装置及び送受信機
CN1947333A (zh) * 2004-04-30 2007-04-11 株式会社村田制作所 压电薄膜谐振器
KR100635268B1 (ko) * 2004-05-17 2006-10-19 삼성전자주식회사 인덕터가 내장된 필터, 듀플렉서 및 그 제조방법
DE102004031397A1 (de) * 2004-06-29 2006-01-26 Epcos Ag Duplexer
US20060019611A1 (en) * 2004-07-21 2006-01-26 Nokia Corporation Distributed balanced duplexer
US7446629B2 (en) * 2004-08-04 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same
KR100649497B1 (ko) * 2004-09-23 2006-11-28 삼성전기주식회사 불평형-평형 입출력 구조의 ｆｂａｒ필터
US7388454B2 (en) 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
DE102004049499B4 (de) * 2004-10-11 2017-12-21 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitende Schaltung und Bauelement mit der Schaltung
DE102004049498A1 (de) * 2004-10-11 2006-04-13 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7187255B2 (en) * 2004-10-26 2007-03-06 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Arrangement of lattice filter
DE102004054895B4 (de) * 2004-11-12 2007-04-19 Infineon Technologies Ag Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
TWI256194B (en) * 2004-12-30 2006-06-01 Delta Electronics Inc Filter assembly with unbalanced to balanced conversion
US7369013B2 (en) 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7274270B2 (en) 2005-04-13 2007-09-25 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonator matching network
US7436269B2 (en) * 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
US7934884B2 (en) * 2005-04-27 2011-05-03 Lockhart Industries, Inc. Ring binder cover
JP2006339873A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、フィルタ及び電圧制御発振器
US7562429B2 (en) * 2005-06-20 2009-07-21 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Suspended device and method of making
DE102005028927B4 (de) * 2005-06-22 2007-02-15 Infineon Technologies Ag BAW-Vorrichtung
US7443269B2 (en) 2005-07-27 2008-10-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit
FR2890490A1 (fr) * 2005-09-05 2007-03-09 St Microelectronics Sa Support de resonateur acoustique et circuit integre correspondant
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7391286B2 (en) * 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7423503B2 (en) * 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US20070085632A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Larson John D Iii Acoustic galvanic isolator
US7425787B2 (en) * 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7463499B2 (en) 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
US7436271B2 (en) * 2005-11-04 2008-10-14 Cornell Research Foundation, Inc. Dielectrically transduced single-ended to differential MEMS filter
US7561009B2 (en) * 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
KR100718095B1 (ko) * 2005-12-19 2007-05-16 삼성전자주식회사 결합 공진 필터 및 그 제작 방법
US7612636B2 (en) * 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
FR2901708A1 (fr) * 2006-06-02 2007-12-07 Ela Medical Soc Par Actions Si Dispositif medical actif tel qu'implant actif ou programmateur pour un tel implant, comprenant des moyens de telemetrie rf
US7598827B2 (en) * 2006-06-19 2009-10-06 Maxim Integrated Products Harmonic termination of power amplifiers using BAW filter output matching circuits
US7586389B2 (en) * 2006-06-19 2009-09-08 Maxim Integrated Products, Inc. Impedance transformation and filter using bulk acoustic wave technology
FR2905207B1 (fr) * 2006-08-28 2009-01-30 St Microelectronics Sa Filtre commutable a resonateurs.
US7508286B2 (en) * 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
JP4968900B2 (ja) * 2006-10-17 2012-07-04 太陽誘電株式会社 ラダー型フィルタの製造方法
US20080101263A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Skyworks Solutions, Inc. Single-ended to differential duplexer filter
JP4401380B2 (ja) * 2006-11-22 2010-01-20 富士通メディアデバイス株式会社 フィルタデバイス
CN101765970B (zh) * 2007-08-23 2013-07-10 太阳诱电株式会社 双工器、通信模块以及通信装置
US20090079520A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators having resonant transmission minima
US20090079514A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Tiberiu Jamneala Hybrid acoustic resonator-based filters
US7791435B2 (en) * 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7786826B2 (en) * 2007-10-12 2010-08-31 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Apparatus with acoustically coupled BAW resonators and a method for matching impedances
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
JP4871966B2 (ja) * 2009-01-30 2012-02-08 太陽誘電株式会社 高周波デバイス、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置
DE102009014068B4 (de) * 2009-03-20 2011-01-13 Epcos Ag Kompaktes, hochintegriertes elektrisches Modul mit Verschaltung aus BAW-Filter und Symmetrierschaltung und Herstellungsverfahren
US8198958B1 (en) * 2009-03-30 2012-06-12 Triquint Semiconductor, Inc. Power amplifier matching RF system and method using bulk acoustics wave device
EP2237416A1 (en) * 2009-03-30 2010-10-06 Nxp B.V. Device comprising an electroacoustic balun
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
KR101565995B1 (ko) 2009-07-16 2015-11-05 삼성전자주식회사 듀얼-입력 듀얼-출력의 필터를 이용한 멀티-대역의 라디오 주파수 신호 송수신 시스템
KR101628240B1 (ko) 2009-10-28 2016-06-08 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기를 이용한 발룬
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US8576024B2 (en) * 2010-02-11 2013-11-05 Hollinworth Fund, L.L.C. Electro-acoustic filter
JP5519326B2 (ja) * 2010-02-25 2014-06-11 太陽誘電株式会社 フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置
US20110304412A1 (en) * 2010-06-10 2011-12-15 Hao Zhang Acoustic Wave Resonators and Methods of Manufacturing Same
US8674789B2 (en) * 2010-07-07 2014-03-18 Wei Pang Serially connected first and second coupled resonator filters configured to provide at least one feedback capacitor
CN101958696B (zh) * 2010-09-27 2013-04-17 张�浩 温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
FR2973970B1 (fr) 2011-04-07 2013-04-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif utilisant un filtre a base de resonateurs
DE102011100468B4 (de) 2011-05-04 2013-07-04 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes BAW-Filter, Herstellungsverfahren hierfür und Duplexer
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
KR101853740B1 (ko) 2011-07-27 2018-06-14 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기 및 체적 음향 공진기를 이용한 듀플렉서
KR101868988B1 (ko) 2011-08-05 2018-06-20 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
US8923794B2 (en) * 2011-11-02 2014-12-30 Triquint Semiconductor, Inc. Temperature compensation of acoustic resonators in the electrical domain
KR101919115B1 (ko) 2012-02-29 2018-11-15 삼성전자주식회사 Ｂａｗｒ 을 이용한 필터
EP2870700B1 (en) * 2012-07-09 2017-06-28 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Transceiver front-end
EP2733855B1 (en) 2012-11-15 2016-07-27 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Transceiver front-end
RU2615156C1 (ru) 2013-03-14 2017-04-04 Телефонактиеболагет Л М Эрикссон (Пабл) Сокращение утечки из передатчика в приемник в полнодуплексной системе без использования дуплексора
US9837975B2 (en) 2013-04-01 2017-12-05 Cymatics Laboratories Corp. Temperature drift compensation of MEMS resonators
WO2014173459A1 (en) 2013-04-26 2014-10-30 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement, communication device, method and computer program
WO2014177191A1 (en) 2013-04-30 2014-11-06 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement, communication device, method and computer program
WO2015110149A1 (en) 2014-01-21 2015-07-30 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement and communication device
WO2015137251A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 積水化学工業株式会社 圧電センサ
WO2015191719A1 (en) * 2014-06-10 2015-12-17 Massachusetts Institute Of Technology Unreleased coupled mems resonators and transmission filters
WO2016066278A1 (en) 2014-10-29 2016-05-06 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement and communication device
KR102264255B1 (ko) * 2014-12-10 2021-06-14 엘지이노텍 주식회사 Rf 모듈
US10333494B2 (en) 2014-12-24 2019-06-25 Qorvo Us, Inc. Simplified acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
US9602076B1 (en) * 2015-05-19 2017-03-21 Qorvo Us, Inc. Resonators with balancing capacitor
US10367471B2 (en) 2015-05-21 2019-07-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Resonator package and method of manufacturing the same
JP6415419B2 (ja) * 2015-12-02 2018-10-31 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ、デュプレクサ、及びモジュール
US10979025B2 (en) * 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5G band n79 acoustic wave resonator RF filter circuit
US11476825B2 (en) * 2016-03-11 2022-10-18 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979024B2 (en) * 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979026B2 (en) * 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11418169B2 (en) * 2016-03-11 2022-08-16 Akoustis, Inc. 5G n41 2.6 GHz band acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979023B2 (en) * 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.9 GHz c-V2X and DSRC acoustic wave resonator RF filter circuit
US10985732B2 (en) * 2016-03-11 2021-04-20 Akoustis, Inc. 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11451213B2 (en) * 2016-03-11 2022-09-20 Akoustis, Inc. 5G n79 Wi-Fi acoustic triplexer circuit
US10979022B2 (en) * 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
DE102016107658A1 (de) 2016-04-25 2017-10-26 Infineon Technologies Ag Abstimmbares resonatorelement, filterschaltkreis und verfahren
US10581156B2 (en) 2016-05-04 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling
US10581403B2 (en) 2016-07-11 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Device having a titanium-alloyed surface
US11050412B2 (en) 2016-09-09 2021-06-29 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter using acoustic coupling
US10928614B2 (en) 2017-01-11 2021-02-23 Searete Llc Diffractive concentrator structures
US11309867B2 (en) * 2017-01-30 2022-04-19 Kyocera Corporation Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
US11165412B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit
US11165413B2 (en) * 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator structure
US10873318B2 (en) 2017-06-08 2020-12-22 Qorvo Us, Inc. Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration
US10498001B2 (en) 2017-08-21 2019-12-03 Texas Instruments Incorporated Launch structures for a hermetically sealed cavity
US10775422B2 (en) 2017-09-05 2020-09-15 Texas Instruments Incorporated Molecular spectroscopy cell with resonant cavity
US10589986B2 (en) 2017-09-06 2020-03-17 Texas Instruments Incorporated Packaging a sealed cavity in an electronic device
US10551265B2 (en) 2017-09-07 2020-02-04 Texas Instruments Incorporated Pressure sensing using quantum molecular rotational state transitions
US10131115B1 (en) * 2017-09-07 2018-11-20 Texas Instruments Incorporated Hermetically sealed molecular spectroscopy cell with dual wafer bonding
US10444102B2 (en) 2017-09-07 2019-10-15 Texas Instruments Incorporated Pressure measurement based on electromagnetic signal output of a cavity
US10424523B2 (en) 2017-09-07 2019-09-24 Texas Instruments Incorporated Hermetically sealed molecular spectroscopy cell with buried ground plane
US10549986B2 (en) 2017-09-07 2020-02-04 Texas Instruments Incorporated Hermetically sealed molecular spectroscopy cell
US10544039B2 (en) 2017-09-08 2020-01-28 Texas Instruments Incorporated Methods for depositing a measured amount of a species in a sealed cavity
US11894621B2 (en) * 2017-12-18 2024-02-06 Silicon Laboratories Inc. Radio-frequency apparatus with multi-band balun with improved performance and associated methods
US11152913B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave (BAW) resonator
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US10911016B2 (en) 2019-01-08 2021-02-02 Analog Devices, Inc. Wideband balun
US11611330B2 (en) * 2019-01-15 2023-03-21 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Micro-electro-mechanical resonators
US10938115B2 (en) * 2019-03-21 2021-03-02 Elwha, Llc Resonance-frequency diverse metamaterials and metasurfaces
DE112020001765T5 (de) * 2019-04-05 2021-12-23 Resonant Inc. Packung eines transversal angeregten akustischen Filmvolumenresonators und Verfahren
US11101227B2 (en) 2019-07-17 2021-08-24 Analog Devices International Unlimited Company Coupled line structures for wideband applications
US11146247B2 (en) 2019-07-25 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Stacked crystal filter structures
US11757430B2 (en) 2020-01-07 2023-09-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
US11146245B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Mode suppression in acoustic resonators
US11146246B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Phase shift structures for acoustic resonators
WO2022061746A1 (zh) * 2020-09-25 2022-03-31 京东方科技集团股份有限公司 巴伦组件、微波射频器件及天线
US11632097B2 (en) 2020-11-04 2023-04-18 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator filter device
US11575363B2 (en) 2021-01-19 2023-02-07 Qorvo Us, Inc. Hybrid bulk acoustic wave filter
US11581853B2 (en) * 2021-01-27 2023-02-14 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Wideband filter for direct connection to differential power amplifier
CN115425377B (zh) * 2022-09-29 2023-09-08 河南科技大学 一种基于环形谐振器加载的双通带平衡滤波器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3321648A (en) * 1964-06-04 1967-05-23 Sonus Corp Piezoelectric filter element
US3422371A (en) * 1967-07-24 1969-01-14 Sanders Associates Inc Thin film piezoelectric oscillator
US5185589A (en) * 1991-05-17 1993-02-09 Westinghouse Electric Corp. Microwave film bulk acoustic resonator and manifolded filter bank
US5361077A (en) * 1992-05-29 1994-11-01 Iowa State University Research Foundation, Inc. Acoustically coupled antenna utilizing an overmoded configuration
US5864261A (en) * 1994-05-23 1999-01-26 Iowa State University Research Foundation Multiple layer acoustical structures for thin-film resonator based circuits and systems
US5692279A (en) * 1995-08-17 1997-12-02 Motorola Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter
US5910756A (en) 1997-05-21 1999-06-08 Nokia Mobile Phones Limited Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators
JP3531522B2 (ja) * 1999-04-19 2004-05-31 株式会社村田製作所 圧電共振子
US6441539B1 (en) * 1999-11-11 2002-08-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315856A (zh) * 2010-06-03 2012-01-11 美国博通公司 无表面声波接收器
CN102332931A (zh) * 2010-06-03 2012-01-25 美国博通公司 带有补偿双工器的前端模块
CN102315856B (zh) * 2010-06-03 2015-03-25 美国博通公司 无表面声波接收器
CN102447452A (zh) * 2010-10-11 2012-05-09 立积电子股份有限公司 体声波共振组件与体声波滤波器及其方法
CN102447452B (zh) * 2010-10-11 2015-04-08 立积电子股份有限公司 体声波共振组件与体声波滤波器及其方法
CN108988819A (zh) * 2010-10-14 2018-12-11 芬兰国家技术研究中心股份公司 宽带声耦合薄膜baw滤波器
US11374551B2 (en) 2010-10-14 2022-06-28 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Wide-band acoustically coupled thin-film BAW filter
CN104604145A (zh) * 2012-07-09 2015-05-06 瑞典爱立信有限公司 收发器前端
CN104604144A (zh) * 2012-07-09 2015-05-06 瑞典爱立信有限公司 收发器前端
CN107979353A (zh) * 2018-01-08 2018-05-01 杭州左蓝微电子技术有限公司 Rf mems滤波器及其制备方法
CN108449068A (zh) * 2018-01-31 2018-08-24 湖北宙讯科技有限公司 双工器
CN111146327A (zh) * 2019-12-25 2020-05-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶压电结构及其制造方法、单晶压电层叠结构的电子设备
CN111146328A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶压电结构及具有其的电子设备
CN113783548A (zh) * 2021-11-08 2021-12-10 深圳新声半导体有限公司 谐振器及滤波器
CN113783548B (zh) * 2021-11-08 2022-04-01 深圳新声半导体有限公司 谐振器及滤波器

Also Published As

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WO2003058809A3 (en) 2003-11-13
CN100488044C (zh) 2009-05-13
EP1464115B1 (en) 2009-10-14

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