CN101958696B - 温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法 - Google Patents
温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101958696B CN101958696B CN201010293846.0A CN201010293846A CN101958696B CN 101958696 B CN101958696 B CN 101958696B CN 201010293846 A CN201010293846 A CN 201010293846A CN 101958696 B CN101958696 B CN 101958696B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- temperature compensating
- temperature
- compensating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 99
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 25
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 235000016768 molybdenum Nutrition 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical group [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIGAYVXYNSVZAV-UHFFFAOYSA-N ac1lavbc Chemical compound [W].[W] WIGAYVXYNSVZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
Abstract
一种温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法，谐振器有：基底；基底上的声反射镜；声反射镜上的底电极；底电极上的压电层；压电层上的复合结构，复合结构包括：压电层上的第一电极；第一电极上的温度补偿层；温度补偿层上的第二电极，它与第一电极导电连接。方法：在基底上形成声反射层；在声反射层上形成底电极层；在底电极层上形成压电层；在压电层上形成第一电极；在第一电极上形成温度补偿层；在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；在温度补偿层上填充导电材料与第一电极相连；平坦化处理导电材料；将第二电极沉积在平坦的温度补偿层上与第一电极相连。本发明在满足谐振频率温度补偿的同时，能实现更高的
值，拓宽了该谐振器的应用范围。
Description
技术领域
本发明涉及一种体波谐振器。特别是涉及一种在保持谐振器良好稳定的温度特性的同时，还能够最大化体波谐振器的 
值的温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法。
背景技术
无线通信中越来越多地使用射频前端电路，例如无线收发器、功率放大器和无源器件。前端无源器件包括射频滤波器。与其它技术如声表面波器件和陶瓷滤波器相比，由体波谐振器组成的射频前端滤波器，在品质因数、功率容量、防静电放电(ESD)能力和尺寸等方面有许多优点。包含体波谐振器的温度稳定振荡器也已经被证实可以很好地适用于高速串行数据应用中，例如标准的SATA硬盘驱动器、发展中的USB3标准PC外设以及光纤收发器。
典型的体波谐振器包含声反射镜(或声反射层)、在其上的压电层、以及压电层两端的两个金属电极。图10所示的是传统的体波谐振器。体波谐振器具有一个基底11，基底11之上的声反射层12，声反射层12之上的底电极层13，底电极层13之上的压电层14，压电层14之上的顶电极层15。在实际情况中，会加上金属电极层之外的材料层来提高谐振器的功能，如机械强度(physical strength)、钝化(passivation)、温度补偿(temperaturecompensation)等类似的功能。当在两电极间施加谐振频率下的交流电压时，会在压电层内产生厚度方向的纵向声波并传播到体波谐振器的其它层中。声反射镜的作用是在其与底电极的交界处产生非常大的声阻抗差异，从而使大部分的声波能量保留在谐振器内，包括压电层和电极层内。在一种结构中，声反射镜由空腔构成。在另一种结构中，声反射镜由一系列高声阻抗层和低声阻抗层相间排列而组成，它把谐振器的主体与基底隔离开来，从而使声能量保留在谐振器中。也称第二种结构的体波谐振器为固嵌式谐振器(SMR)。
实际操作中，在体波谐振器的两电极上施加交流电压，并由所加电压的频率扫描来记录体波谐振器的电学阻抗。阻抗曲线幅值的最小处与最大处分别对应体波谐振器的串联谐振频率(fs)和并联谐振频率(fp)。有效机电耦合系数 
由串联谐振频率与并联谐振频率的分离程度来计算。串联与并联谐振频率的差值越大， 
值就会越大，其中 
对制作出具有较宽带宽的射频体波滤波器至关重要。某些产品所需要的滤波器的通带宽度决定 
的下限。典型的非温度补偿的体波谐振器的 
值大约在6％到7％之间。因为一部分声波能量会储存在声反射镜内靠近底电极的前几层中，所以固嵌式谐振器(SMR)的 
值要低于背面具有气腔的体波谐振器的 
值。通常情况下，在滤波器的应用中需要具有较高的 
值，因为 
的值较大可以降低插入损耗，并且设计者可以在 
值和Q值之间寻求平衡。很多情况下，牺牲小量 
值，会带来Q值较大的提高，从而得到陡峭的边缘和较强的抵抗由于工艺带来的频率不均匀的能力，进而取得较好的产品加工良率。
体波谐振器的谐振频率由传播路径中各层的厚度和各层中纵向声波的声速所决定。其中，谐振频率主要受压电层的厚度及其内的声速的影响。两电极的厚度及其内的声速对谐振频率也有较大影响。但是，由空腔构成的声反射镜对谐振频率的影响可以忽略不计，因为它可以把几乎所有的声能都反射回压电层。如果声反射镜由高声阻抗层和低声阻抗层相间排列而构成，那么反射镜的最顶层会包含一小部分的声能，从而使反射镜的作用在某种程度上会贡献到谐振频率中。
体波谐振器的压电层、金属或介电层的厚度以及其内的声速都随温度的变化而变化，并且体波谐振器的谐振频率也随温度的变化而变化。尽管各层随温度变化而产生的厚度膨胀或收缩会影响谐振频率，但各层内声波传播速度随温度的改变是影响体波谐振器谐振频率随温度改变的主要原因。目前应用在体波谐振器中的大部分材料都呈现出负的温度系数，即随温度的升高声速会变小，因为材料在较高温下会变“软化”(例如，跨原子力被减弱)。跨原子力的减小会导致材料弹性常数的减小，从而减小声速。例如，氮化铝(AlN)的声速的温度系数为-25ppm/℃，钼(Mo)的声速的温度系数为-60ppm/℃。
由一系列已知层所构成的体波谐振器的频率温度系数(TCF)由各层的厚度和它们在谐振腔内的相对位置和作用所决定。例如，在由氮化铝(AlN)层和两个钼(Mo)电极所组成的体波谐振器中，如果两个钼(Mo)电极的厚度比氮化铝(AlN)的厚度小很多，那么谐振器的频率温度系数(TCF)接近于-25ppm/℃。如果钼(Mo)电极的厚度与氮化铝(AlN)的厚度相近，那么钼(Mo)的温度系数会很大地贡献到体波谐振器的频率温度系数(TCF)当中，其频率温度系数(TCF)在-30ppm/℃到-40ppm/℃之间。谐振器结构中的钼(Mo)与氮化铝(AlN)的厚度比越大，谐振器的频率温度系数(TCF)的负值就越大。由体波谐振器构成的射频(RF)滤波器通常有一个通带频率响应，体波谐振器的频率温度系数(TCF)会减小射频(RF)滤波器的制造良率，因为由体波谐振器所构成的设备或元件只有在一定温度范围内才能满足通带带宽的要求。在大部分所需的双工器的应用中，为了可以在很宽的温度范围内仍能满足要求，低的频率温度系数(TCF)很重要。包含体波谐振器的高稳定振荡器对体波谐振器的频率温度系数(TCF)有更严格的要求，需要频率温度系数(TCF)极低或是接近零，因为大部分振荡器用来提供参考或定时信号，要求温度变化对这些信号产生极小的影响。
因此，在保持谐振器良好稳定的温度特性的同时，还需要最大化体波谐振器的 
值。上述的诸多缺陷和不足需要得到很好的解决。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种结构简单，便于制作，并且在保持谐振器良好稳定的温度特性的同时，还能够最大化体波谐振器的 值的温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法。
本发明所采用的技术方案是：一种温度补偿薄膜体波谐振器，包括如下结构：
(a)基底；
(b)位于基底上的声反射镜；
(c)位于声反射镜上的底电极；
(d)位于底电极上的压电层；
(e)位于压电层上的复合结构，所述的复合结构包括：
(i)压电层上的第一电极；
(ii)第一电极上的温度补偿层；
(iii)温度补偿层上的第二电极，它与第一电极导电连接。
所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。
所述的温度补偿层的材料为碲氧化物、氧化硅或是它们的组合物。
所述的温度补偿层上有一个或多个的导通孔或沟道，从而使第一电极通过所述的一个或多个的导通孔或沟道与第二电极进行导电连接。
一种温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，包括如下步骤：
(a)在基底上形成声反射层；
(b)在声反射层上形成底电极层；
(c)在底电极层上形成压电层；
(d)在压电层上形成第一电极；
(e)在第一电极上形成温度补偿层；
(f)在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；
(g)将导电材料沉积在温度补偿层上并经光刻形成图样，从而使所述的导电材料填充一个或多个的导通孔或沟道内，填充于一个或多个的导通孔或沟道内的导电材料与第一电极相连；
(h)平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；
(i)将第二电极沉积在平坦的温度补偿层上并经光刻形成图样，第二电极通过填充在一个或多个导通孔或沟道内的导电材料与第一电极相连。
所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。
所述的温度补偿层的材料为碲氧化物或氧化硅或是它们的组合。
一种温度补偿薄膜体波谐振器，包括如下结构：
(a)基底；
(b)位于基底上的声反射镜；
(c)位于声反射镜上的复合结构，所述的复合结构包括；
(i)位于声反射镜上的第一电极；
(ii)位于第一电极上的温度补偿层；
(iii)位于温度补偿层上的第二电极，所述的第二电极与第一电极导电连接；
(d)位于复合结构中的第二电极上的压电层；
(e)位于压电层上的顶电极。
所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。
所述的温度补偿层的材料为碲氧化物或氧化硅或是它们的组合。
所述的温度补偿层上有一个或多个导通孔或沟道，从而使第一电极与第二电极通过一个 或多个的导通孔或沟道相互导电连接。
一种温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，包括如下步骤：
(a)在基底上形成声反射层；
(b)在声反射层上形成复合结构，所述复合结构形成过程包括；
(i)在声反射层上形成第一电极；
(ii)在第一电极上形成具有斜侧壁的温度补偿层；
(iii)在温度补偿上形成第二电极，从而使第二电极与第一电极相连，其中，所述的复合结构的斜侧壁与温度补偿层的斜侧壁对齐；
(c)在复合结构中的第二电极上形成压电层；
(d)在压电层上形成顶电极。
所述的在温度补偿上形成第二电极包括如下步骤：
(a)在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；
(b)在温度补偿层上沉积第一导电材料并经光刻形成图样，使第一导电材料填充一个或多个的导通孔或沟道，所述的填充于一个或多个的导通孔或沟道内的第一导电材料与第一电极相连；
(c)平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的第一导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；
(d)将第二导电材料沉积在平坦的温度补偿层上并经光刻形成图样，从而形成第二电极，第二电极与第一电极相连，其中第一导电材料和第二导电材料可以相同或不同。
一种温度补偿薄膜体波谐振器，包括如下结构：
(a)基底；
(b)位于基底上的声反射镜；
(c)位于声反射镜上的底电极；
(d)位于底电极上的第一压电层
(e)位于第一压电层上的复合结构，所述的复合结构包括：
(i)位于第一压电层上的第一电极；
(ii)位于第一电极上的温度补偿层；
(iii)位于温度补偿层上的第二电极，所述的第二电极与第一电极导电连接；
(f)位于复合结构中的第二电极上的第二压电层；
(g)位于第二压电层上的顶电极。
所述的温度补偿层上具有一个或多个导通孔或沟道，从而使第一电极与第二电极通过所述的一个或多个的导通孔或沟道相互导电连接。
所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。
所述的温度补偿层的材料为碲氧化物或氧化硅或是它们的组合。
一种温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，所述的
(a)在基底上形成声反射层；
(b)在声反射层上形成底电极；
(c)在底电极上形成第一压电层
(d)在第一压电层上形成复合结构，该步骤包括：
(i)在第一压电层上形成第一电极；
(ii)在第一电极上形成具有斜侧壁的温度补偿层；
(iii)在温度补偿层上形成第二电极，使第二电极与第一电极相连，复合结构的斜侧壁与温度补偿层的斜侧壁相对应；
(e)在复合结构的第二电极上形成顶电极。
所述的形成复合结构中的第二电极包括如下步骤：
(a)在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；
(b)在温度补偿层上沉积第一导电材料并经光刻形成图样，使第一导电材料填充一个或多个导通孔或沟道，填充于一个或多个导通孔或沟道内的第一导电材料与第一电极相连；
(c)平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的第一导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；
(d)在平整的温度补偿层上沉积第二导电材料并经光刻形成图样，从而形成第二电极，第二电极与第一电极相连，其中第一导电材料和第二导电材料可以相同或不同。
一种用于声波谐振器的复合结构的，包括如下结构：
(a)第一电极；
(b)位于第一电极上的温度补偿层，在温度补偿层上有一个或多个导通孔或沟道；
(c)位于温度补偿层上的第二电极，所述的第二电极至少通过温度补偿层上的一个或多个导通孔或沟道与第一电极导电连接。
一种具有复合结构的声波谐振器，包括如下结构：
(a)位于基底上的声反射镜；
(b)位于声反射镜上的底电极；
(c)位于底电极上的压电层，复合结构位于压电层之上。
一种具有复合结构的声波谐振器，包括如下结构：
(a)位于基底上的声反射镜；
(b)位于声反射镜上的复合结构，压电层位于复合结构之上；
(c)位于压电层上的顶电极。
一种具有复合结构的声波谐振器，包括如下结构：
(a)位于基底上的声反射镜；
(b)位于声反射镜上的声反射镜上的底电极；
(c)位于底电极上的压电层，复合结构嵌于压电层之中；
(d)位于压电层上的顶电极。
所述的压电层包括第一压电层和第二压电层，复合结构夹在第一压电层和第二压电层之间。
一种声波谐振器的复合结构的加工方法，包括如下步骤：
(a)形成第一电极；
(b)在第一电极上形成具有斜侧壁的温度补偿层；
(c)在温度补偿层上形成第二电极，使第二电极与第一电极相连。
形成复合结构中的第二电极层的方法包括步骤：
(a)在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；
(b)在温度补偿层上沉积第一导电材料并经光刻形成图样，使所述的导电材料填充一个或多个导通孔或沟道，从而使填充于一个或多个导通孔或沟道内的第一导电材料与第一电极层相连；
(c)平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的第一导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；
(d)在平坦的温度补偿层上沉积第二导电材料并经光刻形成图样，从而形成第二电极，第二电极与第一电极相连，其中第一导电材料和第二导电材料可以相同或不同。
所述的在温度补偿层上形成的一个或多个导通孔或沟道在横截面上具有倾斜的形状。
本发明的温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法，相比传统温度补偿薄膜体波谐振器，在满足谐振频率温度补偿的同时，能实现更高的 值，拓宽了该谐振器在温度稳定性要求较高、带宽要求更宽的射频滤波器及调谐范围更大的射频压控振荡器等器件、电路和系统中的应用。
附图说明
图1是本发明中的一种实施例的声波谐振器的横截面示意图；
图2是本发明中另一种实施例的声波谐振器的横截面示意图；
图3是本发明中又一种实施例的声波谐振器的横截面示意图；
图4A、4B、4C、4D、4E是本发明中一种实施例的声波谐振器的部分工艺流程示意图；
图5A、5B是、5C、5D、5E是本发明中另一种实施例的声波谐振器的部分工艺流程示意图；
图6A、6B、6C、6D、6E是本发明中又一种实施例的声波谐振器的部分工艺流程示意图；
图7A、7B、7C、7D、7E、7F是本发明中又一种实施例的声波谐振器的部分工艺流程示意图；
图8A、8B、8C、8D、8E、8F是本发明中另外一种实施例的声波谐振器的部分工艺流程示意图；
图9是本发明中一种实施例的声波谐振器的频率响应；
图10是传统的薄膜体波谐振器的横截面示意图；
图11A、11B、11C是三种薄膜体波谐振器的横截面示意图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明的温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法进行详细说明。
本发明的说明书和附图1～9一起描述本发明的具体实施例。根据本发明的宗旨，在此大致描述本发明的具体实现形式，一方面涉及到薄膜体波谐振器，它利用具有温度补偿层的复 合结构，并且在其中不存在电场。
已知的压电薄膜材料均不具备温度稳定的性能，所以同时利用具有正系数特性和负系数特性的复合结构是必要的。因此通过利用由普通的负温度系数材料和正温度系数材料(如非晶态碲氧化物(amorphous tellurium oxide)和氧化硅(silicon oxide))所组成的复合层结构可实现温度补偿。有许多可行的方法来降低体波谐振器的频率温度系数(TCF)。在一种结构中，温度补偿(TC)层可以放置在金属电极之外(例如在顶电极之上或在底电极之下)。在这种情况下，温度补偿(TC)层需要相对较厚，频率温度系数(TCF)才可以达到非常低或是接近于零，因为温度补偿(TC)层位于由压电层、顶电极和底电极组成的压电激励主体之外。因为大部分可用的正温度系数的材料为非晶态材料，并且在非晶态材料内传播的厚度方向的纵波比其在具有高晶格取向的压电和电极材料内呈现出更大的声衰减，所以在体波谐振器上的较厚的温度补偿材料层会减小整个谐振器的Q值。在电极上添加额外的较厚材料层也会明显地降低谐振器的
固嵌式(SMR)结构的体波谐振器中，除压电层和金属电极层之外，加入的声反射层对谐振器的频率温度系数(TCF)也有贡献。声反射镜的前几层包含一小部分声波能量，它对谐振器的频率温度系数(TCF)有相对较大的影响。声反射镜中距离压电激励主体越远的层对谐振器的频率温度系数(TCF)的影响就越小。例如，通常在体波谐振器中利用氧化硅(siliconoxide)(低声阻抗材料)和钨(tungsten)(高声阻抗材料)相间排列形成声反射镜。声反射镜的第一层，即与底电极接触的那一层，是氧化硅(SiO2)薄膜。SiO2是一种独特的材料，其硅-氧链随着温度升高而拉伸因此其刚度具有正温度系数。这种效应使得材料的刚度在有用的温度范围内随着温度的升高而增大。因此，在SiO2内传播的声波，其声速呈现出正的温度系数。由于氧化硅(SiO2)的正温度系数所致，具有一个AlN层和两个Mo电极(Mo/AlN/Mo的叠层结构)且声反射镜是上述结构的体波谐振器比具有空腔反射镜和Mo/AlN/Mo结构的体波谐振器具有更小的频率温度系数(TCF)。温度补偿材料离压电激励主体的距离越近，温度补偿就越有效。
为了显著改善谐振频率的温度特性，在两电极之一与压电层之间或在两个独立的压电层之间加入温度补偿(TC)层。与以前的结构相比，如果温度补偿材料相同，达到相同的频率温度系数(TCF)可以使用更薄的温度补偿(TC)层。例如，如图11A所示，温度补偿(TC)层26置于压电层24与顶电极层25之间。如图11B所示，温度补偿(TC)层36置于压电层34与底电极层33之间。通过移动温度补偿(TC)层至谐振器高应变区域，可以进一步提高补偿效果。如图11C所示，温度补偿(TC)层46置于两压电层44a与44b之间。
虽然将温度补偿(TC)层置于两电极之间的方法适用于改善谐振频率的温度特性，但是这会导致谐振器的 
值明显减小。从串并联谐振频率中可以算出 
值大约在3％到4％之间。 
的减小会导致由体波谐振器构成的滤波器的通带变窄。这与许多应用要求达到较宽带宽的目标相反。因为温度补偿(TC)层大部分由高电阻材料(通常是绝缘材料)组成，所以位于谐振器两电极之间的温度补偿(TC)层就作为一个串联电容，两电极间的部分电压落在温度补偿(TC)层上，因此压电层内的压降减小，压电层内的电场强度也相应减小。在两 电极间只有压电层的体波谐振器中，全部压降都位于压电层之内，因此压电层内的电场相对更强。温度补偿(TC)层的电场减弱压电层内的电场强度，因此对 
产生很大影响。所以，上述方法只能用于带宽较窄的谐振器和滤波器。在带宽较宽的射频滤波器或压控振荡器中需要较宽的频率调谐范围，因此使温度补偿体波谐振器具有大的 
值是必要的。
根据本发明，将具有温度补偿层的复合结构融入到薄膜体波谐振器且该复合结构层中不存在电场，可以在提高体波谐振器的温度稳定性的同时，使有效机电耦合系数 
最大化。
图1所示的是本发明中一种实施例的体波谐振器100。在这个典型实施例中，声波谐振器100包括基底110，位于基底110上的声反射镜120，位于声反射镜120上的底电极130，位于底电极130上的压电层140，位于压电层140上的复合结构150。
复合结构150包括位于压电层140上的第一电极151，位于第一电极151上的温度补偿层155，以及位于温度补偿层155上的第二电极153，它与第一电极151导电连接。温度补偿层155的频率温度系数与压电层140的频率温度系数相反。形成温度补偿层的材料为碲氧化物(tellurium oxide)、氧化硅(silicon oxide)或是它们的组合。
如图1所示，第一电极151和第二电极153在边缘区域152和154内互相连接。
此外，温度补偿层155还有一个或多个的导通孔或沟道(图中没有表示出来)，以便于第一电极151与第二电极153可以通过一个或多个的导通孔或沟道彼此导电连接。所述的一个或多个的导通孔或沟道通常在声波谐振器100的激励区域的边缘，以减小对声波谐振器的声振动的干扰。他们在邻近激励区域的边缘处分散分布，或彼此相连从而在谐振器内沿激励区域的边缘形成一个封闭或开放的周线。因为第一电极151与第二电极153相连，实际上它们通过一个或多个的导通孔或沟道已形成短路，故第一和第二电极151和153具有相同的电势。所以，夹在第一电极151和第二电极153之间的温度补偿(TC)层内的电场强度接近为零。声波谐振器100内第一电极151与底电极130之间的压降全部都位于压电层140之内，声波谐振器100的 
相比增大。另外，邻近压电层140的第一电极151会影响声波谐振器100的温度补偿。因此，第一电极151一般较薄从而减小对声波谐振器100频率温度系数(TCF)的负面影响。
图9所示的是声波谐振器100的频率响应，其中虚线表示的是具有上述结构的温度补偿谐振器的频率响应。声波谐振器100的有效机电耦合系数 
比传统的温度补偿谐振器的 
值要大，其中传统的温度补偿谐振器中的第一电极151与第二电极153不相连。声波谐振器100的温度稳定性也有显著的提高。
图2所示的是本发明中另一种实施例的声波谐振器200。声波谐振器200包括基底210，位于基底210上的声反射镜220，位于声反射镜220上的复合结构250。其中复合结构250包含第一电极251，位于第一电极251上的温度补偿层255以及位于温度补偿层255上的第二电极253，它与第一电极251导电连接，因此在温度补偿层255内没有电场存在。声波谐振器200还包括压电层240，它位于复合结构250内的第二电极253之上，以及位于压电层240上的顶电极230。
如图2所示，第一电极251和第二电极253在边缘区域252和254内相互连接。在温度 补偿层255内存在一个或多个的导通孔或沟道(图中没有表示出来)，通过所述一个或多个的导通孔或沟道使第一电极251和第二电极253相互导电连接。这些一个或多个的导通孔或沟道最好在声波谐振器200的激励区域的边缘，以减小对声波谐振器的声振动的干扰。此外，紧邻压电层240的第二电极253一般较薄从而减小其对声波谐振器200的频率温度系数的负面影响。
温度补偿层255的频率温度系数与压电层240的频率温度系数相反。构成温度补偿层255的材料为碲氧化物(tellurium oxide)、氧化硅(silicon oxide)或是它们的组合。
图3所示的是本发明中的又一种声波谐振器300。声波谐振器300包括基底310，位于基底310上的声反射镜320，位于声反射镜320上的底电极330，位于底电极330上的第一压电层341，位于第一压电层341上的复合结构350，位于复合结构350上的第二压电层342，以及位于第二压电层342上的顶电极360。复合结构包括位于第一压电层341上的第一电极351，位于第一电极351上的温度补偿层355，以及位于温度补偿层355上的第二电极353，它与第一电极351导电连接，因此温度补偿层355内不存在电场。如图3所示，第一电极351和第二电极353在边缘区域352和354内相连。温度补偿层有一个或多个的导通孔或沟道(图中没有表示出来)从而使第一电极351和第二电极353通过所述的一个或多个的导通孔或沟道相互导电连接。另外，邻近压电层341的第一电极351和邻近压电层342的第二电极353一般较薄从而减小对声波谐振器300的频率温度系数(TCF)的负影响。
温度补偿层355的频率温度系数与压电层340的频率温度系数相反。构成温度补偿层355的材料为碲氧化物(tellurium oxide)、氧化硅(silicon oxide)或是它们的组合。
图4所示的是本发明中的一种声波谐振器的工艺流程。其中包括形成一个多层结构，如图4A。多层结构包括基底410，基底410上的声反射层420，声反射层420上的底电极层430，底电极430上的压电层440，以及压电层440上的第一电极451。在形成这些层时使用多种加工步骤，例如沉积、去除、光刻和/或平坦化。
另外，在第一电极451上形成温度补偿层455。刻蚀温度补偿层455，从而在温度补偿层455内形成一个或多个的导通孔或沟道456，如图4B。一个或多个的导通孔或沟道456用于连接被温度补偿层455分开的第一电极451和第二电极453。一个或多个的导通孔或沟道456最好在温度补偿层455的边缘，并且截面为斜面形状。然后，第一导电材料457沉积在温度补偿层455之上并经光刻形成图样。一个或多个的导通孔或沟道456被第一导电材料457充分填充，所以填充在一个或多个的导通孔或沟道456中的第一导电材料457与第一电极451接触，如图4C。平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的第一导电材料457，直到温度补偿层455的上表面暴露出来，如图4D。最后，第二导电材料沉积在平坦的温度补偿层上并经光刻形成图样以形成第二电极453，从而形成复合结构450，第二电极453至少通过一个或多个的导通孔或沟道456与第一电极451相连，其中第一导电材料457和构成第二电极453的第二导电材料可以相同或不同，如图4E。根据工艺流程，声波谐振器的复合结构450位于压电层440之上，这与图1所示的声波谐振器100相对应。
图5所示的是本发明中另一种实施例的声波谐振器的工艺流程。这种典型结构的加工方法包括在基底510上形成声反射层520，以及在声反射层520上形成复合结构550。
形成复合结构550包括如下步骤：首先，在声反射层520上形成第一电极551。然后，在第一电极551上形成温度补偿层555，其侧壁558为倾斜状，如图5A。随后，第二电极553形成在温度补偿层555上并且沿着温度补偿层555的斜侧壁558延伸到第一电极551上，从而第二电极553与第一电极551相连，如图5B。接着，刻蚀第一电极551、温度补偿层555和第二电极553，从而形成复合结构550，其侧壁559与温度补偿层555的斜侧壁558对齐，如图5C。复合结构550的斜侧壁559有利于消除压电层540内的断裂和不连续，也有利于维持压电材料内的高晶格取向性，尤其是在复合结构550的末端区域内，如图5D。然后，在压电层540上形成顶电极560，如图5E。
图6所示的是本发明中又一种实施例的声波谐振器的工艺流程。其中包括在基底610上形成声反射层620；在声反射层620上形成复合结构650；在复合结构650上形成压电层640，如图6D所示；在压电层640上形成顶电极630，如图6E所示。在形成这些层时使用多种加工步骤，例如沉积、去除、光刻和/或平坦化。
形成复合结构650的过程与图4中形成复合结构450的过程相似。首先，在声反射层620上形成第一电极651，再在第一电极651上形成温度补偿层655。通过刻蚀温度补偿层655，在温度补偿层655上形成一个或多个的导通孔或沟道656，如图6A。一个或多个的导通孔或沟道656用于连接被温度补偿层655分隔开的第一电极651和第二电极653。所述的一个或多个的导通孔或沟道656最好在温度补偿层655的边缘，并且在截面上形成斜面形状。然后，第一导电材料657沉积在温度补偿层655上并经光刻形成图样。一个或多个导通孔或沟道656被第一导电材料657充分填充，所以填充在一个或多个导通孔或沟道656中的第一导电材料657与第一电极651接触，如图6B。平坦化处理沉积在温度补偿层655上并已形成图样的第一导电材料657，直到温度补偿层655的上表面暴露出来，如图6C。然后，第二导电材料沉积在平坦的温度补偿层655上并经光刻形成图样以形成第二电极653，从而形成复合结构650，第二电极653至少通过一个或多个的导通孔或沟道656与第一电极651相连，其中第一导电材料657和构成第二电极653的第二导电材料可以相同或不同，如图6E。
根据图5和图6，所加工的声波谐振器的复合结构550/650位于压电层540/640的下方，这与图2所示的声波谐振器200相对应。
图7所示的是本发明中又一种实施例的声波谐振器的工艺流程。根据工艺流程，所加工的声波谐振器中具有斜侧壁的复合结构750嵌于压电层740之中，这与图3所示的声波谐振器300相对应。压电层740包括第一压电层741和第二压电层742。
具体来说，加工过程包括形成一个多层结构，如图7A所示。多层结构包括基底710，位于基底710上的声反射层720，位于声反射层720上的底电极层730，以及位于底电极层730上的第一压电层741。然后，在压电层741上形成具有斜侧壁的复合结构750，如图7B-图7D。接着，在具有斜侧壁的复合结构750上形成第二压电层742，如图7E。随后，在第二压电层742上形成顶电极760。在形成这些层时使用多种加工步骤，例如沉积、去除、光刻和/或平坦化。形成具有斜侧壁的复合结构750的过程，与图5所示的形成具有斜侧壁的复合结构550的过程相同。
图8所示的是本发明中又一种实施例的声波谐振器的工艺流程。所加工的声波谐振器的 复合结构850嵌于压电层840的内部，这与图3所示的声波谐振器300相对应。压电层840可能包括第一压电层841和第二压电层842。如图8所示，加工过程包括在基底810上形成声反射层820，在声反射层820上形成底电极830，在底电极830上形成第一压电层841，如图8A。然后，在压电层841上形成复合结构850，如图8B-图8D所示。接着，在复合结构850上形成第二压电层842，如图8E所示。以及在第二压电层842上形成顶电极860。在形成这些层时使用多种加工步骤，例如沉积、去除、光刻和/或平坦化。形成复合结构850的过程，与图6所示的形成复合结构650的过程相同。
图9所示的是本发明中温度补偿薄膜声波谐振器的典型的频率响应。其中虚线910表示的是本发明中的一种温度补偿薄膜声波谐振器的频率响应，这种谐振器的两电极层通过嵌于温度补偿层的导通孔或沟道以及温度补偿层周围的侧壁形成短路。实线920表示的是一种温度补偿薄膜声波谐振器的频率响应，这种谐振器的薄膜金属层与电极层不相连。两条阻抗曲线的最高点(代表fp)所对应的频率是一样的，但是阻抗曲线最低点(代表fs)所对应的频率相差大约7MHz。
总之，本发明描述了一种具有复合结构的薄膜体波谐振器，其中复合结构包括第一电极、位于第一电极上的温度补偿层、以及位于温度补偿层上的第二电极，第二电极与第一电极导电连接，从而在温度补偿层内没有电场存在，因此在提高体波谐振器的温度稳定性的同时，使体波谐振器的机电耦合系数 达到最大。
上述对本发明中几种典型体波谐振器的描述仅仅是为了说明，这些说明不是很详尽，不会限制发明的确切实施例。鉴于本发明，可以做出许多修改和变化。
Claims (27)
1.一种温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，包括如下结构：
（a）基底；
（b）位于基底上的声反射镜；
（c）位于声反射镜上的底电极；
（d）位于底电极上的压电层；
（e）位于压电层上的复合结构，所述的复合结构包括：
（ⅰ）压电层上的第一电极；
（ⅱ）第一电极上的温度补偿层；
（ⅲ）温度补偿层上的第二电极，它与第一电极导电连接。
2.根据权利要求1所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。
3.根据权利要求1所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的材料为碲氧化物、氧化硅或是它们的组合物。
4.根据权利要求1所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层上有一个或多个的导通孔或沟道，从而使第一电极通过所述的一个或多个的导通孔或沟道与第二电极进行导电连接。
5.一种权利要求1所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）在基底上形成声反射层；
（b）在声反射层上形成底电极层；
（c）在底电极层上形成压电层；
（d）在压电层上形成第一电极；
（e）在第一电极上形成温度补偿层；
（f）在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；
（g）将导电材料沉积在温度补偿层上并经光刻形成图样，从而使所述的导电材料填充一个或多个的导通孔或沟道内，填充于一个或多个的导通孔或沟道内的导电材料与第一电极相连；
（h）平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；
（i）将第二电极沉积在平坦的温度补偿层上并经光刻形成图样，第二电极通过填充在一个或多个导通孔或沟道内的导电材料与第一电极相连。
6.根据权利要求5所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。
7.根据权利要求5所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，所述的温度补偿层的材料为碲氧化物或氧化硅或是它们的组合。
8.一种温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，包括如下结构：
（a）基底；
（b）位于基底上的声反射镜；
（c）位于声反射镜上的复合结构，所述的复合结构包括；
（ⅰ）位于声反射镜上的第一电极；
（ⅱ）位于第一电极上的温度补偿层；
（ⅲ）位于温度补偿层上的第二电极，所述的第二电极与第一电极导电连接；
（d）位于复合结构中的第二电极上的压电层；
（e）位于压电层上的顶电极。
9.根据权利要求8所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。
10.根据权利要求8所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的材料为碲氧化物或氧化硅或是它们的组合。
11.根据权利要求8所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层上有一个或多个导通孔或沟道，从而使第一电极与第二电极通过一个或多个的导通孔或沟道相互导电连接。
12.一种权利要求8所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）在基底上形成声反射层；
（b）在声反射层上形成复合结构，所述复合结构形成过程包括；
（ⅰ）在声反射层上形成第一电极；
（ⅱ）在第一电极上形成具有斜侧壁的温度补偿层；
（ⅲ）在温度补偿层上形成第二电极，从而使第二电极与第一电极相连，其中，复合结构中第二电极的斜侧壁和第一电极的斜侧壁与温度补偿层的斜侧壁在同一斜面上；
（c）在复合结构中的第二电极上形成压电层；
（d）在压电层上形成顶电极。
13.根据权利要求12所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，所述的在温度补偿层上形成第二电极包括如下步骤：
（a）在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；
（b）在温度补偿层上沉积第一导电材料并经光刻形成图样，使第一导电材料填充一个或多个的导通孔或沟道，所述的填充于一个或多个的导通孔或沟道内的第一导电材料与第一电极相连；
（c）平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的第一导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；
（d）将第二导电材料沉积在平坦的温度补偿层上并经光刻形成图样，从而形成第二电极，第二电极与第一电极相连，其中第一导电材料和第二导电材料可以相同或不同。
14.一种温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，包括如下结构：
（a）基底；
（b）位于基底上的声反射镜；
（c）位于声反射镜上的底电极；
（d）位于底电极上的第一压电层
（e）位于第一压电层上的复合结构，所述的复合结构包括：
（ⅰ）位于第一压电层上的第一电极；
（ⅱ）位于第一电极上的温度补偿层；
（ⅲ）位于温度补偿层上的第二电极，所述的第二电极与第一电极导电连接；
（f）位于复合结构中的第二电极上的第二压电层；
（g）位于第二压电层上的顶电极。
15.根据权利要求14所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层上具有一个或多个导通孔或沟道，从而使第一电极与第二电极通过所述的一个或多个的导通孔或沟道相互导电连接。
16.根据权利要求14所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的频率温度系数与压电层的频率温度系数相反。
17.根据权利要求14所述的温度补偿薄膜体波谐振器，其特征在于，所述的温度补偿层的材料为碲氧化物或氧化硅或是它们的组合。
18.一种权利要求14所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）在基底上形成声反射层；
（b）在声反射层上形成底电极；
（c）在底电极上形成第一压电层
（d）在第一压电层上形成复合结构，该步骤包括：
（ⅰ）在第一压电层上形成第一电极；
（ⅱ）在第一电极上形成具有斜侧壁的温度补偿层；
（ⅲ）在温度补偿层上形成第二电极，使第二电极与第一电极相连，复合结构中第二电极的斜侧壁和第一电极的斜侧壁与温度补偿层的斜侧壁在同一斜面上；
（e）在复合结构的第二电极上形成顶电极。
19.根据权利要求18所述的温度补偿薄膜体波谐振器的加工方法，其特征在于，所述的形成复合结构中的第二电极包括如下步骤：
（a）在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；
（b）在温度补偿层上沉积第一导电材料并经光刻形成图样，使第一导电材料填充一个或多个导通孔或沟道，填充于一个或多个导通孔或沟道内的第一导电材料与第一电极相连；
（c）平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的第一导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；
（d）在平整的温度补偿层上沉积第二导电材料并经光刻形成图样，从而形成第二电极，第二电极与第一电极相连，其中第一导电材料和第二导电材料可以相同或不同。
20.一种用于声波谐振器的复合结构，其特征在于，包括如下结构：
（a)第一电极；
（b）位于第一电极上的温度补偿层，在温度补偿层上有一个或多个导通孔或沟道；
（c）位于温度补偿层上的第二电极，所述的第二电极至少通过温度补偿层上的一个或多个导通孔或沟道与第一电极导电连接。
21.一种具有权利要求20所述的复合结构的声波谐振器，其特征在于，包括如下结构：
（a）位于基底上的声反射镜；
（b）位于声反射镜上的底电极；
（c）位于底电极上的压电层，复合结构位于压电层之上。
22.一种具有权利要求20所述的复合结构的声波谐振器，其特征在于，包括如下结构：
（a）位于基底上的声反射镜；
（b）位于声反射镜上的复合结构，压电层位于复合结构之上；
（c）位于压电层上的顶电极。
23.一种具有权利要求20所述的复合结构的声波谐振器，其特征在于，包括如下结构：
（a）位于基底上的声反射镜；
（b）位于声反射镜上的底电极；
（c）位于底电极上的压电层，复合结构嵌于压电层之中；
（d）位于压电层上的顶电极。
24.根据权利要求23所述的复合结构的声波谐振器，其特征在于，所述的压电层包括第一压电层和第二压电层，复合结构夹在第一压电层和第二压电层之间。
25.一种权利要求20所述的声波谐振器的复合结构的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）形成第一电极；
（b）在第一电极上形成具有斜侧壁的温度补偿层；
（c）在温度补偿层上形成第二电极，使第二电极与第一电极相连。
26.根据权利要求25所述的声波谐振器的复合结构的加工方法，其特征在于，形成复合结构中的第二电极的方法包括步骤：
（a）在温度补偿层上形成一个或多个导通孔或沟道；
（b）在温度补偿层上沉积第一导电材料并经光刻形成图样，使所述的导电材料填充一个或多个导通孔或沟道，从而使填充于一个或多个导通孔或沟道内的第一导电材料与第一电极相连；
（c）平坦化处理沉积在温度补偿层上并已形成图样的第一导电材料，直到温度补偿层的上表面暴露出来；
（d）在平坦的温度补偿层上沉积第二导电材料并经光刻形成图样，从而形成第二电极，第二电极与第一电极相连，其中第一导电材料和第二导电材料可以相同或不同。
27.根据权利要求26所述的声波谐振器的复合结构的加工方法，其特征在于，所述的在温度补偿层上形成的一个或多个导通孔或沟道在横截面上具有倾斜的形状。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010293846.0A CN101958696B (zh) | 2010-09-27 | 2010-09-27 | 温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010293846.0A CN101958696B (zh) | 2010-09-27 | 2010-09-27 | 温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101958696A CN101958696A (zh) | 2011-01-26 |
| CN101958696B true CN101958696B (zh) | 2013-04-17 |
Family
ID=43485840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010293846.0A Active CN101958696B (zh) | 2010-09-27 | 2010-09-27 | 温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101958696B (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9479139B2 (en) | 2010-04-29 | 2016-10-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Resonator device including electrode with buried temperature compensating layer |
| CN102175314A (zh) * | 2011-02-10 | 2011-09-07 | 山东科技大学 | 增强式薄膜体声波谐振紫外光探测器 |
| KR101856057B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2018-05-10 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기, 체적 음향 공진기의 제조방법 및 체적 음향 공진기를 이용한 ｒｆ 디바이스 |
| CN102820527B (zh) * | 2012-07-31 | 2015-11-25 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种雷达天线以及雷达系统 |
| CN103684336B (zh) * | 2012-08-31 | 2017-01-11 | 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 | 包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置 |
| US9450167B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature compensated acoustic resonator device having an interlayer |
| US9608192B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-03-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature compensated acoustic resonator device |
| CN103472129B (zh) * | 2013-09-17 | 2017-01-11 | 天津大学 | 用于流体环境检测的谐振传感器 |
| CN105245198A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-01-13 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 微机械硅谐振器的温度补偿结构及制作方法 |
| CN106788316B (zh) * | 2015-11-25 | 2019-04-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 压阻式恒温控制振荡器及其制备方法 |
| DE102018111380A1 (de) * | 2017-05-24 | 2018-11-29 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Verfahren zur Kalibrierung mindestens eines Sensors |
| CN107453729B (zh) * | 2017-06-28 | 2021-04-06 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于复合结构的温度补偿薄膜体声波谐振器 |
| US11905703B2 (en) * | 2018-12-21 | 2024-02-20 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Soft acoustic boundary plate |
| CN110868171B (zh) * | 2019-04-23 | 2024-04-16 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 谐振器、晶片及谐振器制造方法 |
| CN110460320A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-11-15 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 膜层结构、其制造方法及包括该膜层结构的滤波器 |
| CN111010115A (zh) * | 2019-08-09 | 2020-04-14 | 天津大学 | 体声波谐振器、滤波器和电子设备及控制谐振器温度的方法 |
| CN111092606A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 温补层结构、体声波谐振器及制造方法，滤波器、电子设备 |
| CN111224641B (zh) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 一种滤波器、双工器、高频前端电路及通信装置 |
| CN113285687B (zh) * | 2021-03-05 | 2023-02-03 | 天津大学 | 温度补偿型薄膜体声波谐振器及其形成方法、电子设备 |
| CN113328724A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-08-31 | 绍兴汉天下微电子有限公司 | 一种体声波谐振器及其制作方法 |
| CN115296638A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-04 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种谐振器及其制备方法 |
| CN115225060A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-10-21 | 常州承芯半导体有限公司 | 声表面波谐振装置及其形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1340915A (zh) * | 2000-08-31 | 2002-03-20 | 安捷伦科技有限公司 | 声波谐振器及在温度变化时运行其以保持谐振的方法 |
| CN1902819A (zh) * | 2003-10-30 | 2007-01-24 | 阿瓦戈科技无线Ip（新加坡）股份有限公司 | 有温度补偿的薄膜体声谐振器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670866B2 (en) * | 2002-01-09 | 2003-12-30 | Nokia Corporation | Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers |
-
2010
- 2010-09-27 CN CN201010293846.0A patent/CN101958696B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1340915A (zh) * | 2000-08-31 | 2002-03-20 | 安捷伦科技有限公司 | 声波谐振器及在温度变化时运行其以保持谐振的方法 |
| CN1902819A (zh) * | 2003-10-30 | 2007-01-24 | 阿瓦戈科技无线Ip（新加坡）股份有限公司 | 有温度补偿的薄膜体声谐振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101958696A (zh) | 2011-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101958696B (zh) | 温度补偿薄膜体波谐振器及加工方法 | |
| US8253513B2 (en) | Temperature compensated thin film acoustic wave resonator | |
| US11699988B2 (en) | Resonator and method for manufacturing the same | |
| US7414495B2 (en) | Coupled FBAR filter | |
| JP3889351B2 (ja) | デュプレクサ | |
| KR101686689B1 (ko) | 경사 에지를 포함한 리액턴스 필터 | |
| JP3592276B2 (ja) | 音響共振器および音響共振器の組立方法 | |
| USRE42009E1 (en) | Piezoelectric resonator having a spurious component control layer, filter using the piezoelectric resonator, and duplexer using the piezoelectric resonator | |
| US7236066B2 (en) | Film bulk acoustic resonator and filter circuit including a plurality of film bulk acoustic resonators | |
| US7893793B2 (en) | Film bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same | |
| US10938367B2 (en) | Solidly mounted layer thin film device with grounding layer | |
| KR100771345B1 (ko) | 압전 박막 공진자 및 필터 | |
| US7170370B2 (en) | Filter device capable of obtaining attenuation characteristic of sharpness in narrow band width and branching filter using the same | |
| JP5025963B2 (ja) | 電子部品とその製造方法及びこの電子部品を用いた電子機器 | |
| US7868716B2 (en) | Acoustic wave filter apparatus | |
| JP4791181B2 (ja) | 薄膜バルク音響波共振子、それを備えるフィルタおよび通信装置ならびに薄膜バルク音響波共振子の製造方法 | |
| JP2017509246A (ja) | 温度補償部を備えたｂａｗ共振器 | |
| WO2019206534A1 (en) | Saw resonator, rf filter, multiplexer and method of manufacturing a saw resonator | |
| CN110798167A (zh) | 声波器件及其制作方法 | |
| US20220407494A1 (en) | Acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
| CN101091311A (zh) | 薄膜压电谐振器和滤波电路 | |
| CN112042119A (zh) | 电声滤波器、复用器和制造电声滤波器的方法 | |
| KR20220137599A (ko) | 전극-정의된 비현수된 어쿠스틱 공진기 | |
| JP2008005443A (ja) | 音響波共振子およびフィルタならびに通信装置 | |
| JP2008244943A (ja) | 薄膜バルク波共振器及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170808 Address after: Five street 300462 Tianjin economic and Technological Development Zone Xinye No. 27 Patentee after: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Address before: 519015 Guangdong province Zhuhai Jida approach road No. 233 landscape Terrace 2 5 unit 301 Patentee before: Zhang Hao |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Temperature compensation film bulk wave resonator and processing method thereof Effective date of registration: 20180305 Granted publication date: 20130417 Pledgee: Tianjin Binhai New Area Hongxin Berg financing lease Co.,Ltd. Pledgor: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Registration number: 2018120000007 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20200121 Granted publication date: 20130417 Pledgee: Tianjin Binhai New Area Hongxin Berg financing lease Co.,Ltd. Pledgor: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Registration number: 2018120000007 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 27 Xinye Fifth Street, Tianjin Binhai New Area Economic and Technological Development Zone, 300462 Patentee after: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Address before: 300462 27 new business five street, Tianjin economic and Technological Development Zone Patentee before: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Temperature compensated thin film bulk wave resonator and its processing method Effective date of registration: 20210908 Granted publication date: 20130417 Pledgee: Tianjin TEDA Haihe intelligent manufacturing industry development fund partnership (L.P.) Pledgor: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Registration number: Y2021980009022 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20130417 |
|
| PP01 | Preservation of patent right |