KR20100130602A - 탄성파 필터 및 이를 이용한 듀플렉서 및 전자 기기 - Google Patents

탄성파 필터 및 이를 이용한 듀플렉서 및 전자 기기 Download PDF

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KR20100130602A
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데츠야 츠루나리
히로유키 나카무라
레이 고토
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Abstract

불평형 신호 단자(12)에 배선 전극이 접속된 제1, 제2, 제3 IDT 전극(13A, 13B, 13C), 제1, 제2 IDT 전극간에 설치된 제4 IDT 전극(13D), 제2, 제3 IDT 전극간에 설치된 제5 IDT 전극(13E), 제4, 제5 IDT 전극(13D, 13E)의 배선 전극에 접속된 제1, 제2 평형 신호 단자(14A, 14B)를 구비하고, 제1∼제5 IDT 전극의 접지 전극은 그라운드에 접속되고, 불평형 신호 단자(12)로의 입력 신호와 역상 신호 및 동상 신호가, 제1 및 제2 평형 신호 단자(14A, 14B)로부터 출력되고, 제2, 제3 IDT 전극(13B, 13C)의 배선 전극과 제5 IDT 전극(13E)의 접지 전극이 인접하고, 제1, 제2 IDT 전극(13A, 13B) 중의, 한쪽의 배선 전극과 제4 IDT 전극(13D)의 배선 전극이 인접하고, 다른쪽의 접지 전극과 제4 IDT 전극(13D)의 접지 전극이 인접하는 구성에 의해, 통과 대역 내에서 스퓨리어스를 억압할 수 있다.

Description

탄성파 필터 및 이를 이용한 듀플렉서 및 전자 기기{ELASTIC WAVE FILTER, AND DUPLEXER AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME}
본 발명은, 휴대전화 등에 이용되는 탄성파 필터 및 이를 이용한 듀플렉서 및 전자 기기에 관한 것이다.
종래 이러한 종류의 탄성파 필터는, 도 14에 그 구성도를 나타내는 바와같이, 불평형 신호 단자(16)와, 불평형 신호 단자(16)에 그 배선 전극이 전기적으로 접속된 제1, 제2, 제3의 IDT 전극(17A, 17B, 17C)을 구비하고 있다. 또한, 종래의 탄성 필터는, 제1, 제2의 IDT 전극(17A, 17B)간에 설치된 제4의 IDT 전극(17D)과, 제2, 제3의 IDT 전극간(17B, 17C)에 설치된 제5의 IDT 전극(17E)을 구비하고 있다. 또한, 종래의 탄성파 필터는, 제4의 IDT 전극(17D)의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제1의 평형 신호 단자(18A)와, 제5의 IDT 전극(17E)의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제2의 평형 신호 단자(18B)를 구비하고 있다. 또한, 종래의 탄성파 필터는, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(17A, 17B, 17C, 17D, 17E)의 접지 전극은 그라운드에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 종래의 탄성파 필터는, 불평형 신호 단자(16)로부터 입력되는 신호와 역위상의 신호가 상기 제1의 평형 신호 단자(18A)로부터 출력되고, 불평형 신호 단자(16)로부터 입력되는 신호와 동 위상의 신호가 제2의 평형 신호 단자(18B)로부터 출력된다. 또한, 종래의 탄성파 필터는, 제2, 제3의 IDT 전극(17B, 17C)의 배선 전극과 제5의 IDT 전극(17E)의 접지 전극이 인접하고, 제1, 제2의 IDT 전극(17A, 17B)의 접지 전극과 제4의 IDT 전극(17D)의 접지 전극이 인접하는 구성을 하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
그러나, 이러한 종래의 탄성파 필터는, 통과 대역 내에 있어서 스퓨리어스가 발생하는 것이 문제가 되었다.
즉, 상기 종래의 구성에 있어서는, 제1, 제2의 IDT 전극(17A, 17B)의 접지 전극과 제4의 IDT 전극(17D)의 접지 전극이 인접하는 구성으로 되어 있으므로, 도 15에 그 통과 대역 특성을 나타내는 바와같이, 통과 대역 내에 있어서 스퓨리어스(S)가 발생해 버리는 것이 문제가 되었다.
또한, 도 14에 나타내는 것과 같은 탄성파 필터를 병렬 접속시켜 통과 특성을 개선한 탄성파 필터가 알려져 있다. 종래의 병렬형의 탄성파 필터는, 도 16에 도시하는 바와같이, 압전 기판(1) 상에 형성된, 제1의 불평형 신호 단자(2)와, 제1의 불평형 신호 단자(2)에 전기적으로 접속된, 제1의 불평형 신호 단자(3) 및 제2의 평형 신호 단자(4)를 가지는 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터(5)를 구비하고 있다. 또한, 압전 기판(1) 상에 형성된, 제2의 불평형 신호 단자(6)와, 제2의 불평형 신호 단자(6)에 전기적으로 접속된, 제3의 평형 신호 단자(7) 및 제4의 평형 신호 단자(8)를 가지는 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(9)를 구비하고 있다.
제1의 불평형 신호 단자(2)와 제2의 불평형 신호 단자(6)가 전기적으로 접속되어 있다. 제1의 평형 신호 단자(3)와 제2의 평형 신호 단자(4)가 제1의 입출력 단자(10)에 전기적으로 접속되어 있다. 제3의 평형 신호 단자(7)와 제4의 평형 신호 단자(8)가 제2의 입출력 단자(11)에 전기적으로 접속되어 있다. 제1의 입출력 단자(10)로부터의 입출력 신호의 위상이, 제2의 입출력 단자(11)로부터의 입출력 신호의 위상에 대해서 180° 어긋나 있는 구성이다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).
그러나, 이러한 종래의 병렬형의 탄성파 필터는, 대역 고역 부분의 삽 입 손실 열화가 큰 것이 문제가 되었다.
도 17은, 종래의 병렬형의 탄성파 필터의 통과 대역 특성을 나타내는 도면이다. 즉, 종래의 병렬형의 탄성파 필터에서는, 도 17에 나타내는 바와같이, 원하는 통과 대역(PBO)에 있어서의 고역 부분에 스퓨리어스(S)가 발생한다. 그 결과로서, 삽입 손실 열화가 커졌다.
특허 문헌 1: 일본국 특허공개 2001－313540호 공보 특허 문헌 2: 일본국 특허공개 2002－314371호 공보
본 발명은, 스퓨리어스의 발생을 억제하고, 삽입 손실 열화를 저감할 수 있는 탄성파 필터 및 이를 이용한 듀플렉서 및 전자 기기를 제공하는 것이다.
본 발명은, 불평형 신호 단자와, 상기 불평형 신호 단자에 그 배선 전극이 전기적으로 접속된 제1, 제2, 제3의 IDT 전극과, 상기 제1, 제2의 IDT 전극간에 설치된 제4의 IDT 전극과, 상기 제2, 제3의 IDT 전극간에 설치된 제5의 IDT 전극과, 상기 제4의 IDT 전극의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제1의 평형 신호 단자와, 상기 제5의 IDT 전극의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제2의 평형 신호 단자를 구비하고, 상기 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극의 접지 전극은 그라운드에 전기적으로 접속되어 있고, 상기 불평형 신호 단자로부터 입력되는 신호와 역위상의 신호가 상기 제1의 평형 신호 단자로부터 출력되고, 상기 불평형 신호 단자로부터 입력되는 신호와 동위상의 신호가 상기 제2의 평형 신호 단자로부터 출력되고, 상기 제2, 제3의 IDT 전극의 배선 전극과 상기 제5의 IDT 전극의 접지 전극이 인접하고, 상기 제1, 제2의 IDT 전극 중의 한쪽의 배선 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 배선 전극이 인접하고, 상기 제1, 제2의 IDT 전극 중의 다른쪽의 접지 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 접지 전극이 인접해 있는 구성을 가진다.
이 구성에 의해, 통과 대역 내에 있어서 스퓨리어스를 억압시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 탄성파 필터의 개략 상면도이다.
도 2는 동 실시의 형태에 있어서의 다른 예의 탄성파 필터의 개략 상면도이다.
도 3은 동 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터의 통과 특성도이다.
도 4는 도 2에 나타내는 탄성파 필터의 통과 특성도이다.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터의 개략 상면도이다.
도 6은 동 실시의 형태에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터의 통과 특성도이다.
도 7은 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터의 개략적 상면도이다.
도 8은 동 실시의 형태에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터의 구체적인 예를 나타내는 상면도이다.
도 9는 도 8에 도시하는 병렬형의 탄성파 필터의 주요부 사시도이다.
도 10은 본 발명의 실시의 형태 4에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터의 개략 상면도이다.
도 11은 본 발명의 실시의 형태 5에 있어서의 듀플렉서의 전기 회로도이다.
도 12는 동 실시의 형태의 통과 특성도이다.
도 13은 본 발명의 실시의 형태 6에 있어서의 전자 기기의 구성도이다.
도 14는 종래의 탄성파 필터의 구성도이다.
도 15는 종래의 탄성파 필터의 통과 특성도이다.
도 16은 종래의 병렬형의 탄성파 필터의 구성도이다.
도 17은 종래의 병렬형의 탄성파 필터의 통과 특성도이다.
이하, 본 발명을 실시의 형태에 의거하여 도면을 이용해 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시의 형태에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시의 형태 1)
도 1은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 탄성파 필터의 개략 상면도이다. 도 1에 있어서, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 불평형 신호 단자(12)와, 불평형 신호 단자(12)에 그 배선 전극이 전기적으로 접속된 제1, 제2, 제3의 IDT(Interdigital Transducer) 전극(13A, 13B, 13C)을 구비하고 있다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 제1, 제2의 IDT 전극(13A, 13B)간에 설치된 제4의 IDT 전극(13D)을 구비하고 있다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 제2, 제3의 IDT 전극(13B, 13C)간에 설치된 제5의 IDT 전극(13E)을 구비하고 있다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 제4의 IDT 전극(13D)의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제1의 평형 신호 단자(14A)와, 제5의 IDT 전극(13E)의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제2의 평형 신호 단자(14B)를 구비하고 있다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)의 접지 전극은 그라운드에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 불평형 신호 단자(12)로부터 입력되는 신호와 역위상의 신호가 제1의 평형 신호 단자(14A)로부터 출력된다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 불평형 신호 단자(12)로부터 입력되는 신호와 동위상의 신호가 제2의 평형 신호 단자(14B)로부터 출력된다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 제2, 제3의 IDT 전극(13B, 13C)의 배선 전극과 제5의 IDT 전극(13E)의 접지 전극이 인접해 있다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 제1, 제2의 IDT 전극(13A, 13B) 중의 한쪽의 배선 전극과 제4의 IDT 전극(13D)의 배선 전극이 인접해 있다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터는, 제1, 제2의 IDT 전극(13A, 13B) 중의 다른쪽의 접지 전극과 제4의 IDT 전극(13D)의 접지 전극이 인접해 있다.
구체적으로는, 제1, 제2, 제3, 제5의 IDT 전극(13A, 13B, 13C, 13E)은, 각각 5개의 전극 핑거를 가지고 있다. 또한, 제4의 IDT 전극(13D)은 6개의 전극 핑거를 가지고 있다. 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)의 각각의 전극 핑거는, 배선 전극과 접지 전극으로 구성된다. 제1의 IDT 전극(13A)에 있어서, 그 접지 전극이 최외측에 배치되어 있고, 이 접지 전극과 제4의 IDT 전극(13D)에 있어서의 접지 전극이 인접하도록 배치되어 있다. 그리고, 이 제4의 IDT 전극(13D)은 그 전극 핑거의 수가 짝수로 되어 있고, 제1의 IDT 전극(13A)과 인접하는 접지 전극과 반대측의 전극 핑거는 배선 전극이 된다. 이 제4의 IDT 전극(13D)의 배선 전극은 제1의 평형 신호 단자(14A)에 전기적으로 접속됨과 더불어, 제2의 IDT 전극(13B)의 배선 전극과 인접하도록 배치되어 있다.
여기서, 제2의 IDT 전극(13B)은 그 전극 핑거의 수가 홀수로 되어 있으므로, 제4의 IDT 전극(13D)과 인접하는 배선 전극과 반대측의 전극 핑거는 배선 전극으로 되어 있고, 이 배선 전극이 제5의 IDT 전극(13E)의 접지 전극과 인접하는 구성으로 되어 있다. 그리고, 제5의 IDT 전극(13E)의 배선 전극은 제2의 평형 신호 단자(14B)에 전기적으로 접속되어 있다.
여기서, 제5의 IDT 전극(13E)은 그 전극 핑거의 수가 홀수로 되어 있으므로, 제2의 IDT 전극(13B)과 인접하는 접지 전극과 반대측의 전극 핑거도 접지 전극으로 되어 있고, 이 접지 전극이 제3의 IDT 전극(13C)의 배선 전극과 인접하는 구성으로 되어 있다.
그리고, 제1의 IDT 전극(13A)에 관해서 제4의 IDT 전극(13D)의 반대측에는 반사기(15A)를 배치함과 더불어, 제3의 IDT 전극(13C)에 관해서 제5의 IDT 전극(13E)의 반대측에는 반사기(15B)를 배치하고 있다.
이러한 구성에 의해, 통과 대역 내에 있어서의 스퓨리어스의 발생을 억제할 수 있다.
도 3은, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터의 통과 특성도이다. 도 3에 있어서, 실선의 특성(301)은 본 실시의 형태에 의한 특성을 나타내고, 점선의 특성(302)은 종래의 탄성파 필터의 특성(도 15와 동일)을 나타내고 있다. 도 3의 A부에 나타내는 바와같이, 본 실시의 형태에 있어서의 탄성파 필터의 특성(301)에 의하면, 종래의 특성(302)에 있어서 나타난 스퓨리어스(S)가 통과 특성으로부터 없어지는 것을 알 수 있다.
또한, 이하에 나타내는 3개의 구성 중, 적어도 1개를 채용함으로써, 도 3의 B부에 나타내는 바와같이, 특성(301)(본 실시의 형태)의 쪽이 특성(302)(종래)보다도, 그 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다.
첫번째의 구성은, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)에 존재하는 전극 핑거의 피치 간격에 관한 것이다. 즉, 제2의 IDT 전극(13B)에 있어서의 중심선 A－AA을 중심으로 하여, 한쪽측에 존재하는 피치 간격(P1)과 다른쪽측에 존재하는 피치 간격(P2)을 비대칭으로 하는 구성이다.
두번째의 구성은, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)에 존재하는 전극 핑거의 피치 그라데이션에 관한 것이다. 즉, 제2의 IDT 전극(13B)에 있어서의 중심선 A―AA를 중심으로 하여, 한쪽측에 존재하는 피치 간격(P1)의 피치 그라데이션과 다른쪽측에 존재하는 피치 간격(P2)의 피치 그라데이션을 비대칭으로 하는 구성이다. 예를 들면, 한쪽측에 존재하는 피치 간격(P1)의 피치 그라데이션을 중심선 A－AA로부터 떨어짐에 따라 간격α씩 점차 감소시키고, 다른쪽측에 존재하는 피치 간격(P2)의 피치 그라데이션을 중심선 A－AA로부터 떨어짐에 따라 간격β(≠α)씩 점차 감소시키는 구성이다.
세번째의 구성은, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)의 간격에 관한 것이다. 즉, 제1의 IDT 전극(13A)과 제4의 IDT 전극(13D)의 간격(L14)과, 제4의 IDT 전극(13D)과 제2의 IDT 전극(13B)의 간격(L42) 중 적어도 한쪽이, 제2의 IDT 전극(13B)과 제5의 IDT 전극(13E)의 간격(L25)과, 제5의 IDT 전극(13E)과 제3의 IDT 전극(13C)의 간격(L53) 중 적어도 한쪽과 상이한 구성이다.
또한, 본 실시의 형태에 있어서는, 제2의 IDT 전극(13B)의 전극 핑거의 갯수를 홀수로 했다. 또한, 이에 따라, 제1의 IDT 전극(13A)의 접지 전극과 제4의 IDT 전극(13D)의 접지 전극이 인접함과 더불어, 제4의 IDT 전극(13D)의 배선 전극과 제2의 IDT 전극(13B)의 배선 전극이 인접하는 구성으로 했다. 그러나, 도 2에 도시하는 바와같이, 제2의 IDT 전극(13B)의 전극 핑거의 갯수를 짝수로 하는 것도 가능하다. 이 경우, 제1의 IDT 전극(13A)의 배선 전극과 제4의 IDT 전극(13D)의 배선 전극이 인접함과 더불어, 제4의 IDT 전극(13D)의 접지 전극과 제2의 IDT 전극(13B)의 접지 전극이 인접하는 구성으로 한다.
다만, 도 1에 나타내는 구성으로 하는 것이, 감쇠 특성 개선의 관점에서는 바람직하다. 도 4는, 도 2에 나타내는 탄성파 필터의 통과 특성도이다. 도 4는, 도 2에 나타내는 구성의 탄성파 필터의 특성(402)과, 도 1에 나타내는 구성의 탄성파 필터의 특성(401)을 겹쳐 도시하고 있다. 이 도 4로부터도 알 수 있듯이, 특성(401)의 쪽이 특성(402)보다도 감쇠 특성이 개선되어 있다. 따라서, 도 1에 도시하는 구성, 즉, 제2의 IDT 전극(13B)의 전극 핑거의 갯수를 홀수로 하고, 제1의 IDT 전극(13A)의 접지 전극과 제4의 IDT 전극(13D)의 접지 전극이 인접함과 더불어, 제4의 IDT 전극(13D)의 배선 전극과 제2의 IDT 전극(13B)의 배선 전극이 인접하는 구성으로 한 쪽이, 감쇠 특성이 보다 개선되어 있어 바람직하다.
또한, 도 1의 탄성파 필터의 전극 핑거의 배치를 상하 반전한 구성으로 해도, 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이 경우, 불평형 신호 전극(12), 제1의 평형 신호 전극(14A), 제2의 평형 신호 전극(14B)과 각 전극 핑거의 접속 관계는 도 1과 같다. 이에 따라, 제2, 제3의 IDT 전극(13B, 13C)의 접지 전극과 제5의 IDT 전극(13E)의 배선 전극이 인접하고, 제1, 제2의 IDT 전극(13A, 13B) 내의 한쪽의 배선 전극과 제4의 IDT 전극(13D)의 배선 전극이 인접하고, 제1, 제2의 IDT 전극(13A, 13B) 중의 다른쪽의 접지 전극과 제4의 IDT 전극(13D)의 접지 전극이 인접하는 구성이 된다.
(실시의 형태 2)
본 실시의 형태 2에 있어서의 탄성파 필터는, 실시의 형태 1에서 설명한 탄성 필터를 병렬 접속함으로써, 통과 특성을 더욱 개선할 수 있다.
본 실시의 형태에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 본 실시의 형태의 병렬형의 탄성파 필터는, 도 5에 도시하는 바와같이, 압전 기판(21)과, 압전 기판(21) 상에 형성된, 제1의 불평형 신호 단자(22)와 제1의 평형 신호 단자(23)와 제2의 평형 신호 단자(24)를 가지는 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25)를 구비하고 있다. 제1의 불평형 신호 단자(22), 제1의 평형 신호 단자(23), 제2의 평형 신호 단자(24)의 각각은, 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 압전 기판(21)과, 압전 기판(21) 상에 형성된, 제2의 불평형 신호 단자(26)와 제3의 평형 신호 단자(27)와 제4의 평형 신호 단자(28)를 가지는 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(29)를 구비하고 있다. 제2의 불평형 신호 단자(26), 제3의 평형 신호 단자(27), 제4의 평형 신호 단자(28)의 각각은, 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(29)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 제1의 불평형 신호 단자(22)와 제2의 불평형 신호 단자(26)가 전기적으로 접속되어 있다. 제1의 평형 신호 단자(23)와 제3의 평형 신호 단자(27)가 제1의 입출력 단자(30)에 전기적으로 접속되어 있다. 제2의 평형 신호 단자(24)와 제4의 평형 신호 단자(28)가 제2의 입출력 단자(31)에 전기적으로 접속된 구성으로 하고 있다.
여기서, 제1의 입출력 단자(30)로부터의 입출력 신호의 위상이 제2의 입출력 단자(31)로부터의 입출력 신호의 위상에 대해서 180° 어긋난 역위상의 구성으로 하고 있다. 또한, 실제로는, 설계 정밀도나 편차를 고려하면, 제1의 입출력 단자(30)와 제2의 입출력 단자(31)의 입출력 신호의 위상차는 180°±10°정도의 폭을 가진다.
또한, 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25)는, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(32, 33, 34, 35, 36)을 가진다. 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(32, 33, 34, 35, 36)의 탄성파 전반 방향의 양측에는 그레이팅형의 반사기(42, 43)를 가지고 있다. 마찬가지로, 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(29)는, 제6, 제7, 제8, 제9, 제10의 IDT 전극(37, 38, 39, 40, 41)을 가진다. 제6, 제7, 제8, 제9, 제10의 IDT 전극(37, 38, 39, 40, 41)의 탄성파 전반 방향의 양측에는 그레이팅형의 반사기(44, 45)를 가지고 있다.
제1, 제3, 제5의 IDT 전극(32, 34, 36)의 일단은, 제1의 불평형 신호 단자(22)에 전기적으로 접속됨과 더불어, 그 타단은 그라운드에 접속되어 있다. 마찬가지로, 제6, 제8, 제10의 IDT 전극(37, 39, 41)의 일단은 제2의 불평형 신호 단자(26)에 전기적으로 접속됨과 더불어, 그 타단은 그라운드에 접속되어 있다.
즉, 제1, 제3, 제5의 IDT 전극(32, 34, 36)은, 각각, 도 5에 도시하는 바와같이, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거와, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가 교차하도록 대향 배치되어 있다. 제1, 제5의 IDT 전극(32, 36)의 각각의, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거와, 제3의 IDT 전극(34)의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가, 제1의 불평형 신호 단자(22)에 전기적으로 접속되어 있다. 제1, 제5의 IDT 전극(32, 36)의 각각의, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거와, 제3의 IDT 전극(34)의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가, 그라운드에 접속되어 있다. 제6, 제8, 제1O의 IDT 전극(37, 39, 41)은, 각각, 도 5에 도시하는 바와같이, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거와, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거를 가지고 있다. 제6, 제10의 IDT 전극(37, 41)의 각각의, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거와, 제8의 IDT 전극(39)의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가, 제2의 불평형 신호 단자(26)에 전기적으로 접속되어 있다. 제6, 제10의 IDT 전극(37, 41)의 각각의, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거와, 제8의 IDT 전극(39)의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가, 그라운드에 접속되어 있다.
제2의 IDT 전극(33)의 일단은 그라운드에 접속됨과 더불어, 그 타단은 제1의 평형 신호 단자(23)에 전기적으로 접속되어 있다. 제7의 IDT 전극(38)의 일단은 그라운드에 접속됨과 더불어, 그 타단은 제3의 평형 신호 단자(27)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 상술과 같이, 제1의 평형 신호 단자(23)와 제3의 평형 신호 단자(27)가 제1의 입출력 단자(30)에 전기적으로 접속되어 있다.
한편, 제4의 IDT 전극(35)의 일단은 그라운드에 접속됨과 더불어, 그 타단은 제2의 평형 신호 단자(24)에 전기적으로 접속되어 있다. 제9의 IDT 전극(40)의 일단은 그라운드에 접속됨과 더불어, 그 타단은 제4의 평형 신호 단자(28)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 상술과 같이, 이 제2의 평형 신호 단자(24)와 제4의 평형 신호 단자(28)가 제2의 입출력 단자(31)에 전기적으로 접속되어 있다.
즉, 제2, 제4, 제7, 제9의 IDT 전극(33, 35, 38, 40)은, 각각, 도 5에 나타내는 바와같이, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거와, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가 교차하도록 대향 배치되어 있다. 제2, 제7의 IDT 전극(33, 38)의 각각의 일단은, 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가 그라운드에 접속되어 있다. 제2의 IDT 전극(33)은, 다른쪽의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가 제1의 평형 신호 단자(23)에 전기적으로 접속되어 있다. 제7의 IDT 전극(38)은, 다른쪽의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가 제3의 평형 신호 단자(27)에 전기적으로 접속되어 있다. 제4, 제9의 IDT 전극(35, 40)의 각각은, 한쪽의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가 그라운드에 접속되어 있다. 제4의 IDT 전극(35)은, 다른쪽의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가 제2의 평형 신호 단자(24)에 전기적으로 접속되어 있다. 제9의 IDT 전극(40)은, 다른쪽의 공통 접속된 복수개의 전극 핑거가 제4의 평형 신호 단자(28)에 전기적으로 접속되어 있다.
그리고, 제1의 평형 신호 단자(23)로부터의 입출력 신호의 위상과 제2의 평형 신호 단자(24)로부터의 입출력 신호의 위상을 역위상으로 한다. 또한, 제3의 평형 신호 단자(27)로부터의 입출력 신호의 위상과 제4의 평형 신호 단자(28)로부터의 입출력 신호의 위상을 역위상으로 한다.
또한, 제1의 평형 신호 단자(23)로부터의 입출력 신호의 위상과 제3의 평형 신호 단자(27)로부터의 입출력 신호의 위상을 동위상으로 한다. 또한, 제2의 평형 신호 단자(24)로부터의 입출력 신호의 위상과 제4의 평형 신호 단자(28)로부터의 입출력 신호의 위상을 동위상으로 한다.
이에 따라, 제1의 입출력 단자(30)로부터의 입출력 신호의 위상이 상기 제2의 입출력 단자(31)로부터의 입출력 신호의 위상에 대해서 역위상의 구성으로 하고 있다.
이러한 구성에 의해, 본 실시의 형태에서는, 원하는 대역에 있어서의 고역부의 스퓨리어스를 억제하여, 삽입 손실 열화를 저감시킬 수 있다.
도 6은 본 실시의 형태에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터의 통과 특성을 나타내는 도면이다. 가로축에 주파수를, 세로축에 그 주파수에 있어서의 필터의 통과 특성을 나타내고 있다. 도 6에서는, 본 실시의 형태에 의한 특성(201)과 종래예에 의한 특성(202)을 나타내고 있다. 도 6에 도시하는 바와같이, 원하는 통과 대역(PB)이 2.11GHz∼2.17GHz인 주파수 범위에 있어서, 본 실시의 형태의 특성(201)(굵은선)은, 그 고역부에 있어서의 스퓨리어스(S)가 억제되고, 삽입 손실 열화가 저감되어 있는 것을 알 수 있다. 구체적으로는, 고역부인 2.17GHz의 삽입 손실이 종래예에 의한 특성(202)(가는선)에서는 1.8dB인데 대해, 본 실시의 형태의 특성(202)에 의하면 1.4dB에까지 개선되어 있는 것을 알 수 있다.
도 5에 도시한 압전 기판(21)에는, Y컷 X전파 LiNbO3 기판이나, 그 외의 컷각을 가지는 LiNbO3 기판, LiTaO3 기판, 수정 등의 압전성을 가지는 압전 기판을 이용할 수 있다.
압전 기판(21) 상에 형성하는 전극 재료로는, 알루미늄 등의 금속 혹은 합금을 이용할 수 있다.
또한, 본 실시의 형태에 있어서의 제1, 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25, 29)는, 모두 탄성파 전파 방향에 따라 배치된 5개의 IDT 전극을 가지는 구성으로 했다. 그러나, 1개의 불평형 신호를 2개의 평형 신호로 변환할 수 있는 구성이면, IDT 전극의 수는 이에 한정되지 않는다.
또한, 본 실시의 형태에 있어서의 제1, 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25, 29)의 전극 설계는 서로 동일한 구성으로 했다. 그러나, 각각의 종결합 공진자형 탄성파 필터가 1개의 불평형 신호를 2개의 평형 신호로 변환할 수 있는 구성이면 동일한 구성이 아니어도 상관없다.
여기서, 제1의 종결합형 탄성파 필터(25)가 가지는 각 IDT 전극(32∼36)의 최외단의 IDT 전극(32, 36)의 전극 핑거의 극성과, 제2의 종결합형 탄성파 필터(29)가 가지는 각 IDT 전극(37∼41)의 최외단의 IDT 전극(37, 41)의 전극 핑거의 극성을 동일하게 하는 것이 바람직하다. 이는 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25)가 가지는 각 IDT 전극(32∼36)의 빗살 전극의 조합법과, 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(29)가 가지는 각 IDT 전극(37∼41)의 빗살 전극의 조합법은 동일하게 함으로써 실현할 수 있다.
즉, IDT 전극(32)과 (37), IDT 전극(33)과 (38), IDT 전극(34)와 (39), IDT 전극(35)과 (40), IDT 전극(36)과 (41)의 각 쌍의 빗살 전극의 조합법을 동일하게 함으로써 실현할 수 있다. 이에 따라, 제1의 평형 신호 단자(23)로부터의 입출력 신호와 제3의 평형 신호 단자(27)로부터의 입출력 신호를 동 위상으로 할 수 있고, 제2의 평형 신호 단자(24)의 입출력 신호와 제4의 평형 신호 단자(28)의 입출력 신호를 동 위상으로 할 수 있어, 본 실시의 형태에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터를 용이하게 실현하는 것이 가능해진다.
또한, 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25)의 교차폭(L1)을, 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(29)의 교차폭(L2)보다도 크게 함으로써, 횡모드 스퓨리어스의 발생 주파수를 효과적으로 분산시킬 수 있다.
(실시의 형태 3)
도 7은, 본 발명의 실시의 형태 3에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터를 나타내는 개략 상면도이다. 본 실시의 형태의 병렬형의 탄성파 필터는, 실시의 형태 2의 병렬형의 탄성파 필터에 대해서, 도 7에 도시하는 바와같이, 제1의 입출력 단자(30)와 제2의 입출력 단자(31)의 사이에 커패시턴스 성분(51)을 개재시키고 있다.
즉, 제1의 평형 신호 단자(23)와 제3의 평형 신호 단자(27)를 제1의 접속점(46)에 접속한다. 제2의 평형 신호 단자(24)와 제4의 평형 신호 단자(28)를 제2의 접속점(47)에 접속한다. 제1의 접속점(46)과 제3의 평형 신호 단자(27)를 제1의 배선(48)에 의해 접속한다. 제2의 접속점(47)과 제2의 평형 신호 단자(24)를 제2의 배선(49)에 의해 접속한다.
도 7에 나타내는 구성은, 예를 들면, 도 8, 도 9에 구체적으로 나타내는 바와같이 하여 얻어진다. 도 8은 도 7의 구체적인 구성 상면도이고, 도 9는 그 주요부 사시도이다. 즉, 제1의 배선(48)과 제2의 배선(49)을 압전 기판(21) 상에서 교차시킨다. 제1의 배선(48)과 제2의 배선(49)의 사이에는는 유전체막(50)을 형성한다. 그 구성에 의해, 도 7에 나타내는 바와같이 제1의 입출력 단자(30)와 제2의 입출력 단자(31)의 사이에는 커패시턴스 성분(51)을 개재시킬 수 있다.
이러한 구성으로 함으로써, 제1의 입출력 단자(30)와 제2의 입출력 단자(31)로부터 본 임피던스를 정합시킬 수 있다.
또한, 유전체막(50)으로는 산화규소를 이용하는 것이 바람직하다. 산화규소막은 저온으로 제조할 수 있으므로, 소자에의 손상을 회피할 수 있다. 이와 함께, 정밀도 좋게, 막질이 좋고, 두께 제어가 용이한 유전체막(50)을 얻을 수 있다.
또한, 유전체막(50)이 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25) 및 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(29) 중 적어도 한쪽의 상면을 덮는 구성으로 한다. 또한, 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터(25) 및 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터(29) 중 적어도 한쪽에 대한 기능막으로서 작용하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 구체적으로는, 제1의 배선(48)과 제2의 배선(49)의 사이에 개재하는 유전체막(50)에 의해, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5의 IDT 전극(32, 33, 34, 35, 36) 및/또는 제6, 제7, 제8, 제9, 제10의 IDT 전극(37, 38, 39, 40, 41)을 덮는 구성으로 하고 이들 기능막으로서 작용하는 구성으로 한다.
즉, 예를 들면, 이들의 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6, 제7, 제8, 제9, 제10의 IDT 전극(32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41) 상에, 예를 들면, 산화규소 로 이루어지는 기능막을 형성함으로써, IDT 전극의 보호막으로 할 수 있다. 이와 함께, 공진 주파수 부근에 발생하는 불필요한 스퓨리어스를 저감하여, 주파수 온도 특성을 더욱 개선할 수 있다. 이 기능막을, IDT 전극과는 다른 위치에 존재하는 제1의 배선(48)과 제2의 배선(49)의 사이로도 확대하여 형성함으로써, 기능막과 유전체막(50)을 공용화할 수 있어, 생산성을 높게 실현할 수 있다.
또한, 압전 기판으로서 LiTaO3를 이용한 경우 등은, 공진 주파수 부근에 발생하는 불필요한 스퓨리어스가 작기 때문에, 가공성이 좋은 폴리이미드 등의 수지계 재료를 이용하여, 기능막과 유전체막(50)을 공용화할 수 있다.
(실시의 형태 4)
도 10은, 본 발명의 실시의 형태 4에 있어서의 병렬형의 탄성파 필터를 나타내는 개략 상면도이다. 본 실시의 형태의 병렬형의 탄성파 필터는, 실시의 형태 2의 병렬형의 탄성파 필터에 대해서, 도 10에 나타내는 바와같이, 제1의 입출력 단자(30)와 제2의 입출력 단자(31)의 사이에 인덕턴스 성분(52)을 개재시키고 있다.
예를 들면, 제1의 입출력 단자(30)와 제2의 입출력 단자(31)의 사이에, 양단이 전기적으로 접속되도록 적층 인덕터나 박막 인덕터를 설치함으로써, 인덕턴스 성분(52)을 개재시킨다.
제1의 입출력 단자(30)와 제2의 입출력 단자(31)의 사이에 인덕턴스 성분(52)을 개재시킴으로써, 이 인덕턴스 성분(52)에 의해 임피던스 정합을 도모할 수 있다. 이 때문에, 임피던스 정합을 취하기 위해서 필요한 커패시턴스값을 저감 시킬 수 있다. 그 결과, 도 8, 도 9에 도시한 제1의 배선(48)과 제2의 배선(49)의 교차 면적을 작게할 수 있어, 필터의 소형화를 실현할 수 있다.
(실시의 형태 5)
이하, 본 발명의 실시의 형태 5에 있어서의 듀플렉서에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 11은, 본 실시의 형태에 있어서의 듀플렉서를 나타내는 전기 회로도이다.
도 11에 도시하는 바와같이, 본 실시의 형태에 있어서의 듀플렉서(56)는, 송신용 탄성파 필터(53)와, 수신용 탄성파 필터(54)와, 이들 송신용 탄성파 필터(53), 수신용 탄성파 필터(54)에 전기적으로 접속되는 이상 회로(55)를 가진다. 본 실시의 형태에 있어서의 수신용 탄성파 필터(54)는, 실시의 형태 2에 있어서 설명한 병렬형의 탄성파 필터를 이용하여 구성했다.
도 12에 이 듀플렉서(56)를 이용한 WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access)용 안테나 공용기의 통과 특성을 나타낸다. 도 12는 송신 통과 대역(PB1)에 대한 송신 통과 특성(801)과, 수신 통과 대역(PB2)에 대한 수신 통과 특성(802)을 나타내고 있다. 도 12로부터, 수신 통과 대역(PB2) 내(2. 11GHz∼2.17GHz)에 있어서, 약 －2.1dB로 양호한 삽입 손실을 실현하고 있는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 실시의 형태 2에 있어서 설명한 병렬형의 탄성파 필터를, 수신용 탄성파 필터(54) 및 송신용 탄성파 필터(53)의 적어도 한쪽으로서 이용함으로써, 저삽입 손실인 듀플렉서(56)를 얻는 것이 가능해진다.
(실시의 형태 6)
도 13은 본 발명의 실시의 형태 6에 있어서의 전자 기기를 나타내는 구성도이다. 본 실시의 형태에서는, 전자기기로서 휴대 전화(90)의 구성을 나타내고 있다. 즉, 도 13에 있어서, 안테나(91)로 수신한 2.0GHz의 수신 신호는, 듀플렉서(92)에서 수신측으로 나뉘고, 로우 노이즈 앰프(93)를 통하여 제1단의 탄성파 필터(94)로 보내진다. 탄성파 필터(94)에서 노이즈가 제거된 신호는, 믹서(95)에서 주파수가 130MHz로 저감되어, 제2단의 탄성파 필터(96)로 보내진다. 탄성파 필터(96)에서 저손실 신호가 취출되고, 복조 회로(97)를 통하여 스피커(98)로부터 음성 신호를 들을 수 있다.
한편, 마이크(99)로 발한 음성은, AD 컨버터(100)에서 디지털 신호로 변환되어, 변조기(101)에서 위상 변조되어 믹서(102)에 입력된다. 믹서(102)에서 주파수를 높게 한 신호는 탄성파 필터(103)에 입력된다. 탄성파 필터(103)에서 잡음이 컷된 신호는, 파워 앰프(104) 및 듀플렉서(92)를 통하여 안테나(91)로부터 2.0GHz의 송신 신호로서 송신된다.
이와 같이, 예를 들면, 휴대전화(90)의 탄성파 필터(92, 94, 96, 103)에, 실시의 형태 2에서 설명한 병렬형의 탄성파 필터를 이용함으로써, 저손실의 휴대전화(90)를 얻을 수 있다. 즉, 휴대전화(90)의 듣기 편안함의 품질 향상을 도모할 수 있다.
<산업상의 이용 가능성>
본 발명은, 대역 고역 부분의 스퓨리어스의 발생을 억제하고, 삽입 손실 열화를 저감시킬 수 있는 효과를 가지고, 휴대전화 등의 각종 전자 기기에 있어서 유용하다.
12 : 불평형 신호 단자 13A, 32 : 제1의 IDT 전극
13B, 33 : 제2의 IDT 전극 13C, 34 : 제3의 IDT 전극
13D, 35 : 제4의 IDT 전극 13E, 36 : 제5의 IDT 전극
14A, 23 : 제1의 평형 신호 단자 14B, 24 : 제2의 평형 신호 단자
21 : 압전 기판 22 : 제1의 불평형 신호 단자
25 : 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터
26 : 제2의 불평형 신호 단자 27: 제3의 평형 신호 단자
28: 제4의 평형 신호 단자
29 : 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터
30 : 제1의 입출력 단자 31 : 제2의 입출력 단자
37 : 제6의 IDT 전극 38 : 제7의 IDT 전극
39 : 제8의 IDT 전극 40 : 제9의 IDT 전극
41 : 제10의 IDT 전극 42, 43, 44, 45 : 반사기
46 : 제1의 접속점 47 : 제2의 접속점
48 : 제1의 배선 49 : 제2의 배선
50 : 유전체막 51 : 커패시턴스 성분
52 : 인덕턴스 성분 53 : 송신용 탄성파 필터
54 : 수신용 탄성파 필터 55 : 이상 회로
56 : 듀플렉서 90 : 휴대전화
91 : 안테나 92 : 분파기
93 : 로우 노이즈 앰프 94, 96, 103 : 탄성파 필터
95, 102 : 믹서 97 : 복조 회로
98 : 스피커 99 : 마이크
100 : AD 컨버터 101 : 변조기
104 : 파워 앰프

Claims (20)

  1. 불평형 신호 단자와,
    상기 불평형 신호 단자에 배선 전극이 전기적으로 접속된 제1의 IDT 전극, 제2의 IDT 전극, 및 제3의 IDT 전극과,
    상기 제1의 IDT 전극 및 상기 제2의 IDT 전극의 사이에 설치된 제4의 IDT 전극과,
    상기 제2의 IDT 전극 및 상기 제3의 IDT 전극의 사이에 설치된 제5의 IDT 전극과,
    상기 제4의 IDT 전극의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제1의 평형 신호 단자와,
    상기 제5의 IDT 전극의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제2의 평형 신호 단자를 구비하고,
    상기 제1의 IDT 전극, 상기 제2의 IDT 전극, 상기 제3의 IDT 전극, 상기 제4의 IDT 전극, 및 상기 제5의 IDT 전극의 각각의 접지 전극은 그라운드에 전기적으로 접속되어 있고,
    상기 불평형 신호 단자로부터 입력되는 신호와 역위상의 신호가 상기 제1의 평형 신호 단자로부터 출력되고,
    상기 불평형 신호 단자로부터 입력되는 신호와 동위상의 신호가 상기 제2의 평형 신호 단자로부터 출력되고,
    상기 제2의 IDT 전극 및 상기 제3의 IDT 전극의 각각의 배선 전극과 상기 제5의 IDT 전극의 접지 전극이 인접하고,
    상기 제1의 IDT 전극 및 상기 제2의 IDT 전극 중의 한쪽의 배선 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 배선 전극이 인접하고,
    상기 제1의 IDT 전극 및 상기 제2의 IDT 전극 중의 다른쪽의 접지 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 접지 전극이 인접해 있는 탄성파 필터.
  2. 불평형 신호 단자와,
    상기 불평형 신호 단자에 배선 전극이 전기적으로 접속된 제1의 IDT 전극, 제2의 IDT 전극, 및 제3의 IDT 전극과,
    상기 제1의 IDT 전극 및 상기 제2의 IDT 전극의 사이에 설치된 제4의 IDT 전극과,
    상기 제2의 IDT 전극 및 상기 제3의 IDT 전극의 사이에 설치된 제5의 IDT 전극과,
    상기 제4의 IDT 전극의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제1의 평형 신호 단자와,
    상기 제5의 IDT 전극의 배선 전극에 전기적으로 접속된 제2의 평형 신호 단자를 구비하고,
    상기 제1의 IDT 전극, 상기 제2의 IDT 전극, 상기 제3의 IDT 전극, 상기 제4의 IDT 전극, 및 상기 제5의 IDT 전극의 각각의 접지 전극은 그라운드에 전기적으로 접속되어 있고,
    상기 불평형 신호 단자로부터 입력되는 신호와 역위상의 신호가 상기 제1의 평형 신호 단자로부터 출력되고,
    상기 불평형 신호 단자로부터 입력되는 신호와 동위상의 신호가 상기 제2의 평형 신호 단자로부터 출력되고,
    상기 제2의 IDT 전극 및 상기 제3의 IDT 전극의 각각의 접지 전극과 상기 제5의 IDT 전극의 배선 전극이 인접하고,
    상기 제1의 IDT 전극 및 상기 제2의 IDT 전극 중의 한쪽의 배선 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 배선 전극이 인접하고,
    상기 제1의 IDT 전극 및 상기 제2의 IDT 전극 중의 다른쪽의 접지 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 접지 전극이 인접해 있는 탄성파 필터.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2의 IDT 전극은 홀수개의 전극 핑거(finger)를 가지고,
    상기 제1의 IDT 전극의 접지 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 접지 전극이 인접함과 더불어,
    상기 제4의 IDT 전극의 배선 전극과 상기 제2의 IDT 전극의 배선 전극이 인접하는 탄성파 필터.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2의 IDT 전극은 홀수개의 전극 핑거를 가지고,
    상기 제1의 IDT 전극의 접지 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 접지 전극이 인접함과 더불어,
    상기 제4의 IDT 전극의 접지 전극과 상기 제2의 IDT 전극의 접지 전극이 인접하는 탄성파 필터.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 제1의 IDT 전극, 상기 제2의 IDT 전극, 상기 제3의 IDT 전극, 상기 제4의 IDT 전극, 및 상기 제5의 IDT 전극의 각각에 존재하는 전극 핑거의 피치 간격에 대해서,
    상기 제2의 IDT 전극에 있어서의 중심선에 대해서, 한쪽측에 존재하는 상기 피치 간격과 다른쪽측에 존재하는 상기 피치 간격이 비대칭인 탄성파 필터.
  6. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 제1의 IDT 전극, 상기 제2의 IDT 전극, 상기 제3의 IDT 전극, 상기 제4의 IDT 전극, 상기 제5의 IDT 전극의 각각에 존재하는 전극 핑거의 피치 간격의 피치 그라데이션에 대해서,
    상기 제2의 IDT 전극에 있어서의 중심선에 대해서, 한쪽측에 존재하는 상기 피치 그라데이션과,
    다른쪽측에 존재하는 상기 피치 그라데이션이 비대칭인 탄성파 필터.
  7. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 제1의 IDT 전극과 상기 제4의 IDT 전극의 간격,
    및 상기 제4의 IDT 전극과 상기 제2의 IDT 전극의 간격 중 적어도 한쪽이,
    상기 제2의 IDT 전극과 상기 제5의 IDT 전극의 간격,
    및 상기 제5의 IDT 전극과 상기 제3의 IDT 전극의 간격 중 적어도 한쪽과 상이한 탄성파 필터.
  8. 제1의 불평형 신호 단자와 제1의 평형 신호 단자와 제2의 평형 신호 단자를 가지는 제1의 종결합형 탄성파 필터와,
    제2의 불평형 신호 단자와 제3의 평형 신호 단자와 제4의 평형 신호 단자를 가지는 제2의 종결합형 탄성파 필터를 구비하고,
    상기 제1의 불평형 신호 단자와 상기 제2의 불평형 신호 단자가 전기적으로 접속되고,
    상기 제1의 평형 신호 단자와 상기 제3의 평형 신호 단자가 제1의 입출력 단자에 전기적으로 접속되고,
    상기 제2의 평형 신호 단자와 상기 제4의 평형 신호 단자가 제2의 입출력 단자에 전기적으로 접속된 탄성파 필터.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1의 평형 신호 단자와 상기 제2의 평형 신호 단자는 서로 역상의 신호를 출력함과 더불어, 상기 제3의 평형 신호 단자와 상기 제4의 평형 신호 단자는 서로 역상의 신호를 출력하는 탄성파 필터.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1의 평형 신호 단자와 상기 제3의 평형 신호 단자는 서로 동상의 신호를 출력함과 더불어, 상기 제2의 평형 신호 단자와 상기 제4의 평형 신호 단자는 서로 동상의 신호를 출력하는 탄성파 필터.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1의 종결합형 탄성파 필터 및 상기 제2의 종결합형 탄성파 필터는, 각각 동수(同數)의 IDT 전극을 가지고, 상기 제1의 종결합형 탄성파 필터가 가지는 상기 각 IDT 전극의 최외단의 전극 핑거의 극성은, 상기 제2의 종결합형 탄성파 필터가 가지는 상기 각 IDT 전극의 최외단의 전극 핑거의 극성과 동일한 탄성파 필터.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1의 종결합형 탄성파 필터가 가지는 상기 각 IDT 전극의 교차폭은, 상기 제2의 종결합형 탄성파 필터가 가지는 상기 각 IDT 전극의 교차폭보다도 큰 탄성파 필터.
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1의 입출력 단자와 상기 제2의 입출력 단자의 사이에 커패시턴스 성분을 개재시킨 탄성파 필터.
  14. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1의 평형 신호 단자와 상기 제3의 평형 신호 단자가 제1의 접속점에서 접속되고,
    상기 제2의 평형 신호 단자와 상기 제4의 평형 신호 단자가 제2의 접속점에서 접속되고,
    상기 제1의 접속점과 상기 제3의 평형 신호 단자가 제1의 배선에 의해 접속되고,
    상기 제2의 접속점과 상기 제2의 평형 신호 단자가 제2의 배선에 의해 접속되고,
    상기 제1의 배선과 상기 제2의 배선을 교차시킴과 더불어, 상기 제1의 배선과 상기 제2의 배선의 사이에는 유전체막을 개재시킨 탄성파 필터.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 유전체막은 산화규소를 이용하여 형성한 탄성파 필터.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 유전체막이, 상기 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터 및 상기 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터 중 적어도 한쪽의 상면을 덮음과 더불어, 상기 제1의 종결합 공진자형 탄성파 필터 및 상기 제2의 종결합 공진자형 탄성파 필터중 적어도 한쪽에 대한 기능막으로서 작용하는 탄성파 필터.
  17. 청구항 14에 있어서,
    상기 유전체막은 수지계 재료를 이용하여 형성한 탄성파 필터.
  18. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1의 입출력 단자와 상기 제2의 입출력 단자의 사이에 인덕턴스 성분을 개재시킨 탄성파 필터.
  19. 청구항 8에 기재된 탄성파 필터를 이용한 듀플렉서.
  20. 청구항 8에 기재된 탄성파 필터를 이용한 전자 기기.
KR1020107020287A 2008-03-14 2009-03-04 탄성파 필터 및 이를 이용한 듀플렉서 및 전자 기기 KR20100130602A (ko)

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