常规磁盘驱动器一般被认为是将数据存储于至少一个具有同心数据道的旋转磁介质(或盘)上的信息存储设备。常规盘驱动器包括一个在其上安装盘的轴,一个当驱动器运转时用于转动盘的轴电机,一个或更多个完成数据的实际读和写操作的读/写头,一个将读/写头在盘上定位的第二电机,以及使读/写操作同步化和将信息传送至/自计算机或数据处理系统的控制电路。读/写头可包括一个用于在不同道上读和写数据的磁传感器(也称为读/写传感器)。读/写传感器通常安装在或整体地形成在空气轴承滑块上。在驱动器的读写操作期间,空气轴承滑块在记录介质上方邻近数据道处支撑读/写传感器。
在磁记录技术中,经常希望改善可以记录并能可靠地读取信息的面积密度。限制磁盘驱动器记录密度的一个因素是读/写传感器与磁介质间的距离。此距离常称为空气轴承滑块的“飞越高度”。当增大磁介质的面积密度时,要求有更小的飞越高度以使读/写传感器能将自磁介质上相隔很近区域发出的磁场区别开。因此空气轴承滑块通常设计成在避免空气轴承滑块与磁介质发生物理碰撞的同时使该滑块飞越时尽可能地靠近磁介质。
知道有不同因素影响空气轴承滑块的飞越高度。例如,当传动器臂径向地越过盘以访问不同数据道时会影响空气轴承滑块的飞越高度。这是由于在盘的内径(ID)和外径(OD)之间的不同半径处的盘线速度不同而引起的。此外,由于空气轴承滑块的歪斜,滚动和隆起,空气轴承滑块的飞越高度可能会变化。空气轴承滑块的海拔高度灵敏度也会影响飞越高度。当海拔高度增加时,对应于大气压力的减小,飞越高度也减小。此外,由于制造公差引起的空气轴承滑块的物理性能的不同也会影响飞越高度。例如,用于形成不同表面的掩模的不对准性也会改变空气轴承滑块的物理性能。
如图1中所示,现有技术空气轴承滑块是一个负压空气轴承滑块,它具有由两步蚀刻过程所形成的两个蚀刻深度。图1所阐述的空气轴承滑块100具有一个支撑结构140(也称为滑块体),一个包括前导台阶区120和后继台阶区121的第一蚀刻面,一个包括负压区150的第二蚀刻面,以及一个包括前导垫130和131和后继垫132的空气轴承面。每个蚀刻面深度是相对于空气轴承滑块100的空气轴承面测量的。
前导台阶区120和后继台阶区121由第一次蚀刻所形成,因此称为第一蚀刻面。第一次蚀刻可以是一次约为0.11微米的浅蚀刻。前导台阶区120具有两条侧道,它们在滑块体140的前导边141处联在一起并向滑块体140的后继边142延伸。
由前导台阶区120的两条侧道所划定的口袋区称为负压区150并由第二次蚀刻所形成。第二次蚀刻在0.5微米与5.0微米间任何值处都可优化以使空气轴承滑块100的海拔高度灵敏度最小化。通常第二蚀刻深度被认为是第一蚀刻深度加上一个增量值以使被定义为第二蚀刻面的区域实际上在第一和第二蚀刻步骤中都被蚀刻。虽然此现有技术方案减少了空气轴承滑块100的海拔高度灵敏度,但它并不减少也还会影响飞越高度的空气轴承滑块100的掩模不对准性灵敏度。
另一个现有技术方案使用三步蚀刻过程以形成三个蚀刻面。图2A-2B阐述一个三蚀刻深度空气轴承滑块。根据图2A-2B,空气轴承滑块包括四个横压等高(TPC)垫222和一个负压垫226、TPC垫222由面234所划定以产生一个空气轴承效应,基本上为U状的TPC段228包括沿面234的每条侧边236形成的定深度台阶和沿前导边238的定深度台阶,从而形成一个渐缩压气进口232。因此TPC垫222的空气轴承等高线由在两个不同蚀刻步骤中形成的略微偏斜的两个平行面所划定的。
负压垫226由一个包含在后继端225处开口的凹槽240的基本上平的表面所划定。负压垫226也可包括一个或更多个其高度约等于面234高度的轴承面242和TPC垫222以产生气轴承效应。凹槽240沿后继边241处是开口的,也即基本上是环境压力。
环境压力存放器230划定一个空穴244,它具有足够的深度和结构以便在盘移动时在空穴内基本上保持环境压力。此外,环境压力存放器230包括一个沿前导边223的不渐缩的(无台阶,不凸出)入口以防止入口气体压缩时产生气轴承效应。
为保证空穴244能形成一个环境压力存放器230,空穴240必须蚀刻得足够深以保证环境压力。根据此滑块设计,用于形成U状TPC段228和凹槽240的蚀刻步骤,不论是单独的还是组合的步骤,都不是深得足以形成空穴244。因此图2A-2B中所示现有技术设计需要三个蚀刻步骤以形成三个蚀刻面。此滑块设计的一个缺点是用三步蚀刻过程制造的空气轴承滑块比用两步蚀刻过程制造的相同滑块的制造费用更贵。
希望提供一种能维持相对地均匀飞越高度的空气轴承滑块。
还希望提供一种能用两步蚀刻过程制造的三蚀刻深度滑块。
此外,希望提供一种对在形成空气轴承面时的掩模不对准性不太灵敏的空气轴承滑块。
在一个实施例中空气轴承滑块是一种具有三个蚀刻深度的负压空气轴承滑块。该三个蚀刻深度用于减少或基本上消除制造过程中沿空气轴承滑块横轴方向的空气轴承滑块的掩模不对准性灵敏度。设计一种对掩模不对准性不太灵敏的空气轴承滑块后,掩模不对准性对于空气轴承滑块飞越高度的影响就会减弱。本发明的一个实施例的明显优点是可以执行一个双步蚀刻过程形成三个蚀刻深度。
图3阐述一个可包括本发明的空气轴承滑块的盘驱动器300的分解透视图。盘驱动器300包括一个外壳312和一个外壳罩314,它们装配后安装在框架316中。一个转轴322装在外壳312内。若干盘324可旋转地固定在转轴322上。在实施例中,八个盘324空间相距地固定在转轴322上。盘324围绕转轴322旋转,而转轴322由电机(未示出)带动。滑块326所支撑的头或磁传感器(未示出)用于向盘324上写或自盘324读信息。滑块326通常固定至悬架或装载弹簧328上,而后者又固定于E块或梳架332上的单独臂330上。E块或梳架332固定于传动器臂组件336的一端。传动器臂组件336可旋转地固定于外壳312内的传动器轴338上。在另外的实施例中可用其它盘驱动器结构。
空气轴承滑块的不同实施例具有如图4-6中所示三个蚀刻深度。对于下面描述的不同实施例,第一蚀刻深度是约为0.1至0.2微米的浅蚀刻;第二蚀刻深度在0.5微米至5.0微米的范围内;及第三蚀刻深度是第一和第二蚀刻深度之和。在另外的实施例中,如果第三蚀刻深度与第一和第二蚀刻深度之间存在着特定关系(例如第三蚀刻深度等于第一和第二蚀刻深度之和),则第一和第二蚀刻深度可与以上所描述的值不同。以此方式形成第三蚀刻深度时,这些实施例的空气轴承滑块只需要一个两步蚀刻过程。使用两步蚀刻过程制造三蚀刻深度空气轴承滑块的一个显著优点是在保持两步蚀刻过程制造费用的同时可使用该第三蚀刻深度提高空气轴承滑块结构的不同性能。
如果蚀刻面中至少一个面是由用于形成其它蚀刻面的两个蚀刻步骤的组合所形成的,则本发明的空气轴承滑块的另外的实施例可以包括多于三个蚀刻面。因此,空气轴承滑块结构可具有由于蚀刻面数量的增加而带来的优点而不必承担另一蚀刻步骤的附加费用。例如,一个实施例可包括一个空气轴承滑块,它具有四个蚀刻面而只需要三步蚀刻过程。
图4A-C阐述本发明的现有空气轴承滑块的一个实施例。图4B是具有一个滑块体440的空气轴承滑块400的顶视图,该滑块体440具有一条前导边441,一条后继边442和两条侧边443和444。空气轴承滑块400包括由两步蚀刻过程所形成的三个蚀刻面。这三个蚀刻面具有相对于空气轴承面的蚀刻深度。
根据图4B,第一蚀刻面(具有第一蚀刻深度)包括一个前导台阶区420和后继台阶区421和422;第二蚀刻面(具有第二蚀刻深度)包括侧台阶区461和462;第三蚀刻面(具有第三蚀刻深度)包括滑块体440的负压区450和侧区451和452;及空气轴承面包括前导垫430和431及后继垫432。每个蚀刻的面是相对于空气轴承面而蚀刻的并且是基本上平的面。
前导台阶区420和后继台阶区421由第一次蚀刻形成,因此称为第一蚀刻面。该浅的第一蚀刻深度可能随文件环境和滑块尺寸不同而不同。前导台阶区420可以具有两条侧道410和411,它们在滑块体440的前导边441处由交叉道412连在一起并向着滑块体440的后继边442方向延伸。前导台阶区420的角可以是基本上方的角,基本上圆的角或圆和方角的组合。在图4B所示实施例中,前导垫430和431位于由前导台阶面420所形成的第一蚀刻面上。
后继台阶区421基本上靠近后继垫432的前导边及后继台阶区422基本上靠近后继垫432的后继边。因此后继垫432位于由后继台阶区421和422形成的第一蚀刻面上。
在一个实施例内,前导垫430和431具有基本上矩形形状并离前导台阶区420的外侧边一个预定距离。后继垫432具有图4B中所示八角形状。按照图4B,后继垫432具有一个瓶颈区,在该处后继垫432的前导边宽度变窄以使后继垫432的后继边宽度足够小从而使元件(如传感器)飞越高度与空气轴承滑块400的最小飞越高度之间的最小飞越高度容差减小或优化。在另外的实施例中,前导和后继垫430-432的形状可以不同,前导和后继垫430-432的数量也可能不同。例如,另一个实施例可能有一个前导垫和两个后继垫,或在又一个实施例中有两个前导垫和两个后继垫。此外,前导垫可以在靠近前导台阶区420的外侧边处形成。垫的几体形状一般设计为使最小飞越高度和最小飞越高度分布优化。
空气轴承滑块400还包括一对侧台阶区461和462。在另外的实施例中,空气轴承滑块可包括两对或更多对侧台阶区。在图4B中所示实施例中,侧台阶面461和462基本上靠近后继垫432的外侧边。侧台阶面461和462可以自后继垫432的外侧边延伸一较短距离,或者可以一直延伸至滑块体440的侧边443和444。
对于常规空气轴承滑块而言,围绕或靠近用于形成空气轴承面的垫的台阶形的或渐缩形的区域提供必要的压缩以便在垫上建立起必要的压力从而使空气轴承滑块在盘上以最小飞越高度飞越。此外,垫的几何形状设计为使空气轴承滑块的性能(例如飞行高度)优化。对于许多常规空气轴承滑块,当在不同蚀刻步骤中用于形成后继垫的掩模没有对准时,将会对空气轴承滑块的飞越高度有不良影响。
图4B中所示实施例提供侧台阶区461和462从而减少空气轴承滑块400对掩模不对准性的灵敏度。与后继垫432的外侧边靠近的侧台阶区461和462在后继垫边缘处形成的台阶面比在后继垫432的前导边处由后继台阶区421所形成的台阶更深些。因此,后继垫432只依靠后继台阶区421而不依靠侧台阶区461和462以实现压力化。因此在不同蚀刻步骤期间当由于掩模未对准而使后继垫432侧边有些偏离正常(或设计)值时,对空气轴承滑块400飞越高度的影响极小。换言之,侧台阶区461和462用于使与横向掩模不对准性(也即沿滑块体440横轴的掩模不对准性)有关的影响最小化。
在另一个实施例中,侧台阶面不必靠近后继垫432,而可以位于滑块体440上前导台阶区420和后继台阶区421和422以外的任何位置。此外,另一个实施例可能包括多于两个侧台阶面(例如四个六个等)。
由前导台阶区420的侧道410和411所划定的口袋区称为负压区450,由第一和第二蚀刻步骤的组合所形成。滑块体440的侧区451和452也由第一和第二蚀刻步骤的组合所形成。因此在一个实施例中滑块体440的负压区450和侧区451和452的深度等于第一和第二蚀刻深度之和。此深度称为第三蚀刻深度。
图4A阐述空气轴承滑块400在线401处的剖面图。前导垫430和431形成一个空气轴承面,前导台阶区420的交叉道412形成一个具有第一蚀刻深度的第一蚀刻面,及滑块体440的侧区451和452形成具有第三蚀刻深度的第三蚀刻面。
图4C阐述空气轴承滑块400在线402处的剖面图。后继垫432形成一个空气轴承面,侧台阶面461和462形成第二蚀刻面,及滑块体440的侧区451和452形成第三蚀刻面。
图5A-B阐述空气轴承滑块的另一个实施例。图5B是一个具有滑块体540的空气轴承滑块500的顶视图,滑块体540具有一条前导边541,一条后继边542和两条侧边543和544。该空气轴承滑块500还包括由两步蚀刻过程所形成的三个蚀刻面。每个蚀刻面相对于空气轴承面被蚀刻,并且是基本上平的面。
按照图5B,第一蚀刻面(具有第一蚀刻深度)包括一个前导台阶区520和一个后继台阶区521;第二蚀刻面(具有第二蚀刻深度)包括侧台阶区561和562;第三蚀刻面(具有第三蚀刻深度)包括一个负压区550和侧区551和552;以及空气轴承面包括前导垫530和531及后继垫532。
前导台阶区520可具有两条侧道510和511,侧道510和511由交叉道512在滑块体540的前导边541处连在一起并向滑块体540的后继边542的方向延伸。虽然前导台阶区520的角一般是圆的,但另外实施例可具有基本上方的角。在图5B中所示实施例中,前导垫530和531位于前导台阶面520的第一蚀刻面上。后继台阶区521靠近后继边542处的角被打圆以便在装/卸盘时避免或减少由于空气轴承滑块对盘撞击而将盘损伤的可能性。在另外的实施例中后继台阶区521的后继角可以不打圆。
后继台阶区521基本上靠近后继垫532的所有边。换言之,后继垫532位于后继台阶区521的第一蚀刻面上。
虽然前导垫530和531的形状基本上是矩形,但另外的实施例可设计为具有其它形状。此外,在另外的实施例中前导和后继垫的数量可以不同。类似于图4B中所示后继垫432,后继垫532也包括一个瓶颈区以使其前导边处的后继垫532宽度大于其后继边处的后继垫532宽度。后继垫532的后继边处宽度被优化以获得最小飞越高度容差。
侧台阶面561和562基本上分别与前导垫530和531的外侧边相靠近。在一个实施例中侧台阶面561和562的长度分别沿着前导垫530和531的整条侧边或外侧边延伸,及侧台阶区561和562的宽度可一直向滑块体540的侧边543和544延伸。在图5B中所示实施例中,侧台阶区561和562足够宽以使侧台阶区561和562的外边与前导垫531和530的外侧边之间形成的角度θ约为9度。在另外的实施例中角度θ可小于或大于9度。角度θ相当于第二深度除以对应的侧台阶区宽度后的反切θ=Tan-1(第二深度/宽度)。角度θ示于图5A中。
图5阐述空气轴承滑块500在线501处的剖面图。前导垫530和531形成一个空气轴承面,前导台阶区520的交叉道512形成具有第一蚀刻深度的第一蚀刻面,侧台阶区561和562形成具有第二蚀刻深度的第二蚀刻面,及滑块体540的侧区551和552形成具有第三蚀刻深度的第三蚀刻面。
因为前导垫530和531形成于基本上靠近前导台阶面520的外侧边处,如果前导垫530和531的外边与前导台阶区520的外边没有精确地对准,则空气轴承滑块500的飞越高度将受到不良影响。如果用于形成前导垫530和531的掩模没有沿着滑块体540的横轴合适地对准(也称为横向掩模不对准性),则会出现此情况。图5B中所示空气轴承结构能减小空气轴承滑块500对横向掩模不对准性的灵敏度。因此具有侧台阶区561和562的空气轴承滑块500的总的飞越高度性能比没有侧台阶区的空气轴承滑块性能好。
图6A-B阐述空气轴承滑块的另一实施例。图6B是具有滑块体640的空气轴承滑块600的顶视图,该滑块体640具有一条前导边641,一条后继边642和两条侧边643和644。空气轴承滑块600还包括由两步蚀刻过程所形成的三个蚀刻面。每个蚀刻面相对于空气轴承面被蚀刻并且是基本上平的面。
按照图6B,第一蚀刻面(具有第一深度)包括一个前导台阶区620和一个后继台阶区621;第二蚀刻面(具有第二深度)包括侧台阶区661,662,663和664;第三蚀刻面(具有第三深度)包括一个负压区650和侧区651和652;以及空气轴承面包括前导垫630和631及后继垫532。
前导台阶区620可具有两条侧道610和611,侧道610和611由交叉道612在滑块体640的前导边641处连在一起并向着滑块体640的后继边642方向延伸。前导台阶区620的角基本上是方的,但在另外的实施例中也可是圆的。前导垫630和631位于前导台阶区620的第一蚀刻面上。
后继台阶区521和后继垫532类似于图5B中所示后结构,因此此处不再详细讨论。
前导垫630和631基本上是矩形的,但在另外的实施例中可以有不同形状。在图6B中所示实施例中,负压区650伸入到在侧台阶区663和664及交叉道612之间形成的口袋区651中。因此图6B中所示负压区650一般大于图5B中所示负压区550。口袋区651可以通过增大负压区650面积而改善空气轴承滑块600的海拔高度灵敏度,因而改善空气轴承滑块600的最小飞越高度。
侧台阶面661和662基本上分别靠近前导垫631和630的外侧边,及侧台阶区663和664基本上分别靠近前导垫631和630的内侧边。在此实施例中,侧台阶区661-664的长度沿着前导垫631和630的整个长度延伸。侧台阶区661和662的宽度可以一直向着滑块体640的侧边643和644延伸。类似于图5B中所示实施例,侧台阶区661和662足够宽以使在侧台阶区661和662的外边与前导垫631和630的外侧边之间形成的角度θ约为9度。在另外的实施例中角度θ可小于或大于9度。侧台阶区663和664的宽度可延伸通过整个口袋区651。通过形成两对侧台阶区,图6B中所示实施例具有比图5B中所示实施例更为对称的结构,这通常减少空气轴承滑块的滚动量。此外,空气轴承滑块600对横向掩摸不对准性的灵敏度也减小了、
图7阐述了空气轴承滑块的又一个实施例的顶视图。空气轴承滑块700类似于空气轴承滑块400,其不同处是前导台阶区420的前导边处的圆角480和481以及多加了两个后继角区470和471。后继角区470和471在第一蚀刻深度处具有基本平的面。在一个实施中,包括前导台阶区420和后继角区470和471的第一蚀刻面用离子铣技术蚀刻。此外,包括侧台阶区461和462的第二蚀刻面用反应离子蚀刻法蚀刻以及包括负压区450及侧区451和452的第三蚀刻面用离子铣技术和反应离子蚀刻法的组合蚀刻。通常用反应离子蚀刻法形成的第二和第三蚀刻面较用离子铣技术形成的第一蚀刻面粗糙。因此第一蚀刻面的相对的平滑面与圆角480和481及后继角区470和471的外圆角一起可在装上或卸下空气轴承滑块700时使由于空气轴承滑块700的角与盘的接触(即盘碰撞)而造成的损伤减至最小。
通常以上描述的不同实施例的滑块体由碳化钛(Tic)和矾土(Al2O3)的常规瓷混合物制成。虽然本发明的空气轴承滑块一般是成排地处理然后切成个别滑块的,但现只对一个单个滑块描述用于形成不同蚀刻面的方法。
图8的流程图用于描述一种为图4-7中所示实施例使用两步蚀刻过程形成三个蚀刻面的方法。在步801处,在滑块体上淀积一层第一光刻胶层而形成空气轴承滑块。该光刻胶层可以是Riston牌的聚异丁烯酸甲酯(PMMA)。在步802处,第一光刻胶层通过第一掩模曝光,该第一掩模划定一个对应于待蚀刻的第一和第三深度的区域的图形。在图4-7中所示实施例中,前导台阶区和后继台阶区蚀刻至第一深度,及负压区和侧区应蚀刻至第三深度。一旦第一光刻胶层通过第一掩模曝光后,在滑块体上形成一个图形,将前导和后继台阶区,负压区和侧区暴露出来。如步803中所示,此暴露区然后用离子铣或其它方法(如反应离子蚀刻或化学蚀刻)蚀刻至所需深度(即第一蚀刻深度)。因此步801-803形成第一蚀刻面和第三蚀刻面的一部分。
步804-806描述用于形成第二蚀刻面和第三蚀刻面的一部分的步骤。第三蚀刻面完全由步801-806的组合形成。在步804处,在滑块体上淀积一层第二光刻胶层而形成空气轴承滑块。其次,在步805处,第二光刻胶层通过第二掩模曝光,该第二掩模划定对应于待蚀刻至第二和第三深度的区域的图形。在图4-7中所示实施例中,侧台阶区应蚀刻至第二深度,而负压区和侧区应蚀刻至第三深度。一旦第二光刻胶层通过第二掩模曝光,即在滑块体上形成一个图形,将侧台阶区,负压区和侧区暴露出来。如步806中所示,此暴露区然后用离子铣或其它方法(例如反应离子蚀刻或化学蚀刻)蚀刻至所需深度(即第二蚀刻深度)。
在以上描述中,参照具体示例性的实施例描述了本发明。然而很明显,可在不背离所附权利要求书中定义的本发明的更广阔的实质和范围的情况下做出对它的不同修改和变动。例如,本发明不限于负压空气轴承滑块结构,具有带着两条侧道和一条交叉道的基本上U状的前导台阶面的滑块结构和带着两个前导垫和一个后继垫的滑块结构。此外,实施例的前(或前导端)结构可与不同其它后(或后继端)结构组合起来。例如空气轴承滑块600的前结构可与空气轴承滑块400的后结构组合起来以形成另一个实施例。因此本说明书和附图被认为是阐述性的而不是限制性的。