CN1185915C - 柔性基板、半导体器件、摄像装置和放射线摄像系统 - Google Patents

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Abstract

柔性基板，包括一端连接外部连接端子的内引线和被覆内引线的薄膜，配置在基板上方的薄膜区域比外部连接端子薄。具有基板、外部连接端子、由内引线和被覆内引线的薄膜构成的柔性基板的器件制造方法，使薄膜距外部连接端子近的尖端和基板对准；粘接薄膜和基板侧壁端部；弯曲内引线连接外部连接端子。具有外部连接端子和柔性基板的基板，柔性基板沿着基板的外部连接面和侧面配置，且外部连接面与侧面之间的棱角被倒棱。

Description

柔性基板、半导体器件、 摄像装置和放射线摄像系统
技术领域
本发明涉及柔性基板、半导体器件、摄像装置、放射线摄像装置和放射线摄像系统，特别是涉及医疗用的X射线摄像装置和工业用的非破坏装置等的柔性基板、放射线摄像装置和放射线摄像系统。
另外，在本说明书中，规定X射线、α射线、β射线、γ射线等的电磁波也包括在放射线的范畴内。
背景技术
以往，在放射线摄像装置，特别是在以医疗为目的的X射线摄像装置中，要求X射线动画的图象品位优良，而且，具有薄型大面积的X射线摄像装置。此外，不仅医疗用，工业用非破坏检查设备等也要求薄型且便宜的大面积X射线摄像装置。
作为这样的X射线摄像装置，例如有使光纤板的厚度具有台阶地使得CCD传感器的非受光部分不产生干涉那样大面积化的X射线摄像装置等。
例如，图14示出了以往人们所熟知的X射线摄像装置的概略性的剖面图。图14示出了由使X射线变换成可见光的闪烁体等构成的荧光体3、把用荧光体3进行变换后的可见光导向摄像元件1一侧的光纤等的光纤板2、和把由光纤板2传送过来的可见光变换成电信号的摄像元件1(基板)。
该X射线摄像装置，虽然未画出来，但是由于在相邻的摄像元件1间设置驱动各个摄像元件1并控制来自各个摄像元件1的电信号的读出的控制装置，故光纤板2被形成为对于摄像元件1设置为倾斜。如果使用这样的光纤板2，由于X射线合在一起向控制装置入射，故可以抑制因X射线入射所产生的噪声。
此外，图15示出了另一种构成的X射线摄像装置的现有技术的概略性的斜视图。另外，在图15中，对于那些与图14同样的部分赋予了同一标号。在图15的X射线摄像装置中，采用改变光纤板2的长度，例如以3个摄像元件为一组对每一组都设置台阶的办法，变成为对各个摄像元件1都设置控制装置。但是，由于取决于荧光体的大小，在有些情况下会向设置在位于周边的摄像元件1上的控制装置入射X射线，故为了防止该入射，就必须在摄像元件的周边设置铅等的X射线屏蔽材料。
但是，在图14所示的X射线摄像装置的情况下，难于进行斜向地切断光纤板2的加工，除此之外由于每一批的处理个数少，故价格升高。此外，当设置倾斜时，在光纤板2的各个光纤中光的传送效率变坏，传感器的灵敏度降低。
再有，图示的光纤板是把2×2块的光纤板2粘贴起来的光纤板，倘使用现有的光纤板2，则100×100mm左右的大小是一个界限。而且，若改变光纤的倾斜作成为3×3等，则在各个摄像元件内的像素之内，比起配置在中央的光纤板来，配置在周边的光纤板这一方光的透过率劣化，在从各个摄像元件输出的信号中会产生不均匀。
另一方面，在图15所示的X射线摄像装置中，归因于X射线摄像装置大型化，或者具备铅等的X射线屏蔽材料而重量化。此外，由于各个台阶部分与摄像元件之间的位置对准精度是严格的，故制造工序增多，而且必须具备高精度的位置对准装置。
于是，图16示出了不会降低X射线摄像装置的灵敏度，适合于大型化、重量化、高价位化的问题，在制造工序中的作业性优良的现有技术的X射线摄像装置的模式性的剖面图。
图16所示的X射线摄像装置，示出了作为使X射线变换成可见光等的可检测波长的光的闪烁体的荧光体(波长变换装置)3；由把用荧光体进行变换后的光导向摄像元件1一侧，同时，含有对用荧光体3未变换净尽的X射线进行屏蔽的屏蔽材料的多个光纤构成的光纤板2；把相邻的光纤板2粘接起来的粘接剂9；把光纤板2和摄像元件1粘接起来的透明粘接剂6；把光变换成电信号的摄像元件1；向外部输出来自摄像元件1的电信号的柔性基板4；把柔性基板4和摄像元件1电连起来的突点5；本身为连接柔性基板4的电荷读出装置的印制基板12；保护荧光体3的由铝等构成的保护薄板8；装载摄像元件1的基底基板10；用来保持基底基板10的基底框体11；基底框体所具备的框体盖9；设置在摄像元件1与光纤板2之间的用来保持恒定间隔的衬垫13；使摄像元件1与外气隔绝的密封树脂15。
在本构成中所示的X射线摄像装置，用把装载有控制电路的印制基板12设置在与入射方向相反一侧的基底基板10的背面这一点，解决了在图14和图15的X射线摄像装置中产生的问题。
因此，为了使印制基板12与摄像元件1电连，要使柔性基板4弯曲地通过多个相邻的摄像元件1间进行连接。
另外，图16所示的X射线摄像装置，采用用透明粘接剂6把用粘接剂7使多个光纤板2粘接起来的光纤板和多个摄像元件1粘贴在一起的办法进行制造。
或者，如图17所示，也可以采用把多个以摄像元件1或光纤板2的大小等为基准的X射线摄像装置单元粘贴在一起的办法进行制造。
图18是把图16的区域Y扩大后的模式性的剖面图。在图18中，401是内引线，402是作成为薄膜的基底薄膜，403是覆盖薄膜，105是防止摄像元件1的端部与内引线401之间的短路和防止摄像元件1的端部欠损的聚酰亚胺树脂层等的有机绝缘层，柔性基板4用内引线401、基底薄膜402和覆盖薄膜403构成。
在这里，用图19(a)和图19(b)，对图18所示的突点5和柔性基板4之间的现有的连接方法进行说明。
图19的模式性的剖面图示出了图18所示的突点5与柔性基板4之间的连接工序。
首先，使得厚度变成为25微米那样地形成有机绝缘膜105。其次，为了进行突点5与柔性基板4之间的电连，用柱状螺栓突点(studbump)方式或电镀等在摄像元件1上形成突点5。
然后，例如借助于超声波使突点与内引线401进行金属间接合。在这里，柔性基板的总厚度作成为大约50微米左右。
其次，在用保持台17、18保持摄像元件1的状态下使夹具19向保持台17、18的方向或使保持台17、18向夹具19的方向移动。这样一来，沿着摄像元件1的端部那样地使内引线401向图面下侧弯曲。
但是，现有的柔性基板4，由于把构成柔性基板4的基底薄膜402形成得比从本身为外部连接端子的突点5的摄像元件1(基板)算起的厚度还厚，故不能一直到基板上边为止配置基底薄膜402。因此，为了防止因在弯曲后的间隙内内引线401接连到基板上而形成短路，就必须另外设置有机绝缘膜105。
此外，除去弯曲柔性基板4之外，还需要使得基底薄膜402与突点5之间的位置关系变成为良好那样地进行位置对准。
图20是基底薄膜402与突点5之间的位置关系良好地进行位置对准地形成的柔性基板的模式性的剖面图。
另一方面，图21(a)和图21(b)的柔性基板4的模式性的剖面图，分别示出了基底薄膜402与突点5之间的位置对准不好的情况。
如图21(a)所示，在内引线401对于突点5来说比所需要的位置更远离基板1进行接连的情况下，就存在着因内引线401与基板1接连形成短路或在基板1的端部处断线的可能性。
另一方面，如图21(b)所示，在内引线401对于突点5来说在比所需要的位置更往基板1一侧进行接连的情况下，就存在着把基底薄膜402往上推而在内引线401处产生拉伸力，在最坏的情况下，使内引线401断线的可能性。
此外，在图16中，从光纤板2射出的光由于是扩散光，故光纤板2与摄像元件1之间的间隙越窄则光就越不扩散，越可以实现高品位、高析像清晰度的传感器，因此，内引线401虽然越薄越好，但是在位置对准不好的情况下，反而更容易断线。
发明内容
为了解决上述课题，本发明的柔性基板，包括一端连接在基板上的外部连接端子的内引线和把上述内引线被覆起来的薄膜，其特征在于：在上述薄膜之内，配置在上述基板上方的薄膜区域比上述外部连接端子的厚度薄。
此外，本发明的半导体器件的制造方法，在具有基板、外部连接端子、由内引线和被覆内引线的薄膜构成的柔性基板的半导体器件的制造方法中，其特征在于：具有：使上述薄膜的距上述外部连接端子近的一方的尖端和上述基板进行位置对准的工序；在进行了上述位置对准的状态下用粘接剂粘接该薄膜和上述基板的侧壁端部的工序；在粘接后弯曲上述内引线使之连接到上述外部连接端子上的工序。
再有，本发明的基板，在具有外部连接端子和一端连接到上述外部连接端子上的柔性基板的基板中，其特征在于：上述柔性基板沿着上述基板的外部连接面和侧面进行配置，且上述基板的上述外部连接面与侧面之间的棱角已经进行了倒棱。
附图说明
图1是本发明的实施例1的柔性基板的模式性的剖面图。
图2是本发明的实施例2的柔性基板的模式性的剖面图。
图3是本发明的实施例3的柔性基板的模式性的剖面图。
图4的模式性的剖面图，示出了本发明的实施例3的柔性基板的形成方法。
图5是本发明的实施例4的基板的模式性的剖面图。
图6的模式性的剖面图，示出了本发明的实施例5的半导体器件的制造方法。
图7的模式性的剖面图，示出了粘接柔性基板与基板的侧面的工序。
图8是作为实施例6，装载上实施例1、2和3所示的本发明的柔性基板的放射线摄像装置的模式性的剖面图。
图9的模式性的剖面图，示出了在实施例6的放射线摄像装置的制造工序中，已装载上本发明的柔性基板的基板与基底基板之间的粘接工序。
图10示出了在实施例6的放射线摄像装置的制造工序中，已装载上本发明的柔性基板的基板与光纤板之间进行粘贴的粘贴工序。
图11示出了在实施例6的放射线摄像装置的制造工序中，已装载上本发明的柔性基板的光电变换基板101与光纤板之间进行粘贴的粘贴工序。
图12的概念图示出了在实施例6中说明的具备放射线摄像装置的非破坏检查系统的构成。
图13的概念图示出了具备本发明的X射线摄像装置的X射线诊断系统的构成。
图14是以往人们所熟知的X射线摄像装置的概略性的剖面图。
图15是另外一种构成的X射线摄像装置的现有技术的概略性的斜视图。
图16是解决了图14和图15的X射线摄像装置的问题的现有技术的X射线摄像装置的模式性的剖面图。
图17是把摄像元件1或光纤板2的大小作为基准的X射线摄像装置单元的模式性的剖面图。
图18是把图16的区域扩大后的模式性的剖面图。
图19的模式性的剖面图，示出了图18所示的突点与柔性基板之间的连接工序。
图20是使得基底薄膜与突点之间的位置对准变成为良好那样地进行位置对准后形成的柔性基板的模式性的剖面图。
图21的柔性基板的模式性的剖面图，示出了基底薄膜与突点之间的位置对准不良好的情况。
具体实施方式
以下，参看附图对本发明的实施例进行说明。
[实施例1]
图1是本发明的实施例1的柔性基板的模式性的剖面图。
在图1中，1是基板，4是用内引线401和作为薄膜的基底薄膜402和覆盖薄膜403构成的柔性基板，5是作为外部连接端子的突点。
图1所示的柔性基板4的特征是：一端已连接到在基板1上边形成的突点5上，在基底薄膜402之内，配置在上述基板上边的薄膜区域比上述外部连接端子的厚度还薄。
以下对如图1所示把基底薄膜402的基板1一侧的尖端作成为向基板1阶梯状地形成得薄的阶梯形状的具体方法进行说明。首先，用溅射法在将成为基底薄膜402的聚酰亚胺薄膜上边成膜铜薄膜。其次，把光刻胶涂敷到聚酰亚胺薄膜的两面上，借助于曝光显影得到所希望的图形。这时，在铜箔面上形成图形，在非铜箔面上则形成聚酰亚胺薄膜形状图形。接着，用电镀法仅仅在必要的图形部分上使铜形成电镀层。其次，借助于刻蚀，在聚酰亚胺薄膜上形成穴，在半刻蚀的阶段暂时停止这时的刻蚀。然后，向已被刻蚀区域之内那些将成为阶梯形状剩下来的区域涂敷光刻胶，借助于曝光显影得到所希望的图形。接着，采用再次进行刻蚀的办法，就可以得到阶梯形状的基底薄膜402。最后，除去光刻胶，借助于铜的闪蚀(flash etching)，使图形电隔离后进行镀金变成为柔性基板。
如本实施例所示，采用使要配置在基板1上边的薄膜区域变薄的办法，就可以把基底薄膜402配置到基板1上边。因此，就不再需要图18所示的有机绝缘膜105，因而可以削减在制造上的工序数。
再有，由于基底薄膜402比突点5还薄，由于即便是在基板1的端部基底薄膜402弯曲内引线401也不会往上推，故不会产生拉伸力，内引线401就不容易断线。
另外，基底薄膜402，例如把聚酰亚胺薄膜作为材料。覆盖薄膜403，例如把尿烷或聚酰亚胺作为材料。另外，这些材料并不限于上述那些例子，只要是易于弯曲的柔软的材料即可。
此外，在本说明书中讲述的所谓的基板1，也可以是具有把光变换成信号电荷的摄像元件的光电变换基板。这时虽然未画出来，但是具有垂直移位寄存器、水平移位寄存器，作为基板的材质是硅基板或非晶硅基板，表面由2维配置的多个像素、和在其上部形成的利用硅氧化膜等的层间绝缘膜、利用铝等的金属布线、利用氮化膜和/或聚酰亚胺的保护层等构成。另外，像素用光电二极管和MOS晶体管等构成。
[实施例2]
图2是本发明的实施例2的柔性基板的模式性的剖面图。
图2所示的柔性基板4，在不仅是把基底薄膜402配置在基板上边的薄膜区域，而是整个基底薄膜402都比突点5的厚度薄这一点上与实施例1不同。
此外，还将省略前边已经说过的那些标号的说明。
具体地说，用电镀法在12微米左右的基底薄膜402上，形成18微米左右厚度的内引线401。顺便提一下，覆盖薄膜，用印刷法形成为使之变成为10微米左右的厚度。此外，内引线401得益于用电镀法形成，在基底薄膜402与内引线401之间就不再需要粘接剂，因而柔性基板本身就可以形成得薄。另外，以往由于未利用电镀法，故难于把基底薄膜或内引线形成得薄。
如以上所述，采用本实施例的柔性基板4，就可以在基板1上边配置基底薄膜402。因此，不再需要图18所示的有机绝缘物105，因而可以削减制造上的工序数。
再有，由于基底薄膜402比突点5还薄，由于即便是在基板1的端部基底薄膜402弯曲内引线401也不会往上推，故不会产生拉伸力，内引线401就不容易断线。
此外，得益于整个基底薄膜402形成得薄，例如如图16所示，在相邻的多个基板(摄像元件1)间或在摄像装置间配置柔性基板的情况下，就可以使相邻的基板间或摄像装置间的间隔更为狭窄。因此，由于可以提供高品位、高析像清晰度的摄像装置或放射线摄像装置，故是更为满意的。
[实施例3]
图3是本发明的实施例3的柔性基板的模式性的剖面图。
此外，图4的模式性的剖面图示出了本发明的实施例3的柔性基板的形成方法。
在图4中，410是将成为基底薄膜402的聚酰亚胺薄膜，411是铜薄膜，412是光刻胶。413是图形铜镀层，414是聚酰亚胺薄膜形状图形，θ是锥形角。
此外，对于已经说明过的标号省略其说明。
图3所示的柔性基板4，在基底薄膜402的基板一侧的尖端具有倾斜形状这一点上与实施例1和2不同。
所谓倾斜形状，例如如图3所示，是基底薄膜402的基板1一侧的尖端朝向基板1一侧形成得薄的锥形形状等。
在本实施例中，也和实施例1、2同样，可以在基板1上边配置比突点5的厚度还薄的基底薄膜403的薄膜区域。因此，不再需要图18所示的有机绝缘物105，因而可以削减制造上的工序数。
再有，由于基底薄膜402比突点5还薄，由于即便是在基板1的端部基底薄膜402弯曲内引线401也不会往上推，故不会产生拉伸力，内引线401就不容易断线。
在这里，作为具有本实施例的倾斜形状的柔性基板4的形成方法的一个例子，用具有锥形形状的柔性基板的形成方法具体地进行说明。
首先，在将成为基底薄膜402的聚酰亚胺薄膜410(图4(a))上边，用溅射法成膜铜薄膜411(图4(b))。
然后，中间存在着铜薄膜411地向聚酰亚胺薄膜410的两面上涂敷光刻胶412(图4(c))，借助于曝光显影得到所希望的图形(图4(d))。这时在铜薄膜面上就可以形成电布线图形、在非铜薄膜面上形成聚酰亚胺薄膜形状图形(图4(e))。
其次，借助于刻蚀，在聚酰亚胺薄膜410上形成穴，这时，借助于侧壁刻蚀把聚酰亚胺薄膜410的剖面刻蚀为使得变成为锥形形状(图4(f))。然后，除去光刻胶412和聚酰亚胺薄膜形状图形414(图4(g))，在借助于铜的闪蚀使图形电隔离之后，进行镀金，完成柔性基板(图4(h))。
以上说明的柔性基板4的形成方法，与在图形化之前在聚酰亚胺薄膜410上形成穴的方法比较，由于布线图形化在前，故即便是聚酰亚胺薄膜410形成得薄，也可以形成图形。
此外，采用用刻蚀进行穴加工的办法，可以把剖面作成为锥形形状。再有，还易于得到穴与布线图形的位置精度。
另外，锥形角θ，由于具有一直到突点5的厚度为止的倾斜形状的基底薄膜402的区域长的一方使基板1的端部与具有倾斜形状的基底薄膜402之间的定位宽余量宽故是合适的。在本实施例中，锥形角θ大约为18度。如设突点5的厚度为20微米，则具有一直到突点5的厚度为止的倾斜形状的区域为60微米，定位宽余量变成为±30微米，即便是没有特殊的装置也可以进行位置对准。
作为控制锥形角θ的方法，例如，用进入到聚酰亚胺薄膜410和作为光刻胶的聚酰亚胺薄膜形状图形414之间的界面内的刻蚀液的旋转，进行控制。另外，控制锥形角θ的方法，并不限于上述方法。
例如，采用对聚酰亚胺薄膜410与光刻胶之间的贴紧程度进行控制的办法，变更刻蚀液向界面内的进入程度，就可以控制锥形角θ。作为一个例子，或者变更配合到光刻胶内的紧密强化剂的量，或者变更光刻胶的烘焙温度等。例如，由于采用降低烘焙温度的办法将降低贴紧粘接力，故可以使锥形角θ形成得更加平缓。
再有，与用粘接剂把铜薄膜粘贴到已开有穴的聚酰亚胺薄膜上的现有的柔性基板比较，由于在本实施例的方法中不使用粘接剂，故在薄型化、柔软性方面是合适的。
[实施例4]
图5是本发明的实施例4的基板的模式性的剖面图。
图5所示的半导体器件，在基板1的外部连接面与侧面之间的棱角已经倒棱这一点上与别的实施例不同。
此外，对于那些在前边已经说明过的标号的说明予以省略。
在本实施例中所说的外部连接面，指的是形成有作为外部连接端子的突点5的面。
这样一来，由于即便是在基板1的端部，弯曲基底薄膜402，沿着基板1的侧面配置柔性基板4，也不会往上推内引线，因而不会产生拉伸力。故将变成为内引线401不容易断线的半导体器件。
另外，在本实施例中，柔性基板4的基底薄膜402的厚度，虽然也可以比突点5的厚度厚，但是，采用使基底薄膜402全体都形成得比突点5薄的办法，例如如图16所示，在相邻的多个基板(摄像元件1)间或摄像装置间配置柔性基板4的情况下，就可以把相邻的基板间或摄像装置间的间隔形成得更狭窄。因此，由于可以提供高品位、高析像清晰度的摄像装置或放射线摄像装置，故是更为满意的。
[实施例5]
图6的模式性的剖面图示出了本发明的实施例5的半导体器件的制造方法。
图7的模式性的剖面图，示出了粘接柔性基板与基板的侧面的工序。
在图6中，405是作为粘接剂的热紫外线硬化型树脂。
在图7中，406是紫外线源。
此外，对于那些在前边已经说明过的标号的说明予以省略。
图6示出了在已使基底薄膜402的突点5一侧的尖端与基板1的光入射一侧位置对准的状态下，借助于粘接剂把基底薄膜402连接到摄像元件1的侧面上之后，使内引线弯曲地连接到突点5上后的样子。
以下，具体地进行说明。本发明的半导体器件的制造方法，是一种具有由基板1、突点5、内引线401和覆盖内引线401的基底薄膜402构成的柔性基板的半导体器件的制造方法，其特征在于：具有：使基底薄膜402的距突点5近的一方的尖端和基板1进行位置对准的工序；在进行了上述位置对准的状态下用粘接剂405粘接基底薄膜402和基板1的侧壁端部的工序；在粘接后使内引线401弯曲地连接到突点5上的工序。
这样一来，由于已预先对基底薄膜402进行了位置对准，由于内引线401和基板1不会短路，故不再需要图18所示的有机绝缘膜105。此外，内引线401也不会断线。
在这里，用图7对基板1与基底薄膜402之间的粘接工序具体地进行说明。首先，从基板1的背面一侧，向柔性基板4与基板1之间的间隙内涂敷热紫外线硬化型树脂405，然后，从紫外线源406向热紫外线硬化型树脂405照射紫外线，同时进行加热，使柔性基板4和基板1的侧面进行粘接。
另外，如果把仅仅照射紫外线就可以硬化的材料用做粘接剂，则紫外线就难于到达柔性基板4与基板1之间的间隙内，由于未硬化粘接剂有可能会对基板1造成坏影响以及一直到使间隙的粘接剂都硬化是很麻烦的，故如上所述理想的是使用硬化时需要加热的粘接剂。
此外，作为粘接剂，如果使用厚度已经预先决定好了的粘接剂薄片，则在配置在多个基板间方面是更为合适的。
[实施例6]
图8是作为实施例6，装载上实施例1、2和3所示的本发明的柔性基板的放射线摄像装置的模式性的剖面图。
在图8中，3是作为放射线，例如，使X射线变换成可见光等的可检测波长的光的闪烁体的荧光体(波长变换装置)，101是具有使光变换成电信号的摄像元件100的光电变换基板，2是把借助于荧光体3进行变换的光导向摄像元件100一侧，同时含有对用荧光体未变换净尽的X射线进行屏蔽的屏蔽材料的多个光纤构成的光纤板，7是对相邻的光纤板2进行粘接的粘接剂，6是把光纤板2和光电变换基板101粘接起来的透明粘接剂，4是向外部输出来自摄像元件100的电信号的柔性基板，配置在多个光电变换基板间并已与印制基板12电连。5是作为把柔性基板4和摄像元件100电连起来的外部连接端子的突点，12是本身为把柔性基板4连接起来的电荷读出装置的印制基板，8是保护荧光体3的由铝等构成的保护薄片，10是要装载光电变换基板101的基底基板，11是用来保持基底基板10的基底框体，9是在基底框体11中具备的框体盖，13是设置在光电变换基板101与光纤板2之间的用来保持恒定间隔的衬垫，15是用来使光电变换基板101与外气隔绝的密封树脂。
此外，对于那些在前边已经说明过的标号的说明予以省略。
此外，在本说明书中讲述的光电变换基板101，也可以是具有把光变换成信号电荷的摄像元件100的基板。因此，虽然未画出来，但是具有垂直移位寄存器、水平移位寄存器，作为基板的材质是硅基板或非晶硅基板，表面由2维配置的多个像素、和在其上部形成的利用硅氧化膜等的层间绝缘膜、利用铝等的金属布线、利用氮化膜和/或聚酰亚胺的保护层等构成。另外，像素用光电二极管和MOS晶体管等构成。
另外，在本实施例中，虽然说明的是放射线摄像装置，但是，也可以是没有荧光体3或荧光体3与光纤板2的那种构成的摄像装置。
此外，在本实施例中，虽然示出的是把多个光电变换基板101粘接起来的放射线摄像装置，但是，也可以是仅仅具有一个光电变换基板101的放射线摄像装置。此时，采用弯曲形成柔性基板的办法，就可以形成对于光的入射方向已经小型化了的放射线摄像装置。
此外，既可以是没有荧光体3或荧光体3与光纤板2的那种构成，也可以是仅仅具有一个光电变换基板101的摄像装置。此时，采用弯曲地形成柔性基板的办法，就可以形成对于光的入射方向已经小型化了的放射线摄像装置。
在这里，用图8对作为本发明的放射线摄像装置的X射线摄像装置的动作进行说明。在荧光体3一侧设置未画出来的X射线源，然后，当在使被摄像体位于X射线源与X射线摄像装置之间的状态下，从X射线源照射X射线时，该X射线就向被摄像体曝射。这样一来，在X射线透过被摄像体时，就含有具有强度差的伦琴射线信息而被送往X射线摄像装置一侧。
在X射线摄像装置一侧，已经到达的X射线的几乎全部，在荧光体3中，被变换成与X射线的强度对应的可见光等。采用进行变换的办法得到的光，通过光纤板2后被送往光电变换基板101。这时，光纤板2和光电变换基板101由于已用透明粘接剂6粘接起来，故光在通过透明粘接剂6时就被入射至摄像元件100而没有衰减。
另一方面，在已到达X射线摄像装置一侧的X射线之内，未被荧光体3变换净尽的X射线或未向荧光体3入射的X射线，就保持不变换成可以用摄像元件100检测的波长而原样向摄像元件100一侧前进。这样的X射线，被含于光纤板2中的屏蔽材料屏蔽，不会向摄像元件100或印制基板12入射。
此外，光也向粘接剂7入射。入射至粘接剂7的光，因被吸收或被反射而使透过率减小。该光虽然当入射到摄像元件100的像素上边时会变成为线缺陷，但是，如上所述，如果使光纤板2的大小与光电变换基板101的大小变成为同一大小，并使它们进行位置对准，则可以变成为来自粘接剂7的光难于对摄像元件100的像素造成影响的构成。
在摄像元件100中，入射进来的光将变换成与光的强度对应的电信号。该电信号根据未画出来的读出电路的指示，通过突点5被读出到柔性基板4上。被读出到柔性基板4上的电信号，被送往未画出来的外部电路基板，在进行了A/D转换后，进行图象处理。
在这里，用图9、图10和图11，对本发明的放射线摄像装置的制造工序进行说明。
图9的模式性的剖面图，示出了在实施例6的放射线摄像装置的制造工序中，已装载上本发明的柔性基板的光电变换基板101与基底基板之间的粘接工序。
图10示出了在实施例6的放射线摄像装置的制造工序中，已装载上本发明的柔性基板的光电变换基板101与光纤板之间进行粘贴的粘贴工序。
图11示出了在实施例6的放射线摄像装置的制造工序中，已装载上本发明的柔性基板的光电变换基板101与光纤板之间进行粘贴的粘贴工序。
以下，对各自的工序详细地进行说明。首先，边用在X、Y、Z方向和θ(旋转)方向上可动的定位头和定位摄象机使具备柔性基板4的多个光电变换基板101进行位置对准边载置到台上边。这时，各个光电变换基板101借助于用真空装置等从在台上形成的孔进行吸引而被固定到台上边(图9(a))。
在该状态下，进行各个光摄像元件100是否在进行所要的动作的检查。在该检查中，使用检查夹具查看各个摄像元件100是否例如因静电而被破坏(图9(b))。
然后，检查的结果，若在摄像元件100中发现了缺陷，则使该光电变换基板101的下方的真空装置关闭，用定位头进行交换(图9(c))。
接着，向光电变换基板101上边涂敷紫外线硬化型或硅树脂等的粘接剂(图9(d))。
接着，向设置在基底基板10上的长孔内插入柔性基板4，然后，在使光电变换基板101和基底基板10进行贴紧后，借助于照射紫外线和/或加压，使之粘接(图9(e))。
另外，如图9(e)所示，把光纤板2的大小和光电变换基板101的大小作成为相同，使它们进行位置对准即可。此外，在这里考虑到在与光电变换基板101之间的热膨胀系数，把玻璃或坡莫合金(铁+镍)用做基底基板10。
接着，在把光电变换基板101和基底基板10粘接起来之后，关闭真空装置，从台等的夹具上取下光电变换基板101和基底基板10(图9(f))。
其次，用图10(a)到图10(d)，对光电变换基板与光纤板之间的粘贴工序进行说明。首先，使得可以保持各个光电变换基板101与光纤板之间的间隔那样地，把衬垫13配置到已与基底基板10进行粘接的各个光电变换基板101上边(图10(a))。
另外，衬垫13既可以是球也可以是圆柱形状。其次，向基板1上边涂敷密封材料和填缝粘接剂(图10(b))。
填缝粘接剂是为了填埋光电变换基板101间的间隙而填埋进去的粘接剂。密封材料，如图10(b)所示，一部分已形成了开口，如后所述，用从这里真空注入的方式填充透明粘接剂。在注入时，要使得不会成为真空漏泄的原因那样地向光电变换基板101间的间隙内填充填缝粘接剂。之后，把光纤板2粘贴到衬垫13上边(图10(c))。
此外，更为理想的是在各个光电变换基板101间的间隙或者各个像素间的正上边配置使光纤板2彼此进行粘接的粘接剂7。借助于加压、加热冲压，均一地形成光电变换基板101与光纤板的间隔，使密封材料硬化。然后，采用在真空室内，使光纤板与各个光电变换基板101之间的间隙变成为真空后，给滞留有透明粘接剂6的小舟扎个开口部分，使真空状态返回到大气压的办法，向间隙内填充透明粘接剂6。然后密封开口部分(图10(d))。
然后，向光纤板2与基底基板10之间涂敷密封树脂15，使得光电变换基板101与外气隔绝。
此外，采用例如把薄片上边的荧光体3粘贴到光纤板2上边的办法，形成X射线摄像装置。
另外，荧光体3虽然可以采用蒸镀到光纤板上边的手法或把粉末状的荧光体混合到粘接材料内进行涂敷的办法设置，但是，在该情况下，要在用图10(c)说明的工序之前，预先把荧光体3设置到光纤板上边。
此外，至于用多个X射线摄像单元制造X射线摄像装置的情况，用图11(a)到图11(d)所示的工序把光电变换基板101和基底基板10和光纤板粘贴起来即可。
就是说，使光纤板2与光电变换基板101的面积对准后进行研磨，而且对光入射面和出射面也进行两面研磨使之平坦化。然后，使得可以保持各个光电变换基板101与光纤板2之间的间隔那样地，把球或圆柱形状等的衬垫13配置到已与基底基板10进行粘接的各个光电变换基板101上边(图11(a))。
其次，向光电变换基板101上边涂敷密封材料(图11(b))。
密封材料，如图11(b)那样一部分形成开口，如后所述，用真空注入的方式从这里填充透明粘接剂6。在进行注入时，要使得不会成为真空漏泄的原因那样地向光电变换基板101间的间隙内填充填缝粘接剂。在把光纤板1定位到衬垫13上边之后，对光纤板2和光电变换基板101加压加热使得彼此粘贴起来(图11(c))。
然后，采用在真空室内，使光纤板与各个光电变换基板101之间的间隙变成为真空后，给滞留有透明粘接剂6的小舟扎个开口部分，使真空状态返回到大气压的办法，向间隙内填充透明粘接剂6。然后，把开口部分密封起来(图11(d))。
此外，处于光纤板2的光入射面一侧的荧光体3，用蒸镀、涂敷或印刷形成，该工序一般在光纤板2的研磨后或与光电变换基板101之间的粘接后进行。
[实施例7]
图12的概念图示出了在实施例6中说明的具备放射线摄像装置的非破坏检查系统的构成。在图12中，示出了在实施例1中说明的X射线摄像装置1000；例如本身为被组装到电器设备内的非破坏检查对象的被摄像体2000；向被摄像体2000照射X射线的微焦距X射线发生器3000；对从X射线摄像装置1000输出的信号进行处理的图象处理装置6000；显示被图象处理装置6000处理后的图象的监视器4000；操作图象处理装置6000和监视器4000的控制器5000。
图12所示的非破坏检查系统，当向要进行非破坏检查的被摄像体2000照射由微焦距X射线发生器3000发生的X射线后，在被摄像体2000的内部的破坏的有无的信息，就通过X射线摄像装置1000输出至图象处理装置6000。在图象处理装置6000中，对所输出的信号，对在前边说过的各个摄像元件1的周边像素间的图形信号进行处理或进行黑色修正后，作为图象在监视器4000上显示。
在监视器4000上显示的图象，可以采用借助于控制器3000输入指令的办法，进行例如扩大或缩小，或者进行浓淡的控制。这样一来，通过在显示器4000上显示的图象，来检查在被摄像体2000的内部有无破坏。如果在被摄像体2000中未发现破坏，则把它看作是合格品组装到电器设备中去。另一方面，如果在被摄像体2000内发现破坏，则把它看作是不合格品，从制造工序中拿掉。
[实施例8]
图13的概念图示出了具备本发明的X射线摄像装置的X射线诊断系统的构成。在图13中，示出了具备本发明的X射线摄像装置1000的床；用来向被摄像体2000照射X射线的X射线产生装置诊断系统；对从X射线摄像装置1000输出的图象信号的处理和来自X射线发生装置7000的X射线的照射时期等进行控制的图象处理器8000；显示用图象处理器8000处理后的图象信号的监视器4000。另外，在图13中，对于那些与在图12中所示的部分同样的部分，赋予了同一标号。
图13所示的X射线诊断系统，X射线发生装置根据来自图象处理器8000的指令产生X射线，当向床上边的被摄像体2000照射该X射线后，被摄像体2000的伦琴射线信息就通过X射线摄像装置1000输出至图象处理器8000。在图象处理器8000中，对所输出的信号，对在前边说过的各个摄像元件1的周边像素间的图形信号进行处理或进行黑色修正后，或者存放在未画出来的存储器内，或者作为图象在监视器4000上显示。
在监视器4000上显示的图象，可以采用借助于控制器3000输入指令的办法，进行例如扩大或缩小，或者进行浓淡的控制。这样一来，医师就可以通过在监视器4000上显示的图象对被摄像体2000进行诊察。
此外，也可以作成为设置系统的记录装置，把医师诊察后的被摄像体2000的伦琴射线信息记录到盘状的记录媒体等内。
另外，在以上所说明的本发明的各个实施例中，虽然以使用X射线的情况为例进行的说明，但是，也可以使用α、β、γ射线等的放射线。此外，光是可以用像素检查的波长区域的电磁波，包括可见光。另外，也可以在把包括例如放射线在内的电磁波变换成电信号的电磁波信号变换装置中使用。
再有，在各个实施例中，虽然是以光电变换装置等为例进行的说明，但是在例如把多个显示元件基板平面装地粘贴起来那样的大画面的显示装置中，也同样可以应用。

Claims (12)

1.一种柔性基板，包括一端连接于基板上的外部连接端子的内引线和把上述内引线被覆起来的薄膜，其特征在于：上述薄膜包括配置于上述基板和上述内引线之间的基底薄膜以及在未配置有上述基底薄膜的区域上配置的覆盖薄膜，并且在上述薄膜之内，配置在上述基板上的基底薄膜区域比上述外部连接端子的厚度薄。
2.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于：上述薄膜全体都比外部连接端子的厚度薄。
3.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于：上述薄膜在上述基板一侧的尖端具有倾斜形状。
4.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于：上述薄膜在上述基板一侧的尖端具有朝向上述基板一侧逐渐减薄的倾斜形状。
5.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于：上述薄膜在上述基板一侧的尖端具有朝向上述基板一侧逐渐减薄的台阶形状。
6.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于：上述外部连接端子是突点。
7.一种半导体器件，具有柔性基板和外部连接端子，上述柔性基板包括一端连接于基板上的上述外部连接端子的内引线和把上述内引线被覆起来的薄膜，其特征在于：上述薄膜包括配置于上述基板和上述内引线之间的基底薄膜以及在未配置有上述基底薄膜的区域上配置的覆盖薄膜，并且在上述薄膜之内，配置在上述基板上的基底薄膜区域比上述外部连接端子的厚度薄，其中，上述基板的外部连接面和侧面之间的棱角已进行了倒棱。
8.一种摄像装置，具有柔性基板和外部连接端子，上述柔性基板包括一端连接于基板上的上述外部连接端子的内引线和把上述内引线被覆起来的薄膜，其特征在于：上述薄膜包括配置于上述基板和上述内引线之间的基底薄膜以及在未配置有上述基底薄膜的区域上配置的覆盖薄膜，并且在上述薄膜之内，配置在上述基板上的基底薄膜区域比上述外部连接端子的厚度薄，其中，上述基板是光电变换基板。
9.根据权利要求8所述的摄像装置，其特征在于：还包括多个光电变换基板。
10.根据权利要求8所述的摄像装置，其特征在于：上述柔性基板配置在上述多个光电变换基板之间。
11.一种放射线摄像装置，在摄像装置上具备闪烁体，上述摄像装置具有柔性基板和外部连接端子，上述柔性基板包括一端连接于基板上的上述外部连接端子的内引线和把上述内引线被覆起来的薄膜，其特征在于：上述薄膜包括配置于上述基板和上述内引线之间的基底薄膜以及在未配置有上述基底薄膜的区域上配置的覆盖薄膜，并且在上述薄膜之内，配置在上述基板上的基底薄膜区域比上述外部连接端子的厚度薄，其中，上述基板是光电变换基板。
12.一种放射线摄像系统，其特征在于：具备：放射线摄像装置；处理来自上述放射线摄像装置的信号的信号处理装置；用来记录来自上述信号处理装置的信号的记录装置；用来显示来自上述信号处理装置的信号的显示装置；用来传送来自上述信号处理装置的信号的传送处理装置，其中，上述摄像装置具有柔性基板和外部连接端子，上述柔性基板包括一端连接于基板上的上述外部连接端子的内引线和把上述内引线被覆起来的薄膜，其特征在于：上述薄膜包括配置于上述基板和上述内引线之间的基底薄膜以及在未配置有上述基底薄膜的区域上配置的覆盖薄膜，并且在上述薄膜之内，配置在上述基板上的基底薄膜区域比上述外部连接端子的厚度薄，其中，上述基板是光电变换基板。
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