CN117337067A - 包括传感器的显示装置 - Google Patents

包括传感器的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117337067A
CN117337067A CN202311385608.6A CN202311385608A CN117337067A CN 117337067 A CN117337067 A CN 117337067A CN 202311385608 A CN202311385608 A CN 202311385608A CN 117337067 A CN117337067 A CN 117337067A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
sensing
pixel
display device
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311385608.6A
Other languages
English (en)
Inventor
姜章美
金智善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN117337067A publication Critical patent/CN117337067A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0448—Details of the electrode shape, e.g. for enhancing the detection of touches, for generating specific electric field shapes, for enhancing display quality
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04107—Shielding in digitiser, i.e. guard or shielding arrangements, mostly for capacitive touchscreens, e.g. driven shields, driven grounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Abstract

本发明涉及一种包括传感器的显示装置，该包括传感器的显示装置包括：像素组以及感测像素，像素组包括预定数量的像素，预定数量的像素中的每一个像素包括像素电路和电连接到像素电路的发光器件；感测像素包括感测电路和连接到感测电路的感测电极，其中感测电极相对于手指形成可变电容器，并且感测电路被设置在像素组的像素电路周围。

Description

包括传感器的显示装置
本申请是于2018年5月24日提交的申请号为201810507413.7、标题为“包括传感器的显示装置”的发明专利申请的分案申请。
本申请要求2017年7月28日提交的韩国专利申请第10-2017-0096376号的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及包括传感器的显示装置。
背景技术
近来，需要用于测量或感测生物信息的技术。为了在显示装置中实现用于测量生物信息的传感器，已经进行了各种研究。
发明内容
一个或多个实施例提供具有显示功能和指纹识别功能的显示装置。
根据实施例，包括传感器的显示装置，包括：像素组以及感测像素，像素组包括预定数量的像素，其中预定数量的像素中的每一个像素包括像素电路和电连接到像素电路的发光器件；感测像素包括感测电路和连接到感测电路的感测电极，其中感测电极相对于手指形成可变电容器，并且感测电路被设置在像素组的像素电路周围。
在实施例中，发光器件可包括：连接到像素电路的第一电极；与第一电极相对的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的发射层，并且感测电极与发光器件的第一电极可被布置在同一层中。
在实施例中，发光器件的第二电极与感测电极对应的区域中可具有开口。
在实施例中，感测电极可沿像素组的发光器件中的第一电极的周围延伸。
在实施例中，发光器件可包括：连接到像素电路的第一电极；面对第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的发射层，并且感测电极可被布置在发光器件的第二电极上。
在实施例中，发光器件的第二电极与感测电极对应的区域中可具有开口，并且感测电极可经由开口接触电极层，电极层与第一电极在同一层中。
在实施例中，电极层可连接到感测电路。
在实施例中，显示装置可进一步包括：屏蔽线，屏蔽线防止像素组的像素电路之间的寄生电容器。
在实施例中，屏蔽线可以是悬空布线。
在实施例中，屏蔽线可被施加预定电压。
在实施例中，像素组的像素电路可以在横向方向上彼此对称设置。
在实施例中，预定数量的像素中的每一个像素可包括至少两个子像素。
根据另一实施例，包括传感器的显示装置，包括：基板；在基板上的多个像素电路；在基板上并且被设置成围绕多个像素电路的感测电路；在多个像素电路上的多个发光器件；以及设置在感测电路上并且电连接到感测电路的感测电极；其中多个发光器件包括第一电极和与第一电极相对的第二电极，并且第一电极中的每一个第一电极连接到多个像素电路之中相应的像素电路；其中感测电极相对于手指形成可变电容器。
在实施例中，感测电极与第一电极可在同一层中，并且沿多个发光器件的第一电极的周围延伸，并且第二电极中的每一个第二电极与感测电极对应的区域中可具有开口。
在实施例中，感测电极可在第二电极上与多个发光器件的第一电极重叠，并且第二电极中的每一个第二电极与感测电极对应的区域中可具有开口。
在实施例中，显示装置可进一步包括：与第一电极在同一层中的电极层，其中电极层可电连接到感测电路，并且经由开口接触感测电极。
在实施例中，显示装置可进一步包括：设置在多个像素电路之间的屏蔽线，其中屏蔽线防止多个像素电路之间的寄生电容器。
在实施例中，屏蔽线可以是悬空布线。
在实施例中，屏蔽线被施加预定电压。
在实施例中，多个像素电路可至少在横向方向上彼此对称设置。
附图说明
根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它特征将变得明显以及更易于理解，其中：
图1是根据本公开的实施例的有机发光显示装置的局部平面图；
图2是图示根据本公开的实施例的感测像素的指纹识别的示意图；
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图；
图4是示出图3中所示的子像素的第一电极和感测像素的感测电极的设置的平面图；
图5是设置在图3的有机发光显示装置上的封装基板的截面图；
图6是示出根据可替代的实施例的有机发光显示装置的截面图；
图7是示出图6中所示的子像素的第一电极和感测像素的感测电极的设置的平面图；
图8是设置在图6的有机发光显示装置上的封装基板的截面图；
图9是示出根据本公开的实施例的有机发光显示装置的像素电路和感测电路的设置的平面图；
图10A至图10D是示出像素电路组的各种实施例的示意图；
图11是示出根据本公开的实施例的像素电路组中的布线的示意图；
图12是根据本公开的实施例的子像素中的像素电路的电路图；
图13是根据本公开的实施例的感测像素中的感测电路的电路图；
图14是示出根据本公开的实施例的、图12的像素电路和图13的感测电路的设置的有机发光显示装置的平面图；
图15至图17是示出图14的有机发光显示装置的实施例的局部截面图；以及
图18是示出根据本公开的可替代的实施例的、图12的像素电路和图13的感测电路的设置的有机发光显示装置的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考其中示出各种实施例的附图更全面地描述本发明。然而，本发明可以采用许多不同形式体现，而不应当被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使本公开透彻且全面，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。
将理解的是，当元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者它们之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本文教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
本文中使用的术语仅仅是为了描述具体实施例的目的，而不旨在限制。如本文中使用的，单数形式“一”和“该”旨在包含包括“至少一个”在内的复数形式，除非内容中另外清楚地指出。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。将进一步理解的是，术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时，指明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或附加。
此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相关术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相关术语旨在包括设备除图中所描绘的方位以外的不同方位。例如，如果在各图中的一个图中的设备被翻转，那么描述为在其他元件“下”侧上的元件则将被定向为在其他元件的“上”侧上。因此，根据图的具体方位，示例性术语“下”可以包含“下”和“上”两种方位。类似地，如果在各图中的一个图中的设备被翻转，那么描述为在其他元件“下方”或“之下”的元件则将被定向为在其他元件的“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种方位。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的意义相同的意义。将进一步理解的是，诸如在常用词典中限定的那些术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的意义一致的意义，而不应以理想化的或过于形式的意义来解释，除非本文中明确如此限定。
本文中，示例性实施例是参考横截面图示描述的，这些横截面图示是理性化实施例的示意图示。因此，作为例如制造技术和/或容差的结果，可预期图示形状的变化。因此，本文描述的实施例不应被解释为限于本文中图示区域的具体形状，而将包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，被图示或被描述为平整的区域典型地可以具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，所图示的尖角可以是圆的。因此，图中所图示的区域本质上是示意性的，它们的形状不旨在图示区域的精确形状并且不旨在限制权利要求的范围。
当某一实施例可被不同地实现时，特定工艺顺序可以以不同于所描述的顺序执行。例如，两个连续描述的工艺可基本同时执行，或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
下文中，将参考附图详细地描述本发明的示例性实施例。在附图中，相同或相似的附图标记将指代相同或相似的部件，并且可省略或简化对其的任何重复性详细描述。
图1是根据本公开的实施例的有机发光显示装置1的局部平面图。
参考图1，多个子像素被设置在有机发光显示装置1的显示区域上。例如，在一个实施例中，有机发光显示装置1可包括多个第一子像素SPX1、多个第二子像素SPX2和多个第三子像素SPX3。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可在列方向和行方向上根据预定图案被重复设置。
在这样的实施例中，第三子像素SPX3可具有比相邻的第一子像素SPX1和第二子像素SPX2小的面积。第三子像素SPX3可以是发射绿光的绿色子像素G。多个第三子像素SPX3彼此隔开并且被设置在第一线IL1上，第一线IL1是虚线。第三子像素SPX3可具有各种形状，诸如多边形形状(例如，正方形、八边形等)、圆的形状(例如，圆形形状、椭圆形形状等)，或者具有圆角的多边形形状。
在实施例中，第一子像素SPX1位于虚构四边形IS中的彼此对角地面对的一对第一顶点P1处，虚构四边形IS将第三子像素SPX3的中心点作为其中心点，并且第二子像素SPX2位于虚构四边形IS中的彼此对角地面对的一对第二顶点P2处。虚构四边形IS可以是正方形。
第一子像素SPX1与第二子像素SPX2和第三子像素SPX3隔开，并且具有在虚构四边形IS的第一顶点P1处的中心点。第一子像素SPX1可具有比相邻的第三子像素SPX3大的面积。第一子像素SPX1可以是发射红光的红色子像素R。第一子像素SPX1可具有各种形状，诸如多边形形状(例如，正方形、八边形等)、圆的形状(例如，圆形形状、椭圆形形状等)，或者具有圆角的多边形形状。
第二子像素SPX2与第一子像素SPX1和第三子像素SPX3隔开，并且具有在第二顶点P2处的中心点，第二顶点P2与虚构四边形IS的第一顶点P1相邻。在实施例中，如图1所示，第二子像素SPX2可具有比相邻的第三子像素SPX3大的面积。在这样的实施例中，第二子像素SPX2可具有与第一子像素SPX1的面积不同的面积，例如，第二子像素SPX2可具有比第一子像素SPX1大的面积。在可替代的实施例中，第二子像素SPX2的面积可等于第一子像素SPX1的面积。第二子像素SPX2可以是发射蓝光的蓝色子像素B。第二子像素SPX2可具有各种形状，诸如多边形形状(例如，正方形、八边形等)、圆的形状(例如，圆形形状、椭圆形形状等)，或者具有圆角的多边形形状。
在实施例中，多个第一子像素SPX1和多个第二子像素SPX2彼此交替地设置在虚构的第二线IL2上。在这样的实施例中，具有在第一顶点P1处的中心点的多个第一子像素SPX1和具有在第二顶点P2处的中心点的多个第二子像素SPX2分别围绕第三子像素SPX3。
在这样的实施例中，在多个第一子像素SPX1和多个第二子像素SPX2分别围绕第三子像素SPX3设置的情况下，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一个可具有改善的开口率。在这样的实施例中，改善了由有机发光显示装置1显示的图像的质量，并且可以降低有机发光显示装置1的制造时间和制造成本。
在实施例中，由于上述子像素的设置，发射相同颜色的光的子像素之间的间隔被增大以改善沉积可靠性，并且发射不同颜色的光的子像素(即，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素)之间的间隔被减小以改善开口率。
在实施例中，有机发光显示装置1可具有子像素的设置，其中第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3分别发射红光、蓝光和绿光，但是实施例不限于此。在可替代的实施例中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可分别发射与红光、蓝光和绿光不同的光。例如，在一个可替代的实施例中，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的一个或多个可以发射白光。
两个子像素可共同限定单元像素。在实施例中，第一像素PX1包括第一子像素SPX1和第三子像素SPX3，并且第二像素PX2包括第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一像素PX1和第二像素PX2彼此交替地设置以彼此靠近。
根据实施例，有机发光显示装置1可包括传感器。传感器可包括与显示区域中的至少一个像素相邻定位的多个感测像素FPX。传感器可以是用于感测指纹的指纹传感器。指纹传感器可包括感测电极，感测电极与手指形成电容器。
图2是图示根据本公开的实施例的感测像素FPX的指纹识别的示意图。参考图2，指纹100具有在脊101与谷103之间的高度变化，并且因此，脊101与感测电极之间的电容CF_R和谷103与感测电极之间的电容CF_V彼此不同。在这样的实施例中，可基于电容之间的这种差异来识别指纹。
在这样的实施例中，为了改善指纹感测性能，期望适当地设置显示装置的像素和指纹传感器的像素以及设置感测电极。
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图。
参考图3，有机发光显示装置1a的实施例可包括第一区域和第二区域，子像素SPX被设置在第一区域上，感测像素FPX被设置在第二区域上。
在实施例中，子像素SPX可被布置在基板10上的第一区域中，子像素SPX中的每一个包括像素电路和连接到像素电路的发光器件EL，像素电路包括薄膜晶体管DTFT。像素电路可进一步包括电容器。
薄膜晶体管DTFT包括有源层21、栅电极23、源电极25和漏电极27。源电极25和漏电极27分别电连接到有源层21的源区和漏区。
缓冲层11被布置在基板10与薄膜晶体管DTFT之间。
第一绝缘层12被布置在有源层21与栅电极23之间，并且第二绝缘层13被布置在栅电极23与源电极25和漏电极27之间。
发光器件EL包括第一电极31、面对第一电极31的第二电极35、以及在第一电极31与第二电极35之间并且包括有机发射层的中间层33。第一电极31被布置在覆盖像素电路的第三绝缘层14上，并且电连接到源电极25或漏电极27(在参考图3所图示的实施例中的漏电极27)。第一电极31的边缘可被像素限定层15覆盖。
第一电极31可以在每个子像素中独立于另一第一电极(即另一像素的第一电极)呈岛状。第二电极35可以是具有几纳米(nm)至数十纳米厚度的薄膜，并且可提供给整个有机发光显示装置的全部子像素，以电连接到另一第二电极，即另一像素的第二电极。第二电极35覆盖像素限定层15的上部，并且被布置在基板10的整个表面上。
中间层33包括发射光的有机发射层，并且因此，可进一步包括空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的至少一个。然而，实施例并不限于此，并且可替代地，各种功能层可被进一步布置在第一电极31与第二电极35之间。
有机发射层可发射红光、绿光或蓝光。然而，实施例并不限于此，也就是说，有机发射层可以发射白光。在此情形下，有机发射层可具有其中发射红光的发光材料、发射绿光的发光材料和发射蓝光的发光材料堆叠的结构，或可具有其中发射红光的发光材料、发射绿光的发光材料和发射蓝光的发光材料混合的结构。
在这样的实施例中，感测像素FPX可被布置在基板10上的第二区域中，感测像素FPX中的每一个包括感测电路和连接到感测电路的感测电极51，感测电路包括感测薄膜晶体管STFT。感测电路可进一步包括电容器。
感测薄膜晶体管STFT包括有源层41、栅电极43、源电极45和漏电极47。源电极45和漏电极47分别电连接到有源层41的源区和漏区。
缓冲层11被布置在基板10与感测薄膜晶体管STFT之间。
第一绝缘层12被布置在有源层41与栅电极43之间，并且第二绝缘层13被布置在栅电极43与源电极45和漏电极47之间。
感测电极51与手指形成可变电容器，使得手指的指纹可被识别。感测电极51被布置在第三绝缘层14上，并且电连接到源电极45或漏电极47(在参考图3所图示的实施例中的漏电极47)。感测电极51被像素限定层15覆盖。当在基板10的厚度方向上从平面图观察时，感测电极51与子像素SPX的第一电极31不重叠，并且可以采用在第一电极31周围的独立的岛的形式。
在实施例中，如图3中所示，第二电极35的位于感测电极51上方或与感测电极51重叠的部分可包括图案区域A，其中部分地暴露像素限定层15的多个开口OP被限定。因此，在这样的实施例中，可减小第二电极35对手指与感测电极51之间的可变电容器的影响，并且因此，可改善指纹感测效率。
图4是示出图3中所示的子像素SPX的第一电极31和感测像素FPX的感测电极51的设置的平面图。
参考图4，第一电极31被设置在第三绝缘层14上的每个子像素SPX中，并且感测电极51可被设置成与子像素SPX的第一电极31(例如，31R、31B和31G)相邻。
第一电极31可具有与图1中所示的子像素的尺寸对应的尺寸。例如，在一个实施例中，第一子像素SPX1的第一电极31R、第二子像素SPX2的第一电极31B、和第三子像素SPX3的第一电极31G可具有彼此不同的尺寸。
感测电极51沿着多个子像素SPX的第一电极31的周围部分延伸，以被广泛分布来确保感测面积。感测电极51可具有根据第一电极31的形状、尺寸和设置而变化的形状和尺寸。
有机发光显示装置1a的第二电极35可被其上的封装构件(未示出)密封。
例如，在一个实施例中，封装构件可以是封装薄膜。封装构件可包括膜(膜包括诸如氧化硅或氮化硅的无机材料)，或者可具有其中无机层和包括有机材料(诸如环氧树脂或聚酰亚胺)的层彼此交替堆叠的结构。
在可替代的实施例中，封装构件可以是封装基板。
图5是设置在图3的有机发光显示装置1a上的封装基板的截面图。
参考图5，第四绝缘层17可被布置在有机发光显示装置1a的第二电极35上。第四绝缘层17可包括单层或多层无机绝缘层或者单层或多层有机绝缘层，或者可具有其中无机绝缘层和有机绝缘层交替堆叠或布置的结构。第四绝缘层17可充当封盖层和/或保护层。
黑矩阵81可被布置在面对基板10的封装基板90的、在与除了第一电极31之外的剩余区域对应的位置处的表面上。黑矩阵81可被布置在封装基板90的表面上。在可替代的实施例中，黑矩阵81可被布置在封装基板90的凹陷中。
绝缘层83可被布置在封装基板90下面，例如，在封装基板90的整个下表面上。绝缘层83可包括无机材料层。
包括吸湿剂或填充剂的层70可被布置在基板10与封装基板90之间，例如，在第四绝缘层17与绝缘层83之间。
图6是示出根据可替代的实施例的有机发光显示装置的截面图。具体地，图6示出有机发光显示装置的与图3中所示的部分对应的部分。
参考图6，有机发光显示装置1b的可替代的实施例可包括第一区域和第二区域，子像素SPX被布置在第一区域上，感测像素FPX被布置在第二区域上。图6的有机发光显示装置1b可以与图3的有机发光显示装置1a基本相同，除了感测电极的设置之外。因此，将省略对其相同或相似的元件的任何重复性详细描述。
在这样的实施例中，子像素SPX可被布置在基板10上的第一区域中，子像素SPX中的每一个包括像素电路和连接到像素电路的发光器件EL，像素电路包括薄膜晶体管DTFT。像素电路可进一步包括电容器。
包括感测电路和感测电极55的感测像素FPX可被布置在基板10上的第二区域中，感测电路包括感测薄膜晶体管STFT。感测电路可进一步包括至少一个电容器。
感测薄膜晶体管STFT包括有源层41、栅电极43、源电极45和漏电极47。源电极45和漏电极47分别电连接到有源层41的源区和漏区。
感测电极55可经由连接电极53电连接到感测薄膜晶体管STFT。
连接电极53被布置在第三绝缘层14上，并且电连接到源电极45或漏电极47(例如，如图6中所示的漏电极47)。连接电极53被像素限定层15覆盖。当在基板10的厚度方向上从平面图观察时，连接电极53与子像素SPX的第一电极31不重叠，并且可以采用在第一电极31周围的独立的岛的形式。
设置在连接电极53上方的第二电极35可包括图案区域B，其中部分地暴露像素限定层15的第一开口OP1被限定。在这样的实施例中，如图6中所示，单个开口OP1被限定在每个图案区域B中，但是实施例并不限于此。可替代地，多个开口OP1可被限定在每个图案区域B中。
在这样的实施例中，第五绝缘层18可被布置在子像素SPX的第二电极35上。
部分地暴露连接电极53的第二开口OP2可被限定，例如，通过图案化在第二电极35的与图案区域B的第一开口OP1对应的部分处的第五绝缘层18和像素限定层15而形成。
感测电极55被布置成覆盖第五绝缘层18上的预定区域，并且感测电极55可覆盖第二开口OP2的侧表面以及连接电极53的经由第二开口OP2被暴露的上部。因此，在这样的实施例中，感测电极55可接触连接电极53，并且可电连接到感测薄膜晶体管STFT。
在这样的实施例中，如图6中所图示，有机发光显示装置1b包括更大面积的感测电极55，并且手指与感测电极55之间的可变电容器形成在第二电极35的上方，并且因此，可减小第二电极35的影响，并且可改善指纹感测效率。
图7是示出图6的子像素SPX的第一电极31和感测像素FPX的感测电极55的设置的平面图。
参考图7，第一电极31被布置在第三绝缘层14上的每个子像素SPX中，并且连接电极53可被布置在多个子像素SPX的第一电极31(例如，31R、31B和31G)的侧面处。
第一电极31可具有与图1中所示的子像素的尺寸对应的尺寸。例如，在一个实施例中，第一子像素SPX1的第一电极31R、第二子像素SPX2的第一电极31B和第三子像素SPX3的第一电极31G可具有彼此不同的尺寸。
感测电极55被布置在多个子像素SPX的第一电极31的上部上，并且可连接到接触部分C处的连接电极53。在图7中，为了方便说明，在连接电极53上的像素限定层15、发光器件EL的第二电极35以及第五绝缘层18被省略。感测电极55可具有足够覆盖多个第一电极31的面积，并且可具有类似正方形的形状。
有机发光显示装置1b的感测电极55可被其上的封装构件密封。
例如，在一个实施例中，封装构件可以是封装薄膜。封装构件可包括膜(膜包括诸如氧化硅或氮化硅的无机材料)，或者可具有其中无机层和包括有机材料(诸如环氧树脂或聚酰亚胺)的层彼此交替堆叠的结构。
在可替代的实施例中，封装构件可以是封装基板。
图8是设置在图6的有机发光显示装置1b上的封装基板的截面图。
参考图8，第六绝缘层19可被布置在有机发光显示装置1b的感测电极55上。第六绝缘层19可包括单层或多层无机绝缘层或者单层或多层有机绝缘层，或者可具有其中无机绝缘层和有机绝缘层交替设置的结构。第六绝缘层19可充当封盖层和保护层。
黑矩阵81可被布置在面对基板10的封装基板90的、在与除了第一电极31之外的剩余区域对应的位置处的表面(例如封装基板90的下表面)上。黑矩阵81可被布置在封装基板90的表面上。在可替代的实施例中，黑矩阵81可被布置在封装基板90的凹陷中。
绝缘层83可被布置在封装基板90下面，例如，在封装基板90的整个下表面上。绝缘层83可包括无机材料层。
包括吸湿剂或填充剂的层70可被布置在基板10与封装基板90之间，例如，在第五绝缘层18与绝缘层83之间。
图3至图8的截面图和平面图示出了本发明的示例性实施例，并且尽管发光器件的第一电极和感测像素的感测电极的设置可以是一致的，但其他电路器件的连接和设置可以基于像素电路和感测电路的配置而进行各种修改。
图9是示出根据本公开的实施例的有机发光显示装置1的像素电路和感测电路的设置的平面图。
参考图9，包括预定数量的像素PX的像素组的像素电路(PCG，下文被称为‘像素电路组’)和感测像素FPX的感测电路SC可在行方向和列方向上被重复设置在有机发光显示装置1的基板10上。
像素组可包括至少一个像素PX，并且像素电路组PCG中的像素电路可具有至少在横向方向上的对称结构。例如，在一个实施例中，像素电路组PCG中的像素电路可具有在纵向和横向两个方向上的对称结构。
感测电路SC可沿像素电路组PCG的周围部分被布置。在这样的实施例中，包括在感测电路SC中的薄膜晶体管和电容器可适当地分布在像素电路组PCG周围。
像素电路组PCG可包括N×N像素PX的像素电路PC。像素电路组PCG中的像素电路PC可以以预定的设置被布置，使得像素之间的寄生电容器最小化。
例如，在一个实施例中，当N为偶数时，电路器件可以以使得像素电路PC可以以四个像素电路PC为单位在纵向和横向方向上彼此对称的方式设置。例如，在一个可替代的实施例中，当N为奇数时，电路器件可以以使得像素电路PC可以以两个像素电路PC为单位彼此对称的方式设置。
根据本公开的实施例，多个像素被打包以确保空间，并且传感器被设置在被确保的空间中以有效控制传感器的电容。在这样的实施例中，打包像素的像素电路被设置成在横向方向上对称或者在横向方向上和在纵向方向上对称，并且因此，像素之间的寄生电容器彼此类似，并且从而改善色差(mura)缺陷。
图10A至图10D是示出像素电路组PCG的各种实施例的示意图。
在实施例中，如图10A中所示，像素电路组PCG可包括1×1像素PX(例如，一个像素或两个子像素)的像素电路。像素PX可包括第一像素PX1或第二像素PX2。像素电路组PCG的一对像素电路PC1和PC3具有在横向方向上的对称结构。
在可替代的实施例中，如图10B中所示，像素电路组PCG可包括2×2像素PX(例如，四个像素或八个子像素)的像素电路PC1-PC3。四个像素PX可包括彼此交替地设置的两个第一像素PX1和两个第二像素PX2。第一像素PX1的一对像素电路PC1和PC3以及第二像素PX2的一对像素电路PC2和PC3中的每一对具有在横向方向上的对称结构。设置在彼此上方和下方的第一像素PX1的像素电路PC1和PC3以及第二像素PX2的像素电路PC2和PC3在纵向方向上彼此对称。
在另一可替代的实施例中，如图10C中所示，像素电路组PCG可包括3×3像素PX(例如，九个像素或十八个子像素)的像素电路PC。九个像素PX可包括彼此交替地设置的五个第一像素PX1和四个第二像素PX2。第一像素PX1的一对像素电路PC1和PC3以及第二像素PX2的一对像素电路PC2和PC3中的每一对具有在横向方向上的对称结构。
在另一可替代的实施例中，如图10D中所示，根据实施例的像素电路组PCG可包括4×4像素PX(例如，十六(16)个像素或三十二(32)个子像素)的像素电路PC。十六个像素PX可包括彼此交替地设置的八个第一像素PX1和八个第二像素PX2。第一像素PX1的一对像素电路PC1和PC3以及第二像素PX2的一对像素电路PC2和PC3中的每一对具有在横向方向上的对称结构。设置在彼此上方和下方的第一像素PX1的像素电路PC1和PC3以及第二像素PX2的像素电路PC2和PC3在纵向方向上彼此对称。
图11是示出根据本公开的实施例的像素电路组PCG的布线的示意图。
参考图11，在实施例中，多条像素布线PW(例如，PW1至PW4)被分布在像素电路组PCG中，并且感测电路SC的多条感测布线SW(SW1至SW4)可被设置在像素电路组PCG周围。如图11中所示，在具有像素电路组PCG的像素电路PC的设置以及像素布线PW和感测布线SW的设置的实施例中，寄生电容器可存在于像素之间。因此，在这样的实施例中，屏蔽布线CSW(例如，第一屏蔽布线CSW1和第二屏蔽布线CSW2)可被选择性地提供在适当的位置处，以降低或屏蔽寄生电容器。
在实施例中，屏蔽布线CSW可以是悬空布线或被施加预定电压的布线。这里，预定电压可以是施加到像素电路PC的电压或施加到感测电路SC的电压中的一个。屏蔽布线CSW可与像素电路PC的像素布线PW和感测电路SC的感测布线SW中的至少一条被提供在同一层中，并且可包括与像素电路PC的像素布线PW和感测电路SC的感测布线SW中的至少一条相同的材料。
在这样的实施例中，如图11中所示，第一像素布线PW1至第四像素布线PW4分别被设置在像素电路组PCG的上侧、下侧、左侧和右侧处，并且感测电路SC的第一感测布线SW1至第四感测布线SW4被设置在像素电路组PCG周围。在这样的实施例中，第一屏蔽布线CSW1和第二屏蔽布线CSW2被设置成分别在横向方向上和纵向方向上穿过像素电路组PCG的中心。
在这样的实施例中，像素布线PW、感测布线SW和屏蔽布线CSW的数量和设置可以根据像素电路PC和感测电路SC的配置进行各种修改，以降低像素之间的寄生电容器。
图12是根据本公开的实施例的子像素中的像素电路PCa的电路图。
参考图12，像素电路PCa的实施例包括第一薄膜晶体管T1至第四薄膜晶体管T4以及电容器Cst。像素电路PCa连接到发光器件。发光器件可以是有机发光二极管OLED。
在这样的实施例中，第一薄膜晶体管T1的栅电极连接到电容器Cst的第一电极。第一薄膜晶体管T1的第一电极连接到经由第四薄膜晶体管T4向其施加第一电力电压ELVDD的驱动电压线PL。第一薄膜晶体管T1的第二电极电连接到有机发光二极管OLED的第一电极。第一薄膜晶体管T1根据第二薄膜晶体管T2的开关操作来接收数据信号DATA，并且向有机发光二极管OLED供给驱动电流。
在这样的实施例中，第二薄膜晶体管T2的栅电极连接到施加扫描信号Sn的扫描线SL。第二薄膜晶体管T2的第一电极连接到向其施加数据信号DATA的数据线DL。第二薄膜晶体管T2的第二电极连接到第一薄膜晶体管T1的第一电极，并且因此，经由第四薄膜晶体管T4连接到驱动电压线PL。第二薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且然后，执行用于将通过数据线DL传输的数据信号DATA传递到第一薄膜晶体管T1的第一电极的开关操作。
在这样的实施例中，第三薄膜晶体管T3的栅电极连接到扫描线SL。第三薄膜晶体管T3的第一电极连接到第一薄膜晶体管T1的第二电极，以连接到有机发光二极管OLED的第一电极。第三薄膜晶体管T3的第二电极连接到电容器Cst的第一电极和第一薄膜晶体管T1的栅电极。第三薄膜晶体管T3响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且连接第一薄膜晶体管T1的栅电极和第二电极，以二极管连接第一薄膜晶体管T1。
第四薄膜晶体管T4的栅电极连接到施加发射控制信号EM的发射控制线EML。第四薄膜晶体管T4的第一电极连接到驱动电压线PL。第四薄膜晶体管T4的第二电极连接到第一薄膜晶体管T1的第一电极和第二薄膜晶体管T2的第二电极。
电容器Cst的第二电极连接到驱动电压线PL。电容器Cst的第一电极连接到第一薄膜晶体管T1的栅电极和第三薄膜晶体管T3的第二电极。
有机发光二极管OLED的第一电极连接到第一薄膜晶体管T1的第二电极，并且有机发光二极管OLED的第二电极连接到供给第二电力电压ELVSS的电源。有机发光二极管OLED接收来自第一薄膜晶体管T1的驱动电流来发射光，并且因此显示图像。
图13是根据本公开的实施例的感测像素中的感测电路SCa的电路图。
参考图13，感测电路SCa的实施例可包括第一感测薄膜晶体管ST1至第三感测薄膜晶体管ST3以及参考电容器CR。形成感测电容器CF的感测电极可以连接到参考电容器CR。
在这样的实施例中，第一感测薄膜晶体管ST1的栅电极连接到节点N。第一感测薄膜晶体管ST1的第一电极连接到读出信号Rx被施加的读出线RL，并且第一感测薄膜晶体管ST1的第二电极连接到第三感测薄膜晶体管ST3的第二电极。
第二感测薄膜晶体管ST2的栅电极连接到施加第一感测扫描信号SSn-1的第一感测扫描线SSL1。第二感测薄膜晶体管ST2的第一电极连接到施加公共电压Vcom的公共电压线VCL，并且第二感测薄膜晶体管ST2的第二电极连接到节点N。
第三感测薄膜晶体管ST3的栅电极连接到施加第二感测扫描信号SSn的第二感测扫描线SSL2。第三感测薄膜晶体管ST3的第一电极连接到施加公共电压Vcom的公共电压线VCL，并且第三感测薄膜晶体管ST3的第二电极连接到第一感测薄膜晶体管ST1的第二电极。
参考电容器CR的第一电极连接到第二感测扫描线SSL2和第三感测薄膜晶体管ST3的栅电极。参考电容器CR的第二电极连接到节点N，以连接到第一感测薄膜晶体管ST1的栅电极。
感测电容器CF是由感测电极和手指的表面形成的可变电容器。感测电容器CF的感测电极连接到节点N，以连接到第一感测薄膜晶体管ST1的栅电极、第二感测薄膜晶体管ST2的第二电极以及参考电容器CR的第二电极。
在实施例中，第二感测薄膜晶体管ST2响应于第一感测扫描信号SSn-1而导通，并且可通过使用向其施加的公共电压Vcom而重置连接到节点N的第一感测薄膜晶体管ST1的栅电极。在这样的实施例中，第三感测薄膜晶体管ST3响应于第二感测扫描信号SSn而导通，并且然后，公共电压Vcom被施加到参考电容器CR的第一电极。这里，由于在指纹的脊和谷中感测电容器CF的电容与参考电容器CR的电容的耦合，在节点N处的电压，即第一感测薄膜晶体管ST1的栅电极的电压改变。因此，可经由第一感测薄膜晶体管ST1中流动的电流量的变化来识别指纹。
图14是示出根据本公开的实施例的、图12的像素电路PCa和图13的感测电路SCa的设置的有机发光显示装置的平面图。
参考图14，在实施例中，感测电路SCa被设置成围绕像素电路组PCG，在像素电路组PCG中，2×2像素的像素电路PCa在纵向和横向方向上彼此对称设置。
像素电路PCa的扫描线SL和发射控制线EML以及感测电路SCa的第一感测扫描线SSL1和第二感测扫描线SSL2彼此隔开，并且在行方向上延伸。像素电路PCa的驱动电压线PL和数据线DL以及感测电路SCa的公共电压线VCL和读出线RL彼此隔开，并且在列方向上延伸。
在实施例中，图12和图13中所示的像素电路PCa和感测电路SCa中的每个薄膜晶体管的第一电极和第二电极分别与有源层121和有源层131中掺杂有杂质的源区和漏区对应。
像素电路PCa的第一薄膜晶体管T1至第四薄膜晶体管T4沿有源层121设置。有源层121包括多晶硅，并且有源层121包括未掺杂杂质的沟道区、以及在沟道区的相对侧处掺杂有杂质的源区和漏区。这里，杂质可根据薄膜晶体管的类型而变化，并且可以是N型杂质或P型杂质。
第一薄膜晶体管T1包括弯曲成类似S形状的有源层121。第一薄膜晶体管T1和电容器Cst在垂直方向上彼此重叠。
电容器Cst的第一电极也充当第一薄膜晶体管T1的栅电极。电容器Cst的第一电极与相邻子像素隔开，并且具有正方形形状。电容器Cst的第二电极延伸以连接到相邻像素。开口GH通过电容器Cst的第二电极被限定，使得连接电极经由开口GH将第一薄膜晶体管T1的栅电极连接到第三薄膜晶体管T3的第二电极。
驱动电压线PL在列方向上穿过一对像素电路PCa之间的中心，并且连接到在行方向上延伸的电容器Cst的第二电极，以具有网格结构。该对像素电路PCa的数据线DL被设置成彼此面对，且驱动电压线PL置于它们之间。
当在基板10的厚度方向上从平面图观察时，感测电路SCa的第二感测薄膜晶体管ST2被设置在2×2像素的像素电路PCa的左上部处，并且第一感测薄膜晶体管ST1和第三感测薄膜晶体管ST3被设置在2×2像素的像素电路PCa的下部处。
当从平面图观察时，公共电压线VCL在列方向上被设置在2×2像素的像素电路PCa的左边部分处。当从平面图观察时，公共电压线VCL被设置在数据线DL的外部。读出线RL被设置成在列方向上穿过2×2像素的像素电路PCa的中心。读出线RL被设置在相对的数据线DL之间。当从平面图观察时，第一感测扫描线SSL1和第二感测扫描线SSL2被设置在发射控制线EML的外部。
当从平面图观察时，参考电容器CR的第一电极和第二电极被设置成在行方向上在第一感测薄膜晶体管ST1和第三感测薄膜晶体管ST3的下部处彼此重叠。
在这样的实施例中，用于将第一薄膜晶体管T1的第二电极连接到发光器件的第一电极的第一通孔VIA1通过每个像素电路PC被限定。在这样的实施例中，用于将感测电容器CF的感测电极连接到参考电容器CR的第二电极的第二通孔VIA2通过感测电路SCa被限定。
图15至图17是示出图14的有机发光显示装置的实施例的局部截面图。
图15是示出在有机发光显示装置的实施例中的像素电路PCa的第一薄膜晶体管T1和电容器Cst以及感测电路SCa的第一感测薄膜晶体管ST1和参考电容器CR的截面图。下文中，将参考图15至图17并且也参考图14来描述有机发光显示装置的实施例。
在实施例中，如图15中所示，缓冲层11被设置在基板10上。
第一薄膜晶体管T1至第四薄膜晶体管T4的有源层121以及第一感测薄膜晶体管ST1至第三感测薄膜晶体管ST3的有源层131被布置在缓冲层11上。图15示出第一薄膜晶体管T1的有源层121和第一感测薄膜晶体管ST1的有源层131。
第一薄膜晶体管T1至第四薄膜晶体管T4的有源层121彼此连接。第一感测薄膜晶体管ST1和第三感测薄膜晶体管ST3的有源层131彼此连接，并且第二感测薄膜晶体管ST2的有源层131被隔离。
第一绝缘层12被布置在有源层121和有源层131上。
第一薄膜晶体管T1至第四薄膜晶体管T4的栅电极、第一感测薄膜晶体管ST1至第三感测薄膜晶体管ST3的栅电极、以及参考电容器CR的第一电极141被布置在第一绝缘层12上。图15示出第一薄膜晶体管T1的栅电极123、第一感测薄膜晶体管ST1的栅电极133以及参考电容器CR的第一电极141。第一薄膜晶体管T1的栅电极123也充当电容器Cst的第一电极。
发射控制线EML、扫描线SL、以及第一感测扫描线SSL1和第二感测扫描线SSL2可与栅电极123和栅电极133的层设置在同一层。
第二绝缘层包括第一个第二绝缘层13a、第二个第二绝缘层13b和第三个第二绝缘层13c。第一个第二绝缘层13a被布置在栅电极123和栅电极133以及第一电极141上。电容器Cst的第二电极125和参考电容器CR的第二电极143被布置在第一个第二绝缘层13a上。第二个第二绝缘层13b被布置在第二电极125和第二电极143上。用于将第一感测薄膜晶体管ST1的栅电极133连接到参考电容器CR的第二电极143的连接电极151被布置在第二个第二绝缘层13b上。
连接电极151经由通过图案化第一个第二绝缘层13a和第二个第二绝缘层13b以部分地暴露栅电极133而形成的孔以及通过图案化第二个第二绝缘层13b以部分地暴露第二电极143而形成的孔来接触栅电极133和第二电极143。
在实施例中，尽管未在图15中示出，但是如图14中所示，用于将第二感测薄膜晶体管ST2的第二电极连接到参考电容器CR的第二电极143的连接电极可进一步被提供。
第三个第二绝缘层13c被布置在连接电极151上。驱动电压线PL、数据线DL、公共电压线VCL和读出线RL被布置在第三个第二绝缘层13c上。在实施例中，用于将第一薄膜晶体管T1的有源层121连接到发光器件的第一电极的连接电极153以及用于将参考电容器CR的第二电极143连接到感测电容器CF的感测电极的连接电极155被布置在第三个第二绝缘层13c上。
连接电极153经由通过图案化第一个第二绝缘层13a、第二个第二绝缘层13b和第三个第二绝缘层13c以部分地暴露有源层121而形成的孔来接触有源层121。连接电极155经由通过图案化第二个第二绝缘层13b和第三个第二绝缘层13c以部分地暴露第二电极143而形成的孔来接触第二电极143。
在实施例中，尽管未在图15中示出，但是参考图14，用于将第一薄膜晶体管T1的栅电极连接到第三薄膜晶体管T3的第二电极的连接电极可以进一步被提供。在实施例中，驱动电压线PL经由通过图案化第二个第二绝缘层13b和第三个第二绝缘层13c以部分地暴露第二电极125而形成的孔来接触第二电极125。数据线DL经由通过图案化第一绝缘层12、第一个第二绝缘层13a、第二个第二绝缘层13b和第三个第二绝缘层13c以部分地暴露第二薄膜晶体管T2的有源层121而形成的孔来接触第二薄膜晶体管T2的有源层121。公共电压线VCL经由通过图案化第一绝缘层12、第一个第二绝缘层13a、第二个第二绝缘层13b和第三个第二绝缘层13c以部分地暴露第二感测薄膜晶体管ST2和第三感测薄膜晶体管ST3的有源层131而形成的孔来接触第二感测薄膜晶体管ST2和第三感测薄膜晶体管ST3的有源层131。读出线RL经由通过图案化第一绝缘层12、第一个第二绝缘层13a、第二个第二绝缘层13b和第三个第二绝缘层13c以部分地暴露第一感测薄膜晶体管ST1的有源层131而形成的孔来接触第一感测薄膜晶体管ST1的有源层131。
第三绝缘层14被布置在驱动电压线PL、数据线DL、公共电压线VCL和读出线RL上。在这样的实施例中，部分地暴露连接电极153的第一通孔VIA1和部分地暴露连接电极155的第二通孔VIA2通过第三绝缘层14被限定。
在实施例中，如图16中所示，发光器件EL的经由第一通孔VIA1接触连接电极153的第一电极31和感测电容器CF的经由第二通孔VIA2接触连接电极155的感测电极51可被布置在第三绝缘层14上。
像素限定层15被布置在发光器件EL的第一电极31和感测电容器CF的感测电极51上。在实施例中，部分地暴露发光器件EL的第一电极31并且覆盖感测电容器CF的感测电极51的开口通过像素限定层15被限定。
中间层33和第二电极35被依次布置在发光器件EL的第一电极31上。第二电极35可以在与感测电容器CF的感测电极51对应的图案区域A上被图案化，以限定开口。
在可替代的实施例中，如图17中所示，发光器件EL的经由第一通孔VIA1接触连接电极153的第一电极31和经由第二通孔VIA2接触连接电极155的连接电极53进一步被布置在第三绝缘层14上。
在这样的实施例中，中间层33和第二电极35被依次布置在发光器件EL的第一电极31上。第二电极35在与连接电极53对应的图案区域B中被图案化，以限定开口。
在这样的实施例中，第五绝缘层18被布置在发光器件EL的第二电极35上。第五绝缘层18和像素限定层15在与连接电极53对应的区域C中被图案化，以限定部分地暴露连接电极53的开口。
在这样的实施例中，感测电容器CF的感测电极55被布置在第五绝缘层18上。感测电容器CF的感测电极55接触区域C中的连接电极53。感测电极55可具有与发光器件EL的第二电极35的上部重叠的大的面积。
图18是示出根据本公开的另一实施例的、图12的像素电路PCa和图13的感测电路SCa的设置的有机发光显示装置的平面图。
参考图18，感测电路SCa被设置成围绕像素电路组PCG，在像素电路组PCG中，2x2像素的像素电路PCa(例如，PCa1、PCa2或PCa3)在纵向和横向方向上彼此对称设置。
现在将描述图18中所示的布线。像素电路PCa的扫描线SL和发射控制线EML以及感测电路SCa的第一感测扫描线SSL1和第二感测扫描线SSL2彼此隔开地在行方向上延伸。像素电路PCa的驱动电压线PL和数据线DL以及感测电路SCa的公共电压线VCL和读出线RL彼此隔开地在列方向上延伸。
驱动电压线PL在列方向上延伸以穿过一对像素电路PCa之间的中心。该对像素电路PCa的数据线DL被设置成彼此面对，且驱动电压线PL置于它们之间。
当从平面图观察时，公共电压线VCL在列方向上被设置在4x4像素的像素电路PCa的左边部分处。当从平面图观察时，公共电压线VCL被设置在数据线DL的外部。读出线RL在列方向上被设置以穿过4x4像素的像素电路PCa的中心。读出线RL被设置在相对的数据线DL之间。
当从平面图观察时，第一感测扫描线SSL1和第二感测扫描线SSL2被设置在发射控制线EML的外部。
第一屏蔽线CL1被设置在第一感测扫描线SSL1与第二感测扫描线SSL2之间，并且第二屏蔽线CL2被设置在公共电压线VCL与读出线RL之间，以防止在多个像素之间生成寄生电容。第一屏蔽线CL1在行方向上被设置以穿过4x4像素的像素电路PCa之间的中心。第二屏蔽线CL2在列方向上被设置在一对像素的数据线DL之间。
第一屏蔽线CL1可与扫描线SL布置在同一层中，并且可包括与扫描线SL相同的材料。
第二屏蔽线CL2可与数据线DL布置在同一层中，并且可包括与数据线DL相同的材料。
例如，在实施例中，第一屏蔽线CL1和第二屏蔽线CL2可以是悬空布线。在可替代的实施例中，第一屏蔽线CL1和第二屏蔽线CL2电连接到公共电压线VCL，以接收公共电压Vcom。
本发明的实施例不限于图18中所示的实施例，并且屏蔽线CL的数量和设置位置可以根据包括在像素电路组中的像素的数量、像素电路PC的配置、以及感测电路SC的配置进行各种修改。
在实施例中，晶体管可以是P型薄膜晶体管，但是实施例并不限于此。可替代地，这样的晶体管可以是N型薄膜晶体管。
根据本文所提出的实施例，传感器可与像素同时被形成，并且因此，内置有传感器的显示装置可以在不使用附加的掩模、不增加成本以及不改变工艺的情况下被实施。
在这样的实施例中，一个传感器电路被提供在多个像素中的每一个中，并且多个像素的电路对称设置，以减小像素之间的寄生电容的变化。
根据本公开的实施例，其中像素和指纹传感器被整体提供在基板上的显示装置可以使用整个面板作为传感器并且可以具有薄的厚度。可针对每个应用设置锁定模式，并且可通过使用指纹传感器加强支付、汇款等的安全。
根据本公开的实施例，显示装置包括整体被提供在其中的指纹识别传感器，并且因此，可有效防止由像素之间的寄生电容的变化引起的色差缺陷。
应理解，本文中描述的实施例应被视为仅是描述性的含义，而不是为了限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。
虽然已参考本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员应当理解，在不背离由所附权利要求所限定的本发明的精神或范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (14)

1.一种包括传感器的显示装置，所述显示装置包括：
像素组，所述像素组包括预定数量的像素，其中，所述预定数量的像素中的每一个像素包括像素电路和电连接到所述像素电路的发光器件；以及
感测像素，所述感测像素包括感测电路和连接到所述感测电路的感测电极，其中，所述感测电极相对于手指形成可变电容器，
其中，所述感测电路被设置在所述像素组的像素电路周围，并且所述感测电极被布置在所述发光器件上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光器件包括：
连接到所述像素电路的第一电极；
与所述第一电极相对的第二电极；以及
在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层，并且
所述感测电极被布置在所述发光器件的所述第二电极上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述感测电极在所述感测电路上，并且电连接到所述感测电路。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二电极与所述多个发光器件的所述第一电极重叠。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述感测电极与所述多个发光器件的所述第一电极重叠，并且
所述第二电极包括在所述多个发光器件的所述第一电极周围的至少一个开口。
6.根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括：
与所述第一电极在同一层中的电极层，其中，所述电极层电连接到所述感测电路并且经由所述开口接触所述感测电极。
7.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
在所述像素组的像素电路之间的屏蔽线。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述屏蔽线是悬空线。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，预定电压被施加到所述屏蔽线。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述屏蔽线包括在第一方向上延伸的第一屏蔽线和在不同于所述第一方向的第二方向上延伸在第二屏蔽线上延伸的第二屏蔽线。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素组的所述像素电路包括第一像素电路和在第一方向上与所述第一像素电路邻近的第二像素电路，并且
其中，所述第一像素电路和所述第二像素电路在所述第一方向上彼此对称。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述像素组的所述像素电路包括在不同于所述第一方向的第二方向上与所述第一像素电路邻近的第三像素电路和在所述第二方向上与所述第二像素电路邻近的第四像素电路，并且
其中，所述第一像素电路和所述第三像素电路在所述第二方向上彼此对称，并且所述第二像素电路和所述第四像素电路在所述第二方向上彼此对称。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素组包括至少两个像素。
14.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
在所述发光器件上的封装基板。
CN202311385608.6A 2017-07-28 2018-05-24 包括传感器的显示装置 Pending CN117337067A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0096376 2017-07-28
KR1020170096376A KR102448031B1 (ko) 2017-07-28 2017-07-28 센서 일체형 표시장치
CN201810507413.7A CN109309109B (zh) 2017-07-28 2018-05-24 包括传感器的显示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810507413.7A Division CN109309109B (zh) 2017-07-28 2018-05-24 包括传感器的显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117337067A true CN117337067A (zh) 2024-01-02

Family

ID=65039053

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810507413.7A Active CN109309109B (zh) 2017-07-28 2018-05-24 包括传感器的显示装置
CN202311385608.6A Pending CN117337067A (zh) 2017-07-28 2018-05-24 包括传感器的显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810507413.7A Active CN109309109B (zh) 2017-07-28 2018-05-24 包括传感器的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10734458B2 (zh)
KR (1) KR102448031B1 (zh)
CN (2) CN109309109B (zh)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11233096B2 (en) 2016-02-18 2022-01-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel arrangement structure and driving method thereof, display substrate and display device
CN110137214A (zh) * 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
US11448807B2 (en) 2016-02-18 2022-09-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, fine metal mask set and manufacturing method thereof
US11264430B2 (en) 2016-02-18 2022-03-01 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel arrangement structure with misaligned repeating units, display substrate, display apparatus and method of fabrication thereof
CN110137213A (zh) 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构及其显示方法、显示基板
CN110134353B (zh) 2018-02-09 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 颜色补偿方法、补偿装置以及显示装置
US11747531B2 (en) 2016-02-18 2023-09-05 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, fine metal mask set and manufacturing method thereof
KR102448031B1 (ko) * 2017-07-28 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 센서 일체형 표시장치
US20190229173A1 (en) * 2018-01-23 2019-07-25 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
CN110137211A (zh) * 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置
US11574960B2 (en) 2018-02-09 2023-02-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel arrangement structure, display substrate, display device and mask plate group
CN115542617A (zh) 2018-02-09 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
US11003287B2 (en) * 2018-03-30 2021-05-11 Sharp Kabushiki Kaisha Touch sensor for display with improved viewing angle uniformity
CN108647606B (zh) * 2018-04-28 2020-07-14 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN108762561B (zh) * 2018-05-25 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制造方法、驱动方法、触控显示装置
KR20200075996A (ko) * 2018-12-18 2020-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200082504A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치
CN111384085B (zh) * 2018-12-28 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
CN109713017B (zh) * 2019-01-14 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110767709B (zh) * 2019-02-02 2022-02-08 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示屏及显示装置
CN109904200A (zh) * 2019-02-27 2019-06-18 昆山国显光电有限公司 像素排布结构及显示面板、显示装置
CN110110659A (zh) * 2019-05-07 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US20200365099A1 (en) * 2019-05-19 2020-11-19 Innolux Corporation Display device and driving method thereof
CN111969114B (zh) * 2019-05-20 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、制造显示面板的方法和掩模板
JP7420560B2 (ja) 2019-07-31 2024-01-23 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示用基板及びその製造方法、表示パネル、表示装置
CN110970481B (zh) * 2019-12-18 2023-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111582103B (zh) * 2020-04-28 2024-04-12 上海天马微电子有限公司 一种指纹识别结构、装置、显示面板以及显示装置
CN111584502A (zh) * 2020-05-09 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法以及显示面板
KR20210142033A (ko) 2020-05-14 2021-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN111627969B (zh) * 2020-06-04 2022-07-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、制作方法、显示面板和显示装置
KR20220031827A (ko) 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 타일드 표시 장치 및 이에 채용되는 서브-표시 패널
KR20220032283A (ko) * 2020-09-07 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 표시패널과 이를 이용한 표시장치
US11854290B2 (en) 2020-09-18 2023-12-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
KR20220092134A (ko) * 2020-12-24 2022-07-01 엘지디스플레이 주식회사 표시패널
CN112701149B (zh) 2020-12-29 2022-08-02 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
TWI757036B (zh) * 2021-01-06 2022-03-01 友達光電股份有限公司 觸控顯示面板
KR20220121968A (ko) 2021-02-25 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7924272B2 (en) 2006-11-27 2011-04-12 Microsoft Corporation Infrared sensor integrated in a touch panel
KR101525802B1 (ko) * 2008-12-11 2015-06-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CA2692097A1 (en) * 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
JP2012221082A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Seiko Epson Corp センシング装置および電子機器
US9158420B2 (en) * 2012-08-22 2015-10-13 Eastman Kodak Company Pixel-aligned diamond-patterned micro-wire electrode
US9494995B2 (en) 2013-06-03 2016-11-15 Qualcomm Incorporated Devices and methods of sensing
KR102346206B1 (ko) * 2014-01-22 2022-01-03 가부시키가이샤 와코무 위치 지시기, 위치 검출 장치, 위치 검출 회로 및 위치 검출 방법
CN103839520B (zh) * 2014-02-28 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置
JP6601020B2 (ja) * 2014-08-11 2019-11-06 セイコーエプソン株式会社 撮像表示装置
US9542588B2 (en) * 2014-11-17 2017-01-10 Cypress Semiconductor Corporations Capacitive fingerprint sensor with quadrature demodulator and multiphase scanning
CN104464625B (zh) * 2014-12-10 2016-09-21 合肥鑫晟光电科技有限公司 像素电路及其驱动方法、阵列基板、显示装置
KR102375192B1 (ko) * 2015-07-03 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN115131834A (zh) 2015-08-13 2022-09-30 小米科技有限责任公司 移动设备及其屏幕模组、指纹采集方法、装置及电子设备
KR102384252B1 (ko) 2015-08-31 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 인셀 타입 표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
CN105118438B (zh) * 2015-09-21 2017-07-25 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、方法、像素电路和显示装置
KR102586113B1 (ko) 2016-08-31 2023-10-06 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시패널, 터치스크린 내장형 표시장치, 통합 구동 회로 및 구동 방법
CN106293258B (zh) * 2016-10-11 2020-01-10 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板
KR102448031B1 (ko) * 2017-07-28 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 센서 일체형 표시장치
US10854953B2 (en) * 2017-09-27 2020-12-01 Apple Inc. Electronic devices having housing-integrated antennas
JP2019067157A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109309109B (zh) 2023-11-07
US20200321405A1 (en) 2020-10-08
KR102448031B1 (ko) 2022-09-28
KR20190014216A (ko) 2019-02-12
US20190035859A1 (en) 2019-01-31
CN109309109A (zh) 2019-02-05
US20220214761A1 (en) 2022-07-07
US11287911B2 (en) 2022-03-29
US10734458B2 (en) 2020-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109309109B (zh) 包括传感器的显示装置
US11195894B2 (en) Display apparatus
US10297646B2 (en) Display device having sub-pixel array structure
US10403685B2 (en) Display device
CN107845656B (zh) 显示装置
CN107293566B (zh) 显示设备
KR102412232B1 (ko) 터치센서를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법
US20240045533A1 (en) Display device
US11942032B2 (en) Display apparatus including power line comprising first power line in first direction and second power line in second direction
US8692808B2 (en) Touch panel
US20210193762A1 (en) Display device
KR102419781B1 (ko) 표시장치 및 촬상장치
CN112310172A (zh) 具有以单位像素对布置的显示面板
CN113130558A (zh) 显示面板
US20220037452A1 (en) Display device
US20240144878A1 (en) Display substrate and display apparatus
CN116419627A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination