KR20220092134A - 표시패널 - Google Patents

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KR20220092134A
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최성욱
이진욱
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Abstract

본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 특히 데이터배선들 간의 커플링(coupling) 현상이 방지된 표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 디멀티플렉서를 이용하여 데이터 구동부 채널 개수를 줄이면서도, 두개의 인접한 데이터배선들 사이로 저전위 전원전압이 공급되는 접지전압배선에서 연장되는 보조접지전압배선이 위치하도록 하는 것이다.
이를 통해, 데이터배선들 간의 전기적 간섭에 의한 커플링 현상을 줄일 수 있어, 이웃한 부화소들 간의 휘도 차이를 크게 발생하는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 접지전압배선들로부터 연장되는 보조접지전압배선이 표시영역 내에도 위치하게 됨에 따라, 접지전압배선들과 캐소드전극(cathode)의 콘택영역을 증가시킬 수 있어, 캐소드전극(cathode)으로 공급되는 저전위 전원전압이 불균일 해지는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 표시패널의 좌우측 비표시영역의 폭 또한 감소시킬 수 있게 되어 내로우베젤 또한 구현할 수도 있다.

Description

표시패널{Display device}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 특히 데이터배선들 간의 커플링(coupling) 현상이 방지된 표시장치에 관한 것이다.
최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 큰 장점이 있다.
이러한 유기발광 표시장치는 유기발광 다이오드(OLED)가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 스캔신호에 의해 선택된 화소들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다.
유기발광 표시장치의 각 화소는 유기발광 다이오드(OLED) 이외에도, 서로 교차하는 데이터 배선 및 게이트배선과 이와 연결 구조를 갖는 트랜지스터 및 스토리지 캐패시터 등으로 이루어져 있다.
여기서, 각 화소는 각종 기능을 더 수행하기 위하여, 그에 맞는 트랜지스터를 더 포함할 수 있으며, 이로 인해, 트랜지스터들로 각종 신호를 공급하기 위한 신호 배선이 더 많아지고, 화소 구조도 복잡해질 수밖에 없다.
따라서, 데이터 구동부와 데이터배선들 사이에 디멀티플렉서(Demultiplexer, DEMUX)가 배치될 수 있는데, 디멀티플렉서는 데이터 구동부의 한 채널을 다수의 데이터배선들 사이에 연결하여 데이터 구동부의 한 채널로부터 출력되는 데이터 전압을 다수의 데이터배선들에 시분할 분배함으로써 데이터 구동부의 채널 개수를 줄일 수 있다.
그러나, 디멀티플렉서를 이용하여 데이터 구동부의 채널 개수를 줄일 수는 있으나, 두개의 데이터배선들에 데이터 전압이 순차적으로 인가되기 때문에 데이터배선들의 전압 차이가 발생하게 된다.
인접하여 위치하는 데이터배선들의 전압 차이가 발생하게 되면, 데이터배선들 사이의 전기적 간섭 즉, 커플링(coupling) 현상이 발생할 수 있다.
이러한 커플링 현상은 이웃한 화소들 간의 휘도 차이를 크게 발생시킬 수 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 인접하여 위치하는 데이터배선들 간의 커플링(coupling) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공하는 것을 제 1 목적으로 한다.
또한, 저전위 전원 전압(VSS)의 전압이 상승하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공하는 것을 제 2 목적으로 한다.
또한, 내로우 베젤을 갖는 유기발광 표시장치를 제공하는 것을 제 3 목적으로 한다.
전술한 바와 같이 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 복수의 게이트배선과 복수의 데이터배선에 의해 정의되는 다수의 부화소를 포함하는 표시패널과, 상기 복수의 데이터배선 중 서로 인접하여 위치하는 두 데이터배선 사이로 위치하는 보조접지전압배선을 포함하는 표시장치를 제공한다.
여기서, 상기 표시패널은 상기 다수의 부화소가 위치하는 표시영역과, 상기 표시영역의 가장자리를 따라 정의되는 비표시영역을 포함하며, 상기 비표시영역을 따라 접지전압배선이 위치하며, 상기 보조접지전압배선은 상기 접지전압배선으로부터 상기 표시영역 내로 연장되며, 상기 접지전압배선은 상기 표시패널의 상단 및 하단에 각각 형성되는 제 1 외곽배선들과, 상기 표시패널의 좌측 및 우측에 각각 형성되는 제 2 외곽배선들을 포함하며, 상기 제 2 외곽배선들의 폭이 상기 제 1 외곽배선들의 폭 보다 얇다.
그리고, 상기 표시패널의 일 단으로부터 상기 보조접지전압배선으로 저전위 전원전압이 인가되며, 상기 표시패널의 서로 마주보는 양 단으로부터 상기 보조접지전압배선으로 저전위 전원전압이 인가된다.
그리고, 상기 표시패널의 일 단에는 상기 데이터배선으로 데이터 전압을 인가하는 데이터구동부가 구비되며, 상기 표시패널의 타 단에는 터치층의 터치센서들로 터치신호를 인가하기 위한 터치센서구동회로가 구비되며, 상기 저전위 전원전압은 상기 데이터구동부와 상기 터치센서구동회로를 통해 전달되며, 상기 다수의 부화소들은 다수의 전원배선 및 기준배선 그리고 EM 배선들을 더욱 포함하며, 제 1 부화소의 일측으로는 제 1 데이터배선이 위치하며, 상기 제 1 부화소와 제 2 부화소의 서로 마주하는 각 경계에는 각각 제 1 및 제 2 기준배선이 위치하며, 상기 제 1 및 제 2 기준배선 사이로는 제 1 전원배선이 위치하며, 상기 제 2 부화소와 제 3 부화소의 서로 마주보는 각 경계에는 각각 제 2 및 제 3 데이터배선이 위치하며, 상기 제 2 및 제 3 데이터배선 사이로 상기 보조접지전압배선이 위치한다.
그리고, 상기 제 1 및 제 2 부화소는 상기 제 1 전원배선을 기준으로 대칭구조이며, 상기 제 2 및 제 3 부화소는 상기 보조접지전압배선을 기준으로 대칭구조로 이루어지며, 상기 다수의 부화소는, 각각 제 1 내지 제 8 트랜지스터와, 스토리지 커패시터와, 발광다이오드를 포함한다.
또한, 본 발명은 복수의 게이트배선과 복수의 데이터배선 그리고 공통전압배선들이 배치되고, 다수의 부화소가 배치된 표시패널과, 서로 인접하여 위치하는 상기 데이터배선과 상기 공통전압배선 사이로 위치하는 차폐배선을 포함하는 표시장치를 더욱 포함한다.
상기 차폐배선은 초기화전압(Vini)을 인가하는 초기화배선으로부터 분기하거나, 저전위 전원 전압(VSS)을 인가하는 접지전압배선으로부터 분기하여 형성되며, 상기 공통전압배선들은 기준전압(Vref), 고전위 전원 전압(VDD), 저전위 전원 전압(VSS) 등이 인가된다.
그리고, 상기 차폐배선과 상기 데이터배선 및 상기 공통전압배선은 동일층에 위치한다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 디멀티플렉서를 이용하여 데이터 구동부 채널 개수를 줄이면서도, 두개의 인접한 데이터배선들 사이로 저전위 전원전압이 공급되는 접지전압배선에서 연장되는 보조접지전압배선이 위치하도록 함으로써, 데이터배선들 간의 전기적 간섭에 의한 커플링 현상을 줄일 수 있게 되는 효과가 있다.
따라서, 이웃한 부화소들 간의 휘도 차이를 크게 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 접지전압배선들로부터 연장되는 보조접지전압배선이 표시영역 내에도 위치하게 됨에 따라, 접지전압배선들과 캐소드전극(cathode)의 콘택영역을 증가시킬 수 있어, 캐소드전극(cathode)으로 공급되는 저전위 전원전압이 불균일 해지는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 표시패널의 제 2 외곽배선의 폭을 줄일 수 있어, 표시패널의 좌우측 비표시영역의 폭 또한 감소시킬 수 있게 되어 내로우베젤 또한 구현할 수도 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 구조에 대한 등가회로도를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광표시장치의 전체 구조를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소 구조를 도시한 평면도.
도 4a ~ 4b는 접지전압배선의 평면구조를 보여주는 평면도.
도 5a는 저전위 전원전압이 불균일해지는 현상이 발생한 시뮬레이션 결과.
도 5b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화이트 휘도의 균일성을 측정한 시뮬레이션 결과.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
- 제 1 실시예 -
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 구조에 대한 등가회로도를 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 부화소(SP) 각각은 제1 내지 제8트랜지스터(T1 내지 T10), 스토리지 커패시터(Cst), 발광다이오드(Del)를 포함한다. 트랜지스터의 회로는 도 1에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다.
예를 들어 유기발광 표시장치는 6T1C 구조 또는 10T2C 구조 등이 될 수 있으며, 제 1 내지 제 8 트랜지스터(T1 내지 T8)는 P타입 일 수 있다.
스위칭트랜지스터인 제 1 트랜지스터(T1)는 제 n 게이트전압(Scan(n))에 따라 스위칭되어 데이터전압(Vdata)을 전달하는데, 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트전극은 제 n 게이트배선의 제 n 게이트전압(Scan(n))을 인가 받고, 제 1 트랜지스터(T1)의 소스전극은 데이터배선(DL)에 연결되고, 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인전극은 제 2 및 제 4 트랜지스터(T2, T4)의 소스전극에 연결된다.
구동트랜지스터인 제 2 트랜지스터(T2)는 스토리지 커패시터(Cst)의 일전극의 전압에 따라 스위칭되는데, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일전극, 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인전극, 제 8 트랜지스터(T8)의 소스전극에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인전극은 제 3 및 제 5 트랜지스터(T3, T5)의 소스전극에 연결된다.
제 3 트랜지스터(T3)는 제 n 발광전압(Em(n))에 따라 스위칭되는데, 제 3 트랜지스터(T3)의 게이트전극은 제 n 발광전압(Em(n))을 인가 받고, 제 3 트랜지스터(T3)의 소스전극은 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인전극, 제 5 트랜지스터(T5)의 소스전극에 연결되고, 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인전극은 제 6 트랜지스터(T6)의 소스전극, 발광다이오드(Del)의 양극에 연결된다.
제 4 트랜지스터(T4)는 제 n 발광전압(Em(n))에 따라 스위칭되는데, 제 4 트랜지스터(T4)의 게이트전극은 제 n 발광전압(Em(n))을 인가 받고, 제 4 트랜지스터(T4)의 소스전극은 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인전극, 제 2 트랜지스터(T2)의 소스전극에 연결되고, 제 4 트랜지스터(T3)의 드레인전극은 고전위 전원 전압(VDD)을 인가 받고 제 7 트랜지스터(T7)의 소스전극에 연결된다.
제 5 트랜지스터(T5)는 제 n 게이트전압(Scan(n))에 따라 스위칭되는데, 제 5 트랜지스터(T5)의 게이트전극은 제 n 게이트전압(Scan(n))을 인가 받고, 제 5 트랜지스터(T5)의 소스전극은 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인전극, 제 3 트랜지스터(T3)의 소스전극에 연결되고, 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인전극은 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극, 스토리지 커패시터(Cst)의 일전극, 제 8 트랜지스터(T8)의 소스전극에 연결된다.
제 6 트랜지스터(T6)는 제 n 게이트전압(Scan(n))에 따라 스위칭되는데, 제 6 트랜지스터(T6)의 게이트전극은 제 n 게이트전압(Scan(n))을 인가 받고, 제 6 트랜지스터(T6)의 소스전극은 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인전극, 발광다이오드(Del)의 양극에 연결되고, 제 6 트랜지스터(T6)의 드레인전극은 초기화전압(Vini)을 인가 받고 제 8 트랜지스터(T8)의 드레인전극에 연결된다.
제 7 트랜지스터(T7)는 제 n 발광전압(Em(n))에 따라 스위칭되는데, 제 7 트랜지스터(T7)의 게이트전극은 제 n 발광전압(Em(n))을 인가 받고, 제 7 트랜지스터(T7)의 소스전극은 고전위 전원 전압(VDD)을 인가 받고, 제 7 트랜지스터(T7)의 드레인전극은 기준전압(Vref)을 인가 받으며, 스토리지 커패시터(Cst)의 타전극과 연결된다.
제 8 트랜지스터(T8)는 제(n-1)게이트전압(Scan(n-1))에 따라 스위칭되는데, 제 8 트랜지스터(T8)의 게이트전극은 제(n-1)게이트전압(Scan(n-1))을 인가받고, 제 8 트랜지스터(T8)의 소스전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일전극, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트전극, 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인전극에 연결되고, 제 8 트랜지스터(T8)의 드레인전극은 초기화전압(Vini)을 인가 받고 제 6 트랜지스터(T6)의 드레인전극에 연결된다.
발광다이오드(Del)는 제 3 트랜지스터(T3)와 저전위 전원 전압(VSS) 사이에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 전류에 비례하는 휘도의 빛을 방출한다.
제 1 내지 제 8 트랜지스터(T1 내지 T8)와 스토리지 커패시터(Cst)의 동작에 따라 발광다이오드(Del)가 빛을 방출하여 영상을 표시하는데, 이러한 부화소(SP)를 이용하여 사용시간에 따른 문턱전압 변동 또는 발광다이오드(Del)의 열화를 보상할 수 있고, 발광다이오드(Del)를 발광시간에 대응되는 듀티비(duty ratio)에 따라 구동하여 휘도를 조절할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 전체 구조를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 다수의 부화소(SP)가 정의되는 표시패널(110) 및 이와 연결되는 다수의 구동부(110, 120, 130, 140, 150)을 포함한다.
표시패널(110)은 기판 상에 서로 교차되도록 복수의 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DLn ~ DLn+1)이 형성되고, 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DLn ~ DLn+1)이 교차하는 지점에 적(R), 녹(G) 및 청(B) 각각에 해당하는 부화소(SP)들이 정의된다.
또한, 게이트배선(GL)과 나란한 방향으로 배열되는 EM신호배선(EML)이 각 부화소(SP)들과 연결된다. 그리고 각 부화소(SP)들은 문턱전압보상을 위한 기준전압(Vref), 구동을 위한 고전위 전원전압(VDD) 및 저전위 전원전압(VSS)을 공급하는 복수의 배선과 더 연결되어 있다.
특히, 데이터배선(DLn ~ DLn+1)은 수평방향으로 이웃한 두 부화소{(R, G),(B, G),(G, B)}간 각각 연결되고, 이웃한 두 데이터배선(DLn ~ DLn+1)은 먹스 구동부(140)를 통해 하나의 채널에 각각 연결되어 있다.
또한, 표시패널(110)의 각 부화소(SP)들은 표시패널(110)의 외곽에 형성되며 게이트배선(GL)들에 스캔신호를 인가하는 스캔 구동부(110)와, EM배선(EML)들에 EM신호를 인가하는 EM 구동부(120), 그리고 데이터배선(DLn ~ DLn+1)들에 데이터신호를 인가하는 데이터 구동부(130)와 연결된다.
여기서, 스캔 구동부(110) 및 EM 구동부(120)는 박막트랜지스터로 구현되어 표시패널(110) 내에 실장될 수 있다.
특히, 데이터 구동부(130)는 표시패널(110)과 직접 연결되는 것이 아닌, 데이터배선(DLn ~ DLn+1)과 데이터 구동부(130)의 채널을 선택적으로 연결하는 복수의 트랜지스터(MT1, MT2)로 구성되는 먹스 구동부(140)를 통해 연결된다.
한편, 도시하지는 않았지만 전술한 부화소(SP)들은 적어도 하나의 유기발광다이오드(도 1의 Del), 스토리지 커패시터(도 1의 Cst), 스위칭트랜지스터(T1), 구동트랜지스터(T2) 등을 포함한다. 여기서, 유기발광다이오드(도 1의 Del)는 애노드전극(정공주입 전극)과 유기 화합물층 및 캐소드전극(전자주입 전극)로 이루어질 수 있다.
유기 화합물층은 실제 발광이 이루어지는 발광층 이외에 정공 또는 전자의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달하기 위한 다양한 유기층들을 더 포함할 수 있다. 이러한 유기층들은 애노드전극과 발광층 사이에 위치하는 정공주입층 및 정공수송층, 캐소드전극과 발광층 사이에 위치하는 전자주입층 및 전자수송층일 수 있다.
또한, 스위칭트랜지스터(T1)는 게이트배선(GL)과 데이터배선(DLn ~ DLn+1)에 연결되고, 게이트배선(GL)에 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터배선(DLn ~ DLn+1)에 입력되는 데이터 전압을 구동 트랜지스터로 전송한다.
스토리지 커패시터(도 1의 Cst)는 스위칭트랜지스터(T1)와 전원배선(PL, 도 3 참조)에 연결되며, 스위칭트랜지스터(T1)로부터 전송되는 데이터전압과 기준전압(Vref)을 통해 샘플링된 구동트랜지스터(T2)의 문턱전압이 제거된 전압과의 차에 비례하는 전압을 저장한다.
또한, 구동트랜지스터(T2)는 고전위 전원전압(VDD)과 스토리지 커패시터(도 1의 Cst)에 연결되어 게이트전극과 소스전극 간 전압에 대응하는 드레인 전류를 유기발광다이오드(도 1의 Del)로 공급하고, 유기발광다이오드(도 1의 Del)는 드레인 전류에 의해 발광하게 된다.
그리고, 스캔 구동부(110) 및 EM 구동부(120)는 각 부화소(SP)에 스캔신호(Scan) 및 EM신호(EM)를 하나의 수평선단위씩 순차적으로 인가한다. 이러한 스캔 구동부(110) 및 EM 구동부(120)는 다수의 스테이지를 갖는 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있으며, 데이터 구동부(130)에 내장된 타이밍 콘트롤 회로(미도시)로부터 생성된 스캔제어신호(SCS) 및 EM제어신호(MCS)에 대응하여 초기화구간 및 샘플링구간에 따라 적절하게 하이레벨 또는 로우레벨의 스캔신호(Scan) 및 EM신호(EM)를 출력하게 된다.
한편, 데이터 구동부(130)는 내장된 타이밍 콘트롤 회로가 외부시스템으로부터 인가되는 화상데이터를 입력받아 부화소(SP)가 처리할 수 있는 아날로그 전압형태의 데이터전압(Vdata)으로 변환하고, 또한 입력되는 타이밍 신호를 이용하여 전술한 제어신호를 생성하며, 각 부화소의 구동 타이밍에 동기하여 데이터 전압을 데이터배선(DLn ~ DLn+1)을 통해 각 부화소(SP)로 공급한다.
또한, 도시하지는 않았지만 데이터 구동부(130)는 후술하는 먹스 구동부(140)에 구비된 제1 및 제2 먹스 트랜지스터들(MT1, MT2)를 선택적으로 턴-온, 오프하는 먹스 제어신호(S1, S2)를 생성하는 먹스 제어회로(미도시)를 내장하고 있으며, 이를 통해 일 수평기간(1H) 동안 표시패널(110)의 이웃한 두 부화소(SP)를 교번으로 구동하게 된다.
전술한 먹스 제어회로(미도시)는 하나의 인에이블 전압레벨을 두 제1 제어신호(S1) 및 제2 제어신호(S2) 중 어느 하나에 중첩되지 않게 출력하는 1Х2 디멀티플렉서(1 Х 2 Demultiplexer)로 구현될 수 있다.
먹스 구동부(140)는 먹스 제어신호(S1, S2)에 따라, 데이터 구동부(130)의 하나의 채널에 대해 표시패널(110)의 이웃한 두 데이터배선(DLn ~ DLn+1)을 교번으로 연결하는 복수의 제1 및 제2 먹스 트랜지스터(MT1, MT2)를 포함한다.
여기서, 제1 먹스 트랜지스터(MT1)들은 기수번째 데이터배선(DL1, DL3, DLn)과 연결되며, 제2 먹스 트랜지스터(MT2)들은 우수번째 데이터배선(DL2, DL4, DLn+1)과 연결된다.
이러한, 먹스 제어신호(S1, S2)는 인에이블 레벨이 교번되는 신호로서, 기수번째 데이터배선(DLn)과 우수번째 데이터배선(DLn+1)은 하나의 채널에 번갈아 가며 연결되게 된다.
그리고 기준전압(Vref), 고전위 전원 전압(VDD) 및 저전위 전원 전압(VSS)을 공급하는 복수의 배선들은 전원부(150)에 연결된다.
전원부(150)는 차지펌프(Charge pump), 레귤레이터(Regulator), 벅 변환기(Buck Converter), 부스트 변환기(Boost Converter) 등을 포함할 수 있다.
전원부(150)는 호스트 시스템으로부터의 직류 입력 전압을 조정하여 표시패널(110)의 구동에 필요한 전원을 발생한다. 전원부(150)는 감마 기준 전압(GMA), 게이트 오프 전압(VGH), 게이트 온 전압(VGL), 고전위 전원 전압(VDD), 저전위 전원 전압(VSS), 초기화전압(Vini), 기준전압(Vref) 등의 직류 전원을 출력할 수 있다. 감마기준 전압(GMA)은 데이터 구동부(130)에 공급되며, 게이트 오프 전압(VGH)과 게이트 온 전압(VGL)은 게이트 구동부(120)에 공급된다.
여기서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 저전위 전원 전압(VSS)이 공급되는 접지전압배선(VL, 도 4a 참조)에서 연장되는 보조접지전압배선(B-VL)이 서로 인접하여 이웃한 두 데이터배선(DLn ~ DLn+1) 사이로 위치하는 것을 특징으로 한다.
이를 통해, 디멀티플렉서를 이용하여 데이터 구동부(130)의 채널 개수를 줄이면서도, 두개의 인접한 데이터배선(DLn ~ DLn+1)들 사이의 전기적 간섭 즉, 커플링(coupling) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 이웃한 부화소(SP)들 간의 휘도 차이를 크게 발생하는 것 또한 방지할 수 있다. 이에 대해 도 3을 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소 구조를 도시한 평면도이며, 도 4a ~ 4b는 접지전압배선의 평면구조를 보여주는 평면도이다.
그리고 도 5a는 저전위 전원전압(VSS)이 불균일해지는 현상이 발생한 시뮬레이션 결과이며, 도 5b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화이트 휘도의 균일성을 측정한 시뮬레이션 결과이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 일 방향(좌우방향)으로 연속하는 3개의 부화소(SP1, SP2, SP3)가 하나의 화소(P)를 이루고 있으며, 각 화소(P) 내에서 각 부화소(SP)들은 소정간격 이격하여 1열 배치되고 있다.
이러한 하나의 화소(P) 내부에는 각 부화소(SP1, SP2, SP3)의 경계에 대응하여 제 1 방향으로 연장하는 제 1 내지 제 3 데이터배선(DL1, DL2, DL3)이 배치되고 있으며, 제 1 및 제 2 부화소(SP1, SP2) 간 경계에는 제 1 방향으로 연장하며, 고전위 전원 전압(VDD) 인가를 위한 전원배선(PL)이 구비되고 있으며, 전원배선(PL)에 인접한 제 1 및 제 2 부화소(SP1, SP2)의 경계에는 각각 기준전압(Vref) 인가를 위한 기준배선(RL)이 배치되고 있다.
그리고 제 2 부화소(SP2)와 제 3 부화소(SP3)의 각 데이터배선(DL2, DL3) 사이로는 저전위 전원전압(VSS)이 공급되는 접지전압배선(VL)으로 연장되는 보조접지전압배선(B-VL)이 배치되고 있다.
이때 제 1 및 제 2 부화소(SP1, SP2)는 전원배선(PL)을 기준으로 서로 대칭된 평면 구조를 가지며, 제 2 및 제 3 부화소(SP2, SP3)는 보조접지전압배선(B-VL)을 기준으로 서로 대칭된 평면 구조를 갖는다.
그리고, 각 부화소(SP1, SP2, SP3)의 상하로 이웃하는 경계에는 제 1 내지 제 3 데이터배선(DL1, DL2, DL3)과 전원배선(PL) 및 기준배선(RL)과 교차하며 제 2 방향으로 연장하는 게이트배선(GL1, GL2, GL3, GL4)이 구비되고 있으며, 게이트배선(GL1, GL2, GL3, GL4)과 이격하여 나란하게 EM신호배선(EML1, EML2, EML3)이 배치된다.
여기서, 문턱전압을 센싱하는 동작이 2수평기간(데이터 전압이 데이터배선(DL1, DL2, DL3)으로 공급되는 기간(1수평기간)의 두 배에 대응되는 기간) 동안 이루어지기 위해서는 4개의 스캔신호들이 공급되어야 하므로, 하나의 부화소(SP1, SP2, SP3)에는 4개의 게이트배선(GL1, GL2, GL3, GL4)들과 3개의 EM신호배선(EML1, EML2, EML3)이 구비된다.
따라서, 제 n 발광전압이 인가되는 제 1 EM 신호배선(EML1)에는 제 4 트랜지스터(T4)가 구비되며, 제 1 EM신호배선(EML1)에 인접하여 나란하게 배열되는 제 1 게이트배선(GL1)으로는 제 n 스캔 신호(SCAN(n))가 인가되며, 제 1 트랜지스터(T1)가 연결된다.
제 1 게이트배선(GL1)에 인접하여 나란하게 배열되는 제 2 EM신호배선(EML2)에는 제 n 발광전압이 인가되며, 제 3 트랜지스터(T3)가 연결되며, 제 2 EM신호배선(EML2)에 인접하여 나란하게 배열되는 제 2 게이트배선(GL2)에는 제 n 스캔 신호(SCAN(n))가 인가되며, 제 2 트랜지스터(T2)가 연결된다.
그리고, 제 3 게이트배선(GL3)으로는 제 n 스캔 신호(SCAN(n))가 인가되며, 제 5 및 제 6 트랜지스터(T5, T6)가 연결되며, 제 4 게이트배선(GL4)으로는 제 n-1 스캔 신호(SCAN(n-1))가 인가되며, 제 8 트랜지스터(T8)가 연결된다.
그리고 제 4 EM신호배선(EML4)에는 제 7 트랜지스터(T7)가 연결된다.
여기서, 전원배선(PL)과 기준배선(RL)은 데이터배선(DL1, DL2, DL3)의 개수와 동일할 수도 있고, 데이터배선(DL1, DL2, DL3) 개수 보다 적을 수 있는데, 전원배선(PL)과 기준배선(RL)이 데이터배선(DL1, DL2, DL3)과 동일한 경우, 각 부화소(SP)는 하나의 데이터배선(DL1, DL2, DL3) 및 게이트배선(GL1, GL2, GL3, GL4)과 연결되는 것은 물론, 하나의 전원배선(PL) 및 기준배선(RL)과도 바로 연결될 수 있는데, 최근 해상도가 더 높고 화소 집적도가 큰 표시장치가 개발됨에 따라, 화소 배치 공간의 제약이 더 커지고 있어, 전원배선(PL) 및 기준배선(RL)을 다수의 부화소(SP)들이 공유하도록 형성하고 있다.
이는 각 부화소(SP)에 공통된 신호를 공급하는 신호배선의 수를 줄임으로써 신호배선이 차지하는 공간을 절약하는 방안으로, 전원배선(PL) 및 기준배선(RL)을 인접한 두 부화소(SP)가 공유하는 소위 대칭(flip) 구조이다.
따라서, 일부 부화소(SP)들은 전원배선(PL) 및 기준배선(RL)과는 바로 연결될 수도 있고, 다른 일부 부화소(SP)들은 전원배선(PL) 및 기준배선(RL)과 바로 연결되지 않고 별도의 연결패턴(CP)을 통해 전원배선(PL) 및 기준배선(RL)과 각각 연결될 수 있다.
이러한 화소 구조를 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 제 2 부화소(SP2)와 제 3 부화소(SP3)의 각 경계에 각각 데이터배선(DL2, DL3)이 위치하게 되는데, 각 데이터배선(DL2, DL3) 사이로 저전위 전원 전압(VSS)이 공급되는 접지전압배선(VL)을 더욱 배치하는 것을 특징으로 한다.
이를 통해, 인접하여 위치하는 데이터배선(DL2, DL3)들의 전압 차이가 발생하게 되면, 데이터배선(DL2, DL3)들 사이의 전기적 간섭 즉, 커플링(coupling) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있어, 이웃한 부화소(SP)들 간의 휘도 차이가 발생하는 것 또한 방지할 수 있게 된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 디멀티플렉서에 의해 서로 인접하여 이웃하여 두 데이터배선(DL2, DL3)이 위치하는 경우, 데이터배선(DL2, DL3)들 사이에서 커플링(coupling)이 발생하게 되는데, 따라서 제 2 데이터배선(DL2)과 제 3 데이터배선(DL3) 간에 기생용량(Cp)이 존재할 수 있다.
즉, 제 2 부화소(SP2)의 제 2 데이터배선(DL2)에 제 1 데이터전압이 인가되면 제 2 데이터배선(DL2)에 연결된 제 1 커패시터에 전압이 충전되고, 또한 데이터배선(DL1, DL2, DL3)들 간의 기생용량에도 데이터 전압의 일부가 분배된다.
그 결과, 제 3 부화소(SP3)의 제 3 데이터배선(DL3)이 제 1 데이터 전압으로 인하여 원치 않게 ΔV 만큼 프리 차징(precharging)된다. 이렇게 프리차징된 제 3 데이터배선(DL3)에 제 2 데이터 전압이 인가되면 기생용량(Cp)을 통해 제 2 커패시터의 전압이 ΔV 만큼 더 상승하여 제 3 부화소(SP3)에 인가될 데이터 전압이 변하게 되는 것이다.
이와 같은 데이터배선(DL2, DL3)들 사이의 전기적 간섭 현상을 커플링 현상이라 하는데, 이는 이웃한 부화소(SP2, SP3)들 간의 휘도 차이를 크게 발생시키게 된다.
여기서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 인접하여 위치하는 데이터배선(DL2, DL3)들 사이로 저전위 전원전압(VSS)이 공급되는 접지전압배선(VL)에서 연장되는 보조접지전압배선(B-VL)을 더욱 배치함으로써, 데이터배선(DL2, DL3)들 간의 기생용량이 줄어들도록 하는 것이다.
이를 통해, 데이터배선(DL2, DL3)들 간의 전기적 간섭에 의한 커플링 현상을 줄일 수 있게 된다.
즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 디멀티플렉서를 이용하여 데이터 구동부(130)의 채널 개수를 줄이면서도, 두개의 인접한 데이터배선(DL2, DL3)들 사이의 전기적 간섭 즉, 커플링(coupling) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 것이다.
따라서, 이웃한 부화소(SP2, SP3)들 간의 휘도 차이를 크게 발생하는 것 또한 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)0는 이와 같이 두개의 인접한 데이터배선(DL2, DL3)들 사이에서 커플링 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있으면서도, VSS 전압이 상승하는 현상(VSS rising)이 발생하는 것 또한 방지할 수 있게 된다.
즉, 유기발광다이오드(도 1의 Del)의 캐소드전극이 투명 도전성 물질로 형성될 경우, 캐소드전극은 높은 면저항값을 가지며, 이로 인해 캐소드전극이 표시패널(110) 전체에서 일정한 전압값을 갖지 못하는 문제가 발생할 수 있다.
표시패널(110)이 대형화될수록 이 같은 현상은 더욱 두드러지게 나타나며, 구동회로(도 1의 130, 150 등)로부터 멀리 위치하는 부화소에서의 캐소드전극들의 저전위 전원전압이 상승하는 현상(VSS rising)이 발생하고, 그에 따라 구동 전압 및 소비 전력이 증가하며, 표시장치(100)의 휘도가 불균일해지는 문제가 발생하게 된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 통상적으로 접지전압배선(VL)들은 표시패널(110)의 가장자리를 따라 정의되는 비표시영역(NEA) 내에 형성되는 것이 일반적이며, 캐소드전극(cathode)이 높은 면저항을 갖는 투명 도전성 물질로 형성되거나, 극히 얇은 박막 형태로 형성됨으로써 높은 저항을 갖게 되므로, 유기발광 표시장치(100)가 대면적화될수록 캐소드전극(cathode)으로 공급되는 저전위 전원전압(VSS)이 불균일 해지는 문제가 발생하게 된다.
이러한 문제는 접지전압배선(VL)이 공급되는 전원부(150)로부터 멀어질수록 더욱 뚜렷하게 발생하여, 전원부(150)로부터 멀리 위치하는 부화소일수록 캐소드전극(cathode)의 저전위 전원전압(VSS) 값이 상승하는 VSS 라이징 현상이 두드러지게 발생하게 된다.
여기서, 도 4a의 접지전압배선(VL)의 평면구조를 보여주는 평면도를 참조하면, 표시패널(110)의 상단으로는 데이터구동회로(130)가 IC 형태로 구성될 수 있는데, 각 구동IC는 연성회로필름(131)에 실장되어 표시패널(110)에 직접 연결된다.
데이터구동회로(130)는 적어도 하나의 구동IC를 포함할 수 있다. 본 발명의 제 1 실시예에서는 다수의 구동IC로 구성된 경우를 일예로 나타내었으며, 각 구동IC는 COG 방식으로서 표시패널(110)의 기판에 직접 실장될 수도 있다.
연성회로필름(131)에는 구동IC 외측 부분에 전원부(150)로부터 표시패널(110)을 구동하기 위한 고전위 전원전압(VDD), 저전위 전원전압(VSS), 초기화전압(Vini), 기준전압(Vref)을 표시패널(100) 측으로 전달하기 위한 배선들이 구비될 수 있다.
이러한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 인접하여 위치하는 데이터배선(DL)들 간의 커플링 현상을 방지하고자, 두개의 인접한 데이터배선(DL)들 사이로 보조접지전압배선(B-VL)이 위치하도록 함으로써, 보조접지전압배선(B-VL)들이 표시영역(AA) 내에도 위치하게 된다.
캐소드전극(cathode)은 모든 부화소(SP)들에 공통, 즉 일체로 기판의 표시 영역(AA)을 덮도록 형성됨에 따라, 접지전압배선(VL)들로부터 연장되는 보조접지전압배선(B-VL)이 표시영역(AA) 내에도 위치하게 되는 경우, 접지전압배선(VL)들과 캐소드전극(cathode)의 콘택영역을 증가시킬 수 있는 것이다.
따라서, 캐소드전극(cathode)으로 공급되는 저전위 전원전압(VSS)이 불균일 해지는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해 캐소드전극(cathode)의 저전위 전원전압(VSS) 값이 상승하는 VSS 라이징 현상이 발생하는 것 또한 방지할 수 있다.
여기서, 보조접지전압배선(B-VL)들은 표시패널(110)의 외곽부를 따라 정의된 비표시영역(NEA)을 따라 형성된 외곽배선(VL-1, VL-2)에 연결된다. 외곽배선(VL-1, VL-2)은 표시패널(110)의 상단 및 하단 비표시영역(NEA)에 각각 형성된 제 1 외곽배선(VL-1)들과, 제 1 외곽배선(VL-1)들에 연결되도록 표시패널(110)의 좌측 및 우측 비표시영역(NEA)에 각각 형성된 제 2 외곽배선(VL-2)들을 포함한다.
이때 표시패널(110)의 좌우측 비표시영역(NEA)을 줄이기 위하여 제 2 외곽배선(VL-2)들의 폭을 제 1 외곽배선(VL-1)의 폭 보다 작게 하더라도 표시영역(AA) 내의 보조접지전압배선(B-VL)들로 인하여 제 2 외곽배선(VL-2)들의 배선 면적이 기존 보다 훨씬 커서, 접지전압배선(VL)의 저항은 작아지게 된다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 표시패널(110)의 좌우측 비표시영역(NEA)을 줄이면서도 접지전압배선(VL)의 VSS 라이징 현상이 발생하는 것 또한 방지할 수 있다.
일예로, 접지전압배선(VL)의 제 2 외곽배선(VL-2)의 폭은 1500um에서 100um로 줄일 수 있어, 표시패널(110)의 좌우측 비표시영역(NEA)의 폭을 감소시킬 수 있게 되어 내로우베젤을 구현할 수도 있다.
한편, 접지전압배선(VL)으로 공급되는 저전위 전원전압(VSS)이 표시패널(110)의 상단 및 하단에서 동시에 인가되도록 함으로써, 캐소드전극(cathode)의 저전위 전원전압(VSS) 값이 상승하는 VSS 라이징 현상이 발생하는 것이 보다 방지되도록 할 수도 있다.
이를 위해, 표시패널(110)의 상단 및 하단으로 각각 저전위 전압전압(VSS)이 인가될 수 있는 저전위 패드전극(미도시)을 더욱 구비할 수 있는데, 표시패널(110)의 상단에 구비되는 저전위 패드전극(미도시)들은 데이터구동회로(130)의 구동IC와 연결되도록 구비할 수 있으며, 표시패널(110)의 하단에 구비되는 저전위 패드전극(미도시)들은 표시패널(110)의 화면 상에 구비되는 터치센서(미도시)들을 구동하기 위한 터치센서구동회로(160)의 IC들과 연결되도록 구비할 수 있다.
즉, 유기발광 표시장치(100)는 소정 계조의 영상을 표시하거나 핑거 또는 액티브 펜에 의한 터치를 입력 받을 수 있는데, 이러한 유기발광 표시장치(100)는 표시패널(110)에 정전용량방식을 이용한 인셀(In-cell) 터치타입의 터치층(미도시)이 포함될 수 있다.
이때, 표시패널(110)의 하단으로는 터치층(미도시)의 터치센서들을 구동하기 위한 터치센서구동회로(160)의 IC들과 연결되도록 할 수 있는데, 터치센서 구동회로(160)의 IC에도 전원부(150)와 연결되도록 함으로써, 표시패널(110)의 상단및 하단에서 모두 저전위 전원전압(VSS)이 인가되도록 하는 것이다.
이를 통해, 전원부(150)로부터 멀어질수록 저전위 전원전압(VSS)이 불균일해지는 현상이 발생하는 것을 보다 방지할 수 있게 되는 것이다.
첨부한 도 5a는 표시패널의 하단부로부터 저전위 전원전압(VSS)이 인가되는 경우, 저전위 전원전압(VSS)이 불균일해지는 현상이 발생한 시뮬레이션 결과로, 표시패널의 상단부로 갈수록 VSS 전압이 상승하는 현상(VSS rising)이 발생하게 되고, 이에 의해 화이트 휘도의 균일성(uniformity)이 64.2%로 낮게 측정되는 것을 확인할 수 있다.
이에 반해, 첨부한 도 5b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화이트 휘도의 균일성을 측정한 시뮬레이션 결과로, 화이트 휘도의 균일성(uniformity)이 89.2%로 매우 균일하게 측정되는 것을 확인할 수 있다.
즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 두개의 인접한 데이터배선(DL2, DL3)들 사이로 저전위 전원전압(VSS)이 공급되는 접지전압배선(VL)에서 연장되는 보조접지전압배선(B-VL)이 위치하도록 함으로써, 데이터배선(DL2, DL3)들 간의 전기적 간섭에 의한 커플링 현상을 줄이게 되며, 또한 접지전압배선(VL)들로부터 연장되는 보조접지전압배선(B-VL)이 표시영역(AA) 내에도 위치하도록 하여, 접지전압배선(VL)들과 캐소드전극(cathode)의 콘택영역을 증가시킴으로써, 캐소드전극(cathode)으로 공급되는 저전위 전원전압(VSS)이 불균일 해지는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있는 것이다.
전술한 바와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 디멀티플렉서를 이용하여 데이터 구동부(130)의 채널 개수를 줄이면서도, 두개의 인접한 데이터배선(DL2, DL3)들 사이로 저전위 전원전압(VSS)이 공급되는 접지전압배선(VL)에서 연장되는 보조접지전압배선(B-VL)이 위치하도록 함으로써, 데이터배선(DL2, DL3)들 간의 전기적 간섭에 의한 커플링 현상을 줄일 수 있게 된다.
따라서, 이웃한 부화소(SP2, SP3)들 간의 휘도 차이를 크게 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 접지전압배선(VL)들로부터 연장되는 보조접지전압배선(B-VL)이 표시영역(AA) 내에도 위치하게 됨에 따라, 접지전압배선(VL)들과 캐소드전극(cathode)의 콘택영역을 증가시킬 수 있어, 캐소드전극(cathode)으로 공급되는 저전위 전원전압(VSS)이 불균일 해지는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 표시패널(110)의 제 2 외곽배선(VL-2)의 폭을 줄일 수 있어, 표시패널(110)의 좌우측 비표시영역(NEA)의 폭 또한 감소시킬 수 있게 되어 내로우베젤 또한 구현할 수도 있다.
한편, 지금까지의 설명에서 본 발명의 제 1 실시예를 유기발광 표시장치(100)를 일예로 설명하였으나, 두 데이터배선(DL2, DL3)이 인접하여 위치하는 구성을 갖는 표시장치에는 모두 적용 가능하다.
- 제 2 실시예 -
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 각 부화소(SP)들을 구동하기 위하여 각종 공통전압(CV: Common Voltage)이 표시패널(110)에 인가되어야 한다. 이에, 표시패널(110)에는 공통전압배선(CVL: Common Voltage Lines)들이 형성되어 있다.
공통전압배선(CVL)들을 통해, 공통전압(CV)은, 각 부화소(SP) 내 캐패시터(C)의 일단에 인가될 수 있다. 이때, 각 부화소(SP) 내 캐패시터(C)의 타단에는 데이터 전압(Vdata) 등의 해당 부화소(SP)의 고유한 전압이 인가될 수 있다.
여기서, 표시패널(110)로 인가되는 공통전압(CV)은, 기준전압(Vref), 고전위 전원 전압(VDD), 저전위 전원 전압(VSS) 등을 포함할 수 있다.
이러한 공통전압(CV)이 인가되는 공통전압배선(CVL)들에 인접하여 다른 전압 배선, 특히 데이터배선(DL)들이 위치함에 따라, 공통전압배선(CVL)들에 인가되는 공통전압(CV)에 커플링(Coupling) 현상이 발생할 수 있다.
일예로 데이터배선(DL)들을 통해 공급되는 데이터 전압(Vdata)이 급변하는 경우, 즉, 데이터 전압(Vdata)이 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하거나, 데이터 전압(Vdata)이 로우 레벨에서 하이 레벨로 변하는 경우, 데이터 전압(Vdata)이 급변하는 지점에서, 데이터배선(DL)들에 인접한 공통전압배선(CVL)들에 해당하는 기준배선을 통해 인가되는 공통전압(CV)인 기준전압(Vref)이 원하는 전압값 보다 작아지거나 커지는 현상이 발생할 수 있는 것이다.
이러한 공통전압(CV)의 커플링 현상은, 공통전압(CV)이 인가되는 캐패시터(C)에 대한 차징(Charging) 특성을 불균일하게 하므로, 불균일한 차징 특성에 의해, 수평 크로스 토크(Cross Talk) 등의 화상 불량 현상이 초래될 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 공통전압배선(CVL)과 데이터배선(DL) 사이로 차폐배선(SL)을 더욱 배치할 수 있다.
차폐배선(SL)은 초기화전압(Vini)을 인가하는 초기화배선으로부터 분기하여 형성될 수도 있으며, 또는 본 발명의 제 1 실시예와 같이 저전위 전원 전압(VSS)을 인가하는 접지전압배선으로부터 분기하여 형성될 수도 있다.
이러한 차폐배선(SL)은 데이터배선(DL) 및 공통전압배선(CVL)과 동일층에 위치하도록 함으로써, 데이터배선(DL)과 공통전압배선(CVL) 사이의 커플링 현상이 보다 효과적으로 방지될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 표시장치100는 공통전압배선(CVL)과 데이터배선(DL) 사이로 차폐배선(SL)이 더욱 위치하도록 함으로써, 데이터배선(DL)과 공통전압배선(CVL)들 간의 전기적 간섭에 의한 커플링 현상을 줄일 수 있게 된다.
따라서, 이웃한 부화소(SP)들 간의 휘도 차이를 크게 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 수평 크로스 토크(Cross Talk) 등의 화상 불량 현상이 발생하는 것 또한 방지할 수 있다.
한편, 차폐배선(SL)으로 초기화전압(Vini)을 인가하는 초기화배선으로부터 분기하여 형성하거나, 저전위 전원 전압(VSS)을 인가하는 접지전압배선으로부터 분기하여 형성하는 경우, 초기화배선과 접지전압배선의 저항을 줄일 수 있게 되는 효과 또한 가져오게 된다.
특히, 차폐배선(SL)으로 접지전압배선으로부터 분기하여 형성하는 경우, 표시패널(110)의 비표시영역(도 4b의 NEA)의 폭 또한 감소시킬 수 있게 되어 내로우베젤 또한 구현할 수도 있다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
100 : 유기발광 표시장치
110 : 표시패널
SP1, SP2, SP3 : 제 1 내지 제 3 부화소
P : 화소
DL1, DL2, DL3 : 제 1 내지 제 3 데이터배선
GL1, GL2, GL3, GL4 : 제 1 내지 제 4 게이트배선
EML1, EML2 : 제 1 및 제 2 EM배선
RL : 기준배선
PL : 전원배선
B-VL : 보조접지전압배선

Claims (13)

  1. 복수의 게이트배선과 복수의 데이터배선에 의해 정의되는 다수의 부화소를 포함하는 표시패널과;
    상기 복수의 데이터배선 중 서로 인접하여 위치하는 두 데이터배선 사이로 위치하는 보조접지전압배선
    을 포함하는 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 다수의 부화소가 위치하는 표시영역과, 상기 표시영역의 가장자리를 따라 정의되는 비표시영역을 포함하며,
    상기 비표시영역을 따라 접지전압배선이 위치하며,
    상기 보조접지전압배선은 상기 접지전압배선으로부터 상기 표시영역 내로 연장되는 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 접지전압배선은 상기 표시패널의 상단 및 하단에 각각 형성되는 제 1 외곽배선들과, 상기 표시패널의 좌측 및 우측에 각각 형성되는 제 2 외곽배선들을 포함하며,
    상기 제 2 외곽배선들의 폭이 상기 제 1 외곽배선들의 폭 보다 얇은 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시패널의 일 단으로부터 상기 보조접지전압배선으로 저전위 전원전압이 인가되는 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 표시패널의 서로 마주보는 양 단으로부터 상기 보조접지전압배선으로 저전위 전원전압이 인가되는 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 표시패널의 일 단에는 상기 데이터배선으로 데이터 전압을 인가하는 데이터구동부가 구비되며,
    상기 표시패널의 타 단에는 터치층의 터치센서들로 터치신호를 인가하기 위한 터치센서구동회로가 구비되며,
    상기 저전위 전원전압은 상기 데이터구동부와 상기 터치센서구동회로를 통해 전달되는 표시장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 표시패널의 일 단에는 상기 데이터배선으로 데이터 전압을 인가하는 데이터구동부가 구비되며,
    상기 표시패널의 타 단에는 터치층의 터치센서들로 터치신호를 인가하기 위한 터치센서구동회로가 구비되며,
    상기 저전위 전원전압은 상기 데이터구동부와 상기 터치센서구동회로를 통해 전달되는 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 부화소는 상기 제 1 전원배선을 기준으로 대칭구조이며,
    상기 제 2 및 제 3 부화소는 상기 보조접지전압배선을 기준으로 대칭구조로 이루어지는 표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 부화소는, 각각 제 1 내지 제 8 트랜지스터와, 스토리지 커패시터와, 발광다이오드를 포함하는 표시장치.
  10. 복수의 게이트배선과 복수의 데이터배선 그리고 공통전압배선들이 배치되고, 다수의 부화소가 배치된 표시패널과;
    서로 인접하여 위치하는 상기 데이터배선과 상기 공통전압배선 사이로 위치하는 차폐배선
    을 포함하는 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 차폐배선은 초기화전압(Vini)을 인가하는 초기화배선으로부터 분기하거나, 저전위 전원 전압(VSS)을 인가하는 접지전압배선으로부터 분기하여 형성되는 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 공통전압배선들은 기준전압(Vref), 고전위 전원 전압(VDD), 저전위 전원 전압(VSS) 등이 인가되는 표시장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 차폐배선과 상기 데이터배선 및 상기 공통전압배선은 동일층에 위치하는 표시장치.
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