CN116891449A - 一种三胺类化合物及其有机电致发光器件 - Google Patents

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韩春雪
陆影
杜明珠
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Abstract

本发明提供了一种三胺类化合物及其有机电致发光器件，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明三胺类化合物具有良好的空穴迁移率，合适的HOMO能级，作为空穴传输材料用于有机电致发光器件，既能提升空穴在器件内的注入和传输效率，降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率；也能减少激子向发光层外侧移动，减少器件的损耗，延长器件的使用寿命。另外，本发明三胺类化合物具有良好的成膜性和稳定性，也是一种优良的覆盖层材料。

Description

一种三胺类化合物及其有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种三胺类化合物及其有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)是一种利用有机半导体功能材料，将电能直接转化为光能的技术。其发光原理为，在外加电压驱动下，从阴、阳两极分别产生电子和空穴，电子和空穴在有机层内传输，两者在发光层复合产生激子，激子辐射跃迁回到基态并发光。由于OLED具有全固态、材料选择范围宽、工作温度低、发光效率高、色彩对比度高、响应速度快、轻薄、视角宽、低功耗、可实现柔性显示等优点，已经成为近年来研究的热点，并有着良好的商业前景和市场前景。
随着有机电致发光器件的发展，机电致发光器件结构也在不断完善。从最早的单层器件结构到双层器件结构，直至多层器件结构，通过不断改良有机电致发光器件结构，进而提高有机电致发光器件的性能。现今，多采用夹层式的三明治结构，即在器件两侧的阴极和阳极之间设置有机功能层。其中的有机功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、发光辅助层、电子阻挡层、发光层、电子缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等。由于有机电致发光器件具有独特的器件结构，各个功能层材料的研究也至关重要。
有机电致发光器件所使用的材料主要包括电子注入材料、电子传输材料、空穴阻挡材料、发光材料、电子阻挡材料、空穴传输材料、空穴注入材料等。其中，在空穴传输材料方面，主要作用为改善器件空穴的注入和传输平衡，提高有机电致发光器件的性能。空穴传输材料需要具备以下性质：很高的空穴迁移率，保证良好的空穴传输性能，提高器件的发光效率；较好的成膜性以及良好的热稳定性，延长器件的使用寿命；具有合适的HOMO轨道能级，降低驱动电压，保证空穴在器件内的有效注入和传输。然而，目前所研究的空穴传输材料仍然存在空穴迁移率差、热稳定性低、成膜性差以及能级不匹配的问题，导致了有机电致发光器件的驱动电压提高、发光效率降低和使用寿命缩短等问题。其次，在覆盖层材料方面，覆盖层材料可以提高器件的光耦合效率，改善出光模式，使原本被限制在器件内部的光线能够射出器件，表现出了更高的光取出效率。目前所使用的覆盖层材料仍存在光取出效率不高且对于外界环境的紫外光等吸收较少等问题，需要进一步改善。
为了进一步提高有机电致发光器件的性能，改善有机电致发光器件的存在的问题，需要研发出性能更优的有机电致发光材料，其中空穴传输材料和覆盖层材料尤为重要。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种三胺类化合物及其有机电致发光器件。
本发明提供了一种三胺类化合物，由下述式1表示，
其中，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6相同或不同的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种；
所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6中的至少一个选自如下式1-a所示的基团，
所述“*”表示与L1、L2、L3、L4、L5或L6的连接位点；
所述z相同或不同的选自CH或N；
所述X选自O、S或NRb；
所述Rb选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述R4相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R4相互键合形成取代或未取代的环；
所述n1选自0、1、2、3、4或5；
且所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6中的至少一个选自如下式1-b所示的基团，
所述Y选自O、S、CRxRy或者NRz；
所述Rx、Ry相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻Rx、Ry相互键合形成取代或未取代的环，或者Rx、Ry所对应的碳原子为与L1、L2、L3、L4、L5、L6连接的位点；
所述Rz选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者Rz所对应的氮原子为与L1、L2、L3、L4、L5、L6连接的位点；
所述R5、R6相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R5、相邻两个R6相互键合形成取代或未取代的环；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1、2、3或4；
所述R1、R2、R3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基中的一种；
所述L1、L2、L3、L4、L5、L6相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的亚稠合环基中的一种。
另外，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件含有上述本发明的三胺类化合物。
有益效果：本发明式1的三胺类化合物具有良好的空穴迁移率，合适的HOMO能级，作为空穴传输材料用于有机电致发光器件，既能有效降低空穴传输阻力，提升空穴在器件内的注入和传输效率，降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率；也能减少激子向发光层外侧移动，避免界面发光，减少器件的损耗，延长器件的使用寿命。
另外，本发明式1的三胺类化合物含有苯并呋喃/苯并噻吩基团，有利于分子成膜，提高化合物的玻璃化转化温度。本发明的三胺类化合物作为覆盖层材料应用于有机电致发光器件中，能够有效减少器件中的全反射损失和波导损失，降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，延长器件的使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所要求保护的范围内。
在本发明的化合物中，未指定为特定同位素的任何原子被包括作为该原子的任何稳定同位素，并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。
本发明所述的卤素包括氟、氯、溴、碘。
本发明中，“取代或未取代的ZZ基”中的“未取代ZZ基”表示“ZZ基”的氢原子未被取代基替代。例如，“取代或未取代的C6～C60的芳基”中“未取代的芳基”是指“芳基”的氢原子未被取代基替代。以此类推。
本发明中，“取代或未取代的CXX～CYY的ZZ基”中的“CXX～CYY”表示未取代的“ZZ基”中的碳原子数，“ZZ基”具有取代基时，不包含取代基的碳原子数。例如，“取代或未取代的C6～C60的芳基”中的“C6～C60”表示未取代的“芳基”中的碳原子数，“芳基”具有取代基时，不包含取代基中的碳原子数。“取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基”中的“C3～C25”表示未取代的“脂环”中的碳原子数，“脂环”具有取代基时，不包含取代基的碳原子数；“C6～C30”表示未取代的“芳环”中的碳原子数，“芳环”具有取代基时，不包含取代基的碳原子数。以此类推。
在本发明中，当取代基在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。
例如，可表示/>可表示/>可表示/> 以此类推。
在本说明书中，当取代基或连接位点所在键贯穿于两个或多个环时，表明其可连接于所述两个或两个环的任一个，具体可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，可表示/> 可表示/>以此类推。
本发明中“相邻两个基团键合成环”是指通过相邻的基团彼此结合并任选地芳构化以形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环可以为脂肪族烃环或芳族烃环。杂环可包括脂肪族杂环或芳族杂环。所述脂肪族烃环可以为饱和脂肪族烃环也可以为不饱和脂肪族烃环，所述脂肪族杂环可以为饱和脂肪族杂环也可以为不饱和脂肪族杂环。烃环和杂环可为单环或者多环基团。如下所示例：
另外，通过相邻的基团结合形成的环可与另一个环连接以形成螺结构。如下所示例：
本发明中，连接形成的环可以为三元环、四元环、五元环、六元环、七元环、八元环、稠合环、螺环等，例如环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环戊烯、环己烯、苯、萘、菲、三亚苯、吡啶、嘧啶、喹啉、异喹啉、喹唑啉、喹喔啉、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑等，但不限于此。
本发明所述的“取代或未取代”中的“取代”表示基团上的至少一个氢原子被取代基所替换。当有多个氢被多个取代基替换时，所述多个取代基可以相同或者不同。上述被取代基所替换的氢的位置可以为任意位置。上述“取代或未取代”中的“取代”所代表的取代基包括如下所述基团，氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷氧基、取代或未取代的C6～C20芳氧基、取代或未取代的C2～C15的杂环基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C20的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C20的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C2～C20的杂芳环的稠合环基等。优选如下所述基团：氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基、异莰烷基、葑烷基、甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、蒽基、芘基、基、荧蒽基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、苯并环丁烯基、茚基、二氢萘基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并二噁茂基、苯并二硫醚基、二氢异苯并呋喃基、二氢苯并呋喃基、二氢苯并噻吩基、二氢异苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基等。此外，上述取代基中的每一个可以是取代或未取代的。两个相邻的取代基可以键合成环。
本发明所述的烷基是指烷烃分子中去掉一个氢原子而成的烃基。所述烷基可以是直链烷基或支链烷基。本发明所述的链状烷基的碳原子数为三以上时，包含其异构体，例如丙基包含正丙基和异丙基；丁基包括正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基，以此类推。所述烷基的实例包括但不限于如下所述的基团，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等，但不限于此。所述烷基的碳原子数为C1～C30，优选为C1～C25，优选为C1～C20，优选为C1～C15，再优选为C1～C10。
本发明所述的甲硅烷基是指-Si(Rk)3基团，其中每个Rk相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C1～C30的烯基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C60的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C2～C60的杂芳环的稠合环基。优选的，每个Rk相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基。所述烷基的碳原子数优选为C1～C20，优选为C1～C15，再优选为C1～C10，最优选为C1～C8。所述环烷基的碳原子数优选为C3～C20，优选为C3～C15，再优选为C3～C10，最优选为C3～C7。优选的，每个Rk相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的庚基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的环庚基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基。优选的取代甲硅烷基具体包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但不限于此。
本发明所述的环烷基是指环烷烃分子中去掉一个氢原子而成的烃基。所述环烷基包括单环环烷基、多环环烷基、桥环环烷基。所述环烷基的实例包括但不限于如下所述的基团，环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基、葑烷基、异莰烷基等，但不限于此。所述环烷基的碳原子数为C3～C30，优选为C3～C25，优选为C3～C20，优选为C3～C15，更优选为C3～C10。
本发明所述的芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称。所述芳基包括单环芳基、多环芳基、稠环芳基或者其组合。所述芳基的实例包括但不限于如下所述的基团，苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、蒽基、三亚苯基、芴基、苯并芴基、螺二芴基、螺蒽芴基、芘基、基、荧蒽基等，但不限于此。所述芳基的碳原子数为C6～C60，优选为C6～C30，优选为C6～C25，优选为C6～C20。
本发明所述的杂芳基是指芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的一价基团。所述杂原子选自O、S、N、Si、B、P等，但不限于此。所述杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，苯并呋喃基、萘并呋喃基、菲并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、苯并噻吩基、萘并噻吩基、菲并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、吲哚基、萘并吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、螺芴氧杂蒽基、螺芴硫杂蒽基、螺芴氮杂蒽基、螺芴硅杂蒽基、苯并二噁茂基、苯并二硫醚基、二氢异苯并呋喃基、二氢苯并呋喃基、二氢苯并噻吩基、二氢异苯并噻吩基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、二氢吖啶基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基等，但不限于此。所述杂芳基的碳原子数可以为C2～C60，优选为C2～C30，再优选为C2～C25，更优选为C3～C20。
本发明所述的脂环和芳环的稠合环基是指脂环与芳环稠合在一起后去掉一个氢原子，剩下一价基团的总称。所述脂环和芳环的稠合环基实例包括但不限于如下所述的基团，苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环丁烯基、二氢茚基、茚基、四氢萘基、二氢萘基、苯并环庚烷基、苯并环庚烯基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为C3～C25，优选为C3～C20，优选为C3～C15，再优选为C3～C10，更优选C3～C8。所述芳环的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C25，优选为C6～C18，再优选为C6～C12，更优选C6～C10。
本发明所述的脂环和杂芳环的稠合环基是指脂环与杂芳环稠合在一起后去掉一个氢原子，剩下一价基团的总称。所述脂环和芳环的稠合环基实例包括但不限于如下所述的基团，吡啶并环丁烷基、吡啶并环戊烷基、吡啶并环己烷基、吡啶并环戊烯基、吡啶并环己烯基、嘧啶并环戊烷基、嘧啶并环己烷基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为C3～C25，优选为C3～C20，优选为C3～C15，再优选为C3～C10。所述杂芳环的碳原子数为C2～C30，优选为C2～C25，优选为C2～C18，优选为C2～C12，更优选为C2～C10。
本发明所述的亚芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称。所述亚芳基包括单环亚芳基、多环亚芳基、稠环亚芳基或者其组合。所述亚芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚菲基、亚芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚萘并芴基、亚螺二芴基等，但不限于此。所述亚芳基的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C25，优选为C6～C20，更优选C6～C18。
本发明所述的亚杂芳基是指亚芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的二价基团。所述杂原子选自O、S、N、Si、B、P等，但不限于此。所述亚杂芳基包括单环亚杂芳基、多环亚杂芳基、稠环亚杂芳基或者其组合。所述亚杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚喹唑啉基、亚萘啶基等，但不限于此。所述亚杂芳基的碳原子数为C2～C30，优选为C2～C25，优选为C2～C20。
本发明所述的脂环和芳环的亚稠合环基是指脂环与芳环稠合在一起后去掉两个氢原子，剩下二价基团的总称。所述脂环和芳环的亚稠合环基的实例包括但不限于如下所述的基团，亚苯并环丙烷基、亚苯并环丁烷基、亚二氢茚基、亚茚基、亚四氢萘基、亚二氢萘基、亚苯并环庚烷基、亚苯并环丁烯基、亚苯并环庚烯基、亚萘并环戊烷基、亚萘并环己烷基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为C3～C25，优选为C3～C20，优选为C3～C15，再优选为C3～C8。所述芳环的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C20，优选为C6～C18，优选为C6～C10。
本发明所述的脂环和杂芳环的亚稠合环基是指脂环与杂芳环稠合在一起后去掉两个氢原子，剩下二价基团的总称。所述脂环和杂芳环的亚稠合环基的实例包括但不限于如下所述的基团，亚吡啶并环丁烷基、亚吡啶并环戊烷基、亚吡啶并环己烷基、亚吡啶并环戊烯基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为C3～C25，优选为C3～C20，优选为C3～C15，再优选为C3～C8。所述杂芳环的碳原子数为C2～C30，优选为C2～C20，优选为C2～C18，优选为C2～C10。
本发明提供了一种三胺类化合物，由下述式1表示，
其中，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6相同或不同的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种；
所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6中的至少一个选自如下式1-a所示的基团，
所述“*”表示与L1、L2、L3、L4、L5或L6的连接位点；
所述z相同或不同的选自CH或N；
所述X选自O、S或NRb；
所述Rb选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述R4相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R4相互键合形成取代或未取代的环；
所述n1选自0、1、2、3、4或5；
且所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6中的至少一个选自如下式1-b所示的基团，
所述Y选自O、S、CRxRy或者NRz；
所述Rx、Ry相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻Rx、Ry相互键合形成取代或未取代的环，或者Rx、Ry所对应的碳原子为与L1、L2、L3、L4、L5、L6连接的位点；
所述Rz选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者Rz所对应的氮原子为与L1、L2、L3、L4、L5、L6连接的位点；
所述R5、R6相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R5、相邻两个R6相互键合形成取代或未取代的环；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1、2、3或4；
所述R1、R2、R3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基中的一种；
所述L1、L2、L3、L4、L5、L6相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的亚稠合环基中的一种。
优选的，所述三胺类化合物选自式1-1～式1-3中的一种，
优选的，Ar1～Ar6中至少一个选自式1-a所示的基团，包括：Ar1～Ar6中的一个选自该基团，具体的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5或Ar6选自该基团；Ar1～Ar6中的两个选自该基团，具体的，Ar1和Ar2、Ar1和Ar3、Ar1和Ar5、Ar3和Ar4、Ar3和Ar5、Ar5和Ar6选自该基团；Ar1～Ar6中的三个选自该基团，具体的，Ar1、Ar2和Ar3，Ar1、Ar2和Ar5，Ar1、Ar3和Ar4，Ar1、Ar3和Ar5，Ar1、Ar5和Ar6，Ar3、Ar4和Ar5，Ar3、Ar5和Ar6选自该基团；Ar1～Ar6中的四个选自该基团，具体的，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4，Ar1、Ar2、Ar3和Ar5，Ar1、Ar2、Ar5和Ar6，Ar1、Ar3、Ar4和Ar5，Ar1、Ar3、Ar5和Ar6，Ar3、Ar4、Ar5和Ar6选自该基团；Ar1～Ar6中的五个选自该基团，具体的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5，Ar1、Ar2、Ar3、Ar5和Ar6选自该基团。
优选的，所述式1-a选自如下所示基团中的一种，
所述n1选自0、1、2、3、4或5；所述n2选自0、1、2、3或4；所述n3选自0、1、2或3；所述n4选自0、1或2；所述n5选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述n6选自0、1、2、3、4、5或6；所述n7选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；n8选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；n9选自0或1。
再优选的，所述式1-a选自如下所示基团中的一种，
优选的，所述Rb选自甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环丁烯基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、茚基、二氢萘基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、甲基芴基、苯基芴基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
优选的，所述R4相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的三甲基甲硅烷基、取代或未取代的三乙基甲硅烷基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的甲基芴基、取代或未取代的苯基芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基中的一种或者其组合，或者相邻两个R4相互键合形成取代或未取代苯环。
再优选的，所述R4相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、茚基、二氢萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
优选的，Ar1～Ar6中至少一个选自式1-b所示的基团，包括：Ar1～Ar6中的一个选自该基团，具体的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5或Ar6选自该基团；Ar1～Ar6中的两个选自该基团，具体的，Ar1和Ar2、Ar1和Ar3、Ar1和Ar5、Ar3和Ar4、Ar3和Ar5、Ar5和Ar6选自该基团；Ar1～Ar6中的三个选自该基团，具体的，Ar1、Ar2和Ar3，Ar1、Ar2和Ar5，Ar1、Ar3和Ar4，Ar1、Ar3和Ar5，Ar1、Ar5和Ar6，Ar3、Ar4和Ar5，Ar3、Ar5和Ar6选自该基团；Ar1～Ar6中的四个选自该基团，具体的，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4，Ar1、Ar2、Ar3和Ar5，Ar1、Ar2、Ar5和Ar6，Ar1、Ar3、Ar4和Ar5，Ar1、Ar3、Ar5和Ar6，Ar3、Ar4、Ar5和Ar6选自该基团；Ar1～Ar6中的五个选自该基团，具体的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5，Ar1、Ar2、Ar3、Ar5和Ar6选自该基团。
优选的，所述式1-b选自如下所示基团中的一种，
/>
所述R7相同或不同的选自氢、氘、氚、取代或未取代的C1～C25的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C25的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1、2、3或4；所述m3选自0、1、2或3；所述m4选自0、1、2、3、4、5或6；所述m5选自0、1、2、3、4或5；所述m6选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述m7选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
优选的，所述Rx、Ry相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环丁烯基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、茚基、二氢萘基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、甲基芴基、苯基芴基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，或者相邻Rx、Ry相互键合形成取代或未取代的环，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
优选的，所述Rz相同或不同的选自甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环丁烯基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、茚基、二氢萘基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、甲基芴基、苯基芴基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
再优选的，所述式1-b选自如下所示基团中的一种，
/>
优选的，所述R5、R6相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的三甲基甲硅烷基、取代或未取代的三乙基甲硅烷基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基中的一种或者其组合，或者相邻R5、相邻R6相互键合形成取代或未取代的苯环；
所述R7相同或不同的选自氢、氘、氚、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的三甲基甲硅烷基、取代或未取代的三乙基甲硅烷基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基中的一种；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1、2、3或4；所述m3选自0、1、2或3；所述m4选自0、1、2、3、4、5或6；所述m5选自0、1、2、3、4或5；所述m6选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述m7选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述m8自0、1、2、3、4、5、6或7。
再优选的，所述R5、R6相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、茚基、二氢萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种或其组合，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
再优选的，所述R7相同或不同的选自氢、氘、氚、甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基硅甲烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
优选的，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5或Ar6至少一个选自1-a所示的基团，且至少一个选自1-b所示的基团，其余独立的选自如下所示基团中的一种或其组合，
所述R8相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻两个R8相互键合形成取代或未取代的环；
所述R9相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述r1选自0、1、2、3、4或5；所述r2选自0、1、2、3或4；所述r3选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述r4选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述r5选自0、1、2或3；所述r6选自0、1、2、3、4、5或6；所述r7选自0或1；所述r8选自0、1或2；
所述s1选自0、1或2；所述s2选自0、1、2、3或4；所述s3选自0、1、2、3、4、5或6；所述s4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述s5选自0、1、2、3、4或5；所述s6选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述s7自0、1、2或3。
再优选的，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5或Ar6至少一个选自1-a所示的基团，且至少一个选自1-b所示的基团，其余独立的选自如下所示基团中的一种或其组合，
所述R8相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的三甲基甲硅烷基、取代或未取代的三乙基甲硅烷基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基中的一种，或者相邻两个R8键合形成取代或未取代的苯环；
所述R9相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的三甲基甲硅烷基、取代或未取代的三乙基甲硅烷基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基中的一种。
再优选的，所述R8相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、三甲基硅甲烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、茚基、二氢萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
再优选的，所述R9相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、三甲基硅甲烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
优选的，所述R1、R2、R3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、三氟甲基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、茚基、二氢萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
优选的，所述L1、L2、L3、L4、L5、L6相同或不同的选自单键，或者如下所示基团中的一种或其组合，
所述v相同或不同的选自CRa或N；
所述Ra选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻两个Ra相互键合形成取代或未取代的环；
所述W选自O、S、CRcRd或者NRw；
所述Rc、Rd相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻Rc、Rd相互键合形成取代或未取代的环；
所述Rw选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种。
优选的，所述L1、L2、L3、L4、L5、L6相同或不同的选自单键，或者如下所示基团中的一种或其组合，
所述Re相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述t1选自0、1、2、3或4；所述t2选自0、1、2、3、4、5或6；所述t3选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述t4选自0、1、2或3；所述t5选自0、1或2；所述t6选自0或1；所述t7选自0、1、2、3、4或5；所述t8选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述t9选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
再优选的，所述L1、L2、L3、L4、L5、L6相同或不同的选自单键，或者如下所示基团中的一种或其组合，
优选的，所述Ra相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的三甲基甲硅烷基、取代或未取代的三乙基甲硅烷基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基中的一种；
所述Re相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的三甲基甲硅烷基、取代或未取代的三乙基甲硅烷基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基中的一种。
再优选的，所述Ra相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、甲硅烷基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
再优选的，所述Re相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、甲硅烷基、三氟甲基、三甲基硅甲烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种，上述基团可以被一个或多个氘所取代。
优选的，所述三胺类化合物选自如下所示结构中的任意一种，
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
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/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
以上列举了本发明式1所示的三胺类化合物的一些具体化学结构，但本发明不局限于所列的这些化学结构，凡是以式1所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。
另外，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件含有上述本发明的三胺类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间或所述阳极及所述阴极中的一个以上的电极的外侧，所述有机物层含有上述本发明的三胺类化合物。
优选的，所述有机物层包括空穴传输区域，所述空穴传输区域含有上述本发明的三胺类化合物。
优选的，所述空穴传输区域包括空穴传输层，所述空穴传输层含有上述本发明的三胺类化合物。
优选的，所述空穴传输层包括第一空穴传输层和/或第二空穴传输层，所述第一空穴传输层位于阳极与发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和发光层之间，，所述第一空穴传输层和/或第二空穴传输层含有上述本发明的三胺类化合物。
优选的，所述有机物层包括覆盖层，所述覆盖层含有上述本发明的三胺类化合物。
本发明的有机电致发光器件的功能层可以含有如下所述功能层中的至少一种，空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等。凡是具有空穴注入和/或传输性质的功能层、电子注入和/或传输性质的功能层、发光性质的功能层或者光取出性质的功能层都应包含在内。每个功能层可以由单层薄膜构成，也可以由多层薄膜构成，每一层薄膜可以仅由一种材料组成也可以由多种材料组成。
本发明对有机电致发光器件中的各层薄膜的材料没有特别的限定，可以使用本领域中已知的物质。下面对上述提到的有机电致发光器件的各有机功能层以及器件两侧的电极分别进行介绍：
本发明的阳极优选具有较高的功函数的材料，使得空穴顺利进入有机层。阳极材料包含金属氧化物、金属合金、金属、导电聚合物等，但不限于此。所述阳极材料的具体实例可包括金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)、聚苯胺等，但不限于此。
本发明的空穴注入层优选具有较好的空穴注入能力，HOMO能级与阳极匹配的材料。空穴注入材料包含金属氧化物、酞菁金属配合物、芳胺衍生物、聚合物等，但不限于此。所述空穴注入材料具体实例可包括N,N'-双[4-二(间甲苯基)氨基苯基]-N,N'-二苯基联苯胺(DNTPD)、4,4',4"-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺(1-TNATA)、4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2-TNATA)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈(HAT-CN)、聚(4-乙烯基三苯胺)(PVTPA)、五氧化二钒(V2O5)等，但不限于此。
本发明的空穴传输层优选具有较好的空穴传输性能的材料。空穴传输材料包含芳胺衍生物、咔唑衍生物、聚合物等，但不限于此。所述空穴传输材料具体实例可包括N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N4,N4'-二(联苯-4-基)-N4,N4'-二苯基联苯-4,4'-二胺(TPD-10)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCB)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，但不限于此。优选本发明式1的三胺类化合物。
本发明的电子阻挡层优选具有较好的空穴传输能力以及阻挡电子能力的材料。电子阻挡材料包含芳胺衍生物、咔唑衍生物等，但不限于此。所述电子阻挡材料具体实例可包括N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPD)、N,N-二([1,1'-联苯]-4-)-(9H-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-4-胺等，但不限于此。优选本发明式1的三胺类化合物。
本发明的发光层，包含主体材料和掺杂材料。主体材料和掺杂材料的掺杂比例，可根据所用的材料而决定，通常掺杂材料的掺杂比例为0.01％～20％，优选为0.1％～15％，更优选为1％～10％。
发光层的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输性质，同时需要恰当的能级，将激发能量有效地传递到客体发光材料。所述主体材料包含杂环类化合物，芳族胺化合物，稠合芳族环衍生物，金属配合物，含硅类化合物等，但不限于此。具体实例可包括4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、1,3-双(N-咔唑基)苯(MCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、双(8-羟基喹啉)锌(Znq2)等，但不限于此。
掺杂材料可为红色发光材料、绿色发光材料、蓝色发光材料。所述掺杂材料，金属配合物、芳族胺衍生物、苯乙烯胺化合物、稠合芳族化合物、杂环类化合物等，但不限于此。具体实例可包括三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)合铱(Ir(ppy)2(acac))、双(2-苯并[H]喹啉-C2,N')(乙酰丙酮)合铱(Ir(bzq)2(acac))、二(1-苯基-异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)等，但不限于此。
本发明的空穴阻挡层优选具有较好的电子传输能力以及阻挡空穴能力的材料。所述空穴阻挡材料包含金属配合物、杂芳族化合物等，但不限于此。具体实例可包括二(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)等，但不限于此。
本发明的电子传输层优选具有较好的稳定性、较高的电子迁移率的材料。所述电子传输材料包含金属配合物、杂芳族化合物、聚合物等，但不限于此。具体实例可包括8-羟基喹啉铝(Alq3)、二(8-羟基喹啉)合锌(II)(Znq)、2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(NBphen)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)、3,3,5,5-四[间吡啶基]-苯-3-基]联苯(BP4mPy)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-苯基)-1-苯基)-1H-菲[9,10-d]咪唑(ADN-PAimi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(BCP)、4,4'双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)联苯(BTB)等，但不限于此。
本发明的电子注入层优选具有较好的电子注入能力、能级与阴极匹配的材料。所述电子注入层材料包含金属、金属化合物、金属氧化物等，但不限于此。具体实例可包括镱(Yb)、氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF)、8-羟基喹啉锂(LiQ)、碳酸铯(Cs2CO3)、醋酸铷(CH3COORb)、氧化锂(Li2O)等，但不限于此。
本发明的阴极优选具有较低的功函数的材料。所述的阴极材料包含金属、金属合金等，但不限于此。所述阴极材料的具体实例可包括铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、锂(Li)、镁(Mg)、镁银合金(Mg:Ag)、锂铝合金(Li:Al)等，但不限于此。
本发明的覆盖层材料具有将陷于器件内的光耦合出来的作用。所述的覆盖层材料包含芳胺衍生物、金属化合物、咔唑衍生物等，但不限于此。具体实例可包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)等，但不限于此。优选本发明式1的三胺类化合物。
对本发明有机电致发光器件中各层薄膜的制备方法没有特别限制，可以采用真空蒸镀法、溅射法、旋涂法、喷涂法、丝网印刷法、激光转印法等，但不限于此。
本发明的有机电致发光器件主要应用于信息显示技术领域、照明领域以及平面光源领域，在信息显示方面被广泛应用于各种信息显示，如手机、平板电脑、平板电视、智能手表、VR、车载系统、数码照相机、可穿戴设备等。
以下实施例更详细地说明了本发明，但是，下述实施例只是用于例示本说明书，而本说明书的范围并不现定于这些实施例。
合成实施例
原料与试剂：本发明对以下合成实施例中所采用的原料或试剂没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。本发明所用的原料及试剂均为试剂纯。
仪器：G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨率质谱仪(沃特斯公司，英国)；Vario ELcube型有机元素分析仪(Elementar公司，德国)。
对本发明式1所示的三胺类化合物的制备方法没有特别限制，可以采用本领域的技术人员所熟知的常规方法。例如，碳氮偶联反应等，本发明式1所示的三胺类化合物如可以采用如下所示的合成路线进行制备。
中间体的合成：
化合物的合成：
当中间体M1、中间体M2和中间体M3彼此不同时，式1化合物的合成路线：
当中间体M1和中间体M3彼此相同时，式1化合物的合成路线：
当中间体M1、中间体M2和中间体M3彼此相同时，式1化合物的合成路线：
所述Xn为卤素，例如Xn相同或不同的选自Cl、Br、I。
合成实施例1：化合物44的合成
中间体M1-44的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(800mL)、a-44(17.91g，120.00mmol)、b-44(27.97g，120.00mmol)、Pd(dppf)Cl2(1.05g，1.44mmol)和叔丁醇钠(17.30g，180.00mmol)，搅拌溶解，并回流反应8小时。反应结束后，将反应液冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用乙酸乙酯重结晶，得到中间体M1-44(29.30g，产率81％)，HPLC检测固体纯度≧99.80％。质谱m/z：301.1841(理论值：301.1830)。
中间体M2-44的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(600mL)、c-44(11.57g，70.00mmol)、d-44(13.79g，70.00mmol)、Pd(dppf)Cl2(0.61g，0.84mmol)和叔丁醇钠(9.61g，100.00mmol)，搅拌溶解，并回流反应5小时。反应结束后，将反应液冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用乙酸乙酯重结晶，得到中间体M2-44(16.15g，产率82％)，HPLC检测固体纯度≧99.84％。质谱m/z：281.1219(理论值：281.1236)。
中间体M3-44的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(400mL)、e-44(6.76g，50.00mmol)、f-44(12.71g，50.00mmol)、Pd(OAc)2(0.11g，0.50mmol)、叔丁醇钠(7.21g，75.00mmol)和三叔丁基膦(2.00mL，1.00mmol，0.5M的甲苯溶液中)，搅拌溶解，并回流反应4小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用甲苯/甲醇(体积比10:1)重结晶，得到中间体M3-44(12.34g，产率80％)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：308.1914(理论值：308.1906)。
中间体A-44的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(700mL)，g-44(25.39g，80.00mmol)、M1-44(24.11g，80.00mmol)、Pd(OAc)2(0.18g，0.80mmol)、叔丁醇钠(15.38g，160.00mmol)和三叔丁基膦(3.20mL，1.60mmol，0.5M的甲苯溶液中)，搅拌溶解，并回流反应6小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用正己烷/二氯甲烷(体积比9:1)通过硅胶柱色谱法纯化，得到中间体A-44(31.02g，产率79％)，HPLC检测固体纯度≧99.76％。质谱m/z：489.0874(理论值：489.0859)。
中间体B-44的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(400mL)，A-44(24.54g，50.00mmol)、M2-44(14.07g，50.00mmol)、Pd2(dba)3(0.46g，0.50mmol)、叔丁醇钠(9.61g，100.00mmol)和三叔丁基膦(2.00mL，1.00mmol，0.5M的甲苯溶液中)，搅拌溶解，并回流反应5小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用正己烷/二氯甲烷(体积比6:1)通过硅胶柱色谱法纯化，得到中间体B-44(26.27g，产率76％)，HPLC检测固体纯度≧99.83％。质谱m/z：690.2843(理论值：690.2833)。
化合物44的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(200mL)，B-44(20.74g，30.00mmol)、M3-44(9.25g，30.00mmol)、Pd2(dba)3(0.27g，0.30mmol)、叔丁醇钠(5.77g，60.00mmol)和X-Phos(0.29g，0.60mmol)，搅拌溶解，并回流反应4.5小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用甲苯重结晶，得到化合物44(20.52g，产率71％)，HPLC检测固体纯度≧99.95％。质谱m/z：962.4952(理论值：962.4972)。理论元素含量(％)C66H54D7N3O2Si：C,82.29；H,7.11；N,4.36。实测元素含量(％)：C,82.31；H,7.08；N,4.40。
合成实施例2：化合物67的合成
按照合成实施例1相同的制备方法，将a-44、b-44、c-44、d-44、e-44、f-44分别替换为等摩尔的a-67、b-67、a-67、d-67、a-67、f-67，得到化合物67(18.63g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：954.3383(理论值：954.3392)。理论元素含量(％)C67H46N4OS：C,84.25；H,4.85；N,5.87。实测元素含量(％)：C,84.29；H,4.81；N,5.90。
合成实施例3：化合物75的合成
按照合成实施例1相同的制备方法，将a-44、c-44、d-44、e-44、f-44分别替换为等摩尔的a-67、c-75、d-75、a-67、f-75，得到化合物75(18.38g)，HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：1003.3582(理论值：1003.3596)。理论元素含量(％)C72H49N3OS：C,86.11；H,4.92；N,4.18。实测元素含量(％)：C,86.07；H,4.95；N,4.20。
合成实施例4：化合物77的合成
按照合成实施例1相同的制备方法，将a-44、b-44、c-44、d-44、e-44、f-44分别替换为等摩尔的a-67、b-77、a-67、d-77、a-67、f-77，得到化合物77(18.51g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：994.3350(理论值：994.3341)。理论元素含量(％)C69H46N4O2S：C,83.27；H,4.66；N,5.63。实测元素含量(％)：C,83.30；H,4.61；N,5.65。
合成实施例5：化合物101的合成
按照合成实施例1相同的制备方法，将a-44、b-44、c-44、d-44、e-44、f-44分别替换为等摩尔的a-101、d-44、a-67、b-44、a-67、f-101，得到化合物101(19.30g)，HPLC检测固体纯度≥99.96％。质谱m/z：959.4803(理论值：959.4815)。理论元素含量(％)C70H61N3O：C,87.55；H,6.40；N,4.38。实测元素含量(％)：C,87.51；H,6.37；N,4.42。
合成实施例6：化合物147的合成
中间体M2-75的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(1000mL)、c-75(25.38g，150.00mmol)、d-75(29.55g，150.00mmol)、Pd(dppf)Cl2(1.32g，1.80mmol)和叔丁醇钠(21.62g，225.00mmol)，搅拌溶解，并回流反应9小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用乙酸乙酯重结晶，得到中间体M2-75(34.67g，产率81％)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：285.1172(理论值：285.1154)。
中间体M2-147的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(400mL)、a-67(4.66g，50.00mmol)、d-147(12.35g，50.00mmol)、Pd(OAc)2(0.11g，0.50mmol)、叔丁醇钠(7.21g，75.00mmol)和三叔丁基膦(2.00mL，1.00mmol，0.5M的甲苯溶液中)，搅拌溶解，并回流反应4小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用甲苯/甲醇(体积比7:1)重结晶，得到中间体M2-147(10.63g，产率82％)，HPLC检测固体纯度≧99.71％。质谱m/z：259.0984(理论值：259.0997)。
中间体C-147的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(800mL)，g-147(13.52g，50.00mmol)、M2-75(28.53g，100.00mmol)、Pd(OAc)2(0.27g，1.20mmol)、叔丁醇钠(9.61g，100.00mmol)和三叔丁基膦(2.00mL，1.00mmol，0.5M的甲苯溶液中)，搅拌溶解，并回流反应5小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用正己烷/二氯甲烷(体积比8:1)通过硅胶柱色谱法纯化，得到中间体C-147(26.15g，产率77％)，HPLC检测固体纯度≧99.75％。质谱m/z：678.2065(理论值：678.2074)。
化合物147的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(300mL)，C-147(20.38g，30.00mmol)、M2-147(7.78g，30.00mmol)、Pd2(dba)3(0.27g，0.30mmol)、叔丁醇钠(5.77g，60.00mmol)和X-Phos(0.29g，0.60mmol)，搅拌溶解，并回流反应4.5小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂。用甲苯重结晶，得到化合物147(20.03g，产率74％)，HPLC检测固体纯度≧99.98％。质谱m/z：901.3318(理论值：901.3304)。理论元素含量(％)C64H43N3O3：C,85.22；H,4.80；N,4.66。实测元素含量(％)：C,85.18；H,4.77；N,4.61。
合成实施例7：化合物173的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将d-75、d-147、g-147分别替换为等摩尔的b-173、b-173、g-173，得到化合物173(19.83g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：917.3351(理论值：917.3366)。理论元素含量(％)C63H43N5O3：C,82.42；H,4.72；N,7.63。实测元素含量(％)：C,82.39；H,4.76；N,7.58。
合成实施例8：化合物182的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75分别替换为等摩尔的a-67、b-182，得到化合物182(17.59g)，HPLC检测固体纯度≥99.97％。质谱m/z：849.2999(理论值：849.2991)。理论元素含量(％)C60H39N3O3：C,84.78；H,4.62；N,4.94。实测元素含量(％)：C,84.81；H,4.58；N,4.90。
合成实施例9：化合物216的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-67、b-216、d-216，得到化合物216(18.40g)，HPLC检测固体纯度≥99.95％。质谱m/z：901.3321(理论值：901.3304)。理论元素含量(％)C64H43N3O3：C,85.22；H,4.80；N,4.66。实测元素含量(％)：C,85.18；H,4.75；N,4.68。
合成实施例10：化合物246的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将d-75、a-67分别替换为等摩尔的b-216、c-246，得到化合物246(21.45g)，HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：1035.4413(理论值：1035.4400)。理论元素含量(％)C74H57N3O3：C,85.77；H,5.54；N,4.05。实测元素含量(％)：C,85.81；H,5.49；N,4.07。
合成实施例11：化合物262的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67分别替换为等摩尔的a-262、d-44、c-262，得到化合物262(20.31g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：1009.4105(理论值：1009.4120)。理论元素含量(％)C72H39D8N3O3：C,85.60；H,5.49；N,4.16。实测元素含量(％)：C,85.56；H,5.52；N,4.21。
合成实施例12：化合物290的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-290、d-44、d-173，得到化合物290(19.98g)，HPLC检测固体纯度≥99.96％。质谱m/z：911.3923(理论值：911.3932)。理论元素含量(％)C64H33D10N3O3：C,84.28；H,5.85；N,4.61。实测元素含量(％)：C,84.32；H,5.80；N,4.57。
合成实施例13：化合物321的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-147分别替换为等摩尔的a-321、d-321，得到化合物321(20.84g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：1051.4152(理论值：1051.4171)。理论元素含量(％)C74H57N3O2S：C,84.46；H,5.46；N,3.99。实测元素含量(％)：C,84.41；H,5.42；N,3.97。
合成实施例14：化合物323的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将d-75、d-147分别替换为等摩尔的b-323、d-323，得到化合物323(20.88g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：993.3377(理论值：993.3389)。理论元素含量(％)C70H47N3O2S：C,84.57；H,4.77；N,4.23。实测元素含量(％)：C,84.61；H,4.82；N,4.20。
合成实施例15：化合物328的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-321、d-44、d-328，得到化合物328(20.28g)，HPLC检测固体纯度≥99.96％。质谱m/z：993.3397(理论值：993.3389)。理论元素含量(％)C70H47N3O2S：C,84.57；H,4.77；N,4.23。实测元素含量(％)：C,84.54；H,4.80；N,4.26。
合成实施例16：化合物353的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-353、b-353、d-353，得到化合物353(21.26g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：997.3717(理论值：997.3702)。理论元素含量(％)C70H51N3O2S：C,84.22；H,5.15；N,4.21。实测元素含量(％)：C,84.18；H,5.19；N,4.23。
合成实施例17：化合物359的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-67、b-359、d-359，得到化合物359(20.33g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：927.3813(理论值：927.3825)。理论元素含量(％)C69H49N3O2：C,86.70；H,5.32；N,4.53。实测元素含量(％)：C,86.67；H,5.29；N,4.57。
合成实施例18：化合物377的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-67、d-44、d-377，得到化合物377(19.46g)，HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：939.3817(理论值：939.3825)。理论元素含量(％)C68H49N3O2：C,86.87；H,5.25；N,4.47。实测元素含量(％)：C,86.90；H,5.21；N,4.42。
合成实施例19：化合物389的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-147分别替换为等摩尔的a-67、d-389，得到化合物389(19.75g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：967.4118(理论值：967.4138)。理论元素含量(％)C70H53N3O2：C,86.84；H,5.52；N,4.34。实测元素含量(％)：C,86.80；H,5.49；N,4.36。
合成实施例20：化合物392的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将d-147替换为等摩尔的d-392，得到化合物392(21.43g)，HPLC检测固体纯度≥99.95％。质谱m/z：1019.4460(理论值：1019.4451)。理论元素含量(％)C74H57N3O2：C,87.11；H,5.63；N,4.12。实测元素含量(％)：C,87.15；H,5.58；N,4.16。
合成实施例21：化合物495的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-495、d-44、d-495，得到化合物495(19.68g)，HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：910.4075(理论值：910.4092)。理论元素含量(％)C64H34D10N4O2：C,84.37；H,5.97；N,6.15。实测元素含量(％)：C,84.40；H,5.93；N,6.12。
合成实施例22：化合物511的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147分别替换为等摩尔的a-67、d-147、c-75、d-44，得到化合物511(19.71g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：875.3138(理论值：875.3148)。理论元素含量(％)C62H41N3O3：C,85.01；H,4.72；N,4.80。实测元素含量(％)：C,85.05；H,4.69；N,4.76。
合成实施例23：化合物550的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147分别替换为等摩尔的a-67、d-147、c-75、d-550，得到化合物550(20.88g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：979.3788(理论值：979.3774)。理论元素含量(％)C70H49N3O3：C,85.78；H,5.04；N,4.29。实测元素含量(％)：C,85.81；H,5.01；N,4.34。
合成实施例24：化合物556的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147分别替换为等摩尔的a-67、d-173、c-75、d-556，得到化合物556(20.14g)，HPLC检测固体纯度≥99.97％。质谱m/z：1001.3626(理论值：1001.3617)。理论元素含量(％)C72H47N3O3：C,86.29；H,4.73；N,4.19。实测元素含量(％)：C,86.32；H,4.69；N,4.21。
合成实施例25：化合物570的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147分别替换为等摩尔的a-67、b-570、c-75、b-353，得到化合物570(19.91g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：975.3449(理论值：975.3461)。理论元素含量(％)C70H45N3O3：C,86.13；H,4.65；N,4.30。实测元素含量(％)：C,86.09；H,4.67；N,4.26。
合成实施例26：化合物573的合成
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按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147分别替换为等摩尔的a-67、b-573、c-75、b-216，得到化合物573(21.05g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：987.4409(理论值：987.4400)。理论元素含量(％)C70H57N3O3：C,85.08；H,5.81；N,4.25。实测元素含量(％)：C,85.11；H,5.77；N,4.27。
合成实施例27：化合物657的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-44、d-147、d-44，得到化合物657(20.68g)，HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：943.3610(理论值：943.3625)。理论元素含量(％)C62H53N3O3Si2：C,78.86；H,5.66；N,4.45。实测元素含量(％)：C,78.81；H,5.70；N,4.42。
合成实施例28：化合物694的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147分别替换为等摩尔的a-67、d-67、d-694，得到化合物694(19.62g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：907.2680(理论值：907.2691)。理论元素含量(％)C62H41N3OS2：C,82.00；H,4.55；N,4.63。实测元素含量(％)：C,82.04；H,4.52；N,4.66。
合成实施例29：化合物802的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147分别替换为等摩尔的a-67、d-359、c-802、d-75，得到化合物802(20.33g)，HPLC检测固体纯度≥99.95％。质谱m/z：981.4677(理论值：981.4658)。理论元素含量(％)C72H59N3O：C,88.04；H,6.05；N,4.28。实测元素含量(％)：C,88.08；H,6.03；N,4.31。
合成实施例30：化合物827的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147分别替换为等摩尔的a-67、b-827、c-827、b-216，得到化合物827(20.32g)，HPLC检测固体纯度≥99.96％。质谱m/z：1025.4083(理论值：1025.4094)。理论元素含量(％)C74H51N5O：C,86.61；H,5.01；N,6.82。实测元素含量(％)：C,86.59；H,5.05；N,6.79。
合成实施例31：化合物835的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147分别替换为等摩尔的a-67、b-44、c-835、d-75，得到化合物835(19.14g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：861.3338(理论值：861.3355)。理论元素含量(％)C62H43N3O2：C,86.39；H,5.03；N,4.87。实测元素含量(％)：C,86.43；H,5.00；N,4.90。
合成实施例32：化合物853的合成
按照合成实施例1相同的制备方法，将a-44、c-44、d-44、e-44、f-44分别替换为等摩尔的a-67、a-67、d-853、c-835、b-216，得到化合物853(20.03g)，HPLC检测固体纯度≥99.97％。质谱m/z：939.3813(理论值：939.3825)。理论元素含量(％)C68H49N3O2：C,86.87；H,5.25；N,4.47。实测元素含量(％)：C,86.90；H,5.21；N,4.45。
合成实施例33：化合物878的合成
中间体M1-878的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(800mL)、c-835(25.65g，140.00mmol)、b-77(27.58g，140.00mmol)、Pd(dppf)Cl2(1.46g，2.00mmol)和叔丁醇钠(26.91g，280.00mmol)，搅拌溶解，并回流反应8小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂，用乙酸乙酯重结晶，得到中间体M1-878(33.11g，产率79％)，HPLC检测固体纯度≧99.71％。质谱m/z：299.0958(理论值：299.0946)。
化合物878的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入甲苯(500mL)，g-878(9.44g，30.00mmol)、M1-878(26.94g，90.00mmol)、Pd2(dba)3(0.82g，0.90mmol)、叔丁醇钠(17.30g，180.00mmol)和BINAP(1.76g，2.70mmol)，搅拌溶解，并回流反应6小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压除去溶剂，用甲苯重结晶，得到化合物878(20.95g，产率72％)，HPLC检测固体纯度≧99.96％。质谱m/z：969.2828(理论值：969.2839)。理论元素含量(％)C66H39N3O6：C,81.72；H,4.05；N,4.33。实测元素含量(％)：C,81.69；H,4.07；N,4.29。
合成实施例34：化合物909的合成
按照合成实施例1相同的制备方法，将a-44、b-44、c-44、d-44、e-44、f-44、g-44分别替换为等摩尔的c-75、b-909、c-75、d-909、a-67、f-909、g-909，得到化合物909(19.18g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：1047.4097(理论值：1047.4081)。理论元素含量(％)C74H53DN4OS：C,84.78；H,5.29；N,5.34。实测元素含量(％)：C,84.80；H,5.33；N,5.30。
合成实施例35：化合物967的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将d-75替换为等摩尔的b-967，得到化合物967(20.46g)，HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：933.2836(理论值：933.2848)。理论元素含量(％)C64H43N3OS2：C,82.29；H,4.64；N,4.50。实测元素含量(％)：C,82.32；H,4.60；N,4.47。
合成实施例36：化合物997的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75替换为等摩尔的a-997、b-997，得到化合物997(20.57g)，HPLC检测固体纯度≥99.95％。质谱m/z：951.3969(理论值：951.3977)。理论元素含量(％)C64H25D18N3OS2：C,80.72；H,6.45；N,4.41。实测元素含量(％)：C,80.68；H,6.49；N,4.38。
合成实施例37：化合物1002的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将d-75、a-67替换为等摩尔的b-1002、c-1002，得到化合物1002(21.76g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：1081.4049(理论值：1081.4038)。理论元素含量(％)C75H51D4N3OS2：C,83.22；H,5.49；N,3.88。实测元素含量(％)：C,83.19；H,5.53；N,3.83。
合成实施例38：化合物1003的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、g-147替换为等摩尔的a-1003、b-967、c-1003、g-1003，得到化合物1003(20.18g)，HPLC检测固体纯度≥99.97％。质谱m/z：988.3080(理论值：988.3097)。理论元素含量(％)C66H40D3N5OS2：C,80.13；H,4.69；N,7.08。实测元素含量(％)：C,80.09；H,4.72；N,7.10。
合成实施例39：化合物1029的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、a-67、d-147替换为等摩尔的a-67、d-147、c-1029、d-1029，得到化合物1029(20.83g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：963.3303(理论值：963.3315)。理论元素含量(％)C65H49N3O2SSi：C,80.96；H,5.12；N,4.36。实测元素含量(％)：C,80.92；H,5.08；N,4.38。
合成实施例40：化合物1100的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147替换为等摩尔的a-67、b-967、d-1100，得到化合物1100(18.79g)，HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：857.2881(理论值：857.2898)。理论元素含量(％)C59H43N3S2：C,82.58；H,5.05；N,4.90。实测元素含量(％)：C,82.60；H,5.01；N,4.88。
合成实施例41：化合物1106的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147替换为等摩尔的a-67、b-997、d-1106，得到化合物1106(19.53g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：929.2890(理论值：929.2898)。理论元素含量(％)C65H43N3S2：C,83.93；H,4.66；N,4.52。实测元素含量(％)：C,83.89；H,4.71；N,4.49。
合成实施例42：化合物1164的合成
按照合成实施例1相同的制备方法，将a-44、c-44、d-44、e-44、f-44、g-44分别替换为等摩尔的a-67、a-67、b-827、a-67、f-1164、g-1164，得到化合物1164(18.26g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：935.3969(理论值：935.3988)。理论元素含量(％)C68H49N5：C,87.24；H,5.28；N,7.48。实测元素含量(％)：C,87.28；H,5.30；N,7.51。
合成实施例43：化合物1183的合成
按照合成实施例6相同的制备方法，将c-75、d-75、d-147替换为等摩尔的a-67、d-44、d-1183，得到化合物1183(18.36g)，HPLC检测固体纯度≥99.96％。质谱m/z：955.4129(理论值：955.4138)。理论元素含量(％)C69H53N3O2：C,86.67；H,5.59；N,4.39。实测元素含量(％)：C,86.62；H,5.61；N,4.43。
器件实施例
在本发明中，ITO/Ag/ITO玻璃基板由5％的玻璃清洗液超声清洗2次，每次20分钟，再由去离子水超声清洗2次，每次10分钟。依次使用丙酮和异丙酮超声清洗20分钟，120℃烘干。有机材料都是经过升华，纯度都在99.99％以上。
将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率、CIE色坐标。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试的环境为大气环境，温度为室温。
实施例1：有机电致发光器件1的制备
在ITO/Ag/ITO阳极上真空蒸镀HAT-CN作为空穴注入层，厚度为9nm；在空穴注入层上真空蒸镀本发明化合物44作为空穴传输层，厚度为115nm；在空穴传输层上真空蒸镀主体材料CBP，掺杂材料Ir(piq)3，二者以CBP:Ir(piq)3＝98:2(wt％)的比例掺杂形成发光层，厚度为25nm；在发光层上真空蒸镀BCP:LiQ＝1:1(wt％)作为电子传输层，厚度为29nm；在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1.1nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag＝1:9作为阴极，厚度为15nm；然后再阴极上真空蒸镀CP-1作为覆盖层，厚度为71nm。
实施例2～43：有机电致发光器件2～43的制备
将实施例1空穴传输层中的化合物44分别换成化合物67、化合物75、化合物77、化合物101、化合物147、化合物173、化合物182、化合物216、化合物246、化合物262、化合物290、化合物321、化合物323、化合物328、化合物353、化合物359、化合物377、化合物389、化合物392、化合物495、化合物511、化合物550、化合物556、化合物570、化合物573、化合物657、化合物694、化合物802、化合物827、化合物835、化合物853、化合物878、化合物909、化合物967、化合物997、化合物1002、化合物1003、化合物1029、化合物1100、化合物1106、化合物1164、化合物1183，其他步骤相同，得到有机电致发光器件2～43。
对比例1～2：对比有机电致发光器件1～2的制备
将实施例1空穴传输层中的化合物44分别换成R-1、R-2，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件1～2。
本发明实施例1～43以及对比例1～2制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表1所示。
表1有机电致发光器件的发光特性测试数据
/>
由表1可以看出，与对比器件1～2相比，本发明的有机电致发光器件具有更低的驱动电压，更高的发光效率以及更长的使用寿命，器件的性能更加优异。
实施例44：有机电致发光器件44的制备
在ITO/Ag/ITO阳极上真空蒸镀HI-1:HI-2＝6:94作为空穴注入层，厚度为8nm；在空穴注入层上真空蒸镀NPB作为第一空穴传输层，厚度为60nm；在第一空穴传输层上真空蒸镀本发明化合物44作为第二空穴传输层，厚度为55nm；在第二空穴传输层上真空蒸镀主体材料CBP，掺杂材料Ir(piq)2(acac)，二者以CBP:Ir(piq)2(acac)＝98:2(wt％)的比例掺杂形成发光层，厚度为20nm；在发光层上真空蒸镀BCP:LiQ＝1:1(wt％)作为电子传输层，厚度为25nm；在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为0.9nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag＝1:9作为阴极，厚度为12nm；然后再阴极上真空蒸镀CP-1作为覆盖层，厚度为70nm。
实施例45～86：有机电致发光器件45～86的制备
将实施例44第二空穴传输层中的化合物44分别换成化合物67、化合物75、化合物77、化合物101、化合物147、化合物173、化合物182、化合物216、化合物246、化合物262、化合物290、化合物321、化合物323、化合物328、化合物353、化合物359、化合物377、化合物389、化合物392、化合物495、化合物511、化合物550、化合物556、化合物570、化合物573、化合物657、化合物694、化合物802、化合物827、化合物835、化合物853、化合物878、化合物909、化合物967、化合物997、化合物1002、化合物1003、化合物1029、化合物1100、化合物1106、化合物1164、化合物1183，其他步骤相同，得到有机电致发光器件45～86。
对比例3～4：对比有机电致发光器件3～4的制备
将实施例44第二空穴传输层中的化合物44分别换成R-3、R-4，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件3～4。
本发明实施例44～86以及对比例3～4制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表2所示。
表2有机电致发光器件的发光特性测试数据
/>
由表2可以看出，第二空穴传输层中含有本发明式1的三胺类化合物的有机电致发光器件相比于对比器件而言，具有较低的驱动电压，较高的发光效率以及较长的使用寿命。
实施例87：有机电致发光器件87的制备
在ITO/Ag/ITO阳极上真空蒸镀2-TNATA作为空穴注入层，厚度为55nm；在空穴注入层上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，厚度为110nm；在空穴传输层上真空蒸镀主体材料CBP，掺杂材料Ir(ppy)2(acac)，二者以CBP:Ir(ppy)2(acac)＝93:7(wt％)的比例掺杂形成发光层，厚度为23nm；在发光层上真空蒸镀BTB:LiQ＝1:1(wt％)作为电子传输层，厚度为27nm；在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为0.9nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag＝1:9作为阴极，厚度为14nm；然后再阴极上真空蒸镀本发明化合物44作为覆盖层，厚度为72nm。
实施例88～106：有机电致发光器件88～106的制备
将实施例87覆盖层中的化合物44分别换成化合物77、化合物147、化合物182、化合物262、化合物353、化合物359、化合物392、化合物495、化合物511、化合物550、化合物570、化化合物694、化合物802、化合物835、化合物967、化合物997、化合物1003、化合物1029、化合物1100，其他步骤相同，得到有机电致发光器件88～106。
对比例5：对比有机电致发光器件5的制备
将实施例87覆盖层中的化合物44分别换成R-5，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件5。
本发明实施例87～106以及对比例5制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表3所示。
表3有机电致发光器件的发光特性测试数据
/>
由表3可以看出，与对比器件5相比，覆盖层中含有本发明式1的三胺类化合物的有机电致发光器件具有更低的驱动电压，更高的发光效率，器件的性能更加优异。
应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，但在不脱离本发明原理的前提下，本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进，这些改进也落入本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种三胺类化合物，其特征在于，由下述式1表示，
其中，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6相同或不同的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种；
所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6中的至少一个选自如下式1-a所示的基团，
所述“*”表示与L1、L2、L3、L4、L5或L6的连接位点；
所述z相同或不同的选自CH或N；
所述X选自O、S或NRb；
所述Rb选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述R4相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R4相互键合形成取代或未取代的环；
所述n1选自0、1、2、3、4或5；
且所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6中的至少一个选自如下式1-b所示的基团，
所述Y选自O、S、CRxRy或者NRz；
所述Rx、Ry相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻Rx、Ry相互键合形成取代或未取代的环，或者Rx、Ry所对应的碳原子为与L1、L2、L3、L4、L5、L6连接的位点；
所述Rz选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者Rz所对应的氮原子为与L1、L2、L3、L4、L5、L6连接的位点；
所述R5、R6相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R5、相邻两个R6相互键合形成取代或未取代的环；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1、2、3或4；
所述R1、R2、R3相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基中的一种；
所述L1、L2、L3、L4、L5、L6相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基、取代或未取代的C3～C25的脂环与C2～C30的杂芳环的亚稠合环基中的一种。
2.根据权利要求1所述的三胺类化合物，其特征在于，所述三胺类化合物选自式1-1～式1-3中的一种，
3.根据权利要求1所述的三胺类化合物，其特征在于，所述式1-a选自如下所示基团中的一种，
所述n1选自0、1、2、3、4或5；所述n2选自0、1、2、3或4；所述n3选自0、1、2或3；所述n4选自0、1或2；所述n5选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述n6选自0、1、2、3、4、5或6；所述n7选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；n8选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；n9选自0或1。
4.根据权利要求1所述的三胺类化合物，其特征在于，所述式1-b选自如下所示基团中的一种，
所述R7相同或不同的选自氢、氘、氚、取代或未取代的C1～C25的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C25的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1、2、3或4；所述m3选自0、1、2或3；所述m4选自0、1、2、3、4、5或6；所述m5选自0、1、2、3、4或5；所述m6选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述m7选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
5.根据权利要求1所述的三胺类化合物，其特征在于，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5或Ar6至少一个选自1-a所示的基团，且至少一个选自1-b所示的基团，其余独立的选自如下所示基团中的一种或其组合，
所述R8相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻两个R8相互键合形成取代或未取代的环；
所述R9相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述r1选自0、1、2、3、4或5；所述r2选自0、1、2、3或4；所述r3选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述r4选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述r5选自0、1、2或3；所述r6选自0、1、2、3、4、5或6；所述r7选自0或1；所述r8选自0、1或2；
所述s1选自0、1或2；所述s2选自0、1、2、3或4；所述s3选自0、1、2、3、4、5或6；所述s4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述s5选自0、1、2、3、4或5；所述s6选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述s7自0、1、2或3。
6.根据权利要求1所述的三胺类化合物，其特征在于，所述L1、L2、L3、L4、L5、L6相同或不同的选自单键，或者如下所示基团中的一种或其组合，
所述v相同或不同的选自CRa或N；
所述Ra选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻两个Ra相互键合形成取代或未取代的环；
所述W选自O、S、CRcRd或者NRw；
所述Rc、Rd相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种，或者相邻Rc、Rd相互键合形成取代或未取代的环；
所述Rw选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种。
7.根据权利要求1所述的三胺类化合物，其特征在于，所述L1、L2、L3、L4、L5、L6相同或不同的选自单键，或者如下所示基团中的一种或其组合，
所述Re相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述t1选自0、1、2、3或4；所述t2选自0、1、2、3、4、5或6；所述t3选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述t4选自0、1、2或3；所述t5选自0、1或2；所述t6选自0或1；所述t7选自0、1、2、3、4或5；所述t8选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述t9选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
8.根据权利要求1所述的三胺类化合物，其特征在于，所述三胺类化合物选自如下所示结构中的任意一种，
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9.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件含有权利要求1～8任一项所述的三胺类化合物。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间或所述阳极及所述阴极中的一个以上的电极的外侧，所述有机物层含有权利要求1～8任一项所述的三胺类化合物。
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