CN117603249A - 一种三芳胺类化合物及其有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种三芳胺类化合物及其有机电致发光器件，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明三芳胺类化合物具有合适的HOMO能级、较高的空穴传输能力、良好的热稳定性，作为空穴传输材料用于有机电致发光器件，既能有效降低空穴传输过程中的能量势垒，有利于空穴的注入和传输，提高空穴和电子复合效率，降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率；也能减少激子向发光层外侧移动，避免界面发光，延长器件的使用寿命。同时，该化合物具有高折射率和良好的成膜性，提高器件的光取出效率，改善器件的发光效率和使用寿命。另外，该化合物具有良好的空穴生成能力，也是一种良好的P型电荷生成层材料。可应用于信息显示、照明以及有机太阳能电池等领域。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种三芳胺类化合物及其有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是一种全固态发光器件，能够将电能转化为光能。其工作原理是在两个电极之间施加电压，空穴和电子分别从阳极和阴极注入至有机物层，当所注入的空穴和电子在发光层内相遇后，复合形成激子，激子跃迁至基态从而发出光。有机电致发光器件不但体态轻薄、视角宽广、响应快速、使用温度范围宽，而且所需能耗低、效率高、可柔性显示，在照明和显示领域已经得到了非常广泛的应用。
有机电致发光器件中的有机物层可分为空穴传输区域、发光层、电子传输区域、电荷生成层、覆盖层等。其中空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等；电子传输区域包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等；电荷生成层包括N型电荷生成层、P型电荷生成层等。其中空穴传输层主要作用是将阳极注入的空穴更好的运输至发光层，阻挡电子由发光层向空穴传输层的扩散，同时降低空穴在注入过程中的能量势垒，提高空穴的注入效率，从而提高有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。而所需的空穴传输材料，必须具备很高的空穴迁移率、较好的成膜性以及良好的热稳定性、合适的HOMO轨道能级。然而，目前所研究的空穴传输材料仍然存在空穴迁移率差、热稳定性低、成膜性差以及能级不匹配的问题，导致了有机电致发光器件的驱动电压提高、发光效率降低和使用寿命缩短等问题。另一方面，覆盖层材料仍然存在光取出效率低等问题。
为了进一步提高有机电致发光器件的性能，需要设计一系列具有良好的成膜性和热稳定性，高HOMO值及三线态能级、高空穴传输率的空穴传输材料以及性能良好的覆盖层材料，降低有机电致发光器件的驱动电压，提高机电致发光器件的发光效率，延长有机电致发光器件的使用寿命。同时，采用叠层有机电致发光器件，利用多层有机物层堆叠并在其中设置电荷生成层，有效平衡器件内部电荷，也有利于提升器件的发光效率和使用寿命。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种三芳胺类化合物及其有机电致发光器件。
本发明提供了一种三芳胺类化合物，由下述式1表示，
其中，所述Ar1、Ar2相同或不同的选自C1～C30的烷基、C3～C30的环烷基、C6～C30的芳基、C2～C30的杂芳基、C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Ar1、Ar2可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述Ar1、Ar2被一个或多个Ra取代，且至少一个Ra选自Si(Rx)3，其余相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种；
所述Rx相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种；
所述R1、R2相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R1、相邻两个R2可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述n1选自0、1、2、3或4；所述n2选自0、1、2或3；
所述Ar3选自如下式1-a所示基团，
所述X选自O、S或NRb中的一种；
所述环A选自无或者取代或未取代的C6～C15的芳环；
所述Rb选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Rb所对应的氮原子为与L2连接的位点；
所述R3、R4相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R3可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1或2；
所述Ar4选自如下所示基团中的一种，
所述v相同或不同的选自CH或N，当v与L3键合时，所述v选自C原子；
所述Y、W相同或不同的选自O、S或NRc中的一种；
所述Rc选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Rc所对应的氮原子为与L3连接的位点；
所述R5相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R5可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述r1选自0、1、2、3、4或5；所述r2选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述r3选自0、1、2、3或4；
所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基中的一种。
另外，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件含有上述本发明的三芳胺类化合物。
有益效果：本发明式1的三芳胺类化合物具有合适的HOMO能级、较高的空穴传输能力、良好的热稳定性，作为空穴传输材料用于有机电致发光器件，既能有效降低空穴传输过程中的能量势垒，有利于空穴在器件内的注入和传输，提高电子和空穴的复合效率，降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率；也能减少激子向发光层外侧移动，避免界面发光，延长器件的使用寿命。同时，本发明的三芳胺类化合物具有高折射率和良好的成膜性，提高器件的光取出效率，改善器件的发光效率和使用寿命。另外，本发明的三芳胺类化合物具有良好的空穴生成能力，作为P型电荷生成层用于有机电致发光器件，能有效提高器件的发光效率，延长器件的使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所要求保护的范围内。
在本发明的化合物中，未指定为特定同位素的任何原子包括作为该原子的任何稳定同位素，并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。
本发明所述的卤素包括氟、氯、溴、碘。
本发明中，“取代或未取代的ZZ基”中的“未取代ZZ基”表示“ZZ基”的氢原子未被取代基替代。例如，“取代或未取代的C6～C30的芳基”中“未取代的芳基”是指“芳基”的氢原子未被取代基替代。以此类推。
本发明中，“取代或未取代的CXX～CYY的ZZ基”中的“CXX～CYY”表示未取代的“ZZ基”中的碳原子数，“ZZ基”具有取代基时，不包含取代基的碳原子数。例如，“取代或未取代的C6～C30的芳基”中的“C6～C30”表示未取代的“芳基”中的碳原子数，“芳基”具有取代基时，不包含取代基中的碳原子数。“取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基”中的“C3～C30”表示未取代的“脂环”中的碳原子数，“脂环”具有取代基时，不包含取代基的碳原子数；“C6～C30”表示未取代的“芳环”中的碳原子数，“芳环”具有取代基时，不包含取代基的碳原子数。以此类推。
在本发明中，当取代基在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。
例如，可表示 可表示 可表示 以此类推。
在本说明书中，当取代基或连接位点所在键贯穿于两个或多个环时，表明其可连接于所述两个或多个环的任一个，具体可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，可表示 以此类推。
本发明中“相邻两个基团键合成环”是指通过相邻的基团彼此结合并任选地芳构化以形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环可以为脂肪族烃环或芳族烃环。杂环可包括脂肪族杂环或芳族杂环。所述脂肪族烃环可以为饱和脂肪族烃环也可以为不饱和脂肪族烃环，所述脂肪族杂环可以为饱和脂肪族杂环也可以为不饱和脂肪族杂环。烃环和杂环可为单环或者多环基团。如下所示例：
另外，通过相邻的基团结合形成的环可与另一个环连接以形成螺结构。如下所示例：
本发明中，连接形成的环可以为三元环、四元环、五元环、六元环、七元环、八元环、稠合环、螺环等，例如环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环戊烯、环己烯、苯、萘、菲、三亚苯、吡啶、嘧啶、喹啉、异喹啉、喹唑啉、喹喔啉、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑等，但不限于此。
本发明所述的“取代或未取代”中的“取代”表示基团上的至少一个氢原子被取代基所替换。当有多个氢被多个取代基替换时，所述多个取代基可以相同或者不同。上述被取代基所替换的氢的位置可以为任意位置。上述“取代或未取代”中的“取代”所代表的取代基包括如下所述基团，氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷氧基、取代或未取代的C6～C20芳氧基、取代或未取代的C2～C15的杂环基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C20的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C20的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C2～C20的杂芳环的稠合环基等。优选如下所述基团：氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基、异莰烷基、葑烷基、甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、蒽基、芘基、基、荧蒽基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、苯并环丁烯基、茚基、二氢萘基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基等。此外，上述取代基中的每一个可以是取代或未取代的。两个相邻的取代基可以键合成环。
本发明所述的烷基是指烷烃分子中去掉一个氢原子而成的烃基。所述烷基可以是直链烷基或支链烷基。本发明所述的链状烷基的碳原子数为三以上时，包含其异构体，例如丙基包含正丙基和异丙基；丁基包括正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基，以此类推。所述烷基的实例包括但不限于如下所述的基团，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等，但不限于此。所述烷基的碳原子数为C1～C30，优选为C1～C25，优选为C1～C20，优选为C1～C15，再优选为C1～C10。
本发明所述的甲硅烷基是指-Si(Rk)3基团，其中每个Rk相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C1～C30的烯基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C60的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C2～C60的杂芳环的稠合环基。优选的，每个Rk相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基。所述烷基的碳原子数优选为C1～C20，优选为C1～C15，再优选为C1～C10，最优选为C1～C8。所述环烷基的碳原子数优选为C3～C20，优选为C3～C15，再优选为C3～C10，最优选为C3～C7。优选的，每个Rk相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的庚基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的环庚基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基。优选的取代甲硅烷基具体包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但不限于此。
本发明所述的环烷基是指环烷烃分子中去掉一个氢原子而成的烃基。所述环烷基包括单环环烷基、多环环烷基、桥环环烷基。所述环烷基的实例包括但不限于如下所述的基团，环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基、葑烷基、异莰烷基等，但不限于此。所述环烷基的碳原子数为C3～C30，优选为C3～C25，优选为C3～C20，优选为C3～C15，更优选为C3～C10。
本发明所述的芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称。所述芳基包括单环芳基、多环芳基、稠环芳基或者其组合。所述芳基的实例包括但不限于如下所述的基团，苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、蒽基、三亚苯基、芴基、苯并芴基、螺二芴基、螺蒽芴基、芘基、基、荧蒽基等，但不限于此。所述芳基的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C25，再优选为C6～C20。
本发明所述的杂芳基是指芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的一价基团。所述杂原子选自O、S、N、Si、B、P等，但不限于此。所述杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，苯并呋喃基、萘并呋喃基、菲并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、苯并噻吩基、萘并噻吩基、菲并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、吲哚基、萘并吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、螺芴氧杂蒽基、螺芴硫杂蒽基、螺芴氮杂蒽基、螺芴硅杂蒽基、苯并二噁茂基、苯并二硫醚基、二氢异苯并呋喃基、二氢苯并呋喃基、二氢苯并噻吩基、二氢异苯并噻吩基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、二氢吖啶基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基等，但不限于此。所述杂芳基的碳原子数可以为C2～C30，优选为C2～C25，再优选为C3～C20。
本发明所述的脂环和芳环的稠合环基是指脂环与芳环稠合在一起后去掉一个氢原子，剩下一价基团的总称。所述脂环和芳环的稠合环基实例包括但不限于如下所述的基团，苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环丁烯基、二氢茚基、茚基、四氢萘基、二氢萘基、苯并环庚烷基、苯并环庚烯基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为C3～C30，优选为C3～C20，优选为C3～C15，再优选为C3～C10，更优选C3～C8。所述芳环的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C25，优选为C6～C18，再优选为C6～C12，更优选C6～C10。
本发明所述的亚芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉两个氢原子后，剩下二价基团的总称。所述亚芳基包括单环亚芳基、多环亚芳基、稠环亚芳基或者其组合。所述亚芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚菲基、亚芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚萘并芴基、亚螺二芴基等，但不限于此。所述亚芳基的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C25，优选为C6～C20，更优选C6～C18。
本发明所述的亚杂芳基是指亚芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的二价基团。所述杂原子选自O、S、N、Si、B、P等，但不限于此。所述亚杂芳基包括单环亚杂芳基、多环亚杂芳基、稠环亚杂芳基或者其组合。所述亚杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚喹唑啉基、亚萘啶基等，但不限于此。所述亚杂芳基的碳原子数为C2～C30，优选为C2～C25，优选为C2～C20。
本发明所述的脂环和芳环的亚稠合环基是指脂环与芳环稠合在一起后去掉两个氢原子，剩下二价基团的总称。所述脂环和芳环的亚稠合环包含亚二氢茚基、亚茚基、亚四氢萘基、亚二氢萘基、亚苯并环丙烷基、亚苯并环丁烷基、亚苯并环庚烷基、亚苯并环丁烯基、亚萘并环戊烷基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为3～30个，优选3～20个，再优选3～10个。所述芳环的碳原子数为6～30个，优选6～25个，优选6～18个，再优选6～10个。
本发明提供了一种三芳胺类化合物，由下述式1表示，
其中，所述Ar1、Ar2相同或不同的选自C1～C30的烷基、C3～C30的环烷基、C6～C30的芳基、C2～C30的杂芳基、C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Ar1、Ar2可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述Ar1、Ar2被一个或多个Ra取代，且至少一个Ra选自Si(Rx)3，其余相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种；
所述Rx相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种；
所述R1、R2相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R1、相邻两个R2可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述n1选自0、1、2、3或4；所述n2选自0、1、2或3；
所述Ar3选自如下式1-a所示基团，
所述X选自O、S或NRb中的一种；
所述环A选自无或者取代或未取代的C6～C15的芳环；
所述Rb选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Rb所对应的氮原子为与L2连接的位点；
所述R3、R4相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R3可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1或2；
所述Ar4选自如下所示基团中的一种，
所述v相同或不同的选自CH或N，当v与L3键合时，所述v选自C原子；
所述Y、W相同或不同的选自O、S或NRc中的一种；
所述Rc选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Rc所对应的氮原子为与L3连接的位点；
所述R5相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R5可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述r1选自0、1、2、3、4或5；所述r2选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述r3选自0、1、2、3或4；
所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基中的一种。
优选的，所述选自如下所示基团中的一种，
所述至少一个Ra选自Si(Rx)3，其余相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基或被一个或多个氘、C1～C6烷基取代或未取代的如下所示基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基；
所述Rx相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基或被一个或多个氘、C1～C6烷基取代或未取代的如下所示基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基；
所述R1、R2相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基或被一个或多个氘、C1～C6烷基取代或未取代的如下所示基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基，或者相邻两个R1、相邻两个R2可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述c1选自0、1、2、3、4或5；所述c2选自0、1、2、3或4；所述c3选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述c4选自0、1、2或3；所述c5选自0、1、2、3、4、5或6。
优选的，所述至少一个Ra选自Si(Rx)3包括一个、两个、三个或者更多个Ra。当Si(Rx)3的个数在两个以上时，所述Si(Rx)3可以取代在同一个环上，也可以取代在不同的环上；所述Si(Rx)3可以取代在所述芴基的9-位的两个取代基的同一个取代基上，也可以取代在所述芴基的9-位的两个取代基的不同取代基上。更优选的，所述芴基的9-位的两个取代基的Ra中，各自有0个、一个或两个选自Si(Rx)3，且不同时为0个。
优选的，所述Si(Rx)3选自如下所示基团中的一种，
优选的，所述环A选自无或者如下所示基团中的一种，
所述“＊”表示环A与的稠合位点，环A的稠合方向是任意的；
所述Rd相同或者不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m3选自0、1、2、3、4、5或6；所述m4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
优选的，所述Ar3选自如下所示基团中的一种，
所述Rb相同或者不同的选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述R3、R4相同或者不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述Rd相同或者不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述Rb、R3、R4、Rd可被一个或多个取代基所取代，所述取代基相同或不同的选自氘、卤素、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；当存在两个或多个取代基时，两个或多个取代基之间彼此相同或不同；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1或2；所述m3选自0、1、2、3、4、5或6；所述m4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述m5选自0、1、2或3；所述m6选自0、1、2、3、4或5。
优选的，所述Ar4选自如下所示基团中的一种，
所述Y相同或不同的选自O、S或NRc中的一种；
所述W相同或不同的选自O、S或NRc中的一种；
所述Rc选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述R5相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述Re相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述Rc、R5、Re可被一个或多个取代基所取代，所述取代基相同或不同的选自氘、卤素、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；当存在两个或多个取代基时，两个或多个取代基之间彼此相同或不同；
所述r1选自0、1、2、3、4或5；所述r2选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述r3选自0、1、2、3或4；所述r4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述r5选自0、1、2、3、4、5或6；所述r6选自0、1、2或3；所述r7选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述r8选自0、1或2；所述r9选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；
所述q1选自0、1或2；所述q2选自0、1、2、3或4；所述q3选自0、1、2、3、4、5或6；所述q4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
优选的，所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键或如下所示基团中的一种，
所述Rf相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种或者其组合，者相邻两个Rf相互键合形成取代或未取代的环；
所述Rg相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述t1选自0、1、2、3或4；所述t2选自0、1、2、3、4、5或6；所述t3选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述t4选自0、1、2或3；所述t5选自0、1或2；所述t6选自0或1；所述t7选自0、1、2、3、4或5；所述t8选自0、1、2、3、4、5、6或7；
所述s1选自0、1或2；所述s2选自0、1、2、3或4；所述s3选自0、1、2、3、4、5或6；所述s4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述s5选自0或1。
优选的，所述Rf相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、或被一个或多个氘、C1～C6烷基取代或未取代的如下所示基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基，或者相邻两个Rf相互键合形成取代或未取代的苯环。
优选的，所述Rg相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、或被一个或多个氘、C1～C6烷基取代或未取代的如下所示基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基。
优选的，所述三芳胺类化合物选自如下所示结构中的任意一种，
以上列举了本发明式1所示的三芳胺类化合物的一些具体化学结构，但本发明不局限于所列的这些化学结构，凡是以式1所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。
另外，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间或所述阳极及所述阴极中的一个以上的电极的外侧，所述有机物层含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间，所述有机物层包括空穴传输区域、发光层、电子传输区域、电荷生成层中的至少一层，所述空穴传输区域、电荷生成层中的至少一层含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间，所述有机物层包括电荷生成层，所述电荷生成层含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间，所述有机物层包括电荷生成层，所述电荷生成层包括N型电荷生成层和P型电荷生成层，所述P型电荷生成层含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间，所述有机物层包括空穴传输区域，所述空穴传输区域含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间，所述有机物层包括空穴传输区域，所述空穴传输区域包括空穴传输层，所述空穴传输层含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层位于阳极和发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和发光层之间，所述第一空穴传输层中含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层位于阳极和发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和发光层之间，所述第二空穴传输层中含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层位于阳极和发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和发光层之间，所述第一空穴传输层和第二空穴传输层中含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第一空穴传输层位于阳极和发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和发光层之间，所述第三空穴传输层位于第二空穴传输层和发光层之间，所述第一空穴传输层、第二空穴传输层、第三空穴传输层中的至少一层含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第一空穴传输层位于阳极和发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和发光层之间，所述第三空穴传输层位于第二空穴传输层和发光层之间，所述第一空穴传输层中含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第一空穴传输层位于阳极和发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和发光层之间，所述第三空穴传输层位于第二空穴传输层和发光层之间，所述第二空穴传输层中含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第一空穴传输层位于阳极和发光层之间，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和发光层之间，所述第三空穴传输层位于第二空穴传输层和发光层之间，所述第三空穴传输层中含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极中的一个以上的电极的外侧，所述有机物层包括覆盖层，所述覆盖层含有上述本发明的三芳胺类化合物。
优选的，本发明所述的有机电致发光器件分为单层有机电致发光器件、叠层有机电致发光器件，所述单层有机电致发光器件即含有一个发光单元的有机电致发光器件，所述叠层有机电致发光器件是通过电荷生成层将两个或更多个独立的发光单元串联而成的有机电致发光器件。
优选的，本发明所述的有机电致发光器件为单层有机电致发光器件，其中阳极、一个或更多个有机物层和阴极顺序地堆叠在基底上。
优选的，本发明所述的有机电致发光器件为叠层有机电致发光器件，所述叠层有机电致发光器件，包括阳极、阴极、和位于所述阳极和所述阴极之间的一个或更多个的有机物层，所述有机物层包含本发明所述的三芳胺类化合物。
优选的，所述有机物层位于所述阴极和所述阳极之间，在阴极与阳极之间形成有发射第一颜色的光的第一堆叠体和发射第二颜色的光的第二堆叠体，并且在第一堆叠体与第二堆叠体之间形成有调节电荷以建立电荷平衡的电荷生成层，其中，所述电荷生成层包括与第一堆叠体相邻设置的N型电荷生成层和与第二堆叠体相邻设置的P型电荷生成层。
优选的，所述P型电荷生成层包含本发明所述的三芳胺类化合物，或所述P型电荷生成层可以通过使用本发明所述的三芳胺类化合物与其他材料进行掺杂而形成。
本发明的有机电致发光器件的功能层可以含有如下所述功能层中的至少一种，空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等。凡是具有空穴注入和/或传输性质的功能层、电子注入和/或传输性质的功能层、发光性质的功能层或者光取出性质的功能层都应包含在内。每个功能层可以由单层薄膜构成，也可以由多层薄膜构成，每一层薄膜可以仅由一种材料组成也可以由多种材料组成。
本发明对有机电致发光器件中的各层薄膜的材料没有特别的限定，可以使用本领域中已知的物质。下面对上述提到的有机电致发光器件的各有机功能层以及器件两侧的电极分别进行介绍：
本发明所述的阳极材料优选使用具有高功能函数，提高空穴注入效率的材料。所述阳极材料包括具有高功函数的金属、合金及其混合物等，但不限于此。所述阳极材料的具体实例可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、镁(Mg)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等，但不限于此。
本发明所述的空穴注入层优选使用具有良好接受空穴能力的材料，将空穴从阳极有效注入至有机层。所述空穴注入层材料的具体实例可包括金属氧化物、酞菁化合物，联苯胺类化合物，吩嗪类化合物等材料，如酞菁铜(CuPc)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)、二喹喔啉并[2,3-a:2',3'-c]吩嗪(HATNA)、4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2-TNATA)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)，但不限于此。
本发明所述的空穴传输层是在发光层和阳极之间形成的有机层，并具有将空穴从阳极传输到发光层的功能。所述空穴传输层可以由单一物质构成的单层结构，也可以由不同物质构成的单层结构或多层结构。所述空穴传输材料包含咔唑衍生物、三芳胺衍生物、联苯二胺衍生物、芴衍生物、酞菁类化合物、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物等，但不限于此。所述空穴传输材料具体实例可包括N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N4,N4'-二(联苯-4-基)-N4,N4'-二苯基联苯-4,4'-二胺(TPD-10)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCB)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，但不限于此。优选本发明式1的三芳胺类化合物。
本发明所述的电子阻挡层优选具有优异的电子阻挡能力的材料，有效防止电子从发光层扩散到空穴传输层。电子阻挡材料包含芳胺衍生物、咔唑衍生物等，但不限于此。所述电子阻挡材料具体实例可包括N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPD)、N,N-二([1,1'-联苯]-4-)-(9H-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-4-胺等，但不限于此。优选本发明式1的三芳胺类化合物。
本发明所述的发光层，包含主体材料和掺杂材料。主体材料和掺杂材料的掺杂比例，可根据所用的材料而决定，通常掺杂材料的掺杂比例为0.01％～20％，优选为0.1％～15％，更优选为1％～10％。发光层的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输性质，同时需要恰当的能级，将激发能量有效地传递到客体发光材料。所述主体材料包含杂环类化合物、金属络合物、稠合多环芳烃化合物、芳族胺化合物等，但不限于此。具体实例可包括4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、1,3-双(N-咔唑基)苯(MCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)等，但不限于此。掺杂材料可为红色、绿色、蓝色等发光材料。所述掺杂材料包含重金属配合物、稀土金属络合物等，但不限于此。具体实例可包括三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)合铱(Ir(ppy)2(acac))、二(1-苯基-异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)等，但不限于此。
本发明所述的空穴阻挡层优选使用具有较强的空穴阻挡能力及具有深HOMO能级的材料，有效防止空穴从发光层扩散到电子传输层。所述空穴阻挡层材料的具体实例可包括咪唑类，三唑类，菲罗啉衍生物等材料，如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)等，但不限于此。
本发明所述的电子传输层位于发光层和阴极之间，具有将电子从阴极传输到发光层的功能。优选具有电子传输性能优异的材料。所述电子传输层材料可包括金属络合物、噁唑衍生物、噻唑衍生物以及高分子化合物等，所述电子传输层材料具体实例可包括8-羟基喹啉铝(Alq3)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(BCP)、4,4'双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)联苯(BTB)等，但不限于此。
本发明所述的电子注入层优选具有良好的电子注入能力的材料，将电子从阴极有效注入有机层。所述电子注入层材料包含碱金属、碱金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物等，但不限于此。所述电子注入材料具体实例可包括锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化镁(MgF2)、8-羟基喹啉锂(LiQ)、氧化锂(Li2O)、氧化铯(Cs2O)、氧化钡(BaO)、碳酸铯(Cs2CO3)、氧化铝(Al2O3)等，但不限于此。
本发明所述的阴极材料，优选具有低功函数，有利于电子注入的材料。所述阴极材料包含低功函数的金属、合金以及其混合物等，但不限于此。所述阴极材料具体实例可包括镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、钾(K)、钛(Ti)、铟(In)、锂(Li)、铝(Al)、银(Ag)、锡或铅等金属以及合金、LiF/Al或LiO2/Al多层结构物质等，但不限于此。
本发明所述的覆盖层材料具有将陷于器件内的光耦合出来的作用。所述的覆盖层材料包含芳胺衍生物、金属化合物、咔唑衍生物等，但不限于此。所述覆盖层材料的具体实例可包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)等，但不限于此。优选本发明式1的三芳胺类化合物。
本发明所述的N型电荷生成材料具体实例可包括三-(8-羟基喹啉合)铝(Alq3)、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1’-联苯基-4-酚根合)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)等，或采用碱金属(Li、Cs、K、Rb)或碱土金属(Mg、Ca、Sr、Ba)等掺杂使用，但不限于此。
本发明所述的P型电荷生成材料的具体实例可包括4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)等，但不限于此。优选本发明式1的三芳胺类化合物。
对本发明有机电致发光器件中各层薄膜的制备方法没有特别限制，可以采用真空蒸镀法、溅射法、旋涂法、喷涂法、丝网印刷法、激光转印法等，但不限于此。
本发明的有机电致发光器件主要应用于信息显示技术领域、照明领域以及有机太阳能电池等领域，如手机、平板电脑、平板电视、各种穿戴设备等。
以下实施例更详细地说明了本发明，但是，下述实施例只是用于例示本说明书，而本说明书的范围并不现定于这些实施例。
合成实施例
原料与试剂：本发明对以下合成实施例中所采用的原料或试剂没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。本发明所用的原料及试剂均为试剂纯。
仪器：G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨率质谱仪(沃特斯公司，英国)；Vario ELcube型有机元素分析仪(Elementar公司，德国)。
对本发明式1所示的三胺类化合物的制备方法没有特别限制，可以采用本领域的技术人员所熟知的常规方法。例如，碳氮偶联反应等，本发明式1所示的三芳胺类化合物如可以采用如下所示的合成路线进行制备。
合成路线：
所述Xn为卤素，例如Xn相同或不同的选自Cl、Br、I。
所述Ar1～Ar4、L1～L3、R1～R2、n1～n2与上述限定相同。
合成实施例1：化合物2的制备
中间体A-2的制备：将a-2(20.35g，80.00mmol)溶解在155ml无水四氢呋喃中，在氮气条件下，将溶液的温度保持在-78℃，向溶液中缓慢滴加正丁基锂的正己烷溶液(32ml的2.5M的正己烷溶液，80.00mmol)，滴加完毕后，搅拌1.5小时，然后将b-2(28.72g，80.00mmol)溶于100ml四氢呋喃中，缓慢滴加，将反应溶液保持在-78℃，搅拌1.5小时，然后使其达到室温搅拌过夜。减压除去溶剂，将残余物溶于冰醋酸(120ml)中，加入浓盐酸溶液(31％，12ml)，将混合物在回流的条件下反应4小时，并在室温下搅拌过夜。反应结束后，加入水，用二氯甲烷萃取，合并有机相，用水洗，无水硫酸镁干燥，减压蒸馏除去溶剂，用异丙醇重结晶，得到A-2(27.04g，产率72％)；HPLC纯度≧99.77％。质谱m/z：468.0918(理论值：468.0909)。
中间体B-2的制备：在氮气保护下，向反应瓶中加入A-2(21.13g，45.00mmol)、c-2(10.14g，45.00mmol)、醋酸钯(0.10g，0.45mmol)、P(t-Bu)3(1.8mL的0.5M的甲苯溶液，0.90mmol)、叔丁醇钠(8.65g，90.00mmol)以及390ml甲苯溶剂，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液加热回流5.5h。反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯：甲醇＝10:1重结晶，得到中间体B-2(20.72g，产率75％)；HPLC纯度≧99.80％。质谱m/z：613.3180(理论值：613.3165)。
化合物2的制备：在氮气保护下，向反应瓶中加入B-2(18.42g，30.00mmol)、d-2(9.10g，30.00mmol)、Pd2(dba)3(0.27g，0.30mmol)、P(t-Bu)3(1.2mL的0.5M的甲苯溶液，0.60mmol)、叔丁醇钠(5.77g，60.00mmol)、以及300ml甲苯溶剂，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液加热回流6.5h。反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯重结晶，得到化合物2(18.31g，产率73％)；HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：835.4222(理论值：835.4209)。理论元素含量(％)C60H57NOSi：C,86.18；H,6.87；N,1.68。实测元素含量(％)：C,86.15；H,6.91；N,1.64。
合成实施例2：化合物26的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-26、d-26，其他步骤相同，得到化合物26(17.94g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：853.3665(理论值：853.3678)。理论元素含量(％)C62H43D4NOSi：C,87.18；H,6.02；N,1.64。实测元素含量(％)：C,87.20；H,6.07；N,1.60。
合成实施例3：化合物33的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-33、d-33，其他步骤相同，得到化合物33(16.51g)；HPLC纯度≥99.95％。质谱m/z：723.2965(理论值：723.2957)。理论元素含量(％)C52H41NOSi：C,86.27；H,5.71；N,1.93。实测元素含量(％)：C,86.22；H,5.67；N,1.91。
合成实施例4：化合物35的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-35、d-35，其他步骤相同，得到化合物35(17.83g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：802.3774(理论值：802.3792)。理论元素含量(％)C55H42D7NOSi2：C,82.25；H,7.03；N,1.74。实测元素含量(％)：C,82.21；H,7.06；N,1.72。
合成实施例5：化合物80的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-80、c-80、d-33，其他步骤相同，得到化合物80(16.52g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：797.3134(理论值：797.3114)。理论元素含量(％)C58H43NOSi：C,87.29；H,5.43；N,1.76。实测元素含量(％)：C,87.31；H,5.40；N,1.71。
合成实施例6：化合物99的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将b-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的b-99、c-99、d-99，其他步骤相同，得到化合物99(15.97g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：728.3252(理论值：728.3271)。理论元素含量(％)C52H36D5NOSi：C,85.67；H,6.36；N,1.92。实测元素含量(％)：C,85.70；H,6.32；N,1.89。
合成实施例7：化合物154的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-154、d-33，其他步骤相同，得到化合物154(17.04g)；HPLC纯度≥99.97％。质谱m/z：799.3257(理论值：799.3270)。理论元素含量(％)C58H45NOSi：C,87.07；H,5.67；N,1.75。实测元素含量(％)：C,87.11；H,5.65；N,1.72。
合成实施例8：化合物179的制备
中间体A-179的制备：按照合成实施例1中中间体A-2相同的制备方法，将a-2替换为等摩尔的a-179，其他步骤相同，得到中间体A-179(27.42g)；HPLC纯度≥99.82％。质谱m/z：468.0917(理论值：468.0909)。
中间体C-179的制备：在氮气保护下，向反应瓶中加入A-179(25.82g，55.00mmol)、e-179(11.35g，55.00mmol)、Pd(PPh3)4(0.64g，0.55mmol)、K2CO3(19.00g，137.50mmol)以及230mL甲苯、90mL乙醇、90mL水，搅拌混合物，将上述体系加热回流反应5h。反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，用甲苯/乙醇＝5：1重结晶，得到中间体C-179(25.46g，产率84％)；HPLC纯度≧99.70％。质谱m/z：550.1870(理论值：550.1884)。
化合物179的制备：按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将A-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的C-179、c-179、d-33，其他步骤相同，得到化合物179(18.25g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：907.3035(理论值：907.3053)。理论元素含量(％)C62H45N3OSSi：C,81.99；H,4.99；N,4.63。实测元素含量(％)：C,81.94；H,4.97；N,4.65。
合成实施例9：化合物181的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、c-33、d-181，其他步骤相同，得到化合物181(17.68g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：795.3368(理论值：795.3353)。理论元素含量(％)C55H49NOSi2：C,82.97；H,6.20；N,1.76。实测元素含量(％)：C,82.99；H,6.15；N,1.72。
合成实施例10：化合物196的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、c-33、d-196，其他步骤相同，得到化合物196(19.10g)；HPLC纯度≥99.95％。质谱m/z：871.3678(理论值：871.3666)。理论元素含量(％)C61H53NOSi2：C,84.00；H,6.12；N,1.61。实测元素含量(％)：C,84.05；H,6.08；N,1.64。
合成实施例11：化合物207的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-207、c-207、d-33，其他步骤相同，得到化合物207(18.54g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：921.3841(理论值：921.3822)。理论元素含量(％)C65H55NOSi2：C,84.65；H,6.01；N,1.52。实测元素含量(％)：C,84.61；H,6.04；N,1.49。
合成实施例12：化合物250的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、c-250、d-250，其他步骤相同，得到化合物250(19.18g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：925.4120(理论值：925.4135)。理论元素含量(％)C65H59NOSi2：C,84.28；H,6.42；N,1.51。实测元素含量(％)：C,84.26；H,6.45；N,1.48。
合成实施例13：化合物274的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-274、c-274、d-33，其他步骤相同，得到化合物274(16.63g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：769.3179(理论值：769.3196)。理论元素含量(％)C53H47NOSi2：C,82.66；H,6.15；N,1.82。实测元素含量(％)：C,82.70；H,6.12；N,1.78。
合成实施例14：化合物296的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、b-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-296、b-99、c-296、d-296，其他步骤相同，得到化合物296(18.07g)；HPLC纯度≥99.97％。质谱m/z：925.4542(理论值：925.4533)。理论元素含量(％)C63H67NSSi2：C,81.68；H,7.29；N,1.51。实测元素含量(％)：C,81.70；H,7.31；N,1.46。
合成实施例15：化合物308的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-308、c-308、d-308，其他步骤相同，得到化合物308(19.35g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：947.3965(理论值：947.3981)。理论元素含量(％)C68H57NSSi：C,86.12；H,6.06；N,1.48。实测元素含量(％)：C,86.10；H,6.01；N,1.46。
合成实施例16：化合物330的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-330、d-330，其他步骤相同，得到化合物330(16.65g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：739.2743(理论值：739.2729)。理论元素含量(％)C52H41NSSi：C,84.40；H,5.58；N,1.89。实测元素含量(％)：C,84.36；H,5.60；N,1.91。
合成实施例17：化合物366的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-366、d-366，其他步骤相同，得到化合物366(16.32g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：744.3033(理论值：744.3043)。理论元素含量(％)C52H36D5NSSi：C,83.83；H,6.22；N,1.88。实测元素含量(％)：C,83.78；H,6.19；N,1.93。
合成实施例18：化合物438的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-438、d-330，其他步骤相同，得到化合物438(18.11g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：861.3266(理论值：861.3281)。理论元素含量(％)C59H51NSSi2：C,82.18；H,5.96；N,1.62。实测元素含量(％)：C,82.22；H,5.94；N,1.59。
合成实施例19：化合物442的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、c-442、d-442，其他步骤相同，得到化合物442(18.60g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：897.3330(理论值：897.3312)。理论元素含量(％)C58H55NOSSi3：C,77.54；H,6.17；N,1.56。实测元素含量(％)：C,77.57；H,6.12；N,1.52。
合成实施例20：化合物458的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-33、d-458，其他步骤相同，得到化合物458(18.12g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：874.3751(理论值：874.3743)。理论元素含量(％)C64H50N2Si：C,87.83；H,5.76；N,3.20。实测元素含量(％)：C,87.78；H,5.80；N,3.18。
合成实施例21：化合物478的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-478、c-478、d-478，其他步骤相同，得到化合物478(18.72g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：930.4351(理论值：930.4369)。理论元素含量(％)C68H58N2Si：C,87.70；H,6.28；N,3.01。实测元素含量(％)：C,87.66；H,6.31；N,3.04。
合成实施例22：化合物500的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、c-330、d-458，其他步骤相同，得到化合物500(18.76g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：946.4149(理论值：946.4139)。理论元素含量(％)C67H58N2Si2：C,84.94；H,6.17；N,2.96。实测元素含量(％)：C,84.91；H,6.20；N,2.91。
合成实施例23：化合物517的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-517、d-517，其他步骤相同，得到化合物517(16.61g)；HPLC纯度≥99.95％。质谱m/z：737.3124(理论值：737.3114)。理论元素含量(％)C53H43NOSi：C,86.26；H,5.87；N,1.90。实测元素含量(％)：C,86.24；H,5.82；N,1.86。
合成实施例24：化合物528的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-528、c-528、d-517，其他步骤相同，得到化合物528(17.05g)；HPLC纯度≥99.98％。质谱m/z：811.3250(理论值：811.3270)。理论元素含量(％)C59H45NOSi：C,87.26；H,5.59；N,1.72。实测元素含量(％)：C,87.24；H,5.63；N,1.75。
合成实施例25：化合物532的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-33、d-532，其他步骤相同，得到化合物532(16.65g)；HPLC纯度≥99.98％。质谱m/z：749.3122(理论值：749.3114)。理论元素含量(％)C54H43NOSi：C,86.48；H,5.78；N,1.87。实测元素含量(％)：C,86.51；H,5.80；N,1.82。
合成实施例26：化合物552的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-552、c-552、d-552，其他步骤相同，得到化合物552(15.94g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：737.3100(理论值：737.3114)。理论元素含量(％)C53H43NOSi：C,86.26；H,5.87；N,1.90。实测元素含量(％)：C,86.24；H,5.90；N,1.95。
合成实施例27：化合物581的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-581、d-581，其他步骤相同，得到化合物581(16.62g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：758.3695(理论值：758.3679)。理论元素含量(％)C54H34D9NOSi：C,85.44；H,6.90；N,1.85。实测元素含量(％)：C,85.40；H,6.93；N,1.82。
合成实施例28：化合物609的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将c-2、d-2分别替换为等摩尔的c-442、d-609，其他步骤相同，得到化合物609(16.27g)；HPLC纯度≥99.98％。质谱m/z：763.2924(理论值：763.2907)。理论元素含量(％)C54H41NO2Si：C,84.89；H,5.41；N,1.83。实测元素含量(％)：C,84.95；H,5.38；N,1.79。
合成实施例29：化合物630的制备
中间体C-630的制备：按照合成实施例8中中间体C-179相同的制备方法，将A-179、e-179替换为等摩尔的A-2、e-630，其他步骤相同，得到中间体C-630(22.88g)；HPLC纯度≧99.85％。质谱m/z：500.1741(理论值：500.1727)。
化合物630的制备：按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将A-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的C-630、c-630、d-630，其他步骤相同，得到化合物630(17.49g)；HPLC纯度≥99.97％。质谱m/z：869.4069(理论值：869.4053)。理论元素含量(％)C63H55NOSi：C,86.95；H,6.37；N,1.61。实测元素含量(％)：C,86.91；H,6.40；N,1.63。
合成实施例30：化合物638的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、c-33、d-638，其他步骤相同，得到化合物638(17.81g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：801.3803(理论值：801.3822)。理论元素含量(％)C55H55NOSi2：C,82.35；H,6.91；N,1.75。实测元素含量(％)：C,82.31；H,6.94；N,1.71。
合成实施例31：化合物694的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-694、c-694、d-694，其他步骤相同，得到化合物694(18.24g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：880.4235(理论值：880.4244)。理论元素含量(％)C60H60N2OSi2：C,81.77；H,6.86；N,3.18。实测元素含量(％)：C,81.72；H,6.82；N,3.21。
合成实施例32：化合物764的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、b-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-179、b-764、c-764、d-764，其他步骤相同，得到化合物764(16.59g)；HPLC纯度≥99.98％。质谱m/z：789.2871(理论值：789.2885)。理论元素含量(％)C56H43NSSi：C,85.13；H,5.49；N,1.77。实测元素含量(％)：C,85.10；H,5.51；N,1.81。
合成实施例33：化合物780的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、c-33、d-780，其他步骤相同，得到化合物780(18.11g)；HPLC纯度≥99.98％。质谱m/z：837.3270(理论值：837.3281)。理论元素含量(％)C57H51NSSi2：C,81.67；H,6.13；N,1.67。实测元素含量(％)：C,81.70；H,6.09；N,1.69。
合成实施例34：化合物794的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、c-794、d-794，其他步骤相同，得到化合物794(18.27g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：833.3380(理论值：833.3363)。理论元素含量(％)C54H55NSSi3：C,77.74；H,6.64；N,1.68。实测元素含量(％)：C,77.76；H,6.60；N,1.66。
合成实施例35：化合物818的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、b-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-181、b-764、c-818、d-794，其他步骤相同，得到化合物818(16.40g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：791.3061(理论值：791.3080)。理论元素含量(％)C53H41N5OSi：C,80.37；H,5.22；N,8.84。实测元素含量(％)：C,80.40；H,5.18；N,8.80。
合成实施例36：化合物829的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-829、c-829、d-33，其他步骤相同，得到化合物829(16.24g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：721.2812(理论值：721.2801)。理论元素含量(％)C52H39NOSi：C,86.51；H,5.45；N,1.94。实测元素含量(％)：C,86.48；H,5.41；N,1.99。
合成实施例37：化合物846的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-846、c-846、d-846，其他步骤相同，得到化合物846(18.71g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：865.3756(理论值：865.3740)。理论元素含量(％)C63H51NOSi：C,87.36；H,5.93；N,1.62。实测元素含量(％)：C,87.31；H,5.90；N,1.64。
合成实施例38：化合物879的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、b-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-829、b-879、c-330、d-879，其他步骤相同，得到化合物879(14.85g)；HPLC纯度≥99.95％。质谱m/z：727.3278(理论值：727.3270)。理论元素含量(％)C52H45NOSi：C,85.79；H,6.23；N,1.92。实测元素含量(％)：C,85.81；H,6.19；N,1.89。
合成实施例39：化合物916的制备
按照合成实施例1中化合物2相同的制备方法，将a-2、c-2、d-2分别替换为等摩尔的a-916、c-916、d-33，其他步骤相同，得到化合物916(16.79g)；HPLC纯度≥99.98％。质谱m/z：822.3053(理论值：822.3066)。理论元素含量(％)C59H42N2OSi：C,86.10；H,5.14；N,3.40。实测元素含量(％)：C,86.12；H,5.19；N,3.36。
器件实施例
在本发明中，ITO玻璃基板和ITO/Ag/ITO玻璃基板由5％的玻璃清洗液超声清洗2次，每次20分钟，再由去离子水超声清洗2次，每次10分钟。依次使用丙酮和异丙酮超声清洗20分钟，120℃烘干。有机材料都是经过升华，纯度都在99.99％以上。
将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率、CIE色坐标。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试的环境为大气环境，温度为室温。
实施例1：有机电致发光器件1的制备
在ITO/Ag/ITO阳极上真空蒸镀HI-1作为空穴注入层，厚度为60nm；在空穴注入层上真空蒸镀本发明化合物2作为空穴传输层，厚度为115nm；在空穴传输层上真空蒸镀主体材料RH-1，掺杂材料RD-1，二者以RH-1:RD-1＝98:2(wt％)的比例掺杂形成发光层，厚度为23nm；在发光层上真空蒸镀ET-1:LiQ＝1:1(wt％)作为电子传输层，厚度为25nm；在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1.0nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag＝1:9作为阴极，厚度为11nm；然后再阴极上真空蒸镀CP-1作为覆盖层，厚度为72nm。
实施例2～25：有机电致发光器件2～25的制备
将实施例1空穴传输层中的化合物2分别换成化合物26、化合物33、化合物35、化合物154、化合物179、化合物181、化合物196、化合物274、化合物308、化合物330、化合物366、化合物438、化合物442、化合物458、化合物478、化合物517、化合物532、化合物581、化合物609、化合物638、化合物694、化合物780、化合物879、化合物916，其他步骤相同，得到有机电致发光器件2～25。
对比例1～2：对比有机电致发光器件1～2的制备
将实施例1空穴传输层中的化合物2分别换成R-1、R-2，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件1～2。
本发明实施例1～25以及对比例1～2制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表1所示。
表1有机电致发光器件的发光特性测试数据
由表1可以看出，与对比器件1～2相比，空穴传输层含有本发明式1的三芳胺类化合物的有机电致发光器件具有更低的驱动电压，更高的发光效率以及更长的使用寿命，器件的性能更加优异。
实施例26：有机电致发光器件26的制备
在ITO/Ag/ITO阳极上真空蒸镀HT-2作为空穴注入层，厚度为12nm；在空穴注入层上真空蒸镀HT-1作为第一空穴传输层，厚度为65nm；在第一空穴传输层上真空蒸镀本发明化合物2作为第二空穴传输层，厚度为50nm；在第二空穴传输层上真空蒸镀主体材料GH-1，掺杂材料GD-1，二者以GH-1:GD-1＝92:8(wt％)的比例掺杂形成发光层，厚度为20nm；在发光层上真空蒸镀ET-2:LiQ＝1:1(wt％)作为电子传输层，厚度为26nm；在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1.0nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag＝1:9作为阴极，厚度为12nm；然后再阴极上真空蒸镀CP-1作为覆盖层，厚度为70nm。
实施例27～50：有机电致发光器件27～50的制备
将实施例26第二空穴传输层中的化合物2分别换成化合物33、化合物80、化合物99、化合物154、化合物181、化合物196、化合物207、化合物250、化合物296、化合物330、化合物366、化合物438、化合物458、化合物500、化合物528、化合物532、化合物552、化合物630、化合物764、化合物780、化合物794、化合物818、化合物829、化合物846，其他步骤相同，得到有机电致发光器件27～50。
对比例3～4：对比有机电致发光器件3～4的制备
将实施例26第二空穴传输层中的化合物2分别换成R-3、R-4，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件3～4。
本发明实施例26～50以及对比例3～4制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表2所示。
表2有机电致发光器件的发光特性测试数据
由表2可以看出，第二空穴传输层中含有本发明式1的三芳胺类化合物的有机电致发光器件相比于对比器件而言，具有较低的驱动电压，较高的发光效率以及较长的使用寿命。
实施例51：有机电致发光器件51的制备
在ITO阳极上真空蒸镀HI-2作为空穴注入层，厚度为10nm；在空穴注入层上真空蒸镀HT-2作为空穴传输层1，厚度为100nm；在空穴传输层1上真空蒸镀HT-3作为空穴传输层2，厚度为15nm；在空穴传输层2上真空蒸镀BH-1，BD-1，二者以BH-1:BD-1＝95:5(wt％)的比例掺杂形成发光层1，厚度为30nm；在发光层上真空蒸镀ET-3作为电子传输层1，厚度为22nm；在电子传输层1上真空蒸镀N-CGL，LiQ，二者以N-CGL：LiQ＝98:2(wt％)的比例掺杂形成N型电荷生成层，厚度为10nm；在N型电荷生成层上真空蒸镀本发明化合物33，HI-2，二者以本发明化合物33：HI-2＝95:5(wt％)的比例掺杂形成P型电荷生成层，厚度为10nm；在P型电荷生成层上真空蒸镀HT-4形成空穴传输层3，厚度为45nm；在空穴传输层3上真空蒸镀GH-2，GD-2，二者以GH-2:GD-2＝92:8(wt％)的比例掺杂形成发光层2，厚度为30nm；在发光层2上真空蒸镀ET-4形成电子传输层2，厚度为35nm；在电子传输层2上真空蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1.0nm；在电子注入层上真空蒸镀Al作为阴极，厚度为115nm。
实施例52～65：有机电致发光器件52～65的制备
将实施例51中P型电荷生成层化合物33分别换成化合物154、化合物181、化合物196、化合物274、化合物330、化合物366、化合物442、化合物458、化合物478、化合物500、化合物532、化合物609、化合物780、化合物829，其他步骤相同，得到有机电致发光器件52～65。
对比例5～6：对比有机电致发光器件5～6的制备
将实施例51中P型电荷生成层化合物33分别换成R-5、HT-4，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件5～6。
本发明实施例51～65以及对比例5～6制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表3所示。
表3有机电致发光器件的发光特性测试数据
由表3可以看出，本发明式1的三芳胺类化合物用于有机电致发光器件中的P型电荷生成层材料时，相比于对比器件而言，器件具有更高的发光效率和更长的使用寿命，本发明化合物是性能优良的P型电荷生成层材料。
实施例66：有机电致发光器件66的制备
在ITO/Ag/ITO阳极上真空蒸镀HI-2作为空穴注入层，厚度为10nm；在空穴注入层上真空蒸镀HT-2作为空穴传输层，厚度为115nm；在空穴传输层上真空蒸镀主体材料BH-2，掺杂材料BD-1，二者以BH-2:BD-1＝95:5(wt％)的比例掺杂形成发光层，厚度为30nm；在发光层上真空蒸镀ET-2:LiQ＝1:1(wt％)作为电子传输层，厚度为25nm；在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1.0nm；在电子注入层上真空蒸镀Mg:Ag＝1:9作为阴极，厚度为11nm；然后再阴极上真空蒸镀本发明化合物26作为覆盖层，厚度为70nm。
实施例67～80：有机电致发光器件67～80的制备
将实施例66覆盖层中的化合物26分别换成化合物33、化合物196、化合物274、化合物442、化合物528、化合物532、化合物552、化合物609、化合物630、化合物638、化合物694、化合物764、化合物780、化合物818，其他步骤相同，得到有机电致发光器件67～80。
对比例7～8：对比有机电致发光器件7～8的制备
将实施例66覆盖层中的化合物26分别换成R-6、R-7，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件7～8。
本发明实施例66～80以及对比例7～8制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表4所示。
表4有机电致发光器件的发光特性测试数据
由表4可以看出，本发明式1的三芳胺类化合物用于有机电致发光器件中的覆盖层材料时，相比于对比器件而言，器件具有更高的发光效率和更长的使用寿命，本发明化合物是性能优良的覆盖层材料。
应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，但在不脱离本发明原理的前提下，本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进，这些改进也落入本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种三芳胺类化合物，其特征在于，由下述式1表示，
其中，所述Ar1、Ar2相同或不同的选自C1～C30的烷基、C3～C30的环烷基、C6～C30的芳基、C2～C30的杂芳基、C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Ar1、Ar2可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述Ar1、Ar2被一个或多个Ra取代，且至少一个Ra选自Si(Rx)3，其余相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种；
所述Rx相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种；
所述R1、R2相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R1、相邻两个R2可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述n1选自0、1、2、3或4；所述n2选自0、1、2或3；
所述Ar3选自如下式1-a所示基团，
所述X选自O、S或NRb中的一种；
所述环A选自无或者取代或未取代的C6～C15的芳环；
所述Rb选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Rb所对应的氮原子为与L2连接的位点；
所述R3、R4相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R3可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1或2；
所述Ar4选自如下所示基团中的一种，
所述v相同或不同的选自CH或N，当v与L3键合时，所述v选自C原子；
所述Y、W相同或不同的选自O、S或NRc中的一种；
所述Rc选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者Rc所对应的氮原子为与L3连接的位点；
所述R5相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基，取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R5可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述r1选自0、1、2、3、4或5；所述r2选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述r3选自0、1、2、3或4；
所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基中的一种。
2.根据权利要求1所述的三芳胺类化合物，其特征在于，所述选自如下所示基团中的一种，
所述至少一个Ra选自Si(Rx)3，其余相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基或被一个或多个氘、C1～C6烷基取代或未取代的如下所示基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基；
所述Rx相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基或被一个或多个氘、C1～C6烷基取代或未取代的如下所示基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基；
所述R1、R2相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基或被一个或多个氘、C1～C6烷基取代或未取代的如下所示基团中的一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基，或者相邻两个R1、相邻两个R2可以相互键合形成取代或未取代的环；
所述c1选自0、1、2、3、4或5；所述c2选自0、1、2、3或4；所述c3选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述c4选自0、1、2或3；所述c5选自0、1、2、3、4、5或6。
3.根据权利要求1所述的三芳胺类化合物，其特征在于，所述Si(Rx)3选自如下所示基团中的一种，
4.根据权利要求1所述的三芳胺类化合物，其特征在于，所述Ar3选自如下所示基团中的一种，
所述Rb相同或者不同的选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述R3、R4相同或者不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述Rd相同或者不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述Rb、R3、R4、Rd可被一个或多个取代基所取代，所述取代基相同或不同的选自氘、卤素、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；当存在两个或多个取代基时，两个或多个取代基之间彼此相同或不同；
所述m1选自0、1、2、3或4；所述m2选自0、1或2；所述m3选自0、1、2、3、4、5或6；所述m4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述m5选自0、1、2或3；所述m6选自0、1、2、3、4或5。
5.根据权利要求1所述的三芳胺类化合物，其特征在于，所述Ar4选自如下所示基团中的一种，
所述Y相同或不同的选自O、S或NRc中的一种；
所述W相同或不同的选自O、S或NRc中的一种；
所述Rc选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述R5相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述Re相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；
所述Rc、R5、Re可被一个或多个取代基所取代，所述取代基相同或不同的选自氘、卤素、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、乙基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基中的一种；当存在两个或多个取代基时，两个或多个取代基之间彼此相同或不同；
所述r1选自0、1、2、3、4或5；所述r2选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述r3选自0、1、2、3或4；所述r4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述r5选自0、1、2、3、4、5或6；所述r6选自0、1、2或3；所述r7选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述r8选自0、1或2；所述r9选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；
所述q1选自0、1或2；所述q2选自0、1、2、3或4；所述q3选自0、1、2、3、4、5或6；所述q4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
6.根据权利要求1所述的三芳胺类化合物，其特征在于，所述L1、L2、L3相同或不同的选自单键或如下所示基团中的一种，
所述Rf相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种或者其组合，者相邻两个Rf相互键合形成取代或未取代的环；
所述Rg相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的一种；
所述t1选自0、1、2、3或4；所述t2选自0、1、2、3、4、5或6；所述t3选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述t4选自0、1、2或3；所述t5选自0、1或2；所述t6选自0或1；所述t7选自0、1、2、3、4或5；所述t8选自0、1、2、3、4、5、6或7；
所述s1选自0、1或2；所述s2选自0、1、2、3或4；所述s3选自0、1、2、3、4、5或6；所述s4选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述s5选自0或1。
7.根据权利要求1所述的三芳胺类化合物，其特征在于，所述三芳胺类化合物选自如下所示结构中的任意一种，
8.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件含有权利要求1～7任一项所述的三芳胺类化合物。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间或所述阳极及所述阴极中的一个以上的电极的外侧，所述有机物层含有权利要求1～7任一项所述的三芳胺类化合物。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于所述阴极与所述阳极之间，所述有机物层包括空穴传输区域、发光层、电子传输区域、电荷生成层中的至少一层，所述空穴传输区域、电荷生成层中的至少一层含有权利要求1～7任一项所述的三芳胺类化合物。
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| CN202311584918.0A CN117603249A (zh) | 2023-11-24 | 2023-11-24 | 一种三芳胺类化合物及其有机电致发光器件 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118063499A (zh) * | 2024-04-22 | 2024-05-24 | 浙江华显光电科技有限公司 | 一种含硅芳香基的有机化合物、具有该化合物的oled和有机发光装置 |
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2023
- 2023-11-24 CN CN202311584918.0A patent/CN117603249A/zh active Pending
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