CN116640127A - 一种化合物及其有机电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种化合物及其有机电致发光器件，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明的化学式1化合物具有较高的三线态能级，一方面，可以作为发光层中的主体材料，平衡器件内的空穴和电子；另一方面，该化合物电子迁移率较高，可以应用于有机电致发光器件中的电子传输区域，易于传输电子，同时，该化合物还具备一定的空穴阻挡作用。其优良的性质使有机电致发光器件表现出优异的光电性能，具体表现为，具有较低的驱动电压，较高的发光效率以及较长的使用寿命。

Description

一种化合物及其有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种化合物及其有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)由于具有主动发光、发光效率较高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点而被视作下一代的显示技术。自从1987年Kodak公司C.W.Tang等人第一个报道绿光双层结构高效率OLED器件以来，人们把大量的人力﹑物力投入在材料、器件结构以及工艺等方面的研究，并且取得了长足的进步，其中的研究成果已经成功地商业化。因而，研发一系列新型有机电致发光材料尤为重要。
OLED通常包含阳极、阴极和有机层。OLED的有机层可以包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等。同时，为了平衡电子或空穴的传输速率，还会在空穴传输层与发光层之间加入电子阻挡层，或在电子传输层与发光层间加入空穴阻挡层。通过一定的能级搭配，使空穴和电子聚集于发光主体层内发生碰撞，使发光材料激发发光。
在众多的OLED材料中，电子传输材料因为电子迁移率远远小于空穴传输材料的空穴迁移率且稳定性较差，从而制约了它们在OLED等领域的应用。电子传输材料应具备较高的电子亲和势和电子迁移率，从而利于电子从阴极注入及传输；同时应具有高于发光层的激发能量，使电子快速传输到发光层；还应具有较大的电离能(IP)，具备一定的空穴阻挡特性。
主体材料是OLED中不可或缺的一部分，主体材料的基本要求是必须具有高于客体材料的三线态能级，以利于主体材料吸收的能量能全部传递给客体发光材料，并同时阻断能量从客体发光分子向主体材料的回传；此外，主体材料应具有与相邻层匹配的LUMO能级和HOMO能级以便于在较低的驱动电压下进行电荷注入。
OLED目前还处于起步阶段，不论是在材料、器件结构以及工艺等方面都存在许多不足，为了突破OLED在驱动电压、发光效率以及使用寿命等方面的瓶颈，需要不断开发合成更高效的有机电致发光功能层材料。
发明内容
为了克服以上问题，本发明的目的在于，开发出一类用于有机电致发光器件的化合物，将其用于有机电致发光器件中，可提高电子迁移率，避免空穴向电子传输层一侧扩散，提高载流子在发光层的复合几率；提高有机电致发光器件的出光效率，从而改善有机电致发光器件的性能。
具体而言，本发明提供一种化合物，所述化合物具有化学式1的结构，
所述Ar1选自下述式a；所述Ar2选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或下述式a；
*表示连接位点；
所述Y选自O、S、C(Ra)2、N(Rb)，所述Ra相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述Rb相同或不同的选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述E相同或不同的选自C(Rc)或N，所述Rc相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的Rc之间彼此连接形成取代或未取代的：苯环、吡啶环或嘧啶环；
所述Z相同或不同的选自C(Rd)或N，且至少存在一个Z为N；所述Rd相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；前提是当Z为与L、L1、L2相连的连接位点时，Z为C原子；
所述R0相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述q选自0、1或2；
所述X相同或不同的选自C(R5)或N，所述R5相同或不同的选自选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的R5之间彼此连接形成取代或未取代的环；
所述R1、R2独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或R1、R2之间可以相互结合形成取代或未取代的螺环；
所述L、L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种。
本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层包括发光层以及电子传输区域，所述发光层或电子传输区域包含所述具有化学式1结构的化合物。
有益效果
本发明提供一种化合物，一方面，该化合物具有较高的三线态能级，以及合适的HOMO能级和LUMO能级，可作为发光层的主体材料；另一方面，该化合物具备较高的电子亲和势和电子迁移率，可作为电子传输材料及空穴阻挡材料应用于有机电致发光器件中，该化合物可有效降低有机电致发光器件的驱动电压，提高有机电致发光器件的发光效率。此外，化合物本身具有良好的热稳定性及成模型，将其应用于有机电致发光器件中，可实现器件的长寿命。本发明提供的化合物性能优异，具有良好的应用效果和产业化前景。
具体实施方式
下面将结合本发明具体实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围
在本说明书中，“*”意指与另一取代基连接的部分。“*”可连接于所连接的基团/片段的任一可选位置。
在本说明书中，当取代基或连接位点所在键贯穿于两个或多个环时，表明其可连接于所述两个或两个环的任一个，具体可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，可表示/>或/>可表示/>以此类推。
在本说明书中，当取代基或连接位点在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的任何可选位点中的任一个。例如，可表示/>可表示/> 可表示 以此类推。
本发明所述的卤素实例可包括氟、氯、溴和碘。
本发明所述的烷基是指烷烃分子中去掉一个氢原子后，得到的一价基团的总称，其可以为直链烷基或支链烷基，优选具有1至25个碳原子，更优选1至12个碳原子，特别优选1至6个碳原子。具体实例可包含甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、十一烷基、十二烷基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基等，但不限于此。
本发明所述的脂环基是指脂环烃分子中去掉一个氢原子后，得到的一价基团的总称，可为环烷基、环烯基等，优选具有3至25个碳原子，更优选3至20个碳原子，特别优选3至15个碳原子，优选5至10个碳原子，最优选5至7个碳原子，具体实例可包含环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、环丙烯基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基等，但不限于此。
本发明所述的“取代或未取代的甲硅烷基”是指-Si(R)3基团，其中每个R相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C1～C30的烯基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C60的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C2～C60的杂芳环的稠合环基。优选的，每个R相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基。所述烷基的碳原子数优选为1至20个，优选1至15个，再优选1至10个，最优选为1至8个。所述环烷基的碳原子数优选为3至20个，优选3至15个，再优选3至10个，最优选为3至7个。优选的，每个R相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙基、环丁基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基、苯基、联苯基、萘基。
本发明所述的芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，得到的一价基团的总称，其可以为单环芳基、多环芳基或稠环芳基，优选具有6至30个碳原子，更优选6至18个碳原子，特别优选6至15个碳原子，最优选6至12个碳原子。所述单环芳基是指分子中只有一个芳香环的芳基，例如，苯基等，但不限于此；所述多环芳基是指分子中含有两个或者两个以上独立芳香环的芳基，具体实例可包含联苯基、三联苯基、四联苯基、1-苯基萘基、2-苯基萘基等，但不限于此；所述稠环芳基是指分子中含有两个或多个芳香环且彼此间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的芳基，具体实例可包含萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基、苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、螺芴基、螺二芴基等，但不限于此。
本发明所述的杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳原子被杂原子替代后，得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮、硅或者磷原子，优选具有2至30个碳原子，更优选2至18个碳原子，特别优选2至15个碳原子，最优选2至12个碳原子。所述杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上，也可以位于成环杂原子上，所述杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或稠环杂芳基。所述单环杂芳基具体实例可包含吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、噻唑基、咪唑基等，但不限于此；所述多环杂芳基具体实例可包含联吡啶基、联嘧啶基、苯基吡啶基、苯基嘧啶基等，但不限于此；所述稠环杂芳基具体实例可包含喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、邻菲罗啉基、萘啶基、吲哚基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、二苯并噁唑基、二苯并咪唑基、二苯并噻唑基、咔唑基、苯并咔唑基、吖啶基、9,10-二氢吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩噁噻基、螺芴氧杂蒽基、螺芴硫杂蒽基等，但不限于此。
本发明所述的亚芳基是指芳烃分子的芳核上去掉两个氢原子后，得到的二价基团的总称，可为单环亚芳基、多环亚芳基或稠环亚芳基，优选具有6至30个碳原子，优选6至25个碳原子，更优选6至20个碳原子，特别优选6至18个碳原子，最优选6至12个碳原子，具体实例可包含亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、亚三亚苯基、亚苝基、亚芴基、亚荧蒽基、亚苯基芴基等，但不限于此。
本发明所述的亚杂芳基是指亚芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的二价基团。所述杂原子选自O、S、N、Si、B、P等，但不限于此。优选具有2至30个碳原子，更优选2至18个碳原子，特别优选2至15个碳原子，最优选2至12个碳原子。所述亚杂芳基包括单环亚杂芳基、多环亚杂芳基、稠环亚杂芳基或者其组合。所述亚杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚喹唑啉基、亚萘啶基、亚二苯并呋喃、亚二苯并噻吩等，但不限于此。
本发明所述的“取代或未取代的”中所述取代基可以独立地选自氘、氰基、硝基、氨基、卤素原子、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、C1～C30的甲硅烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C1～C12的烷氧基、取代或未取代的C1～C6烷硫基、取代或未取代的C1～C12的烷胺基、取代或未取代的C6～C30的芳氧基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基等，但不限于此，或相邻的两个取代基之间可连接形成环。优选氘、氰基、硝基、氨基、卤素原子、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、C1～C12的烷基、C3～C12的环烷基、C6～C30的芳基、C2～C30的杂芳基、C1～C12的烷氧基，具体实例可包含氘、氟、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、甲苯基、均三甲苯基、五氘代苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苝基、芘基、荧蒽基、芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9-甲基-9-苯基芴基、螺芴基、咔唑基、9-苯基咔唑基、9,9’-螺二芴基、咔唑并吲哚基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、噁唑基、噻唑基、咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基等，但不限于此。或当所述取代基为多个时，多个取代基彼此相同或不同；或相邻的取代基可以连接形成环。
本发明所述的“连接形成环”是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例：
本发明中，连接形成的环可以为芳香族环系、脂肪族环系或二者稠合而形成的环系，连接所形成的环可以为三元环、四元环、五元环、六元环或者稠合环，例如苯、萘、茚、环戊烯、环戊烷、环戊烷并苯、环己烯、环己烷、环己烷并苯、喹啉、异喹啉、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、菲或芘，但不限于此。
本发明提供一种化合物，所述化合物具有化学式1的结构，
所述Ar1选自下述式a；所述Ar2选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或下述式a；
*表示连接位点；
所述Y选自O、S、C(Ra)2、N(Rb)，所述Ra相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述Rb相同或不同的选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述E相同或不同的选自C(Rc)或N，所述Rc相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的Rc之间彼此连接形成取代或未取代的：苯环、吡啶环或嘧啶环；
所述Z相同或不同的选自C(Rd)或N，且至少存在一个Z为N；所述Rd相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；前提是当Z为与L、L1、L2相连的连接位点时，Z为C原子；
所述R0相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述q选自0、1或2；
所述X相同或不同的选自C(R5)或N，所述R5相同或不同的选自选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的R5之间彼此连接形成取代或未取代的环；
所述R1、R2独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或R1、R2之间可以相互结合形成取代或未取代的螺环；
所述L、L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种。
优选的，所述选自如下所示结构中的任意一种，*表示连接位点，
所述Rd的限定如本文所述；所述m选自0、1或2。
优选的，所述Rd相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合。
所述R1、R2独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
或R1、R2之间可以相互结合形成下列结构中的任意一种：
所述T相同或不同的选自C(R4)或N，所述R4相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的R4之间形成取代或未取代的环；
所述Rf、Rg独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者Rf、Rg之间可以相互结合形成取代或未取代的螺环；
所述Rh选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述a1独立地选自0、1、2、3或4；所述a2独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述a3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述a4独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述a5选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12；所述a6选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14；所述a7选自0、1或2。
优选的，所述R1、R2独立地选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合。
优选的，所述选自如下所示结构中的任意一种，
所述X的限定如本文所述；
所述R11、R22独立地选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合；
所述R33选自单键或取代或未取代的下列基团：苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合；
所述R4相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合；
所述Rf、Rg独立地选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合；
所述Rh相同或不同的选自三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合；
所述a1独立地选自0、1、2、3或4；所述a2独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述a3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述a4独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述a5选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12；所述a6选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14；所述a7选自0、1或2。
进一步优选的，所述选自如下所示结构中的任意一种，
/>
/>
所述R4、R5的限定如本文所述；
所述b1独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述b2独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述b3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述b4独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述b5独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；所述b6独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13；所述b7独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18或19；所述b8独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15；所述b9独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述b10独立地选自0、1、2、3、4或5；
所述a8独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述a9独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述a10独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；所述a11独立地选自0、1、2或3。
优选的，所述R5相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合。
优选的，所述式a选自如下所示结构中的任意一种，
/>
所述R3相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述n1独立地选自0、1、2、3、4或5；所述n2独立地选自0、1、2、3或4；所述n3独立地选自0、1、2或3；所述n4独立地选自0、1或2；所述n5独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述n6独立地选自0、1、2、3、4、5或6。
优选的，所述R3相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合。
优选的，所述Ar2选自式a结构或选自如下所示结构中的任意一种，
所述W1、W2、W3、W4相同或不同的选自O、S、C(RxRy)、N(Rm)中的任意一种；
所述v相同或不同的选自CH或N；
所述Rx、Ry相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的Rx、Ry之间形成取代或未取代的环；
所述Rm选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述R6相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；当存在两个或多个R6时，两个或多个R6之间彼此相同或不同，或者两个相邻的R6之间形成取代或未取代的环；
所述c1独立地选自0、1、2、3、4或5；所述c2独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述c3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述c4独立地选自0、1、2、3或4；所述c5独立地选自0、1、2、3、4、5或6。
进一步优选的，所述Ar2选自如下所示结构中的任意一种，
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所述R6相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合。
所述Rx、Ry相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、取代或未取代的芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合。
所述Rm相同或不同的选自三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合。
所述c1独立地选自0、1、2、3、4或5；所述c2独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述c3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述c4独立地选自0、1、2、3或4；所述c5独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述c6独立地选自0、1、2或3；所述c7独立地选自0、1或2；所述c8独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11。
优选的，所述L、L1、L2相同或不同的选自单键或如下所示结构中的任意一种，
所述R7相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；当存在两个或多个R7时，两个或多个R7之间彼此相同或不同，或者两个相邻的R7之间形成取代或未取代的环；
所述d1独立地选自0、1、2、3或4；所述d2独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述d3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述d4独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述d5独立地选自0、1、2或3；所述d6独立地选自0、1或2；所述d7独立地选自0、1、2、3、4或5；所述d8独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7。
优选的，所述R7相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基、或取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、丙基、丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、螺二芴基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基中的任意一种或其组合。
最优选的，所述化合物选自如下所示结构中的任意一种，
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上列举了本发明所述化学式1表示的化合物的一些具体结构形式，但本发明并不局限于所列这些化学结构，凡是以化学式1所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。
本发明还提供了一种有机电致发光器件，包含本发明所述的化合物中的至少一种。
优选的，所述有机电致发光器件，包括阳极、阴极和位于所述阳极与阴极之间的有机物层，所述有机物层包含本发明所述的化合物中的至少一种。
具体的，所述有机物层包括发光层以及电子传输区域，所述发光层或电子传输区域包含本发明所述的化合物中的至少一种。
再优选的，所述有机物层包含电子传输区域，所述电子传输区域包含本发明所述的化合物中的至少一种。
再优选的，所述有机物层包含电子传输区域，所述电子传输区域包含电子传输层，所述电子传输层包含本发明所述的化合物中的至少一种。
再优选的，所述有机物层包含电子传输区域，所述电子传输区域包含空穴阻挡层，所述空穴阻挡层包含本发明所述的化合物中的至少一种。
再优选的，所述有机物层包含发光层，所述发光层包含本发明所述的化合物中的至少一种。
再优选的，所述有机物层包含发光层，所述发光层包含主体材料，所述主体材料包含本发明所述的化合物中的至少一种。
本发明对有机电致发光器件中的各层薄膜的材料没有特别的限定，可以使用本领域中已知的物质。下面对上述提到的有机电致发光器件的各有机功能层以及器件两侧的电极分别进行介绍：
本发明所述的阳极材料，优选具有高功函数的材料。阳极可以是透射电极、反射电极或半透射电极。当阳极是透射电极时，用于形成阳极的材料可以选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或它们的任意组合；当阳极是半透射电极或反射电极时，用于形成阳极的材料可以选自镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任意组合。阳极可以具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构，例如，阳极可以具有Al的单层结构或ITO/Ag/ITO的三层结构，但是阳极的结构不限于此。
本发明所述的空穴注入层材料，优选具有良好接受空穴能力的材料。空穴注入层材料可包括金属卟啉、低聚噻吩、蒽醌类化合物、芳基胺衍生物、苝衍生物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。
本发明所述的空穴传输层材料，优选具有高空穴迁移率的材料，空穴传输层材料可包括联苯二胺衍生物、三芳胺衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物、二苯乙烯衍生物、酞菁类化合物、蒽醌类化合物、喹吖啶酮类化合物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、聚噻吩、聚苯胺、聚乙烯咔唑等，但不限于此。
本发明所述的发光层材料，可使用红色、绿色或蓝色发光材料，通常包含主体材料和掺杂材料，发光层材料可包含多个主体材料和多个掺杂材料，掺杂材料可为单纯的荧光材料或者磷光材料，或者由荧光和磷光材料搭配组合而成，主体材料和掺杂材料的掺杂比例，可根据所用的材料而不同，优选的是以主体化合物计的掺杂剂的掺杂浓度小于20wt％。掺杂材料可以使用荧光性化合物，例如芘衍生物、荧蒽衍生物、芳香族胺衍生物等。实例可以列举有10-(2-苯并噻唑基)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-[1]苯并吡喃[6,7,8-ij]喹啉嗪-11-酮(C545T)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)等，还可以使用磷光发光材料，例如铱络合物、锇络合物、铂络合物等金属络合物，实例可以列举有双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))等。
发光层的主体材料需要具备双极性的电荷传输性质，和恰当的能级，将激发能量有效地传递到客体发光材料，主体材料除了可单独使用本发明提供的化学式1的化合物之外，也可以将化学式1的化合物作为n-型主体材料与p-型主体材料组合使用，当与p-型主体材料组合使用时，以化学式1的化合物计的n型主体材料的浓度优选为1wt％～99wt％，更优选的n-型主体材料的浓度为20wt％～80wt％，特别优选的n型主体材料的浓度为30wt％～70wt％。还可包含蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲衍生物、荧蒽衍生物等，以及含杂环的化合物包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、嘧啶衍生物、二苯乙烯基芳基衍生物、均二苯乙烯衍生物等，但不限于此。
本发明有机发光器件的电子传输材料要求具有很好的电子传输性能，能够有效地把电子从阴极传输到发光层中，具有很大的电子迁移率。除本发明提供的化学式1的化合物外，还可以含有如下化合物中的任意一种或几种，噻唑衍生物、喹啉衍生物、苯并咪唑衍生物、氧杂噁唑衍生物、氮杂苯衍生物、二氮蒽衍生物、含硅杂环类化合物、含硼杂环类化合物、氰基类化合物、菲罗啉衍生物、金属螯合物等，但不限于此。
本发明所述电子传输区域的空穴阻挡材料要求具有较高的三线态能级，同时具备良好好的电子传输性能。除本发明提供的化学式1的化合物外，还可以含有如下化合物中的任意一种或几种，噻唑衍生物、喹啉衍生物、苯并咪唑衍生物、氧杂噁唑衍生物、氮杂苯衍生物、二氮蒽衍生物、含硅杂环类化合物、含硼杂环类化合物、氰基类化合物、菲罗啉衍生物、金属螯合物等，但不限于此。
本发明所述的电子注入层材料，优选具有良好接受电子能力的材料，电子注入层材料可包括金属、碱金属、碱土金属、碱金属的卤化物、碱土金属的卤化物、碱金属的氧化物、碱土金属的氧化物、碱金属盐、碱土金属盐、金属配合物、金属氧化物及其他电子注入性高的物质。具体实例可包括：Li、Ca、Sr、LiF、CsF、CaF2、BaO、Li2CO3、CaCO3、Li2C2O4、Cs2C2O4、CsAlF4、Al2O3、MoO3、MgF2、LiOx、Yb、Tb、8-羟基喹啉铯、三(8-羟基喹啉)铝等，但不限于此。
本发明所述的阴极材料，优选具有低功函数的材料，阴极可以选自透射电极、半反射电极或反射电极。当阴极为透射电极，用于形成阴极的材料可选自透明金属氧化物(例如，ITO、IZO等)；当阴极为半反射电极或反射电极，用于形成阴极的材料可选自Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、包括它们的化合物或它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，但不限于与此。
以下是本发明式1表示的化合物的一种制备方法，但本发明的制备方法不限于此。式1化合物的核心结构可由下列所示反应路线进行制备，取代基可以经过本领域已知的方法键合，并且取代基的种类和位置或取代基的数量可以根据本领域已知的技术改变。
[合成路线]
化学式1化合物的制备：
对本发明化学式1所示的化合物的制备方法没有特别限制，可以采用本领域的技术人员所熟知的常规方法。例如，碳碳偶联反应、Miyaura硼化反应等，具体方法如下：
Xa、Xb、Xc、Xd各自独立地选自I、Br、Cl中的任意一种；W选自或/>中的任意一种；所述Z、X、R1、R2、Ar1、Ar2、L、L1、L2的限定与上述限定相同。
原料与试剂：本发明对以下合成实施例中所采用的原料或试剂没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。本发明所用的原料及试剂均为试剂纯。
仪器：G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨率质谱仪(沃特斯公司，英国)；Vario ELcube型有机元素分析仪(Elementar公司，德国)
合成实施例1：中间体C-55的制备
中间体C-55的制备：
在氮气保护下，将c-55(43.66g，125.00mmol)、联硼酸频那醇酯(31.74g，125.00mmol)、碳酸钾(34.55g，250.00mmol)、四三苯基膦钯(1.44g，1.25mmol)加到N,N-二甲基甲酰胺(650mL)中，将上述反应物的混合溶液加热回流3小时；反应结束后，待反应混合物冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，将所得固体用乙酸乙酯重结晶，干燥得到中间体C-55(40.62g，产率82％)；HPLC纯度≥99.84％谱m/z：396.2250(理论值：396.2261)。
将原料进行相应的替换，按照合成实施例1中间体C-55的制备方法，即可制备中间体，原料如下表所示：
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合成实施例2：化合物47的制备
中间体H-47的制备：
在氮气保护下，向反应瓶中依次加入中间体m-47(14.75g，80.00mmol)、A-47(12.96g，80.00mmol)、四三苯基膦钯(0.92g，0.80mmol)、乙酸钾(15.70g，160.00mmol)以及240mL甲苯、80mL乙醇、80mL水，搅拌混合物，将上述反应物体系加热回流3小时；反应结束后，冷却至室温，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝5：1重结晶，得到中间体H-47(14.90g，产率70％)；HPLC纯度≥99.87％。质谱m/z：264.9801(理论值：264.9810)。
中间体I-47的制备：
在氩气保护下，向反应瓶中依次加入H-47(13.30g，50.00mmol)、A-47(8.10g，50.00mmol)、四三苯基膦钯(0.58g，0.50mmol)、乙酸钾(9.81g，100.00mmol)以及150mL甲苯、50mL乙醇、50mL水，搅拌混合物，将上述体系回流反应3.5小时；反应结束后，冷却至室温，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝10：1重结晶，得到中间体I-47(12.69g，产率73％)，HPLC纯度≥99.82％。质谱m/z：347.0473(理论值：347.0462)。
化合物47的制备：
在氩气保护下，向反应瓶中依次加入I-47(10.43g，30.00mmol)、C-47(9.431g，30.00mmol)、四三苯基膦钯(0.35g，0.30mmol)、乙酸钾(5.89g，60.00mmol)以及100mL甲苯、35mL乙醇、35mL水，搅拌混合物，将上述体系回流反应5小时；反应结束后，冷却至室温，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯重结晶，得到化合物47(14.31g，产率82％)，HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：581.2118(理论值：581.2103)。理论元素含量(％)C40H27N3O2：C,82.60；H,4.68；N,7.22。实测元素含量(％)：C,82.62；H,4.64；N,7.24。
合成实施例3：化合物55的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-55，A-47替换为等摩尔的A-55，C-47替换为等摩尔的C-55，得到化合物55(16.12g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：697.2569(理论值：697.2585)。理论元素含量(％)C46H39N3S2：C,79.16；H,5.63；N,6.02。实测元素含量(％)：C,79.13；H,5.60；N,6.08。
合成实施例4：化合物76的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-76，A-47替换为等摩尔的A-76，C-47替换为等摩尔的C-76，得到化合物76(14.78g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：631.2276(理论值：631.2260)。理论元素含量(％)C44H29N3O2：C,83.66；H,4.63；N,6.65。实测元素含量(％)：C,83.61；H,4.66；N,6.67。
合成实施例5：化合物86的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-86，A-47替换为等摩尔的A-86，C-47替换为等摩尔的C-86，得到化合物86(15.50g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：653.1948(理论值：653.1959)。理论元素含量(％)C43H31N3S2：C,78.99；H,4.78；N,6.43。实测元素含量(％)：C,78.95；H,4.77；N,6.48。
合成实施例6：化合物98的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的B-98，C-47替换为等摩尔的C-98，得到化合物98(14.98g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：601.2138(理论值：601.2126)。理论元素含量(％)C40H23D4N3OS：C,79.84；H,5.19；N,6.98。实测元素含量(％)：C,79.88；H,5.17；N,6.96。
合成实施例7：化合物105的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的B-105，C-47替换为等摩尔的C-105，得到化合物105(14.97g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：623.1764(理论值：623.1780)。理论元素含量(％)C40H25N5OS：C,77.03；H,4.04；N,11.23。实测元素含量(％)：C,77.08；H,4.01；N,11.21。
合成实施例8：化合物124的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-124，A-47替换为等摩尔的B-124，C-47替换为等摩尔的C-124，得到化合物124(17.00g)，HPLC纯度≧99.91％。质谱m/z：735.2658(理论值：735.2634)。理论元素含量(％)C50H33N5O2：C,81.61；H,4.52；N,9.52。实测元素含量(％)：C,81.62；H,4.50；N,9.53。
合成实施例9：化合物138的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的B-138，C-47替换为等摩尔的C-138，得到化合物138(14.43g)，HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：593.2207(理论值：593.2216)。理论元素含量(％)C40H27N5O：C,80.92；H,4.58；N,11.80。实测元素含量(％)：C,80.94；H,4.54；N,11.82。
合成实施例10：化合物145的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-145，A-47替换为等摩尔的B-145，C-47替换为等摩尔的C-145，得到化合物145(16.78g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：735.2469(理论值：735.2457)。理论元素含量(％)C50H33N5S：C,81.61；H,4.52；N,9.52。实测元素含量(％)：C,81.64；H,4.51；N,9.50。
合成实施例11：化合物150的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-76，A-47替换为等摩尔的B-150，C-47替换为等摩尔的C-150，得到化合物150(15.19g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：657.2408(理论值：657.2416)。理论元素含量(％)C46H31N3O2：C,84.00；H,4.75；N,6.39。实测元素含量(％)：C,84.04；H,4.74；N,6.34。
合成实施例12：化合物175的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的A-98，C-47替换为等摩尔的C-175，得到化合物175(15.79g)，HPLC纯度≧99.91％。质谱m/z：657.2433(理论值：657.2416)。理论元素含量(％)C46H31N3O2：C,84.00；H,4.75；N,6.39。实测元素含量(％)：C,84.02；H,4.78；N,6.34。
合成实施例13：化合物213的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将H-47替换为等摩尔的H-213，将A-47替换为等摩尔的B-213，C-47替换为等摩尔的C-175，得到化合物213(15.59g)，HPLC纯度≧99.96％。质谱m/z：633.2226(理论值：633.2239)。理论元素含量(％)C44H31N3S：C,83.38；H,4.93；N,6.63。实测元素含量(％)：C,83.33；H,4.95；N,6.66。
合成实施例14：化合物225的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-225，A-47替换为等摩尔的A-225，C-47替换为等摩尔的C-175，得到化合物225(16.81g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：691.2096(理论值：691.2085)。理论元素含量(％)C46H29D2N3S2：C,79.85；H,4.81；N,6.07。实测元素含量(％)：C,79.88；H,4.83；N,6.02。
合成实施例15：化合物251的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的C-251，C-47替换为等摩尔的C-251，得到化合物251(15.75g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：681.2763(理论值：681.2780)。理论元素含量(％)C49H35N3O：C,86.32；H,5.17；N,6.16。实测元素含量(％)：C,86.34；H,5.13；N,6.18。
合成实施例16：化合物258的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的C-47，得到化合物258(17.17g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：733.3075(理论值：733.3093)。理论元素含量(％)C53H39N3O：C,86.74；H,5.36；N,5.73。实测元素含量(％)：C,86.75；H,5.31；N,5.77。
合成实施例17：化合物290的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的B-213，A-47替换为等摩尔的B-213，C-47替换为等摩尔的C-290，得到化合物290(15.15g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：615.1567(理论值：615.1551)。理论元素含量(％)C38H25N5S2：C,74.12；H,4.09；N,11.37。实测元素含量(％)：C,74.16；H,4.07；N,11.35。
合成实施例18：化合物321的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将H-47替换为等摩尔的H-213，将A-47替换为等摩尔的A-321，C-47替换为等摩尔的C-321，得到化合物321(15.98g)，HPLC纯度≧99.91％。质谱m/z：682.2178(理论值：682.2191)。理论元素含量(％)C47H30N4S：C,82.67；H,4.43；N,8.21。实测元素含量(％)：C,82.64；H,4.42；N,8.25。
合成实施例19：化合物326的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的A-98，C-47替换为等摩尔的C-326，得到化合物326(16.09g)，HPLC纯度≧99.96％。质谱m/z：705.2432(理论值：705.2416)。理论元素含量(％)C50H31N3O2：C,85.09；H,4.43；N,5.95。实测元素含量(％)：C,85.05；H,4.49；N,5.93。
合成实施例20：化合物342的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-86，A-47替换为等摩尔的B-342，C-47替换为等摩尔的C-342，得到化合物342(16.49g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：732.2758(理论值：732.2768)。理论元素含量(％)C49H20D10N4OS：C,80.30；H,5.50；N,7.64。实测元素含量(％)：C,80.32；H,5.51；N,7.61。
合成实施例21：化合物347的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的B-213，A-47替换为等摩尔的B-213，C-47替换为等摩尔的C-347，得到化合物347(18.13g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：827.2076(理论值：827.2065)。理论元素含量(％)C56H33N3OS2：C,81.23；H,4.02；N,5.07。实测元素含量(％)：C,81.25；H,4.05；N,5.02。
合成实施例22：化合物354的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-86，A-47替换为等摩尔的A-86，C-47替换为等摩尔的C-354，得到化合物354(17.49g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：787.2103(理论值：787.2116)。理论元素含量(％)C54H33N3S2：C,82.31；H,4.22；N,5.33。实测元素含量(％)：C,82.35；H,4.21；N,5.30。
合成实施例23：化合物370的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-370，A-47替换为等摩尔的A-370，C-47替换为等摩尔的C-370，得到化合物370(18.69g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：889.2597(理论值：889.2585)。理论元素含量(％)C62H39N3S2：C,83.66；H,4.42；N,4.72。实测元素含量(％)：C,83.62；H,4.45；N,4.73。
合成实施例24：化合物377的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-377，A-47替换为等摩尔的B-377，C-47替换为等摩尔的C-377，得到化合物377(16.24g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：751.3421(理论值：751.3408)。理论元素含量(％)C54H25D10N3O：C,86.25；H,6.03；N,5.59。实测元素含量(％)：C,86.28；H,6.06；N,5.53。
合成实施例25：化合物380的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的A-98，C-47替换为等摩尔的C-380，得到化合物380(17.26g)，HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：821.3025(理论值：821.3042)。理论元素含量(％)C59H39N3O2：C,86.21；H,4.78；N,5.11。实测元素含量(％)：C,86.22；H,4.75；N,5.13。
合成实施例26：化合物391的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将H-47替换为等摩尔的H-213，将A-47替换为等摩尔的A-391，C-47替换为等摩尔的C-370，得到化合物391(15.58g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：665.2479(理论值：665.2467)。理论元素含量(％)C48H31N3O：C,86.59；H,4.69；N,6.31。实测元素含量(％)：C,86.57；H,4.67；N,6.35。
合成实施例27：化合物394的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-76，A-47替换为等摩尔的B-394，C-47替换为等摩尔的C-394，得到化合物394(17.28g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：799.3550(理论值：799.3563)。理论元素含量(％)C58H45N3O：C,87.08；H,5.67；N,5.25。实测元素含量(％)：C,87.05；H,5.66；N,5.29。
合成实施例28：化合物401的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-401，A-47替换为等摩尔的A-401，C-47替换为等摩尔的C-377，得到化合物401(18.02g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：857.3060(理论值：857.3042)。理论元素含量(％)C62H39N3O2：C,86.79；H,4.58；N,4.90。实测元素含量(％)：C,86.75；H,4.59；N,4.93。
合成实施例29：化合物419的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-419，A-47替换为等摩尔的A-419，C-47替换为等摩尔的C-370，得到化合物419(17.85g)，HPLC纯度≧99.96％。质谱m/z：837.2255(理论值：837.2272)。理论元素含量(％)C58H35N3S2：C,83.13；H,4.21；N,5.01。实测元素含量(％)：C,83.10；H,4.22；N,5.03。
合成实施例30：化合物434的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-86，A-47替换为等摩尔的A-86，C-47替换为等摩尔的C-434，得到化合物434(18.56g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：813.2281(理论值：813.2272)。理论元素含量(％)C56H35N3S2：C,82.63；H,4.33；N,5.16。实测元素含量(％)：C,82.65；H,4.35；N,5.12。
合成实施例31：化合物455的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将H-47替换为等摩尔的H-213，将A-47替换为等摩尔的A-98，C-47替换为等摩尔的C-434，得到化合物455(17.14g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：741.2767(理论值：741.2780)。理论元素含量(％)C54H35N3O：C,87.42；H,4.76；N,5.66。实测元素含量(％)：C,87.47；H,4.72；N,5.65。
合成实施例32：化合物488的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-488，A-47替换为等摩尔的A-488，C-47替换为等摩尔的C-488，得到化合物488(16.92g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：741.3118(理论值：741.3104)。理论元素含量(％)C50H39N5O2：C,80.95；H,5.30；N,9.44。实测元素含量(％)：C,80.92；H,5.34；N,9.42。
合成实施例33：化合物513的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的B-213，A-47替换为等摩尔的B-213，C-47替换为等摩尔的C-513，得到化合物513(17.02g)，HPLC纯度≧99.96％。质谱m/z：736.1739(理论值：736.1755)。理论元素含量(％)C49H28N4S2：C,79.87；H,3.83；N,7.60。实测元素含量(％)：C,79.82；H,3.85；N,7.63。
合成实施例34：化合物525的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-76，A-47替换为等摩尔的A-76，C-47替换为等摩尔的C-525，得到化合物525(16.96g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：753.2430(理论值：753.2416)。理论元素含量(％)C54H31N3O2：C,86.04；H,4.15；N,5.57。实测元素含量(％)：C,86.08；H,4.14；N,5.54。
合成实施例35：化合物537的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-537，A-47替换为等摩尔的A-537，C-47替换为等摩尔的C-537，得到化合物537(18.39g)，HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：839.2016(理论值：839.2007)。理论元素含量(％)C52H27F6N3O2：C,74.37；H,3.24；N,5.00。实测元素含量(％)：C,74.31；H,3.26；N,5.04。
合成实施例36：化合物545的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的A-98，C-47替换为等摩尔的C-545，得到化合物545(16.67g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：793.2355(理论值：793.2365)。理论元素含量(％)C56H31N3O3：C,84.72；H,3.94；N,5.29。实测元素含量(％)：C,84.76；H,3.95；N,5.24。
合成实施例37：化合物622的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将H-47替换为等摩尔的H-622，将A-47替换为等摩尔的A-370，C-47替换为等摩尔的C-622，得到化合物622(19.07g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：907.3040(理论值：907.3021)。理论元素含量(％)C66H41N3S：C,87.29；H,4.55；N,4.63。实测元素含量(％)：C,87.24；H,4.57；N,4.66。
合成实施例38：化合物640的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的B-213，A-47替换为等摩尔的B-213，C-47替换为等摩尔的C-640，得到化合物640(16.47g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：751.1737(理论值：751.1752)。理论元素含量(％)C50H29N3OS2：C,79.87；H,3.89；N,5.59。实测元素含量(％)：C,79.89；H,3.88；N,5.58。
合成实施例39：化合物652的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将C-47替换为等摩尔的C-652，得到化合物652(16.34g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：735.1990(理论值：735.1980)。理论元素含量(％)C50H29N3O2S：C,81.61；H,3.97；N,5.71。实测元素含量(％)：C,81.64；H,3.91；N,5.74。
合成实施例40：化合物667的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的A-98，C-47替换为等摩尔的C-667，得到化合物667(16.56g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：745.2718(理论值：745.2729)。理论元素含量(％)C53H35N3O2：C,85.35；H,4.73；N,5.63。实测元素含量(％)：C,85.31；H,4.75；N,5.65。
合成实施例41：化合物695的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将H-47替换为等摩尔的H-695，将A-47替换为等摩尔的B-213，C-47替换为等摩尔的C-695，得到化合物695(17.26g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：787.2131(理论值：787.2116)。理论元素含量(％)C54H33N3S2：C,82.31；H,4.22；N,5.33。实测元素含量(％)：C,82.33；H,4.23；N,5.30。
合成实施例42：化合物731的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-98，A-47替换为等摩尔的A-98，C-47替换为等摩尔的C-731，得到化合物731(16.48g)，HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：795.2510(理论值：795.2522)。理论元素含量(％)C56H33N3O3：C,84.51；H,4.18；N,5.28。实测元素含量(％)：C,84.56；H,4.15；N,5.26。
合成实施例43：化合物795的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-795，A-47替换为等摩尔的A-795，C-47替换为等摩尔的C-795，得到化合物795(14.39g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：577.2536(理论值：577.2518)。理论元素含量(％)C42H31N3：C,87.32；H,5.41；N,7.27。实测元素含量(％)：C,87.35；H,5.42；N,7.23。
合成实施例44：化合物809的制备
按照与合成实施例2相同的制备方法，将A-47替换为等摩尔的A-809，A-47替换为等摩尔的A-809，C-47替换为等摩尔的C-370，得到化合物809(18.49g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：855.3350(理论值：855.3362)。理论元素含量(％)C62H41N5：C,86.99；H,4.83；N,8.18。实测元素含量(％)：C,86.97；H,4.87；N,8.16。
[器件实施例]
本发明测试器件性能所用的仪器：将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国Photo Research公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率，寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试条件为大气环境，温度为室温，电流密度为10mA/cm2。
[器件实施例1]
首先，将透明导电的ITO玻璃基板作为阳极，用去离子水超声清洗2次，每次20分钟，然后依次用异丙醇、丙酮和甲醇超声清洗各20分钟，之后暴露在紫外线和臭氧中30分钟，最后放入真空蒸镀设备中以备用。
在ITO玻璃基板上真空蒸镀厚度为60nm的2-TNATA作为空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀厚度为80nm的TCTA形成空穴传输层；在空穴传输层上真空蒸镀作为主体材料的化合物47和H-1，化合物47占主体材料总量50wt％，并且将Ir(ppy)3作为掺杂剂进行真空蒸镀，掺杂量为主体和掺杂剂总量10wt％，形成厚度为40nm的发光层；在发光层上以1:1(wt％)比率真空蒸镀BCP和LiQ形成电子传输层，蒸镀厚度为35nm；在电子传输层上真空蒸镀厚度为1nm的LiF作为电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀Al(120nm)作为阴极。
[器件实施例2～19]
用本发明化合物55、化合物98、化合物138、化合物175、化合物213、化合物225、化合物251、化合物326、化合物342、化合物377、化合物391、化合物434、化合物455、化合物545、化合物622、化合物640、化合物652、化合物795分别代替器件实施例1中的化合物47发光层主体材料，除此之外，通过与器件实施例1相同的制备方法，制备有机电致发光器件。
[对比器件实施例1]
用化合物A分别代替器件实施例1中的化合物47作为发光层主体材料，除此之外，通过与器件实施例1相同的制备方法，制备有机电致发光器件。
本发明器件实施例中器件1～19，对比实施例1所得有机电致发光器件的发光特性测试结果如下表1所示。
表1：
通过表1结果可知，将本发明所述的化合物用作有机电致发光器件发光层的主体材料时，器件具有更低的驱动电压、更高的发光效率和更长的使用寿命，本发明的化合物是性能优良的发光层主体材料。
[器件实施例20]
首先，将透明导电的ITO玻璃基板作为阳极，用去离子水超声清洗2次，每次20分钟，然后依次用异丙醇、丙酮和甲醇超声清洗各20分钟，之后暴露在紫外线和臭氧中30分钟，最后放入真空蒸镀设备中以备用。
在ITO玻璃基板上真空蒸镀厚度为10nm的HAT-CN作为空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀厚度为80nmNPB形成空穴传输层；在空穴传输层上真空蒸镀BH作为主体材料，并且将BD作为掺杂剂进行真空蒸镀，掺杂量为主体和掺杂剂总量5wt％，形成厚度为40nm的发光层；在发光层上以1:1(wt％)比率真空蒸镀化合物47和LiQ形成电子传输层，蒸镀厚度为35nm；在电子传输层上真空蒸镀厚度为1.1nm的LiF作为电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀Al(120nm)作为阴极。
[器件实施例21～39]
用本发明化合物76、化合物105、化合物124、化合物145、化合物175、化合物213、化合物258、化合物326、化合物347、化合物370、化合物391、化合物394、化合物419、化合物434、化合物455、化合物525、化合物679、化合物695、分别代替器件实施例20中的化合物47作为电子传输材料，除此之外，通过与器件实施例20相同的制备方法，制备有机电致发光器件。
[对比器件实施例2]
用化合物B分别代替器件实施例20中的化合物47作为电子传输材料，除此之外，通过与器件实施例20相同的制备方法，制备有机电致发光器件。
本发明器件实施例中器件20～39，对比实施例2所得有机电致发光器件的发光特性测试结果如下表2所示。
表2：
/>
通过表2结果可知，将本发明所述的化合物用作有机电致发光器件电子传输材料时，器件具有更低的驱动电压、更高的发光效率和更长的使用寿命，本发明化合物是性能优良的电子传输材料。
[器件实施例40]
首先，将透明导电的ITO玻璃基板作为阳极，用去离子水超声清洗2次，每次20分钟，然后依次用异丙醇、丙酮和甲醇超声清洗各20分钟，之后暴露在紫外线和臭氧中30分钟，最后放入真空蒸镀设备中以备用。
在ITO玻璃基板上真空蒸镀厚度为10nm的HAT-CN作为空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀厚度为80nmNPB形成空穴传输层；在空穴传输层上真空蒸镀m-CPB作为主体材料，并且真空蒸镀掺杂剂Ir(Piq)2(acac)，掺杂量为主体和掺杂剂总量5wt％，形成厚度为37nm的发光层；在发光层上真空蒸镀化合物47形成空穴阻挡层，蒸镀厚度为30nm；在空穴阻挡层上以1:1(wt％)比率真空蒸镀BCP和LiQ形成电子传输层，蒸镀厚度为35nm；在电子传输层上真空蒸镀厚度为1.1nm的LiF作为电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀Al(120nm)作为阴极。
[器件实施例41～57]
化合物86、化合物150、化合物175、化合物213、化合物290、化合物321、化合物326、化合物354、化合物380、化合物391、化合物401、化合物434、化合物455、化合物488、化合物537、化合物731、化合物809分别代替器件实施例40中的化合物47作为空穴阻挡材料，除此之外，通过与器件实施例40相同的制备方法，制备有机电致发光器件。
[对比器件实施例3～4]
用化合物B、C分别代替器件实施例40中的化合物47作为空穴阻挡材料，除此之外，通过与器件实施例40相同的制备方法，制备有机电致发光器件。
本发明器件实施例中器件40～57，对比实施例3～4所得有机电致发光器件的发光特性测试结果如下表3所示。
表3：
通过表3结果可知，将本发明所述的化合物用作有机电致发光器件空穴阻挡材料时，器件具有更低的驱动电压、更高的发光效率和更长的使用寿命，本发明化合物是性能优良的空穴阻挡材料。
应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种化合物，其特征在于，所述化合物选自化学式1所示结构，
所述Ar1选自下述式a；所述Ar2选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或下述式a；
*表示连接位点；
所述Y选自O、S、C(Ra)2、N(Rb)，所述Ra相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述Rb相同或不同的选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述E相同或不同的选自C(Rc)或N，所述Rc相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的Rc之间彼此连接形成取代或未取代的：苯环、吡啶环或嘧啶环；
所述Z相同或不同的选自C(Rd)或N，且至少存在一个Z为N；所述Rd相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；前提是当Z为与L、L1、L2相连的连接位点时，Z为C原子；
所述R0相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；所述q选自0、1或2；
所述X相同或不同的选自C(R5)或N，所述R5相同或不同的选自选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的R5之间彼此连接形成取代或未取代的环；
所述R1、R2独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或R1、R2之间可以相互结合形成取代或未取代的螺环；
所述L、L1、L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述选自如下所示结构中的任意一种，*表示连接位点，
所述Rd具有如权利要求1中所限定的含义；所述m选自0、1或2。
3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1、R2独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
或R1、R2之间可以相互结合形成下列结构中的任意一种：
所述T相同或不同的选自C(R4)或N，所述R4相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的R4之间形成取代或未取代的环；
所述Rf、Rg独立地选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者Rf、Rg之间可以相互结合形成取代或未取代的螺环；
所述Rh选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述a1独立地选自0、1、2、3或4；所述a2独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述a3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述a4独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述a5选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12；所述a6选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14；所述a7选自0、1或2。
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述选自如下所示结构中的任意一种，
所述R5具有如权利要求1中所限定的含义；所述R4具有如权利要求3中所限定的含义；
所述b1独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述b2独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述b3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述b4独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述b5独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；所述b6独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13；所述b7独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18或19；所述b8独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15；所述b9独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述b10独立地选自0、1、2、3、4或5；
所述a8独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述a9独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述a10独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；所述a11独立地选自0、1、2或3。
5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述式a选自如下所示结构中的任意一种，
所述R3相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述n1独立地选自0、1、2、3、4或5；所述n2独立地选自0、1、2、3或4；所述n3独立地选自0、1、2或3；所述n4独立地选自0、1或2；所述n5独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述n6独立地选自0、1、2、3、4、5或6。
6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar2选自式a结构或选自如下所示结构中的任意一种，
所述W1、W2、W3、W4相同或不同的选自O、S、C(RxRy)、N(Rm)中的任意一种；
所述v相同或不同的选自CH或N；
所述Rx、Ry相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种，或者两个相邻的Rx、Ry之间形成取代或未取代的环；
所述Rm选自取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；
所述R6相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的脂环基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；当存在两个或多个R6时，两个或多个R6之间彼此相同或不同，或者两个相邻的R6之间形成取代或未取代的环；
所述c1独立地选自0、1、2、3、4或5；所述c2独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7；所述c3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述c4独立地选自0、1、2、3或4；所述c5独立地选自0、1、2、3、4、5或6。
7.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述L、L1、L2相同或不同的选自单键或如下所示结构中的任意一种，
所述R7相同或不同的选自氢、氘、氚、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C18的芳基、取代或未取代的C2～C18的杂芳基、取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种；当存在两个或多个R7时，两个或多个R7之间彼此相同或不同，或者两个相邻的R7之间形成取代或未取代的环；
所述d1独立地选自0、1、2、3或4；所述d2独立地选自0、1、2、3、4、5或6；所述d3独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述d4独立地选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述d5独立地选自0、1、2或3；所述d6独立地选自0、1或2；所述d7独立地选自0、1、2、3、4或5；所述d8独立地选自0、1、2、3、4、5、6或7。
8.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自如下所示结构中的任意一种，
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9.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包含权利要求1～8任一项所述的化合物。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层包括发光层以及电子传输区域，其特征在于，所述发光层或电子传输区域包含权利要求1～8任一项所述的化合物。
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