CN114853749A

CN114853749A - 一种杂环化合物及包含该杂环化合物的有机电致发光器件

Info

Publication number: CN114853749A
Application number: CN202210509453.1A
Authority: CN
Inventors: 郭建华; 苗玉鹤; 陆影
Original assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Current assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Priority date: 2022-05-10
Filing date: 2022-05-10
Publication date: 2022-08-05

Abstract

本发明提供了一种杂环化合物及包含该杂环化合物的有机电致发光器件，涉及机电致发光材料技术领域。本发明针对目前有机电致发光器件驱动电压高、发光效率低、寿命短等问题，提出了一种具备高电子迁移率、高三线态能级和宽能隙的杂环化合物，其易于传输电子，可使空穴和电子的传输达到平衡，进而提高器件的发光效率，也可以使激子向相邻的功能层的扩散最小化，能够改善有机电致发光器件的驱动电压以及发光效率，进而延长器件寿命；同时，本发明提供的杂环化合物具备较高的玻璃化转变温度，使得材料能更稳定的存在于无定型状态下，可以形成更为均一耐热的薄膜，延长器件的寿命。

Description

一种杂环化合物及包含该杂环化合物的有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种杂环化合物及包含该杂环化合物的有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光是指在有机发光器件的正负两电极加直流电压，器件受到激发经过载流子注入、迁移、电子-空穴形成激子、激子再辐射复合的过程而发光的现象。有机电致发光器件依靠超轻薄、全固化、低耗电、自发光、响应速度快、色域宽广、温度特性好、可实现柔软显示等诸多突出的性能正在迅速崛起，不仅应用在各种显示领域，还可以用于平面光源及照明等领域，是被看好的有可能在未来取代液晶产品的第三代显示技术。

有机电致发光器件通常为阴极、阳极和有机功能层组成的经典三明治夹层结构，其中有机功能层主要包括：空穴注入层(HIL)，空穴传输层(HTL)，发光层(EML)，电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。此外，在顶发射器件中通常还会在阴极的外侧引入一层覆盖层(CPL)。

作为OLED中的电子传输层，其基本作用是提高电子在器件中的传输效率，同时降低电子在注入过程中的能量壁垒，提高电子的注入效率。对于空穴阻挡层而言，其基本作用是将空穴有效地阻挡在发光层内，实现载流子的最大复合，从而实现OLED的有效发光。

由于有机电致发光器件中空穴传输材料的空穴迁移率与电子传输材料的电子迁移率数量级不一致，导致空穴与电子的传输不能达到有效平衡，部分空穴极易穿过发光层且在发光层与电子传输层界面或者在电子传输层与电子进行复合，导致器件效率降低，部分能量转换为热能，寿命缩短。为了使电子和空穴更好的在发光层形成激子并稳定发光，通常引入空穴阻挡能力强的材料，例如BCP，但其较低的玻璃化转变温度导致薄膜稳定性和耐热性较差，导致器件寿命缩短。基于以上考量，设计出具有高电子迁移率、具有空穴阻挡能力的材料对于有机电致发光器件的发展十分紧要。

发明内容

针对现有技术中有机层材料电子迁移率低、空穴阻挡能力差、等问题，本发明提供一种杂环化合物，将其应用于有机电致发光器件的电子传输层或空穴阻挡层，能够显著提高器件的发光效率和延长使用寿命。具体的，本发明的技术方案如下：

本发明提供了一种杂环化合物，所述杂环化合物具有如式I所示的结构：

所述A独立的选自式II所示的基团：

在式II中，所述X₁独立的选自C(R₃)或N原子，且最多有一个X₁为N原子；

所述L₂选自单键、取代或未取代的C6～C18的亚芳基、取代或未取代的C2～C12的亚杂芳基中的任意一种；

所述R₃独立的选自氢、氚、氘、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C6～C30的芳香族环与C3～C30的脂肪族环稠合基中的任意一种，或相邻的两个R₃之间可以连接形成取代或未取代的环；

所述R₁独立的选自氢、氚、氘、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C6～C30的芳香族环与C3～C30的脂肪族环稠合基中的任意一种，或相邻的两个R₁之间可以连接形成取代或未取代的环；

所述m选自1、2、3、4、5、6、7、8或9，所述m₁选自选自0、1、2、3或4，所述m₂选自0、1或2；

所述L选自单键或下列式III表示的基团：

在式III中，所述Rx独立的选自氢、氘、氚、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C2～C12的环烯基中的任意一种；或相邻的两个Rx之间可以连接形成取代或未取代的环；

所述n₁、n₂、n₃独立的选自0或1，所述a独立的选自0、1、2、3或4；

所述Z₀选自O原子或S原子，所述X独立的选自CH或N原子；

所述R₂独立的选自氢、氚、氘、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C6～C30的芳香族环与C3～C30的脂肪族环稠合基中的任意一种；或相邻的两个R₂之间可以连接形成取代或未取代的芳环或脂肪族环；

所述n选自0、1、2、3或4。

本发明还提供了一种有机电致发光器件，包含阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层包含本发明所述的杂环化合物中的任意一种或一种以上。

有益效果

本发明提供的杂环化合物具备高电子迁移率，易于传输电子，可使空穴和电子的传输达到平衡，进而提高器件的发光效率；同时，本发明化合物具有高三线态能级和宽能隙，将本发明化合物应用于电子传输层/空穴阻挡层时，使激子向相邻的功能层的扩散最小化，能够改善有机电致发光器件的驱动电压以及发光效率，进而延长器件寿命。

另一方面本发明的化合物多为线性结构，具有不对称性，使得材料能更稳定的存在于无定型状态下，具备较高的玻璃化转变温度，将其应用在有机电致发光器件中时，可以形成更为均一耐热的薄膜，延长器件的寿命。

综上所述，本发明提供的杂环化合物具有诸多优势，将其应用于有机电致发光器件，可实现高发光效率以及长寿命，具有良好的应用效果和产业化前景。

具体实施方式

下面将结合本发明具体实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

在本发明的化合物中，未指定为特定同位素的任何原子被包括作为该原子的任何稳定同位素，并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。

在本说明书中，“

”意指与另一取代基连接的部分。“

”可连接于所连接的基团/片段的任一可选位置。例如

表示

以此类推。

在本说明书中，当取代基或连接位点所在键贯穿于两个或多个环时，表明其可连接于所述两个或两个环的任一个，具体可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，

可表示

可表示

以此类推。

本发明所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的一价基团。所述烷基的碳原子数为C1～C30，优选为C1～C10，更优选C1～C6。所述烷基的实例包括但不限于如下所述的基团：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基等。

本发明所述的烯基是指烯烃分子中少点一个氢原子而形成的一价基团。所述烯基的碳原子数为C2～C30，优选为C2～C10，更优选为C2～C6。所述烯基的实例包括但不限于如下所述的基团：乙烯、丙烯、1-丁烯、2-丁烯、1-戊烯、2-戊烯、1-己烯、2-己烯、3-己烯等。

本发明所述的脂环族基是指脂环烃分子中少掉一个氢原子而成的一价基团，可为环烷基、环烯基等。所述环烷基的碳原子数为C3～C30，优选为C3～C10，更优选C3～C7。所述脂环族基的实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、环丙烯基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基等，但不限于此。

本发明所述的环烷基是指环烷烃分子中少掉一个氢原子而成的一价基团。所述环烷基的碳原子数为C3～C30，优选为C3～C10，更优选C3～C7。所述环烷基的实例包括但不限于如下所述的基团：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、降冰片烷基、莰烷基、金刚烷基等。

本发明所述的环烯基是指环烯烃分子中去掉一个氢原子而成的一价基团，所述环烯基是具有环内碳碳双键的环状烃基，所述环烯基包括环状单烯烃、环状多烯烃等。所述环烯基的碳原子数为C3～C15，优选为C3～C12，更优选C3～C6。所述环烯基的实例包括环丙烯基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基、环丁二烯基、环戊二烯基、环己二烯基等，但不限于此。

本发明所述的芳基是指芳烃分子的碳上少掉一个氢原子而成的一价基团。所述芳基的碳原子数为C6～C60，优选为C6～C30，更优选C6～C18，还优选C6～C12。所述芳基包括单环芳基、多环芳基、稠环芳基。所述芳基可以是取代或未取代的。所述芳基的实例包括但不限于如下所述的基团，苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、四氢萘基、二氢茚基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、螺二芴基、苯并螺二芴基、二苯并螺二芴基、二氢萘基、茚基等。

本发明所述的杂芳基是指芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的一价基团。所述杂芳基的碳原子数为C2～C60，优选为C2～C30，更优选C2～C12，还优选C2～C7。所述杂原子选自O、S、N、Si、B、P等，但不限于此。所述杂芳基可以是取代或未取代的。所述杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，呋喃基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、邻菲罗啉基、萘啶基、吲哚基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、二苯并噁唑基、二苯并咪唑基、二苯并噻唑基、咔唑基、苯并咔唑基、吖啶基、9,10-二氢吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩噁噻基、螺芴氧杂蒽基、螺芴硫杂蒽基等。

本发明所述的脂肪族环是指具有脂肪族性质的环烃，分子中含有闭合的碳环。所述脂肪族环的碳原子数为C3～C30，优选为C3～C10，更优选C3～C7。其可形成单环烃或多环烃，可以是完全不饱和或者部分不饱和，具体实例可包含环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环丁烯、环戊烯、环己烯、环庚烯等，但不限于此。多个单环烃还可用多种方式连接：分子中两个环可以共用一个碳原子形成螺环；环上两个碳原子之间可以用碳桥连接形成桥环；几个环也可以互相连接形成笼状结构。

本发明所述的芳香族环与脂肪族环的稠和环是指分子中含有一个或多个芳香族环以及含有一个或多个脂肪族环切彼此之间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的环，芳香族环优选6至30个碳原子，更优选6至18个碳原子，最优选6至12个碳原子，脂肪族环优选3～30个碳原子，更优选C3～C18个碳原子，更优选3至12个碳原子，最优选3至7个碳原子，实例包括苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并环庚烯基、萘并环丙烷基、萘并环丁烷基、萘并环戊烷基、萘并环己烷基、萘并环戊烯基、萘并环己烯基等，但不限于此。

本发明所述的亚芳基是指芳基上有2个结合位置即二价基团。它们除了分别是二价基团以外，可以适用上述的芳基的说明。

本发明所述的亚杂芳基的意思是杂芳基上有2个结合位置即二价基团。它们除了分别是二价基团以外，可以适用上述的杂芳基的说明。

本发明所述“取代的……”诸如“取代的烷基、取代的烯基、取代的环烷基、取代的环烯基、取代的芳基、取代的杂芳基、取代的芳香族环与脂肪族环的稠环基、取代的亚芳基、取代的亚杂芳基”是指独立的被下列基团单取代或多取代：氘、氚、氰基、硝基、卤素原子、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C1～C12的烷氧基、取代或未取代的C1～C12烷硫基、取代或未取代的C1～C12烷胺基、取代或未取代的C6～C30的芳氧基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基等，但不限于此，或相邻的两个取代基之间可连接形成环。优选被下列基团单取代或多取代：氘、氚、氟、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环丙烯基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基、环戊二烯基、环己二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、苝基、芘基、苯甲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9-甲基-9-苯基芴基、9,9’-螺二芴基、二苯胺基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、吖啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吲哚基等，但不限于此。

本发明所述的“连接形成环”是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例：

本发明中，连接形成的环可以为芳香族环系、脂肪环系或二者稠和而形成的环系，连接所形成的环可以为三元环、四元环、五元环、六元环或者稠合环，例如苯、萘、茚、环戊烯、环戊烷、环戊烷并苯、环己烯、环己烷、环己烷并苯、吡啶、喹啉、异喹啉、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、菲或芘，但不限于此。

所述A独立的选自式II所示的基团：

所述L选自单键或下列式III表示的基团：

所述Z₀选自O原子或S原子，所述X独立的选自CH或N原子；

所述n选自0、1、2、3或4。

优选的，所述杂环化合物具有如式I-1或式I-2所示的结构：

再优选的，所述R₁独立的选自氢、氘、氚、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、金刚烷基、降冰片烷基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基中的任意一种；

上述基团可以是未被取代的或被下列基团中的任意一种或一种以上取代的：氘、氚、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基。

优选的，所述A独立的选自下列基团中的任意一种：

所述R₃独立的选自氢、氘、氚、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、金刚烷基、降冰片烷基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基中的任意一种；

所述L₂独立的选自单键或下列基团中的任意一种：

所述R₆独立的选自氢、氘、氚、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基、取代或未取代的C2～C12的杂芳基中的任意一种；

所述n₄独立的选自0、1、2、3或4，所述n₅独立的选自0、1、2或3，所述n₆独立的选自0、1、2、3、4、5或6，所述n₇独立的选自0、1、2、3、4或5，所述n₈独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，所述n₉独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，所述n₁₀独立的选自0、1、2、3、4、5、6、或7；所述n₁₁选自0、1或2，所述n₁₂选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。

优选的，所述L₂独立的选自单键或下列基团中的任意一种：

再优选的，所述A选自下列基团中的任意一种：

优选的，所述Rx独立的选自氢、氘、氚、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、金刚烷基、降冰片烷基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基中的任意一种；或相邻的两个Rx之间可以连接形成未取代的或被Rx所取代的苯环、萘环、吡啶环、嘧啶环、三元脂肪族环、四元脂肪族环、五元脂肪族环、六元脂肪族环、七元脂肪族环中的任意一种。

优选的，所述L独立的选自单键或下列基团中的任意一种：

所述Rx独立的选自氢、氘、氚、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、金刚烷基、降冰片烷基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基中的任意一种；

上述基团可以是未被取代的或被下列基团中的任意一种或一种以上取代的：氘、氚、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基；

所述a₁独立的选自0、1、2、3或4，所述a₂独立的选自0、1、2或3，所述a₃独立的选自0、1或2，所述a₄独立的选自0、1、2、3、4、5或6，所述a₅独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8，所述a₆独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。

优选的，所述

选自下列基团中的任意一种：

所述R2独立的选自氢、氘、氚、硝基、甲基、乙基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、金刚烷基、降冰片烷基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的任意一种；或相邻的两个R2之间可以连接形成取代或未取代的苯环、萘环、吡啶环、嘧啶环、三元脂肪族环、四元脂肪族环、五元脂肪族环、六元脂肪族环、七元脂肪族环中的任意一种。

再优选的，所述

选自下列基团中的任意一种：

所述R₂独立的选自氢、氘、氚、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、邻菲罗啉基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基中的任意一种；

所述R₄、R₅独立的选自选自氢、氘、氚、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、邻菲罗啉基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基中的任意一种；

上述基团可以是未取代的或被下列基团取代:氘、氚、C1～C6的烷基、C3～C6的环烷基、金刚烷基、降冰片烷基；

所述b₁独立的选自0、1、2、3或4，所述b₂独立的选自0、1、2或3，所述b₃独立的选自0、1、2、3、4、5或6，所述b₄独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8，所述b₅独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，所述b₆独立的选自0、1、2、3、4或5，所述b₇独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，所述b₈独立的选自0、1、2、3、4、5、6或7，所述b₉独立的选自0、1或2。

更优选的，所述

选自下列基团中的任意一种：

最优选的，所述杂环化合物选自下列结构中的任意一种：

以上列举了本发明所述化学式I表示的杂环化合物的一些具体结构形式，但本发明并不局限于所列这些化学结构，凡是以化学式I所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。

本发明还提供了一种有机电致发光器件，包含阳极、阴极、有机物层，所述有机物层包含本发明所述的杂环化合物中的任意一种或一种以上。

优选的，所述有机物层位于所述阳极与所述阴极之间或位于所述阳极与所述阴极中至少一个电极的外侧。

优选的，本发明所述的有机电致发光器件可以包含一个或一个以上有机物层，所述有机物层可以包含发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层以及覆盖层等，具体的，所述位于所述阳极与阴极之间的有机层可以包含发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层等，所述位于阳极与阴极中至少一个以上的电极的外侧的有机层可以包含覆盖层等。

优选的，所述有机物层还可包含一层或多层结构，例如，所述空穴传输层为单层结构或所述空穴传输层包含第一空穴传输层以及第二空穴传输层。但是，有机电致发光器件的结构并不仅限于此，可以包含更少或更多的有机物层。

优选的，所述有机物层包含空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层，所述空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层包含本发明所述的杂环化合物中的任意一种或一种以上。

优选的，所述空穴阻挡层包含本发明所述的杂环化合物中的任意一种或一种以上。

优选的，所述电子传输层包含本发明所述的杂环化合物中的任意一种或一种以上。

本发明对有机电致发光器件中的各层薄膜的材料没有特别的限定，可以使用本领域中已知的物质。下面对上述提到的有机电致发光器件的各有机功能层以及器件两侧的电极分别进行介绍：

作为本发明所述的阳极材料，优选具有高功函数的材料。阳极可以是透射电极、反射电极或半透射电极。当阳极是透射电极时，用于形成阳极的材料可以选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或它们的任意组合；当阳极是半透射电极或反射电极时，用于形成阳极的材料可以选自镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任意组合。阳极可以具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构，例如，阳极可以具有Al的单层结构或ITO/Ag/ITO的三层结构，但是阳极的结构不限于此。

作为本发明所述的空穴注入层材料，优选具有高功函数的材料，可选自下列结构中的任意一种或一种以上：金属卟啉、低聚噻吩、芳基胺衍生物、苝衍生物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。

作为本发明的发光层，主体材料包括稠合芳族环衍生物，杂环类化合物，含硅类化合物等，具体地，稠合芳族环衍生物包括三[4-(芘基)-苯基]胺(TPyPA)、10,10'-双(联苯-4-基)-9,9'-联蒽(BANE)、4,4'-二[10-(萘-1-基)蒽-9-基]联苯、1,3,5-三(芘-1-基)苯(TPB3)等，含杂环的化合物包括1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(MCP)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、9,9-双[4-(咔唑-9-基)-苯基]芴(FL-2CBP)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并[b,d]噻吩(DCzDBT)等，以及含硅类化合物包括双(2-甲基苯基)二苯硅烷(UGH-1)、三苯基(4-(9-苯基-9H-芴基)苯基)硅烷(TPSiF)、1,3-双(三苯硅基)苯(UGH-3)等，但不限于此。

作为本发明的发光层掺杂剂材料，可包括苯乙烯胺化合物、芳族胺衍生物、金属配合物等。苯乙烯胺化合物具体实例包括苯乙烯胺、苯乙烯二胺、苯乙烯三胺、1-4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基-苯(DSA-Ph)、2,7-双[4-(二苯胺)苯乙烯基]-9,9-螺二芴(Spiro-BDAVBi)等；芳族胺衍生物具体实例包括具有芳基氨基的芘、蒽、5,6,11,12-四苯基并四苯(Rubrene)、二萘嵌苯、N¹⁰,N¹⁰,N¹⁰',N¹⁰'-四苯基-9,9'-联蒽-10,10'-联氨(BA-TAD)、N¹⁰,N¹⁰'-二苯基-N¹⁰,N¹⁰'-二萘基-9,9'-联蒽-10,10'-联氨(BA-NPB)和二茚并芘等；金属配合物的具体实例包括铱配合物、铂配合物等，但不限于此。

作为本发明所述的电子传输层材料，优选具有高电子迁移率的材料，除了可选自本发明所述的杂环化合物外，还可选自下列结构中的任意一种或几种：金属螯合物、氧杂噁唑衍生物、噻唑衍生物、二氮唑衍生物、氮杂苯衍生物、二氮蒽衍生物、含硅杂环类化合物、含硼杂环类化合物、氰基类化合物、喹啉衍生物、菲罗啉衍生物、苯并咪唑衍生物等，但不限于此。

作为本发明所述的空穴阻挡层，优选具有较低的能级、较宽的带隙，以及具备空穴阻挡能力的材料，除了可使用本发明所述的杂环化合物外，还可选自下列结构中的任意一种或几种：菲咯啉类衍生物、稀土类衍生物、噁唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物等，但不限于此。

作为本发明所述的电子注入层材料，优选具有低功函数的材料，具体实例可包含：金属、碱金属、碱土金属、碱金属的卤化物、碱土金属的卤化物、碱金属的氧化物、碱土金属的氧化物、碱金属盐、碱土金属盐、金属配合物、其他电子注入性高的物质。实例可以列举有Li、Ca、Sr、LiF、CsF、CaF₂、BaO、Li₂CO₃、CaCO₃、Li₂C₂O₄、Cs₂C₂O₄、CsAlF₄、LiOx、Yb、Tb、8-羟基喹啉铯、三(8-羟基喹啉)铝等，但不限于此。

作为本发明所述的阴极材料，优选具有低功函数的材料，阴极可以选自透射电极、半反射电极或反射电极。当阴极极为透射电极，用于形成阴极的材料可选自透明金属氧化物(例如，ITO、IZO、等)；当阴极为半反射电极或反射电极，用于形成阴极的材料可选自Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、包括它们的化合物或它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，但不限于与此。

本发明还提供了一种化学式I表示的化合物的制备方法，但本发明的制备方法不限于此。化学式I化合物的核心结构可由下列所示反应路线进行制备，取代基可以经过本领域已知的方法键合，并且取代基的种类和位置或取代基的数量可以根据本领域已知的技术改变。

[合成路线]

所述Xa、Xb、Xc、Xd独立的选自Br、Cl、I中的一种。

原料、试剂以及表征设备的说明：

本发明对以下实施例中所采用的原料以及试剂来源没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。

质谱使用英国沃特斯G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨质谱仪，氯仿为溶剂；

元素分析使用德国Elementar公司的Vario EL cube型有机元素分析仪，样品质量为5～10mg；

[实施例1]中间体a-1的制备

合成中间体D-1：

在氮气保护下，向反应瓶中加入d-1(23.70g，150.00mmol)，联硼酸频那醇酯(40.63g，160.00mmol)，Pd(dppf)Cl₂(1.09g，1.50mmol)、KOAc(22.08g，225.00mmol)，DMF(500mL)，加热反应2.5小时，反应结束后，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，分液，用蒸馏水洗涤有机相三次，无水硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶剂，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯：乙醇＝20：3重结晶，得到中间体D-1(25.22g，收率82％)；HPLC纯度≥99.86％。质谱m/z：205.1225(理论值：205.1247)。

合成中间体a-1：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入中间体D-1(24.60g，120.00mmol)、原料e-1(45.96g，120.00mmol)、碳酸钾(24.88g，180.00mmol)、Pd(PPh₃)₄(1.39g，1.20mmol)，加入400mL甲苯/乙醇/水(2:1:1)混合溶剂，搅拌混合物，将上述反应物体系加热回流4小时。反应结束后，冷却至室温，加入甲苯并分离各相，用蒸馏水洗涤甲苯相三次，无水硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶剂，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯：乙醇＝20：1重结晶，得到中间体a-1(28.88g，产率72％)。HPLC纯度≥99.53％。质谱m/z：333.0168(理论值：333.0153)。

根据上述方法，将原料d和原料e进行等摩尔的替换，合成了下列中间体a：

[实施例2]化合物1的制备

中间体A-1的制备：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入原料a-1(26.74g，80.00mmol)，联硼酸频那醇酯(20.32g，80.00mmol)，Pd(PPh₃)₄(1.15g，1.00mmol)、K₂CO₃(16.59g，120.00mmol)，DMF(350mL)，然后加热反应3小时，反应结束后，冷却至室温，向其中加入蒸馏水，然后用乙酸乙酯萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，旋转蒸发除去溶剂，然后用甲苯：乙醇＝20：1重结晶，干燥得到中间体A-1(25.62g，收率84％)；HPLC纯度≥99.89％。质谱m/z：381.1924(理论值：381.1900)。

中间体B-1的制备：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入中间体A-1(22.88g，60.00mmol)、原料b-1(11.49g，60.00mmol)、Pd(PPh₃)₄(0.69g，0.60mmol)、K₂CO₃(12.44g，90.00mmol)以及300mL甲苯/乙醇/水(2:1:1)混合溶剂，搅拌混合物，将上述体系加热回流反应4.5小时；反应结束后，冷却至室温，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯重结晶，得到中间体B-1(17.56g，收率80％)；HPLC纯度≥99.75％。质谱m/z：365.0950(理论值：365.0971)。

中间体C-1的制备：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入中间体B-1(14.63g，40.00mmol)，联硼酸频那醇酯(10.16g，40.00mmol)，KOAc(5.89g，60.00mmol)，Pd(dppf)Cl₂(0.29g，0.40mmol)，1,4-二氧六环(350mL)，然后加热到回流温度反应4小时，反应结束后，冷却至室温，向其中加入蒸馏水，然后用乙酸乙酯萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，旋转蒸发除去乙酸乙酯，然后再使用甲苯重结晶，干燥得到中间体C-1(15.19g，收率83％)；HPLC纯度≥99.81％。质谱m/z：457.2200(理论值：457.2213)。

化合物1的制备：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入中间体C-1(11.43g，25.00mmol)、原料c-1(4.95g，25.00mmol)、Pd₂(dba)₃(0.27g，0.30mmol)、P(t-Bu)₃(0.20g，1.00mmol)，K₂CO₃(5.53g，40.00mmol)以及200mL甲苯溶剂，搅拌混合物，将上述反应物体系加热回流5.5小时；反应结束后，冷却至室温，抽滤得滤饼，并用少量甲苯冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯重结晶，得到化合物1(8.75g，收率78％)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：448.1551(理论值：448.1576)。理论元素含量(％)C₃₂H₂₀N₂O：C,85.69；H,4.49；N,6.25。实测元素含量(％)：C,85.65；H,4.51；N,6.23。

[实施例3]化合物18的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-18替换a-1，等摩尔的b-18替换b-1，合成化合物18(10.78g)，HPLC检测固体纯度≧99.92％。质谱m/z：525.1865(理论值：525.1841)。理论元素含量(％)C₃₇H₂₃N₃O：C,84.55；H,4.41；N,7.99。实测元素含量(％)：C,84.52；H,4.45；N,7.82。

[实施例4]化合物38的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-38替换a-1，等摩尔的b-18替换b-1，合成化合物38(12.03g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：600.2233(理论值：600.2202)。理论元素含量(％)C₄₄H₂₈N₂O：C,87.97；H,4.70；N,4.66。实测元素含量(％)：C,87.94；H,4.65；N,4.67。

[实施例5]化合物61的制备

合成中间体c-61:

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入原料h-61(11.62g，50.00mmol)、原料i-61(9.90g，50.00mmol)、碳酸钾(10.37g，75.00mmol)、Pd(PPh₃)₄(0.58g，0.50mmol)，加入200mL甲苯溶剂，搅拌，将上述反应物体系加热回流5小时。反应结束后，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯重结晶，得到中间体c-61(12.28g，产率70％)。HPLC纯度≥99.68％。质谱m/z：349.0131(理论值：349.0102)。

合成化合物61：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-39替换a-1，等摩尔的b-61替换b-1，等摩尔的c-61替换c-1，合成化合物61(13.37g)，HPLC检测固体纯度≧99.94％。质谱m/z：676.2532(理论值：676.2515)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₂N₂O：C,88.73；H,4.77；N,4.14。实测元素含量(％)：C,88.75；H,4.78；N,4.17。

[实施例6]化合物72的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-72替换a-1，等摩尔的b-72替换b-1，合成化合物72(8.43g)，HPLC检测固体纯度≧99.96％。质谱m/z：449.1536(理论值：449.1528)。理论元素含量(％)C₃₁H₁₉N₃O：C,82.83；H,4.26；N,9.35。实测元素含量(％)：C,82.80；H,4.28；N,9.32。

[实施例7]化合物82的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-82替换a-1，等摩尔的b-72替换b-1，合成化合物82(11.40g)，HPLC检测固体纯度≧99.85％。质谱m/z：575.1972(理论值：575.1998)。理论元素含量(％)C₄₁H₂₅N₃O：C,85.54；H,4.38；N,7.30。实测元素含量(％)：C,85.58；H,4.35；N,7.28。

[实施例8]化合物111的制备

合成中间体b-111：

(1)合成中间体E-111:

在氮气保护下，向反应瓶中加入f-39(29.32g，150.00mmol)，联硼酸频那醇酯(40.63g，160.00mmol)，Pd(dppf)Cl₂(1.09g，1.50mmol)、KOAc(22.08g，225.00mmol)，1,4-二氧六环(550mL)，加热反应2小时，反应结束后，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，分液，用蒸馏水洗涤有机相三次，无水硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶剂，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯：乙醇＝20：5重结晶，得到中间体E-111(27.29g，收率75％)；HPLC纯度≥99.77％。质谱m/z：242.1158(理论值：242.1183)。

(2)合成中间体b-111：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入中间体E-111(24.25g，100.00mmol)、原料g-111(28.29g，100.00mmol)、碳酸钾(20.73g，150.00mmol)、Pd(PPh₃)₄(1.16g，1.00mmol)，加入350mL甲苯/乙醇/水(2:1:1)混合溶剂，搅拌混合物，将上述反应物体系加热回流3小时。反应结束后，冷却至室温，加入甲苯并分离各相，用蒸馏水洗涤甲苯相三次，无水硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶剂，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯重结晶，得到中间体b-111(18.74g，产率69％)。HPLC纯度≥99.62％。质谱m/z：269.9723(理论值：269.9749)。

合成化合物111：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-111替换a-1，等摩尔的b-18替换b-1，等摩尔c-111替换c-1，合成化合物111(12.69g)，HPLC检测固体纯度≧99.90％。质谱m/z：676.2537(理论值：676.2515)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₂N₂O：C,88.73；H,4.77；N,4.14。实测元素含量(％)：C,88.76；H,4.75；N,4.10。

[实施例9]化合物126的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-126替换a-1，等摩尔的b-126替换b-1，等摩尔c-126替换c-1，合成化合物126(10.14g)，HPLC检测固体纯度≧99.84％。质谱m/z：526.1770(理论值：526.1794)。理论元素含量(％)C₃₆H₂₂N₄O：C,82.11；H,4.21；N,10.64。实测元素含量(％)：C,82.07；H,4.24；N,10.67。

[实施例10]化合物129的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-129替换a-1，等摩尔的b-129替换b-1，合成化合物129(9.84g)，HPLC检测固体纯度≧99.89％。质谱m/z：498.1705(理论值：498.1732)。理论元素含量(％)C36H22N2O：C,86.72；H,4.45；N,5.62。实测元素含量(％)：C,86.74；H,4.44；N,5.65。

[实施例11]化合物141的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-141替换a-1，等摩尔的b-141替换b-1，合成化合物141(11.87g)，HPLC检测固体纯度≧99.80％。质谱m/z：624.2225(理论值：624.2202)。理论元素含量(％)C₄₆H₂₈N₂O：C,88.44；H,4.52；N,4.48。实测元素含量(％)：C,88.47；H,4.56；N,4.44。

[实施例12]化合物149的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-149替换a-1，等摩尔的b-72替换b-1，等摩尔的c-149替换c-1，合成化合物149(10.04g)，HPLC检测固体纯度≧99.95％。质谱m/z：502.1960(理论值：502.1983)。理论元素含量(％)C₃₆H₁₈D₄N₂O：C,86.03；H,5.21；N,5.57。实测元素含量(％)：C,86.06；H,5.17；N,5.60。

[实施例13]化合物152的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-152替换a-1，等摩尔的b-72替换b-1，等摩尔的c-152替换c-1，合成化合物152(11.03g)，HPLC检测固体纯度≧99.92％。质谱m/z：548.1865(理论值：548.1889)。理论元素含量(％)C₄₀H₂₄N₂O：C,87.57；H,4.41；N,5.11。实测元素含量(％)：C,87.55；H,4.44；N,5.08。

[实施例14]化合物156的制备

合成中间体b-156:

使用与实施例8相同的制备方法，用等摩尔的f-156替换f-111，合成中间体b-156(24.05g)，HPLC检测固体纯度≧99.73％。质谱m/z：341.9837(理论值：341.9811)。

合成化合物156：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-149替换a-1，等摩尔的b-156替换b-1，合成化合物156(12.20g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：650.2380(理论值：650.2358)。理论元素含量(％)C₄₈H₃₀N₂O：C,88.59；H,4.65；N,4.30。实测元素含量(％)：C,88.62；H,4.62；N,4.34。

[实施例15]化合物75的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-175替换a-1，等摩尔的b-175替换b-1，等摩尔的c-175替换c-1，合成化合物175(12.10g)，HPLC检测固体纯度≧99.97％。质谱m/z：624.2215(理论值：624.2202)。理论元素含量(％)C₄₆H₂₈N₂O：C,88.44；H,4.52；N,4.48。实测元素含量(％)：C,88.41；H,4.55；N,4.50。

[实施例16]化合物188的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-188替换a-1，等摩尔的c-188替换c-1，未引入原料b，中间体A-188直接与原料c-188反应，合成化合物188(9.36g)，HPLC检测固体纯度≧99.92％。质谱m/z：500.1660(理论值：500.1637)。理论元素含量(％)C34H20N4O：C,81.58；H,4.03；N,11.19。实测元素含量(％)：C,81.55；H,4.06；N,11.22。

[实施例17]化合物198的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-198替换a-1，等摩尔的b-72替换b-1，等摩尔的c-198替换c-1，合成化合物198(11.40g)，HPLC检测固体纯度≧99.93％。质谱m/z：624.2235(理论值：624.2202)。理论元素含量(％)C₄₆H₂₈N₂O：C,88.44；H,4.52；N,4.48。实测元素含量(％)：C,88.45；H,4.49；N,4.52。

[实施例18]化合物215的制备

合成中间体b-215:

使用与实施例4相同的制备方法，用等摩尔的f-215替换f-111，用等摩尔的g-215替换g-111，合成中间体b-215(21.91g)，HPLC检测固体纯度≧99.76％。质谱m/z：315.9634(理论值：315.9654)。

合成化合物215：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-215替换a-1，等摩尔的b-215替换b-1，合成化合物215(12.38g)，HPLC检测固体纯度≧99.83％。质谱m/z：650.2325(理论值：650.2358)。理论元素含量(％)C₄₈H₃₀N₂O：C,88.59；H,4.65；N,4.30。实测元素含量(％)：C,88.62；H,4.64；N,4.35。

[实施例19]化合物232的制备

合成中间体b-215:

使用与实施例4相同的制备方法，用等摩尔的f-232替换f-111，用等摩尔的g-232替换g-111，合成中间体b-232(22.15g)，HPLC检测固体纯度≧99.82％。质谱m/z：305.9840(理论值：305.9811)。

合成化合物232：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-232替换a-1，等摩尔的b-232替换b-1，合成化合物232(10.58g)，HPLC检测固体纯度≧99.80％。质谱m/z：564.2183(理论值：564.2202)。理论元素含量(％)C₄₁H₂₈N₂O：C,87.21；H,5.00；N,4.96。实测元素含量(％)：C,87.17；H,5.03；N,4.97。

[实施例20]化合物249的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-249替换a-1，等摩尔的b-249替换b-1，合成化合物249(10.35g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：552.2156(理论值：552.2140)。理论元素含量(％)C₄₀H₂₀D₄N₂O：C,86.93；H,5.11；N,5.07。实测元素含量(％)：C,86.90；H,5.14；N,5.03。

[实施例21]化合物264的制备

合成中间体b-264:

使用与实施例4相同的制备方法，用等摩尔的f-264替换f-111，用等摩尔的g-264替换g-111，合成中间体b-264(22.67g)，HPLC检测固体纯度≧99.80％。质谱m/z：319.9945(理论值：319.9967)。

合成化合物264：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-264替换a-1，等摩尔的b-264替换b-1，合成化合物264(11.93g)，HPLC检测固体纯度≧99.95％。质谱m/z：628.2541(理论值：628.2515)。理论元素含量(％)C₄₆H₃₂N₂O：C,87.87；H,5.13；N,4.46。实测元素含量(％)：C,87.85；H,5.14；N,4.50。

[实施例22]化合物296的制备

合成中间体c-296:

使用与实施例5相同的制备方法，用等摩尔的h-296替换h-61，等摩尔的i-296替换i-61，合成中间体c-296(12.17g)，HPLC检测固体纯度≧99.69％。质谱m/z：357.0646(理论值：357.0669)。

合成化合物296：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-198替换a-1，等摩尔的b-72替换b-1，等摩尔的c-296替换c-1，合成化合物296(12.57g)，HPLC检测固体纯度≧99.89％。质谱m/z：652.2245(理论值：652.2263)。理论元素含量(％)C₄₆H₂₈N₄O：C,84.64；H,4.32；N,8.58。实测元素含量(％)：C,84.61；H,4.30；N,8.55。

[实施例23]化合物301的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-301替换a-1，等摩尔的b-72替换b-1，等摩尔的c-301替换c-1，合成化合物301(13.70g)，HPLC检测固体纯度≧99.92％。质谱m/z：702.2441(理论值：702.2420)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₀N₄O：C,85.45；H,4.30；N,7.97。实测元素含量(％)：C,85.42；H,4.27；N,7.95。

[实施例24]化合物315的制备

合成中间体c-315:

使用与实施例5相同的制备方法，用等摩尔的h-315替换h-61，二倍摩尔量的i-315替换i-61，合成中间体c-315(11.31g)，HPLC检测固体纯度≧99.83％。质谱m/z：305.0630(理论值：305.0607)。

合成化合物315：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-39替换a-1，等摩尔的b-315替换b-1，等摩尔的c-315替换c-1，合成化合物315(14.93g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：760.3342(理论值：760.3330)。理论元素含量(％)C₅₆H₂₈D₈N₂O：C,88.39；H,5.83；N,3.68。实测元素含量(％)：C,88.42；H,5.81；N,3.64。

[实施例25]化合物331的制备

合成中间体c-331:

使用与实施例5相同的制备方法，用等摩尔的h-315替换h-61，二倍摩尔量的i-331替换i-61，合成中间体c-331(11.11g)，HPLC检测固体纯度≧99.80％。质谱m/z：307.0527(理论值：307.0512)。

合成化合物331：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-264替换a-1，等摩尔的b-18替换b-1，等摩尔的c-331替换c-1，合成化合物331(14.21g)，HPLC检测固体纯度≧99.96％。质谱m/z：728.2547(理论值：728.2576)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₂N₄O：C,85.69；H,4.43；N,7.69。实测元素含量(％)：C,85.66；H,4.45；N,7.71。

[实施例26]化合物349的制备

合成中间体c-349:

使用与实施例5相同的制备方法，用等摩尔的h-349替换h-61，等摩尔的i-349替换i-61，合成中间体c-349(13.42g)，HPLC检测固体纯度≧99.71％。质谱m/z：382.0882(理论值：382.0873)。

合成化合物349：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-349替换a-1，等摩尔的b-18替换b-1，等摩尔的c-349替换c-1，合成化合物349(15.54g)，HPLC检测固体纯度≧99.76％。质谱m/z：887.3890(理论值：887.3876)。理论元素含量(％)C₆₅H₄₉N₃O：C,87.91；H,5.56；N,4.73。实测元素含量(％)：C,87.88；H,5.55；N,4.76。

[实施例27]化合物374的制备

合成中间体c-374:

使用与实施例5相同的制备方法，用等摩尔的h-374替换h-61，二倍摩尔量的i-374替换i-61，合成中间体c-374(10.94g)，HPLC检测固体纯度≧99.79％。质谱m/z：307.0519(理论值：307.0512)。

合成化合物374：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-374替换a-1，等摩尔的b-374替换b-1，等摩尔的c-374替换c-1，合成化合物374(14.45g)，HPLC检测固体纯度≧99.78％。质谱m/z：779.2670(理论值：779.2685)。理论元素含量(％)C₅₅H₃₃N₅O：C,84.70；H,4.27；N,8.98。实测元素含量(％)：C,84.73；H,4.24；N,8.97。

[实施例28]化合物392的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-392替换a-1，等摩尔的b-18替换b-1，等摩尔的c-392替换c-1，合成化合物392(12.82g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：674.2767(理论值：674.2756)。理论元素含量(％)C₄₈H₃₈N₂S：C,85.42；H,5.68；N,4.15。实测元素含量(％)：C,85.45；H,5.66；N,4.19。

[实施例29]化合物429的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-429替换a-1，等摩尔的b-429替换b-1，等摩尔的c-429替换c-1，合成化合物429(14.02g)，HPLC检测固体纯度≧99.82％。质谱m/z：778.3355(理论值：778.3382)。理论元素含量(％)C₅₆H₄₆N₂S：C,86.34；H,5.95；N,3.60。实测元素含量(％)：C,86.30；H,5.98；N,3.57。

[实施例30]化合物499的制备

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-499替换a-1，等摩尔的b-499替换b-1，等摩尔的c-499替换c-1，合成化合物499(12.72g)，HPLC检测固体纯度≧99.77％。质谱m/z：696.2623(理论值：696.2599)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₆N₂S：C,86.17；H,5.21；N,4.02。实测元素含量(％)：C,86.14；H,5.20；N,4.04。

[实施例31]化合物556的制备

合成中间体c-556:

使用与实施例5相同的制备方法，用等摩尔的h-556替换h-61，等摩尔的i-556替换i-61，合成中间体c-556(14.33g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：397.0678(理论值：397.0692)。

合成化合物556：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的c-556替换c-1，未引入原料b，中间体A-1直接与原料c-556反应，合成化合物556(12.18g)，HPLC检测固体纯度≧99.96％。质谱m/z：616.1957(理论值：616.1973)。理论元素含量(％)C₄₄H₂₈N₂S：C,85.68；H,4.58；N,4.54。实测元素含量(％)：C,85.66；H,4.55；N,4.58。

[实施例32]化合物557的制备

合成中间体c-557:

使用与实施例5相同的制备方法，用等摩尔的h-557替换h-61，等摩尔的i-557替换i-61，合成中间体c-557(13.93g)，HPLC检测固体纯度≧99.82％。质谱m/z：398.0653(理论值：398.0644)。

合成化合物556：

使用与实施例2相同的制备方法，用等摩尔的a-557替换c-1，等摩尔的c-557替换c-1，未引入原料b，中间体A-557直接与原料c-557反应，合成化合物557(12.05g)，HPLC检测固体纯度≧99.91％。质谱m/z：617.1920(理论值：617.1926)。理论元素含量(％)C₄₃H₂₇N₃S：C,83.60；H,4.41；N,6.80。实测元素含量(％)：C,83.65；H,4.40；N,6.82。

[器件实施例1]

首先，将蒸镀有ITO/Ag/ITO的玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，再用蒸馏水反复清洗2次，超声波洗涤10分钟，蒸馏水清洗结束后，采用异丙醇、丙酮、甲醇溶剂按顺序进行超声波洗涤后，在加热到120℃的热板上进行干燥，将干燥后的基板转移到等离子体清洗机里，洗涤5分钟后将基板转移至蒸镀机中。

然后在已经清洗好的ITO/Ag/ITO基板上蒸镀HI-2与HI-1的混合物作为空穴注入层(质量比HI-2:HI-1＝97:3)，蒸镀厚度为10nm，在该空穴注入层上蒸镀本发明化合物HT-1作为第一空穴传输层，蒸镀厚度为120nm，然后蒸镀HT-2作为第二空穴传输层，蒸镀厚度为20nm，在该第二空穴传输层上真空蒸镀GH-1、GH-2以及GD-1的混合物作为发光层(质量比GH-1:GH-2:GD-1＝46:46:8)，蒸镀厚度为40nm，在发光层上蒸镀本发明化合物1作为空穴阻挡层，蒸镀厚度为35nm，然后在空穴阻挡层上蒸镀ET-1与Liq(质量比ET-1：Liq＝1:1)作为电子传输层，蒸镀厚度为30nm，在该电子传输层上蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm，然后在该电子注入层上蒸镀Mg：Ag(质量比Mg：Ag＝1:9)作为阴极，蒸镀厚度为13nm，然后在阴极上真空蒸镀CP-1作为覆盖层，蒸镀厚度为70nm，从而制备有机电致发光器件。

[器件实施例2～31]

用本发明化合物18、化合物38、化合物61、化合物72、化合物82、化合物111、化合物126、化合物129、化合物141、化合物149、化合物152、化合物156、化合物175、化合物188、化合物198、化合物215、化合物232、化合物249、化合物264、化合物296、化合物301、化合物315、化合物331、化合物349、化合物374、化合物392、化合物429、化合物499、化合物556、化合物557分别代替器件实施例1中的化合物1作为空穴阻挡层，除此之外，通过与器件实施例1相同的制备方法，制备有机电致发光器件2～31。

[对比器件实施例1～5]

用化合物Ref.1、Ref.2、Ref.3、Ref.4、Ref.5分别代替器件实施例1中的化合物1作为空穴阻挡层，除此之外，通过与器件实施例1相同的制备方法，制备对比器件1～5。

[器件实施例32]

在已经清洗好的ITO/Ag/ITO基板上蒸镀HI-2与HI-1的混合物作为空穴注入层(质量比HI-2:HI-1＝97:3)，蒸镀厚度为10nm，在该空穴注入层上蒸镀本发明化合物HT-1作为第一空穴传输层，蒸镀厚度为120nm，然后蒸镀HT-2作为第二空穴传输层，蒸镀厚度为20nm，在该第二空穴传输层上真空蒸镀GH-1、GH-2以及GD-1的混合物作为发光层(质量比GH-1:GH-2:GD-1＝46:46:8)，蒸镀厚度为40nm，然后在发光层上蒸镀本发明化合物1与Liq(质量比本发明化合物1：Liq＝1:1)作为电子传输层，蒸镀厚度为30nm，在该电子传输层上蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1nm，然后在该电子注入层上蒸镀Mg：Ag(质量比Mg：Ag＝1:9)作为阴极，蒸镀厚度为13nm，然后在阴极上真空蒸镀CP-1作为覆盖层，蒸镀厚度为70nm，从而制备有机电致发光器件32。

[器件实施例33～62]

用本发明化合物18、化合物38、化合物61、化合物72、化合物82、化合物111、化合物126、化合物129、化合物141、化合物149、化合物152、化合物156、化合物175、化合物188、化合物198、化合物215、化合物232、化合物249、化合物264、化合物296、化合物301、化合物315、化合物331、化合物349、化合物374、化合物392、化合物429、化合物499、化合物556、化合物557分别代替器件实施例32中的化合物1作为电子传输层，除此之外，通过与器件实施例32相同的制备方法，制备有机电致发光器件33～62。

[对比器件实施例6～10]

用化合物Ref.1、Ref.2、Ref.3、Ref.4、Ref.5分别代替器件实施例32中的化合物1作为电子传输层，除此之外，通过与器件实施例32相同的制备方法，制备对比器件6～10。

将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机电致发光器件的发光效率。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试的环境为大气环境，温度为室温。本发明器件实施例中器件1～62，对比实施例1～10所得有机电致发光器件的发光特性测试结果如下表1所示。

表1：

通过表1结果可知，将本发明杂环化合物应用于有机电致发光的电子传输层或空穴阻挡层时，由于本发明具备较高的电子迁移率，能够有效的阻挡空穴向电子传输层一侧逸散，提高空穴与电子在发光层的复合几率，进而，使得有机电致发光器件的发光效率得到明显提高，驱动电压降低，器件寿命得到提高。

应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明的保护范围内。