CN116056484A - 一种有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种有机电致发光器件,具体涉及有机电致发光技术领域。目前有机电致发光器件存在驱动电压高、发光效率低、寿命短等问题,本发明针对目前存在的问题提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件能有效降低空穴的注入及传输势垒,平衡载流子的注入与传输,有效地阻挡电子向空穴传输层一侧逸散,提高激子在发光层复合几率;除此之外,该有机电致发光器件可以克服波导效应,有效地将陷于器件中的光耦合出来,增强光取出效率,进而得到一种具有低驱动电压、高发光效率、长使用寿命的有机电致发光器件。
Description
技术领域
本发明属于有机电致发光技术领域,具体涉及一种有机电致发光器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,以下简称为OLED)具有视角宽、质量轻、柔性好、响应速度快、使用温度范围宽、能耗低、效率高、色纯度好、清晰度高等优点,OLED的市场需求日益增长,被广泛应用于显示和照明等众多领域,是目前最有发展前景的新型显示技术之一。
OLED是指有机光电材料在电流或电场的作用下,能够将电能直接转化为光能的器件。OLED包括阴极、阳极和有机物层,有机物层根据不同功能划分为空穴传输区域、电子传输区域以及发光区域等。空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光辅助层等中的一种或多种,电子传输区域包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等中的一种或多种。在阳极与发光层之间,以及阴极与发光层之间增设更多其他的有机功能层,对于改善OLED器件的驱动电压、发光效率、色纯度、使用寿命等性能有着重要作用。
空穴传输材料在有机电致发光器件中是不可或缺的部分,其作用是提高空穴的注入和传输效率,降低空穴的注入势垒,并将电子有效地阻挡在发光层内。但目前所用的空穴传输材料大多具有成膜性和热稳定性差、以及空穴迁移率低等问题。所以需要使用具有高的空穴迁移率,良好的成膜性和热稳定性,以及合适的HOMO能级的空穴传输材料去提高OLED器件的亮度、效率和寿命。
为了更进一步提高器件的发光效率和使用寿命等性能,还可以在阳极与阴极中至少一个电极外侧设置覆盖层。根据光传出的路径不同,有机电致发光器件可以分为底发射器件和顶发射器件,顶发射器件的性能要优于底发射器件,所以应用范围更广,顶发射器件在透明电极上形成覆盖层,可以克服波导效应,有效地将陷于器件中的光耦合出来,增强光取出效率,进而提高器件的发光效率,但是目前顶发射器件仍存在器件色纯度低、光取出效率低等问题,严重制约了顶发射OLED的发展。
鉴于目前的器件存在驱动电压较高,发光性效率低、使用寿命短等缺点,因此亟待开发具有驱动电压低、发光效率高、使用寿命长等优异性能的有机电致发光器件。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件,可有效改善有机电致发光器件驱动电压高、发光效率低、使用寿命短等问题。具体的,本发明的技术方案如下:
本发明提供了一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极和所述阳极与所述阴极之间的有机物层以及所述阳极与阴极中至少一个电极外侧的覆盖层,所述有机物层包括空穴传输区域、发光层和电子传输区域,其特征在于,所述空穴传输区域含有式(1)所示的第一化合物,所述覆盖层含有式(2)所示的第二化合物:
在式(1)中,
所述R1独立的选自氢、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的基团中的任意一种;或者相邻的两个R1相互连接形成取代或未取代的环;
所述R2选自氢、氘、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的基团中的任意一种;
所述a选自0、1、2、3或4;所述b选自0、1、2或3;
所述Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C6~C30的芳基;
所述的L1选自取代或未取代的C6~C30的亚芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;且L1中至少包含一个氘原子;
所述L2、L3独立的选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基、取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;
在式(2)中,
所述X选自O原子或S原子;
所述环A、环B独立的选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的蒽环或者取代或未取代的菲环中的任意一种,且环A和环B不同时为取代或未取代的苯环;
所述La、Lb独立的选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基、取代或未取代的C2~C30的亚杂芳基、取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;
所述Ara、Arb独立的选自取代或未取代的C6~C30的芳基;且Ara、Arb中的至少一个为取代或未取代的C10~C30的稠环芳基。
有益效果:
本发明将式(1)所示的第一化合物和式(2)所示的第二化合物同时应用于有机电致发光器件中,第一化合物作为空穴传输区域中的有机功能层使用时,可以提高各功能层之间的能级匹配度,使层与层之间的界面传输性能更加优异,有效地传输空穴,同时还具有良好的热稳定性和化学稳定性;第二化合物作为覆盖层使用,可以有效地将陷于器件中的光耦合出来,增强光取出效率,进而提供一种驱动电压低、发光效率高、使用寿命长的有机发光器件。
具体实施方式
下面将结合本发明具体实施例的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的保护范围。
在本发明的化合物中,未指定为特定同位素的任何原子被包括作为该原子的任何稳定同位素,并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。
本发明所述的卤素原子是指氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
本发明所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基,其可以为直链烷基、支链烷基,优选具有1至15个碳原子,更优选1至12个碳原子,特别优选1至6个碳原子。所述直链烷基包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、十一烷基、十二烷基等,但不限于此;所述支链烷基包括异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基的异构基团、正己基的异构基团、正庚基的异构基团、正辛基的异构基团、正壬基的异构基团、正癸基的异构基团等,但不限于此。上述烷基优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基。
本发明所述的环烷基是指环烷烃分子上少掉一个氢原子而形成的烃基,优选具有3至15个碳原子,更优选3至12个碳原子,特别优选5至10个碳原子。实例可包括环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基等,但不限于此。上述环烷基优选为环戊烷基、环己烷基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、降冰片烷基。
本发明所述的芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后,剩下一价基团的总称,其可以为单环芳基、多环芳基或者稠环芳基,优选具有6至60个碳原子,更优选6至30个碳原子,特别优选6至20个碳原子,最优选6至12个碳原子。所述单环芳基是指分子中只有一个芳香环的芳基,例如,苯基等,但不限于此;所述多环芳基是指分子中含有两个或者两个以上独立芳香环的芳基,例如,联苯基、三联苯基等,但不限于此;所述稠环芳基是指分子中含有两个或者多个芳香环且彼此间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的芳基,例如,萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基、苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、螺二芴基等,但不限于此。上述芳基优选为苯基、联苯基、三联苯基、1-萘基、2-萘基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、螺-环戊基-芴基、螺-环己基-芴基、螺-金刚烷基-芴基、螺-环戊烯基-芴基、螺-环己烯基-芴基。
本发明所述的杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳原子被杂原子替代得到的基团的总称,所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮或者磷原子,优选2至60个碳原子,更优选2至30个碳原子,特别优选2至15个碳原子,最优选2至12个碳原子,所述杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上,也可以位于成环氮原子上,所述杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或者稠环杂芳基。所述单环杂芳基包括吡啶基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基等,但不限于此;所述多环杂芳基包括联吡啶基、联嘧啶基、苯基吡啶基等,但不限于此;所述稠环杂芳基包括喹啉基、异喹啉基、吲哚基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、吖啶基、9,10-二氢吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩噁噻基等,但不限于此。上述杂芳基优选为吡啶基、嘧啶基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、苯并二苯并呋喃基、咔唑基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩噁噻基。
本发明所述的芳环与脂肪环稠合而成的基团是指芳环与脂肪环(环烷基、环烯基、环炔基)稠合在一起后去掉一个氢原子,剩下一价基团的总称。优选具有7至30个碳原子,更优选7至18个碳原子,最优选7至13个碳原子,实例可包括苯并环丙基、苯并环丁基、苯并环戊基、苯并环己基、苯并环庚基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并环庚烯基、萘并环丙基、萘并环丁基、萘并环戊基、萘并环己基等,但不限于此。
在本发明所述的亚芳基意指具有两个键合位点的芳基,即,二价基团。关于其可以应用以上提供的对芳基的描述,不同之处在于亚芳基为二价基团。
本发明所述的芳环与脂肪环稠合而成的二价基团指具有两个键合位点的芳环与脂肪环稠合而成的基团,即,二价基团。关于其可以应用以上提供的对芳环与脂肪环稠合而成的基团的描述,不同之处在于芳环与脂肪环稠合而成的二价基团为二价基团。
本发明所述的“取代”指在某些官能团中的氢原子被另一个原子或官能团(即取代基)替代,且取代的位置不受限制,只要该位置是氢原子被取代的位置即可,并且当两个或更多个被取代时,两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。
本发明所述的“取代或未取代的”意指不被取代或者被选自由以下组成的组中的至少一个取代基取代:卤素、氘、氚、氨基、氰基、硝基、取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C1~C30的烯基、取代或未取代的C1~C30的炔基、取代或未取代的C3~C30的环烷基、取代或未取代的C3~C30的环烯基、取代或未取代的C3~C30的环炔基、取代或未取代的C3~C30的杂环基、取代或未取代的C1~C30的烷氧基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C6~C30的芳氧基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基或取代或未取代的C1~C30的硅烷基,优选为卤素、氘、氰基、C1~C12的烷基、C3~C12的环烷基、C6~C30的芳基、C2~C30的杂芳基,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同;再优选为氘原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、、环丙烯基、环丁烯基、环戊烯基、环己烯基、环戊二烯基、环己二烯基、苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、螺-环戊基-芴基、螺-环己基-芴基、螺-金刚烷基-芴基、螺-环戊烯基-芴基、螺-环己烯基-芴基,在被多个取代基取代的情况下,多个取代基彼此相同或不同。
在本说明书中,当取代基在环上的位置不固定时,表示其可连接于所述环的相应可选位点中
本发明所述的“连接形成环”是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例:
本发明中,连接形成的环可以为芳香族环系、脂肪族环系或二者稠和而形成的环系,可以为三元环、四元环、五元环、六元环或者稠合环,实例可包括苯、萘、茚、芴、环戊烯、环戊烷、环戊烷并苯、环己烯、环己烷、环己烷并苯、吡啶、喹啉、异喹啉、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、菲或芘等,但不限于此。
本发明提供了一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极和所述阳极与所述阴极之间的有机物层以及所述阳极与阴极中至少一个电极外侧的覆盖层,所述有机物层包括空穴传输区域、发光层和电子传输区域,其特征在于,所述空穴传输区域含有式(1)所示的第一化合物,所述覆盖层含有式(2)所示的第二化合物:
在式(1)中,
所述R1独立的选自氢、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的基团中的任意一种;或者相邻的两个R1相互连接形成取代或未取代的环;
所述R2选自氢、氘、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的基团中的任意一种;
所述a选自0、1、2、3或4;所述b选自0、1、2或3;
所述Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C6~C30的芳基;
所述的L1选自取代或未取代的C6~C30的亚芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;且L1中至少包含一个氘原子;
所述L2、L3独立的选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基、取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;
在式(2)中,
所述X选自O原子或S原子;
所述环A、环B独立的选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的蒽环或者取代或未取代的菲环中的任意一种,且环A和环B不同时为取代或未取代的苯环;
所述La、Lb独立的选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基、取代或未取代的C2~C30的亚杂芳基、取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;
所述Ara、Arb独立的选自取代或未取代的C6~C30的芳基;且Ara、Arb中的至少一个为取代或未取代的C10~C30的稠环芳基。
优选的,所述Ar1、Ar2独立的选自如下所示结构中的一种:
所述R3独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;
所述R4、R5独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;或R4、R5中的任意一者可以直接与L2或L3键合;或R4、R5之间可以相互连接形成取代或未取代的环;
所述c1独立的选自0、1、2、3、4或5;所述c2独立的选自0、1、2或3;所述c3独立的选自0、1、2、3或4;所述c4独立的选自0、1或2;所述c5独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述c6独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
再优选的,所述Ar1、Ar2独立的选自如下所示结构中的一种:
所述R3独立的选自氢、氘、卤素、氰基、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基;
所述c1独立的选自0、1、2、3、4或5;所述c2独立的选自0、1、2或3;所述c3独立的选自0、1、2、3或4;所述c4独立的选自0、1或2;所述c5独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述c6独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8;所述c7独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10;所述c8独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9;
所述“取代或未取代”中的取代基选自氘、卤素、氰基、C1~C12的烷基、C3~C12的环烷基、C6~C20的芳基中的任意一种或一种以上;当有多个取代基存在时,多个取代基彼此相同或不同。
优选的,所述L1选自如下所示结构中的任意一种:
所述R6独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;且上述每个基团中至少有一个R6选自氘原子;
所述R7、R8独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;或R7、R8之间可以连接结合形成取代或未取代的环;
所述d1独立的选自0、1、2、3或4;所述d2独立的选自0、1、2或3;所述d3独立的选自0、1或2;所述d4独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述d5独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
优选的,所述R6独立的选自氢、氘、卤素、氰基、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基;且上述每个基团中至少有一个R6选自氘原子;
优选的,所述R7、R8独立的选自氢、氘、卤素、氰基、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基;或R7、R8之间可以相互连接形成取代或未取代的环;
所述“取代或未取代”中的取代基选自氘、卤素、氰基、C1~C12的烷基、C3~C12的环烷基、C6~C20的芳基中的任意一种或一种以上;当有多个取代基存在时,多个取代基彼此相同或不同。
更优选的,所述L1选自如下所示结构中的任意一种:
优选的,所述R2选自氢、氘、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、金刚烷基、莰烷基、降冰片烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、芴基;
所述“取代或未取代”中的取代基选自卤素、氰基、C1~C12的烷基、C3~C12的环烷基、C6~C20的芳基中的任意一种或一种以上;当有多个取代基存在时,多个取代基彼此相同或不同。
优选的,所述L2、L3、La、Lb独立的选自单键或如下所示结构中的一种:
所述R9独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;
所述R10、R11独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;或R10、R11之间可以相互连接形成取代或未取代的环;
所述e1独立的选自0、1、2、3或4;所述e2独立的选自0、1、2或3;所述e3独立的选自0、1或2;所述e4独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述e5独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
优选的,所述R9独立的选自氢、氘、卤素、氰基、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、莰烷基、降冰片烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、芴基;
优选的,所述R10、R11独立的选自氢、氘、卤素、氰基、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、莰烷基、降冰片烷基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、芴基;或所述R10、R11之间可以相互结合形成取代或未取代的环;
所述“取代或未取代”中的取代基选自氘、卤素、氰基、C1~C12的烷基、C3~C12的环烷基、C6~C20的芳基中的任意一种或一种以上;当有多个取代基存在时,多个取代基彼此相同或不同。
再优选的,所述L2、L3、La、Lb独立的自单键或如下所示结构中的一种:
优选的,所述环A、环B独立的选自如下所示结构中的一种:
所述Ra独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;且所述环A、环B中至少一个选自式2-2~式2-9中的任意一种;
所述f1独立的选自0、1、2、3或4;所述f2独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述f3独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8;
优选的,所述Ra独立的选自氢、氘、卤素、氰基、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基;
所述“取代或未取代”中的取代基选自氘、卤素、氰基、C1~C12的烷基、C3~C12的环烷基、C6~C20的芳基中的任意一种或一种以上;当有多个取代基存在时,多个取代基彼此相同或不同。
所述Ra独立的选自氢、氘、卤素、氰基、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基;
所述f1独立的选自0、1、2、3或4;所述f2独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述f3独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8;所述f4独立的选自0、1、2或3;所述f5独立的选自0、1、2、3、4或5;所述f6独立的选自0、1、2、3、4、5、6或7;
所述“取代或未取代”中的取代基选自氘、卤素、氰基、C1~C12的烷基、C3~C12的环烷基、C6~C20的芳基中的任意一种或一种以上;当有多个取代基存在时,多个取代基彼此相同或不同。
优选的,所述Ara、Arb独立的选自如下所示结构中的一种:
所述Rb独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;且所述Ara、Arb中至少一个选自式2-11~式2-14中的任意一种;
所述g1独立的选自0、1、2、3、4或5;所述g2独立的选自0、1、2或3;所述g3独立的选自0、1、2、3或4;所述g4独立的选自0、1或2;
优选的,所述Rb独立的选自氢、氘、卤素、氰基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、芴基;苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基;
所述“取代或未取代”中的取代基选自氘、卤素、氰基、C1~C12的烷基、C3~C12的环烷基、C6~C20的芳基中的任意一种或一种以上;当有多个取代基存在时,多个取代基彼此相同或不同。
优选的,所述的第一化合物选自如下所示结构中的任意一种:
优选的,所述的第二化合物选自如下所示化合物中的任意一种:
以上仅列举了式(1)所示的第一化合物和式(2)所示的第二化合物的部分具体结构形式,但本发明并不局限于所列这些化学结构,凡是以式(1)和式(2)为基础,取代基如上述所限定,都应包含在内。
本发明所述的有机电致发光器件包含阴极、阳极、有机功能层以及覆盖层。
作为本发明所述的有机功能层,位于所述阳极与阴极之间。所述有机物层包括空穴传输区域、发光层和电子传输区域,所述空穴传输区域包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光辅助层等功能层,所述电子传输区域包含空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等功能层,所述有机功能层可以根据实际需要相应的增加或减少。
作为本发明的有机功能层,其可以具有如下结构:1)单层结构,其包括含有单种材料的单个层;或包括含有多种材料的单个层;2)多层结构,其包括含有多种材料的多个层。具体的,所述空穴传输层可以包含第一空穴传输层及第二空穴传输层,所述电子传输层可以包含第一电子传输层及第二电子传输层;具体的,所述用于各个有机功能层的材料可以选自无机材料、有机材料或两者混合而形成的无机-有机材料等,但不限于此。
作为本发明的覆盖层,位于所述阳极与阴极中至少一个以上电极的外侧,优选的,位于所述阴极的外侧。其可以为单层结构、双层结构或多层结构;例如覆盖层可以包含第一覆盖层及第二覆盖层。所述用于覆盖层的材料可以选自无机材料、有机材料或两者混合而形成的无机-有机材料等,但不限于此。
优选的,所述的空穴传输区域含有式(1)所示的第一化合物。
优选的,所述的空穴传输区域包括空穴传输层,所述的空穴传输层含有式(1)所示的第一化合物。
优选的,所述的空穴传输区域包括空穴传输层,所述的空穴传输层包括第一空穴传输层、第二空穴传输层,其中至少一层含有式(1)所示的第一化合物。
优选的,所述第一空穴传输层位于所述阳极与所述发光层之间,所述第二空穴传输层位于所述第一空穴传输层与所述发光层之间,所述第一空穴传输层含有式(1)所示的第一化合物。
优选的,所述第一空穴传输层位于所述阳极与所述发光层之间,所述第二空穴传输层位于所述第一空穴传输层与所述发光层之间,所述第二空穴传输层含有式(1)所示的第一化合物。
优选的,所述的空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层,其中至少一层含有式(1)所示的第一化合物。
优选的,所述的空穴传输区域依次包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层,其中至少一层含有式(1)所示的第一化合物。
优选的,所述的空穴传输区域依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层中的至少一层,其中至少一层含有式(1)所示的第一化合物。
优选的,所述覆盖层包含本发明所述的式(2)表示的第二化合物。
优选的,本发明提供的有机电致发光器件具有如下结构,但不限于此:
(1)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层
(2)阳极/空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层
(3)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层
(4)阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层
(5)阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层
(6)阳极/空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层
作为本发明所述的阳极材料,优选具有高功函数的材料。阳极可以是透射电极、反射电极或半透射电极。当阳极是透射电极时,用于形成阳极的材料可以选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或它们的任意组合;当阳极是半透射电极或反射电极时,用于形成阳极的材料可以选自镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任意组合。阳极可以具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构,例如,阳极可以具有Al的单层结构或ITO/Ag/ITO的三层结构,但是阳极的结构不限于此。
作为本发明所述的空穴注入层材料,优选具有良好接受空穴能力的材料。除了可使用本发明提供的式(1)所示的第一化合物之外,还可选自下列结构中的任意一种或一种以上:金属卟啉、低聚噻吩、芳基胺衍生物、苝衍生物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等,但不限于此。
作为本发明所述的空穴传输层材料,优选具有高空穴迁移率的材料,除了可使用本发明提供的式(1)所示的第一化合物之外,还可选自下列结构中的任意一种或一种以上:咔唑衍生物、三芳胺衍生物、联苯二胺衍生物、芴衍生物、二苯乙烯衍生物、酞菁类化合物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯咔唑等,但不限于此。优选的,所述的空穴传输层材料使用本发明式(1)所示的第一化合物。
作为本发明所述的发光层材料,可以只含有客体材料,还可以采用客体材料分散于主体材料中的形式,并且可以使用两种主体材料形成双主体材料。发光层的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输性质,同时需要恰当的能级,将激发能量有效地传递到客体发光材料,这一类的材料可以举出二苯乙烯基芳基衍生物、均二苯乙烯衍生物、咔唑衍生物、三芳基胺衍生物、蒽衍生物及芘衍生物等。客体材料可以选自下列结构中的任意一种或几种:金属配合物(例如铱配合物、铂配合物、锇配合物、铑配合物等)、蒽衍生物、芘衍生物、苝衍生物等,但不限于此。
本发明所述的电子传输区域包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一种。
作为本发明所述的电子注入层材料,优选具有良好电子注入与传输效率的材料,可选自下列结构中的任意一种或一种以上:碱金属、碱土金属、碱金属的卤化物、碱土金属的卤化物、碱金属的氧化物、碱土金属的氧化物、碱金属盐、碱土金属盐、其他电子注入性高的物质。实例可以列举有Li、Ca、Sr、LiF、CsF、CaF2、BaO、Li2CO3、CaCO3、Li2C2O4、Cs2C2O4、CsAlF4、LiOx、Yb、Tb等,但不限于此。
作为本发明所述的电子传输层材料,优选具有高电子迁移率的材料,可选自下列结构中的任意一种或几种:金属螯合物、氧杂噁唑衍生物、噻唑衍生物、二氮唑衍生物、氮杂苯衍生物、二氮蒽衍生物、含硅杂环类化合物、含硼杂环类化合物、氰基类化合物、喹啉衍生物、菲罗啉衍生物、苯并咪唑衍生物等,但不限于此。
作为本发明所述的空穴阻挡层材料,优选空穴阻挡能力优异的材料,用的材料要求T1能级高于发光层,这样才能阻挡发光层的能量损失。另外,选用材料的HOMO能级要低于发光层的主体材料的HOMO能级,起到阻挡空穴的作用。进一步地,使用的空穴阻挡层材料的电子迁移率在10-6cm2/Vs以上,利于电子的传输。优选为三嗪衍生物、氮杂苯衍生物等。
作为本发明所述的阴极材料,优选具有低功函数的材料,阴极可以选自透射电极、半反射电极或反射电极。当阴极极为透射电极,用于形成阴极的材料可选自透明金属氧化物(例如,ITO、IZO、等);当阴极为半反射电极或反射电极,用于形成阴极的材料可选自Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、包括它们的化合物或它们的混合物(例如,Ag和Mg的混合物),但不限于与此。
作为本发明所述的覆盖层材料,优选光取出效率高的材料,除了可使用本发明提供的式(2)所示的第二化合物之外,还可选自下列结构中的任意一种或一种以上:例如可以是金属卤化物、氧化物、氮化物、氮氧化物、硫化物、硒化物、芳烃化合物、杂芳烃化合物、芳胺化合物等,但不限于此。优选的,所述的覆盖层材料使用本发明式(2)所示的第二化合物。
上述各个阴极、阳极、有机物层、覆盖层可以使用真空蒸镀、喷墨打印、溅射、等离子体、离子镀、旋涂、浸渍、丝网印刷等中的任意一种方法制备而成,各层膜厚没有特殊限制,以获得良好的器件性能即可。上述各个有机物层优选使用真空蒸镀、喷墨打印或旋涂的方法进行制备。
上述各个有机物层及覆盖层的厚度通常在5nm~100um,优选为10nm~200nm。阳极和阴极的厚度则根据需求的透明度进行调节。
本发明还提供了一种式(1)及式(2)表示的化合物的制备方法,但本发明的制备方法不限于此,以下仅为合成路线的举例。下述合成路线均采用有机合成中常用的反应类型,反应条件(例如,反应溶剂、催化剂、配体、碱等种类的选择、用量以及加入的顺序和方法)没有特别的限制,采用常规方法与操作即可。
式1化合物的合成路线:
所述Xa、Xb、Xc独立的选自Cl、Br、I中的任意一种。
式2化合物的合成路线:
所述Xd、Xe独立的选自Cl、Br、I中的任意一种。
本发明提供的有机电致发光器件可以应用于照明及显示等领域,具体可以列举为智能手机显示屏、平板电脑显示屏、智能穿戴设备显示屏、电视等大尺寸显示器、VR以及汽车尾灯等。
下面以实施例和比较例对本发明的技术方案及技术效果做进一步说明。
本发明化合物的质谱使用英国沃特斯公司的G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨质谱仪,氯仿为溶剂;
元素分析使用德国Elementar公司的Vario EL cube型有机元素分析仪,样品质量为5~10mg。
[合成实施例1]化合物1-101的合成
中间体A-1-101的制备:
在氮气保护下,向反应瓶中加入a-1-101(70.00mmol,20.10g)、b-1-101(70.00mmol,20.10g)、四三苯基膦钯(1.40mmol,1.62g)、碳酸钾(136.00mmol,18.80g)以及200mL甲苯、100mL乙醇、100mL水,搅拌混合物,回流反应3h。反应结束后,冷却至室温,加水,用二氯甲烷萃取,有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,减压除去溶剂,用甲苯/乙醇=5:1重结晶,得到中间体A-1-101(23.38g,产率83%),HPLC检测固体纯度为99.79%。质谱m/z:401.0705(理论值:401.0717)。
中间体B-1-101的制备:
在氮气保护下,向反应瓶中依次加入A-1-101(50.00mmol,20.12g)、c-1-101(50.00mmol,4.66g)、醋酸钯(0.75mmol,0.17g)、三叔丁基膦(3.00mmol,0.61g)、叔丁醇钠(100.00mmol,9.61g)以及150mL甲苯,搅拌混合物,回流反应3.5h。反应结束后,冷却至室温,加水,用二氯甲烷萃取,有机相用无水硫酸镁干燥,过滤,减压除去溶剂,用甲苯/甲醇=10:1重结晶,得到B-1-101(16.79g,产率81%),HPLC检测固体纯度为99.82%。质谱m/z:414.2048(理论值:414.2034)。
化合物1-101的制备:
在氮气保护下,向反应瓶中依次加入B-1-101(30.00mmol,12.44g)、d-1-101(30.00mmol,8.41g)、三二亚苄基丙酮二钯(0.30mmol,0.27g)、三叔丁基膦(1.80mmol,0.37g)、叔丁醇钠(60.00mmol,5.77g)以及100mL甲苯,搅拌混合物,回流反应7h。反应结束后,冷却至室温,加水,用氯仿萃取,有机相用无水硫酸镁干燥,过滤,减压除去溶剂,用甲苯重结晶,得到化合物1-101(14.55g,产率79%),HPLC检测固体纯度为99.98%。质谱m/z:613.3425(理论值:613.3412)。理论元素含量(%)C45H23D11N2:C,88.05;H,7.39;N,4.56。实测元素含量(%):C,88.09;H,7.34;N,4.61。
[合成实施例2]化合物1-160的合成
按照合成实施例1的制备方法,将c-1-101替换为等摩尔的c-1-160,d-1-101替换为等摩尔的d-1-160,得到化合物1-160(15.47g),HPLC检测固体纯度≧99.97%。质谱m/z:660.4112(理论值:660.4103)。理论元素含量(%)C48H12D22N2:C,87.23;H,8.53;N,4.24。实测元素含量(%):C,87.28;H,8.49;N,4.27。
[合成实施例3]中间体1-181的合成
按照合成实施例1的制备方法,将c-1-101替换为等摩尔的c-1-181,d-1-101替换为等摩尔的d-1-181,得到化合物1-181(16.72g),HPLC检测固体纯度≧99.95%。质谱m/z:742.3277(理论值:742.3286)。理论元素含量(%)C56H34D4N2:C,90.53;H,5.70;N,3.77。实测元素含量(%):C,90.56;H,5.64;N,3.82。
[合成实施例4]中间体1-184的合成
按照合成实施例1的制备方法,将c-1-101替换为等摩尔的c-1-184,d-1-101替换为等摩尔的d-1-184,得到化合物1-184(16.81g),HPLC检测固体纯度≧99.93%。质谱m/z:756.4152(理论值:756.4165)。理论元素含量(%)C56H20D18N2:C,88.85;H,7.45;N,3.70。实测元素含量(%):C,88.89;H,7.39;N,3.74。
[合成实施例5]化合物1-330的合成
按照合成实施例1的制备方法,将b-1-101替换为等摩尔的b-1-330,c-1-101替换为等摩尔的c-1-330,d-1-101替换为等摩尔的d-1-330,得到化合物1-330(16.05g),HPLC检测固体纯度≧99.96%。质谱m/z:694.3246(理论值:694.3255)理论元素含量(%)C52H30D6N2:C,89.88;H,6.09;N,4.03。实测元素含量(%):C,89.84;H,6.14;N,3.98。
[合成实施例6]化合物1-349的合成
按照合成实施例1的制备方法,将b-1-101替换为等摩尔的b-1-349,c-1-101替换为等摩尔的c-1-330,d-1-101替换为等摩尔的d-1-349,得到化合物1-349(16.24g),HPLC检测固体纯度≧99.92%。质谱m/z:751.3842(理论值:751.3851)理论元素含量(%)C56H25D13N2:C,89.44;H,6.83;N,3.73实测元素含量(%):C,89.40;H,6.88;N,3.77。
[合成实施例7]化合物1-359的合成
中间体b-1-359的制备:
在氮气保护下,向反应瓶中加入e-1-359(90.00mmol,29.97g)、f-1-359(90.00mmol,22.67g)、四三苯基磷钯(1.80mmol,2.08g)、碳酸钾(175.00mmol,24.19g)以及300mL甲苯、150mL乙醇、150mL水,搅拌混合物,将上述体系加热回流反应3h。反应结束后,冷却至室温,加水,用二氯甲烷萃取,有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,除去溶剂,用甲苯/乙醇=4:1重结晶,得到中间体b-1-359(31.60g,产率85%);HPLC检测固体纯度为99.87%。质谱m/z:411.9251(理论值:411.9262)。
化合物1-359的制备:
按照合成实施例1的制备方法,将b-1-101替换为等摩尔的b-1-359,c-1-101替换为等摩尔的c-1-359,d-1-101替换为等摩尔的d-1-330,得到化合物1-359(16.49g)HPLC检测固体纯度≧99.93%。质谱m/z:742.3272(理论值:742.3286)理论元素含量(%)C56H34D4N2:90.53;H,5.70;N,3.77实测元素含量(%):C,90.57;H,5.74;N,3.72。
[合成实施例8]化合物2-83的合成
中间体2-83-A的制备:
在氮气保护下,向反应瓶中依次加入2-83-a(22.03g,80.00mmol)、2-83-b(80.00mmol,32.75g)、醋酸钯(0.80mmol,0.18g)、三叔丁基膦(1.60mmol,0.32g),叔丁醇钠(120.00mmol,11.53g)以及300mL甲苯,搅拌混合物,回流反应3.5h。反应结束后,冷却至室温,加水,用二氯甲烷萃取,有机相用无水硫酸镁干燥,过滤,减压除去溶剂,用乙酸乙酯重结晶,得到中间体2-83-A(39.13g,产率81%);HPLC纯度≥99.75%。
化合物2-83的制备:
在氮气保护下,向反应瓶中依次加入中间体2-83-A(60.00mmol,36.23g)、2-83-c(60.00mmol,17.83g)、三二亚苄基丙酮二钯(0.60mmol,0.55g)、三叔丁基膦(1.20mmol,0.24g),叔丁醇钠(90.00mmoL,8.65g)以及200mLDMF,搅拌混合物,回流反应7h。反应结束后,冷却至室温,加水,用氯仿萃取,有机相用无水硫酸镁干燥,过滤,减压除去溶剂,用甲苯重结晶,得到化合物2-83(38.38g,产率78%);HPLC纯度99.91%。质谱m/z:819.3512(理论值:819.3501)。理论元素含量(%)C62H45NO:C,90.81;H,5.53;N,1.71。实测元素含量(%):C,90.85;H,5.48;N,1.75。
[合成实施例9]化合物2-137的合成
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-137-a,2-83-b替换为等摩尔的2-137-b,2-83-c替换为等摩尔的2-137-c,得到化合物2-137(30.61g);HPLC纯度≥99.96%。质谱m/z:637.2415(理论值:637.2406)。理论元素含量(%)C48H31NO:C,90.40;H,4.90;N,2.20。实测元素含量(%):C,90.37;H,4.93;N,2.16。
[合成实施例10]化合物2-139的合成
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-139-a,2-83-b替换为等摩尔的2-139-b,2-83-c替换为等摩尔的2-137-c,得到化合物2-139(34.02g);HPLC纯度≥99.93%。质谱m/z:717.3022(理论值:717.3032)。理论元素含量(%)C54H39NO:C,90.34;H,5.48;N,1.95。实测元素含量(%):C,90.36;H,5.44;N,1.91。
[合成实施例11]化合物2-163的合成
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-163-a,2-83-b替换为等摩尔的2-163-b,2-83-c替换为等摩尔的2-163-c,得到化合物2-163(31.38g);HPLC纯度≥99.96%。质谱m/z:653.2169(理论值:653.2177)。理论元素含量(%)C48H31NS:C,88.18;H,4.78;N,2.14;。实测元素含量(%):C,88.15;H,4.83;N,2.17。
[合成实施例12]化合物2-203的合成
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-203-a,2-83-b替换为等摩尔的2-203-b,2-83-c替换为等摩尔的2-137-c,得到化合物2-203(30.47g);HPLC纯度≥99.95%。质谱m/z:634.3017(理论值:634.3002)。理论元素含量(%)C47H26D7NO:C,88.92;H,6.35;N,2.21。实测元素含量(%):C,88.96;H,6.37;N,2.18。
[合成实施例13]化合物2-221的合成
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-221-a,2-83-b替换为等摩尔的2-221-b,2-83-c替换为等摩尔的2-137-c,得到化合物2-221(31.39g);HPLC纯度≥99.97%。质谱m/z:645.2895(理论值:645.2908)。理论元素含量(%)C48H23D8NO:C,89.27;H,6.08;N,2.17。实测元素含量(%):C,89.23;H,6.11;N,2.21。
[合成实施例14]化合物2-269的合成
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-269-a,2-83-b替换为等摩尔的2-269-b,2-83-c替换为等摩尔的2-269-c,得到化合物2-269(31.28g);HPLC纯度≥99.93%。质谱m/z:659.3796(理论值:659.3787)。理论元素含量(%)C48H9D22NO:C,87.36;H,8.09;N,2.12。实测元素含量(%):C,87.31;H,8.14;N,2.16。
[合成实施例15]化合物2-271的合成
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-271-a,2-83-b替换为等摩尔的2-271-b,2-83-c替换为等摩尔的2-271-c,得到化合物2-271(30.90g);HPLC纯度≥99.94%。质谱m/z:668.2865(理论值:668.2876)。理论元素含量(%)C50H28D5NO:C,89.79;H,5.73;N,2.09。实测元素含量(%):C,89.76;H,5.76;N,2.13。
[合成实施例16]化合物2-327的合成
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-327-a,2-83-b替换为等摩尔的2-327-b,2-83-c替换为等摩尔的2-327-c,得到化合物2-327(30.12g);HPLC纯度≥99.95%。质谱m/z:651.3363(理论值:651.3377)。理论元素含量(%)C48H29D8NO:C,88.44;H,6.96;N,2.15。实测元素含量(%):C,88.39;H,7.01;N,2.18。
[合成实施例17]化合物2-359的合成
中间体2-359-a的制备:
在氮气保护下,向反应瓶中依次加入2-359-d(12.70g,100mmol)、2-359-e(27.21g,100mmol)、四三苯基膦钯(1.16g,1.0mmol)、碳酸钾(27.64g,200mmol)以及200mL甲苯、100mL乙醇、100mL水,搅拌混合物,回流反应3h。反应结束后,冷却至室温,加水,用二氯甲烷萃取,有机层用无水硫酸镁干燥,过滤,减压除去溶剂,用甲苯/乙醇=4:1重结晶,得到中间体2-359-a(22.50g,收率82%);HPLC纯度≥99.65%。质谱m/z:274.1510(理论值:274.1518)。
化合物2-359的制备:
按照与合成实施例8相同的制备方法,将2-83-a替换为等摩尔的2-359-a,2-83-b替换为等摩尔的2-359-b,2-83-c替换为等摩尔的2-359-c,得到化合物2-359(34.84g);HPLC纯度≥99.92%。质谱m/z:763.3110(理论值:763.3118)。理论元素含量(%)C56H25D10NS:C,88.04;H,5.93;N,1.83。实测元素含量(%):C,88.07;H,5.89;N,1.87。
[器件实施例1]
首先,将蒸镀有ITO/Ag/ITO的玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次,超声波洗涤30分钟,再用蒸馏水反复清洗2次,超声波洗涤10分钟,蒸馏水清洗结束后,采用异丙醇、丙酮、甲醇溶剂按顺序进行超声波洗涤后,在加热到120℃的热板上进行干燥,将干燥后的基板转移到等离子体清洗机里,洗涤5分钟后将基板转移至蒸镀机中。
然后在已经清洗好的ITO/Ag/ITO基板上蒸镀HI-1作为空穴注入层,蒸镀厚度为10nm,在该空穴注入层上蒸镀本发明化合物1-33作为空穴传输层,蒸镀厚度为100nm,在空穴传输层上真空蒸镀RH作为主体材料,蒸镀RD作为掺杂材料(质量比为93:7)形成发光层,蒸镀厚度为40nm,在发光层上蒸镀ET-1与Liq(质量比为1:1)作为电子传输层,蒸镀厚度为35nm,在该电子传输层上,蒸镀LiF作为电子注入层,蒸镀厚度为1nm,然后在该电子注入层上蒸镀Mg:Ag(质量比为1:9)作为阴极,蒸镀厚度为13nm,然后在阴极上真空蒸镀本发明化合物2-303作为覆盖层,蒸镀厚度为65nm,从而制备有机电致发光器件1。
[器件实施例2~29]
空穴传输层与覆盖层替换为下列组合,除此之外,通过与器件实施例1相同的制备方法,制备有机电致发光器件2~29:
化合物1-40与化合物2-139;化合物1-44与化合物2-327;化合物1-53与化合物2-316;化合物1-81与化合物2-349;化合物1-101与化合物2-137;化合物1-113与化合物2-241;化合物1-116与化合物2-18;化合物1-121与化合物2-309;化合物1-122与化合物2-163;化合物1-145与化合物2-111;化合物1-160与化合物2-203;化合物1-161与化合物2-221;化合物1-162与化合物2-271;化合物1-181与化合物2-260;化合物1-184与化合物2-344;化合物1-195与化合物2-42;化合物1-210与化合物2-257;化合物1-215与化合物2-269;化合物1-246与化合物2-120;化合物1-261与化合物2-99;化合物1-276与化合物2-83;化合物1-306与化合物2-32;化合物1-318与化合物2-150;化合物1-330与化合物2-46;化合物1-349与化合物2-115;化合物1-359与化合物2-136;化合物1-387与化合物2-359;化合物1-392与化合物2-112。
[对比器件实施例1~4]
空穴传输层与覆盖层替换为下列组合,除此之外,通过与器件实施例1相同的制备方法,制备对比器件1~4:对比化合物1与对比化合物3;对比化合物1与对比化合物4;对比化合物2与对比化合物3;对比化合物2与对比化合物4。
将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机电致发光器件的驱动电压及发光效率。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试的环境为大气环境,温度为室温。本发明器件实施例中器件1~29,对比实施例1~4所得有机电致发光器件的发光特性测试结果如下表1所示。
表1:
通过表1结果可知,本发明的有机电致发光器件1~29与对比器件1~4相比,可以降低有机电致发光器件的驱动电压,提高有机电致发光器件的发光效率,延长有机电致发光器件的使用寿命。
[器件实施例30]
在已经清洗好的ITO/Ag/ITO基板上蒸镀HI-1作为空穴注入层,蒸镀厚度为10nm,在该空穴注入层上蒸镀本发明化合物1-33作为第一空穴传输层,蒸镀厚度为70nm,在第一空穴传输层上蒸镀HT-2作为第二空穴传输层,蒸镀厚度为30nm,在第二空穴传输层上真空蒸镀RH作为主体材料,蒸镀RD作为掺杂材料(质量比为93:7)形成发光层,蒸镀厚度为40nm,在发光层上蒸镀ET-1与Liq(质量比为1:1)作为电子传输层,蒸镀厚度为35nm,在该电子传输层上,蒸镀LiF作为电子注入层,蒸镀厚度为1nm,然后在该电子注入层上蒸镀Mg:Ag(质量比为1:9)作为阴极,蒸镀厚度为13nm,然后在阴极上真空蒸镀本发明化合物2-303作为覆盖层,蒸镀厚度为65nm,从而制备有机电致发光器件30。
[器件实施例31~45]
第一空穴传输层与覆盖层替换为下列组合,除此之外,通过与器件实施例1相同的制备方法,制备有机电致发光器件31~45:
化合物1-40与化合物2-139;化合物1-81与化合物2-349;化合物1-101与化合物2-137;化合物1-116与化合物2-18;化合物1-121与化合物2-309;化合物1-145与化合物2-111;化合物1-162与化合物2-271;化合物1-181与化合物2-260;化合物1-184与化合物2-344;化合物1-195与化合物2-42;化合物1-215与化合物2-269;化合物1-246与化合物2-120;化合物1-276与化合物2-83;化合物1-306与化合物2-32;化合物1-318与化合物2-150;化合物1-349与化合物2-115;化合物1-387与化合物2-359。
[对比器件实施例5~8]
第一空穴传输层与覆盖层替换为下列组合,除此之外,通过与器件实施例30相同的制备方法,制备对比器件5~8:对比化合物1与对比化合物3;对比化合物1与对比化合物4;对比化合物2与对比化合物3;对比化合物2与对比化合物4。
本发明器件实施例中器件30~45,对比实施例5~8所得有机电致发光器件的发光特性测试结果如下表2所示。
表2:
通过表2结果可知,本发明的有机电致发光器件30~45与对比器件5~8相比具有驱动电压低、发光效率高以及使用寿命长等优异性能,并且与表1相比有进一步改善,表明本发明的有机电致发光器件能够有效的传输空穴,限制电子向空穴传输层一侧逸散,将电子和空穴限制在发光层内,使两者实现最大复合,进而提升器件的发光效率。
应当指出,本发明用个别实施方案进行了特别描述,对于所述技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明的保护。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极和所述阳极与所述阴极之间的有机物层以及所述阳极与阴极中至少一个电极外侧的覆盖层,所述有机物层包括空穴传输区域、发光层和电子传输区域,其特征在于,所述空穴传输区域含有式(1)所示的第一化合物,所述覆盖层含有式(2)所示的第二化合物:
在式(1)中,
所述R1独立的选自氢、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的基团中的任意一种;或者相邻的两个R1相互连接形成取代或未取代的环;
所述R2选自氢、氘、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30的杂芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的基团中的任意一种;
所述a选自0、1、2、3或4;所述b选自0、1、2或3;
所述Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C6~C30的芳基;
所述的L1选自取代或未取代的C6~C30的亚芳基或取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;且L1中至少包含一个氘原子;
所述L2、L3独立的选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基、取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;
在式(2)中,
所述X选自O原子或S原子;
所述环A、环B独立的选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的蒽环或者取代或未取代的菲环中的任意一种,且环A和环B不同时为取代或未取代的苯环;
所述La、Lb独立的选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基、取代或未取代的C2~C30的亚杂芳基、取代或未取代的C6~C30的芳环与取代或未取代的C3~C7的脂肪环稠合而成的二价基团中的任意一种;
所述Ara、Arb独立的选自取代或未取代的C6~C30的芳基;且Ara、Arb中的至少一个为取代或未取代的C10~C30的稠环芳基。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述Ar1、Ar2独立的选自如下所示结构中的一种:
所述R3独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;
所述R4、R5独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;或R4、R5中的任意一者可以直接与L2或L3键合;或R4、R5之间可以相互连接形成取代或未取代的环;
所述c1独立的选自0、1、2、3、4或5;所述c2独立的选自0、1、2或3;所述c3独立的选自0、1、2、3或4;所述c4独立的选自0、1或2;所述c5独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述c6独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述L1选自如下所示结构中的任意一种:
所述R6独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;且上述每个基团中至少有一个R6选自氘原子;
所述R7、R8独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;或R7、R8之间可以相互连接形成取代或未取代的环;
所述d1独立的选自0、1、2、3或4;所述d2独立的选自0、1、2或3;所述d3独立的选自0、1或2;所述d4独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述d5独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述L2、L3、La、Lb独立的选自单键或如下所示结构中的任意一种:
所述R9独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;
所述R10、R11独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1~C12的烷基、取代或未取代的C3~C12的环烷基或取代或未取代的C6~C20的芳基中的任意一种;或R10、R11之间可以相互连接形成取代或未取代的环;
所述e1独立的选自0、1、2、3或4;所述e2独立的选自0、1、2或3;所述e3独立的选自0、1或2;所述e4独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述e5独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
所述Ra独立的选自选自氢、氘、卤素、氰基、三氟甲基、或取代或未取代的下列基团中的任意一种:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、基、苝基、芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基;
所述f1独立的选自0、1、2、3或4;所述f2独立的选自0、1、2、3、4、5或6;所述f3独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8;所述f4独立的选自0、1、2或3;所述f5独立的选自0、1、2、3、4或5;所述f6独立的选自0、1、2、3、4、5、6或7。
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