CN116885067A - 发光二极管外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管外延片包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;其中,所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的BN层、MoS2层和Si3N4层。实施本发明,可提升发光二极管的发光效率,降低工作电压。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域,尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。
背景技术
目前市场上应用最广泛的GaN基发光二极管均是采用异质衬底外延制备,应用较为广泛的衬底有蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底。其中,碳化硅衬底虽然与GaN基外延结构在晶格匹配、热匹配方面具有较大的优势,但其价格很高,不利于大批量应用。蓝宝石衬底、硅衬底与GaN基外延材料之间存在较大的热失配和晶格失配,这导致外延材料生长时产生较多的位错缺陷,进而延伸至发光区,形成非辐射复合中心,降低发光效率。
现有技术中常用的方法是在异质衬底与GaN基外延材料之间引入缓冲层,常见的有AlN层、低温GaN层或低温AlGaN层。其中,以PVD法所生长的AlN层具备最优的缓冲效果,是目前应用最广泛的缓冲层,尤其是在蓝宝石衬底中。但发明人发现,在一些情况下(尤其是多量子阱发光区In组分较高时)虽然AlN层能降低位错密度,但是其并未明显提升发光效率。经分析认为,这主要是AlN层并不能有效地缓解多量子阱发光区的压应变,而压应变会形成极化电场,导致空穴电子分离,波函数重叠率降低,辐射复合率下降,发光效率下降。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种发光二极管外延片及其制备方法,其可提升发光二极管的发光效率,降低工作电压。
为了解决上述问题,本发明公开了一种发光二极管外延片,其包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;
其中,所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的BN层、MoS2层和Si3N4层。
作为上述技术方案的改进,所述BN层的厚度为2nm~20nm;所述MoS2层的厚度为10nm~30nm;所述Si3N4层的厚度为10nm~20nm。
作为上述技术方案的改进,所述BN层的厚度为5nm~15nm;所述MoS2层的厚度为20nm~30nm;所述Si3N4层的厚度为15nm~20nm。
作为上述技术方案的改进,所述BN层的厚度与所述MoS2层的厚度之比为1:1~1:2。
作为上述技术方案的改进,所述非掺杂GaN层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一非掺杂GaN层、Si3N4过渡层和第二非掺杂GaN层;
所述第一非掺杂GaN层的厚度为0.5μm~1.5μm,所述Si3N4过渡层的厚度为10nm~30nm,所述第二非掺杂GaN层的厚度为1μm~2μm。
相应的,本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备上述的发光二极管外延片,其包括:
提供衬底,在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;
其中,所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的BN层、MoS2层和Si3N4层。
作为上述技术方案的改进,所述BN层通过CVD法制得,沉积过程中所采用的B源和N源为氨硼烷,所采用的载气为Ar和H2的混合气体,Ar与H2的体积比为8:1~10:1,载气的流量为500sccm~600sccm;
所述BN层的沉积温度为1000℃~1100℃。
作为上述技术方案的改进,所述MoS2层通过CVD法制得,沉积过程中所采用的Mo源为MoO3,所采用的S源为硫磺,S源与Mo源的摩尔比为150:1~350:1;所采用的载气为Ar,其流量为50sccm~100sccm;
所述MoS2层的沉积温度为750℃~850℃。
作为上述技术方案的改进,所述Si3N4层通过MOCVD法制得,其生长温度为500℃~600℃,生长压力为100torr~500torr。
作为上述技术方案的改进,所述非掺杂GaN层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一非掺杂GaN层、Si3N4过渡层和第二非掺杂GaN层;
所述第一非掺杂GaN层的生长温度为800℃~900℃,生长压力为400torr~600torr,V/III比为2000~4000;
所述Si3N4过渡层的生长温度为550℃~800℃,生长压力为100torr~500torr;
所述第二非掺杂GaN层的生长温度为1000℃~1100℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为300~1000。
实施本发明,具有如下有益效果:
本发明的发光二极管外延片中,缓冲层包括依次层叠于衬底上的BN层、MoS2层和Si3N4层。其中,BN层与MoS2层形成了二维异质堆叠,其层间通过范德华力连接,受晶格失配的影响小,有效降低了位错浓度、应力积累,提升了发光效率。Si3N4层可使后续非掺杂GaN横向生长趋势加强,进一步提升了晶体质量,切断了位错。基于上述的缓冲层后,有效弱化了多量子阱层内的压应变,提升了电子、空穴波函数的重叠概率,提升了发光效率,且降低了工作电压。
附图说明
图1是本发明一实施例中发光二极管外延片的结构示意图;
图2是本发明一实施例中非掺杂GaN层的结构示意图;
图3是本发明一实施例中发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面对本发明作进一步地详细描述。
参考图1,本发明公开了一种发光二极管外延片,其包括衬底1、依次层叠于衬底1上的缓冲层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、应力释放层5、多量子阱层6、电子阻挡层7和P型GaN层8。其中,缓冲层2包括依次层叠于衬底1上的BN层21、MoS2层22和Si3N4层23,基于上述的缓冲层2,可有效弱化多量子阱层6中的极化场,提升发光二极管外延片的发光效率。
其中,BN层21的厚度为2nm~25nm,当其厚度<2nm时,MoS2层22难以形成大面积薄膜结构,难以形成二维堆叠,进而难以有效阻挡位错,调节应力。当其厚度>25nm时,制备时间较长。示例性的,BN层21的厚度为4nm、8nm、12nm、16nm、20nm或24nm,但不限于此。优选的,BN层21的厚度为2nm~20nm,更优选的为5nm~15nm。
其中,MoS2层22的厚度为5nm~40nm,当其厚度<5nm时,难以有效阻挡位错,缓解应力;当其厚度>40nm时,沉积时间过长。示例性的为8nm、13nm、18nm、23nm、28nm、33nm或36nm,但不限于此。优选的为10nm~30nm,更优选的为20nm~30nm。
其中,Si3N4层23的厚度为10nm~50nm,当其厚度<10nm时,难以有效引导后续非掺杂GaN层3的侧向生长,进而难以有效切断位错;当其厚度>50nm时,会形成连续膜层结构,也难以有效引导后续非掺杂GaN层3的侧向生长。优选的,Si3N4层的厚度为10nm~20nm,更优选的为15nm~20nm。
优选的,在本发明的一个实施例之中,BN层21的厚度与MoS2层22的厚度之比为1:(1~2),基于该比例,可进一步提升发光效率,且可使得工作电压下降。
其中,非掺杂GaN层的厚度为1μm~5μm,示例性的为1.6μm、2.2μm、2.8μm、3.4μm或4.2μm,但不限于此。
优选的,参考图2,在本发明的一个实施例之中,非掺杂GaN层3包括依次层叠于缓冲层2上的第一非掺杂GaN层31、Si3N4过渡层32和第二非掺杂GaN层33。其中,第一非掺杂GaN层31的厚度为0.5μm~1.5μm,示例性的为0.7μm、0.9μm、1.1μm或1.3μm,但不限于此。Si3N4过渡层32的厚度为10nm~30nm,示例性的为14nm、18nm、22nm、26nm或28nm,但不限于此。第二非掺杂GaN层33的厚度为1μm~2μm,示例性的为1.1μm、1.3μm、1.5μm、1.7μm或1.9μm,但不限于此。
其中,衬底1为蓝宝石衬底或硅衬底,优选的为蓝宝石衬底。本发明中的缓冲层2更适应于蓝宝石衬底。
其中,N型GaN层4的N型掺杂元素为Si或Ge,但不限于此。N型GaN层4的N型掺杂浓度为5×1018cm-3~5×1019cm-3,厚度为1μm~3μm。
其中,应力释放层5为周期性结构,其周期数为10~30。每个周期均包括依次层叠的InxGa1-xN层(x=0.02~0.1)和Si掺GaN层。其中,单个InxGa1-xN层的厚度为1.5nm~4nm,单个Si掺GaN层的厚度为5nm~10nm,Si掺杂浓度为1×1017cm-3~1×1018cm-3。
其中,多量子阱层6为交替堆叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层,堆叠周期数3~15。单个InGaN量子阱层的厚度为3nm~5nm,In组分占比为0.15~0.3。单个GaN量子垒层的厚度为5nm~15nm。优选的,在本发明的一个实施例之中,InGaN量子阱层中In组分占比为0.22~0.3,本发明可更好地提升高In组分的绿光、黄光发光二极管的发光效率。
其中,电子阻挡层7为AlGaN层或InAlGaN层,但不限于此。优选的为Mg掺AlGaN层,其Al组分占比为0.2~0.3。Mg掺杂浓度为1×1017cm-3~1×1019cm-3,厚度为30nm~100nm。
其中,P型GaN层8中的P型掺杂元素为Mg、Be或Zn,但不限于此。优选的为Mg。P型GaN层8中P型掺杂浓度为1×1019cm-3~1×1021cm-3。P型GaN层8的厚度为20nm~50nm。
相应的,参考图3,本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备上述的发光二极管外延片,其具体包括以下步骤:
S1:提供衬底;
S2:在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;
具体的,步骤S2包括:
S21:在衬底上生长缓冲层;
具体的,步骤S21包括:
S211:在衬底上生长BN层;
其中,可通过PVD、MOCVD或CVD生长BN层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过CVD沉积BN层。具体的,沉积过程中所采用的B源和N源为氨硼烷,所采用的载气为Ar和H2的混合气体,Ar与H2的体积比为(8~10):1,载气的流量为500sccm~600sccm;沉积温度为1000℃~1100℃。基于上述沉积条件,可在蓝宝石衬底上沉积得到晶体质量良好的二维连续薄膜,为后期MoS2层的制备提供良好的基础。
S212:在BN层上生长MoS2层;
其中,可通过PVD、CVD或ALD生长MoS2层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过CVD沉积MoS2层。通过这种方法,一者与BN层制备方法相同,无需多次更换生产设备,提升制备效率。二者,通过这种方法可以较高的沉积速率得到晶体质量良好的薄膜。
具体的,沉积过程中采用的Mo源为MoO3,所采用的S源为硫磺,S源与Mo源的摩尔比为(150~350):1;所采用的载气为Ar,其流量为50sccm~100sccm;沉积温度为750℃~850℃。
此外,需要说明的是,由于前期在蓝宝石衬底上生长了BN层,才能采用较高沉积速率的CVD法进行MoS2层的制备。若直接在蓝宝石衬底上生长MoS2层,则采用本发明上述的方法时容易形成裂纹,难以形成二维堆叠。而若在MoS2层底部生长传统的AlN层,则一者由于AlN层难以形成平整光滑的表面,导致MoS2层的晶格质量较差,二者由于晶格差异,还是会引入应力,降低发光效率,这在高In组分多量子阱层的绿色/黄色发光二极管中更为突出。
S213:在MoS2层上生长Si3N4层,得到缓冲层。
其中,可通过MOCVD、CVD、PECVD生长Si3N4层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长Si3N4层,其生长温度为500℃~600℃,生长压力为100torr~500torr。通过这种生长条件,可使得Si3N4层更趋向于岛状生长,从而引导后续非掺杂GaN层横向生长。
S22:在缓冲层上生长非掺杂GaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长非掺杂GaN层。其生长温度为1000℃~1150℃,生长压力为100torr~500torr。
优选的,在本发明的一个实施例之中,步骤S22包括:
S221:在缓冲层上生长第一非掺杂GaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长第一非掺杂GaN层。其生长温度为800℃~900℃,生长压力为400torr~600torr,V/III比(即N源与Ga源的摩尔比)为2000~4000。
S222:在第一非掺杂GaN层上生长Si3N4过渡层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长Si3N4过渡层,其生长温度为550℃~800℃,生长压力为100torr~500torr。
S223:在Si3N4过渡层上生长第二非掺杂GaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长第二非掺杂GaN层。其生长温度为1000℃~1100℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为300~1000。
S23:在非掺杂GaN层上生长N型GaN层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长N型GaN层。其生长温度为1050℃~1200℃,生长压力为100torr~500torr;
S24:在N型GaN层上生长应力释放层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD周期性生长InxGa1-xN层和Si掺GaN层,直至得到应力释放层。其中,InxGa1-xN层的生长温度为740℃~800℃,生长压力为100torr~500torr;Si掺GaN层的生长温度为780℃~850℃,生长压力为100torr~500torr。
S25:在应力释放层上生长多量子阱层;
其中,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD在应力释放层上周期性生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层,直至得到多量子阱层。其中,InGaN量子阱层的生长温度为700℃~800℃,生长压力为100torr~300torr。GaN量子垒层的生长温度为850℃~900℃,生长压力为100torr~300torr。
S26:在多量子阱层上生长电子阻挡层;
其中,可通过MOCVD、MBE或VPE生长电子阻挡层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长Mg掺AlGaN层,作为电子阻挡层,其生长温度为1000℃~1100℃,生长压力为100torr~300torr。
S27:在电子阻挡层上生长P型GaN层;
其中,可通过MOCVD、MBE或VPE生长P型GaN层,但不限于此。
优选的,在本发明的一个实施例之中,通过MOCVD生长P型GaN层,其生长温度为900℃~1000℃,生长压力为100torr~300torr。
下面以具体实施例对本发明进行进一步说明:
实施例1
参考图1,本实施例提供一种发光二极管外延片,其包括衬底1,依次层叠于衬底1上的缓冲层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、应力释放层5、多量子阱层6、电子阻挡层7和P型GaN层8。
其中,衬底1为蓝宝石衬底。
其中,缓冲层2包括依次层叠于衬底1上的BN层21、MoS2层22和Si3N4层23。BN层21的厚度为22nm,MoS2层22的厚度为35nm,Si3N4层23的厚度为40nm。
其中,非掺杂GaN层3的厚度为2.8μm。N型GaN层4的掺杂元素为Si,掺杂浓度为2×1019cm-3,其厚度为2.5μm。
其中,应力释放层5为周期性结构,周期数为18。每个周期均包括依次层叠的InxGa1-xN层(x=0.04)和Si掺GaN层,InxGa1-xN层的厚度为2nm,Si掺GaN层的厚度为6nm,Si掺浓度为6×1017cm-3。
其中,多量子阱层6为周期性结构,周期数为10,每个周期均包括依次层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层,InGaN量子阱层中In组分占比为0.25,厚度为3nm,GaN量子垒层的厚度为10nm。
其中,电子阻挡层7为Mg掺AlGaN层,其Al组分占比为0.22,Mg掺杂浓度为4×1017cm-3,厚度为80nm。P型GaN层8的掺杂元素为Mg,其掺杂浓度5×1020cm-3,其厚度为40nm。
本实施例中发光二极管外延片的制备方法包括以下步骤:
(1)提供衬底。
(2)在衬底上生长BN层;
其中,通过CVD沉积BN层。具体的,沉积过程中所采用的B源和N源为氨硼烷,所采用的载气为Ar和H2的混合气体,Ar与H2的体积比为8.5:1,载气的流量为550sccm;沉积温度为1050℃。
(3)在BN层上生长MoS2层;
其中,通过CVD沉积MoS2层。沉积过程中采用的Mo源为MoO3,所采用的S源为硫磺,S源与Mo源的摩尔比为220:1;所采用的载气为Ar,其流量为80sccm;沉积温度为760℃。
(4)在MoS2层上生长Si3N4层,得到缓冲层。
其中,通过MOCVD生长Si3N4层,其生长温度为550℃,生长压力为400torr。
(5)在缓冲层上生长非掺杂GaN层;
其中,通过MOCVD生长非掺杂GaN层。其生长温度为1100℃,生长压力为300torr。
(6)在非掺杂GaN层上生长N型GaN层;
其中,通过MOCVD生长N型GaN层,其生长温度为1130℃,生长压力为300torr。
(7)在N型GaN层上生长应力释放层;
具体的,通过MOCVD在N型GaN层上周期性生长InxGa1-xN层和Si掺GaN层,直至得到应力释放层。其中,InxGa1-xN层的生长温度为780℃,生长压力为300torr。Si掺GaN层的生长温度为800℃,生长压力为300torr。
(8)在应力释放层上生长多量子阱层;
其中,通过MOCVD在应力释放层上周期性生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层,直至得到多量子阱层。其中,InGaN量子阱层的生长温度为760℃,生长压力为200torr。GaN量子垒层的生长温度为880℃,生长压力为200torr。
(9)在多量子阱层上生长电子阻挡层;
其中,通过MOCVD生长Mg掺AlGaN层,作为电子阻挡层,其生长温度为1050℃,生长压力为200torr。
(10)在电子阻挡层上生长P型GaN层;
其中,通过MOCVD生长P型GaN层,其生长温度为960℃,生长压力为200torr。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于:
BN层21的厚度为10nm,MoS2层22的厚度为30nm,Si3N4层的厚度为18nm。
其余均与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例2的区别在于:
MoS2层22的厚度为18nm,Si3N4层的厚度为16nm。
其余均与实施例2相同。
实施例4
本实施例提供一种发光二极管外延片,其与实施例3的区别在于:
非掺杂GaN层3包括依次层叠于缓冲层2上的第一非掺杂GaN层31、Si3N4过渡层32和第二非掺杂GaN层33。其中,第一非掺杂GaN层31的厚度为1.2μm,Si3N4过渡层32的厚度为25nm。第二非掺杂GaN层33的厚度为2.5μm。
在本实施例中,非掺杂GaN层的制备方法为:
(i)在缓冲层上生长第一非掺杂GaN层;
其中,通过MOCVD生长第一非掺杂GaN层。其生长温度为860℃,生长压力为550torr,V/III比为3600。
(ii)在第一非掺杂GaN层上生长Si3N4过渡层;
其中,通过MOCVD生长Si3N4过渡层,其生长温度为700℃,生长压力为400torr。
(iii)在Si3N4过渡层上生长第二非掺杂GaN层;
其中,通过MOCVD生长第二非掺杂GaN层。其生长温度为1080℃,生长压力为100torr,V/III比为400。
其余均与实施例3相同。
对比例1
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于:
缓冲层为AlN层,其厚度为33nm,其通过PVD法制得。
其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于:
不包括BN层。相应的,也不包括该层的制备步骤。
其余均与实施例1相同。
对比例3
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于:
不包括MoS2层。相应的,也不包括该层的制备步骤。
其余均与实施例1相同。
对比例4
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于:
不包括Si3N4层。相应的,也不包括该层的制备步骤。
其余均与实施例1相同。
对比例5
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于:
以AlN层替代BN层,该AlN层通过PVD法制得。
其余均与实施例1相同。
对比例6
本对比例提供一种发光二极管外延片,其与实施例1的区别在于:
将BN层与MoS2层调换位置,相应的,制备方法中,也将两者的制备步骤调换。
其余均与实施例1相同。
将实施例1~实施例4,对比例1~对比例6得到的发光二极管外延片进行测试,具体方法如下:
将外延片制作成5mil×7mil的水平结构的芯片,测试其在20mA下发光功率以及正向工作电压。具体结果如下表所示:
由表中可以看出,当将传统的缓冲层(对比例1)替换为本发明的缓冲层(实施例1)后,提升了发光二极管外延片的发光效率,且小幅降低了其工作电压。
通过实施例1与对比例2~对比例4的对比可以看出,若去除本发明中缓冲层中的任一层,则无法达到有效提升发光效率,降低工作电压的效果。
通过实施例1与对比例5的对比可以看出,若替换本发明中的BN层为AlN层,则由于AlN层与MoS2层之间难以形成二维堆叠,故发光效率较低,工作电压较高。
通过实施例1与对比例6的对比可以看出,若变更本发明中缓冲层中各子层的位置,则无法达到本发明的技术效果。
以上所述是发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片,其特征在于,包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;
其中,所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的BN层、MoS2层和Si3N4层。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述BN层的厚度为2nm~20nm;所述MoS2层的厚度为10nm~30nm;所述Si3N4层的厚度为10nm~20nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述BN层的厚度为5nm~15nm;所述MoS2层的厚度为20nm~30nm;所述Si3N4层的厚度为15nm~20nm。
4.如权利要求1~3任一项所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述BN层的厚度与所述MoS2层的厚度之比为1:1~1:2。
5.如权利要求1~3任一项所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述非掺杂GaN层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一非掺杂GaN层、Si3N4过渡层和第二非掺杂GaN层;
所述第一非掺杂GaN层的厚度为0.5μm~1.5μm,所述Si3N4过渡层的厚度为10nm~30nm,所述第二非掺杂GaN层的厚度为1μm~2μm。
6.一种发光二极管外延片的制备方法,用于制备如权利要求1~5任一项所述的发光二极管外延片,其特征在于,包括:
提供衬底,在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;
其中,所述缓冲层包括依次层叠于所述衬底上的BN层、MoS2层和Si3N4层。
7.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述BN层通过CVD法制得,沉积过程中所采用的B源和N源为氨硼烷,所采用的载气为Ar和H2的混合气体,Ar与H2的体积比为8:1~10:1,载气的流量为500sccm~600sccm;
所述BN层的沉积温度为1000℃~1100℃。
8.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述MoS2层通过CVD法制得,沉积过程中所采用的Mo源为MoO3,所采用的S源为硫磺,S源与Mo源的摩尔比为150:1~350:1;所采用的载气为Ar,其流量为50sccm~100sccm;
所述MoS2层的沉积温度为750℃~850℃。
9.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述Si3N4层通过MOCVD法制得,其生长温度为500℃~600℃,生长压力为100torr~500torr。
10.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述非掺杂GaN层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一非掺杂GaN层、Si3N4过渡层和第二非掺杂GaN层;
所述第一非掺杂GaN层的生长温度为800℃~900℃,生长压力为400torr~600torr,V/III比为2000~4000;
所述Si3N4过渡层的生长温度为550℃~800℃,生长压力为100torr~500torr;
所述第二非掺杂GaN层的生长温度为1000℃~1100℃,生长压力为50torr~300torr,V/III比为300~1000。
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