CN109980061A - 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件 - Google Patents

采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件 Download PDF

Info

Publication number
CN109980061A
CN109980061A CN201910282654.0A CN201910282654A CN109980061A CN 109980061 A CN109980061 A CN 109980061A CN 201910282654 A CN201910282654 A CN 201910282654A CN 109980061 A CN109980061 A CN 109980061A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gan
substrate
epitaxy
monocrystal substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201910282654.0A
Other languages
English (en)
Inventor
王晓靁
刘家桓
宋高梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201910282654.0A priority Critical patent/CN109980061A/zh
Publication of CN109980061A publication Critical patent/CN109980061A/zh
Priority to PCT/CN2020/080585 priority patent/WO2020207234A1/zh
Priority to TW109203360U priority patent/TWM602727U/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了采用2D材料磊晶去疵单晶基板，在低成本GaN单晶基板或其他低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成，准同质材料单晶基板外延的条件范围为：晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大于1.5×10‑6℃‑1。本发明还公开了制备方法以及其制作组件。本发明可获得高质量GaN单晶基板，将外延及组件工序简化，使得采用的基板材料选择可能性更为宽广，制造成本大大降低，有利于市场推广应用。

Description

采用2D材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件
技术领域
本发明涉及LED的技术领域，特别涉及采用2D材料超薄中间层 同质或准同质磊晶去疵单晶基板，以及制备方法，和其制作组件。
背景技术
在发光二极管或雷射二极管(LD,laser diode)的组件制造过程 中，磊晶对产品的质量有重要的影响。其中对质量的影响甚至包含发 光效率、耐久度等。原因在于发光二极管尤其要求构成晶体激发时电 子与电洞彼此配合才可以顺利产生光子。相对地，如果在材料结构或 组织上产生缺陷，电子与电洞的相互结合过程中被缺陷阻碍的可能性 就会增加，导致发光效果的劣化。发光二极管主要的发光材料选用氮 化镓(GaN)，通常是以外延的方法生长在基板上，而所生产出的氮化 镓结晶结构和组织则很大部分受所采用的基板影响。为了增进上述发 光二极管的发光效率、耐久度以及其他关于发光二极管质量相关的特性，此技术领域通常在选择合适基板材料时考虑几种条件。通常，基 板的材料希望是能尽量减少缺陷密度的单晶材料，在晶体结构、晶格 常数(lattice constant)、热膨胀系数(CTE,coefficient of thermal expansion)与外延材料匹配才能尽可能避免在外延过程中影响发光 二极管的晶体质量。
依照目前技术，最常采用的基板材料是单晶的蓝宝石 (Sapphire)，主要是考虑其化学稳定性好、制造技术成熟等优点；并 且由于近年产能增加，蓝宝石基板相对其他替代品，如：氮化铝(AlN)， 甚至氮化镓(GaN)基板等，更符合经济要求。但由于蓝宝石在晶体结构、晶格常数(lattice constant)、热膨胀系数(CTE,coefficient of thermalexpansion)与外延材料匹配上不尽理想，导致GaN或AlGaN 外延层缺陷密度偏高影响了雷射二极管(LD,laser diode)方面的应 用以及紫外光发光二极管(UV LED)的性能提升；其中属于深紫外光范 围的UVC LED发光波长最具有消毒杀菌的效能，除将有效取代现行低效耗能并有害环境的汞灯之外，更将在民生及日常消毒杀菌应用中有 极大发展潜能，但目前最适于UV LED的氮化铝基板量产技术存在瓶 颈，UVC LED开发主要仍着力于匹配度不佳的蓝宝石基板，导致性能 提升存在极大障碍。
氮化铝和氮化镓的熔点均在摄氏两千五百度以上且存在蒸气压 高问题，换言之，若想要直接以熔融长晶的方法制作前述两种材料的 单晶基板，则不只制造成本更高，也相对会产生更多废热，对环境造 成不可避免的污染。气相法长晶部分，目前氮化镓长晶采用的是氢化 物气相外延法(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)来生产单晶氮 化镓基板，由于生产成本及产率条件等限制，目前量产技术达到4英 寸基板同时成本极高。事实上，上述气相法缺陷密度仍然偏高于其他 液相长晶工序，但受限于其余工序长晶速率过于缓慢，量产成本更为 高昂，在市场需求、组件性能以及基板成本与供应量折衷考虑之下， 商转主流仍限于HVPE法。文献指出气相法GaN长晶速率仍有提高数 倍的可能并维持良好结晶性，但受限于缺陷密度劣化，目前并未能作 为降低GaN基板成本的取向。至于氮化铝长晶技术，采用的是气相法 之一的物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)来生产单 晶氮化铝基板，由于生产技术及良率限制，全球仅两家厂家有量产能 力，目前量产技术仅达到2英寸基板同时成本极高，而产能全由少数 厂商占有无法广泛供应市场。由于氮化铝本身化学特性以及物理气相 传输法硬件零组件限制，单晶成品中一定程度的碳(C)与氧(O)杂质存 在为不可避免，也一定程度影响组件特性。
表1
氧化锌(ZnO)单晶材料就结晶构造、热性质和晶格常数而言，都 是前项中较为合适的基板材料选择，因此吸引了技术开发者投入研 究。不过氧化锌今日在技术领域中并不被广泛采用，其中主要的原因 包括氧化锌的化学活性高，容易在随后的外延过程中受到含氢物质的 侵蚀导致外延层质量低劣，如图1所示，在外延工序时会发生氢蚀刻 氧化锌基板同时锌快速扩散进入外延层导致外延品质不佳，调整制程 改善外延质量却仍然发生锌与氧扩散、掺杂入发光二极管的晶粒中， 造成发光特性不符合预期，使得该种结构无法符合实际市场需求。
同样的情形，也可能存在于目前使用中的其他光电组件基板-外 延组合中，例如碳化硅(SiC)或砷化镓(GaAs)等；其中单晶碳化硅基 板是目前高性能功率半导体以及高端发光二极管的基板材料，单晶长 晶工序为气相法中的物理气相传输法(Physical VaporTransport, PVT)，高质量大尺寸碳化硅单晶成长技术难度高，高端量产技术掌握 在少数厂商手中，影响所及应用成本仍有很大进步空间。
二维材料(two-dimensional(2D)materials)是一个快速发展的 新兴领域，2D材料家族中最早吸引大量研发投入也最知名的材料为 石墨烯(graphene),其二维层状结构具备特殊或优异的物理/化学/ 机械/光电特性，层与层间则没有强力的键结存在，仅以范德华力结 合，这也表示层状结构表面没有空悬键(dangling bond)存在，目前 石墨烯已被确认具有广泛而优异的应用潜能；石墨烯研发工作于全球 普遍开展，同时也带动更多2D材料的研发，包括六方氮化硼 hBN(hexagonal Boron Nitride)、过渡金属二硫族化物TMDs(transition metal dichalcogenides)以及黑磷black phosphorus 等也是2D材料家族中累积较多研发成果者,如图2和图3所示，上 述材料均各自具备特异的材料特性与应用潜能,相关材料的制造技 术开发也持续积极推展中。除了优异的光电特性之外,石墨烯、hBN以及TMDs材料之一的MoS2都被视为具有优异的扩散阻障特性,也有 程度不一的高温稳定性,尤其hBN更具有绝佳的化学钝性(inertness) 以及高温耐氧化性。
由于具备上述层状结构本质以及层间范德华力结合特性,将2D 材料家族中两种或多种材料制作成层状堆栈异质结构 (hetero-structures)技术可行性大开,异质结构除了结合不同特性 更创造出新的应用特性或制作出新的组件成为可能,目前光电及半 导体领域的研发相当积极，如图4a、4b所示是机械性组成迭层的示 意图，图5a、5b所示是物理或化学气相沉积的示意图。
2D材料的范德华力结合特性也获得应用于传统3D材料的外延基 板用途的关注，其着眼点在于外延技术中外延材料在晶体结构、晶格 常数(lattice constant)、热膨胀系数(CTE,coefficient of thermal expansion)必须与基板材料匹配非常良好，但现实上常遭遇如本发明 主题欠缺适合基板材料，或者是理想的基板材料成本偏高或不容易取 得等情形，此时2D材料对于异质外延基板提供了另一种解决方案， 也就是所谓的范德华外延(van der Waals Epitaxy)。范德华外延可 能有利于异质外延的机制来自于传统外延接口直接的化学键改由范 德华力结合所取代，将使得来自于外延工序中晶格以及热膨胀不匹配 的应力或应变能因此获得一定程度的舒缓，从而使得外延层质量获得 改善,或者说藉由2D材料以及范德华外延导入可以使某些原先无法 实用化的异质外延技术成为可能。相关研究也指出,当上述2D材料 相互迭层异质结构时,相互间作用力以范德华力为主；而在2D材料 上进行3D材料的外延时，由于接口上3D材料的空悬键(dangling bond)存在同时对接口的结合力有贡献，这种外延实质上并非纯粹范 德华外延(van der Waals Epitaxy)或者更精确地可视为准范德华外 延(Quasi van der Waals Epitaxy)；不论何种情形，晶格与热膨胀 的匹配程度，无疑地仍对最终的外延质量起了一定的作用，2D材料 中介层与基板材料都对整体的匹配度有所贡献。上述2D层状材料具 有六角形或蜂巢狀(hexagon orhoneycomb)结构，与纤锌矿 (Wurtzite)和闪锌矿(Zinc-Blende)结构材料在外延时被视为结 构兼容，本发明相关领域主要外延材料均属此类结构。
以蓝光雷射二极管量产为例，由于雷射二极管组件特性对外延主 动层缺陷密度非常敏感，依照目前技术，采用的基板材料为气相法之 一的氢化物气相外延法(HydrideVapor Phase Epitaxy，HVPE)生产 的单晶氮化镓(GaN)基板，由于生产成本及产率条件等限制，目前量 产技术达到4英寸基板同时成本极高。事实上，上述气相法缺陷密度 仍然偏高于其他液相长晶工序，但受限于其余工序长晶速率过于缓 慢，量产成本更为高昂，在市场需求、组件性能以及基板成本与供应 量折衷考虑之下，商转主流仍限于HVPE法。
表2是不同条件下，各种GaN晶体生长方法的对比(1atm＝1.01325 ×105Pa，1inch＝2.54cm)。
如图6所示，是现有工艺在高质量GaN单晶基板直接外延成长高 质量GaN或GaN基外延层，但目前在GaN单晶基板成本极高的前提之 下，商转主流折衷采用HVPE法GaN单晶基板,缺陷密度相较于其他液 相长晶工序GaN单晶或蓝宝石单晶基板高了约102到104倍。
如前所述，HVPE等气相法GaN长晶速率仍有提高数倍的可能并 维持良好结晶性，但受限于缺陷密度劣化，目前并未能作为降低GaN 基板成本的取向。如果能放宽长晶条件限制以提升产效，所产制的 GaN单晶基板成本将可有效降低，成为高缺陷密度但相对低成本的 GaN单晶基板。实际上，在2D材料表面已成功实现高结晶性(XRD FWHM 可达～200arcsec)的GaN外延成长；而2D材料层本身具有的阻障特 性以及与3D材料间主要由范德华力结合，均将有效阻隔基板材料中 的缺陷(错位、杂质等)对外延层质量的损害；外延基板的主体与外延 层仍为同质GaN时，晶格热性质的匹配也获得保证，维系了同质外延 的有利基础。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种采用2D材料磊 晶去疵单晶基板。
本发明还提供了上述单晶基板的制备方法，和上述单晶基板的制 作组件。
为了达成上述目的，本发明的解决方案是：
采用2D材料磊晶去疵单晶基板，在低成本GaN单晶基板(例如 来自于放宽长晶条件限制以提升产效，如HVPE法提高长晶速率)或 其他低成本(即制造成本低于现行HVPEGaN)的GaN准同质材料单 晶基板(例如：ZnO等材料)上采用阻隔效果佳的2D材料范德华外延(VDWE)生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华 外延生长高质量(即高结晶性，XRD FWHM可低于400arcsec)GaN或 GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层 形成，准同质材料单晶基板外延(Quasi-homogeneous epitaxy)的条件范围为：晶格常数不匹配度(lattice constant misfit)不大 于5％以及热膨胀系数(CTE,coefficient of thermal expansion)差 异不大于1.5×10-6℃-1。
所述2D材料超薄层的厚度范围在0.5nm到1000nm。
所述2D材料超薄层为阻隔效果佳的单一材料，如六方氮化硼 hBN、石墨烯(graphene)。
所述2D材料超薄层为复合层结构，顶层采用与GaN晶格匹配佳 或高表面能有利于外延的2D材料，如WS2或MoS2，而底层采用阻隔效 果佳的2D材料，如六方氮化硼hBN、石墨烯(graphene)。
所述基板和中介层之间加入金属催化层，金属催化层总厚度范围 在0.5nm到3000nm，金属催化层包括Fe、Co、Ni、Au、Ag、Cu、W、 Mo、Ru或Pt等。
采用2D材料磊晶去疵单晶基板的制备方法，步骤如下：
第一步，对基板材料进行外延成长等级抛光作为起始材料，并经 由适当前处理(含芯片清洗)作为后续制造程序的准备；
第二步，利用范德华外延(van der Waals Epitaxy)或准范德华 外延(Quasi vander Waals Epitaxy)技术，将阻隔效果佳的2D材料 覆盖在基板材料表面作为中介层；
第三步，利用范德华外延(van der Waals Epitaxy)或准范德华 外延(Quasi vander Waals Epitaxy)技术，在中介层上成长高质量 GaN或GaN基外延层。
所述第二步，在基板材料表面进行单层或复合层2D材料覆盖。
所述第二步，2D材料覆盖基板材料表面是采用成长(growth)、 沉积(deposition)、转移(transfer)或涂覆(coating)等工序，单层 或多层总厚度范围在0.5nm到1000nm。
所述第一步和第二步之间，根据2D材料成长需求，在适时加入 金属催化层等制造工序。金属催化层总厚度范围在0.5nm到3000nm。 所述2D材料覆盖基板材料表面的成长或沉积工序可能需要有包括 Fe、Co、Ni、Au、Ag、Cu、W、Mo、Ru或Pt等金属催化层先行成长 或沉积在基板表面，也可能需要热处理工序。
本发明可以使用前述方法直接制成表面为高质量GaN外延层的 GaN模板(GaNtemplate)成品；也可以将前述方法制成的表面高质量 GaN外延层剥离原基板，再与其他基板材料贴合后进行必要工序制成 组件或与其他基板材料贴合后成为GaN模板成品。
采用上述方案后，本发明采用阻隔效果佳的2D材料覆盖基板材 料表面作为高质量GaN外延的中介层，进行范德华外延或准范德华外 延技术应用，2D材料超薄层作为阻障层，来阻隔基板材料中的缺陷 对外延层质量以及组件性能造成的损害，基板中的缺陷包括点缺陷 (如氧离子或其他杂质)和线缺陷(如错位)，可获得高质量GaN单 晶基板，将外延及组件工序简化，使得采用的基板材料选择可能性更 为宽广，制造成本大大降低，有利于市场推广应用。
附图说明
图1是氧化锌基板在外延过程中受侵蚀示意图；
图2是二维材料过渡金属二硫族化物TMDs的结构示意图；
图3是二维材料六方氮化硼hBN的结构示意图；
图4a、4b是机械性组成迭层的示意图；
图5a、5b是物理和化学气相沉积的示意图；
图6是现有GaN单晶基板生长示意图；
图7是本发明的实施例一结构示意图；
图8是本发明的实施例二结构示意图；
图9是本发明制作组件的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
如图7和图8所示，本发明揭示的采用2D材料磊晶去疵单晶基 板，是在低成本GaN单晶基板1或其他低成本的GaN准同质材料单晶 基板1上，采用阻隔效果佳的2D材料范德华外延(VDWE)生长2D材料 超薄层3作为中介层，在2D材料超薄层3上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层2。
其中，所谓低成本GaN单晶基板1是指来自于放宽长晶条件限制 以提升产效获得的GaN单晶基板，如HVPE法提高长晶速率获得的GaN 单晶基板。所谓其他低成本的GaN准同质材料单晶基板1是指ZnO等 制造成本低于现行HVPE GaN的材料。准同质材料单晶基板1外延的 条件范围为：晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大 于1.5×10-6℃-1。2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭 层形成。所谓高质量GaN或GaN基外延层2是指高结晶性，XRD FWHM (XRD图谱半峰全宽)可低于400arcsec(弧度秒)。2D材料超薄层3 的单层或多层厚度范围在0.5nm到1000nm。图7所示的2D材料超薄 层3为阻隔效果佳的单一材料，如六方氮化硼hBN、石墨烯 (graphene)。图8所示的2D材料超薄层3为复合中介层，顶层31采 用与GaN晶格匹配佳或高表面能有利于外延的2D材料，如WS2或MoS2， 而底层32采用阻隔效果佳的2D材料，如六方氮化硼hBN、石墨烯 (graphene)。各种材料晶格常数如表3。
表3
材料 晶格常数a(nm)
六方氮化硼hBN 0.25
石墨烯graphene 0.246
WS<sub>2</sub> 0.318
MoS<sub>2</sub> 0.3161
WSe<sub>2</sub> 0.3297
MoSe<sub>2</sub> 0.3283
本发明采用阻隔效果佳的2D材料超薄层3或底层32作为阻障层 (barrier)来阻隔基板材料中的缺陷对外延层质量以及组件性能造 成损害，基板中的缺陷包括点缺陷(如氧离子或其它杂质)和线缺陷 (如错位)，可获得高质量GaN单晶基板，将外延及组件工序简化， 使得采用的基板材料选择可能性更为宽广，制造成本大大降低，有利 于市场推广应用。
为了获得更佳的结构，本发明可在2D材料覆盖基板1材料的表 面增加金属催化层4，金属催化层4可以包括Fe、Co、Ni、Au、Ag、 Cu、W、Mo、Ru或Pt等，金属催化层4先行成长或沉积在基板1表 面,也可能需要热处理工序，金属催化层4总厚度范围在0.5nm到 3000nm。
本发明还揭示了采用2D材料磊晶去疵单晶基板的制备方法，步 骤如下：
第一步，对基板1(芯片)材料进行外延成长等级抛光作为起始材 料，并经由适当前处理(含芯片清洗)作为后续制造程序的准备。
第一步之后，第二步之前，可根据2D材料成长需求，在适时加 入金属催化层4等制造工序。所述2D材料覆盖基板1材料表面的成 长或沉积工序可能需要有包括Fe、Co、Ni、Au、Ag、Cu、W、Mo、Ru 或Pt等金属催化层4先行成长或沉积在基板1表面，也可能需要热 处理工序。金属催化层4总厚度范围在0.5nm到3000nm。
第二步，利用范德华外延或准范德华外延技术，将阻隔效果佳的 2D材料覆盖在基板1材料表面作为中介层；可以是单层或复合层2D 材料超薄层2覆盖。2D材料覆盖基板1材料表面可以采用既存的工 序,包括成长、沉积、转移、涂覆等，以及相关必要的前处理与后处 理工序。单层或多层总厚度范围在0.5nm到1000nm。
第三步，利用范德华外延或准范德华外延技术，在中介层上成长 高质量GaN或GaN基外延层2。
使用本发明方法所制作的各种光电半导体组件产品，如图9所 示，可以使用前述方法直接制成表面为高质量GaN外延层的GaN模板 (GaN template)成品；也可以将前述方法制成的表面高质量GaN外延 层剥离原基板，再与其他基板材料贴合后进行必要工序制成组件或与 其他基板材料贴合后成为GaN模板成品。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非对本发明的限制。应当 指出，本领域的技术人员在阅读完本说明书后，依本案的设计思路所 做的等同变化，均落入本案的保护范围。

Claims (10)

1.采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：在低成本GaN单晶基板或低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成，准同质材料单晶基板外延的条件范围为：晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大于1.5×10-6℃-1。
2.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述2D材料超薄层的厚度范围在0.5nm到1000nm。
3.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述2D材料超薄层为具阻隔效果的单一材料；或者所述2D材料超薄层为复合层结构，顶层采用与GaN晶格匹配或高表面能的2D材料，而底层具采用阻隔效果的2D材料。
4.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述高质量GaN或GaN基外延层是指高结晶性，XRD FWHM低于400arcsec。
5.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述基板和中介层之间加入金属催化层，金属催化层总厚度范围在0.5nm到3000nm，金属催化层包括Fe、Co、Ni、Au、Ag、Cu、W、Mo、Ru或Pt。
6.如权利要求1至5任一项所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于制备方法的步骤如下：
第一步，对基板材料进行外延成长等级抛光作为起始材料，并经由适当前处理作为后续制造程序的准备；
第二步，利用范德华外延或准范德华外延技术，将具阻隔效果的2D材料覆盖在基板材料表面作为中介层；
第三步，利用范德华外延或准范德华外延技术，在中介层上成长高质量GaN或GaN基外延层。
7.如权利要求6所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于所述第二步，在基板材料表面进行单层或复合层2D材料覆盖，单层或多层总厚度范围在0.5nm到1000nm。
8.如权利要求6所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于所述第一步和第二步之间，根据2D材料成长需求，加入金属催化层制造工序，金属催化层总厚度范围在0.5nm到3000nm，所述金属催化层先行成长或沉积在基板表面。
9.应用如权利要求1至5任一项所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，直接制成表面为高质量GaN外延层的GaN模板成品。
10.应用如权利要求1至5任一项所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，将制成的表面高质量GaN外延层剥离原基板，再与其他基板材料贴合后进行必要工序制成组件或与其他基板材料贴合后成为GaN模板成品。
CN201910282654.0A 2019-04-10 2019-04-10 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件 Withdrawn CN109980061A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910282654.0A CN109980061A (zh) 2019-04-10 2019-04-10 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件
PCT/CN2020/080585 WO2020207234A1 (zh) 2019-04-10 2020-03-23 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件
TW109203360U TWM602727U (zh) 2019-04-10 2020-03-24 採用2d材料磊晶去疵單晶基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910282654.0A CN109980061A (zh) 2019-04-10 2019-04-10 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109980061A true CN109980061A (zh) 2019-07-05

Family

ID=67083770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910282654.0A Withdrawn CN109980061A (zh) 2019-04-10 2019-04-10 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN109980061A (zh)
TW (1) TWM602727U (zh)
WO (1) WO2020207234A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111009602A (zh) * 2020-01-03 2020-04-14 王晓靁 具有2d材料中介层的外延基板及制备方法和制作组件
WO2020207234A1 (zh) * 2019-04-10 2020-10-15 王晓靁 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件
CN112436380A (zh) * 2020-11-19 2021-03-02 清华大学 基于范德华外延的垂直腔面发射激光器及其制作方法
CN116885067A (zh) * 2023-09-06 2023-10-13 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11224856A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Sony Corp ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体成長用基板
CN104538526A (zh) * 2014-12-24 2015-04-22 北京中科天顺信息技术有限公司 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法
CN104637794A (zh) * 2015-01-27 2015-05-20 北京中科天顺信息技术有限公司 一种氮化物led垂直芯片结构及其制备方法
CN109585270A (zh) * 2018-11-15 2019-04-05 中国科学院半导体研究所 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构
CN210120150U (zh) * 2019-04-10 2020-02-28 王晓靁 采用2d材料磊晶去疵单晶基板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110010729A (zh) * 2019-03-28 2019-07-12 王晓靁 RGB全彩InGaN基LED及其制备方法
CN109980061A (zh) * 2019-04-10 2019-07-05 王晓靁 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11224856A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Sony Corp ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体成長用基板
CN104538526A (zh) * 2014-12-24 2015-04-22 北京中科天顺信息技术有限公司 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法
CN104637794A (zh) * 2015-01-27 2015-05-20 北京中科天顺信息技术有限公司 一种氮化物led垂直芯片结构及其制备方法
CN109585270A (zh) * 2018-11-15 2019-04-05 中国科学院半导体研究所 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构
CN210120150U (zh) * 2019-04-10 2020-02-28 王晓靁 采用2d材料磊晶去疵单晶基板

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020207234A1 (zh) * 2019-04-10 2020-10-15 王晓靁 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件
CN111009602A (zh) * 2020-01-03 2020-04-14 王晓靁 具有2d材料中介层的外延基板及制备方法和制作组件
WO2021135953A1 (zh) * 2020-01-03 2021-07-08 王晓靁 具有2d材料中介层的外延基板及制备方法和制作组件
CN111009602B (zh) * 2020-01-03 2023-03-28 王晓靁 具有2d材料中介层的外延基板及制备方法和制作组件
CN112436380A (zh) * 2020-11-19 2021-03-02 清华大学 基于范德华外延的垂直腔面发射激光器及其制作方法
CN116885067A (zh) * 2023-09-06 2023-10-13 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWM602727U (zh) 2020-10-11
WO2020207234A1 (zh) 2020-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109980061A (zh) 采用2d材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件
CN111009602B (zh) 具有2d材料中介层的外延基板及制备方法和制作组件
CN104409587B (zh) 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
CN110010729A (zh) RGB全彩InGaN基LED及其制备方法
US7615420B2 (en) Method for manufacturing indium gallium aluminium nitride thin film on silicon substrate
US10014436B2 (en) Method for manufacturing a light emitting element
CN103633200B (zh) 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
CN101267008A (zh) 具三族氮化合物半导体缓冲层的光电半导体组件和其制造方法
CN210120150U (zh) 采用2d材料磊晶去疵单晶基板
CN103996764B (zh) 生长在Ag衬底的LED外延片及其制备方法和应用
CN103996611B (zh) 一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用
CN103996610B (zh) 一种生长在金属铝衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用
CN210984756U (zh) 具有2d材料中介层的外延基板
CN105098008A (zh) 一种含三元超晶格的GaN基LED外延结构及其制备方法
CN115172537A (zh) 一种柔性深紫外led外延结构及其制备方法
CN101304063A (zh) 发光二极管的制作方法
CN210897327U (zh) 硅基应力协变衬底及垂直结构氮化镓led
CN105633232B (zh) 一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法
CN106299068B (zh) 基于Os衬底的外延结构及其制作方法
CN206422089U (zh) 生长在玻璃衬底上的GaN薄膜
CN105742424B (zh) 一种在金属Al衬底上外延生长的GaN薄膜及其制备方法
KR100834698B1 (ko) 질화 갈륨 박막 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 질화갈륨 박막 기판
CN103996758A (zh) 生长在Cu衬底的LED外延片及其制备方法和应用
US20240038931A1 (en) Epitaxial Substrate Having a 2D Material Interposer, Method for Manufacturing the Epitaxial Substrate, and Device Prepared from the Epitaxial Substrate
CN204130574U (zh) 一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20190705

WW01 Invention patent application withdrawn after publication