CN116600989A - 脱模膜和电子部件装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种脱模膜，其依次具有基材层、导电层和脱模层，所述脱模层包含聚丙烯腈粒子。
Description
技术领域
本公开涉及脱模膜和半导体封装体的制造方法。
背景技术
近年来，随着电子设备、特别是手机的薄型化发展，对半导体元件等电子部件也要求进一步的薄型化。另外，从提高散热性的观点出发，采用使电子部件表面的一部分露出的露出成形(Exposed Die Molding)来代替利用密封树脂覆盖电子部件整体的包覆成形(Over Molding)的情况正在增加。
在以成为电子部件的一部分露出的状态的方式密封电子部件时，需要防止密封材料向电子部件的露出部泄漏(飞边毛刺)。因此，进行以下操作：在电子部件的露出部分粘贴有具有脱模性的膜(脱模膜)的状态下进行密封，然后剥离脱模膜而使电子部件的表面露出。
作为这样的脱模膜，例如在日本特开2006-49850号公报中记载了在由拉伸聚酯树脂膜构成的基材膜的至少单面层叠由氟树脂构成的膜而成的层叠膜。
发明内容
发明所要解决的课题
在脱模膜由容易带电的材质构成的情况下，在使脱模膜与电子部件接触时或将脱模膜从电子部件剥离时会发生放电，有可能发生电子部件的静电破坏。近年来，随着半导体元件的高集成化，工艺节点的微细化不断发展，发生电子部件的静电破坏的可能性正不断提高。
鉴于上述情况，本公开的一个方式的课题在于提供一种抗静电性能优异的脱模膜。本发明的另一方式的课题在于提供一种使用了该脱模膜的半导体封装体的制造方法。
用于解决课题的方法
用于解决上述课题的方法包括以下的实施方式。
<1>一种脱模膜，其依次具有基材层、导电层和脱模层，上述脱模层包含聚丙烯腈粒子。
<2>根据<1>所述的脱模膜，上述聚丙烯腈粒子的平均粒径A与脱模层的厚度B之比(A/B)大于0.7。
<3>根据<1>或<2>所述的脱模膜，上述聚丙烯腈粒子的含有率大于或等于上述脱模层整体的10质量％。
<4>根据<1>～<3>中任一项所述的脱模膜，上述脱模层包含粘着剂。
<5>根据<1>～<4>中任一项所述的脱模膜，其用于暂时保护物体表面的至少一部分。
<6>根据<1>～<5>中任一项所述的脱模膜，其用于露出成形。
<7>一种电子部件装置的制造方法，其具备：在<1>～<6>中任一项所述的脱模膜与电子部件表面的至少一部分接触的状态下将电子部件周围密封的工序、以及将上述脱模膜从上述电子部件剥离的工序。
发明效果
根据本公开的一个方式，提供一种抗静电性能优异的脱模膜。根据本公开的另一方式，提供使用了该脱模膜的电子部件装置的制造方法。
附图说明
图1是概略地表示脱模膜的构成的图。
具体实施方式
以下，对用于实施本公开的方式进行详细说明。但是，本公开并不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中，其构成要素(也包括要素步骤等)除了特别明示的情况以外，并不是必须的。对于数值及其范围也是同样的，并不限制本公开。
在本说明书中，“工序”这一用语中，除了独立于其他工序的工序以外，即使在无法与其他工序明确区别的情况下，只要能够实现该工序的目的，也包括该工序。
在本说明书中，在使用“～”表示的数值范围中，“～”的前后所记载的数值分别作为最小值和最大值而包含。
在本说明书中阶段性地记载的数值范围中，在一个数值范围中记载的上限值或下限值也可以置换为其他阶段性地记载的数值范围的上限值或下限值。另外，在本说明书中记载的数值范围中，该数值范围的上限值或下限值可以置换为实施例所示的值。
本说明书中，在组合物中存在多种相当于各成分的物质的情况下，只要没有特别说明，组合物中的各成分的含有率或含量则是指组合物中存在的该多种物质的合计的含有率或含量。
本说明书中，在组合物中存在多种相当于各成分的粒子的情况下，只要没有特别说明，组合物中的各成分的粒径则是指针对组合物中存在的该多种粒子的混合物的值。
在本说明书中，“层”这一用语中，除了在观察该层存在的区域时形成于该区域整体的情况之外，还包括仅形成于该区域的一部分的情况。
在本说明书中，脱模膜或构成脱模膜的各层的厚度可以通过公知的方法测定。例如，可以使用千分表等进行测定，也可以由脱模膜的截面图像进行测定。或者，也可以使用溶剂等除去构成层的材料，根据除去前后的质量、材料的密度、层的面积等算出。在层的厚度不固定的情况下，将在任意5点测定的值的算术平均值作为层的厚度。
在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和甲基丙烯酸中的任一者或两者，“(甲基)丙烯酸酯”是指丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯中的任一者或两者。
<脱模膜>
本公开的脱模膜是依次具有基材层、导电层和脱模层且上述脱模层包含聚丙烯腈粒子的脱模膜。
上述构成的脱模膜显示优异的抗静电性能。具体而言，除了在基材层与脱模层之间具有导电层以外，脱模层还包含聚丙烯腈粒子，由此显示优异的抗静电性能。
作为通过脱模层包含聚丙烯腈粒子从而使抗静电性能提高的理由，可认为：通过聚丙烯腈粒子中所含的氮原子的非共用电子对，可对脱模层赋予导电性。
图1中概略地示出具有基材层、脱模层和导电层的脱模膜的构成的一例。图1所示的脱模膜40具备基材层10、脱模层20以及配置于基材层10与脱模层20之间的导电层30。
通过脱模膜具有基材层，可赋予脱模膜所需的强度，并且通过适当选择其材质，能够调整伸长率、弹性模量等物性。
通过脱模膜具有脱模层，能够容易地将脱模膜从被粘面剥离。
通过脱模膜具有导电层，能够抑制脱模膜的粘贴或剥离时的放电，有效地抑制电子部件的静电破坏等的发生。
脱模膜的整体厚度没有特别限制，可以根据所期望的物性(伸长率、弹性模量等)来设定。例如，可以为30μm～300μm，也可以为35μm～250μm，还可以为40μm～200μm。
(基材层)
基材层的材质没有特别限制。例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯醚、聚酰胺酰亚胺、含氟树脂、热塑性弹性体等树脂。基材层中所含的树脂可以仅为1种，也可以为2种以上。
从膜的处理性的观点出发，脱模膜优选具有一定程度的韧性。因此，基材层优选包含聚酯，更优选包含聚对苯二甲酸乙二醇酯。
基材层可以实施拉伸处理，也可以不实施拉伸处理。若实施了拉伸处理，则存在脱模膜的强度优异的倾向，若未实施拉伸处理，则存在脱模膜的拉伸性优异的倾向。
基材层的厚度没有特别限定，优选为大于或等于10μm，更优选为大于或等于20μm，进一步优选为大于或等于30μm。基材层的厚度大于或等于10μm时，脱模片不易破损，操作性优异。
基材层的厚度优选为小于或等于300μm，更优选为小于或等于200μm，进一步优选为100μm。基材层的厚度小于或等于300μm时，可充分得到对被粘面的追随性(根据被粘面的形状而变形的性质)。
基材层可以仅由1层构成，也可以由2层以上构成。作为得到由2层以上构成的基材层的方法，可列举出利用共挤出法将各层的材料挤出而制作的方法、层压2片以上的膜的方法等。
在脱模膜包含导电层的情况下，可以对基材层的设置导电层的一侧的面实施用于提高对导电层的密合力的处理。作为处理的方法，可列举出电晕处理、等离子体处理等表面处理、底涂剂(底漆)的涂布等。
根据需要，可以在基材层的背面(与粘贴于被粘面的一侧相反的面)赋予用于调节脱模膜从辊的卷出性的背面处理剂。作为背面处理剂，可列举出有机硅树脂、含氟树脂、聚乙烯醇、具有烷基的树脂等。根据需要，这些背面处理剂可以进行改性处理。背面处理剂可以仅使用1种，也可以并用2种以上。
(脱模层)
脱模层只要包含聚丙烯腈粒子即可，其材质没有特别限制。从对被粘面的密合性的观点出发，脱模层优选具有粘着性。作为对脱模层赋予粘着性的方法，可以举出使脱模层含有粘着剂的方法。
粘着剂的种类没有特别限制，可以考虑粘着性、脱模性、耐热性等进行选择。具体而言，优选丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂及氨基甲酸酯系粘着剂，更优选丙烯酸系粘着剂。脱模层中所含的粘着剂可以仅为1种，也可以为2种以上。
丙烯酸系粘着剂优选为使作为主要单体的丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸2-乙基己酯等玻璃化转变温度(Tg)低(例如小于或等于-20℃)的单体与(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯腈等具有官能团的单体共聚而得到的共聚物(以下也称为丙烯酸共聚物)。上述“玻璃化转变温度”是使用相应的单体得到的均聚物的玻璃化转变温度。
丙烯酸共聚物可以是交联型丙烯酸共聚物。交联型丙烯酸共聚物可以通过使用交联剂使成为丙烯酸共聚物原料的单体交联来合成。作为交联型丙烯酸共聚物的合成中使用的交联剂，可以举出异氰酸酯化合物、三聚氰胺化合物、环氧化合物等公知的交联剂。另外，为了在丙烯酸系粘着剂中形成缓慢扩展的网眼状结构，交联剂更优选为3官能、4官能等多官能交联剂。
脱模层中所含的聚丙烯腈粒子的含有率优选为大于或等于脱模层整体的10质量％，更优选为大于或等于15质量％，进一步优选为大于或等于20质量％。聚丙烯腈粒子的含有率大于或等于脱模层整体的10质量％时，聚丙烯腈粒子作为脱模层的导电通路而充分地发挥功能，有得到充分的抗静电性能的倾向。
从抑制脱模层的凝聚破坏和在被粘面产生残渣的观点出发，聚丙烯腈粒子的含有率优选为小于或等于脱模层整体的50质量％，更优选为小于或等于40质量％，进一步优选为小于或等于30质量％。
从对脱模层赋予充分的导电性的观点出发，聚丙烯腈粒子的平均粒径A与脱模层的厚度B之比(A/B)优选大于0.7，更优选为大于或等于0.75，进一步优选为大于或等于0.8，进一步优选为大于或等于0.9，进一步优选为大于或等于0.95。
若聚丙烯腈粒子的平均粒径A与脱模层的厚度B之比(A/B)大于或等于0.75，则聚丙烯腈粒子作为导电通路而充分地发挥功能，有得到充分的抗静电性能的倾向。
从抑制聚丙烯腈粒子从脱模层脱离的观点出发，A/B优选为小于或等于2.0，更优选为小于或等于1.7。
脱模层的厚度B是在脱模膜的厚度方向上含有聚丙烯腈粒子的脱模层的厚度。在厚度不恒定的情况下，用SEM观察裁切脱模膜后得到的截面，将任意选择的5处的厚度的算术平均值作为脱模层的厚度B。
另外，在通过已知的分析方法来获知大致的树脂组成的情况下，可以如实施例中记载的那样，使用甲乙酮等溶剂除去脱模层，由除去前后的脱模膜的质量差、用溶剂除去的树脂的比重、以及作为不溶物残留的聚丙烯腈粒子的体积算出脱模层的厚度B。
聚丙烯腈粒子的平均粒径例如可以在1μm～50μm的范围内，可以在5μm～30μm的范围内，也可以在7μm～20μm的范围内。
在本公开中，粒子的平均粒径是在通过激光衍射/散射法测定的体积基准的粒度分布中，从小径侧起的累积为50％时的粒径(D50)。
聚丙烯腈粒子的粒子形状没有特别限制，可以为球状，也可以为非球状(扁平状、不定形状等)。
从在脱模层中配合充分的量的观点出发，聚丙烯腈粒子优选为非球状。例如，聚丙烯腈粒子的平均纵横比(长轴/短轴)可以为大于或等于1.1，可以为大于或等于1.2，也可以为大于或等于1.5。聚丙烯腈粒子的平均纵横比可以为小于或等于10，可以为小于或等于7，也可以为小于或等于5。
在本公开中，粒子的平均纵横比是任意选择的100个粒子的纵横比的算术平均值。
脱模膜中所含的聚丙烯腈粒子的平均粒径可以通过如下步骤进行测定。使用甲乙酮等溶剂除去脱模膜的脱模层，使用作为不溶物残留的聚丙烯腈粒子，在通过激光衍射-散射法测定的体积基准的粒度分布中进行解析，将从小径侧起的累积达到50％时的粒径(D50)作为平均粒径。
脱模层可以仅包含聚丙烯腈粒子，也可以包含聚丙烯腈粒子和除聚丙烯腈粒子以外的粒子。
除聚丙烯腈粒子以外的粒子的材质没有特别限制，可以是树脂等有机物质，也可以是金属、金属氧化物等无机物质，还可以是有机物质与无机物质的组合。
从与脱模层中所含的粘着剂的亲和性的观点出发，除聚丙烯腈粒子以外的粒子优选为树脂粒子。作为构成树脂粒子的树脂，可举出丙烯酸树脂、烯烃树脂、苯乙烯树脂、有机硅树脂等。从抑制成形后的半导体封装体表面的残渣的观点出发，优选丙烯酸树脂。
除聚丙烯腈粒子以外的粒子的平均粒径没有特别限制。例如，可以从1μm～20μm的范围中选择。
在脱模层包含聚丙烯腈粒子和除聚丙烯腈粒子以外的粒子的情况下，从对脱模层赋予充分的导电性且抑制脱模层的凝聚破坏的观点出发，聚丙烯腈粒子在粒子整体中所占的比例优选为大于或等于50质量％，更优选为大于或等于60质量％，进一步优选为大于或等于70质量％。
脱模层根据需要可以包含除粘着剂和粒子以外的成分。例如，也可以包含锚定提高剂、交联促进剂、着色剂等。
脱模层的厚度没有特别限定，优选为大于或等于0.1μm，更优选为大于或等于1μm。脱模层的厚度大于或等于0.1μm时，可充分得到对电子部件的粘着力，有效地抑制密封材料的侵入。
脱模层的厚度可以为小于或等于100μm，可以为小于或等于50μm，也可以为小于或等于10μm。脱模层的厚度小于或等于100μm时，不易产生脱模层热固化时的热收缩应力，容易保持脱模膜的平坦性。另外，在脱模膜具有导电层的情况下，脱模层表面距导电层的距离不会过远，表面电阻率维持得较低，可有效地抑制电子部件的静电破坏。
若综合考虑脱模层的形成容易性(涂布性等)、粘着力的确保、抗静电功能的确保等，则脱模层的厚度进一步优选为3μm～50μm。
(导电层)
导电层只要能够提高脱模膜的导电性并抑制带电，则其构成没有特别限制。例如，也可以是包含抗静电剂、导电性高分子材料、金属等导电性材料的层。
作为导电层中所含的抗静电剂，可举出季铵盐、吡啶鎓盐、具有伯氨基～叔氨基等阳离子性基团的阳离子性抗静电剂、具有磺酸盐基、硫酸酯盐基、磷酸酯盐基等阴离子性基团的阴离子系抗静电剂、氨基酸系、氨基酸硫酸酯系等两性抗静电剂、氨基醇系、甘油系、聚乙二醇系等具有非离子性基团的非离子系抗静电剂、将这些抗静电剂高分子量化而成的高分子型抗静电剂等。抗静电剂可以是主剂与助剂(固化剂等)的组合。
作为导电层中所含的导电性高分子材料，可以举出在骨架中具有聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔等的高分子化合物。
作为金属，可举出铝、铜、金、铬、锡等，从获得性的观点出发，优选铝。
形成导电层的方法没有特别限制。例如，可以举出在成为基材层的膜的单面层压金属箔等的方法、在成为基材层的膜的单面通过涂布、蒸镀等赋予导电层的材料的方法等。
导电层的厚度只要能够充分得到脱模膜的抗静电效果就没有特别限定。例如，可以在0.01μm～1μm的范围内。
本公开的脱模膜可以用于各种用途。例如，能够用于暂时保护物体表面的至少一部分。本公开的脱模膜对被粘面的追随性优异，因此在对粘贴有脱模膜的区域周围进行加工的情况下，能够有效地保护上述区域不受其影响。
在本公开中，“暂时保护”是指从在物体表面的至少一部分粘贴脱模膜到剥离为止的期间，保护粘贴有脱模膜的部分。
对粘贴有脱模膜的区域周围进行的加工的种类没有特别限制。具体而言，可举出利用密封材料的密封、粗糙化处理、涂装处理、拒水处理、抗静电处理等。
脱模膜可以用于露出成形。
<电子部件装置的制造方法>
本公开的电子部件装置的制造方法具备：在上述脱模膜与电子部件表面的至少一部分接触的状态下将电子部件的周围密封的工序、以及将脱模膜从电子部件剥离的工序。
如上所述，本公开的脱模膜的抗静电性能优异。因此，能够有效地抑制电子部件产生静电破坏。
上述方法中使用的电子部件的种类没有特别限制。例如，可以举出半导体元件、电容器、端子等。
在上述方法中，对密封电子部件周围的材料(密封材料)的种类没有特别限制。例如可列举出包含环氧树脂、丙烯酸树脂等的树脂组合物。
实施例
以下，基于实施例对本发明的脱模膜进行说明。但是，本公开并不限定于以下的实施例。
<实施例1>
作为基材层，准备对单面实施了电晕处理的厚度38μm的2轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名“S-38”，UNITIKA株式会社)。
在基材层的电晕处理面上涂布用混合溶剂(水/异丙醇＝1/1(质量比))将下述抗静电剂稀释至2.5质量％而得到的物质，在100℃加热1分钟而形成导电层。
脱模膜的制作中使用的抗静电剂为下述成分A(100质量份)及成分B(25质量份)的混合物。
成分A：作为具有季铵盐的丙烯酸共聚物的阳离子性抗静电剂，商品名“BONDEIPPA-100主剂”，KONISHI株式会社
成分B：环氧系固化剂，商品名“BONDEIP PA-100固化剂”，KONISHI株式会社
在所形成的导电层上涂布下述的脱模层形成用组合物，在100℃加热1分钟而形成脱模层，制作脱模膜。
脱模膜的制作中使用的脱模层形成用组合物为下述粘着剂(100质量份)、交联剂(10质量份)、树脂粒子A(25质量份)和混合溶剂(甲苯/甲乙酮＝8:2(质量比))34质量份的混合物。
粘着剂：丙烯酸系粘着剂，商品名“B-3”，Lion Specialty Chemicals株式会社，多种甲基丙烯酸酯单体的混合物
交联剂：六亚甲基二异氰酸酯交联剂，商品名“CORONATE H-CL”，日本聚氨酯工业株式会社
树脂粒子A：聚丙烯腈粒子，商品名“TAFTIC ASF-7”，东洋纺株式会社，体积平均粒径：7μm，不定形状
<实施例2>
将树脂粒子A的量变更为30质量份，除此以外，与实施例1同样地制作脱模膜。
<实施例3>
将树脂粒子A的量变更为40质量份，除此以外，与实施例1同样地制作脱模膜。
<实施例4>
将树脂粒子A变更为下述树脂粒子B，将其量变更为30质量份，除此以外，与实施例1同样地制作脱模膜。
树脂粒子B：聚丙烯腈粒子，商品名“TAFTIC AM”，东洋纺株式会社，体积平均粒径：10μm，不定形状
<实施例5>
将树脂粒子A的量变更为15质量份，除此以外，与实施例1同样地制作脱模膜。
<比较例1>
在脱模层形成用组合物中不添加树脂粒子A，除此以外，与实施例1同样地制作脱模膜。
<比较例2>
在脱模层形成用组合物中添加25质量份的下述树脂粒子C，除此以外，与比较例1同样地制作脱模膜。
树脂粒子C：聚丙烯酸粒子，商品名“MX-1000”，综研化学株式会社，体积平均粒径：10μm，球状
<比较例3>
将树脂粒子C的量变更为40质量份，除此以外，与比较例2同样地制作脱模膜。
<比较例4>
将树脂粒子C变更为25质量份的下述树脂粒子D，除此以外，与比较例2同样地制作脱模膜。
树脂粒子D：聚丙烯酸粒子，商品名“MX-500”，综研化学株式会社，体积平均粒径：5μm，球状
<比较例5>
将树脂粒子D的量变更为40质量份，除此以外，与比较例4同样地制作脱模膜。
<评价试验>
使用所制作的脱模膜，进行以下的评价试验。
<脱模层厚度>
使用甲基乙基酮除去所制作的脱模膜的脱模层，由除去前后的脱模膜的质量差算出脱模层的厚度。将结果示于表1。
<残胶>
在180℃、16MPa、5分钟的条件下，在镜面加工后的SUS(不锈钢)板的表面压制脱模膜。压制后放置，冷却至室温(25℃)后，将脱模膜从SUS板剥离。目视观察SUS板的表面，在未观察到残胶的情况下评价为OK，在观察到残胶的情况下评价为NG，由此评价残胶的状态。将结果示于表1。
<表面电阻率>
使用绝缘电阻计(数字超高电阻/微小电流计Advantest公司制)，测定脱模膜的脱模层侧的表面电阻率。具体而言，将脱模膜在23±2℃、湿度50±10％RH的气氛内放置1小时后，测定施加500V的电压1分钟后的表面电阻值(Ω)，使用下式算出表面电阻率(Ω/□)。将结果示于表1。
表面电阻率＝π(D+d)/(D-d)×R
π：圆周率，D：环状电极的内径，d：环状电极的外径，R：表面电阻值表面电阻率的计算中使用的π(D+d)/(D-d)的值为18.84。
[表1]
| 项目 | 单位 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 |
| 树脂粒子种类 | - | A | A | A | B | A |
| 平均粒径A | μm | 7 | 7 | 7 | 10 | 7 |
| 脱模层厚度B | μm | 9.3 | 9.6 | 9.1 | 9.6 | 4.6 |
| A/B | - | 0.75 | 0.73 | 0.77 | 1.04 | 1.52 |
| 树脂粒子含有率 | 质量％ | 19 | 21 | 27 | 20 | 12 |
| 表面电阻率 | Ω/□ | 5.3×108 | 2.6×108 | 4.5×108 | 2.2×108 | 3.8×108 |
| 残胶 | - | OK | OK | OK | OK | OK |
| 项目 | 单位 | 比较例1 | 比较例2 | 比较例3 | 比较例4 | 比较例5 |
| 树脂粒子种类 | - | - | C | C | D | D |
| 平均粒径A | μm | - | 10 | 10 | 5 | 5 |
| 脱模层厚度B | μm | 10.1 | 9.4 | 9.3 | 9.1 | 9.3 |
| A/B | - | - | 1.06 | 1.08 | 0.55 | 0.54 |
| 树脂粒子含有率 | 质量％ | 0 | 19 | 27 | 19 | 27 |
| 表面电阻率 | Ω/□ | 1.9×1011 | 2.0×1012 | 4.5×1011 | 2.4×1011 | 3.8×1012 |
| 残胶 | - | OK | OK | OK | OK | OK |
如表1的结果所示，可以判断：脱模层包含聚丙烯腈粒子的实施例的脱模膜与脱模层不包含聚丙烯腈粒子的比较例的脱模膜相比，表面电阻率低，抗静电性能优异。
日本专利申请第2020-215778号的公开，其整体通过参照而被引入本说明书中。
本说明书中记载的所有文献、专利申请以及技术标准，与具体且分别记载了通过参照来引入各个文献、专利申请以及技术标准的情况相同程度地引用并引入本说明书中。
Claims (7)
1.一种脱模膜，其依次具有基材层、导电层和脱模层，所述脱模层包含聚丙烯腈粒子。
2.根据权利要求1所述的脱模膜，所述聚丙烯腈粒子的平均粒径A与脱模层的厚度B之比即A/B大于0.7。
3.根据权利要求1或2所述的脱模膜，所述聚丙烯腈粒子的含有率大于或等于所述脱模层整体的10质量％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的脱模膜，所述脱模层包含粘着剂。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的脱模膜，其用于暂时保护物体表面的至少一部分。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的脱模膜，其用于露出成形。
7.一种电子部件装置的制造方法，其具备：在权利要求1～6中任一项所述的脱模膜与电子部件表面的至少一部分接触的状态下将电子部件周围密封的工序、以及将所述脱模膜从所述电子部件剥离的工序。
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