CN116569244A - 显示装置以及复合型显示装置 - Google Patents

显示装置以及复合型显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116569244A
CN116569244A CN202180081088.2A CN202180081088A CN116569244A CN 116569244 A CN116569244 A CN 116569244A CN 202180081088 A CN202180081088 A CN 202180081088A CN 116569244 A CN116569244 A CN 116569244A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display device
connection pad
substrate
light emitting
emitting elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180081088.2A
Other languages
English (en)
Inventor
伊藤弘晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN116569244A publication Critical patent/CN116569244A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

显示装置是具备如下要素的结构:具有第1边以及与其相邻的第2边的基板;位于基板上的多个发光元件;位于基板上且控制发光元件的发光/非发光的多个发光控制信号线;和位于基板上的第1边侧的端缘部以及第2边侧的端缘部且与多个发光控制信号线分别连接的连接焊盘。

Description

显示装置以及复合型显示装置
技术领域
本公开涉及具备发光二极管(Light Emitting Diode:LED)元件等自发光型的发光元件的显示装置、以及将多个显示装置结合(平铺)而构成的复合型显示装置。
背景技术
现有技术的显示装置以及复合型显示装置例如记载于专利文献1~5。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2005-148248号公报
专利文献2:JP特开昭57-114189号公报
专利文献3:JP特开2003-295785号公报
专利文献4:JP特开2012-104497号公报
专利文献5:JP特开2007-335429号公报
发明内容
本公开的显示装置可以是具备如下要素的结构:具有第1边以及与其相邻的第2边的基板;位于所述基板上的多个发光元件;位于所述基板上且与控制所述发光元件的发光/非发光的多个发光控制信号线;和位于所述基板上的所述第1边侧的端缘部以及所述第2边侧的端缘部且与所述多个发光控制信号线分别连接的连接焊盘。
本公开的复合型显示装置是如下结构:具有多个显示装置,通过使所述多个显示装置的侧面彼此结合来构成,所述多个显示装置包含第1显示装置以及第2显示装置,将所述第1显示装置中的与所述第1边相邻的侧面和所述第2显示装置中的与所述侧面对置的侧面结合。
附图说明
本发明的目的、特色以及优点会根据下述的详细的说明和附图而变得更加明确。
图1是表示本公开的一实施方式的显示装置的概略结构的俯视图。
图2是表示本公开的其他实施方式的显示装置的概略结构的俯视图。
图3是表示图1所示的显示装置的主要部分的部分俯视图。
图4是从切断面线IV-IV来看图3的显示装置的截面图。
图5是表示图1的显示装置的主要部分的布线构造的部分俯视图。
图6是表示图2的显示装置的主要部分的布线构造的部分俯视图。
图7是关于图2的显示装置的变形例示出主要部分的布线构造的部分俯视图。
图8是从切断面线V-V来看图3的显示装置的截面图。
图9是示意表示图1所示的显示装置的第1面侧的电路结构的块电路图。
图10是示意表示图1所示的显示装置的第2面侧的电路结构的块电路图。
图11是表示本公开的显示装置中的像素电路的结构的电路图。
图12是关于图7的显示装置的变形例示出主要部分的布线构造的部分俯视图。
图13是关于图7的显示装置的变形例示出主要部分的布线构造的部分俯视图。
图14是表示本公开的一实施方式的复合型显示装置的主要部分的部分俯视图。
具体实施方式
本发明的目的、特色以及优点会根据下述的详细说明和附图而变得更加明确。
首先,说明本公开的显示装置设为基础的结构。过去以来,已知将多个显示装置平面状并排平铺而构成的、被称作多显示器或平铺面板的大型的复合型显示装置。构成复合型显示装置的多个自发光型的显示装置期望使有效显示区域的外侧的成为非显示区域的外框部极力变小。此外,各个显示装置有时具备:用于将发光元件搭载于一个主面(表面)侧的基板;设置于基板的另一个主面(背面)侧的驱动部;和将发光元件和驱动部电连接且配置于基板的侧面的侧面布线。在该情况下,在基板的一个主面上的端缘部设置与侧面布线连接的一个主面侧的侧面布线连接焊盘,在基板的另一个主面上的端缘部设置与侧面布线连接的另一个主面侧的侧面布线连接焊盘。
上述的结构有时运用于具备微型LED(μLED)元件作为发光元件的自发光型的显示装置。此外,过去,还提出具备有机EL(Electroluminescence)元件的有机EL显示装置。在构成有机EL显示装置的基板的第1面(是表面,显示侧的面),矩阵状地配置包含驱动控制有机EL元件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor:TFT)的像素电路(例如参考前述的专利文献1~5)
在使上述的结构的自发光型的显示装置的多个结合来构成复合型显示装置、所谓多显示器的情况下,以下的方面是重要的。即,期望使一个显示装置中的排列在结合的边部的最外排列部的多个像素部、与结合于上述一个显示装置的其他显示装置中的排列在结合的边部的最外排列部的多个像素部之间的像素间距(也称作结合部像素间距)近似于排列在最外排列部以外的多个像素部的像素间距(也称作非结合部像素间距),或者和非结合部像素间距相同。理由在于,若结合部像素间距比非结合部像素间距大,则变得易于失去结合部处的显示图像的连续性,视觉辨识者在显示图像感到不协调感,或者易于目视结合部。
在自发光型的显示装置中,多个像素部的各像素部连接供给控制发光元件的发光/非发光的发光控制信号的发光控制信号线。并且,与发光控制信号线连接的连接焊盘被配置在基板的一个主面上的、包含多个像素部的显示部(有效部)的外侧的外框部(非有效部)。该连接焊盘由于还与涂布导电性糊膏并进行烧成而形成的侧面布线连接,因此,和通过薄膜形成法形成的发光控制信号线、与发光元件连接的像素部的电极焊盘等比较,更难进行微细化。因此,若要将多个连接焊盘在基板的一边与狭间距化的像素间距建立对应地配置,则连接焊盘间的间隔变小,有时多个连接焊盘的整体的配置变得困难。此外,若减小连接焊盘的面积,则与侧面布线的连接面积变小,连接电阻变大。由此,有时产生显示不均匀等而显示品位劣化。此外,若多个连接焊盘间的间隔变小,则有可能在连接焊盘彼此之间产生电短路。
因此,在基板的一边,若要将多个连接焊盘的全部与像素间距严密建立对应地配置于外框部,则外框部的宽度以及长度易于变大。若外框部的宽度变大,则结合部像素间距易于变得比狭间距化的非结合部像素间距大。即,难以使结合部像素间距和非结合部像素间距同等。此外,若沿着基板的一边的方向上的外框部的长度变长,则结果,与基板的一边相邻的边中的外框部的宽度变大。
此外,为了使外框部变小,还考虑在基板的一边,在最外部的像素部间配置连接焊盘的结构。但是,能沿着基板的一边配置的连接焊盘的数量是(像素数-1)个,产生不能在基板的一边配置全部连接焊盘这样的课题。过去以来,谋求能解决上述的各种课题的技术。
以下,参考附图来说明本公开的显示装置的各种实施方式。
如图1所示那样,本公开的显示装置是具备如下要素的结构:具有第1边m1以及与其相邻的第2边m2的基板2;位于基板2上的多个发光元件6(图3中示出);位于基板2上且控制发光元件6的发光/非发光的多个发光控制信号线L1、L2;位于基板2上的第1边ml侧的端缘部2e1以及第2边m2侧的端缘部2e2且分别与多个发光控制信号线L1、L2连接的连接焊盘8。另外,在图1中,符号3表示像素部,在多个像素部3中分别具备发光元件6。多个像素部3在基板2的第1面2a上的有效区域A中例如矩阵状排列。
本公开的显示装置通过上述的结构而起到以下的效果。由于将难以微细化的多个连接焊盘8配置在基板2上的第1边m1侧的端缘部2e1以及第2边m2侧的端缘部2e2,因此,能将多个连接焊盘8彼此之间的间隔配置成难以产生电短路的间隔。其结果,抑制了在多个连接焊盘8彼此之间产生电短路、以及外框部(大致相当于端缘部2e1、2e2)变大,能配置在基板2上。此外,还能使外框部更小地将多个连接焊盘8配置在基板2上。
端缘部2e1是沿着第1边m1的边缘部,是从基板2的第1面2a上的第1边ml向第1面2a的中央侧具有10μm~500μm左右的宽度的部位,但并不限于该宽度的值。此外,端缘部2el的宽度可以是像素间距的1/2左右以下。端缘部2e2以及端缘部2e3(图2中示出)也是与端缘部2e1同样的结构。连接焊盘8的1边的长度为50μm~500μm左右、适合为70μm~300μm左右的矩形状,但1边的长度并不限于这些值。此外,连接焊盘8的形状可以是5边形状等多边形状、梯形状、圆形状、椭圆形状等各种形状。另外,“~”意味着“至”,以下同样。
本公开的显示装置具有控制发光元件6的发光/非发光的多个发光控制信号线L1、L2,发光控制信号线L1、L2具有以下那样的结构以及功能。如图11所示那样,显示装置具有:配置在基板2的第1面2a上的给定的方向(例如行方向)上的扫描信号线(栅极信号线)102;配置在与扫描信号线102交叉并与给定的方向交叉的方向(例如列方向)上的发光控制信号线L1(L2);通过扫描信号线102和发光控制信号线L1(L2)区分的多个像素部3;和各像素部3中所具备的发光元件6。扫描信号线102以及发光控制信号线L1(L2)经由配置于基板2的侧面2c的侧面布线10与位于基板2的第2面(背面)2b的背面布线连接。背面布线与设置于第2面2b的IC、LSI等驱动元件等的驱动部连接。即,显示装置通过位于基板2的背面的驱动部来驱动控制显示。
在各像素部3配置有用于控制发光元件6的发光、非发光、发光强度等的发光控制部122。发光控制部122包含:用于对发光元件6分别输入发光信号的作为开关元件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor:TFT)112;和用于基于与发光控制信号(在发光控制信号线L1(L2)中传递的信号)的电压电平相应的、正电压(阳极电压:3~15V左右)与负电压(阴极电压:-3V~3V左右)的电位差(发光信号)来电流驱动发光元件6的作为驱动元件的TFT113。即,发光控制信号线L1(L2)与TFT112的源极电极连接,通过发光控制信号的电压电平来控制TFT113的栅极电压,通过与栅极电压电平相应的TFT113源极-漏极间电流来控制发光元件6的亮度。在将TFT113的栅极电极和源极电极连接的连接线上配置有电容元件,电容元件作为将输入到TFTl13的栅极电极的发光控制信号的电压保持到下一次改写为止的期间(1帧的期间)的保持电容发挥功能。
发光元件6经由将位于其下方的绝缘层贯通的通孔等贯通导体123a、123b来与发光控制部122、正电源(VDD)输入线116、负电源(VSS)输入线117电连接。即,发光元件6的正电极经由贯通导体123a以及发光控制部122与正电源输入线116连接,发光元件6的负电极经由贯通导体123b与负电源输入线117连接。
图1是表示本公开的一实施方式的显示装置1a的概略结构的俯视图。自发光型的显示装置1a具有以下的结构。多个连接焊盘8包含:在基板2上的第1边m1侧的端缘部2e1沿着第1边m1设置、且与控制多个发光元件6当中的第1群3a的发光元件6各自的发光/非发光的第1发光控制信号线L1连接的多个第1连接焊盘81;位于基板2上的第2边m2侧的端缘部2e2、且与控制多个发光元件6当中的第2群3b的发光元件6的发光/非发光的第2发光控制信号线L2连接的第2连接焊盘82。在该结构的情况下,能将多个连接焊盘8当中的大部分的多个第1连接焊盘81以难以产生短路的间隔配置在端缘部2e1,将未在端缘部2e1配置完的第2连接焊盘82配置在端缘部2e2。其结果,能确实地抑制在多个连接焊盘8彼此之间产生电短路、以及外框部变大,从而能配置在基板2上。难以产生短路的间隔为30μm~100μm左右,但并不限于这些值,能适宜设定。第2群3b的发光元件6可以是矩阵状排列的多个像素部3当中的含在最接近第2边m2的1列中的像素部3的群中所具备的发光元件6。例如,在第2群3b的发光元件6是矩阵状排列的多个像素部3当中的最接近第2边m2的2列中所含的像素部3的群中所具备的发光元件6的情况下,第2连接焊盘82可以是2个。进而,第2连接焊盘82也可以是3个以上。
在图1的显示装置中,可以是如下结构:在基板2上的第2边m2侧的端缘部2e2设置与第2发光控制信号线L2以外的布线连接的其他连接焊盘,第2连接焊盘82位于比其他连接焊盘更接近第1边的位置。在该结构的情况下,如图5所示那样,能使第1发光控制信号线L1中的将第1连接焊盘8和最近的像素部3(发光元件6)连接的连接部位的长度(设为长度L1c)、和第2发光控制信号线L2中的将第2连接焊盘82和最近的像素部3b1连接的连接部位的长度(设为长度L2c)接近。即,能使L1c与L2c的差大致为最小。其结果,能使第1发光控制信号线L1的长度和第2发光控制信号线L2的长度大致相同,能使第1发光控制信号线L1的电阻和第2发光控制信号线L2的电阻大致相同。因此,能抑制如下问题点:在对第1发光控制信号线L1和第2发光控制信号线L2输入相同发光控制信号时,在第1发光控制信号线L1中传输的发光控制信号的电流值以及电压电平与在第2发光控制信号线L2中传输的发光控制信号的电流值以及电压电平不同。其结果,显示装置的显示品位提升。此外,通过第2连接焊盘82的存在,能抑制位于基板2的第2面2b的一侧的各种布线的布局的自由度被妨害。因此,位于基板2的第2面2b的一侧的各种布线的布局变得容易。
此外,第2连接焊盘82可以是和多个第1连接焊盘8当中的位于最接近于第2边m2的位置的第1连接焊盘81a相邻的结构。在该结构的情况下,上述的各种效果更加提升。
上述的其他连接焊盘可以是与对发光元件6供给电源电流的电源布线连接的电源连接焊盘181(图9中示出),也可以是与栅极信号线4连接的第5连接焊盘18(图9中示出)。
如图5所示那样,图1的在显示装置1a中,可以是如下结构:多个发光元件6包含在基板2上的第1边m1侧的端缘部2e1沿着第1边m1设置的多个最外部发光元件6m,第1连接焊盘81位于多个最外部发光元件6m彼此之间。在该结构的情况下,由于在基板2的第1边m1,在最外部的像素部3间配置第1连接焊盘81,因此,能使第1边m1中的外框部更小。其中,能沿着基板2的第1边m1配置的连接焊盘8的数量是(像素数-1)个,不能在基板2的第1边m1配置全部连接焊盘8。因此,将剩下的1个的连接焊盘8(第2连接焊盘82)配置在第2边m2的侧的端缘部2e2。
此外,如图5所示那样,在显示装置1a中,可以是如下结构:第2群3b的发光元件6沿着第2边m2侧的端缘部2e2设置,第2连接焊盘82位于第2群3b的发光元件6彼此之间。在该结构的情况下,由于在基板2的第2边m2,在最外部的像素部3间能够配置第2连接焊盘82,因此,能使第2边m2中的外框部更小。
此外,如图7所示那样,在显示装置1b中,可以是第2连接焊盘82的大小比第1连接焊盘81的大小大的结构。在该结构的情况下,能缩短第2发光控制信号线L2中的将第2连接焊盘82和最近的像素部3b1连接的连接部位的长度L2c,从而使其更加接近于L1c。还能使L1c和L2c大致相同。其结果,能使第1发光控制信号线L1的长度和第2发光控制信号线L2的长度更加相同地接近,能使第1发光控制信号线L1的电阻和第2发光控制信号线L2的电阻更加相同地接近。因此,更能抑制产生如下问题点:在对第1发光控制信号线L1和第2发光控制信号线L2输入相同发光控制信号时,在第1发光控制信号线L1中传输的发光控制信号的电流值以及电压电平和在第2发光控制信号线L2中传输的发光控制信号的电流值以及电压电平不同。由此,还起到显示装置1b的显示品位提升这样的效果。
为了更有效果地达成上述的目的效果,可以是第2连接焊盘82的沿着第2边m2的方向的长度比第1连接焊盘81的沿着第1边m1的方向的长度长的结构。进而,如图7所示那样,第2连接焊盘82也可以具有向第1边m1与第2边m2间的角部侧延伸的延伸部。即,第2连接焊盘82也可以具有沿着第2边m2向第1边m1侧延伸的延伸部82e。延伸部82e的宽度可以比第2连接焊盘82的主体部的宽度小。在该结构的情况下,能抑制第2边m2中的外框部的宽度变大。
在显示装置1a中,可以如图3所示那样是如下结构:基板2具有:多个发光元件6所位于的一侧的第1面2a;与第1面2a相反的一侧的第2面2b(图4中示出);将第1面2a和第2面2b相连的侧面2c;和从第1面2a的端缘部经由侧面2c设置到第2面2b的端缘部的侧面布线10,第1连接焊盘81以及第2连接焊盘82分别与侧面布线10连接。在该结构的情况下,能在基板2的第2面2b的一侧配置驱动部,经由侧面布线10将像素部3和驱动部电连接。其结果,由于能将过去有时配置于外框部的驱动部配置在第2面2b的一侧,因此对窄外框化有利。
图2是表示其他实施方式的显示装置1b的概略结构的俯视图。另外,对与前述的实施方式对应的部分标注相同的参考符号。本实施方式所涉及的自发光型的显示装置1b具有以下的结构。基板2可以是如下结构:具有与第1边m1相邻且与第2边m2对置的第3边m3,具备位于基板2上的第3边m3侧的端缘部2e3且与控制多个发光元件6当中的第3群3c的发光元件6的发光/非发光的第3发光控制信号线L3连接的第3连接焊盘83。在该结构的情况下,能将多个连接焊盘8当中的大部分的多个第1连接焊盘81以难以产生短路的间隔配置在端缘部2e1,将未在端缘部2e1配置尽的第2连接焊盘82以及第3连接焊盘83配置在端缘部2e2、2e3。其结果,能更确实地抑制在多个连接焊盘8彼此之间产生电短路、以及外框部变大,从而能配置在基板2上。第3群3c的发光元件6可以是矩阵状排列的多个像素部3当中的最接近第3边m3的1列中所含的像素部3的群中所具备的发光元件6。例如,在第3群3c的发光元件6为矩阵状排列的多个像素部3当中的最接近第3边m3的2列中所含的像素部3的群中所具备的发光元件6的情况下,第3连接焊盘83可以是2个。进而,第2连接焊盘82也可以是3个以上。
在显示装置1b中,如图6所示那样,也可以是如下结构:在基板2上的第3边m3侧的端缘部2e3设置与第3发光控制信号线L3以外的布线连接的其他连接焊盘,第3连接焊盘83位于比其他连接焊盘更接近第1边ml的位置。在该结构的情况下,能使上述的长度L1c、和第3发光控制信号线L3中的将第3连接焊盘83和最近的像素部3c1连接的连接部位的长度(设为长度L3c)接近。即,能使L1c与L3c的差大致最小。其结果,能使第1发光控制信号线L1的长度和第3发光控制信号线L3的长度大致相同,能使第1发光控制信号线L1的电阻和第3发光控制信号线L3的电阻大致相同。因此,能抑制产生如下问题点:在对第1发光控制信号线L1和第3发光控制信号线L3输入相同发光控制信号时,在第1发光控制信号线L1中传输的发光控制信号的电流值以及电压电平与在第3发光控制信号线L3中传输的发光控制信号的电流值以及电压电平不同。由此,还起到显示装置1b的显示品位提升这样的效果。此外,通过第3连接焊盘83的存在,能抑制位于基板2的第2面2b的一侧的各种布线的布局的自由度被妨害。因此,位于基板2的第2面2b的一侧的各种布线的布局变得容易。
此外,第3连接焊盘83可以是和多个第1连接焊盘8当中的位于最接近第3边m3的位置的第1连接焊盘81b相邻的结构。在该结构的情况下,上述的各种效果更加提升。
上述的其他连接焊盘可以是与对发光元件6供给电源电流的电源布线连接的电源连接焊盘,也可以是与栅极信号线4连接的连接焊盘。
如图6所示那样,显示装置1b可以是如下结构:第3群3c的发光元件6沿着第3边m3侧的端缘部2e3设置,第3连接焊盘83位于第3群3c的发光元件6彼此之间。在该结构的情况下,由于在基板2的第3边m3,在最外部的像素部3间配置第3连接焊盘83,因此,能更加减小第3边m3中的外框部。
在显示装置1b,也可以如图7所示那样,是第3连接焊盘83的大小比第1连接焊盘81的大小大的结构。在该结构的情况下,能缩短第3发光控制信号线L3中的将第3连接焊盘83和最近的像素部3c1连接的连接部位的长度L3c,能更加接近于L1c。还能使L1c和L3c大致相同。其结果,能使第1发光控制信号线L1的长度和第3发光控制信号线L3的长度更加相同地接近,能使第1发光控制信号线L1的电阻和第3发光控制信号线L3的电阻更加相同地接近。因此,能抑制产生如下问题点:在对第1发光控制信号线L1和第3发光控制信号线L3输入相同发光控制信号时,在第1发光控制信号线L1中传输的发光控制信号的电流值以及电压电平、与在第3发光控制信号线L3中传输的发光控制信号的电流值以及电压电平不同。
为了更有效果地达成上述的目的效果,可以是第3连接焊盘83的沿着第3边m3的方向的长度比第1连接焊盘81的沿着第1边m1的方向的长度长的结构。进而,如图7所示那样,第3连接焊盘83也可以具有向第1边m1与第3边m3间的角部侧延伸的延伸部。即,第3连接焊盘83也可以具有沿着第3边m3向第1边m1侧延伸的延伸部83e。延伸部83e的宽度可以比第3连接焊盘83的主体部的宽度小。在该结构的情况下,能够抑制第3边m3中的外框部的宽度变大。
图12是对于图7的显示装置的变形例示出主要部分的布线构造的部分俯视图。第1连接焊盘81也可以是与沿着第1边m1的方向正交的方向的长度比沿着第1边m1的方向的长度长的结构。在该情况下,由于第1连接焊盘81与最近的像素部3(发光元件6)接近,因此,能更加缩短将第1连接焊盘81和最近的像素部3连接的连接部位的长度L1c。其结果,第1连接焊盘81与最近的像素部3之间的信号传输路径长度变短,能从第1连接焊盘81向像素部3效率良好地传输信号。此外,用于形成侧面布线10的导电性糊膏易于向第1连接焊盘81的纵深方向伸展,其结果,侧面布线10与第1连接焊盘81的接触面积增大,侧面布线10与第1连接焊盘81的连接电阻变小。第1连接焊盘81可以是长方形、带状、椭圆形、长圆形等具有长边方向和短边方向的形状。第1连接焊盘81中的与沿着第1边m1的方向正交的方向的长度可以超过第1连接焊盘81中的沿着第1边m1的方向的长度的1倍且为3倍以下左右,但并不限于该范围。图12所示的第1连接焊盘81的结构还能运用于图3、图5、图6所示的显示装置中。
图13是对于图7的显示装置的变形例示出主要部分的布线构造的部分俯视图。第1连接焊盘81可以是第1边m1侧的部位(例如边部)的长度比与第1边m1相反的一侧的部位(例如边部)的长度长的结构。更具体地,第1连接焊盘81可以是在第1边m1侧的端具有向沿着第1边m1的方向延伸的延伸部81e。在该情况下,用于形成侧面布线10的导电性糊膏被有效果地拉进第1连接焊盘81,易于向第1连接焊盘81的纵深方向伸展。其结果,侧面布线10与第1连接焊盘81的接触面积增大,侧面布线10与第1连接焊盘81的连接电阻变小。延伸部81e能配置于在基板2上的第1边m1侧的端缘部2e1沿着第1边m1设置的最外部发光元件6m、与基板2的端之间(外框部)。在该情况下,能抑制导电性糊膏到达最外部发光元件6m。第1连接焊盘81可以是梯形状等形状。第1连接焊盘81中的第1边m1侧的部位的长度可以超过第1连接焊盘81中的与第1边m1相反的一侧的部位的长度的1倍且为3倍左右以下,但并不限于该范围。图13所示的第1连接焊盘81的结构还能运用于图3、图5、图6所示的显示装置。
也可以采用将图12所示的第1连接焊盘81的结构和图13所示的第1连接焊盘81的结构组合的结构。
如图2所示那样,在显示装置1b中,可以是如下结构:基板2具有:多个发光元件6所位于的一侧的第1面2a;与第1面2a相反的一侧的第2面2b;将第1面2a和第2面2b相连的侧面2c;和从第1面2a的端缘部经由侧面2c设置到第2面2b的端缘部的侧面布线10,第3连接焊盘83与侧面布线10连接。在该结构的情况下,能在基板2的第2面2b的一侧配置驱动部,经由侧面布线10将像素部3和驱动部电连接。其结果,由于能将过去有时配置于外框部的驱动部配置在第2面2b的一侧,因此,对窄外框化有利。
驱动部例如可以是在基板2的第2面2b上通过COG(Chip On Glass玻璃上芯片)方式而搭载的IC、LSI等驱动元件。此外,驱动部可以是具备薄膜晶体管(Thin FilmTransistor:TFT)的薄膜电路,其中,该薄膜晶体管在基板2的第2面2b上通过化学气相生长(Chemical Vapor Deposition:CVD)法等薄膜形成法而形成,具有包含低温多晶硅(LowTemperature Poly Silicon:LTPS)的半导体层。此外,驱动部也可以是与位于基板2的第2面2b上的外部连接端子连接的柔性布线基板中所具备的驱动元件。此外,驱动部也可以是与柔性布线基板的布线电连接的外部的驱动元件。
在显示装置1a、1b中,如图1以及图2所示那样,可以是在第2边m2侧的端缘部2e2设置与对多个发光元件6供给电源电流的电源布线连接的电源连接焊盘181的结构。在该结构的情况下,由于连接焊盘8的群和电源连接焊盘181的群位于不同的边,因此,简化了布线构造,此外,对窄外框化有利。
显示装置1a、1b可以是如下结构:多个像素部3分别具备俯视观察下一边的长度为1μm以上且100μm以下的矩形状的微型发光二极管元件,作为发光元件。在该结构的情况下,对高精细化有利。
本公开所涉及的实施方式的复合型显示装置通过使前述的多个显示装置1a(1b)的侧面彼此结合来构成,多个显示装置la(1b)包含第1显示装置1a(1b)以及与其相同结构的第2显示装置1a(1b),将第1显示装置1a(1b)中的与第1边m1相邻的第1侧面的部位和第2显示装置1a(1b)中的与第1侧面对置的第2侧面结合。另外,显示装置1a(1b)表示是显示装置1a或显示装置1b。复合型显示装置通过上述的结构而起到以下的效果。由于能将多个连接焊盘8配置为抑制在它们之间产生电短路,因此,可靠性提升。此外,由于使用具有窄外框部的显示装置1a(1b),因此,外框部变得不显眼,显示品位提升。
以下详细说明本公开的显示装置的具体的结构。图3是示意表示图1的显示装置1a的主要部分的结构的部分俯视图,图4是从切断面线IV-IV观察图3的显示装置1a的截面图,图8是从切断面线V-V观察图3的显示装置1a的截面图。图5是表示图1的显示装置1a的主要部分的布线构造的部分俯视图,图6是表示图2的显示装置1b的主要部分的布线构造的部分俯视图,图7是对于图2的显示装置1b的变形例示出主要部分的布线构造的部分俯视图。另外,在图4以及图8中,为了使图解容易,省略基板2的第2面2b侧的电路结构。
本实施方式的显示装置1a、1b例如可以使用将母基板通过激光照射而从背面侧切断、具备多层的金属遮光层的平铺用的窄外框的多个基板来实现。在该情况下,作为母基板的切断用的激光,能采用高输出的CO2激光器或YAG激光器等。激光L(图4中示出)的束径为5μm~5mm在遗体已。另外,在以下的说明中,在将显示装置1a、1b进行总称的情况下,标注为显示装置1。
接下来,叙述具备金属遮光层的前述的显示装置1的具体的结构。显示装置1具备:基板2;层叠于基板2的第1面2a上的一边侧的端缘部W的第1金属遮光层31;层叠于第1金属遮光层31上以及从第1面2a上的第1金属遮光层31露出的区域2al的第1绝缘层31i;层叠于第1绝缘层3li上的不与第1金属遮光层31重叠的区域2a1的第2金属遮光层32;和层叠于第2金属遮光层32上以及第1绝缘层31i上的与第1金属遮光层31重叠的区域23a的第2绝缘层32i。
通过上述的结构,由于具备第1金属遮光层31、在其上方位于不与第1金属遮光层31重叠的部位2a1的第2金属遮光层32,因此,在平铺面板制作时的通过来自母基板的背面侧的激光照射而进行的母基板的分割时,能有效果地抑制在激光的照射部产生的热给绝缘层(特别是第2绝缘层32i)的影响。其结果,能抑制激光照射所引起的绝缘层的升华物质附着在周围的布线等。此外,能抑制由于激光的切断位置的偏差而侧面布线10经由第1金属遮光层31的露出部即端面传输不同信号的连接焊盘8彼此短路。此外,由于金属遮光层被分割成第1金属遮光层31和第2金属遮光层32,因此,成为难以产生静电放电的结构的金属遮光层。
此外,显示装置1也可以具备:在基板2的第1面2a上矩阵状排列的像素部3;位于基板2的第2面2b上的电源供给电路7;位于基板2的第1面2a上的端缘部W附近且与侧面布线10电连接的多个第1连接焊盘8;位于基板2的第2面2b上的端缘部W附近且与侧面布线10电连接的多个背面侧的第7连接焊盘80;和多个侧面布线10。第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32的宽度例如是50μm~200μm左右。
显示装置1还具备:在基板2的第1面2a上的第1边m1侧的端缘部W在第1边m1所延伸的方向上相互空开间隔ΔL1而层叠的多个第1金属遮光层31;层叠于多个第1金属遮光层31上以及基板2的第1面2a上的从多个第1金属遮光层31之间露出的区域2a1的第1绝缘层31i;层叠于第1绝缘层31i上的、俯视观察下在第1边ml所延伸的方向上相互相邻的2个第1金属遮光层31之间的区域2a1的多个第2金属遮光层32;和层叠于多个第2金属遮光层32上以及俯视观察下第1绝缘层3li的从多个第2金属遮光层32之间露出的区域23a的第2绝缘层32i。
作为激光L的遮光层的第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32的材料可以是铝、铬、钼或这些金属的合金。此外,第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32分别可以是单层,也可以是将多层层叠的层叠构造。在第1以及第2金属遮光层31、32的材料是反射率高的铝的情况下,可以在第1以及第2金属遮光层31、32的激光L的照射侧设置透明的绝缘层。在该情况下,通过第1以及第2金属遮光层31、32,反射率不降低地反射激光L,并且通过透明的绝缘层减少了热吸收。其结果,激光L向基板2的第2面2b侧的外部抑制热吸收而有效率地反射。因此,减少给第2绝缘层32i以及有机绝缘层24、26等的热损伤的效果变大。
此外,第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32的材料更适合可以是钼等。钼由于有效率地吸收激光并进行传热,因此,能抑制反射光的强度,并且能抑制显示装置1的温度上升。即,能加大在第1以及第2金属遮光层31、32反射的反射光的2次反射以及吸收所引起的热损伤的减少效果。
此外,第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32可以是包含Mo/Al/Mo、MoNd/AlNd/MoNd等的结构。在此,“Mo/Al/Mo”表示在Mo层上层叠Al层且在Al层上层叠Mo层而得到的层叠构造。此外,“MoNd”表示是Mo与Nd的合金。
此外,第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32的材料可以是呈现黑色的氧化铬。即,也可以是吸收激光L来进行衰减的层。
此外,显示装置1可以如图3所示那样是如下结构:第1金属遮光层31有多个,各个第1金属遮光层31在端缘部W在与一边(例如第1边m1)平行的方向上相互空开间隔而层叠,第2金属遮光层32层叠于第1绝缘层3li上的相邻的第1金属遮光层31间的区域2a1。另外,区域2a1也是不与上述的第1金属遮光层31重叠的部位。在该情况下,第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32由于被更细致地分割,分别设为更小面积,因此,成为更难以产生静电放电的结构的金属遮光层。
第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32可以在俯视观察下成为一排。在该情况下,能更加抑制从基板2的第2面2b的一侧入射的光(激光)到达第2绝缘层32i。其结果,能更有效果地抑制第2绝缘层32i受到激光的热的影响。
第2金属遮光层32可以具有俯视观察下与第1金属遮光层31重叠的重叠部位(交叠部位)LW。在该情况下,能进一步抑制从基板2的第2面2b的一侧入射的光(激光)到达第2绝缘层32i。其结果,能进一步有效果地抑制第2绝缘层32i受到激光的热的影响。重叠部位LW的长度可以为5μm~500μm左右。
此外,重叠部位LW可以具有使得从基板2的第2面2b的一侧入射的光(激光)在第1金属遮光层31的端衍射的衍射光不会到达第2绝缘层32i的长度。在该情况下,也起到与上述同样的效果。该情况的重叠部位LW的长度20μm~700μm左右。
第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32可以是具有光反射性的结构。在该情况下,由于从基板2的第2面2b的一侧入射的光(激光)在第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32反射,因此,能进一步有效果地抑制第2绝缘层32i受到激光的热的影响。第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32例如可以包含可见光的光反射率高的金属材料、合金材料等。作为金属材料,有铝(A1)、银(Ag)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)、锡(Sn)等。此外,作为合金材料,有以铝为主成分的铝合金即杜拉铝(Al-Cu合金、Al-Cu-Mg合金、Al-Zn-Mg-Cu合金)等。关于这些材料的光反射率,铝为90%~95%左右,银为93%左右,金为60%~70%左右,铬为60%~70%左右,镍为60%~70%左右,铂为60%~70%左右,锡为60%~70%左右,铝合金为80%~85%左右。因此,作为具有光反射性的第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32的适合的材料,能举出铝、银、金、铝合金等。
第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32也可以是具有光散射性的结构。在该情况下,一般,薄膜的表面、基板的表面成为光学的镜面的算数表面粗糙度是使用波长的十分之一左右。因此,若是人的眼的灵敏度最高的550nm的波长的光,则算数表面粗糙度为55nm以下的表面易于成为光学的镜面。因此,算数表面粗糙度为55nm以上的表面由于易于成为光散射面,因此,具有光散射性的第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32的各表面可以是55nm~10μm左右的算数表面粗糙度。适合地,可以是μLm~10μm左右,更适合地,可以是2μm~7μm左右。
第1绝缘层31i可以是包含光散射性粒子的结构。在该情况下,从基板2的第2面2b的一侧入射的光(激光)通过第1绝缘层31i中所含的光散射性粒子而散射,能有效果地抑制第2绝缘层32i受到激光的热的影响。光散射性粒子例如包含金属材料、合金材料、玻璃材料、陶瓷材料、金属氧化物材料等。作为金属材料,有铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)、锡(Sn)等。此外,作为合金材料,有以铝为主成分的铝合金即杜拉铝(Al-Cu合金、Al-Cu-Mg合金、Al-Zn-Mg-Cu合金)等。作为玻璃材料,能举出硼硅酸玻璃、结晶玻璃、石英、苏打玻璃等。作为陶瓷材料,能举出氧化铝、氮化铝、氮化硅等。作为金属氧化物材料,能举出氧化钛等。光散射性粒子在包含玻璃材料、金属氧化物材料等透明材料的情况下,能使从基板2的第2面2b的一侧入射的激光散射以及折射,从而使其难以到达第2绝缘层32i的一侧。此外,光散射性粒子在具有金属材料、合金材料等的金属光泽色等光反射性的情况下,能使从基板2的第2面2b的一侧入射的激光反射以及散射,从而使其难以到达第2绝缘层32i的一侧。
光散射性粒子的平均粒径可以是55nm~10μm左右。适合地,可以是1μm~10μm左右,更适合地,可以是2μm~7μm左右。
第1绝缘层3li可以是包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)等无机材料的结构。在该情况下,比第2绝缘层32i先入射从基板2的第2面2b的一侧入射的激光的第1绝缘层31i的耐激光性提升。
第2绝缘层32i可以是包含丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂等有机材料的结构。在该情况下,难以受到从基板2的第2面2b的一侧入射的激光的热的影响的第2绝缘层32i能构成厚度厚的平坦化层等。
此外,第2绝缘层32i可以是包含黑色化树脂即所谓的黑矩阵等的遮光层。在该情况下,在使用显示装置1来制作显示装置时,遮光层成为黑色的背景色,使显示图像的对比度提升。
可以是如下结构:具备从基板2的第1面2a的端缘部W经过基板2的侧面2c设置到第2面2b的一侧的侧面布线10,侧面布线10位于与第1金属遮光层31及/或第2金属遮光层32重叠的位置。在该情况下,能抑制相邻的侧面布线10彼此经由第1金属遮光层31的露出部及/或第2金属遮光层32的露出部而短路。能在将包含Ag、Cu、Al、不锈钢等导电性粒子、未固化的树脂成分、醇溶媒以及水等的导电性糊膏涂布在从基板2的第1面2a到侧面2c以及第2面2b的所期望的部位后,利用加热法、通过紫外线等光照射来使固化的光固化法、光固化加热法等方法,来形成侧面布线10。侧面布线10也能利用镀覆法、蒸镀法、CVD(Chemical VaporDeposition,化学气相沉积)法等薄膜形成法来形成。此外,也可以在基板2的第1面2a、侧面2c和第2面2b中的形成侧面布线10的部位预先形成槽。由此,成为侧面布线10的导电性糊膏易于配置在基板2中的所期望的部位。
第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32也可以是设为电浮起(浮游状态)的结构。即,第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32可以是与阳极电位部、阴极电位部等特定的电位部为非连接的状态。在该情况下,能防止由于第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32中的、从与特定的电位部的连接部向其相反侧的端部产生的电位梯度而在第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32产生电蚀所导致的劣化。
此外,第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32可以遍及基板2的全周配置。例如,在基板2为矩形状的情况下,若全部边(4边)是被激光切断的边,则可以在全部边都配置第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32。另外,在基板2具有被激光切断的边和未被激光切断的边的情况下,可以至少在被激光切断的边配置第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32。
第1绝缘层3li包含无机材料。第2绝缘层32i包含有机材料。在基板2的第1面2a上具备发光元件6、驱动控制发光元件6的TFT、将发光元件6和TFT连接的后述的栅极信号线4以及源极信号线5等的布线层,第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32的至少一者可以是包含与布线层相同材料的结构。在该情况下,能削减工序数。
图9是示意表示图1所示的显示装置的第1面2a侧的电路结构的块电路图,图10是示意表示显示装置的第2面2b侧的电路结构的块电路图。基板2例如是透明或不透明的玻璃基板、塑料基板、陶瓷基板等。基板2具有将第1面2a和第2面2b连接的第3面(侧面)2c。基板2是至少具有第1边m1以及与其相邻的第2边m2的形状。例如,基板2的形状可以是三角形板状、矩形板状、平行四边形板状、梯形板状、六边形板状等,也可以是其他形状。在基板2的形状为三角形板状、矩形板状、六边形板状等形状的情况下,容易将多个显示装置1平铺来制作复合型且大型的显示装置(以下也称作多显示器)。在本实施方式中,例如如图1、2所示那样,基板2具有矩形板状的形状。此外,基板2可以是具有与第1边m1相邻且与第2边m2对置的第3边m3的形状。在该情况下,例如,基板2的形状可以是矩形板状、平行四边形板状、梯形板状、六边形板状等,也可以是其他形状。第2边m2和与其对置的第3边m3可以相互平行,但也可以不是完全的平行。
像素部3在基板2的第1面2a上将多个像素以给定的间距矩阵状配置。多个像素部3与多个栅极信号线4和多个源极信号线5的交叉部对应地配置,各像素部3具有发光元件6。多个栅极信号线4沿着给定方向(是图9中的左右方向,例如行方向)配置。多个源极信号线5在与给定方向交叉的方向(例如列方向)上与多个栅极信号线4交叉配置。多个像素部3与多个栅极信号线4与多个源极信号线5的交叉部对应地配置。例如如图9所示那样,多个像素部3以给定的像素间距矩阵状排列。
多个像素部3各自具有发光元件6以及电极焊盘62。发光元件6例如是发光二极管(Light Emitting Diode:LED)元件、有机电致发光元件、半导体激光元件等自发光型的元件。在本实施方式中,作为发光元件6而使用LED元件。发光元件6可以是微型LED元件。在发光元件6为微型LED元件的情况下,发光元件6可以在配置于第1面2a上的状态下具有一边的长度为1μm左右以上且100μm左右以下、或3μm左右以上且10μm左右以下的矩形状的俯视观察形状。
发光元件6具有阳极端子以及阴极端子,电极焊盘62具有阳极焊盘62a以及阴极焊盘62b。发光元件6的阳极端子以及阴极端子例如经由导电性粘接剂、焊料等导电性接合材料与阳极焊盘62a以及阴极焊盘62b分别电连接。
各像素部3可以具有多个发光元件6、多个阳极焊盘62a以及单体或多个阴极焊盘62b。在多个阳极焊盘62a分别电连接多个发光元件6的多个阳极端子,在单体或多个阴极焊盘62b电连接多个发光元件6的多个阴极端子。在阴极焊盘62b是单体的情况下,能设为针对多个发光元件6的共通的阴极焊盘62b。多个发光元件6可以是发出红色光的发光元件61R、发出绿色光的发光元件61G以及发出蓝色光的发光元件61B。在该情况下,各像素部3能进行彩色的灰度显示。各像素部3也可以取代发出红色光的发光元件61R而具备发出橙色光、红橙色光、红紫色光或紫色光的发光元件=。此外,各像素部3也可以取代发出绿色光的发光元件61G而具有发出黄绿色光的发光元件。
例如如图10所示那样,作为电源供给部的电源供给电路7配置在第2面2b上。电源供给电路7生成对多个像素部3供给的第1电源电压VDD以及第2电源电压VSS。电源供给电路7具有输出第1电源电压VDD的VDD端子和输出第2电源电压VSS的VSS端子。第1电源电压VDD例如是10V~15V左右的阳极电压。第2电源电压VSS是比第1电源电压VDD低电压,例如是0V~3V左右的阴极电压。电源供给电路7例如可以由柔性电路基板(Flexible CircuitBoard:FPC)构成。电源供给部可以是具备电源电压控制用的IC、LSI等半导体元件的电路模块。进而,电源供给部可以具有:电源供给电路7;用于生成控制发光元件6的发光、非发光、发光强度等的控制信号的由IC芯片构成的控制元件。控制元件可以作为控制部含在电源供给电路7中。
此外,驱动电路部13配置在第2面2b上。驱动电路部13经由配置于第2面2b上的第2源极信号线17与配置于第1面2a上的源极信号线5电连接。驱动电路部13和电源供给电路7也可以为了取它们的动作的同步而电连接。
例如如图9所示那样,表面侧的电源连接焊盘108配置在第1面2a上的第2边m2侧的端缘部W。端缘部W是沿着第2边m2的边缘部,是第1面2a上的从第2边m2向第1面2a的中央侧具有10μm~500μm左右的宽度的部位,但并不限于该宽度的值。电源连接焊盘108具有多个第1电源连接焊盘181和多个第2电源连接焊盘182。第1电源连接焊盘181是用于对多个像素部3供给第1电源电压VDD的连接焊盘,第2电源连接焊盘182是用于对多个像素部3供给第2电源电压VSS的连接焊盘。第1电源连接焊盘181以及第2电源连接焊盘182分别是使1边的长度为50μm~500μm左右、适合地为70μm~300μm左右的矩形状,但1边的长度并不限于这些值,形状也可以是5边形状等多边形状、梯形状、圆形状、椭圆形状等各种形状。以下,关于布线焊盘能采取同样的结构。
例如如图9所示那样,显示装置1具有第1引绕布线11a以及第2引绕布线11b。第1引绕布线11a以及第2引绕布线11b位于第1面2a上。第1引绕布线11a以及第2引绕布线11b例如包含Mo/Al/Mo、MoNd/AlNd/MoNd等。在此,“Mo/Al/Mo”表示在Mo层上层叠Al层且在Al层上层叠Mo层的层叠构造。关于其他,也同样。第1引绕布线11a将发光元件6的阳极端子和多个第1电源连接焊盘181连接。第2引绕布线11b将发光元件6的阴极端子和多个第2电源连接焊盘182连接。
第1引绕布线11a以及第2引绕布线11b可以是面状的布线图案。在该情况下,第1引绕布线11a以及第2引绕布线11b通过配置于它们之间的绝缘层(未图示)而相互电绝缘。电极焊盘62的阳极焊盘62a可以作为第1引绕布线11a的一部分来形成。
如图10所示那样,背面侧的电源连接焊盘9位于第2面2b上。电源连接焊盘9例如可以配置于第2边m2侧的端缘部。该端缘部可以具有与上述的端缘部W同样的结构。电源连接焊盘9具有多个第3电源连接焊盘91和多个第4电源连接焊盘92。第3电源连接焊盘91是用于对多个像素部3供给第1电源电压VDD的连接焊盘,第4电源连接焊盘92是用于对多个像素部3供给第2电源电压VSS的连接焊盘。
显示装置1是如下结构:多个第1电源连接焊盘181的个数和多个第3电源连接焊盘91的个数相等,多个第2电源连接焊盘182的个数和多个第4电源连接焊盘92的个数相等。多个第1电源连接焊盘181和多个第3电源连接焊盘91可以在俯视观察下,即在从与第1面2a正交的方向观察时分别重叠。多个第2电源连接焊盘182和多个第4电源连接焊盘92可以在俯视观察下分别重叠。
显示装置1具有第3引绕布线12。第3引绕布线12位于第2面2b上。第3引绕布线12例如包含Mo/Al/Mo、MoNd/AlNd/MoNd、Ag等。例如如图10所示那样,第3引绕布线12将电源供给电路7的VDD端子和多个第3电源连接焊盘91连接,将电源供给电路7的VSS端子和多个第4电源连接焊盘92连接。
多个侧面布线10经由基板2的侧面即第3面2c从第1面2a上配置到第2面2b上。在本实施方式中,例如如图8所示那样,多个侧面布线10从第1面2a上配置到第3面2c以及第2面2b上。多个侧面布线10将多个第1电源连接焊盘181和多个第3电源连接焊盘91分别连接。多个侧面布线10将多个第2电源连接焊盘182和多个第4电源连接焊盘92分别连接。
显示装置1也可以是取代多个侧面布线10而具有从第1面2a贯通到第2面2b的多个贯通导体的结构。此外,也可以是具有多个侧面布线10并且具有多个贯通导体的结构。本实施方式的显示装置1适合地可以是至少具有多个侧面布线10的结构。
显示装置1具有栅极布线,其从第1面2a上配置到第2面2b上,将多个栅极信号线4和电源供给电路7的控制部连接。例如如图9、10所示那样,栅极布线具有第5连接焊盘18、第6连接焊盘19、第1栅极布线20、第2栅极布线21以及第3栅极布线22。第3栅极布线22形成为侧面布线。
例如如图9所示那样,第5连接焊盘18配置在第1面2a上的第2边m2侧的端缘部。例如如图10所示那样,第6连接焊盘19配置在第2面2b上的第2边m2侧的端缘部。第5连接焊盘18和第6连接焊盘19可以在俯视观察下重叠。例如如图9所示那样,第1栅极布线20配置于第1面2a上,将多个栅极信号线4和第5连接焊盘18连接。例如如图10所示那样,第2栅极布线21配置于第2面2b上,将电源供给电路7的控制部和第6连接焊盘19连接。例如如图9、10所示那样,第3栅极布线22从第1面2a上配置到第3面2c上以及第2面2b上,将第5连接焊盘18和第6连接焊盘19连接。
连接焊盘8(例如第1连接焊盘81)和与其对应的背面侧的第7连接焊盘80包含导电性材料。第1连接焊盘8以及第7连接焊盘80可以包含单一的金属层,也可以层叠多个金属层来形成。第1连接焊盘8以及第7连接焊盘80例如可以包含Al、Al/Ti、Ti/Al/Ti、Mo、Mo/Al/Mo、MoNd/AlNd/MoNd、Cu、Cr、Ni、Ag等。
如图8所示那样,连接焊盘8可以是将2层的导体层8a1、8ba2层叠而形成的结构。导体层8al可以包含Al、Al/Ti、Ti/Al/Ti、Mo、Mo/Al/Mo、MoNd/AlNd/MoNd、Cu、Cr、Ni、Ag等,导体层8a1上的导体层8a2可以包含含有ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)、IZO(IndiumZinc Oxide,氧化铟锌)等的透明导电层。此外,也可以在连接焊盘8中的第1面2a的内方侧的端部配置绝缘层25、26。由此,能抑制连接焊盘8与配置于第1面2a的内方侧的布线导体等短路。绝缘层25、26例如包含SiO2、Si3N4、丙烯酸树脂等聚合物材料等。第7连接焊盘80的表面可以被包含ITO、IZO等的透明导电层被覆。
各像素部3在基板2上包含:用于对发光元件6分别输入发光信号的作为开关元件的第1薄膜晶体管(Thin Film Transistor:TFT);用于根据与发光控制信号(在图像信号线SL中传递的信号)的电平(电压)相应的、正电压(阳极电压:10V~15V左右)与负电压(阴极电压:0V~3V左右)的电位差(发光信号)来对发光元件6进行电流驱动的作为驱动元件的第2薄膜晶体管。
第1以及第2TFT例如具有包含非晶硅(a-Si)、低温多晶硅(Low-Temperature PolySilicon:LTPS)等的半导体膜,是具有栅极电极、源极电极、漏极电极这3端子的结构。此外,第1以及第2TFT能采用双方都是n沟道型TFT结构、双方都是p沟道型TFT结构、一者是n沟道型TFT且另一者是p沟道型TFT的结构。并且,作为通过对栅极电极施加给定电位的电压(2.5V~3.5V左右)而在源极电极与漏极电极之间的半导体膜(沟道)流过电流的开关元件(栅极转移元件)发挥功能。基板2包含玻璃基板,驱动元件在是使用具有包含LTPS的半导体膜的TFT构成的驱动电路的情况下,能通过在基板2上利用CVD(Chemical VaporDeposition,化学气相沉积)法等薄膜形成法直接形成TFT。
图14是表示本公开的复合型显示装置的一实施方式的图,是主要部分的部分俯视图。如图14所示那样,能使用多个本公开的显示装置1来构成复合型显示装置100。复合型显示装置100通过使多个显示装置1的侧面彼此结合来构成。多个显示装置1包含第1显示装置1A以及第2显示装置1B,将第1显示装置1A中的与第1边m1相邻的第1侧面2c1和第2显示装置1B中的与第1侧面2cl对置的第2侧面2c2结合。使第1显示装置1A的第1侧面2c1和第2显示装置1B的第2侧面2c2结合的结合材料90可以是树脂粘接剂。树脂粘接剂例如包含环氧树脂、聚酰胺树脂、混合了环氧树脂和聚酰胺树脂的树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、尿烷树脂等光固化性或热固化性的树脂材料。树脂粘接剂可以是在树脂材料中混入黑色的无机颜料的黑色树脂材料。在该情况下,由于第1显示装置与第2显示装置的结合部(平铺部)不显眼,因此,易于维持显示图像的连续性。无机颜料可以是碳黑等碳系颜料、钛黑等氮化物系颜料、Cr-Fe-Co系、Cu-Co-Mn(锰)系、Fe-Co-Mn系、Fe-Co-Ni-Cr系等金属氧化物系颜料等。
复合型显示装置100也可以通过使3个以上的显示装置1结合来构成。此外,复合型显示装置100也可以具备基底基板,在基底基板上经由固定构件固定多个显示装置1。固定构件可以包含螺丝、夹子、嵌合构件等机械性固定要素,也可以包含粘接剂等化学的固定要素。此外,固定构件可以是如下结构:包含嵌入显示装置1的基板2的缘部的框体,该框体通过机械性固定要素、化学的固定要素固定在基底基板。
结合材料可以是黑色,在表面具有吸收入射光的凹凸构造。例如,结合材料可以是如下结构:是在硅酮树脂等母材中混入碳黑等黑色颜料而形成的黑色树脂,在黑色树脂的表面利用转印法等形成算数平均粗糙度10μm~50μm左右、适合为20μm~30μm左右的凹凸构造。在该情况下,结合材料的光吸收性格外提升。
根据本实施方式,在将多个显示装置1平铺来制作复合型显示装置的情况下,将各个显示装置1的表面侧和背面侧通过包含Ag等的侧面布线10进行电连接。在过去那样在基板2的侧面布线10的形成部位配置将激光遮光的单层的金属遮光层的情况下,相邻的侧面布线10彼此有可能经由金属遮光层而短路,但在本实施方式中,由于金属遮光层被分离成在层叠方向上位于不同位置的第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32,因此,能防止相邻的侧面布线10彼此经由第1金属遮光层31而短路。此外,在本实施方式中,在具有重叠部位LW以使得在俯视观察下第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32成为一排的情况下,即使从基板2的第2面2b的一侧照射激光,也能有效果地抑制第2绝缘层32i等受到激光的热的影响。此外,在第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32为电浮起(浮游状态)的情况下,能防止在第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32产生电蚀所导致的劣化。此外,由于金属遮光层被分割成第1金属遮光层31和第2金属遮光层32,因此,成为难以产生静电放电的结构的金属遮光层。
此外,由于如图4所示那样,由于第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32不仅位于第2绝缘层32i,还位于比厚度厚的作为平坦化层等的有机层即绝缘层(有机绝缘层)24、26更靠近激光L的一侧,因此,不仅能抑制对第2绝缘层32i的激光L的热的影响,还能抑制对有机绝缘层24、26的激光L的热的影响。即,能抑制有机绝缘层24、26因激光L的热而升华、之后固化并作为异物附着于第1面2a上的布线等。
第1金属遮光层31以及第2金属遮光层32各自的厚度为50nm~1μm左右,但也可以使第1金属遮光层31的厚度比第2金属遮光层32的厚度厚。在该情况下,接近于激光L的一侧的第1金属遮光层31有效率地吸收激光的热,第2金属遮光层32能难以受到激光的热的影响。第1金属遮光层31的厚度可以设为超过第2金属遮光层32的厚度的1倍且为5倍以下左右,但并不限于高值。若超过5倍,则有阻碍显示装置1的薄型化的倾向。
以上详细说明了本公开的实施方式,此外,本公开并不限定于上述的实施方式,能在不脱离本公开的要旨的范围内进行各种变更、改良等。能将分别构成上述各实施方式的全部或一部分适宜在不矛盾的范围内组合,这点不言自明。
根据本公开的显示装置,对于难以微细化的多个连接焊盘,能抑制在他们之间产生电短路、以及外框部变大,能配置在基板上。此外,能更加减小外框部来将多个连接焊盘配置在基板上。
产业上的可利用性
本公开的显示装置能构成为LED显示装置、有机EL显示装置等的发光显示装置以及液晶显示的显示装置。此外,本公开的显示装置能运用于各种电子设备中。作为该电子设备,有复合型且大型的显示装置(多显示器)、汽车路径引导系统(导航系统)、船舶路径引导系统、航空器路径引导系统、智能手机终端、便携电话、平板终端、个人数字助理(PDA)、视频摄像机、数字静态摄像机、电子记事簿、电子书、电子词典、个人计算机、复印机、游戏设备的终端装置、电视机、商品显示标签、价格显示标签、产业用可编程显示装置、汽车音响、数字音频播放器、传真机、打印机、现金自动存取机(ATM)、自动贩卖机、平视显示器(HMD)、数字显示式手表、智能手表等。
本公开能图脱离其精神或主要的特征地以其他各种形态实施。因此,前述的实施方式在所有点上都指示单纯的例示,本发明的范围在权利要求书中示出,不受说明书正文的任何约束。进而,属于权利要求书的变形、变更全都是本发明的范围内。
符号说明
1、1a、1b显示装置
2基板
2a第1面
2b第2面
2c第3面(侧面)
3像素部
6发光元件
8连接焊盘
81第1连接焊盘
82第2连接焊盘
83第3连接焊盘
10侧面布线
L1第1发光控制信号线
L2第2发光控制信号线
L3第3发光控制信号线
m1第1边
m2第2边
m3第3边。

Claims (18)

1.一种显示装置,具备:
基板,具有第1边以及与其相邻的第2边;
多个发光元件,位于所述基板上;
多个发光控制信号线,位于所述基板上,控制所述发光元件的发光/非发光;和
连接焊盘,位于所述基板上的所述第1边侧的端缘部以及所述第2边侧的端缘部,与所述多个发光控制信号线分别连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
多个所述连接焊盘包含:
多个第1连接焊盘,在所述基板上的所述第1边侧的端缘部沿着所述第1边设置,与控制所述多个发光元件当中的第1群的所述发光元件各自的发光/非发光的第1发光控制信号线连接;和
第2连接焊盘,位于所述基板上的所述第2边侧的端缘部,与控制所述多个发光元件当中的第2群的所述发光元件的发光/非发光的第2发光控制信号线连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
在所述基板上的所述第2边侧的端缘部,设置与所述第2发光控制信号线以外的布线连接的其他连接焊盘,
所述第2连接焊盘位于比所述其他连接焊盘更接近于所述第1边的位置。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置,其中,
所述多个发光元件包含:多个最外部发光元件,在所述基板上的所述第1边侧的端缘部沿着所述第1边设置,
所述第1连接焊盘位于所述多个最外部发光元件彼此之间。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的显示装置,其中,
所述第2群的发光元件沿着所述第2边侧的端缘部设置,
所述第2连接焊盘位于所述第2群的发光元件彼此之间。
6.根据权利要求2~5中任一项所述的显示装置,其中,
所述第2连接焊盘的大小比所述第1连接焊盘的大小大。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述第2连接焊盘具有:延伸部,沿着所述第2边向所述第1边侧延伸。
8.根据权利要求2~7中任一项所述的显示装置,其中,
所述基板具有:所述多个发光元件所位于的一侧的第1面;与所述第1面相反的一侧的第2面;将所述第1面和所述第2面相连的侧面;和从所述第1面的端缘部经由所述侧面设置到所述第2面的端缘部的侧面布线,
所述第1连接焊盘以及所述第2连接焊盘分别与所述侧面布线连接。
9.根据权利要求2~8中任一项所述的显示装置,其中,
所述基板具有:与所述第1边相邻并且与所述第2边对置的第3边,
所述显示装置具备:
第3连接焊盘,位于所述基板上的所述第3边侧的端缘部,与控制所述多个发光元件当中的第3群的所述发光元件的发光/非发光的第3发光控制信号线连接。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
在所述基板上的所述第3边侧的端缘部,设置与所述第3发光控制信号线以外的布线连接的其他连接焊盘,
所述第3连接焊盘位于比所述其他连接焊盘更接近于所述第1边的位置。
11.根据权利要求9或10所述的显示装置,其中,
所述第3群的发光元件沿着所述第3边侧的端缘部设置,
所述第3连接焊盘位于所述第3群的发光元件彼此之间。
12.根据权利要求9~11中任一项所述的显示装置,其中,
所述第3连接焊盘的大小比所述第1连接焊盘的大小大。
13.根据权利要求8或12所述的显示装置,其中,
所述第3连接焊盘具有:延伸部,沿着所述第3边向所述第1边侧延伸。
14.根据权利要求9~13中任一项所述的显示装置,其中,
所述基板具有:所述多个发光元件所位于的一侧的第1面;与所述第1面相反的一侧的第2面;将所述第1面和所述第2面相连的侧面;和从所述第1面的端缘部经由所述侧面设置到所述第2面的端缘部的侧面布线,
所述第3连接焊盘与所述侧面布线连接。
15.根据权利要求8或14所述的显示装置,其中,
所述基板在所述第2面侧具备与所述侧面布线电连接的驱动部。
16.根据权利要求1~15中任一项所述的显示装置,其中,
在所述第2边侧的端缘部,设置与向所述多个发光元件供给电源电流的电源布线连接的电源连接焊盘。
17.根据权利要求1~16中任一项所述的显示装置,其中,
所述发光元件是微型发光二极管元件。
18.一种复合型显示装置,
具有权利要求1~17中任一项所述的多个显示装置;
通过使所述多个显示装置的侧面彼此结合来构成所述复合型显示装置,
所述多个显示装置包含第1显示装置以及第2显示装置,
将所述第1显示装置中的与所述第1边相邻的第1侧面和所述第2显示装置中的与所述第1侧面对置的第2侧面结合。
CN202180081088.2A 2020-12-08 2021-12-01 显示装置以及复合型显示装置 Pending CN116569244A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-203733 2020-12-08
JP2020203733 2020-12-08
PCT/JP2021/044113 WO2022124161A1 (ja) 2020-12-08 2021-12-01 表示装置および複合型表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116569244A true CN116569244A (zh) 2023-08-08

Family

ID=81973902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180081088.2A Pending CN116569244A (zh) 2020-12-08 2021-12-01 显示装置以及复合型显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240038954A1 (zh)
JP (1) JP7453418B2 (zh)
CN (1) CN116569244A (zh)
WO (1) WO2022124161A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW543145B (en) 2001-10-11 2003-07-21 Samsung Electronics Co Ltd A thin film transistor array panel and a method of the same
JP2005221598A (ja) 2004-02-04 2005-08-18 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2010232276A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Casio Computer Co Ltd 発光装置及びその製造方法
KR102612998B1 (ko) * 2016-12-30 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
KR102582059B1 (ko) * 2016-12-30 2023-09-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
EP3633658B1 (en) 2018-02-28 2022-10-05 Kyocera Corporation Display device, glass substrate, and method for manufacturing glass substrate
EP3979342A4 (en) 2019-05-29 2023-06-14 Kyocera Corporation ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Also Published As

Publication number Publication date
JP7453418B2 (ja) 2024-03-19
JPWO2022124161A1 (zh) 2022-06-16
WO2022124161A1 (ja) 2022-06-16
US20240038954A1 (en) 2024-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10008555B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
JP7034235B2 (ja) 表示装置、ガラス基板およびガラス基板の製造方法
KR102380057B1 (ko) 표시장치
US20160143174A1 (en) Anisotropic conductive film and display device having the same
US6970225B2 (en) Electrooptic device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
US10268092B2 (en) Display device
JP7449360B2 (ja) 配線基板、それを用いた発光装置及び表示装置
JP7449280B2 (ja) マイクロled素子基板および表示装置
WO2020250667A1 (ja) 発光素子基板および表示装置
KR20120061129A (ko) 표시 장치
CN115605935A (zh) 显示装置以及复合型显示装置
JP7551401B2 (ja) 遮光層積層型基板
JP7453418B2 (ja) 表示装置および複合型表示装置
JP7478257B2 (ja) 表示装置
KR102047856B1 (ko) 배면발광형 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN111554660A (zh) 显示装置
WO2023063164A1 (ja) 表示装置
WO2023008243A1 (ja) 画素構造体および表示装置
CN113424330B (zh) 微型led元件搭载基板以及使用其的显示装置
WO2023038096A1 (ja) 表示装置およびマルチディスプレイ
KR20180025523A (ko) 표시장치
KR20230095438A (ko) 표시 패널
KR20230098960A (ko) 표시 패널
KR20230102328A (ko) 표시 패널
KR20230102326A (ko) 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination