CN116525723A - 异质结电池的制作方法及其电池 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 206
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 200
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 160
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 160
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 159
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 116
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 103
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 103
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 103
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 103
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 103
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 103
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 146
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 122
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 31
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 30
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 373
- 239000010408 film Substances 0.000 description 130
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 206010067484 Adverse reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006838 adverse reaction Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
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Abstract
本发明提出了一种异质结电池的制作方法及其电池，方法包括：对硅片进行预钝化处理分别生成SiO2钝化层；对SiO2钝化层进行PECVD沉积处理生成正背面本征层，对正背面本征层进行PECVD沉积处理，生成N掺杂层和P掺杂层，并进行PVD处理，生成TCO膜；对TCO膜进行激光划图处理，以得到凹陷TCO膜；对凹陷TCO膜进行栅线印刷处理以实现异质结电池的制备，以提高电池的钝化效果，并减少栅线遮挡，有效提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率。
Description
技术领域
本发明涉及电池制作技术领域，特别涉及一种异质结电池的制作方法及其电池。
背景技术
太阳能光伏产业是一种可持续发展的绿色清洁能源，随着科技的进步，人们对太阳能光伏组件的性能要求越来越高，而在电池制作领域，本征层的制备对于改善器件的电特性和保护器件表面具有重要意义，为了在Si基器件表面形成稳定的本征层，目前采取了包括氧化、氮化、氟化在内的多种不同的化学方法，其中，通过异质结技术采用双面氢化非晶硅（本征层）对硅片表面进行钝化，其能有效降低缺陷态密度，减少复合，进而增加电池的少子寿命；
然而，当前异质结电池的制作方法存在以下问题：首先，由于根据双面氢化非晶硅钝化技术制备本征层的工艺条件接近于外延硅生长的条件，而一旦出现条件变化，很容易会导致钝化其效果的降低；其次，通常印刷的银栅线和TCO是单面接触，银栅线的作用是为了收集TCO膜（透明导电氧化物膜层）上的电流，而栅线宽度增加，虽然有助于栅线导电性的增强和拉力的提升，但会导致银栅线遮挡硅片表，影响电池组件功率和发电量；
综上，当前异质结电池的电池组件功率和发电量较差，需要一种能克服上述问题，有效提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率的异质结电池的制作方法及其电池。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种异质结电池的制作方法及其电池，通过对N型硅片先进行预钝化处理，在N型硅片的正反两面分别生成SiO2钝化层的方式，减少后续本征层钝化时产生外延硅生长的几率，提高钝化效果；通过激光划图处理形成凹陷透明导电氧化物膜层，并将银栅线嵌入在凹陷透明导电氧化物膜层表面的凹槽中的方式，增强TCO膜和银栅线的接触面积，减少了银栅线对硅片表面的遮挡进而有效提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率。
第一方面，本发明实施例提供了一种异质结电池的制作方法，所述方法包括：
以硅片作为电池衬底，并对所述硅片进行制绒清洗处理；
对所述硅片进行预钝化处理，在所述硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层；
对所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在所述第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层；
对所述正面本征层和所述背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述正面本征层的外侧沉积N掺杂层，在所述背面本征层的外侧沉积P掺杂层；
对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层；
根据预设的网版图形对所述透明导电氧化物膜层进行激光划图处理，以得到凹陷透明导电氧化物膜层，其中，激光划图的深度小于透明导电氧化物膜层的厚度；
根据所述网版图形对所述凹陷透明导电氧化物膜层进行栅线印刷处理。
在一些实施例中，在所述背面本征层的外侧沉积P掺杂层之后，所述方法还包括：
对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层，所述全面积的透明导电氧化物膜层覆盖所述硅片的侧面；
根据预设的网版图形对所述全面积的透明导电氧化物膜层进行激光划图处理，以得到全面积的凹陷透明导电氧化物膜层，其中，激光划图的深度小于透明导电氧化物膜层的厚度；
对所述硅片侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层进行激光刻蚀处理，以使所述N掺杂层和所述P掺杂层外侧的全面积的凹陷透明导电氧化物膜层相互分离；
根据所述网版图形对所述全面积的凹陷透明导电氧化物膜层进行栅线印刷处理。
在一些实施例中，所述透明导电氧化物膜层包括一层或多层透明氧化导电膜，对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层，包括：
将所述硅片放置在物理气相沉积载板镂空的凹槽上进行正面透明导电氧化物膜层镀膜处理，以在所述N掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层；
将所述硅片翻面，再放置在物理气相沉积载板镂空的凹槽上进行背面透明导电氧化物膜层镀膜处理，以在所述P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层。
在一些实施例中，对所述硅片侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层进行激光刻蚀处理，包括：
对预定数量个外侧具有全面积的凹陷透明导电氧化物膜层的硅片进行叠放处理，得到硅片堆；
对所述硅片堆的四个侧面分别进行激光刻蚀扫描处理，以去除所述硅片四个侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层。
在一些实施例中，对所述硅片进行预钝化处理，在所述硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层，包括：
将所述硅片浸泡在通入臭氧的纯水中，以在所述硅片的正反两面分别生成所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层；
或者，对所述硅片进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述硅片的正反两面分别生成所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层。
在一些实施例中，所述凹陷透明导电氧化物膜层的表面上具有与所述网版图形对应的凹槽，所述凹槽的深度等于所述激光划图的深度；在进行栅线印刷处理时，所述凹槽用于镶入印刷的银栅线。
在一些实施例中，对所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在所述第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层，包括：
将工艺温度确定为150至230℃，工艺压力确定为0至150pa；
通入第一工艺气体，以根据所述工艺温度和所述工艺压力对所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在所述第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层；
其中，所述第一工艺气体包括SiH4和H2 ，所述正面本征层和所述背面本征层包括氢化非晶硅。
在一些实施例中，对所述正面本征层和所述背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述正面本征层的外侧沉积N掺杂层，在所述背面本征层的外侧沉积P掺杂层，包括：
将工艺温度确定为150至230℃，工艺压力确定为0至800pa；
通入第二工艺气体，并根据所述工艺温度和所述工艺压力对所述正面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述正面本征层的外侧沉积N掺杂层；其中，所述第二工艺气体包括SiH4、H2、PH3和CO2，所述N掺杂层包括氢化微晶硅；
通入第三工艺气体，并根据所述工艺温度和所述工艺压力对所述背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述背面本征层的外侧沉积P掺杂层；其中，所述第三工艺气体包括SiH4、H2、B2H6和CO2，所述N掺杂层包括氢化微晶硅。
在一些实施例中，对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层，包括：
将工艺温度确定为100至200℃，工艺压力确定为0至0.8pa；
通入第四工艺气体，并根据所述工艺温度和所述工艺压力对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层；
其中，所述第四工艺气体包括Ar、 O2和Ar/H2。
第二方面，本发明实施例提供了一种异质结电池，所述电池以硅片作为电池衬底，所述硅片的一侧设置有第一SiO2钝化层、正面本征层、N掺杂层、凹陷透明导电氧化物膜层，所述硅片的另一侧设置有第二SiO2钝化层、背面本征层、P掺杂层、凹陷透明导电氧化物膜层，所述N掺杂层和所述P掺杂层外侧的凹陷透明导电氧化物膜层相互分离，所述凹陷透明导电氧化物膜层上印刷有银栅线，所述银栅线嵌入在所述凹陷透明导电氧化物膜层表面的凹槽中。
第三方面，本发明实施例提供了一种异质结电池的制作装置，所述制作装置用于执行如上第一方面中任意一项实施例所述的异质结电池的制作方法。
根据本发明实施例的异质结电池的制作方法及其电池，至少具有如下有益效果，本发明通过对硅片进行预钝化处理，在硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层；对第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层；对正面本征层和背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在正面本征层的外侧沉积N掺杂层，在背面本征层的外侧沉积P掺杂层；对N掺杂层和P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在N掺杂层和P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层；根据预设的网版图形对透明导电氧化物膜层进行激光划图处理，以得到凹陷透明导电氧化物膜层，其中，激光划图的深度小于透明导电氧化物膜层的厚度；根据网版图形对凹陷透明导电氧化物膜层进行栅线印刷处理等步骤以实现异质结电池的制备，其中，首先，本发明在制备本征层前，先制备SiO2层对硅片进行预钝化处理，可以减少后续本征层（氢化非晶硅）钝化时产生外延硅生长的几率，提高钝化的效果；同时，本发明通过凹陷的TCO膜，增强TCO膜和银栅线的导电性和拉力（银栅线嵌入TCO膜的凹陷处于，与TCO膜3面接触），进而在导电性和拉力满足电池电性能要求的情况下，可以适当减少栅线的数量，减少银栅线对硅片表面的遮挡，既可以降低了电池的制造成本，又可以提高电池的转换效率，进而有效提高硅片的有效发电面积，提高正背面电池的发电功率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1是本发明一个实施例提供的异质结电池的结构示意图；
图2是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法的流程图；
图3是本发明另一个实施例提供的生成全面积的透明导电氧化物膜层的流程图；
图4是本发明另一个实施例提供的进行激光刻蚀处理的示意图；
图5是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，进行激光刻蚀处理的流程图；
图6是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，生成SiO2钝化层的流程图；
图7是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，生成本征层的流程图；
图8是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，生成N掺杂层和P掺杂层的流程图；
图9是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，生成透明导电氧化物膜层的流程图；
图10是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法的完整流程图。
附图标记：
101、正面凹陷TCO层；102、N掺杂层；103、正面本征层；104、第一SiO2钝化层；105、硅片；106、第二SiO2钝化层；107、背面本征层；108、P掺杂层；109、背面凹陷TCO层；110、正面栅线；111、背面栅线。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
在当前的电池制作技术中，太阳能光伏产业是一种可持续发展的绿色清洁能源，随着科技的进步，人们对太阳能光伏组件的性能要求越来越高，而在电池制作领域，本征层的制备对于改善器件的电特性和保护器件表面具有重要意义，为了在Si基器件表面形成稳定的本征层，目前采取了包括氧化、氮化、氟化在内的多种不同的化学方法，其中，通过异质结技术采用双面氢化非晶硅（本征层）对硅片表面进行钝化，其能有效降低缺陷态密度，减少复合，进而增加电池的少子寿命；然而，当前异质结电池的制作方法存在以下问题：
第一，现有的异质结技术采用双面氢化非晶硅（单层本征层）对硅片表面进行钝化,能够很好的钝化硅片表面，降低缺陷态密度，减少复合，增加少子寿命，但由于本征层制备的最佳工艺条件接近于外延硅生长的条件，一旦出现外延生长，反而会降低钝化的效果；
第二，通常印刷的银栅线和TCO是单面接触，银栅线的作用是为了收集TCO膜（透明导电氧化物膜层）上的电流，而栅线宽度增加，虽然有助于栅线导电性的增强和拉力的提升，但会导致银栅线遮挡硅片表，影响电池组件功率和发电量。
综上，当前异质结电池的电池组件功率和发电量较差，需要一种能克服上述问题，有效提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率的异质结电池的制作方法及其电池。
基于上述情况，本发明实施例提供了一种异质结电池的制作方法及其电池，方法包括：对硅片进行预钝化处理分别生成SiO2钝化层；对SiO2钝化层进行PECVD沉积处理生成正背面本征层，对正背面本征层进行PECVD沉积处理，生成N掺杂层和P掺杂层，并进行PVD处理，生成TCO膜；对TCO膜进行激光划图处理，以得到凹陷TCO膜；对凹陷TCO膜进行栅线印刷处理以实现异质结电池的制备，其中，本发明通过对N型硅片先进行预钝化处理，在N型硅片的正反两面分别生成SiO2钝化层的方式，减少后续本征层钝化时产生外延硅生长的几率，提高钝化效果；通过激光划图处理形成凹陷透明导电氧化物膜层，并将银栅线嵌入在凹陷透明导电氧化物膜层表面的凹槽中的方式，增强TCO膜和银栅线的接触面积，减少了银栅线对硅片表面的遮挡，进而有效提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率。
下面结合附图，对本发明实施例作进一步阐述。
如图1所示，图1是本发明实施例提供了一种异质结电池，电池以硅片105作为电池衬底，硅片105的一侧设置有第一SiO2钝化层104、正面本征层103、N掺杂层102、凹陷透明导电氧化物膜层，硅片105的另一侧设置有第二SiO2钝化层106、背面本征层107、P掺杂层108、凹陷透明导电氧化物膜层，N掺杂层102和P掺杂层108外侧的凹陷透明导电氧化物膜层相互分离，凹陷透明导电氧化物膜层上印刷有银栅线，银栅线嵌入在凹陷透明导电氧化物膜层表面的凹槽中。
在一些实施例中，本申请中的硅片包括但不限于N型硅片，本领域技术人员可以根据实际运用场景选择硅片的类型。
在一些实施例中，凹陷透明导电氧化物膜层为全面积的凹陷透明导电氧化物膜层。
参考图1，其中全面积的凹陷透明导电氧化物膜层包括正面凹陷TCO层101和背面凹陷TCO层109，凹陷透明导电氧化物膜层上印刷有银栅线包括正面栅线110和背面栅线111，其中，本发明异质结电池由依次接触的正面栅线110、正面凹陷TCO层101、N掺杂层102、正面本征层103、第一SiO2钝化层104、硅片105、第二SiO2钝化层106、背面本征层107、P掺杂层108、背面凹陷TCO层109、背面栅线111组成。
其中，本发明的异质结电池的SiO2钝化层的厚度为1至2nm，例如，可以为1nm或者2nm，正/背面本征层的厚度为5至10nm，例如，5nm、7nm或者10nm；N/P掺杂层的厚度为20至30nm，例如，20nm、25nm或者30nm；正/背面凹陷TCO层的厚度为80至120nm，例如，80nm、100nm或者120nm。
其中，异质结技术指的是将不同半导体材料制成的异质结组合在一起，以利用各自的优势来提高电子元器件的性能；本征层是指氢化非晶硅沉积在硅材料表面上形成的一层材料。
在一些实施例中，参考图1，异质结电池的N掺杂层102和P掺杂层108为氢化微晶硅，正面凹陷TCO层101和背面凹陷TCO层109包括一层或多层透明氧化导电膜，其中，使用氢化微晶硅能具有更大的带隙，更窄的吸收光谱范围，故能有效提高提高电池的光电转换效率，并且随着晶化率提高，串联电阻降低，填充因子提高，能达到提升电池的输出电流，有效延长电池的寿命的效果。
如图2所示，如图2为本发明一个实施例提供的异质结电池的制作方法的流程图，在一些实施例中，本发明提出了一种异质结电池的制作方法，方法包括以下步骤：
步骤S210，以硅片作为电池衬底，并对硅片进行制绒清洗处理；
在一些实施例中，S210步骤中，本发明对来料硅片进行常规的制绒清洗处理，工艺步骤如下： 预清洗→水洗→粗抛→水洗→前清洗→水洗→制绒→水洗→后清洗→水洗→圆滑化处理→水洗→FAINAL→水洗；其中，该步骤以N型硅片作为电池衬底，并对其进行制绒清洗处理，有助于去除表面污染物和不干净的杂质。这可以提高电池的性能和效率，确保电池在制备过程中的稳定性。
步骤S220，对硅片进行预钝化处理，在硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层；
在一些实施例中，本发明设计一种异质结电池，通过在制备本征层前，先制备SiO2层对N型硅片进行预钝化处理，可以减少后续本征层（氢化非晶硅）钝化时产生外延硅生长的几率，提高钝化的效果。
步骤S230，对第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层；
步骤S240，对正面本征层和背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在正面本征层的外侧沉积N掺杂层，在背面本征层的外侧沉积P掺杂层；
步骤S250，对N掺杂层和P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在N掺杂层和P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层；
步骤S260，根据预设的网版图形对透明导电氧化物膜层进行激光划图处理，以得到凹陷透明导电氧化物膜层，其中，激光划图的深度小于透明导电氧化物膜层的厚度；
步骤S270，根据网版图形对凹陷透明导电氧化物膜层进行栅线印刷处理。
其中，等离子增强化学气相沉积（Plasma-enhanced chemical vapordeposition，简称PECVD）是一种薄膜沉积技术。在这个过程中，化学气相沉积与等离子体的激发相结合，以实现薄膜材料在较低温度下的沉积。具体来说，等离子体通过对气体分子进行激发或离子化，使其变得更易于与衬底表面发生反应，从而形成薄膜材料；在本发明中，与传统的PECVD技术相比，本申请通过PECVD可以在较低的温度下实现薄膜沉积，这有助于减小热应力和热损伤，提高异质结电池的可靠性和性能，且由于等离子体的激发作用，PECVD可以生成具有较高密度、较低缺陷和较好界面质量的薄膜材料，有助于提高电池的光电转换效率。
在一些实施例中，凹陷透明导电氧化物膜层的表面上具有与网版图形对应的凹槽，凹槽的深度等于激光划图的深度；在进行栅线印刷处理时，凹槽用于镶入印刷的银栅线，其中，本发明通过根据预设的网版图形对透明导电氧化物膜层进行激光划图处理，以得到凹陷透明导电氧化物膜层，并根据网版图形对凹陷透明导电氧化物膜层进行栅线印刷处理，以将银栅线嵌入TCO膜凹陷的凹槽中，增强TCO膜和银栅线的导电性和拉力（银栅线与TCO膜凹陷的凹槽3面接触），以降低降低外延硅生长的几率（氢化非晶硅）。
在一些实施例中，如图3为本发明一个实施例提供的异质结电池的制作方法的流程图，在一些实施例中，本发明提出了一种生成全面积的透明导电氧化物膜层的流程图，在背面本征层的外侧沉积P掺杂层之后，方法包括以下步骤：
步骤S310,对N掺杂层和P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在N掺杂层和P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层，全面积的透明导电氧化物膜层覆盖硅片的侧面；
步骤S320,根据预设的网版图形对全面积的透明导电氧化物膜层进行激光划图处理，以得到全面积的凹陷透明导电氧化物膜层，其中，激光划图的深度小于透明导电氧化物膜层的厚度；
步骤S330,对硅片侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层进行激光刻蚀处理，以使N掺杂层和P掺杂层外侧的全面积的凹陷透明导电氧化物膜层相互分离；
其中，具体的，将正背面镀全面积TCO膜的硅片通过4个激光刻蚀扫描的方法去除硅片4个侧面的TCO膜，以生产正背面全面积TCO膜，进而提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率。
步骤S340,根据网版图形对全面积的凹陷透明导电氧化物膜层进行栅线印刷处理。
可以想到的是，现有技术中，由于现有的异质结电池为了避免正背面TCO膜导通，造成电池短路，往往选择将异质结电池正面镀全面积TCO膜，背面镀非全面积TCO膜（硅片边缘宽0.9mm处到硅片边缘区域无TCO膜），减小了电池背面的发电面积，降低了电池双面的发电功率，而随着发电面积的增大，会造成电池表面进光量的减少，严重影响电池的电流，故本实施例通过生成全面积TCO膜，再对N型硅片侧面沉积的TCO膜进行激光刻蚀处理，以使正背面的全面积TCO膜相互分离的方式，形成正背面全面积透明导电氧化物膜层，进而有效提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率。
在一些实施例中，透明导电氧化物膜层包括一层或多层透明氧化导电膜，对N掺杂层和P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在N掺杂层和P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层，包括：将N型硅片放置在物理气相沉积载板镂空的凹槽上进行正面透明导电氧化物膜层镀膜处理，以在N掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层；将N型硅片翻面，再放置在物理气相沉积载板镂空的凹槽上进行背面透明导电氧化物膜层镀膜处理，以在P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层，其中，在现有的异质结电池制备过程如下：将需要制备TCO膜的硅片，放置在物理气相沉积PVD镂空的载板Pocket（凹槽）上，进行传动镀膜，先镀正面TCO膜，再镀背面TCO膜，镀膜过程无需翻面破空，而该过程将导致硅片背面和载板接触得地方没有镀上TCO膜，使得硅片的有效发电面积降低，影响电池发电效率；故本申请通过上述步骤以生产全面积TCO膜的异质结电池，提高硅片的有效发电面积，提高正背面电池的发电功率。
在一些实施例中，参考图4，图4是本发明另一个实施例提供的进行激光刻蚀处理的示意图，其中硅片为N型硅片，由于上述实施例物理气相沉积过程使得全面积的透明导电氧化物膜层覆盖N型硅片的侧面，导致正背面TCO膜导通，会造成电池短路，故本实施例中通过将正背面镀全面积TCO膜的N型硅片（硅片厚度约为110um）叠加在一起，每次叠放多片N型硅片得到N型硅片堆，通过4个激光刻蚀扫描的方法去除硅片4个侧面的TCO膜，进而在避免电池正背面TCO膜接触导通的前提下，生成正背面全面积TCO膜，进而提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率。
在一些实施例中，参考图5，图5是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，进行激光刻蚀处理的流程图，其中，对硅片侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层进行激光刻蚀处理，包括：
步骤S510，对预定数量个外侧具有凹陷透明导电氧化物膜层的硅片进行叠放处理，得到硅片堆；
步骤S520，对硅片堆的四个侧面分别进行激光刻蚀扫描处理，以去除硅片四个侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层。
具体的，硅片为N型硅片，预定数量可以为500，可以更有效的去除硅片侧面的TCO膜，本领域技术人员也可以根据实际工作情况进行调整。
在一些实施例中，参考图6，图6是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，生成SiO2钝化层的流程图，其中，对硅片进行预钝化处理，在硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层，包括：
步骤S610，将硅片浸泡在通入臭氧的纯水中，以在硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层；
在一些实施例中，具体的，将制绒清洗后的N型硅片，浸泡在通入03的纯水中，臭氧通入量为20至50ppm，例如，可以为20ppm、35ppm或者50ppm；浸泡时间为0至60s，例如，可以为5s、30s或者55s；使硅片的正背表面形成1至2nm的SiO2，例如，可以为1nm或者2nm，这种SiO2钝化层可以有效地保护硅片免受化学腐蚀和机械损伤，并可减轻本征层的影响，提高电池效率和性能。
其中，将臭氧通入量控制在20至50ppm，例如，可以为20ppm、35ppm或者50ppm；将浸泡时间控制在0至60s，例如，可以为5s、30s或者55s；可以有效的使硅片的正背表面形成1至2nm的SiO2钝化层，进而达到有效控制SiO2钝化层厚度的效果，使其厚度明显低于传统的氢化非晶硅（本征层），相较传统氢化非晶硅（本征层）钝化可以有效降低寄生吸收，同时拥有更高的性能和易于制备，能够减少复合并提高少子寿命，进而有效提高所制备电池的性能。
其中，将清洗后的N型硅片浸泡在通入臭氧的纯水中，臭氧会分解水分子生成氢氧自由基，其中氢离子和氢气会在硅表面和SiO2钝化层的界面反应，从而取代Si-O-Si键，形成更多的Si-H键。这样可以使得所生成的SiO2钝化层中富含高氢含量，从而提高了它的电性能和屏蔽效应故通入臭氧的纯水使得浸泡硅片的正反两面生成的SiO2钝化层富含高氢含量，使得其能更为稳定有效对硅片表面进行钝化，且相较于传统方法，富含H的SiO2层能够在面临外延生长等条件变化的情况下，更为稳定地维持钝化效果。
步骤S620，或者，对硅片进行等离子增强化学气相沉积处理，以在硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层。
具体的，使用板式PECVD使用硅片的表面沉积正/背面SiO2，工艺温度为150至230℃，例如，150℃、190℃或者230℃；工艺压力为0至150pa，例如，10pa、75pa或者140pa；阴极间距为0至40mm，例如，2mm、20mm或者40mm；工艺气体为SiH4，CO2 (其中SiH4：CO2=1:(0至2)，以在N型硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层，第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层的膜厚为0至1nm。
其中，本发明通过先将硅片进行常规的制绒清洗，然后将硅片进行 O3浸泡方法制备SiO2层或板式PECVD制备SiO2层，使用SiO2层可以很好的预钝化硅片界面。
在一些实施例中，参考图7，图7是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，生成本征层的流程图，其中，对第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层，包括：
步骤S710，将工艺温度确定为150至230℃，工艺压力确定为0至150pa；
步骤S720，通入第一工艺气体，以根据工艺温度和工艺压力对第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层；
其中，第一工艺气体包括SiH4和H2 ，正面本征层和背面本征层包括氢化非晶硅。
其中，将工艺温度确定为150至230℃，例如，150℃、190℃或者230℃；工艺压力确定为0至150pa，例如，5pa、75pa或者145pa；可以有效提高等离子增强化学气相沉积（PECVD）过程中的化学反应速率和表面晶体品质，同时控制阴极间距为0至40mm，例如，2mm、20mm或者40mm；可以控制化学反应的位置，有利于减小设备和工艺对环境的影响，降低成本，并保持硅片的完整性和稳定性，使该工艺可以在较低的温度和压力条件下进行。
其中，在硅片的正反两面分别生成正面本征层和背面本征层以及后续过程中，阴极间距指的是硅片正反两面形成PN结的区域之间的距离。
第一工艺气体包括SiH4和H2 ，正面本征层和背面本征层包括氢化非晶硅；具体的，使用PECVD(等离子增强化学气相沉积)在硅片的正反两面沉积正/背面本征层（无掺杂层）（氢化非晶硅），工艺温度150至230℃，例如，150℃、190℃或者230℃；可以使得氢化非晶硅的沉积质量得到保证，同时避免过高的温度导致硅片受损或产生不良反应；工艺压力为0至150pa，例如，5pa、75pa或者145pa；可以保证等离子体稳定生成并提供足够的活性物种以实现有效沉积；阴极间距为0至40mm，例如，2mm、20mm或者40mm；可以有效保证等离子体的稳定生成和维持，有利于提高沉积速度和质量；工艺气体为SiH4，H2 (其中SiH4：H2=1:(1至20)，其中，上述气体比例范围可以提供足够的硅源和氢源来实现氢化非晶硅的沉积，保证沉积速率，使得本征层厚度为5至10nm，例如，5nm、7nm或者10nm；厚度过薄可能导致界面特性不佳，厚度过厚则会提高串联电阻，进而实现良好的界面特性同时避免增加太多的串联电阻降低整体效率，以保证电池的整体效率。
在一些实施例中，参考图8，图8是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，生成N掺杂层的流程图，其中，对正面本征层和背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在正面本征层的外侧沉积N掺杂层，在背面本征层的外侧沉积P掺杂层，包括：
步骤S810，将工艺温度确定为150至230℃，工艺压力确定为0至800pa；
步骤S820，通入第二工艺气体，并根据工艺温度和工艺压力对正面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在正面本征层的外侧沉积N掺杂层；其中，第二工艺气体包括SiH4、H2、PH3和CO2，N掺杂层包括氢化微晶硅；
其中，将工艺温度确定为150至230℃，例如，150℃、190℃或者230℃；工艺压力确定为0至800pa，例如，5pa、400pa或者800pa；将阴极间距确定为0至20mm，例如，2mm、10mm或者20mm；可以有效提高等离子增强化学气相沉积（PECVD）过程中的化学反应速率和表面晶体品质，同时控制阴极间距可以控制化学反应的位置，调节沉积层的厚度和形貌，进一步保证工艺效果。
其中，第二工艺气体包括SiH4、H2、PH3和CO2；具体的，第二工艺气体为SiH4，H2，PH3，CO2,其中PH3为2%PH，N掺杂层厚度为20至30nm，例如，20mm、25mm或者30mm；本申请选择的SiH4、H2、PH3、CO2的配比和浓度可以调节反应区域的深度、控制沉积层的厚度和形貌、实现对掺杂层类型和浓度的调控，进而在PECVD制备的N掺杂层中获得最佳的掺杂效果和最佳的太阳能电池性能；进而通过上述配比能有效的将N掺杂层厚度在20至30nm的范围内，实现对电性能的调节，使其达到最优电池效率。
步骤S830，通入第三工艺气体，并根据工艺温度和工艺压力对背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在背面本征层的外侧沉积P掺杂层；其中，第三工艺气体包括SiH4、H2、B2H6和CO2，N掺杂层包括氢化微晶硅。
其中，将工艺温度确定为150至230℃，例如，150℃、190℃或者230℃；工艺压力确定为0至800pa，例如，5pa、400pa或者800pa；阴极间距为10至20mm，例如，2mm、10mm或者20mm；可以有效提高等离子增强化学气相沉积（PECVD）过程中的化学反应速率和表面晶体品质，同时控制阴极间距可以控制化学反应的位置，调节沉积层的厚度和形貌，进一步保证工艺效果。
其中，第三工艺气体包括SiH4、H2、B2H6和CO2；具体的，第三工艺气体为SiH4，H2，B2H6，CO2(其中SiH4：2%B2H6,CO2,H2=1:5%:50%:250），P掺杂层厚度为20至30nm，例如，20mm、25mm或者30mm；在第三工艺气体中，SiH4、H2、B2H6和CO2的配比和浓度可以有效调节反应区域的深度、控制沉积层的厚度和形貌、实现对掺杂层类型和浓度的调控，SiH4提供硅原子源，CO2可以作为稀释剂控制反应速率，而H2则有助于稀释反应气体和减少缺陷和杂质的产生，B2H6可以在反应过程中释放出硼原子，以将硼原子掺杂进硅晶体中，形成P掺杂层，进而改善电池的性能；通过上述配比能有效的将P掺杂层厚度在10至20nm的范围内，实现对电性能的调节，使其达到最优电池效率。
在一些实施例中，对于正面本征层和背面本征层分别进行等离子增强化学气相沉积处理，可以在其外侧沉积N掺杂层和P掺杂层，掺杂层可以改变硅片内部的载流子浓度和类型，并提高电池的导电性和光电转换效率。
在一些实施例中，参考图9，图9是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法中，生成透明导电氧化物膜层的流程图，其中，对N掺杂层和P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在N掺杂层和P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层，包括：
步骤S910，将工艺温度确定为100至200℃，工艺压力确定为0至0.8pa；
步骤S920，通入第四工艺气体，并根据工艺温度和工艺压力对N掺杂层和P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在N掺杂层和P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层；
其中，将工艺温度确定为100至200℃，例如，100℃、150℃或者200℃，工艺压力确定为0至0.8pa，例如，0.1pa或者0.8pa，可以有效提高物理气相沉积（PVD）过程中的化学反应速率和表面晶体品质，保证工艺效果。
其中，第四工艺气体包括Ar、 O2和Ar/H2；具体的，第四工艺气体为Ar， O2，Ar/H2(其中Ar和Ar/H2流量为800至1200sccm，例如，800sccm、1000sccm或者1200sccm；O2流量为30至60sccm，例如，30sccm、45sccm或者60sccm) ，透明氧化导电厚度为80至120nm，例如，80mm、100mm或者120mm；在第四工艺气体中，Ar、O2和Ar/H2的配比和浓度可以调节沉积速率、控制导电膜的质量和结构、优化导电性能，其中，Ar可以作为稀释剂，O2可以在反应过程中提供氧原子，Ar/H2在氧化物和金属之间增加氢离子，进而通过上述配比实现透明氧化导电厚度在80-120nm的范围内，以使制备透明氧化导电膜时获得最佳的化学稳定性、平整度和导电性能，进而提高电池的效率和可靠性。
在一些实施例中，对N掺杂层和P掺杂层进行物理气相沉积处理，可以分别在其外侧沉积透明导电氧化物层。透明导电氧化物层具有透明、导电等特性，能够有效地收集电池产生的电子和空穴，并在光照下通过导电作用将其输送到电路中。
如图10所示，图10是本发明另一个实施例提供的异质结电池的制作方法的完整流程图，异质结电池的制作方法至少包括以下步骤：
步骤S1010，制绒清洗形成硅片双面金字塔结构；
步骤S1020，臭氧工艺形成O~1nm的SiO2钝化层或板式PECVD沉积0~1nm的SiO2钝化层；
步骤S1030，板式PECVD制备双面本征钝化层；
步骤S1040，板式PECVD制备N层氢化微晶硅层；
步骤S1050，板式PECVD制备P层氢化微晶硅层；
步骤S1060，PVD制备正背面全面积TCO膜；
步骤S1070，完整的TCO膜表面使用激光按照网版图形画图，形成凹面TCO膜；
步骤S1080，硅片边缘TCO膜使用激光扫描刻蚀；
步骤S1090，丝网印刷按照网版图形制备正背面银栅线。
上述步骤S1010至步骤S1090即对应步骤S210至S280，使本申请至少具有以下有益效果：
1）能有效减少后续本征层（氢化非晶硅）钝化时产生外延硅生长的几率，提高钝化的效果；
2）增强TCO膜和银栅线的导电性和拉力，进而在导电性和拉力满足电池电性能要求的情况下，可以适当减少栅线的数量，减少银栅线对硅片表面的遮挡；
3）通过对N型硅片侧面沉积的TCO膜进行激光刻蚀处理，以使正背面的全面积TCO膜相互分离，有效提高硅片的有效发电面积和正背面电池的发电功率。
本发明的一些实施例提供了一种异质结电池的制作装置，制作装置包括控制器，控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述任意一项实施例的异质结电池的制作方法，例如执行以上描述的图2中的方法步骤S210至步骤S270、图3中的方法步骤S310至步骤S340、图5中的方法步骤S510至步骤S520、图6中的方法步骤S610至步骤S620、图7中的方法步骤S710至步骤S720、图8中的方法步骤S810至步骤S830、图9中的方法步骤S910至步骤S920、图10中的方法步骤S1010至步骤S1090。
在一些实施例中，处理器执行计算机程序时按照预设间隔时间执行上述任意一项实施例的异质结电池的制作方法，实现上述实施例的异质结电池的制作方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器中，当被处理器执行时，执行上述实施例的异质结电池的制作方法。
值得注意的是，由于本发明实施例的异质结电池的制作装置具有上述实施例的控制器，并且上述实施例的控制器能够执行上述实施例的异质结电池的制作方法，因此，本发明实施例的制作装置的具体实施方式和技术效果。
本发明实施例的还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行上述的异质结电池的制作方法，可使得上述一个或多个处理器执行上述方法实施例中的异质结电池的制作方法例如执行以上描述的图2中的方法步骤S210至步骤S270、图3中的方法步骤S310至步骤S340、图5中的方法步骤S510至步骤S520、图6中的方法步骤S610至步骤S620、图7中的方法步骤S710至步骤S720、图8中的方法步骤S810至步骤S830、图9中的方法步骤S910至步骤S920、图10中的方法步骤S1010至步骤S1090。
值得注意的是，本发明实施例的异质结电池的制作装置的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的异质结电池的制作方法的具体实施方式和技术效果，且以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络节点上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质（或非暂时性介质）和通信介质（或暂时性介质）。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息（诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据）的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD至ROM、数字多功能盘（DVD）或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包括计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的共享条件下还可作出种种等同的变形或替换，这些等同的变形或替换均包括在本发明权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种异质结电池的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
以硅片作为电池衬底，并对所述硅片进行制绒清洗处理；
对所述硅片进行预钝化处理，在所述硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层；
对所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在所述第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层；
对所述正面本征层和所述背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述正面本征层的外侧沉积N掺杂层，在所述背面本征层的外侧沉积P掺杂层；
对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层；
根据预设的网版图形对所述透明导电氧化物膜层进行激光划图处理，以得到凹陷透明导电氧化物膜层，其中，激光划图的深度小于透明导电氧化物膜层的厚度；
根据所述网版图形对所述凹陷透明导电氧化物膜层进行栅线印刷处理。
2.根据权利要求1所述的异质结电池的制作方法，其特征在于，在所述背面本征层的外侧沉积P掺杂层之后，所述方法还包括：
对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层，所述全面积的透明导电氧化物膜层覆盖所述硅片的侧面；
根据预设的网版图形对所述全面积的透明导电氧化物膜层进行激光划图处理，以得到全面积的凹陷透明导电氧化物膜层，其中，激光划图的深度小于透明导电氧化物膜层的厚度；
对所述硅片侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层进行激光刻蚀处理，以使所述N掺杂层和所述P掺杂层外侧的全面积的凹陷透明导电氧化物膜层相互分离；
根据所述网版图形对所述全面积的凹陷透明导电氧化物膜层进行栅线印刷处理。
3.根据权利要求2所述的异质结电池的制作方法，其特征在于，所述透明导电氧化物膜层包括一层或多层透明氧化导电膜，对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层，包括：
将所述硅片放置在物理气相沉积载板镂空的凹槽上进行正面透明导电氧化物膜层镀膜处理，以在所述N掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层；
将所述硅片翻面，再放置在物理气相沉积载板镂空的凹槽上进行背面透明导电氧化物膜层镀膜处理，以在所述P掺杂层的外侧生成全面积的透明导电氧化物膜层。
4.根据权利要求2所述的异质结电池的制作方法，其特征在于，对所述硅片侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层进行激光刻蚀处理，包括：
对预定数量个外侧具有全面积的凹陷透明导电氧化物膜层的硅片进行叠放处理，得到硅片堆；
对所述硅片堆的四个侧面分别进行激光刻蚀扫描处理，以去除所述硅片四个侧面沉积的凹陷透明导电氧化物膜层。
5.根据权利要求1所述的异质结电池的制作方法，其特征在于，对所述硅片进行预钝化处理，在所述硅片的正反两面分别生成第一SiO2钝化层和第二SiO2钝化层，包括：
将所述硅片浸泡在通入臭氧的纯水中，以在所述硅片的正反两面分别生成所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层；
或者，对所述硅片进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述硅片的正反两面分别生成所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层。
6.根据权利要求1所述的异质结电池的制作方法，其特征在于，所述凹陷透明导电氧化物膜层的表面上具有与所述网版图形对应的凹槽，所述凹槽的深度等于所述激光划图的深度；在进行栅线印刷处理时，所述凹槽用于镶入印刷的银栅线。
7.根据权利要求1所述的异质结电池的制作方法，其特征在于，对所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在所述第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层，包括：
将工艺温度确定为150至230℃，工艺压力确定为0至150pa；
通入第一工艺气体，以根据所述工艺温度和所述工艺压力对所述第一SiO2钝化层和所述第二SiO2钝化层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述第一SiO2钝化层外侧生成正面本征层，在所述第二SiO2钝化层外侧生成背面本征层；
其中，所述第一工艺气体包括SiH4和H2 ，所述正面本征层和所述背面本征层包括氢化非晶硅。
8.根据权利要求1所述的异质结电池的制作方法，其特征在于，对所述正面本征层和所述背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述正面本征层的外侧沉积N掺杂层，在所述背面本征层的外侧沉积P掺杂层，包括：
将工艺温度确定为150至230℃，工艺压力确定为0至800pa；
通入第二工艺气体，并根据所述工艺温度和所述工艺压力对所述正面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述正面本征层的外侧沉积N掺杂层；其中，所述第二工艺气体包括SiH4、H2、PH3和CO2，所述N掺杂层包括氢化微晶硅；
通入第三工艺气体，并根据所述工艺温度和所述工艺压力对所述背面本征层进行等离子增强化学气相沉积处理，以在所述背面本征层的外侧沉积P掺杂层；其中，所述第三工艺气体包括SiH4、H2、B2H6和CO2，所述N掺杂层包括氢化微晶硅。
9.根据权利要求1所述的异质结电池的制作方法，其特征在于，对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层，包括：
将工艺温度确定为100至200℃，工艺压力确定为0至0.8pa；
通入第四工艺气体，并根据所述工艺温度和所述工艺压力对所述N掺杂层和所述P掺杂层进行物理气相沉积处理，以在所述N掺杂层和所述P掺杂层的外侧生成透明导电氧化物膜层；
其中，所述第四工艺气体包括Ar、 O2和Ar/H2。
10.一种异质结电池，其特征在于，所述电池以硅片作为电池衬底，所述硅片的一侧设置有第一SiO2钝化层、正面本征层、N掺杂层、凹陷透明导电氧化物膜层，所述硅片的另一侧设置有第二SiO2钝化层、背面本征层、P掺杂层、凹陷透明导电氧化物膜层，所述N掺杂层和所述P掺杂层外侧的凹陷透明导电氧化物膜层相互分离，所述凹陷透明导电氧化物膜层上印刷有银栅线，所述银栅线嵌入在所述凹陷透明导电氧化物膜层表面的凹槽中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CN202310770770.3A CN116525723A (zh) | 2023-06-28 | 2023-06-28 | 异质结电池的制作方法及其电池 |
Publications (1)
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| CN116525723A true CN116525723A (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=87397964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202310770770.3A Pending CN116525723A (zh) | 2023-06-28 | 2023-06-28 | 异质结电池的制作方法及其电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116525723A (zh) |
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