JPH0823114A - 太陽電池 - Google Patents

太陽電池

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JPH0823114A
JPH0823114A JP6156994A JP15699494A JPH0823114A JP H0823114 A JPH0823114 A JP H0823114A JP 6156994 A JP6156994 A JP 6156994A JP 15699494 A JP15699494 A JP 15699494A JP H0823114 A JPH0823114 A JP H0823114A
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semiconductor thin
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猛志 渡辺
Shinichi Muramatsu
信一 村松
Ken Tsutsui
謙 筒井
Tsuyoshi Uematsu
強志 上松
Mitsunori Ketsusako
光紀 蕨迫
Hiroyuki Otsuka
寛之 大塚
Yasushi Nagata
寧 永田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 発電性能を向上する。 【構成】 n型結晶シリコン基板1の表面に非ドープ非
結晶質シリコン層2、ボロンによるp型ドーパント層
3、ボロンドープp型非結晶質シリコン層4、ボロンに
よるp型ドーパント層5、ボロンドープp型非結晶質シ
リコン層6、ボロンによるp型ドーパント層7を形成
し、n型結晶シリコン基板1の裏面にリンによるn型ド
ーパント層8、リンドープn型微結晶シリコン層9、リ
ンによるn型ドーパント層10、リンドープn型微結晶
シリコン層11、リンによるn型ドーパント層12を形
成し、透明導電膜13および金属グリッド電極14を光
入射側の電極として形成し、金属裏面電極15を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は太陽光を利用して発電を
行なう太陽電池に関し、特に結晶シリコンを発電層とす
る電力用の太陽電池に関する。
【0002】
【従来の技術】結晶シリコンを発電層とする電力用の太
陽電池は、一般に結晶シリコン基板とは逆の導電型を形
成するドーパントを結晶シリコン基板の一表面から80
0℃程度の温度で熱拡散させる手法によってpn接合を
形成し製造される。また、結晶シリコン基板の裏面側に
結晶シリコン基板と同一の導電型であってより高濃度ド
ープのバックサーフェスフィールド接合層を形成する場
合も、ドーパントの熱拡散等の高温加熱手段が主に用い
られる。このような太陽電池の製造方法は高品質の結晶
シリコン基板を用いて高効率化を目指す場合には有効な
方法である。しかし、経済性の高い実用的な電力用の太
陽電池は価格を大幅に低下させる必要があり、ポリシリ
コン等の低品質の結晶シリコン基板を発電層に用いるこ
とになる。このような場合、ドーパントの熱拡散等の高
温加熱手段をもって太陽電池を製造すると、低品質の結
晶シリコン基板内に欠陥を増大させ、太陽電池の発電性
能を制限するという問題がある。また、このような製造
法では製造コストが高くなるという問題もある。
【0003】このため、ドーパントを含有する非結晶質
シリコン層をプラズマCVD法等の低温成膜手法によっ
て結晶シリコン基板に堆積して接合を形成する構成のヘ
テロ接合太陽電池が提案されている。この構成では、結
晶シリコン基板の一表面にドーパントを含有しない非結
晶質シリコン層を50Å程度形成し、その上に結晶シリ
コン基板とは逆導電型のドーパントを均一に含有する非
結晶質シリコン層を形成してpn接合を形成している。
また、裏面にはバックサーフェスフィールド接合層を非
結晶質シリコン層で形成しているが、この非結晶質シリ
コン層中のドーパント濃度も均一になっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、非結晶質シリ
コンはドーパントを含有させると急激に欠陥が増大して
膜質が低下し、ドーピング効率も低いという問題があ
る。このため、この構成では接合特性が良好ではなく、
ドーパントを含有する非結晶質シリコン層が太陽電池の
発電性能を大きく制限している。
【0005】したがって、本発明の目的は、結晶性半導
体基板に堆積半導体薄膜を形成して半導体接合を形成す
る構成のヘテロ接合太陽電池の発電性能を向上すること
にある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、(1)一
導電型の結晶性半導体基板の少なくとも一表面に堆積半
導体薄膜を形成して半導体接合を形成してなるヘテロ接
合太陽電池において、上記堆積半導体薄膜中のドーパン
トの濃度が成長方向に不均一であり、少なくとも一つの
ドーパント濃度ピークが存在する構成とすることによっ
て、(2)より好ましくは、上記堆積半導体薄膜中に二
つ以上のドーパント濃度ピークが存在する構成とするこ
とによって、(3)またさらにより好ましくは、上記堆
積半導体薄膜と電極との界面にドーパント層が存在する
構成とすることによって、(4)さらにより好ましく
は、上記堆積半導体薄膜の上記結晶性半導体基板に最も
近いドーパント濃度ピークまでの部分のドーパント濃度
が上記結晶性半導体基板から最も遠い部分のドーパント
濃度より低い構成とすることによって、(5)また具体
的には、上記堆積半導体薄膜が非結晶性あるいは微結晶
性もしくはこれらの組合せからなる構成とすることによ
って、(6)またより具体的には、上記堆積半導体薄膜
の上記結晶性半導体基板に接する部分が非結晶性である
構成とすることによって、(7)またさらにより具体的
には、上記結晶性半導体基板が結晶シリコンからなる構
成とすることによって、(8)またさらにより具体的に
は、上記結晶性半導体基板がn型の結晶シリコンからな
る構成とすることによって、(9)またさらにより具体
的には、上記堆積半導体薄膜が上記結晶性半導体基板と
は逆導電型で、上記堆積半導体薄膜が光入射側の電極に
接する構成で形成されている構成とすることによって、
(10)またさらに、あるいは、上記堆積半導体薄膜が
上記結晶性半導体基板とは同導電型で、上記堆積半導体
薄膜が光入射側の反対側の電極に接する構成で形成され
ている構成とすることによって、(11)またさらによ
り好ましくは、上記結晶性半導体基板とは同導電型の上
記堆積半導体薄膜と上記結晶性半導体基板との界面にド
ーパント層が存在する構成とすることによって達成され
る。
【0007】
【作用】本発明において、 (1)一導電型の結晶性半導体基板の少なくとも一表面
に堆積半導体薄膜を形成して半導体接合を形成してなる
ヘテロ接合太陽電池において、堆積半導体薄膜中のドー
パントの濃度が成長方向に不均一であり、少なくとも一
つのドーパント濃度ピークが存在する構成とすることに
より、堆積半導体薄膜のドーパント導入による急激な欠
陥の増大を抑制し、膜質低下が低いドープ層とすること
ができ、良好な接合特性を得ることができる。また、ド
ーパント濃度ピークは少数キャリヤに対して障壁として
作用するため、電極部におけるキャリヤの再結合を抑制
することができる。
【0008】(2)堆積半導体薄膜中に二つ以上のドー
パント濃度ピークが存在する構成とすると、電極部にお
けるキャリヤの再結合をより有効に抑制することができ
る。
【0009】(3)堆積半導体薄膜と電極との界面にド
ーパント層が存在する構成とすると、直列抵抗による発
電性能低下がより抑制される。
【0010】(4)堆積半導体薄膜の結晶性半導体基板
に最も近いドーパント濃度ピークまでの部分のドーパン
ト濃度が結晶性半導体基板から最も遠い部分のドーパン
ト濃度より低い構成とすると、結晶性半導体基板に接す
る部分の欠陥が抑制される。ただし、ドーパント濃度が
低い層は直列抵抗として悪影響も生じるため、100Å
以下にするのが好ましい。
【0011】(5)堆積半導体薄膜が非結晶性あるいは
微結晶性もしくはこれらの組合せからなる構成とする
と、結晶性半導体基板との界面での欠陥生成を抑制する
ことができる。
【0012】(6)堆積半導体薄膜の結晶性半導体基板
に接する部分が非結晶性である構成とすると、結晶性半
導体基板との界面での欠陥生成を抑制することができ
る。
【0013】(7)結晶性半導体基板が結晶シリコンか
らなる構成は、本発明の整合性が良い。
【0014】(8)結晶性半導体基板がn型の結晶シリ
コンからなる構成は、特に本発明の整合性が良い。この
理由は結晶シリコンと非結晶質シリコン等との接合では
バンド端の不連続性は導電帯側よりも価電子帯側で大き
いために、光入射側の非結晶質シリコン等はp型を用
い、n型の結晶シリコンとの接合とした方がビルトイン
ポテンシャルが大きくなるためである。
【0015】(9)堆積半導体薄膜が結晶性半導体基板
とは逆導電型で、堆積半導体薄膜が光入射側の電極に接
する構成で形成されている構成で、特に本発明の整合性
が良い。これは太陽電池の発電性能が主に光入射側の半
導体接合の特性によって支配されるためである。また、
堆積半導体薄膜を薄くすることができるから、堆積半導
体薄膜の光吸収による電流損失を低減できる。
【0016】(10)堆積半導体薄膜が結晶性半導体基
板とは同導電型で、堆積半導体薄膜が光入射側の反対側
の電極に接する構成で形成されている構成においても、
膜質低下が低いドープ層とすることができ、またドーパ
ント濃度ピークは少数キャリヤに対して障壁として作用
するため、電極部におけるキャリヤの再結合を抑制す
る。
【0017】(11)結晶性半導体基板とは同導電型の
堆積半導体薄膜と結晶性半導体基板との界面にドーパン
ト層が存在する構成とすると、直列抵抗による発電性能
低下がより抑制される。なお、裏面側ではドーパント濃
度ピークが少数キャリヤに対して障壁として作用する効
果の方がより重要であるから、直列抵抗による発電性能
低下を抑制する必要がある。
【0018】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1および図2に
よって説明する。
【0019】図1は本発明のヘテロ接合太陽電池の構成
を示す断面図である。図に示すように、n型結晶シリコ
ン基板1の表面に膜厚が約30Åの非ドープ非結晶質シ
リコン層2、ボロンによるp型ドーパント層3、膜厚が
約30Åのボロンドープp型非結晶質シリコン層4、ボ
ロンによるp型ドーパント層5、膜厚が約30Åのボロ
ンドープp型非結晶質シリコン層6、ボロンによるp型
ドーパント層7が形成され、p型ドーパント層3、5、
7は0.01〜1原子層(ドーパントが平面状に1/1
00の確率で存在する状態から密に1原子層だけ存在す
る状態で)付着されている。そして、非ドープ非結晶質
シリコン層2、p型ドーパント層3、p型非結晶質シリ
コン層4、p型ドーパント層5、p型非結晶質シリコン
層6、p型ドーパント層7によってボロン濃度のピーク
を有するp型堆積半導体薄膜が構成されている。また、
n型結晶シリコン基板1の裏面にリンによるn型ドーパ
ント層8、膜厚が約100Åのリンドープn型微結晶シ
リコン層9、リンによるn型ドーパント層10、膜厚が
約100Åのリンドープn型微結晶シリコン層11、リ
ンによるn型ドーパント層12が形成され、n型ドーパ
ント層8、10、12は0.01〜1原子層付着されて
いる。そして、n型ドーパント層8、n型微結晶シリコ
ン層9、n型ドーパント層10、n型微結晶シリコン層
11、n型ドーパント層12によってリン濃度のピーク
を有するn+型堆積半導体薄膜が構成されている。ま
た、p型堆積半導体薄膜の表面に透明導電膜13および
金属グリッド電極14が光入射側の電極として形成さ
れ、またn+型堆積半導体薄膜の表面に金属裏面電極1
5が形成されている。
【0020】つぎに、図1に示した太陽電池の製造方法
について説明する。まず、n型結晶シリコン基板1の表
面にアルカリエッチング等によって凹凸(図示せず)を
設けた後、フッ化水素酸水溶液によって自然酸化膜を除
去する。つぎに、n型結晶シリコン基板1を真空成膜装
置に搬入し、n型結晶シリコン基板1の一表面にシラン
のプラズマCVD法によって非ドープ非結晶質シリコン
層2を約30Å形成する。つぎに、シランの供給を停止
し、n型結晶シリコン基板1の温度を200〜300℃
とした条件でプラズマ放電を起こさずにジボランを真空
室に導入してp型ドーパント層3を0.01〜1原子層
付着させる。この場合、p型ドーパント層3は光CVD
法によればより低温で短時間で形成可能である。つぎ
に、ジボランを0.1〜0.5%含有するシランのプラ
ズマCVD法によってp型非結晶質シリコン層4を約3
0Å形成する。つぎに、プラズマ放電を起こさずにジボ
ランを真空室に導入してp型ドーパント層5を0.01
〜1原子層付着させ、さらにプラズマCVD法によって
p型非結晶質シリコン層6を約30Å形成する。つぎ
に、プラズマ放電を起こさずにジボランを真空室に導入
してp型ドーパント層7を0.01〜1原子層付着させ
る。つぎに、n型結晶シリコン基板1の裏面側を露出し
て、n型結晶シリコン基板1を真空成膜装置に搬入し、
n型結晶シリコン基板1の裏面にフォスフィンを含有す
る水素のプラズマCVD法によってによるn型ドーパン
ト層8を0.01〜1原子層付着させる。つぎに、フォ
スフィンをシランの0.1〜0.5%含有する水素希釈
シランのプラズマCVD法によってn型微結晶シリコン
層9を約100Å形成する。つぎに、n型ドーパント層
10を0.01〜1原子層付着させ、またn型微結晶シ
リコン層11を約100Å形成した後、さらにn型ドー
パント層12を0.01〜1原子層付着させる。つぎ
に、p型堆積半導体薄膜の表面に透明導電膜13および
金属グリッド電極14を真空蒸着法によって形成し、ま
たn+型堆積半導体薄膜の表面に金属裏面電極15を真
空蒸着法によって形成する。
【0021】この太陽電池は、p型ドーパント濃度のピ
ークを有するp型堆積半導体薄膜およびn型ドーパント
濃度のピークを有するn+型堆積半導体薄膜をn型結晶
シリコン基板1に形成したものであり、p型堆積半導体
薄膜によってp−n接合が形成され、n+型堆積半導体
薄膜によってバックサーフェスフィールド層が形成され
ている。そして、p型堆積半導体薄膜、n+型堆積半導
体薄膜中の全体におけるドーパント濃度は均一ドープ膜
を用いた場合より低い条件でよく、p型堆積半導体薄
膜、n+型堆積半導体薄膜のドーパント導入による膜質
の低下は少なくなっている。
【0022】つぎに、本発明に係る太陽電池のもう一つ
の利点を図2によって説明する。図2は図1に示した太
陽電池の平衡状態のバンドダイアグラムを模式的に示す
図である。n型結晶シリコン基板1の光入射面側に形成
されているp型堆積半導体薄膜中のp型ドーパント層
3、5、7は非ドープ非結晶シリコン層2部の電界強度
を高めるとともに、導電帯端側に局所的なピークを形成
し、電子の光入射側電極への拡散を妨害し、電極表面で
のキャリヤ再結合を低減する作用をも有している。ま
た、裏面側に形成されたn+型堆積半導体薄膜中のn型
ドーパント層8、10、12は価電子帯端側に局所的な
ピークを形成し、正孔の裏面電極への拡散を妨害し、電
極表面でのキャリヤ再結合を低減する作用をも有してい
る。このため、p型堆積半導体薄膜、n+型堆積半導体
薄膜としてドーパント濃度が均一である堆積半導体薄膜
を用いた場合と比較すると、短絡電流、開放電圧、曲線
因子ともに本発明の方が優れ、より高い光電変換効率が
得られる。
【0023】また、p型堆積半導体薄膜、n+型堆積半
導体薄膜と電極との界面にp型ドーパント層7、n型ド
ーパント層12が存在するから、直列抵抗による発電性
能低下がより抑制されるので、太陽電池の発電性能をさ
らに高めることができる。また、非ドープ非結晶質シリ
コン層2が設けられているから、n型結晶シリコン基板
1に接する部分の欠陥が抑制されるので、n型結晶シリ
コン基板1との界面近くでキャリヤの再結合が減少し、
接合特性が向上する。そして、非ドープ非結晶質シリコ
ン層2の膜厚は30Åであるから、直列抵抗が大きくな
ることがない。また、p型堆積半導体薄膜、n+型堆積
半導体薄膜が非結晶性、微結晶性であるから、n型結晶
シリコン基板1との界面での欠陥生成を抑制することが
できるので、太陽電池の発電性能をさらに高めることが
できる。また、p型堆積半導体薄膜を薄くすることがで
きるから、p型堆積半導体薄膜の光吸収による電流損失
を低減できるので、太陽電池の発電性能をさらに高める
ことができる。
【0024】なお、上述実施例においては、非ドープ非
結晶質シリコン層2、p型ドーパント層3、p型非結晶
質シリコン層4、p型ドーパント層5、p型非結晶質シ
リコン層6、p型ドーパント層7によってp型堆積半導
体薄膜を構成し、n型ドーパント層8、n型微結晶シリ
コン層9、n型ドーパント層10、n型微結晶シリコン
層11、n型ドーパント層12によってn+型堆積半導
体薄膜を構成したが、堆積半導体薄膜中のドーパントの
濃度が成長方向に不均一であり、ドーパント濃度ピーク
が存在する構成とすればよい。また、上述実施例におい
ては、p型堆積半導体薄膜、n+型堆積半導体薄膜のド
ーパント濃度のピーク数をともに3としたが、p型堆積
半導体薄膜、n+型堆積半導体薄膜中のドーパント濃度
によってはその数を減じてよく、あるいはドーパントピ
ーク濃度を高くしてp型非結晶質シリコン層4、6、n
型微結晶シリコン層9、11をノンドープ非結晶質シリ
コン層、ノンドープ微結晶シリコン層で置き換えてもよ
い。また、上述実施例においては、p型非結晶質シリコ
ン層6と透明導電膜13との界面にp型ドーパント層7
を形成し、n型微結晶シリコン層11と裏面電極15と
の界面にn型ドーパント層12を形成したが、p型非結
晶質シリコン層6、n型微結晶シリコン層11と透明導
電膜13、裏面電極15との界面にドーパント層を形成
しなくともよい。
【0025】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、 (1)一導電型の結晶性半導体基板の少なくとも一表面
に堆積半導体薄膜を形成して半導体接合を形成してなる
ヘテロ接合太陽電池において、堆積半導体薄膜中のドー
パントの濃度が成長方向に不均一であり、少なくとも一
つのドーパント濃度ピークが存在する構成とすることに
より、堆積半導体薄膜のドーパント導入による急激な欠
陥の増大を抑制し、膜質低下が低いドープ層とすること
ができ、良好な接合特性を得ることができ、また電極部
におけるキャリヤの再結合を抑制することができるか
ら、太陽電池の発電性能を高めることができる。
【0026】(2)堆積半導体薄膜中に二つ以上のドー
パント濃度ピークが存在する構成とすると、電極部にお
けるキャリヤの再結合をより有効に抑制することができ
るから、太陽電池の発電性能をさらに高めることができ
る。
【0027】(3)堆積半導体薄膜と電極との界面にド
ーパント層が存在する構成とすると、直列抵抗による発
電性能低下がより抑制されるから、太陽電池の発電性能
をさらに高めることができる。
【0028】(4)堆積半導体薄膜の結晶性半導体基板
に最も近いドーパント濃度ピークまでの部分のドーパン
ト濃度が結晶性半導体基板から最も遠い部分のドーパン
ト濃度より低い構成とすると、結晶性半導体基板に接す
る部分の欠陥が抑制されるから、結晶性半導体基板との
界面近くでキャリヤの再結合が減少し、接合特性が向上
する。
【0029】(5)堆積半導体薄膜が非結晶性あるいは
微結晶性もしくはこれらの組合せからなる構成とする
と、結晶性半導体基板との界面での欠陥生成を抑制する
ことができるから、太陽電池の発電性能をさらに高める
ことができる。
【0030】(6)堆積半導体薄膜の結晶性半導体基板
に接する部分が非結晶性である構成とすると、結晶性半
導体基板との界面での欠陥生成を抑制することができる
から、太陽電池の発電性能をさらに高めることができ
る。
【0031】(7)結晶性半導体基板が結晶シリコンか
らなる構成は、本発明の整合性が良く、良好な結果が得
られる。
【0032】(8)結晶性半導体基板がn型の結晶シリ
コンからなる構成は、特に本発明の整合性が良く、良好
な結果が得られる。
【0033】(9)堆積半導体薄膜が結晶性半導体基板
とは逆導電型で、堆積半導体薄膜が光入射側の電極に接
する構成で形成されている構成で、特に本発明の整合性
が良く、また堆積半導体薄膜を薄くすることができるか
ら、堆積半導体薄膜の光吸収による電流損失を低減でき
るので、太陽電池の発電性能をさらに高めることができ
る。
【0034】(10)堆積半導体薄膜が結晶性半導体基
板とは同導電型で、堆積半導体薄膜が光入射側の反対側
の電極に接する構成で形成されている構成においても、
膜質低下が低いドープ層とすることができ、またドーパ
ント濃度ピークは少数キャリヤに対して障壁として作用
するため、電極部におけるキャリヤの再結合を抑制する
から、太陽電池の発電性能向上に寄与する。
【0035】(11)結晶性半導体基板とは同導電型の
堆積半導体薄膜と結晶性半導体基板との界面にドーパン
ト層が存在する構成とすると、直列抵抗による発電性能
低下がより抑制されるから、太陽電池の発電性能をさら
に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のヘテロ接合太陽電池の構成
を模式的に示す断面図である。
【図2】図1に示した太陽電池の平衡状態のバンドダイ
アグラムの様相を示す模式図である。
【符号の説明】
1…n型結晶シリコン基板 2…非ドープ非結晶質シリコン層 3…p型ドーパント層 4…p型非結晶質シリコン層 5…p型ドーパント層 6…p型非結晶質シリコン層 7…p型ドーパント層 8…n型ドーパント層 9…n型微結晶シリコン層 10…n型ドーパント層 11…n型微結晶シリコン層 12…n型ドーパント層 13…透明導電膜 14…グリッド電極 15…裏面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上松 強志 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 蕨迫 光紀 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 大塚 寛之 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 永田 寧 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一導電型の結晶性半導体基板の少なくとも
    一表面に堆積半導体薄膜を形成して半導体接合を形成し
    てなるヘテロ接合太陽電池において、上記堆積半導体薄
    膜中のドーパントの濃度が成長方向に不均一であり、少
    なくとも一つのドーパント濃度ピークが存在することを
    特徴とする太陽電池。
  2. 【請求項2】上記堆積半導体薄膜中に二つ以上のドーパ
    ント濃度ピークが存在することを特徴とする請求項1に
    記載の太陽電池。
  3. 【請求項3】上記堆積半導体薄膜と電極との界面にドー
    パント層が存在することを特徴とする請求項1または2
    に記載の太陽電池。
  4. 【請求項4】上記堆積半導体薄膜の上記結晶性半導体基
    板に最も近いドーパント濃度ピークまでの部分のドーパ
    ント濃度が上記結晶性半導体基板から最も遠い部分のド
    ーパント濃度より低いことを特徴とする請求項1、2ま
    たは3に記載の太陽電池。
  5. 【請求項5】上記堆積半導体薄膜が非結晶性あるいは微
    結晶性もしくはこれらの組合せからなることを特徴とす
    る請求項1〜4のいずれかに記載の太陽電池。
  6. 【請求項6】上記堆積半導体薄膜の上記結晶性半導体基
    板に接する部分が非結晶性であることを特徴とする請求
    項1〜5のいずれかに記載の太陽電池。
  7. 【請求項7】上記結晶性半導体基板が結晶シリコンから
    なることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の
    太陽電池。
  8. 【請求項8】上記結晶性半導体基板がn型結晶シリコン
    からなることを特徴とする請求項7に記載の太陽電池。
  9. 【請求項9】上記堆積半導体薄膜が上記結晶性半導体基
    板とは逆導電型で、上記堆積半導体薄膜が光入射側の電
    極に接することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに
    記載の太陽電池。
  10. 【請求項10】上記堆積半導体薄膜が上記結晶性半導体
    基板とは同導電型で、上記堆積半導体薄膜が光入射側の
    反対側の電極に接することを特徴とする請求項1〜9の
    いずれかに記載の太陽電池。
  11. 【請求項11】上記堆積半導体薄膜と上記結晶性半導体
    基板との界面にドーパント層が存在することを特徴とす
    る請求項10に記載の太陽電池。
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