CN116491366B - 一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，属于真菌类生物栽培技术领域；包括步骤一、灵芝菌种的制备；步骤二、液体深层发酵菌种培养；步骤三、固体菌种的制备；步骤四、灵芝菌段的制备；步骤五、灵芝菌段的无覆土大棚栽培。本发明采用全秸秆栽培，在减少重金属离子的同时减少了农业废料焚烧，达到扩大资源利用的目的。
Description
技术领域
本发明属于真菌类生物栽培技术领域，尤其涉及一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法。
背景技术
灵芝，多孔菌目，拉丁学名Ganoderma lucidum（Leyss. ex Fr.） Karst. 灵芝科Ganodermataceae担子菌门，灵芝属，担子菌纲。主要分布在我国的吉林省、黑龙江、浙江省、安徽省、江西省、湖南省、贵州省等地。有补气安神、止咳平喘、延年益寿的功效。现代药理学证实灵芝具有双向调节机体免疫力，可全面提高抗疾病能力，保护肝细胞及维护肝脏的正常功能。同时灵芝具有抗肿瘤、提高细胞活力的功效。正因如此，近年来关于灵芝栽培技术的探索持续深化，我省灵芝栽培历经几十年，技术日臻成熟，但也遇到了发展中的瓶颈，灵芝深加工方面检测发现其重金属含量有攀升趋势，对深加工产品质量和广大消费者的身体健康造成了威胁。
发明内容
本发明目的在于提供一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，以解决现有的灵芝栽培技术生产的灵芝重金属含量偏高的技术问题。
为实现上述目的，本发明的一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法的具体技术方案如下：
一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，包括以下步骤，且以下步骤顺次进行：
步骤一、灵芝菌种的制备
将从灵芝中分离出的灵芝菌菌株，以10%的接种量接种入PH值为6～6.5的马铃薯葡萄糖琼脂培养基中进行斜面培养，培养温度为25℃～28℃，培养时间为5天～8天。
步骤二、液体深层发酵菌种培养
将所述步骤一中培养后的灵芝菌菌株，用接种铲将0.5CM*0.5CM*0.2CM 大小3个菌块接种至摇瓶，摇瓶内置液体培养基，进行液体深层发酵种子培养，培养温度为25℃～28℃，培养时间5天～7天。
步骤三、固体菌种的制备
将所述步骤二中液体深层发酵后的液体菌种接种于由木屑、 麦麸、 玉米粉、石膏粉混合组成的袋料培养基中，进行菌丝萌发，选取最佳转接生长点。培养温度为26℃～29℃，培养时间35天～40天。
步骤四、灵芝菌段的制备
将步骤三所得的固体菌种用接种勺勾去菌种表面老化的菌皮，将菌种捣成玉米粒大小的块状，用接种勺取菌种接入捆好的木段培养基中，扎好袋口，每立方米木段培养基接种750毫升步骤三所制备的菌种，避光培养。前期菌丝生长温度在25℃-28℃，菌丝生长后期阶段温度为22℃-25℃，最高不能超过30℃。空气相对湿度应该控制在45%-60%之间。接种后七到十天不通风，菌丝封面后加大通风量，35天后加强菌袋通风换气。菌丝长满菌段后，在20℃左右继续培养15到20天。
步骤五、灵芝菌段的无覆土大棚栽培
将大量秸秆提前粉碎，在灵芝进入棚栽阶段时，将粉碎的秸秆铺在土壤之上，将灵芝菌段置于秸秆上，再使用粉碎后的秸秆将菌段完全覆盖。保持栽培大棚内水分湿度在90%以上，温度维持在26℃-31℃。生长期为5月初-10月初；
灵芝之所以会存在重金属离子超标的问题是因为它具有很强的富集土壤中重金属残余的能力，本发明采用全秸秆栽培，即让秸秆完全包裹培养基不与土壤接触，使秸秆在提供给灵芝适宜生长环境的同时隔绝其对土壤中一部分重金属离子的吸收，且可以有效提高秸秆的利用率。
进一步，所述步骤一的培养基为PDA综合培养基即马铃薯葡萄糖琼脂培养基，PH值6～6.5，培养温度25℃～28℃，培养时间5天～8天。
进一步，所述步骤二中摇瓶内所用的液体培养基PH值为6～6.5，液体培养基成分为1000份的水、7份的蛋白胨、3份的酵母膏、40份的蔗糖、20份葡萄糖、1份的KH2PO4、1份的MgSO4•7H2O。
进一步，所述步骤三中袋料培养基成分为1000份干木屑、250份水、200份麦麸、 30份玉米粉、10份石膏粉，培养时间35天～40天。。
进一步，所述步骤四中木段培养基采用直径5-10cm的新鲜柞木，并截成12-14cm长的柞木段，后捆绑成直径为25-30cm的圆柱型培养基。
进一步，所述步骤五中的秸秆均为前一年采收自然风干的农业废料玉米秸秆；所涉及的栽培大棚尺寸为27m*13m，高度为1.8m-2.2m。孢子粉采收方式为双风机对流式采收。
本发明的一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法具有以下优点：本发明采用全秸秆栽培，在减少重金属离子的同时减少了农业废料焚烧，达到扩大资源利用的目的。
附图说明
图1为本发明一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法的流程示意图。
具体实施方式
为了更好地了解本发明的目的、结构及功能，下面结合附图，对本发明一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法做进一步详细的描述。
如图1所示，本发明致力于研究一种新的灵芝栽培方式，对传统灵芝栽培技术进行改良，在确保灵芝产量稳定及质量的标准的前提下减少灵芝中的重金属离子的含量，从而提升灵芝的品质，使其深加工产品能够提升品质，从而真正达到服务大众的社会效应。
斜面菌种培养：采用PDA综合培养基，PH6.2，培养温度26℃。该菌萌发快，菌种接后2.5天内形成以基点的明显菌落，9-11天菌落长满管。菌丝初期白色，网状，分枝多。通过镜检明显观察到菌丝粗壮，分枝多，锁状联合发达，美蓝单染色着色深，可见大量生长点，有空泡，无杂菌污染。
液体深层发酵种子培养：摇瓶内所用的液体培养基成分重量百分比为1000g水内包括蛋白胨0.7％、酵母膏0.3％、蔗糖4%、葡萄糖2%、KH2PO4 0.1%、MgSO4•7H2O 0.1%，PH值6.3，高压压力1.2kg / cm2 灭菌30min，冷却后接种，接种量为斜面与摇瓶之比1：6，即一个斜面接6个500ml的摇瓶（装量150ml），培养温度25℃～28℃，旋转式摇床150转/分钟，培养5-7天，菌球湿重达20%以上，（湿重测定方法：取100ml培养液置于量筒中，静置15min，观察菌球沉降的刻度的百分数）味为特殊香味，稍酸，镜检观察到菌丝着色深，粗壮，分枝多，生长点明显可见，有锁壮联合，未见杂菌污染，即可作为袋装培养菌种备用。
袋料培养：袋料培养基成分为1000份干木屑、250份水、200份麦麸、 30份玉米粉、10份石膏粉，高压压力1.2kg / cm2 灭菌90min，冷却后接种，接种量为培养基的5%，温度26℃～29℃。
木段栽培：前期菌丝生长温度在25℃-28℃，菌丝生长后期阶段温度为22℃-25℃，最高不能超过30℃。空气相对湿度应该控制在45%-60%之间。接种后七到十天不通风，菌丝封面后加大通风量，35天后加强菌袋通风换气。菌丝长满菌段后，在20℃左右继续培养15到20天。
无覆土大棚栽培：将大量秸秆提前粉碎，在灵芝进入棚栽阶段时，将粉碎的秸秆铺在土壤之上，将灵芝菌段置于秸秆上，再使用粉碎后的秸秆将菌段完全覆盖。保持栽培大棚内水分湿度在90%以上，温度维持在26℃-31℃。20-25天有原基生长，55天左右开始产生孢子粉，整个生长期为5个月左右。
本发明采用液体深层发酵等技术以及无覆土栽培技术，均根据所开发菌种的特点，依照低成本、易掌握、保质实用原则，依托现有可行完善数据，合理组合、优化选择，确定最佳栽培方法。
灵芝的质量评测
对减重金属所得灵芝生长状况、产量进行比较，对灵芝提取物重金属离子含量等含量进行检测。对照组采用传统灵芝栽培方式；实验组为采用减少重金属离子富集的灵芝栽培方式。根据两组生长状况对比可知，子实体及孢子粉生长状态及产量无明显区别。
表1灵芝提取物检测结果
| 检测项目 | 单位 | 实验组 | 对照组 |
| 铅 | mg/kg | 0 | 0 |
| 砷 | mg/kg | 0.3 | 0.58 |
| 汞 | mg/kg | < 0.003 | 0.00767 |
与正常对照组比较，实验组重金属离子富集含量明显降低，表明实验成立。
综上所述，本发明采用的减少重金属离子富集的灵芝栽培方法科学有效，可明显减少重金属离子砷、汞的富集。
可以理解，本发明是通过一些实施例进行描述的，本领域技术人员知悉的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另外，在本发明的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本发明的精神和范围。因此，本发明不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本发明所保护的范围内。
Claims (7)
1.一种减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、灵芝菌种的制备
将从灵芝中分离出的灵芝菌菌株，接种入马铃薯葡萄糖琼脂培养基中进行斜面培养；
步骤二、液体深层发酵菌种培养
将所述步骤一中培养后的灵芝菌菌株，进行液体深层发酵种子培养；
步骤三、固体菌种的制备
将所述步骤二中液体深层发酵后的液体菌种接种于袋料培养基中，进行菌丝萌发，选取最佳转接生长点；
步骤四、灵芝菌段的制备
将步骤三所得的固体菌种接种于木段培养基中，菌丝长满菌段后，在继续培养15到20天；
步骤五、灵芝菌段的无覆土大棚栽培
将大量秸秆提前粉碎，在灵芝进入棚栽阶段时，将粉碎的秸秆铺在土壤之上，将灵芝菌段置于秸秆上，再使用粉碎后的秸秆将菌段完全覆盖；保持栽培大棚内水分湿度在90％以上，温度维持在26℃-31℃；生长期为5月初-10月初；所述步骤五中孢子粉采收方式为双风机对流式采收。
2.根据权利要求1所述的减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，其特征在于，包括以下步骤，且以下步骤顺次进行：
步骤一、灵芝菌种的制备
将从灵芝中分离出的灵芝菌菌株，以10％的接种量接种入PH值为6～6.5的马铃薯葡萄糖琼脂培养基中进行斜面培养，培养温度为25℃～28℃，培养时间为5天～8天；
步骤二、液体深层发酵菌种培养
将所述步骤一中培养后的灵芝菌菌株，用接种铲将0.5CM*0.5CM*0.2CM大小3个菌块接种至摇瓶，摇瓶内置液体培养基，进行液体深层发酵种子培养，培养温度为25℃～28℃，培养时间5天～7天；
步骤三、固体菌种的制备
将所述步骤二中液体深层发酵后的液体菌种接种于由木屑、麦麸、玉米粉、石膏粉混合组成的袋料培养基中，进行菌丝萌发，选取最佳转接生长点；培养温度为26℃～29℃，培养时间35天～40天；
步骤四、灵芝菌段的制备
将步骤三所得的固体菌种用接种勺勾去菌种表面老化的菌皮，将菌种捣成玉米粒大小的块状，用接种勺取菌种接入捆好的木段培养基中，扎好袋口，每立方米木段培养基接种750毫升步骤三所制备的菌种，避光培养；前期菌丝生长温度在25℃-28℃，菌丝生长后期阶段温度为22℃-25℃，最高不能超过30℃；空气相对湿度控制在45％-60％之间；接种后七到十天不通风，菌丝封面后加大通风量，35天后加强菌袋通风换气；菌丝长满菌段后，在20℃左右继续培养15到20天；
步骤五、灵芝菌段的无覆土大棚栽培。
3.根据权利要求1所述的减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，其特征在于，所述步骤二中摇瓶内所用的液体培养基PH值为6～6.5，液体培养基成分为1000份的水、7份的蛋白胨、3份的酵母膏、40份的蔗糖、20份葡萄糖、1份的KH2PO4、1份的MgSO4·7H2O。
4.根据权利要求1所述的减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，其特征在于，所述步骤三中袋料培养基成分为1000份干木屑、250份水、200份麦麸、30份玉米粉、10份石膏粉，培养时间35天～40天。
5.根据权利要求1所述的减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，其特征在于，所述步骤四中木段培养基采用直径5-10cm的新鲜柞木，并截成12-14cm长的柞木段，后捆绑成直径为25-30cm的圆柱型培养基。
6.根据权利要求1所述的减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，其特征在于，所述步骤五中的秸秆均为前一年采收自然风干的农业废料玉米秸秆。
7.根据权利要求1所述的减少重金属离子富集的灵芝栽培方法，其特征在于，所述步骤五中的栽培大棚尺寸为27m*13m，高度为1.8m-2.2m。
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Non-Patent Citations (2)
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