CN116352102A - 亚微米级单晶铜粉的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种亚微米级单晶铜粉的制备方法,包括如下步骤:S1、分别配置铜溶液、还原溶液;其中,所述还原溶液包括十六烷基三甲基溴化铵、抗坏血酸、水;S2、混合铜溶液、还原溶液,并在反应釜中进行还原反应;其中,反应釜的温度设置为140‑160℃,反应时间设置为4‑8h;S3、对步骤S2反应后的反应液进行后处理,以获得铜粉。本发明的制备方法工艺简单,反应过程可控,适于规模化生产,且制备的单晶铜抗氧化能力高、粒径可控。
Description
技术领域
本发明涉及导电浆料技术领域,尤其涉及一种亚微米级单晶铜粉的制备方法。
背景技术
铜具有良好的导电性、导热性、延展性及耐腐蚀性,被广泛应用于电气、轻工、机械制造、建筑工业、国防工业等领域。同时,铜具有储量多、再利用率高的特点,使得铜的成本相对较低,更适于大范围的应用。单晶铜相较于多晶铜而言,不存在晶界的限制,各方面的性能(如导电性、耐腐蚀性等)也比多晶铜强,因此,单晶铜比多晶铜具有更广阔的应用前景,如何制备单晶铜也称为当前的研究方向之一。
国内外关于单晶铜的制备虽然已经有大量的报道,但大多是采用物理法(如气相沉积法、外延生长法等)进行合成,这种合成方法对设备的依赖度较高,而且产量较低,不适于规模化生产;而现有的化学法制备的单晶铜热力学性质不稳定,易发生团聚、氧化现象。
发明内容
为克服上述缺点,本发明的目的在于提供一种亚微米级单晶铜粉的制备方法,制备工艺简单,反应过程可控,适于规模化生产,且制备的单晶铜抗氧化能力高、粒径可控。
为了达到以上目的,本发明采用的技术方案是:一种亚微米级单晶铜粉的制备方法,包括如下步骤:
S1、分别配置铜溶液、还原溶液;其中,所述还原溶液包括十六烷基三甲基溴化铵、抗坏血酸、水;
S2、混合铜溶液、还原溶液,并在反应釜中进行还原反应;其中,反应釜的温度设置为140-160℃,反应时间设置为4-8h;
S3、对步骤S2反应后的反应液进行后处理,以获得铜粉。
本发明的有益效果在于:
1、通过配制铜溶液,使铜离子浸在溶剂中,以降低其暴露在空气中而被氧化的风险,后续进行还原反应时,铜离子始终处于溶剂中,进而能有效避免还原后的铜表面生成氧化铜的问题;
2、在还原溶液中,以十六烷基三甲基溴化铵作为分散剂、抗坏血酸作为还原剂、水作为溶剂,能有效提升铜离子的转化率,增强铜粉的抗氧化性能,且抗坏血酸还能调节还原溶液的pH值,使得十六烷基三甲基溴化铵更好地发挥分散作用,减少颗粒团聚现象;
3、在还原反应时,通过对反应釜的温度的控制能有效控制反应进程,利于生产的铜粉颗粒的形态及粒度分布的控制;
4、本发明的制备方法操作性强,利于规模化生产;且制得的单晶铜的抗氧化能力强、纯度高,粒径分布在0.5-1μm之间。
进一步来说,所述铜溶液的溶质为硫酸铜或氯化铜,所述铜溶液的溶剂为水,且所述铜溶液的浓度为100-600g/L。
进一步来说,在还原溶液中,所述十六烷基三甲基溴化铵、抗坏血酸、水的质量百分比为1:30-40:30-40。
进一步来说,在步骤S2中,反应釜的温度设置为160℃,反应时间设置为6h。
进一步来说,在步骤S2中,混合铜溶液、还原溶液时,将铜溶液、还原溶液在室温下混合并搅拌20-40分钟。
进一步来说,在步骤S2中,还原反应结束后,需对反应釜通入冷却水,以使反应釜的温度降至40℃以下,然后再开釜倒出反应液。
进一步来说,在步骤S3中,后处理包括:将反应液自然沉降后倒去上清液,并保留下层的沉淀物;对沉淀物进行多次清洗处理,得到清洗产物;对清洗产物进行烘干处理,得到烘干产物;对烘干产物进行粉碎研磨,得到铜粉。
进一步来说,对沉淀物进行多次清洗处理包括采用去离子水对沉淀物进行清洗,清洗完后静置沉降并倒去上清液;用乙醇对去离子水清洗后的沉淀物进行清洗,清洗完后静置沉降并倒去上清液,即得到清洗产物。
进一步来说,在对清洗产物进行烘干处理时,烘干温度为40-60℃,烘干时长为6-8h。
附图说明
图1为本发明实施例1制得的铜粉的电镜扫描图;
图2为本发明实施例1制得的铜粉的TEM衍射示意图;
图3为本发明实施例2制得的铜粉的电镜扫描图;
图4为本发明实施例2制得的铜粉的TEM衍射示意图;
图5为本发明实施例3制得的铜粉的电镜扫描图;
图6为本发明实施例3制得的铜粉的TEM衍射示意图;
图7为本发明实施例4制得的铜粉的电镜扫描图;
图8为本发明实施例4制得的铜粉的TEM衍射示意图;
图9为本发明实施例5制得的铜粉的电镜扫描图;
图10为本发明实施例5制得的铜粉的TEM衍射示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
一种亚微米级单晶铜粉的制备方法,包括如下步骤:
S1、分别配置铜溶液、还原溶液。其中,铜溶液的溶质为硫酸铜或氯化铜,铜溶液的溶剂为水,且铜溶液的浓度为100-600g/L。还原溶液包括十六烷基三甲基溴化铵、抗坏血酸、水,且十六烷基三甲基溴化铵、抗坏血酸、水的质量百分比为1:30-40:30-40。
S2、混合铜溶液、还原溶液,将铜溶液、还原溶液在室温下混合并搅拌20-40分钟,然后将混合溶液倒入到反应釜中进行还原反应,反应釜的温度设置为140-160℃,反应时间设置为4-8h;反应结束后,通入冷却水以使反应釜的温度降至40℃以下,开釜倒出反应液。
S3、对步骤S2反应后的反应液进行后处理,以获得铜粉。具体的,将反应液倒入到大烧杯中,自然沉降一段时间后倒去上清液,并保留下层的沉淀物;对下层的沉淀物分别采用去离子水、乙醇清洗三次后,得到清洗产物;将清洗产物放入烘箱内,并在40-60℃的温度下烘6-8h,以得到烘干产物;将烘干产物进行粉碎研磨,即得单晶铜粉。
其中,采用去离子水(或乙醇)清洗的步骤如下:在搅拌状态下将沉淀物加入至去离子水(或乙醇)中,然后沉降一段时间后倒去上清液,并保留下层的沉淀物。需要注意的是,去离子水、乙醇的用量为理论上目标产物(铜粉)的量的1/2。
在一些实施例中,步骤S2中,反应釜的温度设置为160℃,反应时间设置为6h。
实施例1
称取400g硫酸铜,并用2000ml的去离子水进行溶解,以制得铜溶液;称取15g十六烷基三甲基溴化铵、600g抗坏血酸,并用600ml的去离子水进行强力搅拌,以制得还原溶液;将配制好的铜溶液、还原溶液在大烧杯中搅拌混合30分钟后,倒入至反应釜中,将反应釜的温度设置为160℃,并向反应釜内通入氮气进行保护,反应时间为6小时;反应结束后,通循环水以使反应釜的温度冷却至40℃以下,开釜将反应液倒入至大烧杯中进行自然沉降;倒去上清液,并通过200ml的去离子水对下层的沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次;然后再用200ml的乙醇对沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次,得到清洗产物;然后将清洗产物放入至真空烘箱内,并在50℃的温度下烘6小时,然后将烘干后的样品进行粉碎研磨,即得铜粉。
实施例2
称取400g硫酸铜,并用2000ml的去离子水进行溶解,以制得铜溶液;称取15g十六烷基三甲基溴化铵、600g抗坏血酸,并用600ml的去离子水进行强力搅拌,以制得还原溶液;将配制好的铜溶液、还原溶液在大烧杯中搅拌混合30分钟后,倒入至反应釜中,将反应釜的温度设置为120℃,并向反应釜内通入氮气进行保护,反应时间为6小时;反应结束后,通循环水以使反应釜的温度冷却至40℃以下,开釜将反应液倒入至大烧杯中进行自然沉降;倒去上清液,并通过200ml的去离子水对下层的沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次;然后再用200ml的乙醇对沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次,得到清洗产物;然后将清洗产物放入至真空烘箱内,并在50℃的温度下烘6小时,然后将烘干后的样品进行粉碎研磨,即得铜粉。
实施例3
称取400g硫酸铜,并用2000ml的去离子水进行溶解,以制得铜溶液;称取15g十六烷基三甲基溴化铵、600g抗坏血酸,并用600ml的去离子水进行强力搅拌,以制得还原溶液;将配制好的铜溶液、还原溶液在大烧杯中搅拌混合30分钟后,倒入至反应釜中,将反应釜的温度设置为100℃,并向反应釜内通入氮气进行保护,反应时间为6小时;反应结束后,通循环水以使反应釜的温度冷却至40℃以下,开釜将反应液倒入至大烧杯中进行自然沉降;倒去上清液,并通过200ml的去离子水对下层的沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次;然后再用200ml的乙醇对沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次,得到清洗产物;然后将清洗产物放入至真空烘箱内,并在50℃的温度下烘6小时,然后将烘干后的样品进行粉碎研磨,即得铜粉。
实施例4
称取400g硫酸铜,并用2000ml的去离子水进行溶解,以制得铜溶液;称取15g聚乙二醇、600g抗坏血酸,并用600ml的去离子水进行强力搅拌,以制得还原溶液;将配制好的铜溶液、还原溶液在大烧杯中搅拌混合30分钟后,倒入至反应釜中,将反应釜的温度设置为120℃,并向反应釜内通入氮气进行保护,反应时间为6小时;反应结束后,通循环水以使反应釜的温度冷却至40℃以下,开釜将反应液倒入至大烧杯中进行自然沉降;倒去上清液,并通过200ml的去离子水对下层的沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次;然后再用200ml的乙醇对沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次,得到清洗产物;然后将清洗产物放入至真空烘箱内,并在50℃的温度下烘6小时,然后将烘干后的样品进行粉碎研磨,即得铜粉。
实施例5
称取400g硫酸铜,并用2000ml的去离子水进行溶解,以制得铜溶液;称取15g聚乙烯吡咯烷酮、600g抗坏血酸,并用600ml的去离子水进行强力搅拌,以制得还原溶液;将配制好的铜溶液、还原溶液在大烧杯中搅拌混合30分钟后,倒入至反应釜中,将反应釜的温度设置为120℃,并向反应釜内通入氮气进行保护,反应时间为6小时;反应结束后,通循环水以使反应釜的温度冷却至40℃以下,开釜将反应液倒入至大烧杯中进行自然沉降;倒去上清液,并通过200ml的去离子水对下层的沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次;然后再用200ml的乙醇对沉淀物进行搅拌浸泡10分钟,待沉降完全后倒去上清液,重复操作两次,得到清洗产物;然后将清洗产物放入至真空烘箱内,并在50℃的温度下烘6小时,然后将烘干后的样品进行粉碎研磨,即得铜粉。
对实施例1-5制得的铜粉的颗粒形貌、粒径分布及得率进行检测,检测结果如表1所示。其中,产品的颗粒形貌通过SEM扫描电镜及透射电子显微镜(TEM)测得,粒径分布范围通过激光粒度分布仪测得。
表1实施例1-5的测试结果
从表1及附图1-2可以看出,实施例1制得的铜粉为单晶结构,且铜粉颗粒呈球状,粒径分布在0.5-1μm之间;
从表1及附图1、附图3-6可以看出,实施例2、3在调整了反应釜的温度后,制得的铜粉均不是单晶结构,且铜粉的粒径分布在1-4μm之间;由此可知,还原反应的温度对反应结果具有明显影响;
从表1及附图1、附图7-10可以看出,实施例4、5在调整了分散剂的种类后,制得的铜粉均不是单晶结构;由此可知,分散剂的选择对颗粒形态具有明显影响。
需要注意的是,在附图2中,各选点的部位是对应用分区软件(DM软件)从TEM衍射图像上通过傅里叶变换得到的。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种亚微米级单晶铜粉的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、分别配置铜溶液、还原溶液;其中,所述还原溶液包括十六烷基三甲基溴化铵、抗坏血酸、水;
S2、混合铜溶液、还原溶液,并在反应釜中进行还原反应;其中,反应釜的温度设置为140-160℃,反应时间设置为4-8h;
S3、对步骤S2反应后的反应液进行后处理,以获得铜粉。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铜溶液的溶质为硫酸铜或氯化铜,所述铜溶液的溶剂为水,且所述铜溶液的浓度为100-600g/L。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在还原溶液中,所述十六烷基三甲基溴化铵、抗坏血酸、水的质量百分比为1:30-40:30-40。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,反应釜的温度设置为160℃,反应时间设置为6h。
5.根据权利要求1-4任一所述的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,混合铜溶液、还原溶液时,将铜溶液、还原溶液在室温下混合并搅拌20-40分钟。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,还原反应结束后,需对反应釜通入冷却水,以使反应釜的温度降至40℃以下,然后再开釜倒出反应液。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S3中,后处理包括:将反应液自然沉降后倒去上清液,并保留下层的沉淀物;对沉淀物进行多次清洗处理,得到清洗产物;对清洗产物进行烘干处理,得到烘干产物;对烘干产物进行粉碎研磨,得到铜粉。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,对沉淀物进行多次清洗处理包括采用去离子水对沉淀物进行清洗,清洗完后静置沉降并倒去上清液;用乙醇对去离子水清洗后的沉淀物进行清洗,清洗完后静置沉降并倒去上清液,即得到清洗产物。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在对清洗产物进行烘干处理时,烘干温度为40-60℃,烘干时长为6-8h。
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Citations (5)
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JPS63288990A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶銅粉末とその製法 |
CN101745647A (zh) * | 2009-12-18 | 2010-06-23 | 南京大学 | 拼图结构Cu纳米晶、其用途及无酶葡萄糖传感器 |
CN104781023A (zh) * | 2012-12-14 | 2015-07-15 | 尤尼吉可株式会社 | 纤维状铜微粒及其制造方法 |
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CN110560702A (zh) * | 2019-09-16 | 2019-12-13 | 上海交通大学 | 一种室温下制备微米级单晶铜粉的方法 |
-
2023
- 2023-02-21 CN CN202310145845.9A patent/CN116352102B/zh active Active
Patent Citations (5)
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