CN112264629A - 一种低成本高分散银粉的制备方法及其应用 - Google Patents
一种低成本高分散银粉的制备方法及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112264629A CN112264629A CN202011210760.7A CN202011210760A CN112264629A CN 112264629 A CN112264629 A CN 112264629A CN 202011210760 A CN202011210760 A CN 202011210760A CN 112264629 A CN112264629 A CN 112264629A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silver
- silver powder
- solution
- containing solution
- reducing agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 108
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 9
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PLKATZNSTYDYJW-UHFFFAOYSA-N azane silver Chemical compound N.[Ag] PLKATZNSTYDYJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 abstract 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
本发明公开了一种低成本高分散银粉的制备方法，包括以下步骤：1）制备含银溶液A，调节含银溶液的pH值为8.5~10.0；2）制备还原剂溶液B；3）取体积相同的含银溶液A和还原剂溶液B，将还原剂溶液B以0.1~0.2L/s的速度加入含银溶液A中，加入过程中快速搅拌，并在加入结束后持续搅拌至反应完成，整个反应过程中，温度保持在10~40℃，反应完成后进行清洗，即得。使用该方法制备的银粉能够作为制备太阳能电池板背银的应用。本发明制备方法采用快速加入法加入还原剂，能够得到粒径均一、分散性较好的颗粒；无需加入分散剂，降低了银粉的制造成本，银粉清洗容易；通过调节体系pH值，增大粒子间的排斥力，有效减小团聚，适合广泛推广应用于工业化生产。
Description
技术领域
本发明涉及导电银粉制备技术领域，具体是指一种低成本高分散银粉的制备方法及其应用。
背景技术
银粉是电子工业中应用最为广泛的一种金属粉末。近几十年来，随着科学技术的进步，特别是电子工业的高速发展，银粉的制备无论在技术还是设备上都取得了长足的进展，已经相当成熟。银粉是组成导电银浆最关键的材料，其质量直接或间接影响浆及最终形成导体的性能。近几十年来，随着微电子工业突飞猛进的发展，对贵金属粉尤其是在微电子中应用最广的银粉的制备和工艺学研究取得了很大进展。
现在制备超细银粉的方法一般通过大量使用分散剂来解决银粉制备过程中的团聚问题，但分散剂的使用不仅会增加生产成本，还会造成银粉清洗困难。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种无需加入分散剂，且能够获得粒径均一、分散性较好的银粉颗粒的低成本制备高分散银粉的方法。
本发明的另一个目的在于提供上述制备方法制备得到的银粉的具体应用。
为了实现上述目的，本发明通过下述技术方案实现：一种低成本高分散银粉的制备方法，包括以下步骤：
（1）制备含银溶液A，调节含银溶液的pH值为8.5~10.0；
（2）制备还原剂溶液B；
（3）取体积相同的含银溶液A和还原剂溶液B，将还原剂溶液B以0.1~0.2L/s的速度加入含银溶液A中，加入过程中快速搅拌，并在加入结束后持续搅拌至反应完成，整个反应过程中，温度保持在10~40℃，反应完成后进行清洗，即得。
本技术方案的原理为采用快速加入法加入还原剂，在充分搅拌下还原剂与银氨溶液充分混合，可以使反应在整个体系中均匀发生，令银粉的生长符合“爆发成核−缓慢生长”的Lamer 模型。即反应初期，反应物浓度较高，瞬间生成大量银原子，形成较大的过饱和度，从而发生爆发成核。在经历了初期的爆发成核后，反应物的浓度降低。加之体系中银氨离子的存在控制了银离子的释放速度，可以使沉淀反应的各个过程能在整个体系的各个部位同步、均匀地进行，因此反应速率减缓，溶质浓度降低，进入不形核、只生长的过程，从而得到粒径均一、分散性较好的颗粒。通过调节体系 p H 在银粉 ζ 电位较大的区间，增大粒子间的排斥力，可以有效减小团聚，由于不使用分散剂，极大程度降低了银粉的生产成本，因此适合工业化生产。
为了更好地实现本发明的方法，进一步地，所述制备得到的银粉的银颗粒粒径为0.4~0.8μm，比表面积1.1~1.7m2/g。
为了更好地实现本发明的方法，进一步地，所述步骤（1）制备含银溶液A的过程为，使用去离子水配置物质的量浓度为0.4~0.8mol/L的硝酸银溶液，然后加入质量百分比浓度为25%的氨水制成银氨溶液，通过氨水的加入量调节银氨溶液的pH值为8.5~10.0。
为了更好地实现本发明的方法，进一步地，所述步骤（2）中制备还原剂溶液A的过程为，使用去离子水配置物质的量浓度为0.3~0.6mol/L的抗坏血酸溶液。
为了更好地实现本发明的方法，进一步地，所述步骤（3）中，将还原剂溶液B以0.1L/s的速度加入含银溶液A中，且通过搅拌机进行搅拌，转速为200~400r/min。
为了更好地实现本发明的方法，进一步地，所述步骤（3）中，将还原剂溶液B以0.1L/s的速度加入含银溶液A后，继续搅拌溶液15min。
为了更好地实现本发明的方法，进一步地，所述步骤（3）中，反应完成后制得银粉的清洗，采用离心清洗。
通过上述制备方法制得的银粉能够作为制备太阳能电池板背银的应用。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
（1）本发明通过采用快速加入法加入还原剂，在充分搅拌下还原剂与银氨溶液充分混合，可以使反应在整个体系中均匀发生，令银粉的生长符合“爆发成核−缓慢生长”的Lamer模型，从而得到粒径均一、分散性较好的颗粒；
（2）本发明制备银粉的过程，无需加入分散剂，因此，降低了银粉的制造成本，且直接规避了银粉清洗困难的技术难题；
（3）本发明通过调节体系 p H 在银粉 ζ 电位较大的区间，增大粒子间的排斥力，可以有效减小团聚，适合广泛推广应用于工业化生产。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其他特征、目的和优点将会变得更为明显：
图1为本发明中使用含银溶液pH为6~7时，所得银粉的扫描电镜图；
图2为本发明中使用含银溶液pH为7~8.5时，所得银粉的扫描电镜图；
图3为本发明中使用含银溶液pH为8.5~10.0时，所得银粉的扫描电镜图；
图4为本发明中使用含银溶液pH为10~12时，所得银粉粒径的扫描电镜图；
图5为本发明中使用含银溶液pH为8.5~10.0时，所得银粉局部放大的粒径扫描电镜图。
具体实施方式
为使本发明的目的、工艺条件及优点作用更加清楚明白，结合以下实施实例，对本发明作进一步详细说明，但本发明的实施方式不限于此，在不脱离本发明上述技术思想情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段，做出各种替换和变更，均应包括在本发明的范围内，此处所描述的具体实施实例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1：
本实施例的制备高分散银粉的方法，具体实施步骤如下：
（1）制备含银溶液A：首先在容器配置1L，摩尔浓度为0.4~0.8mol/L的硝酸银溶液，然后加入质量百分数为25%的氨水30-150mL，调溶液pH值，即得含银溶液A；
（2）制备还原剂溶液B：在反应器内配置1L，摩尔浓度为0.3~0.6mol/L的硝酸银溶液，即得还原剂溶液B；
（3）在快速搅拌的情况下，将步骤（2）制备得到的还原剂溶液B快速倒入含银溶液A中，时间控制在10s以内，在加溶液结束后，继续搅拌溶液15min，整个过程温度保持在10-40℃之间，反应完成后离心清洗。
其中，反应体系pH（即含银溶液A的pH值）决定银粉的电位区间，银粉的电位区间对最终银粉颗粒成型有极大影响，因此针对不同pH值下，银粉颗粒的形状做如下对比试验，得到的银粉颗粒如图1，图2，图3，图4所示，所得银粉的物理性质见下表：
根据上表数据和图1可知，当银粉的电位在pH为6~7时，粒径分布不均一；
根据上表数据和图2可知，当银粉的电位在pH为7~8.5时，银粉出现团聚显现，且粒径过大；
根据上表数据和图3可知，当银粉的电位在pH为8.5-10.0时达到最大负值，表明在该pH范围内银粒子间的排斥力较大，不易发生团聚，银粉的分散性也最好；
根据上表数据和图4可知，当银粉的电位在pH为10.0~12.0时，银粉出现严重团聚。
结论，在银粉的电位在pH为8.5-10.0时，获得银粉分散性最好，具体如图5所示，银粉粒径分布在0.4-0.8um，形状为球形，分散性和粒径均一较好，适合将其作为太阳能电池板背银进行使用。
实施例2：
本实施例在上述实施例的基础上，进一步限定了制备银粉时的搅拌过程，所述步骤（3）中，将还原剂溶液B以0.1L/s的速度加入含银溶液A中，且通过搅拌机进行搅拌，转速为200~400r/min。由于还原剂溶液B与含银溶液A（银氨溶液）需要充分搅拌混合，因此本实施例优选使用搅拌机进行搅拌，且具体限定了搅拌转速，以保证还原剂溶液B与含银溶液A的充分混合均匀反应，使沉淀反应的各个过程能在整个体系的各个部位同步、均匀地进行。本实施例其他部分与上述实施例相同，这里不再赘述。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种低成本高分散银粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）制备含银溶液A，调节含银溶液的pH值为8.5~10.0；
（2）制备还原剂溶液B；
（3）取体积相同的含银溶液A和还原剂溶液B，将还原剂溶液B以0.1~0.2L/s的速度加入含银溶液A中，加入过程中快速搅拌，并在加入结束后持续搅拌至反应完成，整个反应过程中，温度保持在10~40℃，反应完成后进行清洗，即得。
2.根据权利要求1所述的一种低成本高分散银粉的制备方法，其特征在于，所述制备得到的银粉的银颗粒粒径为0.4~0.8μm，比表面积1.1~1.7m2/g。
3.根据权利要求1或2所述的一种低成本高分散银粉的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）制备含银溶液A的过程为，使用去离子水配置物质的量浓度为0.4~0.8mol/L的硝酸银溶液，然后加入质量百分比浓度为25%的氨水制成银氨溶液，通过氨水的加入量调节银氨溶液的pH值为8.5~10.0。
4.根据权利要求3所述的一种低成本高分散银粉的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中制备还原剂溶液B的过程为，使用去离子水配置物质的量浓度为0.3~0.6mol/L的抗坏血酸溶液。
5.根据权利要求1或2所述的一种低成本高分散银粉的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，将还原剂溶液B以0.1L/s的速度加入含银溶液A中，且通过搅拌机进行搅拌，转速为200~400r/min。
6.根据权利要求1或2所述的一种低成本高分散银粉的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，将还原剂溶液B以0.1L/s的速度加入含银溶液A后，继续搅拌溶液15min。
7.根据权利要求1或2所述的一种低成本高分散银粉的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，反应完成后制得银粉的清洗，采用离心清洗。
8.根据权利要求1~7所述制备方法得到的银粉作为制备太阳能电池背银的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011210760.7A CN112264629A (zh) | 2020-11-03 | 2020-11-03 | 一种低成本高分散银粉的制备方法及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011210760.7A CN112264629A (zh) | 2020-11-03 | 2020-11-03 | 一种低成本高分散银粉的制备方法及其应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112264629A true CN112264629A (zh) | 2021-01-26 |
Family
ID=74346071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011210760.7A Pending CN112264629A (zh) | 2020-11-03 | 2020-11-03 | 一种低成本高分散银粉的制备方法及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112264629A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114101697A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-03-01 | 北京航空航天大学 | 一种制备指定粒径Ag NPs颗粒的方法 |
| CN114260461A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-01 | 成都市天甫金属粉体有限责任公司 | 一种多褶皱球形银粉及其制备方法与应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1686646A (zh) * | 2005-04-26 | 2005-10-26 | 四川大学 | 一种粒径可控的单分散纳米银粉的制备方法 |
| CN103624249A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-03-12 | 中南大学 | 一种高振实密度银粉的制备方法 |
| JP2015045065A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 銀粉及びその製造方法 |
| CN104668572A (zh) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池背电极用银粉、银浆和太阳能电池 |
| CN105252014A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-01-20 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种碱性体系中制备超细银粉的方法 |
| CN105817645A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-08-03 | 溧阳市立方贵金属材料有限公司 | 一种可控粒度的超纯银粉的制备方法 |
-
2020
- 2020-11-03 CN CN202011210760.7A patent/CN112264629A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1686646A (zh) * | 2005-04-26 | 2005-10-26 | 四川大学 | 一种粒径可控的单分散纳米银粉的制备方法 |
| CN103624249A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-03-12 | 中南大学 | 一种高振实密度银粉的制备方法 |
| JP2015045065A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 銀粉及びその製造方法 |
| CN104668572A (zh) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池背电极用银粉、银浆和太阳能电池 |
| CN105252014A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-01-20 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种碱性体系中制备超细银粉的方法 |
| CN105817645A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-08-03 | 溧阳市立方贵金属材料有限公司 | 一种可控粒度的超纯银粉的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 田庆华等: "银氨体系抗坏血酸还原制备超细球形银粉", 《中南大学学报(自然科学版)》 * |
| 郭学益等: "银氨体系双氧水还原法制备超细银粉", 《粉末冶金材料科学与工程》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114101697A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-03-01 | 北京航空航天大学 | 一种制备指定粒径Ag NPs颗粒的方法 |
| CN114260461A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-01 | 成都市天甫金属粉体有限责任公司 | 一种多褶皱球形银粉及其制备方法与应用 |
| CN114260461B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-11-03 | 成都市天甫金属粉体有限责任公司 | 一种多褶皱球形银粉及其制备方法与应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110434355B (zh) | 一种高振实密度高分散性球形银粉的制备方法 | |
| CN103100722B (zh) | 一种高振实单分散银粉的制备方法 | |
| JP5827341B2 (ja) | 銀粉末製造用反応器および連続製造法 | |
| CN112475311A (zh) | 一种粒径可精确控制的类球形银粉及其制备方法 | |
| CN113658739B (zh) | 一种粒径可控分布的类球形银粉及其制备方法与应用 | |
| CN110997198B (zh) | 银粒子及其制造方法 | |
| CN104646683A (zh) | 一种粒度可控的球形银粉及其制备方法 | |
| TW200808471A (en) | Process for making highly dispersible spherical silver powder particles and silver particles formed therefrom | |
| JP2012526191A (ja) | 銀粒子およびその製造方法 | |
| JP2012525506A (ja) | 銀粒子およびその製造方法 | |
| JP2013541640A (ja) | 銀粒子およびその製造方法 | |
| CN113369491B (zh) | 一种球形、片状混合银粉及其制造方法 | |
| CN101973592A (zh) | 一种高比重球型碳酸钴的制备方法 | |
| CN115780824B (zh) | 一种高烧结活性银粉的制备方法及应用 | |
| CN112264629A (zh) | 一种低成本高分散银粉的制备方法及其应用 | |
| CN115805318B (zh) | 一种高指数晶面暴露型银粉及其制备方法和应用 | |
| CN115055690A (zh) | 一种晶粒定向聚集的全球形多晶银粉及其制备方法 | |
| CN112404450B (zh) | 一种高分散高球形度多孔银粉的化学合成方法 | |
| CN112453420A (zh) | 一种高性能银粉的制备方法及其应用 | |
| KR20200038742A (ko) | 은 분말 및 이의 제조 방법 | |
| JP2017039991A (ja) | 銀コート銅粉とその製造方法、及びそれを用いた導電性ペースト | |
| CN116967461A (zh) | 一种高分散、低烧损的超细银粉及其制备方法 | |
| CN114260461B (zh) | 一种多褶皱球形银粉及其制备方法与应用 | |
| CN113753969B (zh) | 一种超细粒径球形碳酸钴颗粒的制备方法 | |
| CN116329567A (zh) | 一种两步法制备高分散微晶银粉的方法及微通道反应设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210126 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |