CN116092726A - 各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够以高可靠性接合种类不同的电子器件的各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法。各向异性导电性部件具有沿绝缘膜的厚度方向贯穿且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体和覆盖绝缘膜的至少一个面的有机层，其中，有机层在表面露出的状态下具有距绝缘膜的面的厚度厚的部分和厚度薄的部分。

Description

各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法

技术领域

本发明涉及一种具有沿厚度方向贯穿绝缘膜且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体和覆盖绝缘膜的至少一个面的有机层的各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法，尤其涉及一种具有在表面露出的状态下具有距绝缘膜的表面的厚度厚的部分和厚度薄的部分的有机层的各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法。

背景技术

在设置于绝缘性基材上的多个贯穿孔中填充金属等导电性物质而成的结构体为近年来在纳米技术中也受到注目的领域之一，例如作为各向异性导电性部件的用途备受期待。

各向异性导电性部件仅通过插入到半导体元件等电子零件与电路板之间并进行加压而获得电子零件与电路板之间的电连接，因此作为半导体元件等电子零件等的电连接部件及进行功能检查时的检查用连接器等被广泛使用。

尤其，半导体元件等电子零件的小型化明显。在如以往引线接合(wire bonding)那样的直接连接配线基板的方式、倒装芯片绑定(flip chip bonding)及热压结合(thermocompression bonding)等中，有时无法充分保证电子零件的电连接的稳定性，因此作为电子连接部件，插入件及各向异性导电性部件等受到注目。

例如，在专利文献1中，记载有一种各向异性导电性接合部件，其具备绝缘性基材、由导电性部件形成的多个导电通路及设置于绝缘性基材表面的整个表面上的树脂层。树脂层含有热固性树脂。导电通路以彼此绝缘的状态沿厚度方向贯穿绝缘性基材而设置。导电通路具有从绝缘性基材的表面突出的突出部分，突出部分的端部埋设于树脂层中。

专利文献1：日本特开2018-37509号公报

当前，尝试将多个电子器件接合到1个插入件上以进行高速的信号处理。将多个电子器件的种类相同的情况称为均质的，将多个电子器件的种类不同的情况称为异质的。

在多个电子器件的种类不同的情况下，电子器件的电极的高度或电极的间隔有时根据电子器件的种类而不同。在将这种多个电子器件接合到各向异性导电性部件上而不接合到插入件上的情况下，如上述专利文献1的各向异性导电性部件那样将均匀厚度的树脂层设置于绝缘性基材表面的整个表面上的结构中，根据接合的多个电子器件的组合，有可能如由于树脂层的厚度均匀而导致接合不充分等无法获得充分的接合强度。因此，关于电子器件的接合，有时无法获得充分的可靠性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够以高可靠性接合种类不同的电子器件的各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法。

为了实现上述目的，本发明的一方式提供一种各向异性导电性部件，其具有沿绝缘膜的厚度方向贯穿且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体和覆盖绝缘膜的至少一个面的有机层，有机层在表面露出的状态下具有距绝缘膜的面的厚度厚的部分和厚度薄的部分。

优选有机层的厚度在厚度厚的部分与厚度薄的部分之间连续变化。

有机层优选具有配置于绝缘膜侧的第1层和在第1层上分散配置的有机部件。

有机层优选具有多层结构。

优选有机层的与绝缘膜相反的一侧的接触角小于绝缘膜侧。

优选有机层的有机部件的接触角小于第1层。

本发明的一方式提供一种各向异性导电性部件的制造方法，该各向异性导电性部件具有沿绝缘膜的厚度方向贯穿且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体和覆盖绝缘膜的至少一个面的有机层，该制造方法具有在绝缘膜的至少一个面上改变形成有机层的组合物的适用量而形成有机层的工序。

形成有机层的工序优选为如下，即，改变形成有机层的组合物的适用量以使有机层的厚度厚的部分和厚度薄的部分的厚度在厚度厚的部分与厚度薄的部分之间连续变化，从而形成有机层。

形成有机层的工序优选具有在绝缘膜侧形成第1层的工序和在第1层上分散形成有机部件的工序。

有机层优选具有多层结构。

优选有机部件的接触角小于第1层。

有机层具有接触角不同的层，在形成有机层的工序中，优选将接触角小的层形成于与绝缘膜相反的一侧而形成厚度局部不同的有机层。

形成有机层的工序优选具有形成均匀厚度的第1层的工序和在第1层的表面上局部形成第2层的工序。

优选第2层的接触角小于第1层。

形成有机层的工序优选具有包括喷墨法及涂布法中的至少1种方法的工序。

形成有机层的工序优选具有形成均匀厚度的基极层的工序和对基极层实施图案蚀刻处理以局部改变厚度的工序。

本发明的一方式提供一种结构体，其中多个电子器件与各向异性导电性部件电连接，多个电子器件具有多个与各向异性导电性部件电连接的电极，多个电子器件的各自的电极的高度、宽度及电极间距离中的至少1个不同。

优选多个电子器件的各自的功能及半导体种类中的至少一者不同。

优选多个电子器件的各自的厚度不同。

本发明的一方式提供一种结构体的制造方法，该结构体中多个电子器件与各向异性导电性部件电连接，多个电子器件具有多个与各向异性导电性部件电连接的电极，多个电子器件的各自的电极的高度、宽度及电极间距离中的至少1个不同，并且高度不同，该制造方法具有将多个电子器件按高度从低到高的顺序载置于各向异性导电性部件上来接合多个电子器件的工序。

优选多个电子器件的各自的功能及半导体种类中的至少一者不同。

发明效果

根据本发明，能够提供一种即使在接合种类不同的电子器件的情况下接合的可靠性也高的各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第1例的示意性剖视图。

图2是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第1例的示意性俯视图。

图3是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第2例的示意性剖视图。

图4是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第3例的示意性剖视图。

图5是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第4例的示意性剖视图。

图6是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第5例的示意性剖视图。

图7是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第6例的示意性剖视图。

图8是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第7例的示意性剖视图。

图9是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。

图10是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。

图11是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。

图12是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。

图13是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第3例的一工序的示意性剖视图。

图14是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第4例的一工序的示意性剖视图。

图15是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第5例的一工序的示意性剖视图。

图16是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第6例的一工序的示意性剖视图。

图17是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第7例的一工序的示意性剖视图。

图18是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第7例的一工序的示意性剖视图。

图19是表示构成本发明的实施方式的各向异性导电性部件的各向异性导电层的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。

图20是表示构成本发明的实施方式的各向异性导电性部件的各向异性导电层的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。

图21是表示构成本发明的实施方式的各向异性导电性部件的各向异性导电层的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。

图22是表示构成本发明的实施方式的各向异性导电性部件的各向异性导电层的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。

图23是表示构成本发明的实施方式的各向异性导电性部件的各向异性导电层的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。

图24是表示构成本发明的实施方式的各向异性导电性部件的各向异性导电层的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。

图25是表示构成本发明的实施方式的各向异性导电性部件的各向异性导电层的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。

图26是表示本发明的实施方式的结构体的第1例的示意图。

图27是表示本发明的实施方式的结构体的第2例的示意图。

图28是表示本发明的实施方式的结构体的第2例的制造方法的一例的示意图。

图29是表示下侧芯片的示意图。

图30是表示第1测试芯片的示意图。

图31是表示第2测试芯片的示意图。

图32是表示第3测试芯片的示意图。

图33是表示下侧芯片与第1测试芯片、第2测试芯片及第3测试芯片的接合状态的示意图。

具体实施方式

以下，根据附图所示的优选实施方式，对本发明的各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法进行详细说明。

另外，以下所说明的图为用于说明本发明的例示性的图，本发明并不限定于以下所示的图。

另外，在以下中，表示数值范围的“～”包含在两侧所记载的数值。例如，ε为数值α～数值β是指ε的范围为包含数值α和数值β的范围，若用数学标记表示，则α≤ε≤β。

关于“由具体的数值表示的角度”、“平行”及“垂直”，除非另有记载，则包含在相应的技术领域中通常允许的误差范围。

关于温度及时间，除非另有记载，则包含在相应的技术领域中通常允许的误差范围。

并且，“相同”包含在相应的技术领域中通常允许的误差范围。并且，“整个表面”等包含在相应的技术领域中通常允许的误差范围。

[各向异性导电性部件的第1例]

图1是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第1例的示意性剖视图，图2是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第1例的示意性俯视图。图2是从图1的绝缘膜12的表面12a侧观察的俯视图，并省略图1所示的有机层20的图示。

图1所示的各向异性导电性部件10具有：绝缘膜12，具有电绝缘性；多个导体14，沿厚度方向Dt贯穿绝缘膜12且以彼此电绝缘的状态设置；及有机层20，覆盖绝缘膜12中的至少一个面。

多个导体14以彼此电绝缘的状态配置于绝缘膜12上。此时，例如，绝缘膜12具有沿厚度方向Dt贯穿的多个细孔13。在多个细孔13中设置有导体14。导体14从绝缘膜12的表面12a突出。并且，导体14从绝缘膜12的背面12b突出。

导体14可以从绝缘膜12的厚度方向Dt上的一个面突出，此时，优选在导体14突出的绝缘膜12的表面上设置有机层20。

另外，由绝缘膜12和多个导体14构成各向异性导电层16。绝缘膜12例如由阳极氧化膜15构成。绝缘膜12的表面12a和绝缘膜12的背面12b为在绝缘膜12的厚度方向Dt上对置的面。

各向异性导电性部件10具有各向异性导电性，在厚度方向Dt上具有导电性，但是在与绝缘膜12的表面12a平行的方向上的导电性充分低。

如图2所示，例如各向异性导电性部件10的外形为四边形。另外，各向异性导电性部件10的外形并不限定于四边形，例如可以为圆形。各向异性导电性部件10的外形能够设为与用途、制作容易度等对应的形状。

如上所述，图1所示的各向异性导电性部件10具有覆盖绝缘膜12中的至少一个面的有机层20。有机层20在表面20a露出的状态下具有距绝缘膜12的表面的厚度局部不同的部分20b。在图1所示的各向异性导电性部件10中，通过厚度不同的部分20b在有机层20上形成凹部20c和凸部20d。有机层20的厚度不均匀。有机层20的厚度薄的部分为凹部20c，厚度厚的部分为凸部20d。有机层20具有厚度厚的部分和厚度薄的部分。

在绝缘膜12的表面12a侧，从绝缘膜12的表面12a至有机层20的凸部20d的表面20a为止的平均厚度hm厚于绝缘膜12的表面12a侧的厚度局部不同的部分20b的平均厚度hj。平均厚度hj为从绝缘膜12的表面12a至有机层20的凹部20c的表面20a为止的厚度。

同样地，在绝缘膜12的背面12b侧，从绝缘膜12的背面12b至有机层20的凸部20d的表面20a为止的平均厚度hm厚于绝缘膜12的背面12b侧的厚度局部不同的部分20b的平均厚度hj。

有机层20固定作为与导体14连接的连接对象的电子器件的电极，在接合电子器件时在电极的周围填充有机层20。

有机层20具有和与导体14连接的电子器件的电极的厚度等对应的厚度。有机层20的凸部20d厚于凹部20c。此时，能够将电极尺寸大的电子器件与凸部20d进行接合，并且能够将电极尺寸小的电子器件与凹部20c进行接合。如此，能够接合电极尺寸不同的器件作为电子器件，并且能够接合种类不同的电子器件。此时，通过将有机层20的结构设为在表面20a露出的状态下具有距绝缘膜12的表面的厚度局部不同的部分20b，并且有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分的结构，能够在接合电子器件时用有机层20填补电极的周围。由此，在接合了种类不同的电子器件的情况下，各向异性导电性部件10能够以高可靠性接合种类不同的电子器件。

另外，电子器件的电极尺寸是指电极的高度、宽度及电极间距离中的至少1个。

并且，各向异性导电性部件10以有机层20的表面20a上什么都没有的状态接合。

[各向异性导电性部件的第2例]

图3是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第2例的示意性剖视图。在图3中，对与图1所示的结构相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。

与图1所示的各向异性导电性部件10相比，各向异性导电性部件10a的有机层20的结构不同，除此以外的结构为与图1所示的各向异性导电性部件10相同的结构。

各向异性导电性部件10a的有机层20具有配置于绝缘膜12侧的第1层21和在第1层21上分散配置的有机部件22a，并且为第1层21与有机部件22a的复合层22。第1层21分别形成于绝缘膜12的表面12a及背面12b上。有机部件22a在第1层21上分散并以层状配置。关于有机部件22a，例如通过喷墨法来形成。

连接分散配置的多个有机部件22a的最高部位而构成的面相当于有机层20的表面20a。并且，在第1层21上除了有机部件22a之间以外未配置有有机部件22a的区域也相当于有机层20的表面20a。配置有有机部件22a的部位相当于上述有机层20的凸部20d，未配置有有机部件22a的部位相当于上述有机层20的凹部20c。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，各向异性导电性部件10a的有机层20为在表面20a露出的状态下具有距绝缘膜12的表面的厚度局部不同的部分20b的结构，有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分。

在各向异性导电性部件1Oa中，在配置有有机部件22a的相当于凸部20d的区域接合电极尺寸大的电子器件，在第1层21上接合电极尺寸小的电子器件。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在接合了种类不同的电子器件的情况下，各向异性导电性部件10a能够以高可靠性接合种类不同的电子器件。

优选有机部件22a的接触角小于第1层21。由此，若在接合电子器件时有机层20被加热，则有机部件22a容易扩展，在接合了电子器件时容易在电极的周围填充有机部件22a，因此较为优选。另外，接触角为与水的接触角。

[各向异性导电性部件的第3例]

图4是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第3例的示意性剖视图。在图4中，对与图1所示的结构相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。

与图1所示的各向异性导电性部件10相比，各向异性导电性部件10b的有机层20的结构不同，除此以外的结构为与图1所示的各向异性导电性部件10相同的结构。

各向异性导电性部件10b的有机层20具有配置于绝缘膜12侧的第1层21和配置于第1层21上的第2层23。有机层20为第1层21与第2层23的多层结构。第1层21分别形成于绝缘膜12的表面12a及背面12b的整个表面上。第2层23局部配置于第1层21上。关于第2层23，例如通过喷墨法或涂布法来形成。

第1层21及第2层23的表面相当于有机层20的表面20a。第2层23相当于上述有机层20的凸部20d，未配置有第2层23的第1层21相当于有机层20的凹部20c。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，各向异性导电性部件10b的有机层20为在表面20a露出的状态下具有距绝缘膜12的表面的厚度局部不同的部分20b的结构，有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分。

在各向异性导电性部件10b中，在由第2层23构成的相当于凸部20d的区域接合电极尺寸大的电子器件，在第1层21上接合电极尺寸小的电子器件。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在接合了种类不同的电子器件的情况下，各向异性导电性部件10b能够以高可靠性接合种类不同的电子器件。

并且，通过将有机层20设为多层结构，构成有机层20的层的接触角、表面能量能够由不同的部件构成。例如，通过由接触角小的部件构成有机层20的最表面，若在接合电子器件时有机层20被加热，则容易扩展，在接合了电子器件时容易在电极的周围填充有机层20，因此较为优选。

接触角为与水的接触角，以JIS(Japanese IndustrialStandards：日本工业标准)R3257基板玻璃表面的可润湿性试验方法的手法为基础，在有机层的表面上滴加水，并进行测定。作为接触角的测定装置，可以使用全自动接触角仪DMo-902(产品名称、KyowaInterface Science Co.，Ltd.制)。

[各向异性导电性部件的第4例]

图5是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第4例的示意性剖视图。在图5中，对与图1所示的结构相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。

与图1所示的各向异性导电性部件10相比，各向异性导电性部件10c的有机层20的结构不同，除此以外的结构为与图1所示的各向异性导电性部件10相同的结构。

各向异性导电性部件10c的有机层20具有配置于绝缘膜12侧的第1层21和配置于第1层21上的第2层24。有机层20为第1层21与第2层24的多层结构。第1层21分别形成于绝缘膜12的表面12a及背面12b的整个表面上。第2层24配置于第1层21的整个表面上，第2层24的距绝缘膜12的表面的厚度局部不同，有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分。关于第2层24，例如通过喷墨法或纳米压印法来形成。

第2层24的表面相当于有机层20的表面20a。第2层24的厚度厚的部分相当于上述有机层20的凸部20d，第2层24的厚度薄的部分相当于有机层20的凹部20c。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，各向异性导电性部件10c的有机层20为在表面20a露出的状态下具有距绝缘膜12的表面的厚度局部不同的部分20b的结构，有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分。

在各向异性导电性部件10c中，在由第2层23构成的相当于凸部20d的区域接合电极尺寸大的电子器件，在第1层21上接合电极尺寸小的电子器件。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在接合了种类不同的电子器件的情况下，各向异性导电性部件10c能够以高可靠性接合种类不同的电子器件。

并且，通过将有机层20设为多层结构，构成有机层20的层的接触角、表面能量能够由不同的部件构成。例如，通过由接触角小的部件构成有机层20的最表面，若在接合电子器件时有机层20被加热，则容易扩展，在接合了电子器件时容易在电极的周围填充有机层20，因此较为优选。

[各向异性导电性部件的第5例]

图6是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第5例的示意性剖视图。在图6中，对与图1所示的结构相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。

与图1所示的各向异性导电性部件10相比，各向异性导电性部件1Od的有机层20的结构不同，除此以外的结构为与图1所示的各向异性导电性部件10相同的结构。

各向异性导电性部件10b的有机层20具有厚度厚的部分和厚度薄的部分，并且厚度在厚度厚的部分与厚度薄的部分之间20f连续变化。厚度厚的部分为凸部20d，厚度薄的部分为凹部20c。在有机层20中在凹部20c与凸部20d之间20f具有倾斜部20e。倾斜部20e以厚度随着从凹部20c朝向凸部20d而单调变厚的方式发生变化。具有倾斜部20e的倾斜角θ。

有机层20的倾斜角θ的角度为相对于绝缘膜12的表面12a或背面12b水平的线与倾斜部20e所形成的角的角度，有机层20的“表示斜坡的倾斜的指标”＝1/tanθ的关系成立。

表示斜坡的倾斜的指标优选为5以下，进一步优选为1以下。若表示斜坡的倾斜的指标为5以下，则能够使相邻的芯片靠近配置，即使存在依赖于所连接的电子器件的设置精确度的偏差，倾斜部的影响也变少。例如，在倾斜部的膜厚为10μm的情况下，连接损失被抑制在2μm以下，因此连接损失的影响变少。

关于倾斜部20e的倾斜角θ的角度，获取将包括有机层20的各向异性导电性部件10d沿绝缘膜12的厚度方向Dt进行切割而获得的截面图像，在截面图像中，确定绝缘膜12的表面12a或背面12b和倾斜部20e，画出相对于绝缘膜12的表面12a或背面12b平行的线，并确定该线与倾斜部20e所形成的倾斜角θ。使用公知的方法获得所确定的倾斜角θ的角度。

与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，各向异性导电性部件10d的有机层20为在表面20a露出的状态下具有距绝缘膜12的表面的厚度局部不同的部分20b的结构，有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分。

在各向异性导电性部件10d中，与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在有机层20的凸部20d上接合电极尺寸大的电子器件，在凹部20c上接合电极尺寸小的电子器件。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在接合了种类不同的电子器件的情况下，各向异性导电性部件10d能够以高可靠性接合种类不同的电子器件。

有机层20在凹部20c与凸部20d之间20f存在倾斜部20e，倾斜部20e以厚度随着从凹部20c朝向凸部20d而单调变厚的方式发生变化，但是只要连续变化，则并不限定于此。关于在凹部20c与凸部20d之间20f的倾斜部20e，只要终点的凸部20d高于起点的凹部20c，则可以从起点向终点变化为凸状，也可以变化为凹状，倾斜部20e的表面的形状可以为指数函数状，也可以为对数函数状，也可以为二次函数状。

[各向异性导电性部件的第6例]

图7是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第6例的示意性剖视图。在图7中，对与图6所示的结构相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。

与图6所示的各向异性导电性部件10d相比，各向异性导电性部件10e的有机层20的结构不同，除此以外的结构为与图6所示的各向异性导电性部件10d相同的结构。

各向异性导电性部件10d的有机层20具有配置于绝缘膜12侧的第1层21和局部配置于第1层21上的第2层25。有机层20为第1层21与第2层25的多层结构。第1层21分别形成于绝缘膜12的表面12a及背面12b的整个表面上。第2层25局部配置于第1层21上。并且，有机层20具有倾斜部20e。关于第2层25，例如通过喷墨法来形成。

倾斜部20e的倾斜角θ的角度为相对于绝缘膜12的表面12a或背面12b水平的线与倾斜部20e所形成的角的角度，有机层20的“表示斜坡的倾斜的指标”＝1/tan θ的关系成立。

表示斜坡的倾斜的指标优选为5以下，进一步优选为1以下。若表示斜坡的倾斜的指标为5以下，则能够使相邻的芯片靠近配置，即使存在依赖于所连接的电子器件的设置精确度的偏差，倾斜部的影响也变少。例如，在倾斜部的膜厚为10μm的情况下，连接损失被抑制在2μm以下，因此连接损失的影响变少。

关于倾斜部20e的倾斜角θ的角度，与上述各向异性导电性部件10d相同地测定。

与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，各向异性导电性部件10e的有机层20为在表面20a露出的状态下具有距绝缘膜12的表面的厚度局部不同的部分20b的结构，有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分。

在各向异性导电性部件10e中，与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在有机层20的凸部20d上接合电极尺寸大的电子器件，在凹部20c上接合电极尺寸小的电子器件。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在接合了种类不同的电子器件的情况下，各向异性导电性部件10e能够以高可靠性接合种类不同的电子器件。

并且，通过将有机层20设为多层结构，构成有机层20的层的接触角、表面能量能够由不同的部件构成。例如，通过由接触角小的部件构成有机层20的最表面，若在接合电子器件时有机层20被加热，则容易扩展，在接合了电子器件时容易在电极的周围填充有机层20，因此较为优选。

[各向异性导电性部件的第7例]

图8是表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的第7例的示意性剖视图。在图8中，对与图6所示的结构相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。

与图6所示的各向异性导电性部件10d相比，各向异性导电性部件10f的有机层20的结构不同，除此以外的结构为与图6所示的各向异性导电性部件10d相同的结构。

各向异性导电性部件10f的有机层20具有配置于绝缘膜12侧的第1层21和配置于第1层21的整个表面上的第2层26。有机层20为第1层21与第2层26的多层结构。第1层21分别形成于绝缘膜12的表面12a及背面12b的整个表面上。第2层26配置于第1层21的整个表面上，第2层26的距绝缘膜12的表面的厚度局部不同，有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分。并且，有机层20具有倾斜部20e。关于第2层26，例如通过喷墨法或纳米压印法来形成。

倾斜角θ的角度为相对于绝缘膜12的表面12a或背面12b水平的线与倾斜部20e所形成的角的角度，有机层20的“表示斜坡的倾斜的指标”＝1/tanθ的关系成立。

表示斜坡的倾斜的指标优选为5以下，进一步优选为1以下。若表示斜坡的倾斜的指标为5以下，则能够使相邻的芯片靠近配置，即使存在依赖于所连接的电子器件的设置精确度的偏差，倾斜部的影响也变少。例如，在倾斜部的膜厚为10μm的情况下，连接损失被抑制在2μm以下，因此连接损失的影响变少。

关于倾斜部20e的倾斜角θ的角度，与上述各向异性导电性部件10d相同地测定。

与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，各向异性导电性部件10f的有机层20为在表面20a露出的状态下具有距绝缘膜12的表面的厚度局部不同的部分20b的结构，有机层20具有距绝缘膜12的表面的厚度薄的部分和厚度厚的部分。

在各向异性导电性部件10f中，与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在有机层20的凸部20d上接合电极尺寸大的电子器件，在凹部20c上接合电极尺寸小的电子器件。与各向异性导电性部件10(参考图1)同样地，在接合了种类不同的电子器件的情况下，各向异性导电性部件10f能够以高可靠性接合种类不同的电子器件。

并且，通过将有机层20设为多层结构，构成有机层20的层的接触角、表面能量能够由不同的部件构成。例如，通过由接触角小的部件构成有机层20的最表面，若在接合电子器件时有机层20被加热，则容易扩展，在接合了电子器件时容易在电极的周围填充有机层20，因此较为优选。

以下，对结构体的结构进行更具体的说明。

〔绝缘膜〕

绝缘膜12为将由导电体构成的多个导体14以彼此电绝缘的状态设置的绝缘膜，绝缘膜具有电绝缘性。并且，绝缘膜12具有形成导体14的多个细孔13。对绝缘膜的组成等将在后面进行说明。

绝缘膜12的厚度方向Dt上的长度即绝缘膜12的厚度ht优选在1～1000μm的范围内，更优选在5～500μm的范围内，进一步优选在10～300μm的范围内。若绝缘膜12的厚度ht在该范围内，则绝缘膜12的处理性变得良好。

从卷取容易度的观点考虑，绝缘膜12的厚度ht优选为30μm以下，更优选为5～20μm。

另外，绝缘膜的厚度为如下值：使用聚焦离子束(Focused Ion Beam：FI B)将绝缘膜沿厚度方向Dt进行切削加工，使用扫描电子显微镜(SEM)对其截面拍摄表面照片(倍率5万倍)，并作为测定10个点而获得的平均值计算出的值。

<细孔的平均直径>

细孔13的平均直径优选为1μm以下，更优选为5～500nm，进一步优选为20～400nm，更进一步优选为40～200nm，最优选为50～100nm。细孔13的平均直径d为1μm以下，若在上述范围内，则能够获得具有上述平均直径的导体14。

关于细孔13的平均直径，使用扫描电子显微镜(SEM)从正上方以倍率100～10000倍拍摄绝缘膜12的表面而获得摄影图像。在摄影图像中，抽取至少20个周围连接成环状的细孔，测定其直径并设为开口直径，计算出这些开口直径的平均值作为细孔的平均直径。

另外，关于倍率，能够适当选择上述范围内的倍率，以获得能够抽取20个以上的细孔的摄影图像。并且，开口直径测定细孔部分的端部之间的距离的最大值。即，细孔的开口部的形状并不限定于大致圆形，因此在开口部的形状为非圆形的情况下，将细孔部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。因此，例如即使在如使2个以上的细孔一体化的形状的细孔的情况下，也将其视为1个细孔，并将细孔部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。

〔导体〕

如上所述，多个导体14在绝缘膜12(例如，阳极氧化膜15)上以彼此电绝缘的状态设置。

多个导体14具有导电性。导体由导电性物质构成。导电性物质并无特别限定，可以举出金属。作为金属的具体例，可以优选地例示出金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)、锌(Zn)及钴(Co)等。从导电性的观点考虑，优选为铜、金、铝、镍及钴，更优选为铜及金，最优选为铜。

与氧化物导电体相比，金属的延展性等优异而容易变形，即使在接合时的压缩中也容易变形，因此导体优选为由金属构成。

厚度方向Dt上的导体14的高度优选为10～300μm，更优选为20～30μm。

<导体的形状>

导体14的平均直径d优选为1μm以下，更优选为5～500nm，进一步优选为20～400nm，更进一步优选为40～200nm，最优选为50～100nm。

导体14的密度优选为2万个/mm²以上，更优选为200万个/mm²以上，进一步优选为1000万个/mm²以上，尤其优选为5000万个/mm²以上，最优选为1亿个/mm²以上。

而且，相邻的各导体14的中心间距离p优选为20nm～500nm，更优选为40nm～200nm，进一步优选为50nm～140nm。

关于导体的平均直径，使用扫描电子显微镜从正上方以倍率100～10000倍拍摄绝缘膜的表面而获得摄影图像。在摄影图像中，抽取至少20个周围连接成环状的导体，测定其直径并设为开口直径，计算出这些开口直径的平均值作为导体的平均直径。

另外，关于倍率，能够适当选择上述范围内的倍率，以获得能够抽取20个以上的导体的摄影图像。并且，在开口部的形状为非圆形的情况下，将导体部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。因此，例如即使在如使2个以上的导体一体化的形状的导体的情况下，也将其视为1个导体，并将导体部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。导体14的平均直径d与突出部的平均直径相同。

相邻的各导体14的中心间距离p在如上所述获得的绝缘膜12的摄影图像中进一步确定所确定的导体的中心位置(未图示)。在10处求出相邻的导体的中心位置之间的距离。将该平均值设为相邻的各导体14的中心间距离p。中心位置为在上述摄影图像中相当于导体14的区域的中心位置。另外，在摄影图像中，可以将公知的图像分析法用于区域的中心位置的计算中。

<突出部>

突出部为导体的一部分，并且为柱状。从能够增加与接合对象的接触面积的观点考虑，突出部优选为圆柱状。

突出部14a的平均突出长度ha及突出部14b的平均突出长度hb优选为10nm～1000nm，更优选为50nm～500nm。若平均突出长度ha及平均突出长度hb为10nm～1000nm，则有机层20与绝缘膜12的密合性变得良好。

优选导体14的平均突出长度ha、hb小于有机层20的凹部20c的表面20a为止的平均厚度hj。若导体14的突出部14a的平均突出长度ha及突出部14b的平均突出长度hb均小于有机层20的凹部20c的表面20a为止的平均厚度hj，则突出部14a、14b均埋设于有机层20中，导体14被有机层20保护。

突出部14a的平均突出长度ha及突出部14b的平均突出长度hb为如下值：如上所述，使用扫描电子显微镜获取突出部的截面图像，根据截面图像，分别测定10个点的突出部的高度而测定出的平均值。

关于导体14，与相邻的突出部的间隔优选为20nm～200nm，更优选为40nm～100nm。若与相邻的突出部的间隔在上述范围内，则能够在导体14的绝缘膜12的表面12a或背面12b上维持导体14的间隔。由此，在接合电子器件时，抑制导体14的短路，从而进一步提高接合时的可靠性。

〔有机层〕

如上所述，有机层覆盖绝缘膜的表面及背面中的至少一个面，并保护绝缘膜及导体。并且，在接合电子器件时，有机层填充电子器件的电极的周围。

为了发挥上述功能，有机层例如优选在50℃～200℃的温度范围内显示出流动性且在200℃以上的温度下固化。并且，若有机层被加热，则容易扩展，因此优选接触角小。有机层例如为由热塑性树脂等构成的热塑性层，对有机层将在后面进行详细说明。

有机层20的平均厚度hm优选为10μm以下，更优选为5μm以下，进一步优选为1μm以下。若有机层20的平均厚度hm为上述10μm以下，则保护导体14的突出部，并且在接合电子器件时能够充分发挥填充电极的周围的效果。

有机层20的平均厚度hm为距绝缘膜12的表面12a的平均距离或距绝缘膜12的背面12b的平均距离。上述有机层20的平均厚度hm为如下值：将树脂层沿各向异性导电性部件10的厚度方向Dt进行切割，使用扫描电子显微镜进行切割截面的截面观察，在对应于有机层的10处测定距绝缘膜12的表面12a的距离时的10个点的测定值的平均值。并且，为在对应于有机层的10处测定距绝缘膜12的背面12b的距离时的10个点的测定值的平均值。

[各向异性导电性部件的制造方法的第1例～第7例]

图9～图11是按工序顺序表示本发明的实施方式的各向异性导电性部件的制造方法的第1例的示意性剖视图。在图9～图11中，对与图1所示的各向异性导电性部件10相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。

在各向异性导电性部件的制造方法的第1例中，首先，如图9所示，准备各向异性导电层16。各向异性导电层16具有绝缘膜12和多个导体14，并且为没有各向异性导电性部件10的有机层20的状态的结构。对各向异性导电层16的制造方法将在后面进行说明。

在形成有机层的工序中，接着，如图10所示，在绝缘膜12的表面12a及背面12b上形成均匀厚度的基极层27。例如，使用旋涂法或涂布法来形成基极层27。

基极层27最终成为有机层20或第1层21。因此，有机层20或第1层21由与基极层27相同的材料构成。并且，基极层27的厚度由有机层20的结构及厚度等来决定。

接着，对基极层27实施图案蚀刻处理以局部改变厚度而形成凹部20c(参考图1)和凸部20d(参考图1)。由此，形成图1所示的有机层20，从而获得各向异性导电性部件10。在通过图案蚀刻处理形成有机层20的情况下，有机层20优选由感光性组合物构成。

图案蚀刻处理为如下工序：使用与基极层27对应的波长的光作为曝光光进行图案曝光，之后，实施显影处理。

如上所述，例如对基极层27实施图案蚀刻处理，改变形成有机层20的组合物的适用量而形成有机层20。形成有机层20的组合物例如为感光性组合物。

并且，在各向异性导电性部件的制造方法的第1例中，如图10所示，在绝缘膜12的表面12a及背面12b上形成均匀厚度的基极层27之后，如图11所示，将模具28与基极层27对置而配置。模具28具有对应于所形成的有机层20的表面形状的凸部28a。

例如，在将基极层27加热至玻璃化转变温度以上之后，将模具28紧压于基极层27上而形成图1所示的有机层20。由模具28的凸部28a形成凹部20c(参考图1)和凸部20d(参考图1)。由此，形成图1所示的有机层20，从而获得各向异性导电性部件10。

使用了上述模具28的有机层20的形成方法为称为纳米压印法的加工方法。如此，例如对基极层27适用纳米压印法，根据模具28，将基极层27局部分为厚的部分和薄的部分。即，改变形成有机层20的组合物的适用量而形成有机层20。此时，形成有机层20的组合物为基极层27。

并且，在各向异性导电性部件的制造方法的第2例中，对于形成有图10所示的基极层27的各向异性导电层16，例如使用喷墨法，如图12所示那样在基极层27的表面27a上局部分散形成有机部件22a。由此，形成第1层21与有机部件22a的复合层22(参考图3)，从而形成图3所示的各向异性导电性部件10a。此时，基极层27成为第1层21，因此形成为与第1层21对应的厚度。如此，例如使用喷墨法分散形成有机部件22a，改变形成有机层20的组合物的适用量而形成有机层20。此时，形成有机层20的组合物为有机部件22a。

有机部件22a的大小、配置间隔及配置范围并无特别限定，可以适当决定。在使用喷墨法分散有机部件22a的情况下，能够根据接合对象来改变有机部件22a的配置密度。并且，优选有机部件22a的接触角小于第1层21。

并且，在各向异性导电性部件的制造方法的第3例中，对于形成有图10所示的基极层27的各向异性导电层16，如图13所示那样在基极层27的表面27a上局部形成第2层23。由此，形成基极层27与第2层23的多层结构的有机层20(参考图4)，从而形成图4所示的各向异性导电性部件10b。此时，基极层27成为第1层21，因此形成为与第1层21对应的厚度。并且，优选第2层23的接触角小于基极层27。此时，将接触角小的层形成于与绝缘膜12相反的一侧而形成厚度局部不同的有机层20。如上所述，在基极层27的表面27a上局部形成第2层23，改变形成有机层20的组合物的适用量而形成有机层20。此时，形成有机层20的组合物为第2层23。

并且，在各向异性导电性部件的制造方法的第4例中，不是如图13所示那样在基极层27的表面27a上局部形成第2层23，而是如图14所示那样在第1层21的整个表面上形成其他层29。关于其他层29，与基极层27同样地，例如使用旋涂法或涂布法来形成。

接着，例如在将其他层29加热至玻璃化转变温度以上之后，将图11所示的模具28紧压于其他层29上而形成第2层24(参考图5)。由此，形成基极层27与第2层24的多层结构的有机层20(参考图5)，从而获得图5所示的各向异性导电性部件10c。此时，基极层27成为第1层21，因此形成为与第1层21对应的厚度。其他层29成为第2层24，因此形成为与第2层24对应的厚度。并且，优选其他层29的接触角小于基极层27。如此，例如对其他层29适用纳米压印法，根据模具28，将有机层20局部分为厚的部分和薄的部分。即，改变形成有机层20的组合物的适用量而形成有机层20。此时，形成有机层20的组合物为其他层29。

在各向异性导电性部件的制造方法的第4例中，例如也能够使用喷墨法，在基极层27上形成第2层24。

在各向异性导电性部件的制造方法的第5例中，对于图9所示的各向异性导电层16，例如使用喷墨法，在绝缘膜12的表面12a及背面12b上形成具有倾斜部20e的有机层20(参考图6)。由此，可以获得图6所示的各向异性导电性部件10d。

如此，在各向异性导电性部件的制造方法的第5例中，在形成有机层的工序中，使厚度厚的部分和厚度薄的部分的厚度在厚度厚的部分与厚度薄的部分之间连续变化，从而形成如上所述具有倾斜部20e的有机层20(参考图6)。

在各向异性导电性部件的制造方法的第5例中，除了喷墨法以外，例如如图10所示那样在各向异性导电层16上形成基极层27。接着，如图11所示，使用模具28。模具28具有对应于倾斜部20e的凸部(未图示)。在将基极层27加热至玻璃化转变温度以上之后，将模具28紧压于基极层27上而形成如图15所示那样具有倾斜部20e的有机层20。由此，可以获得图6所示的各向异性导电性部件10d。

在各向异性导电性部件的制造方法的第6例中，对于形成有图10所示的基极层27的各向异性导电层16，例如通过喷墨法，如图16所示那样在基极层27的表面27a上局部形成第2层25。第2层25具有倾斜部20e。由此，形成基极层27与第2层25的多层结构的有机层20(参考图7)，从而获得图7所示的各向异性导电性部件10e。此时，基极层27成为第1层21，因此形成为与第1层21对应的厚度。并且，优选第2层25的接触角小于基极层27。

并且，在各向异性导电性部件的制造方法的第6例中，对于形成有图10所示的基极层27的各向异性导电层16，例如如图14所示那样在基极层27的整个表面上形成其他层29。

接着，例如在将其他层29加热至玻璃化转变温度以上之后，将具有对应于倾斜部20e的凸部(未图示)的模具28紧压于其他层29上而形成第2层25。由此，在第1层21的整个表面上形成第2层26(参考图8)，并且形成具有倾斜部20e的有机层20(参考图8)。如此，可以获得图8所示的各向异性导电性部件10f。

并且，在各向异性导电性部件的制造方法的第7例中，对于图9所示的各向异性导电层16，例如通过喷墨法，在绝缘膜12的表面12a及背面12b上形成具有图17所示的倾斜部37b的基极层37。关于基极层37，除了喷墨法以外，通过将模具28(参考图11)紧压于上述具有均匀厚度的基极层27(参考图10)上的纳米压印法或对基极层27(参考图10)实施图案蚀刻处理，能够形成具有倾斜部37b的基极层37。

接着，例如使用喷墨法或涂布法，在基极层37的表面37a上形成第2层38。此时，第2层38的表面形状成为反映了基极层37的表面形状的形状。如此，也能够形成为第1层21与第2层38的多层结构且具有倾斜部20e的有机层20。此时，优选第2层38的接触角小于基极层37。

如图10所示，在各向异性导电层16的两面上形成基极层27等的情况下，在一个面上形成基极层27等之后，使用旋涂法，在另一个面上形成基极层27等时，抑制污染，因此优选将多孔质氟树脂片(聚四氟乙烯制)设置于各向异性导电层16的一个面侧并吸附于工作台(未图示)上。作为多孔质氟树脂片，例如能够使用CHUKOH CHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制的C-Porous(注册商标)。

[各向异性导电层的制造方法的一例]

图19～图25是表示构成本发明的实施方式的各向异性导电性部件的各向异性导电层的制造方法的一例的一工序的示意性剖视图。另外，在图19～图25中，对与图1所示的结构相同的构成物标注相同符号，并省略其详细说明。

在构成各向异性导电性部件10的各向异性导电层16的制造方法的一例中，在图1所示的各向异性导电性部件10中，以由铝的阳极氧化膜构成绝缘膜12为例进行说明。为了形成铝的阳极氧化膜，使用铝基板。因此，在结构体的制造方法的一例中，首先，如图19所示，准备铝基板30。

铝基板30根据最终获得的各向异性导电性部件10(参考图1)的绝缘膜12的厚度ht(参考图1)、加工装置等适当决定大小及厚度。铝基板30例如为矩形板材。另外，并不限定于铝基板，能够使用能够形成电绝缘的绝缘膜12的金属基板。

接着，对铝基板30的单侧的表面30a(参考图19)进行阳极氧化处理。由此，铝基板30的单侧的表面30a(参考图19)被阳极氧化，从而如图20所示形成具有沿铝基板30的厚度方向Dt延伸的多个细孔13的绝缘膜12即阳极氧化膜15。在各细孔13的底部存在阻挡层(barrier layer)31。将上述阳极氧化的工序称为阳极氧化处理工序。

在具有多个细孔13的绝缘膜12中，如上所述，在细孔13的底部分别存在阻挡层31，但是去除图20所示的阻挡层31。由此，获得具有没有阻挡层31的多个细孔13的绝缘膜12(参考图21)。另外，将去除上述阻挡层31的工序称为阻挡层去除工序。

在阻挡层去除工序中，通过使用包含氢过电压高于铝的金属M1的离子的碱性水溶液，在去除绝缘膜12的阻挡层31的同时，在细孔13的底部32c(参考图21)的表面32d(参考图21)上形成由金属(金属M1)形成的金属层35a(参考图21)。由此，在细孔13中露出的铝基板30由金属层35a包覆。由此，在通过镀覆向细孔13填充金属时，容易进行镀覆，抑制金属没有充分填充到细孔中，抑制金属向细孔的未填充等，从而抑制导体14的形成不良。

另外，包含上述金属M1的离子的碱性水溶液还可以包含含铝离子化合物(铝酸钠、氢氧化铝、氧化铝等)。含铝离子化合物的含量换算成铝离子的量优选为0.1～20g/L，更优选为0.3～12g/L，进一步优选为0.5～6g/L。

接着，从具有沿厚度方向Dt延伸的多个细孔13的绝缘膜12的表面12a进行镀覆。此时，能够使用金属层35a作为电镀的电极。在镀覆时使用金属35b，以形成于细孔13的底部32c(参考图21)的表面32d(参考图21)上的金属层35a为起点进行镀覆。由此，如图22所示，在绝缘膜12的细孔13的内部填充构成导体14的金属35b。通过在细孔13的内部填充金属35b而形成具有导电性的导体14。另外，称为将金属层35a和金属35b一起填充的金属35。

将在绝缘膜12的细孔13中填充金属35b的工序称为金属填充工序。如上所述，导体14并不限定于由金属构成，能够使用导电性物质。在金属填充工序中，可以使用电镀，对金属填充工序将在后面进行详细说明。另外，绝缘膜12的表面12a相当于绝缘膜12的一个面。

如图23所示，在金属填充工序之后，将绝缘膜12的没有设置铝基板30的一侧的表面12a沿厚度方向Dt去除一部分，以使在金属填充工序中所填充的金属35比绝缘膜12的表面12a更突出。即，使导体14比绝缘膜12的表面12a更突出。由此，可以获得突出部14a。将使导体14比绝缘膜12的表面12a更突出的工序称为表面金属突出工序。

在表面金属突出工序之后，如图24所示，去除铝基板30。将去除铝基板30的工序称为基板去除工序。

接着，如图25所示，在基板去除工序之后，将绝缘膜12的设置有铝基板30的一侧的表面即背面12b沿厚度方向Dt去除一部分，以使在金属填充工序中所填充的金属35即导体14比绝缘膜12的背面12b更突出。由此，可以获得突出部14b。如此，可以获得各向异性导电层16。

上述表面金属突出工序及背面金属突出工序可以为具有这两个工序的方式，但是也可以为具有表面金属突出工序及背面金属突出工序中的一个工序的方式。表面金属突出工序及背面金属突出工序对应于“突出工序”，表面金属突出工序及背面金属突出工序均为突出工序。

如图25所示，导体14分别从绝缘膜12的表面12a及背面12b突出，并且具有突出部14a和突出部14b。

另外，在各向异性导电层16中，在不使导体14从绝缘膜12的背面12b突出的结构的情况下，图24所示的状态为各向异性导电层16。

在上述阻挡层去除工序中，通过使用包含氢过电压高于铝的金属M1的离子的碱性水溶液来去除阻挡层，不仅去除阻挡层31，而且在细孔13的底部露出的铝基板30上形成比铝更难产生氢气的金属M1的金属层35a。其结果，金属填充的面内均匀性变得良好。认为这是因为，抑制由镀液引起的氢气的产生，从而容易进行通过电镀进行的金属填充。

并且，在阻挡层去除工序中，设置保持工序，该保持工序以从小于阳极氧化处理工序中的电压的30％的范围中选择的电压(保持电压)的95％以上且105％以下的电压保持合计5分钟以上，并且发现通过组合适用包含金属M1的离子的碱性水溶液，大幅度改善镀覆处理时的金属填充的均匀性。因此，优选具有保持工序。

详细的机制虽尚不明确，但是认为这是因为，在阻挡层去除工序中，通过使用包含金属M1的离子的碱性水溶液而在阻挡层下方形成金属M1的层，由此能够抑制铝基板与阳极氧化膜的界面受到损伤，从而提高阻挡层的溶解的均匀性。

另外，在阻挡层去除工序中，在细孔13的底部形成了由金属(金属M1)形成的金属层35a，但是并不限定于此，仅去除阻挡层31而使铝基板30在细孔13的底部露出。在使铝基板30露出的状态下，可以将铝基板30用作电镀的电极。

〔阳极氧化膜〕

如上所述，从形成具有所期望的平均直径的细孔且容易形成导体等理由考虑，阳极氧化膜例如可以使用铝的阳极氧化膜。然而，并不限定于铝的阳极氧化膜，能够使用阀金属的阳极氧化膜。因此，金属基板可以使用阀金属。

其中，作为阀金属，具体而言，例如可以举出上述铝，除此以外，可以举出钽、铌、钛、铪、锆、锌、钨、铋、锑等。在这些之中，从尺寸稳定性良好且比较廉价的观点考虑，优选为铝的阳极氧化膜。因此，优选使用铝基板来制造结构体。

阳极氧化膜的厚度与上述绝缘膜12的厚度ht相同。

〔金属基板〕

金属基板用于结构体的制造中，并且为用于形成阳极氧化膜的基板。例如，如上所述，金属基板可以使用能够形成阳极氧化膜的金属基板，并且能够使用由上述阀金属构成的基板。例如，如上所述，从容易形成阳极氧化膜作为阳极氧化膜等理由考虑，金属基板可以使用铝基板。

〔铝基板〕

用于形成绝缘膜12的铝基板并无特别限定，作为其具体例，可以举出纯铝板；以铝为主成分且包含微量的杂元素的合金板；在低纯度的铝(例如再利用材料)上蒸镀了高纯度铝的基板；通过蒸镀、溅射等方法在硅晶片、石英、玻璃等的表面上包覆了高纯度铝的基板；将铝层压而获得的树脂基板；等。

在铝基板中，通过阳极氧化处理而形成阳极氧化膜的单侧的表面的铝纯度优选为99.5质量％以上，更优选为99.9质量％以上，进一步优选为99.99质量％以上。若铝纯度在上述范围内，则微孔排列的规则性变得充分。

关于铝基板，只要能够形成阳极氧化膜，则并无特别限定，例如可以使用JIS(Japanese Industrial Standards)1050材。

优选对在铝基板中进行阳极氧化处理的单侧的表面预先实施热处理、脱脂处理及镜面精加工处理。

其中，关于热处理、脱脂处理及镜面精加工处理，能够实施与日本特开2008-270158号公报的[0044]～[0054]段中所记载的各处理相同的处理。

阳极氧化处理之前的镜面精加工处理例如为电解抛光，电解抛光例如可以使用含有磷酸的电解抛光液。

〔阳极氧化处理工序〕

阳极氧化处理能够使用以往公知的方法，但是从提高微孔排列的规则性且担保结构体的各向异性导电性的观点考虑，优选使用自有序化法或恒压处理。

其中，关于阳极氧化处理的自有序化法及恒压处理，能够实施与日本特开2008-270158号公报的[0056]～[0108]段及[图3]中所记载的各处理相同的处理。

〔保持工序〕

结构体的制造方法可以具有保持工序。保持工序为如下工序：在上述阳极氧化处理工序之后，以从1V以上且小于上述阳极氧化处理工序中的电压的30％的范围中选择的保持电压的95％以上且105％以下的电压保持合计5分钟以上的工序。换言之，保持工序为如下工序：在上述阳极氧化处理工序之后，以从1V以上且小于上述阳极氧化处理工序中的电压的30％的范围中选择的保持电压的95％以上且105％以下的电压实施合计5分钟以上的电解处理的工序。

其中，“阳极氧化处理中的电压”为在铝与对电极之间施加的电压，例如若基于阳极氧化处理的电解时间为30分钟，则是指保持在30分钟之间的电压的平均值。

从相对于阳极氧化膜的侧壁厚度即细孔的深度将阻挡层的厚度控制为适当的厚度的观点考虑，保持工序中的电压优选为阳极氧化处理中的电压的5％以上且25％以下，更优选为5％以上且20％以下。

并且，从更加提高面内均匀性的理由考虑，保持工序中的保持时间的合计优选为5分钟以上且20分钟以下，更优选为5分钟以上且15分钟以下，进一步优选为5分钟以上且10分钟以下。

并且，保持工序中的保持时间只要为合计5分钟以上即可，但是优选为连续5分钟以上。

而且，保持工序中的电压可以设定为从阳极氧化处理工序中的电压连续地或阶段性地降低至保持工序中的电压，但是从进一步提高面内均匀性的理由考虑，优选在阳极氧化处理工序结束之后的1秒以内设定为上述保持电压的95％以上且105％以下的电压。

例如，通过在上述阳极氧化处理工序结束时降低电解电位，上述保持工序也能够与上述阳极氧化处理工序连续进行。

对于除了电解电位以外的条件，上述保持工序能够采用与上述以往公知的阳极氧化处理相同的电解液及处理条件。

尤其，在连续实施保持工序和阳极氧化处理工序的情况下，优选使用相同的电解液进行处理。

在具有多个微孔的阳极氧化膜中，如上所述，在微孔的底部存在阻挡层(未图示)。具有去除该阻挡层的阻挡层去除工序。

〔阻挡层去除工序〕

阻挡层去除工序例如为使用包含氢过电压高于铝的金属M1的离子的碱性水溶液来去除阳极氧化膜的阻挡层的工序。

通过上述阻挡层去除工序去除阻挡层，并且在微孔的底部形成由金属M1形成的导电体层。

其中，氢过电压(hydrogen overvoltage)是指产生氢时所需的电压，例如铝(Al)的氢过电压为-1.66V(日本化学会志，1982、(8)，p1305-1313)。另外，将高于铝的氢过电压的金属M1的例及其氢过电压的值示于以下。

<金属M1及氢(1N H₂SO₄)过电压>

·铂(Pt)：0.0cV

·金(Au)：0.02V

·银(Ag)：0.08V

·镍(Ni)：0.21V

·铜(Cu)：0.23V

·锡(Sn)：0.53V

·锌(Zn)：0.70V

细孔13也能够使微孔扩径并去除阻挡层而形成。此时，可以使用扩孔(pore wide)处理进行微孔的扩径。扩孔处理为通过使阳极氧化膜浸渍于酸性水溶液或碱性水溶液中以使阳极氧化膜溶解而扩大微孔的孔径的处理，在扩孔处理中，能够使用硫酸、磷酸、硝酸、盐酸等无机酸或这些混合物的水溶液或氢氧化钠、氢氧化钾及氢氧化锂等水溶液。

另外，在扩孔处理中，也能够去除微孔的底部的阻挡层，通过在扩孔处理中使用氢氧化钠水溶液，使微孔扩径并去除阻挡层。

〔金属填充工序〕

<在金属填充工序中所使用的金属>

在金属填充工序中，为了形成导体而在上述细孔13的内部作为导电体填充的金属及构成金属层的金属优选为电阻率为10³Ω·cm以下的材料。作为上述金属的具体例，可以优选地例示出金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镍(Ni)及锌(Zn)。

另外，作为导电体，从导电性及基于电镀法的形成的观点考虑，优选为铜(Cu)、金(Au)、铝(A1)、镍(Ni)，更优选为铜(Cu)、金(Au)，进一步优选为铜(Cu)。

<电镀法>

作为在细孔的内部填充金属的电镀法，例如能够使用电镀法或无电镀法。

其中，在着色等中所使用的以往公知的电镀法中，难以在孔中以高纵横比选择性地析出(生长)金属。认为这是因为，析出金属在孔内被消耗，即使进行一定时间以上的电解，镀覆也不会生长。

因此，在通过电镀法填充金属的情况下，在脉冲电解或恒电位电解时需要设置停止时间。停止时间需要为10秒以上，优选为30～60秒。

并且，为了促进电解液的搅拌，施加超声波也较为优选。

而且，电解电压通常为20V以下，优选为10V以下，但是优选预先测定所使用的电解液中的目标金属的析出电位，在该电位+1V以内进行恒电位电解。另外，在进行恒电位电解时，优选能够同时使用循环伏安法，能够使用Solart ron公司、BAS Co.，Ltd.、HOKUTODENKO CORPORATION、IVIUM公司等的恒电位装置。

(镀液)

镀液能够使用以往公知的镀液。

具体而言，在使铜析出的情况下，通常使用硫酸铜水溶液，但是硫酸铜的浓度优选为1～300g/L，更优选为100～200g/L。并且，若在电解液中添加盐酸，则能够促进析出。此时，盐酸浓度优选为10～20g/L。

并且，在使金析出的情况下，优选使用四氯化金的硫酸溶液，通过交流电解进行镀覆。

镀液优选包含表面活性剂。

作为表面活性剂，能够使用公知的表面活性剂。也能够直接使用以往作为添加到镀液中的表面活性剂已知的月桂基硫酸钠。亲水性部分能够利用离子性(阳离子性/阴离子性/双性)物质、非离子性(非离子性)物质中的任一种，但是在避免在镀覆对象物表面产生气泡等观点而言，优选为阳离子线活性剂。镀液组成中的表面活性剂的浓度优选为1质量％以下。

另外，在无电镀法中，在由纵横比高的细孔形成的孔中完全填充金属时需要长时间，因此优选使用电镀法在细孔中填充金属。

〔基板去除工序〕

基板去除工序为在金属填充工序之后去除上述铝基板的工序。去除铝基板的方法并无特别限定，例如可以优选地举出通过溶解去除的方法等。

<铝基板的溶解>

上述铝基板的溶解优选使用难以溶解阳极氧化膜且容易溶解铝的处理液。

这种处理液对铝的溶解速度优选为1μm/分钟以上，更优选为3μm/分钟以上，进一步优选为5μm/分钟以上。同样地，对阳极氧化膜的溶解速度优选成为0.1nm/分钟以下，更优选成为0.05nm/分钟以下，进一步优选成为0.01nm/分钟以下。

具体而言，优选为包含至少1种离子化倾向低于铝的金属化合物且pH(氢离子指数)成为4以下或8以上的处理液，该pH更优选为3以下或9以上，进一步优选为2以下或10以上。

作为溶解铝的处理液，优选为以酸性水溶液或碱性水溶液为基质且例如调配锰、锌、铬、铁、镉、钴、镍、锡、铅、锑、铋、铜、汞、银、钯、铂、金的化合物(例如，氯化铂酸)、这些氟化物、这些氯化物等的处理液。

其中，优选为酸性水溶液基质，并且优选为混合氯化物。

尤其，从处理宽容度的观点考虑，优选为在盐酸性水溶液中混合有氯化汞的处理液(盐酸/氯化汞)、在盐酸性水溶液中混合有氯化铜的处理液(盐酸/氯化铜)。

另外，溶解铝的处理液的组成并无特别限定，例如能够使用溴/甲醇混合物、溴/乙醇混合物及王水等。

并且，溶解铝的处理液的酸或碱浓度优选为0.01～10mol/L，更优选为0.05～5mol/L。

而且，使用了溶解铝的处理液的处理温度优选为-10℃～80℃，更优选为0℃～60℃。

并且，关于上述铝基板的溶解，通过使上述镀覆工序后的铝基板与上述处理液接触来进行。接触方法并无特别限定，例如可以举出浸渍法、喷涂法。其中，优选为浸渍法。作为此时的接触时间，优选为10秒～5小时，更优选为1分钟～3小时。

另外，在绝缘膜12上例如可以设置支撑体。支撑体优选为与绝缘膜12相同的外形。通过安装支撑体来提高处理性。

〔突出工序〕

为了去除上述绝缘膜12的一部分，例如可以使用溶解绝缘膜12即氧化铝(Al₂O₃)而不溶解构成导体14的金属的酸性水溶液或碱性水溶液。通过使上述酸性水溶液或碱性水溶液与具有填充有金属的细孔13的绝缘膜12接触，去除绝缘膜12的一部分。使上述酸性水溶液或碱性水溶液与绝缘膜12接触的方法并无特别限定，例如可以举出浸渍法及喷涂法。其中，优选为浸渍法。

在使用酸性水溶液的情况下，优选使用硫酸、磷酸、硝酸及盐酸等无机酸或这些混合物的水溶液。其中，在安全性优异的观点而言，优选不含有铬酸的水溶液。酸性水溶液的浓度优选为1～10质量％。酸性水溶液的温度优选为25～60℃。

并且，在使用碱性水溶液的情况下，优选使用选自包括氢氧化钠、氢氧化钾及氢氧化锂的组中的至少一个碱的水溶液。碱性水溶液的浓度优选为0.1～5质量％。碱性水溶液的温度优选为20～35℃。

具体而言，例如可以优选地使用50g/L、40℃的磷酸性水溶液、0.5g/L、30℃的氢氧化钠水溶液或0.5g/L、30℃的氢氧化钾水溶液。

在酸性水溶液或碱性水溶液中的浸渍时间优选为8～120分钟，更优选为10～90分钟，进一步优选为15～60分钟。在此，在反覆进行短时间的浸渍处理的情况下，浸渍时间是指各浸渍时间的合计。另外，在各浸渍处理之间可以实施清洗处理。

并且，为使金属35即导体14比绝缘膜12的表面12a或背面12b更突出的程度，但是优选使导体14比绝缘膜12的表面12a或背面12b更突出10nm～1000nm，更优选突出50nm～500nm。即，导体14的突出部14a从表面12a的突出量、导体14的突出部14b从背面12b的突出量分别优选为10nm～1000nm，更优选为50nm～500nm。

导体14的突出部14a、14b的高度与突出部14a的平均突出长度ha及突出部14b的平均突出长度hb相同。

在严格控制导体14的突出部的高度的情况下，优选在细孔13的内部填充金属等导电性物质之后，将绝缘膜12与金属等导电性物质的端部加工成同一平面状之后，选择性地去除阳极氧化膜。

并且，在上述金属的填充后或突出工序之后，为了减少随着金属的填充而产生的导体14内的变形，能够实施加热处理。

从抑制金属的氧化的观点考虑，加热处理优选在还元性环境中实施，具体而言，优选在氧浓度为20Pa以下的环境中进行，更优选在真空下进行。其中，真空是指气体密度及气压中的至少一个低于大气的空间的状态。

并且，为了矫正，优选一边对绝缘膜12施加应力一边进行加热处理。

[结构体的一例]

结构体中多个电子器件与各向异性导电性部件电连接。多个电子器件具有多个与各向异性导电性部件电连接的电极，并且多个电子器件为各自的电极的高度、宽度及电极间距离中的至少1个不同的结构。

关于电子器件的电极的高度、宽度及电极间距离，通过电子器件的规格或实际测量来确定。在实际测量的情况下，例如使用激光显微镜或立体显微镜放大电极来测定电极的高度、宽度及电极间距离。

多个电子器件的各自的功能及半导体种类中的至少一者可以不同。并且，多个电子器件的各自的厚度可以不同。

所谓电子器件的功能，通过电子器件的动作来区分，作为功能，例如可以举出CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、GPU(Graphics Proces sing Unit：图形处理器)等的运算、存储器等的存储，转换器等的转换、滤波器及传感等。并且，在这些功能汇总在1个芯片或单元中的情况下，以汇总的状态确定功能。在所确定的功能不同的情况下，为不同的电子器件。

半导体种类是指构成半导体的组成，并且为碳化硅(SiC)、氮化镓(Ga N)、氧化镓、金刚石、硅(Si)及砷化镓(GaAs)等。

多个电子器件的厚度为从电子器件的电极中与外部接触的端面至与电子器件的电极相反的一侧的端面为止的长度。例如，在后述图27的半导体存储器52中为从电极52a的端面52c至与电极52a相反的一侧的端面52d为止的长度。在传感器53中为从电极53a的端面53c至与电极53a相反的一侧的端面53d为止的长度。传感器53为厚于半导体存储器52的结构。

图26是表示本发明的实施方式的结构体的第1例的示意图，图27是表示本发明的实施方式的结构体的第2例的示意图。

例如，如图26所示，结构体40通过各向异性导电性部件10将多个半导体存储器42沿层叠方向Ds层叠而电连接。并且，CPU44与和半导体存储器42不同的各向异性导电性部件10的一个面电连接。在与CPU44电连接的各向异性导电性部件10的另一个面上排列并电连接有传感器45和RF(Radio Freque ncy：射频)器件46。

并且，CPU44经由各向异性导电性部件10与配线基板47电连接。半导体存储器42的层叠体也经由各向异性导电性部件10与配线基板47电连接。如此，在结构体40中，多个电子器件与各向异性导电性部件电连接。半导体存储器42、CPU44、传感器45及RF器件46电连接，例如，结构体40作为通信模块而发挥作用。

如上所述，结构体40的多个电子器件的电极的高度、电极的宽度及电极间距离中的至少1个不同。例如，传感器45的电极45a的电极宽度宽于RF器件46的电极46a。CPU44具有电极44a和电极44b，电极44a的电极宽度宽于电极44b。

并且，如图27所示，结构体50在各向异性导电性部件10的表面11a上排列并电连接有半导体存储器52和传感器53。在半导体存储器52的电极52a、52b的周围填充有树脂层59，在传感器53的电极53a的周围填充有树脂层59。CPU54与各向异性导电性部件10的背面11b电连接。在CPU54的电极54a、54b、54c的周围填充有树脂层59。树脂层59由有机层20构成。如图27所示，结构体50将半导体存储器52及传感器53与CPU54沿层叠方向Ds层叠。

半导体存储器52具有电极52a和电极52b，电极52a的电极宽度窄于电极52b。传感器53的电极53a的电极宽度宽于半导体存储器52的电极52a、52b中的任一个，并且电极高度也高。如上所述，传感器53为厚于半导体存储器52的结构。

CPU54具有电极54a、电极54b及电极54c。电极54a、电极54b及电极54c的电极高度相同，但是电极54a的电极宽度窄于电极54b及电极54c，电极54c的电极宽度最宽。

另外，在图26所示的结构体40及图27所示的结构体50中，并不限定于各向异性导电性部件10，也能够使用其他各向异性导电性部件10a～10f。

[结构体的制造方法的一例]

图28是表示本发明的实施方式的结构体的制造方法的一例的示意图。

在结构体的制造方法中，如图28所示，准备各向异性导电性部件10。有机层20具有厚度不同的部分20b，并且具有凹部20c和凸部20d。各向异性导电性部件10在表面20a露出的状态下与电子器件接合。

在将第1电子器件56和第2电子器件57接合到各向异性导电性部件10的表面11a上的情况下，第2电子器件57的电极57a的高度高于第1电子器件56。因此，将第1电子器件56与有机层20的凹部20c对置而载置，并将第2电子器件57与凸部20d对置而载置。

将第3电子器件58接合到各向异性导电性部件10的背面11b上，但是由于第3电子器件58的电极58a、电极58b及电极54c的电极高度相同，因此各向异性导电性部件10的背面11b侧的有机层20的厚度均匀。

将第3电子器件58与各向异性导电性部件10的背面11b侧的有机层20对置而载置。

接着，进行多个电子器件的接合。关于接合，首先，如上所述，将第1电子器件56载置于各向异性导电性部件10的表面11a侧的有机层20的凹部20c上，并将第2电子器件57载置于凸部20d上。

并且，将第3电子器件58载置于各向异性导电性部件10的背面11b侧的有机层20上。

接着，对第1电子器件56、第2电子器件57及第3电子器件58例如施加预先设定的压力，加热至预先设定的温度，并保持预先设定的时间，从而临时接合第1电子器件56、第2电子器件57及第3电子器件58。

接着，在将所有电子器件(例如，第1电子器件56、第2电子器件57及第3电子器件58)临时接合到各向异性导电性部件10上的状态下，对各电子器件施加预先设定的压力，加热至预先设定的温度，并保持预先设定的时间，从而将多个电子器件全部集中接合到各向异性导电性部件10上。该接合称为正式接合。由此，第1电子器件56、第2电子器件57及第3电子器件58的各电极与各向异性导电性部件10的导体14(参考图1)电连接，从而获得结构体。此时，在第1电子器件56、第2电子器件57及第3电子器件58的各电极的周围填充有机层20，成为图27所示的树脂层59。

第1电子器件56、第2电子器件57及第3电子器件58的各自的功能及半导体种类中的至少一者可以不同。并且，第1电子器件56、第2电子器件57及第3电子器件58的各自的厚度可以不同。

在接合多个电子器件的情况下，从操作的观点考虑，优选从小的电子器件进行接合。在电子器件的大小相同的情况下，优选从厚度薄的电子器件进行接合。

另外，在临时接合时，若临时接合强度弱，则在输送工序等及接合之前的工序中产生偏移，因此临时接合强度变得重要。

并且，临时接合工序中的温度条件及加压条件并无特别限定，可以例示出后述温度条件及加压条件。

正式接合中的温度条件及加压条件并无特别限定。通过在适当的条件下进行正式接合，有机层在电子器件的电极之间流动而难以残存于接合部中。如上所述，在正式接合中，通过集中进行多个电子器件的接合，能够减少节拍时间，从而能够提高生产率。

另外，在结构体的制造方法中，并不限定于各向异性导电性部件10，也能够使用其他各向异性导电性部件10a～10f。

〔电子器件〕

电子器件为半导体器件等，但是并不限定于半导体器件个体，也包含多个半导体器件聚集而发挥特定功能的器件，还包含仅传递电信号的器件。

并且，电子器件可以为具有元件区域的结构。元件区域为形成有用于作为电子元件而发挥作用的各种元件构成电路等的区域。元件区域例如为形成有如闪存等的存储器电路、如微处理器及FPGA(field-programmable gate array：现场可编程门阵)等的逻辑电路的区域、形成有无线标签等通信模块以及配线的区域。除此以外，在元件区域上还可以形成有MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)。作为MEMS，例如可以举出传感器、致动器及天线等。作为传感器，例如包括加速度、声音及光等各种传感器。

如上所述，在元件区域上形成有元件构成电路等，并且设置电极(未图示)以将半导体芯片与外部电连接。元件区域具有形成有电极的电极区域。另外，元件区域的电极例如为Cu柱。电极区域基本上是指包含所形成的所有电极的区域。然而，若分开设置电极，则设置有各电极的区域也称为电极区域。

结构体的方式并无特别限定，可以如半导体芯片那样形成为单片，也可以为如半导体晶圆的方式，也可以为配线层的方式。

并且，结构体可以为除了电子器件以外还具有印刷线路板及散热片(heat sink)等的结构。

关于电子器件，除了上述以外，例如可以举出逻辑LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)(例如，ASIC(Application Bpecific Integra ted Circuit：专用集成电路)、FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵)、ASSP(Application Specific Standard Product：专用标准产品)等)、微处理器(例如，CPU、GPU等)、存储器(例如，DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存储器)、HMC(HybridMemory Cube：混合存储立方体)、MRAM(MagneticRAM：磁存储器)和PCM(Phase-ChangeMemory：相变存储器)、ReRAM(Resistive RAM：阻变存储器)、FeRAM(Ferroelectric RAM：铁电存储器)、闪存(NAND(Not AND)快闪)等)、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)、(例如，移动终端的微型闪存、车载用、投影仪光源、LCD背光、普通照明等)、功率/器件、模拟IC(Integrated Circuit：集成电路)、(例如，DC(Direct Current：直流电)-DC(DirectCurrent：直流电)转换器、绝缘闸双极电晶体(IGBT)等)、MEMS(Micro Electro MechanicalSystems：微机电系统)、(例如，加速度传感器、压力传感器、振子、陀螺仪传感器等)、无线(例如，GPS(Global Positioning System：全球定位系统)、FM(Frequency Modulation：调频)、NFC(Nearfieldcommunication：近场通信)、RFEM(RF Expansion Module：射频扩展模块)、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit：单片微波集成电路)、WLAN(WirelessLocalAreaNetwork：无线局域网)等)、离散元件、BSI(Back Side Illumination：背后照明)、CIS(Contact Image Sensor：接触式图像传感器)、相机模块、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)、被动元件、SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)滤波器、RF(Radio Frequency)滤波器、RFIPD(Radio Frequency IntegratedPassive Devices：射频整合式被动元件)、BB(Broadband：宽频)等。

电子器件例如由1个完成，并且由电子器件个体发挥电路或传感器等的特定功能。电子器件并不限定于上述。

〔有机层〕

有机层也能够使用以下所示的组成。以下，对有机层的组成进行说明。例如，有机层含有高分子材料，也可以包含抗氧化材料。

作为构成有机层的树脂材料，具体而言，例如可以举出乙烯系共聚物、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚胺酯树脂、聚烯烃系树脂、丙烯酸系树脂、丙烯腈系树脂及纤维素系树脂等热塑性树脂。作为构成有机层20的树脂材料，也能够使用聚丙烯腈。

<高分子材料>

作为有机层中所包含的高分子材料，并无特别限定，但是从能够效率良好地填补半导体芯片等电子器件的电极与结构体的间隙且更加提高结构体与半导体芯片等电子器件的密合性的理由考虑，优选为热固性树脂。

作为热固性树脂，具体而言，例如可以举出环氧树脂、酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚胺酯树脂、双马来酰亚胺树脂、三聚氰胺树脂、异氰酸酯系树脂等。

其中，从更加提高绝缘可靠性且耐化学性优异的理由考虑，优选使用聚酰亚胺树脂和/或环氧树脂。

<抗氧化材料>

作为有机层中所包含的抗氧化材料，具体而言，例如可以举出1，2，3，4-四唑、5-氨基-1，2，3，4-四唑、5-甲基-1，2，3，4-四唑、1H-四唑-5-乙酸、1H-四唑-5-琥珀酸、1，2，3-三唑、4-氨基-1，2，3-三唑、4，5-二氨基-1，2，3-三唑、4-羧基-1H-1，2，3-三唑、4，5-二羧基-1H-1，2，3-三唑、1H-1，2，3-三唑-4-乙酸、4-羧基-5-羧基甲基-1H-1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑、3，5-二氨基-1，2，4-三唑、3-羧基-1，2，4-三唑、3，5-二羧基-1，2，4-三唑、1，2，4-三唑-3-乙酸、1H-苯并三唑、1H-苯并三唑-5-羧酸、苯并呋咱、2，1，3-苯并噻唑、邻苯二胺、间苯二胺、邻苯二酚、邻氨基苯酚、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噁唑、三聚氰胺及它们的衍生物。

在这些之中，优选苯并三唑及其衍生物。

作为苯并三唑衍生物，可以举出在苯并三唑的苯环上具有羟基、烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基等)、氨基、硝基、烷基(例如，甲基、乙基、丁基等)、卤原子(例如，氟、氯、溴、碘等)等的取代苯并三唑。并且，也可以举出与萘三唑、萘双三唑相同地经取代的取代萘三唑、取代萘双三唑等。

并且，作为有机层中所包含的抗氧化材料的另一例，可以举出作为通常的抗氧化剂的高级脂肪酸、高级脂肪酸铜、酚化合物、烷醇胺、对苯二酚类、铜螯合剂、有机胺、有机铵盐等。

有机层中所包含的抗氧化材料的含量并无特别限定，但是从防蚀效果的观点考虑，相对于有机层的总质量优选为0.0001质量％以上，更优选为0.001质量％以上。并且，从在正式接合步骤中获得适当的电阻的理由考虑，优选为5.0质量％以下，更优选为2.5质量％以下。

<防迁移材料>

从通过捕捉有机层中能够含有的金属离子、卤素离子及来自于半导体芯片及半导体晶圆的金属离子来更加提高绝缘可靠性的理由考虑，有机层优选含有防迁移材料。

作为防迁移材料，例如能够使用离子交换体，具体而言，能够使用阳离子交换体与阴离子交换体的混合物或者仅使用阳离子交换体。

其中，阳离子交换体及阴离子交换体例如能够分别从后述无机离子交换体及有机离子交换体中适当选择。

(无机离子交换体)

作为无机离子交换体，例如可以举出以含氢氧化锆为代表的金属的含氢氧化物。

作为金属的种类，例如除了锆以外，已知有铁、铝、锡、钛、锑、镁、铍、铟、铬、铋等。

在这些之中，锆系物质对阳离子的Cu²⁺、Al³⁺具有交换能力。并且，关于铁系物质，也对Ag⁺、Cu²⁺具有交换能力。同样地，锡系、钛系、锑系物质为阳离子交换体。

另一方面，铋系物质对阴离子的Cl具有交换能力。

并且，锆系物质根据制造条件显示出阴离子的交换能力。关于铝系、锡系物质也相同。

作为除了这些以外的无机离子交换体，已知有以磷酸锆为代表的多价金属的酸性盐、以磷钼酸铵为代表的异种杂多酸盐、不溶性亚铁氰化物等合成物。

这些无机离子交换体的一部分已有市售，例如已知有TOAGOSEI CO.，LTD.的产品名称“IXE”中的各种等级。

另外，除了合成品以外，也能够使用如天然物的沸石或蒙脱石的无机离子交换体的粉末。

(有机离子交换体)

在有机离子交换体中，作为阳离子交换体，可以举出具有磺酸基的交联聚苯乙烯，除此以外，也可以举出具有羧酸基、膦酸基或次膦酸基的交联聚苯乙烯。

并且，作为阴离子交换体，可以举出具有季铵基、季鏻基或叔锍基的交联聚苯乙烯。

这些无机离子交换体及有机离子交换体只要考虑欲捕捉的阳离子、阴离子的种类、对该离子的交换容量而适当选择即可。当然，也能够混合使用无机离子交换体和有机离子交换体，这是毋庸置疑的。

在电子元件的制造工序中包括加热步骤，因此优选为无机离子交换体。

并且，关于离子交换体与上述高分子材料的混合比，例如，从机械强度的观点考虑，优选将离子交换体设为10质量％以下，更优选将离子交换体设为5质量％以下，进一步优选将离子交换体设为2.5质量％以下。并且，从抑制将半导体芯片或半导体晶圆与结构体进行接合时的迁移的观点考虑，优选将离子交换体设为0.01质量％以上。

<无机填充剂>

有机层优选含有无机填充剂。

作为无机填充剂，并无特别限制，能够从公知的无机填充剂中适当选择，例如可以举出高岭土、硫酸钡、钛酸钡、氧化硅粉、微粉状氧化硅、气相法二氧化硅、无定形二氧化硅、结晶二氧化硅、熔融二氧化硅、球状二氧化硅、滑石、粘土、碳酸镁、碳酸钙、氧化铝、氢氧化铝、云母、氮化铝、氧化锆、氧化钇、碳化硅、氮化硅等。

从能够防止无机填充剂进入导体之间而更加提高导通可靠性的理由考虑，无机填充剂的平均粒径优选大于各导体的间隔。

无机填充剂的平均粒径优选为30nm～10μm，更优选为80nm～1μm。

其中，关于平均粒径，将通过激光衍射散射式粒径测定装置(Nikkiso Co.，Ltd.制造的Microtrac MT3300)进行测定的一次粒径设为平均粒径。

<固化剂>

有机层可以含有固化剂。

在含有固化剂的情况下，从抑制与连接对象的半导体芯片或半导体晶圆的表面形状的接合不良的观点考虑，更优选不使用在常温下为固体的固化剂而含有在常温下为液体的固化剂。

其中，“在常温下为固体”是指在25℃下为固体，例如是指融点为高于25℃的温度的物质。

作为固化剂，具体而言，例如可以举出二氨基二苯基甲烷、二氨基二苯基砜那样的芳香族胺、脂肪族胺、4-甲基咪唑等咪唑衍生物、双氰胺、四甲基胍、硫脲加成胺、甲基六氢邻苯二甲酸酐等羧酸酐、羧酸酰肼、羧酸酰胺、多酚化合物、酚醛清漆树脂、聚硫醇等，能够从这些固化剂中适当选择使用在25℃下为液体的物质。另外，固化剂可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。

在有机层中，可以在不损害其特性的范围内含有广泛地通常添加到半导体封装体的树脂绝缘膜中的分散剂、缓冲剂、粘度调整剂等各种添加剂。

作为有机层，除了上述以外，例如还能够使用含有主要组合物的层，该主要组合物包含以下所示的丙烯酸聚合物、丙烯酸单体及马来酰亚胺化合物。

<丙烯酸聚合物>

丙烯酸聚合物为包含来自于(甲基)丙烯酸酯成分的构成单元的聚合物，优选为有机层的粘性不会过强且在半导体的安装工序中损害作业性的忧虑少的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯成分，例如能够使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、丁氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等。

丙烯酸聚合物除了上述(甲基)丙烯酸酯成分以外，还可以包含对应于能够与上述(甲基)丙烯酸酯成分共聚的其他单体成分的构成单元。作为其他单体成分，例如能够使用含羧基单体(例如，(甲基)丙烯酸)、含环氧基单体(例如，(甲基)丙烯酸缩水甘油酯)、含腈基单体(例如，丙烯腈等)。

例如，作为丙烯酸聚合物，能够使用包含对应于丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、甲基丙烯酸缩水甘油酯及丙烯腈的构成单元的丙烯酸聚合物。

关于丙烯酸聚合物，能够通过将上述(甲基)丙烯酸酯成分或其他单体成分进行聚合而获得。关于聚合方法，可以举出溶液聚合、乳化聚合、本体聚合、悬浮聚合等。作为丙烯酸聚合物的聚合反应的种类，例如可以举出自由基聚合、阳离子聚合、阴离子聚合、活性自由基聚合、活性阳离子聚合、活性阴离子聚合、配位聚合等。

丙烯酸聚合物的重均分子量(Mw)并无特别限制，但是例如能够设成包含在100000以上且1200000以下的范围内，也能够设成包含在500000以上且1000000以下的范围内。

若将有机层中的丙烯酸聚合物、丙烯酸单体及马来酰亚胺化合物称为主要组合物，则丙烯酸聚合物在100质量份的主要组合物中包含在10质量份以上且60质量份以下的范围内，优选为包含在10质量份以上且45质量份以下的范围内，进一步优选为包含在15质量份以上且40质量份以下的范围内。若丙烯酸聚合物的含量小于10质量份，则存在难以排除空隙的倾向。并且，若丙烯酸聚合物的含量超过60质量份，则存在难以实现低压安装的倾向，从而存在连接性也变差的倾向。

关于丙烯酸聚合物，可以在主要组合物中单独含有1种类的丙烯酸聚合物，也可以同时含有2种类以上的丙烯酸聚合物。在同时使用2种类以上的丙烯酸聚合物的情况下，有机层中的丙烯酸聚合物的含量的合计优选在上述范围内。

<丙烯酸单体>

作为丙烯酸单体，能够使用单官能的(甲基)丙烯酸酯、2官能以上的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸单体，例如可以举出异三聚氰酸EO改性二丙烯酸酯(TOAGOSEI CO.，LTD.制)、异三聚氰酸EO改性三丙烯酸酯(TOAGOSEI CO.，LTD.制)、二新戊四醇及四丙烯酸酯(TOAGOSEI CO.，LTD.制)、丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯(TOAGOSEI CO.，LTD.制)、9，9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴(SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO，LTD.制)、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO，LTD.制)、乙氧化双酚A丙烯酸酯(SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO，LTD.制)、芴系丙烯酸酯(例如，产品名称：Ogsol EA0200、EA0300、Osaka Gas Chemicals Co.，Ltd.制)等。在这些丙烯酸单体中，若考虑耐热性等，则优选为高耐热性的芴系丙烯酸酯。

有机层中的丙烯酸单体能够设成如下：在100质量份的主要组合物中包含在10质量份以上且60质量份以下的范围内，优选为包含在10质量份以上且55质量份以下的范围内，更优选为包含在10质量份以上且50质量份以下的范围内。若丙烯酸单体的含量小于10质量份，则存在连接性变差的倾向。并且，若丙烯酸单体的含量超过60质量份，则存在难以排除空隙的倾向。

关于丙烯酸单体，可以单独含有1种类的丙烯酸单体，也可以同时含有2种类以上的丙烯酸单体。在同时使用2种类以上的丙烯酸单体的情况下，有机层中的丙烯酸单体的含量的合计优选在上述范围内。

<马来酰亚胺化合物>

作为马来酰亚胺化合物，例如能够使用在1分子中具有2个以上的马来酰亚胺基的化合物，优选为双马来酰亚胺。作为马来酰亚胺化合物，例如可以举出4-甲基-1，3-亚苯基双马来酰亚胺、4，4-双马来酰亚胺二苯基甲烷、间亚苯基双马来酰亚胺、双酚A二苯基醚双马来酰亚胺、3，3’-二甲基-5，5’-二乙基-4，4’-二苯基甲烷双马来酰亚胺等。在这些之中，优选为芳香族双马来酰亚胺，尤其，若考虑有机层的制造工序中的作业性，则优选为溶剂溶解性或流动性良好的3，3’-二甲基-5，5’-二乙基-4，4’-二苯基甲烷双马来酰亚胺。

有机层中的马来酰亚胺化合物在100质量份的主要组合物中包含在20质量份以上且70质量份以下的范围内，优选为包含在20质量份以上且60质量份以下的范围内，更优选为包含在20质量份以上且55质量份以下的范围内。若马来酰亚胺化合物的含量小于20质量份，则存在难以实现低压安装的倾向，从而存在连接性也变差的倾向。并且，若马来酰亚胺化合物的含量超过70质量份，则存在难以低压安装及无空隙安装的倾向。

有机层中所使用的组合物根据目的还可以含有除了构成上述主要组合物的成分以外的其他成分。作为其他成分，例如可以举出酚化合物、填料等。

<酚化合物>

酚化合物能够用作上述马来酰亚胺化合物用的固化剂，但是即使不含有酚，也能够开始热固化反应。作为酚化合物，例如能够使用烯丙基化双酚，具体而言，能够使用2，2’-二烯丙基双酚A(产品名称：DABPA)、4，4’-(二甲基亚甲基)双[2-(2-丙烯基)苯酚]、4，4’-亚甲基双[2-(2-丙烯基)苯酚]、4，4’-(二甲基亚甲基)双[2-(2-丙烯基)-6-甲基苯酚]等。在这些之中，优选为2，2’-二烯丙基双酚A。

含有酚化合物时的酚化合物的含量例如相对于丙烯酸聚合物、丙烯酸单体、马来酰亚胺化合物及酚化合物的合计100质量份能够设为15质量份以下。关于酚化合物，可以单独含有1种类的酚化合物，也可以同时含有2种类以上的酚化合物。在同时使用2种类以上的酚化合物的情况下，有机层中的酚化合物的含量的合计优选在上述范围内。

<填料>

作为填料，能够使用无机填充剂、有机填充剂、导电性粒子等。尤其，从降低线膨胀系数或提高可靠性的观点考虑，优选使用无机填充剂(例如，二氧化硅填料)。

在使用填料的情况下，填料的含量例如相对于丙烯酸聚合物、丙烯酸单体、马来酰亚胺化合物及填料的合计100质量份能够设为30质量份以下。关于填料，可以单独含有1种类的填料，也可以同时含有2种类以上的填料。在同时使用2种类以上的填料的情况下，有机层中的填料的含量的合计优选在上述范围内。

本发明基本上如上述构成。以上，对本发明的各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法进行了详细说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种改良或变更，这是不言而喻的。

实施例

以下，举出实施例对本发明的特征进行进一步具体的说明。关于以下实施例所示的材料、试剂、物质量和其比例及操作等，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够适当变更。因此，本发明的范围并不限定于以下实施例。

在本实施例中，制作了实施例1～实施例11的结构体及比较例1的结构体。对实施例1～实施例11的结构体及比较例1的结构体的导通可靠性进行了评价。将导通可靠性的评价结果示于下述表2中。首先，对导通可靠性的评价进行说明。

(导通可靠性的评价)

<用于导通可靠性的评价的电子器件>

对用于导通可靠性的评价的电子器件进行说明。

通过溅射法，将铜膜以成为各自的电极厚度的方式形成于在所有表面上设置了热氧化膜层(SiO₂)的硅晶圆表面上。之后，将光阻剂(AZ P4903：Merck公司制)以10μm厚度涂布于铜膜的表面上，从而形成了光阻膜。使用掩模进行密合曝光之后，对光阻膜实施显影，从而形成了铜膜的蚀刻掩模图案。之后，使用硝酸蚀刻去除铜膜而形成铜图案，并将其进行清洗而使用。另外，作为显影液，使用了Merck公司制AZ400K。

在导通可靠性的评价中，作为电子器件，使用了下侧芯片和上侧芯片。作为上侧芯片，使用了3种类的第1测试芯片、第2测试芯片及第3测试芯片。

下侧芯片为图29所示的结构，在表面60a上形成有第1电极部61、第2电极部62及第3电极部63。

第1电极部61具有线状延伸的配线61c平行配置的配线组61a，在配线组61a的两侧，电极61b彼此分开而沿配线61c的排列方向设置有2列。在配线组61a的配线61c上沿排列方向每隔一个设置有端子61d。电极61b的电极尺寸为10μm见方，电极高度为500nm。

第2电极部62具有线状延伸的配线62c平行配置的配线组62a，在配线组62a的两侧，电极62b彼此分开而沿配线62c的排列方向设置有2列。在配线组62a的配线62c上沿排列方向每隔一个设置有端子62d。电极62b的电极尺寸为20μm见方，电极高度为500nm。

第3电极部63具有线状延伸的配线63c平行配置的配线组63a，在配线组63a的两侧，电极63b彼此分开而沿配线63c的排列方向设置有1列。配线组63a的配线63c的延伸方向的端部兼作端子。电极63b的电极尺寸为80μm见方，电极高度为500nm。

第1测试芯片64经由各结构体70(参考图33)与第1电极部61的第1连接区域60b连接。第2测试芯片65经由各结构体70(参考图33)与第2电极部62的第2连接区域60c连接。第3测试芯片66经由各结构体70(参考图33)与第3电极部63的第3连接区域60d连接。

在上侧芯片中，图30所示的第1测试芯片64具有对应于配线组61a的配线部64b，在配线部64b的排列方向的两侧具有对应于电极61b的电极64c。电极64c的电极尺寸为10μm见方，电极高度为300nm。

图31所示的第2测试芯片65具有对应于配线组62a的配线部65b，在配线部65b的排列方向的两侧具有对应于电极62b的电极65c。电极65c的电极尺寸为20μm见方，电极高度为500nm。

图32所示的第3测试芯片66具有对应于配线组63a的配线部66b，在配线部66b的排列方向的两侧具有对应于电极63b的电极66c。电极66c的电极尺寸为80μm见方，电极高度为1000nm(1μm)。

如图33所示，在下侧芯片60的表面60a上配置有各结构体70。下侧芯片60配置于后述各向异性导电层的阳极氧化膜的另一个面的基极层上。

接着，将第1测试芯片64载置于在各结构体70中相当于下侧芯片60的第1电极部61的第1连接区域60b的位置上，将第2测试芯片65载置于在各结构体70中相当于第2电极部62的第2连接区域60c的位置上，将第3测试芯片66载置于在各结构体70中相当于第3电极部63的第3连接区域60d的位置上。另外，电极高度为1000nm(1μm)的第3测试芯片66载置于有机层厚的部位上，电极高度为300nm的第1测试芯片64及电极高度为500nm的第2测试芯片65载置于有机层薄的部位上。

接着，使用倒装芯片接合器进行对准调整，将下侧芯片60与第1测试芯片64、第2测试芯片65及第3测试芯片66临时粘接，之后，使用晶圆键合机进行了正式接合。

在正式接合时，为了使压力恒定，在临时接合的下侧芯片60与结构体70与第1测试芯片64、第2测试芯片65及第3测试芯片66的层叠体的上表面上重叠碳薄片，进一步在其上重叠了与下侧芯片60相同尺寸的硅芯片的状态下进行了加压。

在接合时，在腔室内部设置层叠体之后，在加压5N左右以使上下芯片没有偏差的状态下抽真空，之后，分数次将腔室内置换成包含5％氢气的氮气，在加温至温度150℃的状态下保持30分钟之后，在升温至温度220℃并进行加压以使每个电极的压力成为50MPa的状态下保持了30分钟。之后，除去负载，在真空环境下自然冷却之后，将接合后的层叠体取出到大气中。通过正式接合，如图33所示，下侧芯片60与第1测试芯片64、第2测试芯片65及第3测试芯片66产生经由结构体70的接合部68。

如上所述，电极高度为1000nm(1μm)的第3测试芯片66载置于有机层厚的部位上，电极高度为300nm的第1测试芯片64及电极高度为500nm的第2测试芯片65载置于有机层薄的部位上，但是在有机层的厚度均匀的情况下，均载置于相同厚度的部位上。

<导通可靠性的评价方法>

接合后的层叠体的各自的配线组为2个接头量的菊花链。使探针分别接触在下侧芯片60中露出的端子61d、62d、配线63c的端部来测定电阻值R，并以以下的评价基准判断了导通性。

评价基准

A R≤1Ω

B 1Ω＜R＜10Ω

C 10Ω≤R＜1k Ω

D 1kΩ≤R

以下，对实施例1～实施例11及比较例1进行说明。

(实施例1)

对实施例1的结构体进行说明。

[结构体]

<<各向异性导电性部件>>

<铝基板的制作>

使用含有Si：0.06质量％、Fe：0.30质量％、Cu：0.005质量％、Mn：0.001质量％、Mg：0.001质量％、Zn：0.001质量％、Ti：0.03质量％且残余部分为Al和不可避免的杂质的铝合金来制备熔融金属(molten metal)，并在进行熔融金属处理及过滤的基础上，通过DC(Direct Chill：直接冷却)铸造法制作出厚度500mm、宽度1200mm的铸锭。

接着，通过面切削机将表面以平均10mm的厚度进行切削之后，在550℃下均热保持约5小时并降至温度400℃时，使用热轧机形成厚度2.7mm的辊轧板。

而且，使用连续退火机在500℃下进行热处理之后，通过冷轧精加工成厚度1.0mm，从而获得了JIS 1050材的铝基板。

将该铝基板形成为宽度1030mm之后，实施了以下所示的各处理。

<电解抛光处理>

使用以下组成的电解抛光液，在电压25V、液体温度65℃、液体流速3.0m/min的条件下对上述铝基板实施了电解抛光处理。

将阴极设为碳电极，并且电源使用了GP0110-30R(TAKASAGO LTD.制)。并且，关于电解液的流速，使用旋涡式流量监控器FLM22-10PCW(AS ONE Corp oration.制)进行了测量。

(电解抛光液组成)

·85质量％磷酸(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制试剂)660mL

·纯水 160mL

·硫酸 150mL

·乙二醇30mL

<阳极氧化处理工序>

接着，按照日本特开2007-204802号公报中所记载的工序，对电解抛光处理后的铝基板实施了基于自有序化法的阳极氧化处理。

用0.50mol/L草酸的电解液，在电压40V、液体温度16℃、液体流速3.0m/min的条件下对电解抛光处理后的铝基板实施了5小时的预阳极氧化处理。

之后，实施了将预阳极氧化处理后的铝基板在0.2mol/L铬酸酐、0.6mol/L磷酸的混合水溶液(液体温度：50℃)中浸渍12小时的脱膜处理。

之后，用0.3mol/L草酸的电解液，在电压40V、液体温度15℃、液体流速3.0m/min的条件下，实施3小时45分钟的再阳极氧化处理，从而获得了膜厚40μm的阳极氧化膜。

另外，预阳极氧化处理及再阳极氧化处理均将阴极设为不锈钢电极，并且电源使用了GP0110-30R(TAKASAGO LTD.制)。并且，作为冷却装置，使用了NeoCool BD36(YamatoScientific co.，ltd.制)，作为搅拌加温装置，使用了对搅拌器PS-100(TOKYO RIKAKIKAICO，LTD.制)。而且，关于电解液的流速，使用旋涡式流量监控器FLM22-10PCW(AS ONECorporation.制)进行了测量。

<阻挡层去除工序>

接着，在阳极氧化处理工序之后，使用在氢氧化钠水溶液(50g/l)中将氧化锌以成为2000ppm的方式溶解而获得的碱性水溶液，实施在30℃下浸渍150秒钟的蚀刻处理以去除位于阳极氧化膜的微孔(细孔)的底部的阻挡层，并且同时使锌析出到露出的铝基板的表面上。

并且，阻挡层去除工序后的阳极氧化膜的平均厚度为40μm。

<金属填充工序>

接着，将铝基板设为阴极且将铂设为正极，并实施了电镀处理。

具体而言，使用以下所示的组成的镀铜液实施恒电流电解，从而制作了在微孔的内部填充有铜的各向异性导电层。其中，关于恒电流电解，使用YAMAMO TO-MS CO.，LTD.制的镀覆装置，并使用HOKUTO DENKO CORPORATION制的电源(HZ-3000)，在镀液中进行循环伏安法以确认析出电位之后，在以下所示的条件下实施了处理。

(镀铜液组成及条件)

·硫酸铜100g/L

·硫酸50g/L

·盐酸15g/L

·温度25℃

·电流密度10A/dm²

使用扫描电子显微镜观察在微孔中填充金属之后的阳极氧化膜的表面，观察1000个微孔中有无被金属封孔，并计算出封孔率(封孔微孔的个数/1000个)，其结果，为98％。

并且，使用聚焦离子束(FIB)将在微孔中填充金属之后的阳极氧化膜沿厚度方向进行切削加工，使用扫描电子显微镜对其截面拍摄表面照片(倍率50000倍)，并确认微孔的内部，其结果，发现在被封孔的微孔内部完全被金属填充。

<基板去除工序>

接着，通过浸渍于氯化铜/盐酸的混合溶液中以溶解并去除铝基板，从而制作了平均厚度40μm的各向异性导电层。

所制作的各向异性导电层中的导体的平均直径为60nm，与相邻的突出部的间隔为40nm，导体的密度为5770万个/mm²。

<突出工序>

使基板去除工序后的各向异性导电层浸渍于氢氧化钾(KOH)水溶液(浓度：0.01mol/L)中，调整浸渍时间而选择性地溶解铝的阳极氧化膜的表面以使突出部的高度成为300nm，接着，水洗并进行干燥，以使作为导体的铜的圆柱(即，导体)突出。

同样地，对于铝的阳极氧化膜的背面，也使作为导体的铜的圆柱(即，导体)突出，以使导体的突出部14a的平均突出长度ha(参考图1)及突出部14b的平均突出长度hb(参考图1)成为300nm。

关于导体的平均直径，使用扫描电子显微镜从正上方以倍率100～10000倍拍摄阳极氧化膜的表面，从而获得摄影图像。在摄影图像中，抽取至少20个周围连接成环状的导体，测定其直径并设为开口直径，计算出这些开口直径的平均值作为导体的平均直径。另外，导体的平均直径为突出部的平均直径。

导体的突出部14a的平均突出长度ha、hb(参考图1)为如下值：使用聚焦离子束(FIB)将阳极氧化膜沿厚度方向Dt(参考图1)进行切削加工，使用扫描电子显微镜对其截面拍摄表面照片(倍率5万倍)，并作为测定10个点而获得的平均值计算出的值。

<有机层的形成工序>

使用组合物1，通过旋涂法，在各向异性导电层的阳极氧化膜的一个面上形成了膜厚为600nm的基极层。接着，对基极层实施图案蚀刻处理以局部改变了厚度。由此，获得了将凹部20c与凸部20d之差设为100nm的有机层。

关于图案蚀刻处理，使用KrF准分子激光(波长248nm)进行图案曝光，之后，实施了显影处理。如此，在基极层上形成凹部和凸部，从而获得了有机层。

(组合物1)

组合物1具有下述表1所示的组成，并且为日本特开2009-9860号公报中所记载的“实施例1”的组合物。使下述表1所示的组合物1溶解于溶剂中，分别制备固体成分浓度6质量％的溶液，将其用孔尺寸0.1μm的聚乙烯过滤器进行过滤，从而制备了溶液。将其用于上述旋涂法中。

[表1]

〔树脂1〕

对树脂1的合成进行说明。在氮气流下，将丙二醇单甲醚乙酸酯(PGME A)/丙二醇单甲醚(PGME)(2/8：质量比)混合溶剂18.1g加入3口烧瓶中，并将其加热至80℃。在其中经6小时滴加了使甲基丙烯酸4.3g、甲基丙烯酸3-羟基金刚烷基酯35.5g、聚合引发剂V-601(FUIFILM Wako Pure Chemical Corporation制)相对于单体12mol％溶解于PGMEA/PGME(2/8：质量比)混合溶剂163.0g中而获得的溶液。滴加结束之后，进一步在80℃下反应2小时。将反应液自然冷却之后，经20分钟滴加到己烷1400m/乙酸乙酯600ml的混合液中，将所析出的粉体过滤收集并进行干燥，从而获得了树脂1为26.4g。所获得的树脂1的重均分子量以标准聚苯乙烯换算为8900，分散度(Mw/Mn)为1.84。

将具有聚合性基团的化合物(CLR-1)、引发剂(I-4)、溶剂及表面活性剂示于下述中。

[化学式1]

[化学式2]

〔溶剂〕

A1：丙二醇单甲醚乙酸酯

B1：丙二醇单甲醚

〔表面活性剂〕

W-1：MEGAFACE F176(DIC CORPORATION制)(氟系)

构成有机层的组合物1与水的接触角为30°。并且，有机层的斜坡长度为20nm，表示斜坡的倾斜的指标为0.2。

表示斜坡的倾斜的指标为由(斜坡长度)/(第2层的厚度)规定的值。表示斜坡的倾斜的指标表示有机层的倾斜部20e(参考图6)相对于绝缘膜12的表面12a或背面12b的斜度。表示斜坡的倾斜的指标越小，斜度越陡，相对于绝缘膜12的表面12a或背面12b的倾斜部20e(参考图6)的角度越接近90°。

表示斜坡的倾斜的指标如下求出。首先，形成有机层之后，用数字显微镜VHX-7000(Keyence Corporation制)扫描表面，从而获取了横截面图。根据横截面图的台阶形状求出斜坡长度和第2层的厚度。接着，计算(斜坡长度)/(第2层厚度)，从而获得了表示斜坡的倾斜的指标。

另外，关于与水的接触角，以JIS R3257基板玻璃表面的可润湿性试验方法的手法为基础，在有机层的表面上滴加水来进行了测定。作为接触角的测定装置，使用了全自动接触角仪DMo-902(产品名称、Kyowa Ihterface Science Co.，Ltd.制)。

并且，使用与各向异性导电层的阳极氧化膜的一个面相同的物质，通过旋涂法，在各向异性导电层的阳极氧化膜的另一个面上形成了膜厚为600nm的基极层。

如上所述，在通过旋涂法在各向异性导电层的阳极氧化膜的另一个面上形成基极层时，抑制污染，因此将各向异性导电层经由多孔质氟树脂片(聚四氟乙烯制)吸附于工作台上，并实施了旋转涂布。作为多孔质氟树脂片，利用了CHUKOH CHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制的C-Porous(注册商标)。

另外，下述表2的“第2层”的“膜厚”一栏表示凹部20c与凸部20d之差或第2层的膜厚。

(实施例2)

与实施例1相比，在实施例2中，有机层的结构不同，除此以外，与实施例1相同。

关于有机层，使用PAK-02(产品名称、Toyo Gosei Co.，Ltd)，通过旋涂法，在各向异性导电层的阳极氧化膜的一个面上形成了膜厚为1000nm(1μm)的基极层。接着，对基极层实施纳米压印处理以局部改变了厚度。由此，获得了将凹部20c与凸部20d之差设为200nm的有机层。如此，在基极层上形成凹部和凸部，从而获得了有机层。

关于纳米压印处理，将纳米压印用模具重叠于基极层上，在以0.1MPa的压力进行加压的状态下对UV光进行曝光，并进行脱模。作为纳米压印用模具，使用了具有100nm的台阶和200nm的台阶且100nm的台阶及200nm的台阶的各自的台阶部面积为3mm²的玻璃制的模具。

构成有机层的PAK-02(产品名称、Toyo Gosei Co.，Ltd)与水的接触角为40°。并且，有机层的斜坡长度为10nm，表示斜坡的倾斜的指标为0.05。

(实施例3)

与实施例2相比，在实施例3中，进一步使用TuftecH(注册商标)H1043(产品名称、Asahi Kasei Corporation.)，通过旋涂法形成了膜厚为200nm的第2层这一点不同，除此以外，与实施例2相同。

实施例4的有机层为2层结构，第2层TuftecH(注册商标)H1043(产品名称、AsahiKasei Corporation.)与水的接触角为65°。并且，有机层的斜坡长度为1000nm，表示斜坡的倾斜的指标为5。

(实施例4)

与实施例2相比，在实施例4中，进一步通过旋涂法形成了膜厚为1000nm的第2层这一点不同，除此以外，与实施例2相同。

关于第2层，首先，称量丙烯聚合物(06500-100Mw＝1000000)100g、丙烯酸单体(产品名称：Ogsol EA0200、Osaka Gas Chemicals Co.，Ltd.制)150g、马来酰亚胺化合物(产品名称：BMI5100、Daiwa Kasei Industry Co.，Ltd.制)80g、双酚(产品名称：DABPA、DaiwaKasei Industry Co.，Ltd.制)20g及甲基乙基酮100g，并将该组合物在12小时以上且24小时以下的时间范围内进行混合，从而获得了均匀地溶解混合的组合物。使用调整转速以成为规定膜厚的旋转涂布机，将所获得的组合物涂布于第1层上，在80℃的烘箱中连续进行干燥，从而形成了第2层。关于干燥时间，干燥5分钟以使制作膜中的残留溶剂量成为2质量％以下。

实施例4的有机层为2层结构，第2层与水的接触角为30°。并且，有机层的斜坡长度为100nm，表示斜坡的倾斜的指标为0.1。

(实施例5)

在实施例5中，使用Staystik 383(编号、alpha advanced materials公司)，通过旋涂法，在各向异性导电层的阳极氧化膜的一个面上形成了膜厚为500nm的第1层。接着，使用TPIR(注册商标)-2000S NL(产品名称、TOK YO OHKA KOGYO CO.，LTD.)，通过旋涂法，在第1层上形成了膜厚500nm的膜。之后，使用纳米压印法，局部改变膜的厚度而形成了第2层。由此，获得了将凹部20c与凸部20d之差设为500nm的有机层。与实施例2相同地实施了纳米压印处理，但是将玻璃制的模具的台阶设为500nm。

实施例5的有机层为2层结构，第1层Staystik 383(编号、alpha adva ncedmaterials公司)与水的接触角为65°，第2层TPIR(注册商标)-2000S NL(产品名称、TOKYOOHKA KOGYO CO.，LTD.)与水的接触角为60°。并且，有机层的斜坡长度为20nm，表示斜坡的倾斜的指标为0.04。

并且，与实施例1同样地，使用与各向异性导电层的阳极氧化膜的一个面相同的物质，通过旋涂法，在各向异性导电层的阳极氧化膜的另一个面上形成了膜厚为500nm的第1层。

(实施例6)

与实施例5相比，在实施例6中，形成有机部件来代替第2层这一点不同，除此以外，与实施例5相同。在实施例6中，通过喷墨法，将TuftecH(注册商标)H1043(产品名称、AsahiKasei Corporation.)的液滴一边改变液滴的打滴密度一边吐出到第1层上，从而以接合后的高度成为100nm的方式形成了有机部件。

在TuftecH(注册商标)H1043(产品名称、Asahi Kasei Corporation.)的液滴的吐出中，使用了material printer DMP-2850(Fujifilm Corporation制)。

实施例6的有机层为复合层，TuftecH(注册商标)H1043(产品名称、Asahi KaseiCorporation.)与水的接触角为65°。并且，有机层的斜坡长度为1000nm(1μm)，表示斜坡的倾斜的指标为10。

(实施例7)

与实施例5相比，在实施例7中，使用PAK-02(产品名称、Toyo Gosei Co.，Ltd)形成了第2层这一点及凹部20c与凸部20d之差为500nm这一点不同，除此以外，与实施例5相同。

实施例7的有机层为2层结构，第2层PAK-02(产品名称、Toyo Gosei Co.，Ltd)与水的接触角为40°。并且，有机层的斜坡长度为100nm，表示斜坡的倾斜的指标为0.2。

(实施例8)

与实施例6相比，在实施例8中，使用与实施例4的第2层相同的物质作为有机部件，以接合后的高度成为1000nm的方式形成了有机部件这一点不同，除此以外，与实施例6相同。

实施例8的有机层为复合层，第2层与水的接触角为30°。并且，有机层的斜坡长度为1000nm，表示斜坡的倾斜的指标为10。

(实施例9)

在实施例9中，使用Staystik 383(编号、alpha advanced materials公司)，通过旋涂法，在各向异性导电层的阳极氧化膜的一个面上形成了膜厚为500nm的第1层。第1层的厚度连续变化。

接着，使用Staystik 383(编号、alpha advanced materials公司)，通过喷墨法，在第1层上形成有机部件，从而获得了将凹部20c与凸部20d之差设为10μm(10000nm)的有机层。实施例9的喷墨法与实施例6的喷墨法相同。

实施例9的有机层为2层结构，第2层Staystik 383(编号、alpha adva ncedmaterials公司)与水的接触角为65°。并且，有机层的斜坡长度为50nm，表示斜坡的倾斜的指标为0.005。

并且，与实施例1同样地，使用与各向异性导电层的阳极氧化膜的一个面相同的物质，通过旋涂法，在各向异性导电层的阳极氧化膜的另一个面上形成了膜厚为500nm的第1层。

(实施例10)

与实施例9相比，在实施例10中，使用TuftecH(注册商标)H1043(产品名称、AsahiKasei Corporation.)形成了有机部件这一点不同，除此以外，与实施例10相同。实施例10的有机层为复合层，TuftecH(注册商标)H1043(产品名称、Asahi Kasei Corporation.)与水的接触角为65°。并且，有机层的斜坡长度为100nm，表示斜坡的倾斜的指标为0.01。

(实施例11)

与实施例9相比，在实施例11中，使用与实施例4的第2层相同的物质作为有机部件这一点不同，除此以外，与实施例9相同。实施例11的有机层为复合层，第2层与水的接触角为30°。并且，有机层的斜坡长度为100nm，表示斜坡的倾斜的指标为0.01。

(比较例1)

在比较例1中，使用Staystik 383(编号、alpha advanced materials公司)，通过旋涂法，在各向异性导电层的阳极氧化膜的两个面上形成了膜厚为10μm(10000nm)的有机层。比较例2的有机层与水的接触角为65°，厚度均匀。比较例1没有第2层，因此没有表示斜坡的倾斜的指标。

[表2]

如表2所示，与比较例1相比，实施例1～实施例11的导通可靠性优异。

比较例1的有机层为均匀厚度，导通可靠性差。

从实施例1、实施例6及实施例2、实施例3可知，表示斜坡的倾斜的指标越大，导通可靠性越优异。

从实施例4、实施例5及实施例10、实施例11可知，若有机层的表面侧(即，接合侧)与水的接触角小，则导通可靠性更加优异。

符号说明

10、10a、10b、10c、10d、10e、10f-各向异性导电性部件，11a、12a、20a-表面，11b、12b-背面，12-绝缘膜，13-细孔，14-导体，14a、14b-突出部，15-阳极氧化膜，16-各向异性导电层，20-有机层，20b-部分，20c-凹部，20d-凸部，20e-倾斜部，20f-厚度厚的部分与厚度薄的部分之间，21-第1层，22-复合层，22a-有机部件，23、24、25、26-第2层，27-基极层，27a-表面，28-模具，28a-凸部，29-层，30-铝基板，30a-表面，31-阻挡层，32c-底部，32d-面，35-金属，35a-金属层，35b-金属，37-基极层，37a-表面，37b-倾斜部，38-第2层，40、50-结构体，42、52-半导体存储器，44、54-CP U，44a、44b、45a、46a、52a、52b-电极，45、53-传感器，46-RF器件，47-配线基板，53a、54a、54b、54c、56a、57a、58a、58b-电极，52c、52d、53c、53d-端面，56-第1电子器件，57-第2电子器件，58-第3电子器件，59-树脂层，60-下侧芯片，60a-表面，60b-第1连接区域，60c-第2连接区域，60d-第3连接区域，61-第1电极部，61a、62a、63a-配线组，61b、62b、63b、64c、65c、66c-电极，61c、62c、63c-配线，61d、62d-端子，62-第2电极部，63-第3电极部，64-第1测试芯片，64b、65b、66b-配线部，65-第2测试芯片，66-第3测试芯片，68-接合部，70-结构体，d-平均直径，Ds-层叠方向，Dt-厚度方向，ha、hb-平均突出长度，hj-平均厚度，hm-平均厚度，ht-厚度，M1-金属，p-中心间距离，θ-倾斜角。

Claims (21)

1.一种各向异性导电性部件，其具有沿绝缘膜的厚度方向贯穿且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体和覆盖所述绝缘膜的至少一个面的有机层，

所述有机层在表面露出的状态下具有距所述绝缘膜的所述面的厚度厚的部分和所述厚度薄的部分。

2.根据权利要求1所述的各向异性导电性部件，其中，

所述有机层的厚度在所述厚度厚的部分与所述厚度薄的部分之间连续变化。

3.根据权利要求1所述的各向异性导电性部件，其中，

所述有机层具有配置于所述绝缘膜侧的第1层和在所述第1层上分散配置的有机部件。

4.根据权利要求1或2所述的各向异性导电性部件，其中，

所述有机层具有多层结构。

5.根据权利要求1或2所述的各向异性导电性部件，其中，

所述有机层的与所述绝缘膜相反的一侧的接触角小于所述绝缘膜侧。

6.根据权利要求3所述的各向异性导电性部件，其中，

所述有机层的所述有机部件的所述接触角小于所述第1层。

7.一种各向异性导电性部件的制造方法，该各向异性导电性部件具有沿绝缘膜的厚度方向贯穿且以彼此电绝缘的状态设置的多个导体和覆盖所述绝缘膜的至少一个面的有机层，该制造方法具有在所述绝缘膜的至少一个所述面上改变形成所述有机层的组合物的适用量而形成所述有机层的工序。

8.根据权利要求7所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

在形成所述有机层的工序中，改变形成所述有机层的所述组合物的适用量以使所述有机层的所述厚度厚的部分和所述厚度薄的部分的厚度在所述厚度厚的部分与所述厚度薄的部分之间连续变化，从而形成所述有机层。

9.根据权利要求7所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

形成所述有机层的工序具有：

在所述绝缘膜侧形成第1层的工序；及

在所述第1层上分散形成所述有机部件的工序。

10.根据权利要求7所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

所述有机层具有多层结构。

11.根据权利要求9所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

所述有机部件的接触角小于所述第1层。

12.根据权利要求10所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

所述有机层具有接触角不同的层，

在形成所述有机层的工序中，将所述接触角小的层形成于与所述绝缘膜相反的一侧而形成厚度局部不同的所述有机层。

13.根据权利要求7所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

形成所述有机层的工序具有形成均匀厚度的第1层的工序和在所述第1层的表面上局部形成第2层的工序。

14.根据权利要求13所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

所述第2层的接触角小于所述第1层。

15.根据权利要求7至14中任一项所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

形成所述有机层的工序具有包括喷墨法及涂布法中的至少1种方法的工序。

16.根据权利要求7、8、10、11及12中任一项所述的各向异性导电性部件的制造方法，其中，

形成所述有机层的工序具有形成均匀厚度的基极层的工序和对所述基极层实施图案蚀刻处理以局部改变厚度的工序。

17.一种结构体，其中多个电子器件与权利要求1至6中任一项所述的各向异性导电性部件电连接，

所述多个电子器件具有多个与所述各向异性导电性部件电连接的电极，

所述多个电子器件的各自的所述电极的高度、宽度及电极间距离中的至少1个不同。

18.根据权利要求17所述的结构体，其中，

所述多个电子器件的各自的功能及半导体种类中的至少一者不同。

19.根据权利要求17所述的结构体，其中，

所述多个电子器件的各自的厚度不同。

20.一种结构体的制造方法，该结构体中多个电子器件与权利要求1至6中任一项所述的各向异性导电性部件电连接，

所述多个电子器件具有多个与所述各向异性导电性部件电连接的电极，

所述多个电子器件的各自的所述电极的高度、宽度及电极间距离中的至少1个不同，并且高度不同，

该制造方法具有将所述多个电子器件按高度从低到高的顺序载置于所述各向异性导电性部件上来接合所述多个电子器件的工序。

21.根据权利要求20所述的结构体的制造方法，其中，

所述多个电子器件的各自的功能及半导体种类中的至少一者不同。

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