JP2023069883A - 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法 - Google Patents
異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023069883A JP2023069883A JP2021182064A JP2021182064A JP2023069883A JP 2023069883 A JP2023069883 A JP 2023069883A JP 2021182064 A JP2021182064 A JP 2021182064A JP 2021182064 A JP2021182064 A JP 2021182064A JP 2023069883 A JP2023069883 A JP 2023069883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic layer
- conductive member
- anisotropically conductive
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/16—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
【課題】種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】異方導電性部材は、絶縁膜の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体と、絶縁膜の少なくとも一方の面を覆う有機層とを有する異方導電性部材であって、有機層は、表面が露出した状態において、絶縁膜の面からの厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを有する。
【選択図】図１
【解決手段】異方導電性部材は、絶縁膜の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体と、絶縁膜の少なくとも一方の面を覆う有機層とを有する異方導電性部材であって、有機層は、表面が露出した状態において、絶縁膜の面からの厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを有する。
【選択図】図１
Description
本発明は、絶縁膜を厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体と、絶縁膜の少なくとも一方の面を覆う有機層とを有する異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法に関し、特に、表面が露出した状態において、絶縁膜の面からの厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを有する有機層を有する異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法に関する。
絶縁性基材に設けられた複数の貫通孔に金属等の導電性物質が充填されてなる構造体は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電性部材としての用途が期待されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材、及び機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著である。従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続する方式、フリップチップボンディング、及びサーモコンプレッションボンディング等では、電子部品の電気的な接続の安定性を十分に保証することができない場合があるため、電子接続部材として、インターポーザ及び異方導電性部材等が注目されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材、及び機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著である。従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続する方式、フリップチップボンディング、及びサーモコンプレッションボンディング等では、電子部品の電気的な接続の安定性を十分に保証することができない場合があるため、電子接続部材として、インターポーザ及び異方導電性部材等が注目されている。
例えば、特許文献１には、絶縁性基材と、導電性部材からなる複数の導通路と、絶縁性基材の表面の全面に設けられた樹脂層とを具備する異方導電性接合部材が記載されている。樹脂層は熱硬化性樹脂を含有する。導通路は互いに絶縁された状態で絶縁性基材を厚み方向に貫通して設けられている。導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、突出部分の端部が樹脂層に埋設している。
現在、複数の電子デバイスを、１つのインターポーザに接合して、高速な信号処理をすることが試みられている。複数の電子デバイスが同種の場合をホモジニアスといい、複数の電子デバイスが異種の場合をヘテロジニアスという。
複数の電子デバイスが異種の場合では、電子デバイスの電極の高さ又は電極の間隔が、電子デバイスの種類により異なることがある。このような複数の電子デバイスを、インターポーザにかえて、異方導電性部材に接合する場合、上述の特許文献１の異方導電性部材のように、均一な厚みの樹脂層を絶縁性基材の表面の全面に設けた構成では、接合する複数の電子デバイスの組み合わせによっては、樹脂層の厚みが均一なため接合が不十分になる等、十分な接合強度が得られない可能性がある。このため、電子デバイスの接合に関し、十分な信頼性が得られないことがある。
複数の電子デバイスが異種の場合では、電子デバイスの電極の高さ又は電極の間隔が、電子デバイスの種類により異なることがある。このような複数の電子デバイスを、インターポーザにかえて、異方導電性部材に接合する場合、上述の特許文献１の異方導電性部材のように、均一な厚みの樹脂層を絶縁性基材の表面の全面に設けた構成では、接合する複数の電子デバイスの組み合わせによっては、樹脂層の厚みが均一なため接合が不十分になる等、十分な接合強度が得られない可能性がある。このため、電子デバイスの接合に関し、十分な信頼性が得られないことがある。
本発明の目的は、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本発明の一態様は、絶縁膜の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体と、絶縁膜の少なくとも一方の面を覆う有機層とを有する異方導電性部材であって、有機層は、表面が露出した状態において、絶縁膜の面からの厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを有する、異方導電性部材を提供するものである。
有機層は、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分との間は厚みが連続的に変化していることが好ましい。
有機層は、絶縁膜側に配置された第１の層と、第１の層上に点在して配置された有機部材とを有することが好ましい。
有機層は、多層構造を有することが好ましい。
有機層は、絶縁膜側よりも絶縁膜の反対側の方が接触角が小さいことが好ましい。
有機層は、第１の層よりも有機部材の方が接触角が小さいことが好ましい。
有機層は、絶縁膜側に配置された第１の層と、第１の層上に点在して配置された有機部材とを有することが好ましい。
有機層は、多層構造を有することが好ましい。
有機層は、絶縁膜側よりも絶縁膜の反対側の方が接触角が小さいことが好ましい。
有機層は、第１の層よりも有機部材の方が接触角が小さいことが好ましい。
本発明の一態様は、絶縁膜の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体と、絶縁膜の少なくとも一方の面を覆う有機層とを有する異方導電性部材の製造方法であって、絶縁膜の少なくとも一方の面に対して、有機層を形成する組成物の適用量を変えて有機層を形成する工程を有する、異方導電性部材の製造方法を提供するものである。
有機層を形成する工程は、有機層を形成する組成物の適用量を変えて、有機層の厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分との間を連続的に厚みを変化させて、有機層を形成することが好ましい。
有機層を形成する工程は、絶縁膜側に第１の層を形成する工程と、第１の層上に有機部材を点在させて形成する工程とを有することが好ましい。
有機層は、多層構造を有することが好ましい。
第１の層よりも有機部材の方が接触角が小さいことが好ましい。
有機層は、接触角が異なる層を有し、有機層を形成する工程は、接触角が小さい層を、絶縁膜の反対側に形成して、部分的に厚みが異なる有機層を形成することが好ましい。
有機層を形成する工程は、均一な厚みの第１の層を形成する工程と、第１の層の表面に対して、部分的に第２の層を形成する工程を有することが好ましい。
第１の層よりも第２の層の方が、接触角が小さいことが好ましい。
有機層を形成する工程は、インクジェット法及び塗布法のうち、少なくとも１つの方法を含む工程を有することが好ましい。
有機層を形成する工程は、均一な厚みのベース層を形成する工程と、ベース層に対して、パターンエッチング処理を施し、部分的に厚みを変える工程とを有することが好ましい。
有機層を形成する工程は、絶縁膜側に第１の層を形成する工程と、第１の層上に有機部材を点在させて形成する工程とを有することが好ましい。
有機層は、多層構造を有することが好ましい。
第１の層よりも有機部材の方が接触角が小さいことが好ましい。
有機層は、接触角が異なる層を有し、有機層を形成する工程は、接触角が小さい層を、絶縁膜の反対側に形成して、部分的に厚みが異なる有機層を形成することが好ましい。
有機層を形成する工程は、均一な厚みの第１の層を形成する工程と、第１の層の表面に対して、部分的に第２の層を形成する工程を有することが好ましい。
第１の層よりも第２の層の方が、接触角が小さいことが好ましい。
有機層を形成する工程は、インクジェット法及び塗布法のうち、少なくとも１つの方法を含む工程を有することが好ましい。
有機層を形成する工程は、均一な厚みのベース層を形成する工程と、ベース層に対して、パターンエッチング処理を施し、部分的に厚みを変える工程とを有することが好ましい。
本発明の一態様は、異方導電性部材に、複数の電子デバイスが電気的に接続された構造体であって、複数の電子デバイスは、異方導電性部材に電気的に接続される電極を複数有し、複数の電子デバイスは、それぞれ電極の高さ、幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つが異なる、構造体を提供するものである。
複数の電子デバイスは、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なることが好ましい。
複数の電子デバイスは、それぞれ厚さが異なることが好ましい。
複数の電子デバイスは、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なることが好ましい。
複数の電子デバイスは、それぞれ厚さが異なることが好ましい。
本発明の一態様は、異方導電性部材に、複数の電子デバイスが電気的に接続された構造体の製造方法であって、複数の電子デバイスは、異方導電性部材に電気的に接続される電極を複数有し、複数の電子デバイスは、それぞれ電極の高さ、幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つが異なり、かつ高さが異なり、高さが低い順に複数の電子デバイスを異方導電性部材に載置して、複数の電子デバイスを接合する工程を有する、構造体の製造方法を提供するものである。
複数の電子デバイスは、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なることが好ましい。
複数の電子デバイスは、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なることが好ましい。
本発明によれば、種類の異なる電子デバイスを接合しても、接合の信頼性が高い異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法を提供できる。
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α～数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「具体的な数値で表された角度」、「平行」、及び「垂直」については、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
温度及び時間について、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。また、「全面」等は、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α～数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「具体的な数値で表された角度」、「平行」、及び「垂直」については、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
温度及び時間について、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、「同一」とは、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。また、「全面」等は、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
［異方導電性部材の第１の例］
図１は本発明の実施形態の異方導電性部材の第１の例を示す模式的断面図であり、図２は本発明の実施形態の異方導電性部材の第１の例を示す模式的平面図である。図２は図１の絶縁膜１２の表面１２ａ側から見た平面図であり、図１に示す有機層２０の図示を省略している。
図１に示す異方導電性部材１０は、電気的な絶縁性を有する絶縁膜１２と、絶縁膜１２を厚み方向Ｄｔに貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体１４と、絶縁膜１２の少なくとも一方の面を覆う有機層２０とを有する。
図１は本発明の実施形態の異方導電性部材の第１の例を示す模式的断面図であり、図２は本発明の実施形態の異方導電性部材の第１の例を示す模式的平面図である。図２は図１の絶縁膜１２の表面１２ａ側から見た平面図であり、図１に示す有機層２０の図示を省略している。
図１に示す異方導電性部材１０は、電気的な絶縁性を有する絶縁膜１２と、絶縁膜１２を厚み方向Ｄｔに貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体１４と、絶縁膜１２の少なくとも一方の面を覆う有機層２０とを有する。
複数の導体１４は、絶縁膜１２に、互いに電気的に絶縁された状態で配置されている。この場合、例えば、絶縁膜１２は、厚み方向Ｄｔに貫通する複数の細孔１３を有する。複数の細孔１３に導体１４が設けられている。導体１４は、絶縁膜１２の表面１２ａから突出している。また、導体１４は、絶縁膜１２の裏面１２ｂから突出している。
導体１４は、絶縁膜１２の厚み方向Ｄｔにおける一方の面から突出していてもよく、この場合、導体１４が突出している絶縁膜１２の面に有機層２０を設けることが好ましい。
なお、絶縁膜１２と複数の導体１４とにより、異方導電層１６が構成される。絶縁膜１２は、例えば、陽極酸化膜１５で構成される。絶縁膜１２の表面１２ａと絶縁膜１２の裏面１２ｂとは、絶縁膜１２の厚み方向Ｄｔにおいて対向する面である。
導体１４は、絶縁膜１２の厚み方向Ｄｔにおける一方の面から突出していてもよく、この場合、導体１４が突出している絶縁膜１２の面に有機層２０を設けることが好ましい。
なお、絶縁膜１２と複数の導体１４とにより、異方導電層１６が構成される。絶縁膜１２は、例えば、陽極酸化膜１５で構成される。絶縁膜１２の表面１２ａと絶縁膜１２の裏面１２ｂとは、絶縁膜１２の厚み方向Ｄｔにおいて対向する面である。
異方導電性部材１０は異方導電性を有するものであり、厚み方向Ｄｔに導電性を有するが、絶縁膜１２の表面１２ａに平行な方向における導電性が十分に低い。
異方導電性部材１０は、図２に示すように、例えば、外形が四角形である。なお、異方導電性部材１０の外形は、四角形に限定されるものではなく、例えば、円形でもよい。異方導電性部材１０の外形は、用途、作製しやすさ等に応じた形状とすることができる。
異方導電性部材１０は、図２に示すように、例えば、外形が四角形である。なお、異方導電性部材１０の外形は、四角形に限定されるものではなく、例えば、円形でもよい。異方導電性部材１０の外形は、用途、作製しやすさ等に応じた形状とすることができる。
図１に示す異方導電性部材１０は、上述のように絶縁膜１２の少なくとも一方の面を覆う有機層２０を有する。有機層２０は、表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがある。図１に示す異方導電性部材１０では、厚みが異なる部分２０ｂにより、有機層２０に凹部２０ｃと凸部２０ｄとが形成される。有機層２０は厚みが均一ではない。有機層２０の厚みが薄い部分が凹部２０ｃであり、厚みが厚い部分が凸部２０ｄである。有機層２０は厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを有する。
絶縁膜１２の表面１２ａ側において、絶縁膜１２の表面１２ａから有機層２０の凸部２０ｄの表面２０ａ迄の平均厚みｈｍは、絶縁膜１２の表面１２ａ側の厚みが部分的に異なる部分２０ｂの平均厚みｈｊよりも厚い。平均厚みｈｊは、絶縁膜１２の表面１２ａから有機層２０の凹部２０ｃの表面２０ａ迄の厚みである。
同様に、絶縁膜１２の裏面１２ｂ側において、絶縁膜１２の裏面１２ｂから有機層２０の凸部２０ｄの表面２０ａ迄の平均厚みｈｍは、絶縁膜１２の裏面１２ｂ側の厚みが部分的に異なる部分２０ｂの平均厚みｈｊよりも厚い。
絶縁膜１２の表面１２ａ側において、絶縁膜１２の表面１２ａから有機層２０の凸部２０ｄの表面２０ａ迄の平均厚みｈｍは、絶縁膜１２の表面１２ａ側の厚みが部分的に異なる部分２０ｂの平均厚みｈｊよりも厚い。平均厚みｈｊは、絶縁膜１２の表面１２ａから有機層２０の凹部２０ｃの表面２０ａ迄の厚みである。
同様に、絶縁膜１２の裏面１２ｂ側において、絶縁膜１２の裏面１２ｂから有機層２０の凸部２０ｄの表面２０ａ迄の平均厚みｈｍは、絶縁膜１２の裏面１２ｂ側の厚みが部分的に異なる部分２０ｂの平均厚みｈｊよりも厚い。
有機層２０は、導体１４に接続される接続対象である電子デバイスの電極を固定するものであり、電子デバイスの接合の際に電極の周囲に有機層２０が充填される。
有機層２０は、導体１４に接続される電子デバイスの電極の厚み等に応じた厚みを有する。有機層２０は凹部２０ｃよりも凸部２０ｄの方が厚い。この場合、凸部２０ｄに、電極サイズが大きな電子デバイスを接合でき、凹部２０ｃに電極サイズが小さな電子デバイスを接合できる。このように電子デバイスとして電極サイズが異なるものが接合でき、種類が異なる電子デバイスを接合できる。この場合、有機層２０の構成を、表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがあり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する構成とすることにより、電子デバイスの接合の際に電極の周囲を有機層２０で埋めることができる。このことから、異方導電性部材１０は、種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
なお、電子デバイスの電極サイズとは、電極の高さ、幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つのことである。
また、異方導電性部材１０は、有機層２０の表面２０ａに何もない状態で接合される。
有機層２０は、導体１４に接続される電子デバイスの電極の厚み等に応じた厚みを有する。有機層２０は凹部２０ｃよりも凸部２０ｄの方が厚い。この場合、凸部２０ｄに、電極サイズが大きな電子デバイスを接合でき、凹部２０ｃに電極サイズが小さな電子デバイスを接合できる。このように電子デバイスとして電極サイズが異なるものが接合でき、種類が異なる電子デバイスを接合できる。この場合、有機層２０の構成を、表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがあり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する構成とすることにより、電子デバイスの接合の際に電極の周囲を有機層２０で埋めることができる。このことから、異方導電性部材１０は、種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
なお、電子デバイスの電極サイズとは、電極の高さ、幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つのことである。
また、異方導電性部材１０は、有機層２０の表面２０ａに何もない状態で接合される。
［異方導電性部材の第２の例］
図３は本発明の実施形態の異方導電性部材の第２の例を示す模式的断面図である。図３において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ａは、図１に示す異方導電性部材１０に比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図１に示す異方導電性部材１０と同様の構成である。
異方導電性部材１０ａの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上に点在して配置された有機部材２２ａとを有するものであり、第１の層２１と有機部材２２ａとの複合層２２である。第１の層２１は、絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂにそれぞれ形成されている。有機部材２２ａは、第１の層２１上に点在して層状に配置されている。有機部材２２ａは、例えば、インクジェット法により形成される。
図３は本発明の実施形態の異方導電性部材の第２の例を示す模式的断面図である。図３において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ａは、図１に示す異方導電性部材１０に比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図１に示す異方導電性部材１０と同様の構成である。
異方導電性部材１０ａの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上に点在して配置された有機部材２２ａとを有するものであり、第１の層２１と有機部材２２ａとの複合層２２である。第１の層２１は、絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂにそれぞれ形成されている。有機部材２２ａは、第１の層２１上に点在して層状に配置されている。有機部材２２ａは、例えば、インクジェット法により形成される。
点在して配置された複数の有機部材２２ａの最も高いところを結んで構成される面が、有機層２０の表面２０ａに相当する。また、第１の層２１上のうち、有機部材２２ａの間を除く、有機部材２２ａが配置されていない領域も有機層２０の表面２０ａに相当する。有機部材２２ａが配置されているところが上述の有機層２０の凸部２０ｄに相当し、有機部材２２ａが配置されていないところが上述の有機層２０の凹部２０ｃに相当する。異方導電性部材１０ａの有機層２０は、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがある構成であり、有機層２０は絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。
異方導電性部材１０ａでは、有機部材２２ａが配置された凸部２０ｄに相当する領域に電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、第１の層２１に電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ａは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
第１の層２１よりも有機部材２２ａの方が接触角が小さいことが好ましい。これにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると、有機部材２２ａが広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機部材２２ａを充填しやすくなるため好ましい。なお、接触角は、水に対する接触角である。
第１の層２１よりも有機部材２２ａの方が接触角が小さいことが好ましい。これにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると、有機部材２２ａが広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機部材２２ａを充填しやすくなるため好ましい。なお、接触角は、水に対する接触角である。
［異方導電性部材の第３の例］
図４は本発明の実施形態の異方導電性部材の第３の例を示す模式的断面図である。図４において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｂは、図１に示す異方導電性部材１０に比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図１に示す異方導電性部材１０と同様の構成である。
異方導電性部材１０ｂの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上に配置された第２の層２３とを有する。有機層２０は第１の層２１と第２の層２３との多層構造である。第１の層２１は絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂの全面にそれぞれ形成されている。第２の層２３は、第１の層２１上に部分的に配置されている。第２の層２３は、例えば、インクジェット法又は塗布法により形成される。
図４は本発明の実施形態の異方導電性部材の第３の例を示す模式的断面図である。図４において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｂは、図１に示す異方導電性部材１０に比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図１に示す異方導電性部材１０と同様の構成である。
異方導電性部材１０ｂの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上に配置された第２の層２３とを有する。有機層２０は第１の層２１と第２の層２３との多層構造である。第１の層２１は絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂの全面にそれぞれ形成されている。第２の層２３は、第１の層２１上に部分的に配置されている。第２の層２３は、例えば、インクジェット法又は塗布法により形成される。
第１の層２１及び第２の層２３の表面が有機層２０の表面２０ａに相当する。第２の層２３が上述の有機層２０の凸部２０ｄに相当し、第２の層２３が配置されていない第１の層２１上が有機層２０の凹部２０ｃに相当する。異方導電性部材１０ｂの有機層２０は、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがある構成であり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。
異方導電性部材１０ｂでは、第２の層２３で構成された凸部２０ｄに相当する領域に電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、第１の層２１に電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ｂは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
また、有機層２０を多層構造とすることにより、有機層２０を構成する層の接触角、表面エネルギーを異なるもので構成することができる。例えば、有機層２０の最表面を接触角が小さいもので構成することにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機層２０を充填しやすくなるため好ましい。
接触角は、水に対する接触角であり、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｒ３２５７ 基板ガラス表面のぬれ性試験方法の手法をもとに、有機層表面に水を滴下して測定する。接触角の測定装置には、全自動接触角計ＤＭｏ－９０２（商品名、協和界面科学株式会社製）が用いられる。
また、有機層２０を多層構造とすることにより、有機層２０を構成する層の接触角、表面エネルギーを異なるもので構成することができる。例えば、有機層２０の最表面を接触角が小さいもので構成することにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機層２０を充填しやすくなるため好ましい。
接触角は、水に対する接触角であり、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） Ｒ３２５７ 基板ガラス表面のぬれ性試験方法の手法をもとに、有機層表面に水を滴下して測定する。接触角の測定装置には、全自動接触角計ＤＭｏ－９０２（商品名、協和界面科学株式会社製）が用いられる。
［異方導電性部材の第４の例］
図５は本発明の実施形態の異方導電性部材の第４の例を示す模式的断面図である。図５において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｃは、図１に示す異方導電性部材１０に比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図１に示す異方導電性部材１０と同様の構成である。
異方導電性部材１０ｃの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上に配置された第２の層２４とを有する。有機層２０は第１の層２１と第２の層２４との多層構造である。第１の層２１は絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂの全面にそれぞれ形成されている。第２の層２４は第１の層２１の全面に配置されており、第２の層２４は、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。第２の層２４は、例えば、インクジェット法又はナノインプリント法により形成される。
図５は本発明の実施形態の異方導電性部材の第４の例を示す模式的断面図である。図５において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｃは、図１に示す異方導電性部材１０に比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図１に示す異方導電性部材１０と同様の構成である。
異方導電性部材１０ｃの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上に配置された第２の層２４とを有する。有機層２０は第１の層２１と第２の層２４との多層構造である。第１の層２１は絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂの全面にそれぞれ形成されている。第２の層２４は第１の層２１の全面に配置されており、第２の層２４は、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。第２の層２４は、例えば、インクジェット法又はナノインプリント法により形成される。
第２の層２４の表面が有機層２０の表面２０ａに相当する。第２の層２４の厚みが厚い部分が上述の有機層２０の凸部２０ｄに相当し、第２の層２４の厚みが薄い部分が有機層２０の凹部２０ｃに相当する。異方導電性部材１０ｃの有機層２０は、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがある構成であり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。
異方導電性部材１０ｃでは、第２の層２３で構成された凸部２０ｄに相当する領域に電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、第１の層２１に電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ｃは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
また、有機層２０を多層構造とすることにより、有機層２０を構成する層の接触角、表面エネルギーを異なるもので構成することができる。例えば、有機層２０の最表面を接触角が小さいもので構成することにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機層２０を充填しやすくなるため好ましい。
また、有機層２０を多層構造とすることにより、有機層２０を構成する層の接触角、表面エネルギーを異なるもので構成することができる。例えば、有機層２０の最表面を接触角が小さいもので構成することにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機層２０を充填しやすくなるため好ましい。
［異方導電性部材の第５の例］
図６は本発明の実施形態の異方導電性部材の第５の例を示す模式的断面図である。図６において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｄは、図１に示す異方導電性部材１０に比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図１に示す異方導電性部材１０と同様の構成である。
異方導電性部材１０ｂの有機層２０は、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを有し、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分との間２０ｆは厚みが連続的に変化している。厚みが厚い部分が凸部２０ｄであり、厚みが薄い部分が凹部２０ｃである。有機層２０では凹部２０ｃと凸部２０ｄとの間２０ｆに傾斜部２０ｅがある。傾斜部２０ｅは、凹部２０ｃから凸部２０ｄに向かうにつれて厚みが単調に厚くなるように変化している。傾斜部２０ｅの傾斜角θを有する。
有機層２０の傾斜角θの角度は、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対して水平な線と傾斜部２０ｅとのなす角の角度であり、有機層２０の「スロープの傾斜を示す指標」＝１／ｔａｎθの関係が成立する。
スロープの傾斜を示す指標は５以下が好ましく、１以下がさらに好ましい。スロープの傾斜を示す指標が５以下であれば、隣接チップを近づけて配置でき、接続される電子デバイスの設置精度に依存するずれがあっても、傾斜部の影響が少なくなる。例えば、傾斜部が膜厚１０μｍの場合、接続ロスが２μｍ以下に抑制されるため、接続ロスの影響が少なくなる。
図６は本発明の実施形態の異方導電性部材の第５の例を示す模式的断面図である。図６において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｄは、図１に示す異方導電性部材１０に比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図１に示す異方導電性部材１０と同様の構成である。
異方導電性部材１０ｂの有機層２０は、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを有し、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分との間２０ｆは厚みが連続的に変化している。厚みが厚い部分が凸部２０ｄであり、厚みが薄い部分が凹部２０ｃである。有機層２０では凹部２０ｃと凸部２０ｄとの間２０ｆに傾斜部２０ｅがある。傾斜部２０ｅは、凹部２０ｃから凸部２０ｄに向かうにつれて厚みが単調に厚くなるように変化している。傾斜部２０ｅの傾斜角θを有する。
有機層２０の傾斜角θの角度は、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対して水平な線と傾斜部２０ｅとのなす角の角度であり、有機層２０の「スロープの傾斜を示す指標」＝１／ｔａｎθの関係が成立する。
スロープの傾斜を示す指標は５以下が好ましく、１以下がさらに好ましい。スロープの傾斜を示す指標が５以下であれば、隣接チップを近づけて配置でき、接続される電子デバイスの設置精度に依存するずれがあっても、傾斜部の影響が少なくなる。例えば、傾斜部が膜厚１０μｍの場合、接続ロスが２μｍ以下に抑制されるため、接続ロスの影響が少なくなる。
傾斜部２０ｅの傾斜角θの角度は、有機層２０を含む異方導電性部材１０ｄを絶縁膜１２の厚み方向Ｄｔに切断して得られた断面画像を取得し、断面画像において、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂと、傾斜部２０ｅとを特定し、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対して垂直な線を引き、傾斜部２０ｅとのなす傾斜角θを特定する。特定した傾斜角θの角度を公知の方法を用いて得る。
異方導電性部材１０ｄの有機層２０は、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがある構成であり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。
異方導電性部材１０ｄでは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、有機層２０の凸部２０ｄに電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、凹部２０ｃに電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ｄは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
有機層２０は、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの間２０ｆに傾斜部２０ｅがあり、傾斜部２０ｅは、凹部２０ｃから凸部２０ｄに向かうにつれて厚みが単調に厚くなるように変化しているが、連続的に変化していれば、これに限定されるものではない。凹部２０ｃと凸部２０ｄとの間２０ｆの傾斜部２０ｅは、始点の凹部２０ｃよりも終点の凸部２０ｄが高ければ、始点から終点に凸状に変化しても、凹状に変化してもよく、傾斜部２０ｅの表面の形状は指数関数状でも、対数関数状でも、２次関数状でもよい。
異方導電性部材１０ｄでは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、有機層２０の凸部２０ｄに電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、凹部２０ｃに電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ｄは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
有機層２０は、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの間２０ｆに傾斜部２０ｅがあり、傾斜部２０ｅは、凹部２０ｃから凸部２０ｄに向かうにつれて厚みが単調に厚くなるように変化しているが、連続的に変化していれば、これに限定されるものではない。凹部２０ｃと凸部２０ｄとの間２０ｆの傾斜部２０ｅは、始点の凹部２０ｃよりも終点の凸部２０ｄが高ければ、始点から終点に凸状に変化しても、凹状に変化してもよく、傾斜部２０ｅの表面の形状は指数関数状でも、対数関数状でも、２次関数状でもよい。
［異方導電性部材の第６の例］
図７は本発明の実施形態の異方導電性部材の第６の例を示す模式的断面図である。図７において、図６に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｅは、図６に示す異方導電性部材１０ｄに比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図６に示す異方導電性部材１０ｄと同様の構成である。
異方導電性部材１０ｄの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上に部分的に配置された第２の層２５とを有する。有機層２０は第１の層２１と第２の層２５との多層構造である。第１の層２１は絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂの全面にそれぞれ形成されている。第２の層２５は第１の層２１上に部分的に配置されている。また、有機層２０は傾斜部２０ｅを有する。第２の層２５は、例えば、インクジェット法により形成される。
傾斜部２０ｅの傾斜角θの角度は、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対して水平な線と傾斜部２０ｅとのなす角の角度であり、有機層２０の「スロープの傾斜を示す指標」＝１／ｔａｎθの関係が成立する。
スロープの傾斜を示す指標は５以下が好ましく、１以下がさらに好ましい。スロープの傾斜を示す指標が５以下であれば、隣接チップを近づけて配置でき、接続される電子デバイスの設置精度に依存するずれがあっても、傾斜部の影響が少なくなる。例えば、傾斜部が膜厚１０μｍの場合、接続ロスが２μｍ以下に抑制されるため、接続ロスの影響が少なくなる。
傾斜部２０ｅの傾斜角θの角度は、上述の異方導電性部材１０ｄと同様に測定される。
図７は本発明の実施形態の異方導電性部材の第６の例を示す模式的断面図である。図７において、図６に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｅは、図６に示す異方導電性部材１０ｄに比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図６に示す異方導電性部材１０ｄと同様の構成である。
異方導電性部材１０ｄの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上に部分的に配置された第２の層２５とを有する。有機層２０は第１の層２１と第２の層２５との多層構造である。第１の層２１は絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂの全面にそれぞれ形成されている。第２の層２５は第１の層２１上に部分的に配置されている。また、有機層２０は傾斜部２０ｅを有する。第２の層２５は、例えば、インクジェット法により形成される。
傾斜部２０ｅの傾斜角θの角度は、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対して水平な線と傾斜部２０ｅとのなす角の角度であり、有機層２０の「スロープの傾斜を示す指標」＝１／ｔａｎθの関係が成立する。
スロープの傾斜を示す指標は５以下が好ましく、１以下がさらに好ましい。スロープの傾斜を示す指標が５以下であれば、隣接チップを近づけて配置でき、接続される電子デバイスの設置精度に依存するずれがあっても、傾斜部の影響が少なくなる。例えば、傾斜部が膜厚１０μｍの場合、接続ロスが２μｍ以下に抑制されるため、接続ロスの影響が少なくなる。
傾斜部２０ｅの傾斜角θの角度は、上述の異方導電性部材１０ｄと同様に測定される。
異方導電性部材１０ｅの有機層２０は、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがある構成であり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。
異方導電性部材１０ｅでは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、有機層２０の凸部２０ｄに電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、凹部２０ｃに電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ｅは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
また、有機層２０を多層構造とすることにより、有機層２０を構成する層の接触角、表面エネルギーを異なるもので構成することができる。例えば、有機層２０の最表面を接触角が小さいもので構成することにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機層２０を充填しやすくなるため好ましい。
異方導電性部材１０ｅでは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、有機層２０の凸部２０ｄに電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、凹部２０ｃに電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ｅは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
また、有機層２０を多層構造とすることにより、有機層２０を構成する層の接触角、表面エネルギーを異なるもので構成することができる。例えば、有機層２０の最表面を接触角が小さいもので構成することにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機層２０を充填しやすくなるため好ましい。
［異方導電性部材の第７の例］
図８は本発明の実施形態の異方導電性部材の第６の例を示す模式的断面図である。図８において、図６に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｆは、図６に示す異方導電性部材１０ｄに比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図６に示す異方導電性部材１０ｄと同様の構成である。
異方導電性部材１０ｆの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上の全面に配置された第２の層２６とを有する。有機層２０は第１の層２１と第２の層２６との多層構造である。第１の層２１は絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂの全面にそれぞれ形成されている。第２の層２６は第１の層２１の全面に配置されており、第２の層２６は、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。また、有機層２０は傾斜部２０ｅを有する。第２の層２６は、例えば、インクジェット法又はナノインプリント法により形成される。
傾斜角θの角度は、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対して水平な線と傾斜部２０ｅとのなす角の角度であり、有機層２０の「スロープの傾斜を示す指標」＝１／ｔａｎθの関係が成立する。
スロープの傾斜を示す指標は５以下が好ましく、１以下がさらに好ましい。スロープの傾斜を示す指標が５以下であれば、隣接チップを近づけて配置でき、接続される電子デバイスの設置精度に依存するずれがあっても、傾斜部の影響が少なくなる。例えば、傾斜部が膜厚１０μｍの場合、接続ロスが２μｍ以下に抑制されるため、接続ロスの影響が少なくなる。
傾斜部２０ｅの傾斜角θの角度は、上述の異方導電性部材１０ｄと同様に測定される。
図８は本発明の実施形態の異方導電性部材の第６の例を示す模式的断面図である。図８において、図６に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０ｆは、図６に示す異方導電性部材１０ｄに比して、有機層２０の構成が異なり、それ以外の構成は、図６に示す異方導電性部材１０ｄと同様の構成である。
異方導電性部材１０ｆの有機層２０は、絶縁膜１２側に配置された第１の層２１と、第１の層２１上の全面に配置された第２の層２６とを有する。有機層２０は第１の層２１と第２の層２６との多層構造である。第１の層２１は絶縁膜１２の表面２０ａ及び裏面１２ｂの全面にそれぞれ形成されている。第２の層２６は第１の層２１の全面に配置されており、第２の層２６は、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。また、有機層２０は傾斜部２０ｅを有する。第２の層２６は、例えば、インクジェット法又はナノインプリント法により形成される。
傾斜角θの角度は、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対して水平な線と傾斜部２０ｅとのなす角の角度であり、有機層２０の「スロープの傾斜を示す指標」＝１／ｔａｎθの関係が成立する。
スロープの傾斜を示す指標は５以下が好ましく、１以下がさらに好ましい。スロープの傾斜を示す指標が５以下であれば、隣接チップを近づけて配置でき、接続される電子デバイスの設置精度に依存するずれがあっても、傾斜部の影響が少なくなる。例えば、傾斜部が膜厚１０μｍの場合、接続ロスが２μｍ以下に抑制されるため、接続ロスの影響が少なくなる。
傾斜部２０ｅの傾斜角θの角度は、上述の異方導電性部材１０ｄと同様に測定される。
異方導電性部材１０ｆの有機層２０は、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に表面２０ａが露出した状態において、絶縁膜１２の面からの厚みが部分的に異なる部分２０ｂがある構成であり、有機層２０は、絶縁膜１２の面からの厚みが薄い部分と、厚みが厚い部分とを有する。
異方導電性部材１０ｆでは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、有機層２０の凸部２０ｄに電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、凹部２０ｃに電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ｅは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
また、有機層２０を多層構造とすることにより、有機層２０を構成する層の接触角、表面エネルギーを異なるもので構成することができる。例えば、有機層２０の最表面を接触角が小さいもので構成することにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機層２０を充填しやすくなるため好ましい。
異方導電性部材１０ｆでは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に、有機層２０の凸部２０ｄに電極サイズが大きな電子デバイスが接合され、凹部２０ｃに電極サイズが小さな電子デバイスが接合される。異方導電性部材１０ｅは、異方導電性部材１０（図１参照）と同様に種類の異なる電子デバイスを接合した場合、種類が異なる電子デバイスを高い信頼性で接合できる。
また、有機層２０を多層構造とすることにより、有機層２０を構成する層の接触角、表面エネルギーを異なるもので構成することができる。例えば、有機層２０の最表面を接触角が小さいもので構成することにより、電子デバイスの接合時に有機層２０が加熱されると広がりやすく、電子デバイスを接合した際に電極の周囲に有機層２０を充填しやすくなるため好ましい。
以下、構造体の構成についてより具体的に説明する。
〔絶縁膜〕
絶縁膜１２は、導電体で構成された、複数の導体１４を互いに電気的に絶縁された状態にするものである、絶縁膜は、電気的な絶縁性を有する。また、絶縁膜１２は、導体１４が形成される複数の細孔１３を有する。絶縁膜の組成等については後に説明する。
絶縁膜１２の厚み方向Ｄｔにおける長さ、すなわち、絶縁膜１２の厚みｈｔは、１～１０００μｍの範囲内であるのが好ましく、５～５００μｍの範囲内であるのがより好ましく、１０～３００μｍの範囲内であるのが更に好ましい。絶縁膜１２の厚みｈｔがこの範囲であると、絶縁膜１２の取り扱い性が良好となる。
絶縁膜１２の厚みｈｔは、巻き取りやすさの観点から、３０μｍ以下であることが好ましく、５～２０μｍであることがより好ましい。
〔絶縁膜〕
絶縁膜１２は、導電体で構成された、複数の導体１４を互いに電気的に絶縁された状態にするものである、絶縁膜は、電気的な絶縁性を有する。また、絶縁膜１２は、導体１４が形成される複数の細孔１３を有する。絶縁膜の組成等については後に説明する。
絶縁膜１２の厚み方向Ｄｔにおける長さ、すなわち、絶縁膜１２の厚みｈｔは、１～１０００μｍの範囲内であるのが好ましく、５～５００μｍの範囲内であるのがより好ましく、１０～３００μｍの範囲内であるのが更に好ましい。絶縁膜１２の厚みｈｔがこの範囲であると、絶縁膜１２の取り扱い性が良好となる。
絶縁膜１２の厚みｈｔは、巻き取りやすさの観点から、３０μｍ以下であることが好ましく、５～２０μｍであることがより好ましい。
なお、絶縁膜の厚みは、絶縁膜を厚み方向Ｄｔに対して集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）を用いて切削加工し、その断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて表面写真（倍率５万倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した値である。
＜細孔の平均直径＞
細孔１３の平均直径は、１μｍ以下であることが好ましく、５～５００ｎｍであることがより好ましく、２０～４００ｎｍであることが更に好ましく、４０～２００ｎｍであることがより一層好ましく、５０～１００ｎｍであることが最も好ましい。細孔１３の平均直径ｄが１μｍ以下であり、上述の範囲であると、上述の平均直径を有する導体１４を得ることができる。
細孔１３の平均直径は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて絶縁膜１２の表面を真上から倍率１００～１００００倍で撮影し撮影画像を得る。撮影画像において、周囲が環状に連なっている細孔を少なくとも２０個抽出し、その直径を測定し開口径とし、これら開口径の平均値を細孔の平均直径として算出する。
なお、倍率は、細孔を２０個以上抽出できる撮影画像が得られるように上述した範囲の倍率を適宜選択することができる。また、開口径は、細孔部分の端部間の距離の最大値を測定する。すなわち、細孔の開口部の形状は略円形状に限定はされないので、開口部の形状が非円形状の場合には、細孔部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。従って、例えば、２以上の細孔が一体化したような形状の細孔の場合にも、これを１つの細孔とみなし、細孔部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。
細孔１３の平均直径は、１μｍ以下であることが好ましく、５～５００ｎｍであることがより好ましく、２０～４００ｎｍであることが更に好ましく、４０～２００ｎｍであることがより一層好ましく、５０～１００ｎｍであることが最も好ましい。細孔１３の平均直径ｄが１μｍ以下であり、上述の範囲であると、上述の平均直径を有する導体１４を得ることができる。
細孔１３の平均直径は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて絶縁膜１２の表面を真上から倍率１００～１００００倍で撮影し撮影画像を得る。撮影画像において、周囲が環状に連なっている細孔を少なくとも２０個抽出し、その直径を測定し開口径とし、これら開口径の平均値を細孔の平均直径として算出する。
なお、倍率は、細孔を２０個以上抽出できる撮影画像が得られるように上述した範囲の倍率を適宜選択することができる。また、開口径は、細孔部分の端部間の距離の最大値を測定する。すなわち、細孔の開口部の形状は略円形状に限定はされないので、開口部の形状が非円形状の場合には、細孔部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。従って、例えば、２以上の細孔が一体化したような形状の細孔の場合にも、これを１つの細孔とみなし、細孔部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。
〔導体〕
複数の導体１４は、上述のように、絶縁膜１２、例えば、陽極酸化膜１５において、互いに電気的に絶縁された状態で設けられている。
複数の導体１４は、電気導電性を有する。導体は、導電性物質で構成される。導電性物質は、特に限定されるものではなく、金属が挙げられる。金属の具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）及びコバルト（Ｃｏ）等が好適に例示される。電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケル及びコバルトが好ましく、銅及び金がより好ましく、銅が最も好ましい。
金属は酸化物導電体に比して延性等に優れ変形しやすく、接合の際の圧縮でも変形しやすいため、導体は金属で構成することが好ましい。
厚み方向Ｄｔにおける導体１４の高さは、１０～３００μｍであることが好ましく、２０～３０μｍであることがより好ましい。
複数の導体１４は、上述のように、絶縁膜１２、例えば、陽極酸化膜１５において、互いに電気的に絶縁された状態で設けられている。
複数の導体１４は、電気導電性を有する。導体は、導電性物質で構成される。導電性物質は、特に限定されるものではなく、金属が挙げられる。金属の具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）及びコバルト（Ｃｏ）等が好適に例示される。電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケル及びコバルトが好ましく、銅及び金がより好ましく、銅が最も好ましい。
金属は酸化物導電体に比して延性等に優れ変形しやすく、接合の際の圧縮でも変形しやすいため、導体は金属で構成することが好ましい。
厚み方向Ｄｔにおける導体１４の高さは、１０～３００μｍであることが好ましく、２０～３０μｍであることがより好ましい。
＜導体の形状＞
導体１４の平均直径ｄは、１μｍ以下であることが好ましく、５～５００ｎｍであることがより好ましく、２０～４００ｎｍであることがさらに好ましく、４０～２００ｎｍであることがより一層好ましく、５０～１００ｎｍであることが最も好ましい。
導体１４の密度は、２万個／ｍｍ2以上であることが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であることがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であることがさらに好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であることが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であることが最も好ましい。
さらに、隣接する各導体１４の中心間距離ｐは、２０ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ～２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ～１４０ｎｍであることがさらに好ましい。
導体１４の平均直径ｄは、１μｍ以下であることが好ましく、５～５００ｎｍであることがより好ましく、２０～４００ｎｍであることがさらに好ましく、４０～２００ｎｍであることがより一層好ましく、５０～１００ｎｍであることが最も好ましい。
導体１４の密度は、２万個／ｍｍ2以上であることが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であることがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であることがさらに好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であることが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であることが最も好ましい。
さらに、隣接する各導体１４の中心間距離ｐは、２０ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ～２００ｎｍであることがより好ましく、５０ｎｍ～１４０ｎｍであることがさらに好ましい。
導体の平均直径は、走査電子顕微鏡を用いて絶縁膜の表面を真上から倍率１００～１００００倍で撮影し撮影画像を得る。撮影画像において、周囲が環状に連なっている導体を少なくとも２０個抽出し、その直径を測定し開口径とし、これら開口径の平均値を導体の平均直径として算出する。
なお、倍率は、導体を２０個以上抽出できる撮影画像が得られるように上述した範囲の倍率を適宜選択することができる。また、開口部の形状が非円形状の場合には、導体部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。従って、例えば、２以上の導体が一体化したような形状の導体の場合にも、これを１つの導体とみなし、導体部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。導体１４の平均直径ｄは、突出部の平均径と同じである。
隣接する各導体１４の中心間距離ｐは、上述のようにして得た絶縁膜１２の撮影画像において、特定した導体の中心位置（図示せず）を、さらに特定する。隣接する導体の中心位置の間の距離を１０箇所に求めた。この平均値を、隣接する各導体１４の中心間距離ｐとした。中心位置は、上述の撮影画像において導体１４に相当する領域の中心位置である。なお、撮影画像において、領域の中心位置の算出には、公知の画像解析法が用いられる。
なお、倍率は、導体を２０個以上抽出できる撮影画像が得られるように上述した範囲の倍率を適宜選択することができる。また、開口部の形状が非円形状の場合には、導体部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。従って、例えば、２以上の導体が一体化したような形状の導体の場合にも、これを１つの導体とみなし、導体部分の端部間の距離の最大値を開口径とする。導体１４の平均直径ｄは、突出部の平均径と同じである。
隣接する各導体１４の中心間距離ｐは、上述のようにして得た絶縁膜１２の撮影画像において、特定した導体の中心位置（図示せず）を、さらに特定する。隣接する導体の中心位置の間の距離を１０箇所に求めた。この平均値を、隣接する各導体１４の中心間距離ｐとした。中心位置は、上述の撮影画像において導体１４に相当する領域の中心位置である。なお、撮影画像において、領域の中心位置の算出には、公知の画像解析法が用いられる。
＜突出部＞
突出部は導体の一部であり、柱状である。突出部は、接合対象との接触面積を大きくできることから、円柱状であることが好ましい。
突出部１４ａの平均突出長さｈａ及び突出部１４ｂの平均長さｈｂは、１０ｎｍ～１０００ｎｍであることが好ましく、５０ｎｍ～５００ｎｍがより好ましい。平均突出長さｈａ及び平均長さｈｂが１０ｎｍ～１０００ｎｍであれば、有機層２０と絶縁膜１２との密着性が良好になる。
導体１４の平均突出長さｈａ、ｈｂは、有機層２０の凹部２０ｃの表面２０ａ迄の平均厚みｈｊ未満であることが好ましい。導体１４の突出部１４ａの平均突出長さｈａ及び突出部１４ｂの平均長さｈｂは、いずれも有機層２０の凹部２０ｃの表面２０ａ迄の平均厚みｈｊ未満であれば、突出部１４ａ、１４ｂは、いずれも有機層２０に埋設され、導体１４が有機層２０により保護される。
突出部１４ａの平均突出長さｈａ及び突出部１４ｂの平均長さｈｂは、上述のように走査電子顕微鏡を用いて突出部の断面画像を取得し、断面画像に基づき、突出部の高さを、それぞれ１０点測定し、測定した平均値である。
突出部は導体の一部であり、柱状である。突出部は、接合対象との接触面積を大きくできることから、円柱状であることが好ましい。
突出部１４ａの平均突出長さｈａ及び突出部１４ｂの平均長さｈｂは、１０ｎｍ～１０００ｎｍであることが好ましく、５０ｎｍ～５００ｎｍがより好ましい。平均突出長さｈａ及び平均長さｈｂが１０ｎｍ～１０００ｎｍであれば、有機層２０と絶縁膜１２との密着性が良好になる。
導体１４の平均突出長さｈａ、ｈｂは、有機層２０の凹部２０ｃの表面２０ａ迄の平均厚みｈｊ未満であることが好ましい。導体１４の突出部１４ａの平均突出長さｈａ及び突出部１４ｂの平均長さｈｂは、いずれも有機層２０の凹部２０ｃの表面２０ａ迄の平均厚みｈｊ未満であれば、突出部１４ａ、１４ｂは、いずれも有機層２０に埋設され、導体１４が有機層２０により保護される。
突出部１４ａの平均突出長さｈａ及び突出部１４ｂの平均長さｈｂは、上述のように走査電子顕微鏡を用いて突出部の断面画像を取得し、断面画像に基づき、突出部の高さを、それぞれ１０点測定し、測定した平均値である。
導体１４に関し、隣接する突出部との間隔は、２０ｎｍ～２００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ～１００ｎｍであることがより好ましい。隣接する突出部との間隔が上述の範囲であると、導体１４の絶縁膜１２の表面１２ａ又は裏面１２ｂで導体１４の間隔を維持できる。これにより、電子デバイスの接合時において、導体１４の短絡が抑制され、接合時の信頼性がさらに増す。
〔有機層〕
有機層は、上述のように絶縁膜の表面及び裏面のうち、少なくとも一方の面を覆うものであり、絶縁膜及び導体を保護する。また、有機層は、電子デバイスの接合時には、電子デバイスの電極の周囲を充填する。
有機層は、上述の機能を発揮するために、例えば、５０℃～２００℃の温度範囲で流動性を示し、２００℃以上で硬化するものであることが好ましい。また、有機層は、加熱されると広がりやすいことから接触角が小さいことが好ましい。有機層は、例えば、熱可塑性樹脂等で構成される熱可塑性層であるが、有機層については後に詳細に説明する。
有機層２０の平均厚みｈｍは、１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以下であり、さらに好ましくは１μｍ以下である。有機層２０の平均厚みｈｍが上述の１０μｍ以下であれば、導体１４の突出部を保護し、かつ電子デバイスの接合の際に電極の周囲を充填する効果を十分に発揮できる。
有機層２０の平均厚みｈｍは、絶縁膜１２の表面１２ａからの平均距離、又は絶縁膜１２の裏面１２ｂからの平均距離である。上述の有機層２０の平均厚みｈｍは、樹脂層を異方導電性部材１０の厚み方向Ｄｔに切断し、走査電子顕微鏡を用いて切断断面の断面観察を行い、有機層に該当する、１０箇所について絶縁膜１２の表面１２ａからの距離を測定した場合の１０点の測定値の平均値である。また、有機層に該当する、１０箇所について絶縁膜１２の裏面１２ｂからの距離を測定した場合の１０点の測定値の平均値である。
有機層は、上述のように絶縁膜の表面及び裏面のうち、少なくとも一方の面を覆うものであり、絶縁膜及び導体を保護する。また、有機層は、電子デバイスの接合時には、電子デバイスの電極の周囲を充填する。
有機層は、上述の機能を発揮するために、例えば、５０℃～２００℃の温度範囲で流動性を示し、２００℃以上で硬化するものであることが好ましい。また、有機層は、加熱されると広がりやすいことから接触角が小さいことが好ましい。有機層は、例えば、熱可塑性樹脂等で構成される熱可塑性層であるが、有機層については後に詳細に説明する。
有機層２０の平均厚みｈｍは、１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以下であり、さらに好ましくは１μｍ以下である。有機層２０の平均厚みｈｍが上述の１０μｍ以下であれば、導体１４の突出部を保護し、かつ電子デバイスの接合の際に電極の周囲を充填する効果を十分に発揮できる。
有機層２０の平均厚みｈｍは、絶縁膜１２の表面１２ａからの平均距離、又は絶縁膜１２の裏面１２ｂからの平均距離である。上述の有機層２０の平均厚みｈｍは、樹脂層を異方導電性部材１０の厚み方向Ｄｔに切断し、走査電子顕微鏡を用いて切断断面の断面観察を行い、有機層に該当する、１０箇所について絶縁膜１２の表面１２ａからの距離を測定した場合の１０点の測定値の平均値である。また、有機層に該当する、１０箇所について絶縁膜１２の裏面１２ｂからの距離を測定した場合の１０点の測定値の平均値である。
［異方導電性部材の製造方法の第１の例～第７の例］
図９～１１は本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第１の例を工程順に示す模式的断面図である。図９～１１において、図１に示す異方導電性部材１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材の製造方法の第１の例では、まず、図９に示すように異方導電層１６を用意する。異方導電層１６は、絶縁膜１２と複数の導体１４とを有するものであり、異方導電性部材１０の有機層２０がない状態の構成である。異方導電層１６の製造方法は後に説明する。
図９～１１は本発明の実施形態の異方導電性部材の製造方法の第１の例を工程順に示す模式的断面図である。図９～１１において、図１に示す異方導電性部材１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材の製造方法の第１の例では、まず、図９に示すように異方導電層１６を用意する。異方導電層１６は、絶縁膜１２と複数の導体１４とを有するものであり、異方導電性部材１０の有機層２０がない状態の構成である。異方導電層１６の製造方法は後に説明する。
有機層を形成する工程においては、次に、図１０に示すように、絶縁膜１２の表面１２ａ及び裏面１２ｂに、均一な厚みのベース層２７を形成する。例えば、スピンコート法又は塗布法を用いて、ベース層２７を形成する。
ベース層２７は、最終的に有機層２０又は第１の層２１になるものである。このため、有機層２０又は第１の層２１は、ベース層２７と同じ材料で構成される。また、ベース層２７の厚みは、有機層２０の構成及び厚み等により決定される。
次に、ベース層２７にパターンエッチング処理を施し、部分的に厚みを変えて凹部２０ｃ（図１参照）と凸部２０ｄ（図１参照）とを形成する。これにより、図１に示す有機層２０が形成されて、異方導電性部材１０が得られる。パターンエッチング処理で有機層２０を形成する場合、有機層２０は感光性組成物で構成されることが好ましい。
パターンエッチング処理は、ベース層２７に応じた波長を光を露光光に用いて、パターン露光を行い、その後、現像処理を実施する工程である。
上述のように、例えば、ベース層２７にパターンエッチング処理を施し、有機層２０を形成する組成物の適用量を変えて有機層２０を形成している。有機層２０を形成する組成物とは、例えば、感光性組成物である。
ベース層２７は、最終的に有機層２０又は第１の層２１になるものである。このため、有機層２０又は第１の層２１は、ベース層２７と同じ材料で構成される。また、ベース層２７の厚みは、有機層２０の構成及び厚み等により決定される。
次に、ベース層２７にパターンエッチング処理を施し、部分的に厚みを変えて凹部２０ｃ（図１参照）と凸部２０ｄ（図１参照）とを形成する。これにより、図１に示す有機層２０が形成されて、異方導電性部材１０が得られる。パターンエッチング処理で有機層２０を形成する場合、有機層２０は感光性組成物で構成されることが好ましい。
パターンエッチング処理は、ベース層２７に応じた波長を光を露光光に用いて、パターン露光を行い、その後、現像処理を実施する工程である。
上述のように、例えば、ベース層２７にパターンエッチング処理を施し、有機層２０を形成する組成物の適用量を変えて有機層２０を形成している。有機層２０を形成する組成物とは、例えば、感光性組成物である。
また、異方導電性部材の製造方法の第１の例では、図１０に示すように、絶縁膜１２の表面１２ａ及び裏面１２ｂに、均一な厚みのベース層２７を形成した後、図１１に示すように、モールド２８をベース層２７に対向して配置する。モールド２８は、形成する有機層２０の表面形状に対応した凸部２８ａを有する。
例えば、ベース層２７をガラス転移温度以上に加熱した後、モールド２８をベース層２７に押し付け、図１に示す有機層２０を形成する。モールド２８の凸部２８ａにより凹部２０ｃ（図１参照）と凸部２０ｄ（図１参照）とが形成される。これにより、図１に示す有機層２０が形成されて、異方導電性部材１０が得られる。
上述のモールド２８を用いた有機層２０の形成方法は、ナノインプリント法と呼ばれる加工方法である。このように、例えば、ベース層２７にナノインプリント法を適用して、モールド２８に基づいて、ベース層２７を部分的に厚い部分と薄い部分とに分ける。すなわち、有機層２０を形成する組成物の適用量を変えて有機層２０を形成している。この場合、有機層２０を形成する組成物はベース層２７である。
例えば、ベース層２７をガラス転移温度以上に加熱した後、モールド２８をベース層２７に押し付け、図１に示す有機層２０を形成する。モールド２８の凸部２８ａにより凹部２０ｃ（図１参照）と凸部２０ｄ（図１参照）とが形成される。これにより、図１に示す有機層２０が形成されて、異方導電性部材１０が得られる。
上述のモールド２８を用いた有機層２０の形成方法は、ナノインプリント法と呼ばれる加工方法である。このように、例えば、ベース層２７にナノインプリント法を適用して、モールド２８に基づいて、ベース層２７を部分的に厚い部分と薄い部分とに分ける。すなわち、有機層２０を形成する組成物の適用量を変えて有機層２０を形成している。この場合、有機層２０を形成する組成物はベース層２７である。
また、異方導電性部材の製造方法の第２の例では、図１０に示すベース層２７が形成された異方導電層１６に対して、例えば、インクジェット法を用いて、図１２に示すようにベース層２７の表面２７ａに部分的に有機部材２２ａを点在させて形成する。これにより、第１の層２１と有機部材２２ａとの複合層２２（図３参照）が形成され、図３に示す異方導電性部材１０ａが形成される。この場合、ベース層２７は第１の層２１となるため、第１の層２１に応じた厚みに形成する。このように、例えば、インクジェット法を用いて、有機部材２２ａを点在させて形成し、有機層２０を形成する組成物の適用量を変えて有機層２０を形成している。この場合、有機層２０を形成する組成物は、有機部材２２ａである。
有機部材２２ａの大きさ、配置間隔及び配置範囲は、特に限定されるものでなく、適宜決定される。インクジェット法を用いて有機部材２２ａを点在させる場合、接合対象に応じて有機部材２２ａの配置密度を変えることができる。また、有機部材２２ａは第１の層２１よりも接触角が小さいことが好ましい。
有機部材２２ａの大きさ、配置間隔及び配置範囲は、特に限定されるものでなく、適宜決定される。インクジェット法を用いて有機部材２２ａを点在させる場合、接合対象に応じて有機部材２２ａの配置密度を変えることができる。また、有機部材２２ａは第１の層２１よりも接触角が小さいことが好ましい。
また、異方導電性部材の製造方法の第３の例では、図１０に示すベース層２７が形成された異方導電層１６に対して、図１３に示すようにベース層２７の表面２７ａに部分的に第２の層２３を形成する。これにより、ベース層２７と第２の層２３との多層構造の有機層２０（図４参照）が形成され、図４に示す異方導電性部材１０ｂが形成される。この場合、ベース層２７は第１の層２１となるため、第１の層２１に応じた厚みに形成する。また、第２の層２３はベース層２７よりも接触角が小さいことが好ましい。この場合、接触角が小さい層を、絶縁膜１２の反対側に形成して、部分的に厚みが異なる有機層２０が形成される。上述のように、ベース層２７の表面２７ａに部分的に第２の層２３を形成しており、有機層２０を形成する組成物の適用量を変えて有機層２０を形成している。この場合、有機層２０を形成する組成物は、第２の層２３である。
また、異方導電性部材の製造方法の第４の例では、図１３に示すようにベース層２７の表面２７ａに部分的に第２の層２３を形成するのではなく、図１４に示すように第１の層２１の全面に他の層２９を形成する。他の層２９は、ベース層２７と同様に、例えば、スピンコート法又は塗布法を用いて形成される。
次に、例えば、他の層２９をガラス転移温度以上に加熱した後、図１１に示すモールド２８を他の層２９に押し付けて第２の層２４（図５参照）を形成する。これにより、ベース層２７と第２の層２４との多層構造の有機層２０（図５参照）が形成され、図５に示す異方導電性部材１０ｃが得られる。この場合、ベース層２７は第１の層２１となるため、第１の層２１に応じた厚みに形成する。他の層２９は第２の層２４となるため、第２の層２４に応じた厚みに形成する。また、他の層２９はベース層２７よりも接触角が小さいことが好ましい。このように、例えば、他の層２９にナノインプリント法を適用して、モールド２８に基づいて、有機層２０を部分的に厚い部分と薄い部分とに分ける。すなわち、有機層２０を形成する組成物の適用量を変えて有機層２０を形成している。この場合、有機層２０を形成する組成物は他の層２９である。
異方導電性部材の製造方法の第４の例では、ベース層２７上に第２の層２４を、例えば、インクジェット法を用いて形成することもできる。
次に、例えば、他の層２９をガラス転移温度以上に加熱した後、図１１に示すモールド２８を他の層２９に押し付けて第２の層２４（図５参照）を形成する。これにより、ベース層２７と第２の層２４との多層構造の有機層２０（図５参照）が形成され、図５に示す異方導電性部材１０ｃが得られる。この場合、ベース層２７は第１の層２１となるため、第１の層２１に応じた厚みに形成する。他の層２９は第２の層２４となるため、第２の層２４に応じた厚みに形成する。また、他の層２９はベース層２７よりも接触角が小さいことが好ましい。このように、例えば、他の層２９にナノインプリント法を適用して、モールド２８に基づいて、有機層２０を部分的に厚い部分と薄い部分とに分ける。すなわち、有機層２０を形成する組成物の適用量を変えて有機層２０を形成している。この場合、有機層２０を形成する組成物は他の層２９である。
異方導電性部材の製造方法の第４の例では、ベース層２７上に第２の層２４を、例えば、インクジェット法を用いて形成することもできる。
異方導電性部材の製造方法の第５の例では、図９に示す異方導電層１６に対して、絶縁膜１２の表面１２ａ及び裏面１２ｂに、例えば、インクジェット法を用いて、傾斜部２０ｅを有する有機層２０（図６参照）を形成する。これにより、図６に示す異方導電性部材１０ｄが得られる。
このように異方導電性部材の製造方法の第５の例では、有機層を形成する工程は、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分との間を連続的に厚みを変化させて、上述のように傾斜部２０ｅを有する有機層２０（図６参照）を形成する。
異方導電性部材の製造方法の第５の例では、インクジェット法以外に、例えば、図１０に示すように異方導電層１６にベース層２７を形成する。次に、図１１に示すようにモールド２８を用いる。モールド２８は、傾斜部２０ｅに対応する凸部（図示せず）を有するものとする。ベース層２７を、ガラス転移温度以上に加熱した後、モールド２８をベース層２７に押し付けて、図１５に示すように傾斜部２０ｅを有する有機層２０を形成する。これにより、図６に示す異方導電性部材１０ｄが得られる。
このように異方導電性部材の製造方法の第５の例では、有機層を形成する工程は、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分とを、厚みが厚い部分と厚みが薄い部分との間を連続的に厚みを変化させて、上述のように傾斜部２０ｅを有する有機層２０（図６参照）を形成する。
異方導電性部材の製造方法の第５の例では、インクジェット法以外に、例えば、図１０に示すように異方導電層１６にベース層２７を形成する。次に、図１１に示すようにモールド２８を用いる。モールド２８は、傾斜部２０ｅに対応する凸部（図示せず）を有するものとする。ベース層２７を、ガラス転移温度以上に加熱した後、モールド２８をベース層２７に押し付けて、図１５に示すように傾斜部２０ｅを有する有機層２０を形成する。これにより、図６に示す異方導電性部材１０ｄが得られる。
異方導電性部材の製造方法の第６の例では、図１０に示すベース層２７が形成された異方導電層１６に対して、図１６に示すようにベース層２７の表面２７ａに、例えば、インクジェット法により部分的に第２の層２５を形成する。第２の層２５は、傾斜部２０ｅを有する。これにより、ベース層２７と第２の層２５との多層構造の有機層２０（図７参照）が形成され、図７に示す異方導電性部材１０ｅが得られる。この場合、ベース層２７は第１の層２１となるため、第１の層２１に応じた厚みに形成する。また、第２の層２５はベース層２７よりも接触角が小さいことが好ましい。
また、異方導電性部材の製造方法の第６の例では、図１０に示すベース層２７が形成された異方導電層１６に対して、例えば、図１４に示すようにベース層２７の全面に他の層２９を形成する。
次に、例えば、他の層２９をガラス転移温度以上に加熱した後、傾斜部２０ｅに対応する凸部（図示せず）を有するモールド２８を他の層２９に押し付けて第２の層２５を形成する。これにより、第１の層２１上の全面に第２の層２６（図８参照）が形成され、かつ傾斜部２０ｅを有する有機層２０（図８参照）が形成される。このようにして、図８に示す異方導電性部材１０ｆが得られる。
また、異方導電性部材の製造方法の第６の例では、図１０に示すベース層２７が形成された異方導電層１６に対して、例えば、図１４に示すようにベース層２７の全面に他の層２９を形成する。
次に、例えば、他の層２９をガラス転移温度以上に加熱した後、傾斜部２０ｅに対応する凸部（図示せず）を有するモールド２８を他の層２９に押し付けて第２の層２５を形成する。これにより、第１の層２１上の全面に第２の層２６（図８参照）が形成され、かつ傾斜部２０ｅを有する有機層２０（図８参照）が形成される。このようにして、図８に示す異方導電性部材１０ｆが得られる。
また、異方導電性部材の製造方法の第７の例では、図９に示す異方導電層１６に対して、絶縁膜１２の表面１２ａ及び裏面１２ｂに、例えば、インクジェット法により図１７に示す傾斜部３７ｂを有するベース層３７を形成する。ベース層３７は、インクジェット法以外に、上述の均一な厚みを有するベース層２７（図１０参照）にモールド２８（図１１参照）を押し付けるナノインプリント法、又はベース層２７（図１０参照）にパターンエッチング処理を施すことにより、傾斜部３７ｂを有するベース層３７を形成することができる。
次に、ベース層３７の表面３７ａに、例えば、インクジェット法又は塗布法を用いて、第２の層３８を形成する。この場合、第２の層３８の表面形状は、ベース層３７の表面形状を反映した形状となる。このようにして、第１の層２１と第２の層３８の多層構造であり、かつ傾斜部２０ｅを有する有機層２０を形成することもできる。この場合でも、第２の層３８はベース層３７よりも接触角が小さいことが好ましい。
図１０に示すように異方導電層１６の両面にベース層２７等を形成する場合、一方の面にベース層２７等を形成した後、スピンコート法を用いて、他方の面にベース層２７等を形成する場合、汚染抑止のため、多孔質のフッ素樹脂シート(ポリテトラフルオロエチレン製)を、異方導電層１６を一方の面側を設けてステージ（図示せず）に吸着することが好ましい。多孔質のフッ素樹脂シートには、例えば、中興化成工業株式会社製のＣ－Ｐｏｒｏｕｓ（登録商標）を用いることができる。
次に、ベース層３７の表面３７ａに、例えば、インクジェット法又は塗布法を用いて、第２の層３８を形成する。この場合、第２の層３８の表面形状は、ベース層３７の表面形状を反映した形状となる。このようにして、第１の層２１と第２の層３８の多層構造であり、かつ傾斜部２０ｅを有する有機層２０を形成することもできる。この場合でも、第２の層３８はベース層３７よりも接触角が小さいことが好ましい。
図１０に示すように異方導電層１６の両面にベース層２７等を形成する場合、一方の面にベース層２７等を形成した後、スピンコート法を用いて、他方の面にベース層２７等を形成する場合、汚染抑止のため、多孔質のフッ素樹脂シート(ポリテトラフルオロエチレン製)を、異方導電層１６を一方の面側を設けてステージ（図示せず）に吸着することが好ましい。多孔質のフッ素樹脂シートには、例えば、中興化成工業株式会社製のＣ－Ｐｏｒｏｕｓ（登録商標）を用いることができる。
［異方導電層の製造方法の一例］
図１９～図２５は本発明の実施形態の異方導電性部材を構成する異方導電層の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。なお、図１９～図２５において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０を構成する異方導電層１６の製造方法の一例では、図１に示す異方導電性部材１０において、絶縁膜１２がアルミニウムの陽極酸化膜で構成されるものを例にして説明する。アルミニウムの陽極酸化膜を形成するために、アルミニウム基板を用いる。このため、構造体の製造方法の一例では、まず、図１９に示すように、アルミニウム基板３０を用意する。
アルミニウム基板３０は、最終的に得られる異方導電性部材１０（図１参照）の絶縁膜１２の厚みｈｔ（図１参照）、加工する装置等に応じて大きさ及び厚みが適宜決定されるものである。アルミニウム基板３０は、例えば、矩形状の板材である。なお、アルミニウム基板に限定されるものではなく、電気的に絶縁な絶縁膜１２を形成できる金属基板を用いることができる。
図１９～図２５は本発明の実施形態の異方導電性部材を構成する異方導電層の製造方法の一例の一工程を示す模式的断面図である。なお、図１９～図２５において、図１に示す構成と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
異方導電性部材１０を構成する異方導電層１６の製造方法の一例では、図１に示す異方導電性部材１０において、絶縁膜１２がアルミニウムの陽極酸化膜で構成されるものを例にして説明する。アルミニウムの陽極酸化膜を形成するために、アルミニウム基板を用いる。このため、構造体の製造方法の一例では、まず、図１９に示すように、アルミニウム基板３０を用意する。
アルミニウム基板３０は、最終的に得られる異方導電性部材１０（図１参照）の絶縁膜１２の厚みｈｔ（図１参照）、加工する装置等に応じて大きさ及び厚みが適宜決定されるものである。アルミニウム基板３０は、例えば、矩形状の板材である。なお、アルミニウム基板に限定されるものではなく、電気的に絶縁な絶縁膜１２を形成できる金属基板を用いることができる。
次に、アルミニウム基板３０の片側の表面３０ａ（図１９参照）を陽極酸化処理する。これにより、アルミニウム基板３０の片側の表面３０ａ（図１９参照）が陽極酸化されて、図２０に示すように、アルミニウム基板３０の厚み方向Ｄｔに延在する複数の細孔１３を有する絶縁膜１２、すなわち、陽極酸化膜１５が形成される。各細孔１３の底部にはバリア層３１が存在する。上述の陽極酸化する工程を陽極酸化処理工程という。
複数の細孔１３を有する絶縁膜１２には、上述のようにそれぞれ細孔１３の底部にバリア層３１が存在するが、図２０に示すバリア層３１を除去する。これにより、バリア層３１のない、複数の細孔１３を有する絶縁膜１２（図２１参照）を得る。なお、上述のバリア層３１を除去する工程をバリア層除去工程という。
複数の細孔１３を有する絶縁膜１２には、上述のようにそれぞれ細孔１３の底部にバリア層３１が存在するが、図２０に示すバリア層３１を除去する。これにより、バリア層３１のない、複数の細孔１３を有する絶縁膜１２（図２１参照）を得る。なお、上述のバリア層３１を除去する工程をバリア層除去工程という。
バリア層除去工程において、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いることにより、絶縁膜１２のバリア層３１を除去すると同時に、細孔１３の底部３２ｃ（図２１参照）の面３２ｄ（図２１参照）に金属（金属Ｍ１）からなる金属層３５ａ（図２１参照）を形成する。これにより、細孔１３に露出したアルミニウム基板３０は金属層３５ａにより被覆される。これにより、細孔１３へめっきによる金属充填の際に、めっきが進行しやすくなり、細孔に金属が十分に充填されないことが抑制され、細孔への金属の未充填等が抑制され、導体１４の形成不良が抑制される。
なお、上述の金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液は更にアルミニウムイオン含有化合物（アルミン酸ソーダ、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム等）を含んでもよい。アルミニウムイオン含有化合物の含有量は、アルミニウムイオンの量に換算して０．１～２０ｇ／Ｌが好ましく、０．３～１２ｇ／Ｌがより好ましく、０．５～６ｇ／Ｌがさらに好ましい。
なお、上述の金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液は更にアルミニウムイオン含有化合物（アルミン酸ソーダ、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム等）を含んでもよい。アルミニウムイオン含有化合物の含有量は、アルミニウムイオンの量に換算して０．１～２０ｇ／Ｌが好ましく、０．３～１２ｇ／Ｌがより好ましく、０．５～６ｇ／Ｌがさらに好ましい。
次に、厚み方向Ｄｔに延在する複数の細孔１３を有する絶縁膜１２の表面１２ａからめっきを行う。この場合、金属層３５ａを電解めっきの電極として用いることができる。めっきには金属３５ｂを用い、細孔１３の底部３２ｃ（図２１参照）の面３２ｄ（図２１参照）に形成された金属層３５ａを起点にして、めっきが進行する。これにより、図２２に示すように、絶縁膜１２の細孔１３の内部に、導体１４を構成する金属３５ｂが充填される。細孔１３の内部に金属３５ｂを充填することにより、導電性を有する導体１４が形成される。なお、金属層３５ａと金属３５ｂとをまとめて充填した金属３５という。
絶縁膜１２の細孔１３に金属３５ｂを充填する工程を、金属充填工程という。上述のように、導体１４は金属で構成することに限定されるものではなく、導電性物質を用いることができる。金属充填工程には、電解めっきが用いられ、金属充填工程については後に詳細に説明する。なお、絶縁膜１２の表面１２ａが絶縁膜１２の一方の面に相当する。
金属充填工程の後に、図２３に示すように、金属充填工程の後に絶縁膜１２のアルミニウム基板３０が設けられていない側の表面１２ａを厚み方向Ｄｔに一部除去し、金属充填工程で充填した金属３５を絶縁膜１２の表面１２ａよりも突出させる。すなわち、導体１４を絶縁膜１２の表面１２ａよりも突出させる。これにより、突出部１４ａが得られる。導体１４を絶縁膜１２の表面１２ａよりも突出させる工程を、表面金属突出工程という。
表面金属突出工程の後に、図２４に示すようにアルミニウム基板３０を除去する。アルミニウム基板３０を除去する工程を基板除去工程という。
絶縁膜１２の細孔１３に金属３５ｂを充填する工程を、金属充填工程という。上述のように、導体１４は金属で構成することに限定されるものではなく、導電性物質を用いることができる。金属充填工程には、電解めっきが用いられ、金属充填工程については後に詳細に説明する。なお、絶縁膜１２の表面１２ａが絶縁膜１２の一方の面に相当する。
金属充填工程の後に、図２３に示すように、金属充填工程の後に絶縁膜１２のアルミニウム基板３０が設けられていない側の表面１２ａを厚み方向Ｄｔに一部除去し、金属充填工程で充填した金属３５を絶縁膜１２の表面１２ａよりも突出させる。すなわち、導体１４を絶縁膜１２の表面１２ａよりも突出させる。これにより、突出部１４ａが得られる。導体１４を絶縁膜１２の表面１２ａよりも突出させる工程を、表面金属突出工程という。
表面金属突出工程の後に、図２４に示すようにアルミニウム基板３０を除去する。アルミニウム基板３０を除去する工程を基板除去工程という。
次に、図２５に示すように、基板除去工程の後に絶縁膜１２のアルミニウム基板３０が設けられていた側の面、すなわち、裏面１２ｂを厚み方向Ｄｔに一部除去し、金属充填工程で充填した金属３５、すなわち、導体１４を絶縁膜１２の裏面１２ｂよりも突出させる。これにより、突出部１４ｂが得られる。このようにして、異方導電層１６が得られる。
上述の表面金属突出工程及び裏面金属突出工程は、両方の工程を有する態様であってもよいが、表面金属突出工程及び裏面金属突出工程のうち、一方の工程を有する態様であってもよい。表面金属突出工程及び裏面金属突出工程が「突出工程」に該当しており、表面金属突出工程及び裏面金属突出工程はいずれも突出工程である。
図２５に示すように、絶縁膜１２の表面１２ａ及び裏面１２ｂから、それぞれ導体１４が突出しており、突出部１４ａと突出部１４ｂとを有する。
なお、異方導電層１６において、絶縁膜１２の裏面１２ｂから導体１４を突出させない構成の場合、図２４に示す状態が異方導電層１６である。
上述の表面金属突出工程及び裏面金属突出工程は、両方の工程を有する態様であってもよいが、表面金属突出工程及び裏面金属突出工程のうち、一方の工程を有する態様であってもよい。表面金属突出工程及び裏面金属突出工程が「突出工程」に該当しており、表面金属突出工程及び裏面金属突出工程はいずれも突出工程である。
図２５に示すように、絶縁膜１２の表面１２ａ及び裏面１２ｂから、それぞれ導体１４が突出しており、突出部１４ａと突出部１４ｂとを有する。
なお、異方導電層１６において、絶縁膜１２の裏面１２ｂから導体１４を突出させない構成の場合、図２４に示す状態が異方導電層１６である。
上述のバリア層除去工程において、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いてバリア層を除去することにより、バリア層３１を除去するだけでなく、細孔１３の底部に露出したアルミニウム基板３０にアルミニウムよりも水素ガスが発生しにくい金属Ｍ１の金属層３５ａが形成される。その結果、金属充填の面内均一性が良好となる。これは、めっき液による水素ガスの発生が抑制され、電解めっきによる金属充填が進行しやすくなったと考えられる。
また、バリア層除去工程において、陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される電圧（保持電圧）の９５％以上１０５％以下の電圧に通算５分以上保持する保持工程を設け、金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を適用することを組み合わせることにより、めっき処理時の金属充填の均一性が大きく良化することを見出している。このため、保持工程があることが好ましい。
詳しいメカニズムは不明だが、バリア層除去工程において、金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いることでバリア層下部に金属Ｍ１の層が形成され、これによりアルミニウム基板と陽極酸化膜との界面がダメージを受けることを抑制することができ、バリア層の溶解の均一性が向上したためと考えられる。
また、バリア層除去工程において、陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される電圧（保持電圧）の９５％以上１０５％以下の電圧に通算５分以上保持する保持工程を設け、金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を適用することを組み合わせることにより、めっき処理時の金属充填の均一性が大きく良化することを見出している。このため、保持工程があることが好ましい。
詳しいメカニズムは不明だが、バリア層除去工程において、金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いることでバリア層下部に金属Ｍ１の層が形成され、これによりアルミニウム基板と陽極酸化膜との界面がダメージを受けることを抑制することができ、バリア層の溶解の均一性が向上したためと考えられる。
なお、バリア層除去工程において、細孔１３の底部に金属（金属Ｍ１）からなる金属層３５ａを形成したが、これに限定されるものではなく、バリア層３１だけを除去し、細孔１３の底にアルミニウム基板３０を露出させる。アルミニウム基板３０を露出させた状態で、アルミニウム基板３０を電解めっきの電極として用いてもよい。
〔陽極酸化膜〕
陽極酸化膜は、上述のように、所望の平均径を有する細孔が形成され、導体を形成しやすいという理由から、例えば、アルミニウムの陽極酸化膜が用いられる。しかしながら、アルミニウムの陽極酸化膜に限定されるものではなく、バルブ金属の陽極酸化膜を用いることができる。このため、金属基板は、バルブ金属が用いられる。
ここで、バルブ金属としては、具体的には、例えば、上述のアルミニウム、これ以外に、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜であることが好ましい。このため、アルミニウム基板を用いて、構造体を製造することが好ましい。
陽極酸化膜の厚みは、上述の絶縁膜１２の厚みｈｔと同じである。
陽極酸化膜は、上述のように、所望の平均径を有する細孔が形成され、導体を形成しやすいという理由から、例えば、アルミニウムの陽極酸化膜が用いられる。しかしながら、アルミニウムの陽極酸化膜に限定されるものではなく、バルブ金属の陽極酸化膜を用いることができる。このため、金属基板は、バルブ金属が用いられる。
ここで、バルブ金属としては、具体的には、例えば、上述のアルミニウム、これ以外に、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜であることが好ましい。このため、アルミニウム基板を用いて、構造体を製造することが好ましい。
陽極酸化膜の厚みは、上述の絶縁膜１２の厚みｈｔと同じである。
〔金属基板〕
金属基板は、構造体の製造に用いられるものであり、陽極酸化膜を形成するための基板である。金属基板は、例えば、上述のように、陽極酸化膜が形成できる金属基板が用いられ、上述のバルブ金属で構成されるものを用いることができる。例えば、金属基板には、上述のように、陽極酸化膜として陽極酸化膜を形成しやすいという理由から、アルミニウム基板が用いられる。
金属基板は、構造体の製造に用いられるものであり、陽極酸化膜を形成するための基板である。金属基板は、例えば、上述のように、陽極酸化膜が形成できる金属基板が用いられ、上述のバルブ金属で構成されるものを用いることができる。例えば、金属基板には、上述のように、陽極酸化膜として陽極酸化膜を形成しやすいという理由から、アルミニウム基板が用いられる。
〔アルミニウム基板〕
絶縁膜１２を形成するために用いられるアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
絶縁膜１２を形成するために用いられるアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
アルミニウム基板のうち、陽極酸化処理により陽極酸化膜を形成する片側の表面は、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であることが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上述の範囲であると、マイクロポア配列の規則性が十分となる。
アルミニウム基板は、陽極酸化膜を形成することができれば、特に限定されるものでなく、例えば、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） １０５０材が用いられる。
アルミニウム基板は、陽極酸化膜を形成することができれば、特に限定されるものでなく、例えば、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards） １０５０材が用いられる。
アルミニウム基板のうち陽極酸化処理される片側の表面は、予め熱処理、脱脂処理及び鏡面仕上げ処理が施されていることが好ましい。
ここで、熱処理、脱脂処理及び鏡面仕上げ処理については、特開２００８－２７０１５８号公報の［００４４］～［００５４］段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
陽極酸化処理の前の鏡面仕上げ処理は、例えば、電解研磨であり、電解研磨には、例えば、リン酸を含有する電解研磨液が用いられる。
ここで、熱処理、脱脂処理及び鏡面仕上げ処理については、特開２００８－２７０１５８号公報の［００４４］～［００５４］段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
陽極酸化処理の前の鏡面仕上げ処理は、例えば、電解研磨であり、電解研磨には、例えば、リン酸を含有する電解研磨液が用いられる。
〔陽極酸化処理工程〕
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、構造体の異方導電性を担保する観点から、自己規則化法又は定電圧処理を用いることが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法及び定電圧処理については、特開２００８－２７０１５８号公報の［００５６］～［０１０８］段落及び［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、構造体の異方導電性を担保する観点から、自己規則化法又は定電圧処理を用いることが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法及び定電圧処理については、特開２００８－２７０１５８号公報の［００５６］～［０１０８］段落及び［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
〔保持工程〕
構造体の製造方法は保持工程を有してもよい。保持工程は、上述の陽極酸化処理工程の後に、１Ｖ以上かつ上述の陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧に通算５分以上保持する工程である。言い換えると、保持工程は、上述の陽極酸化処理工程の後に、１Ｖ以上かつ上述の陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧で通算５分以上電解処理を施す工程である。
ここで、「陽極酸化処理における電圧」とは、アルミニウムと対極間に印加する電圧であり、例えば、陽極酸化処理による電解時間が３０分であれば、３０分の間に保たれている電圧の平均値をいう。
構造体の製造方法は保持工程を有してもよい。保持工程は、上述の陽極酸化処理工程の後に、１Ｖ以上かつ上述の陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧に通算５分以上保持する工程である。言い換えると、保持工程は、上述の陽極酸化処理工程の後に、１Ｖ以上かつ上述の陽極酸化処理工程における電圧の３０％未満の範囲から選択される保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧で通算５分以上電解処理を施す工程である。
ここで、「陽極酸化処理における電圧」とは、アルミニウムと対極間に印加する電圧であり、例えば、陽極酸化処理による電解時間が３０分であれば、３０分の間に保たれている電圧の平均値をいう。
陽極酸化膜の側壁厚み、すなわち、細孔の深さに対してバリア層の厚みを適切な厚みに制御する観点から、保持工程における電圧が、陽極酸化処理における電圧の５％以上２５％以下であることが好ましく、５％以上２０％以下であることがより好ましい。
また、面内均一性がより向上する理由から、保持工程における保持時間の合計が、５分以上２０分以下であることが好ましく、５分以上１５分以下であることがより好ましく、５分以上１０分以下であることが更に好ましい。
また、保持工程における保持時間は、通算５分以上であればよいが、連続５分以上であることが好ましい。
また、保持工程における保持時間は、通算５分以上であればよいが、連続５分以上であることが好ましい。
更に、保持工程における電圧は、陽極酸化処理工程における電圧から保持工程における電圧まで連続的又は段階的に降下させて設定してもよいが、面内均一性が更に向上する理由から、陽極酸化処理工程の終了後、１秒以内に、上述の保持電圧の９５％以上１０５％以下の電圧に設定することが好ましい。
上述の保持工程は、例えば、上述の陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、上述の陽極酸化処理工程と連続して行うこともできる。
上述の保持工程は、電解電位以外の条件については、上述の従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液及び処理条件を採用することができる。
特に、保持工程と陽極酸化処理工程とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理することが好ましい。
上述の保持工程は、電解電位以外の条件については、上述の従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液及び処理条件を採用することができる。
特に、保持工程と陽極酸化処理工程とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理することが好ましい。
複数のマイクロポアを有する陽極酸化膜には、上述のようにマイクロポアの底部にバリア層（図示せず）が存在する。このバリア層を除去するバリア層除去工程を有する。
〔バリア層除去工程〕
バリア層除去工程は、例えば、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いて、陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。
上述のバリア層除去工程により、バリア層が除去され、かつ、マイクロポアの底部に、金属Ｍ１からなる導電体層が形成されることになる。
ここで、水素過電圧（hydrogen overvoltage）とは、水素が発生するのに必要な電圧をいい、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の水素過電圧は－１．６６Ｖである（日本化学会誌，１９８２、（８），ｐ１３０５－１３１３）。なお、アルミニウムの水素過電圧よりも高い金属Ｍ１の例及びその水素過電圧の値を以下に示す。
＜金属Ｍ１及び水素（１Ｎ Ｈ2ＳＯ4）過電圧＞
・白金（Ｐｔ）：０．００Ｖ
・金（Ａｕ）：０．０２Ｖ
・銀（Ａｇ）：０．０８Ｖ
・ニッケル（Ｎｉ）：０．２１Ｖ
・銅（Ｃｕ）：０．２３Ｖ
・錫（Ｓｎ）：０．５３Ｖ
・亜鉛（Ｚｎ）：０．７０Ｖ
バリア層除去工程は、例えば、アルミニウムよりも水素過電圧の高い金属Ｍ１のイオンを含むアルカリ水溶液を用いて、陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。
上述のバリア層除去工程により、バリア層が除去され、かつ、マイクロポアの底部に、金属Ｍ１からなる導電体層が形成されることになる。
ここで、水素過電圧（hydrogen overvoltage）とは、水素が発生するのに必要な電圧をいい、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の水素過電圧は－１．６６Ｖである（日本化学会誌，１９８２、（８），ｐ１３０５－１３１３）。なお、アルミニウムの水素過電圧よりも高い金属Ｍ１の例及びその水素過電圧の値を以下に示す。
＜金属Ｍ１及び水素（１Ｎ Ｈ2ＳＯ4）過電圧＞
・白金（Ｐｔ）：０．００Ｖ
・金（Ａｕ）：０．０２Ｖ
・銀（Ａｇ）：０．０８Ｖ
・ニッケル（Ｎｉ）：０．２１Ｖ
・銅（Ｃｕ）：０．２３Ｖ
・錫（Ｓｎ）：０．５３Ｖ
・亜鉛（Ｚｎ）：０．７０Ｖ
細孔１３は、マイクロポアを拡径し、かつバリア層を除去して形成することもできる。この場合、マイクロポアの拡径には、ポアワイド処理が用いられる。ポアワイド処理は、陽極酸化膜を、酸水溶液又はアルカリ水溶液に浸漬させることにより、陽極酸化膜を溶解させ、マイクロポアの孔径を拡大する処理である、ポアワイド処理には、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸又はこれらの混合物の水溶液、又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウム等の水溶液を用いることができる。
なお、ポアワイド処理でも、マイクロポアの底部のバリア層を除去することができ、ポアワイド処理において水酸化ナトリウム水溶液を用いることにより、マイクロポアが拡径され、かつバリア層が除去される。
なお、ポアワイド処理でも、マイクロポアの底部のバリア層を除去することができ、ポアワイド処理において水酸化ナトリウム水溶液を用いることにより、マイクロポアが拡径され、かつバリア層が除去される。
〔金属充填工程〕
＜金属充填工程に用いられる金属＞
金属充填工程において、導体を形成するために、上述の細孔１３の内部に導電体として充填される金属、及び金属層を構成する金属は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。上述の金属の具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び亜鉛（Ｚｎ）が好適に例示される。
なお、導電体としては、電気伝導性、及びめっき法による形成の観点から、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）が好ましく、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）がより好ましく、銅（Ｃｕ）が更に好ましい。
＜金属充填工程に用いられる金属＞
金属充填工程において、導体を形成するために、上述の細孔１３の内部に導電体として充填される金属、及び金属層を構成する金属は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。上述の金属の具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び亜鉛（Ｚｎ）が好適に例示される。
なお、導電体としては、電気伝導性、及びめっき法による形成の観点から、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）が好ましく、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）がより好ましく、銅（Ｃｕ）が更に好ましい。
＜めっき法＞
細孔の内部に金属を充填するめっき法としては、例えば、電解めっき法又は無電解めっき法を用いることができる。
ここで、着色等に用いられる従来公知の電解めっき法では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行なってもめっきが成長しないためと考えられる。
そのため、電解めっき法により金属を充填する場合は、パルス電解又は定電位電解の際に休止時間をもうける必要がある。休止時間は、１０秒以上必要で、３０～６０秒であることが好ましい。
また、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
細孔の内部に金属を充填するめっき法としては、例えば、電解めっき法又は無電解めっき法を用いることができる。
ここで、着色等に用いられる従来公知の電解めっき法では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行なってもめっきが成長しないためと考えられる。
そのため、電解めっき法により金属を充填する場合は、パルス電解又は定電位電解の際に休止時間をもうける必要がある。休止時間は、１０秒以上必要で、３０～６０秒であることが好ましい。
また、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
更に、電解電圧は、通常２０Ｖ以下であって望ましくは１０Ｖ以下であるが、使用する電解液における目的金属の析出電位を予め測定し、その電位＋１Ｖ以内で定電位電解を行なうことが好ましい。なお、定電位電解を行なう際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社、ＢＡＳ株式会社、北斗電工株式会社、ＩＶＩＵＭ社等のポテンショスタット装置を用いることができる。
（めっき液）
めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１～３００ｇ／Ｌであることが好ましく、１００～２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０～２０ｇ／Ｌであることが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっきを行なうのが望ましい。
めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１～３００ｇ／Ｌであることが好ましく、１００～２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０～２０ｇ／Ｌであることが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっきを行なうのが望ましい。
めっき液は、界面活性剤を含むことが好ましい。
界面活性剤としては公知のものを使用することができる。従来メッキ液に添加する界面活性剤として知られているラウリル硫酸ナトリウムをそのまま使用することもできる。親水性部分がイオン性（カチオン性・アニオン性・双性）のもの、非イオン性（ノニオン性）のものいずれも利用可能であるが、メッキ対象物表面への気泡の発生等を回避する点でカチオン線活性剤が望ましい。めっき液組成における界面活性剤の濃度は１質量％以下であることが望ましい。
なお、無電解めっき法では、アスペクトの高い細孔からなる孔中に金属を完全に充填には長時間を要するので、電解めっき法を用いて細孔に金属を充填することが望ましい。
界面活性剤としては公知のものを使用することができる。従来メッキ液に添加する界面活性剤として知られているラウリル硫酸ナトリウムをそのまま使用することもできる。親水性部分がイオン性（カチオン性・アニオン性・双性）のもの、非イオン性（ノニオン性）のものいずれも利用可能であるが、メッキ対象物表面への気泡の発生等を回避する点でカチオン線活性剤が望ましい。めっき液組成における界面活性剤の濃度は１質量％以下であることが望ましい。
なお、無電解めっき法では、アスペクトの高い細孔からなる孔中に金属を完全に充填には長時間を要するので、電解めっき法を用いて細孔に金属を充填することが望ましい。
〔基板除去工程〕
基板除去工程は、金属充填工程の後に、上述のアルミニウム基板を除去する工程である。アルミニウム基板を除去する方法は特に限定されず、例えば、溶解により除去する方法等が好適に挙げられる。
基板除去工程は、金属充填工程の後に、上述のアルミニウム基板を除去する工程である。アルミニウム基板を除去する方法は特に限定されず、例えば、溶解により除去する方法等が好適に挙げられる。
＜アルミニウム基板の溶解＞
上述のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化膜を溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いることが好ましい。
このような処理液は、アルミニウムに対する溶解速度が、１μｍ／分以上であることが好ましく、３μｍ／分以上であることがより好ましく、５μｍ／分以上であることが更に好ましい。同様に、陽極酸化膜に対する溶解速度が、０．１ｎｍ／分以下となることが好ましく、０．０５ｎｍ／分以下となるのがより好ましく、０．０１ｎｍ／分以下となるのが更に好ましい。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨ（水素イオン指数）が４以下又は８以上となる処理液であることが好ましく、そのｐＨが３以下又は９以上であることがより好ましく、２以下又は１０以上であることが更に好ましい。
上述のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化膜を溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いることが好ましい。
このような処理液は、アルミニウムに対する溶解速度が、１μｍ／分以上であることが好ましく、３μｍ／分以上であることがより好ましく、５μｍ／分以上であることが更に好ましい。同様に、陽極酸化膜に対する溶解速度が、０．１ｎｍ／分以下となることが好ましく、０．０５ｎｍ／分以下となるのがより好ましく、０．０１ｎｍ／分以下となるのが更に好ましい。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨ（水素イオン指数）が４以下又は８以上となる処理液であることが好ましく、そのｐＨが３以下又は９以上であることがより好ましく、２以下又は１０以上であることが更に好ましい。
アルミニウムを溶解する処理液としては、酸又はアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物（例えば、塩化白金酸）、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであることが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドすることが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、アルミニウムを溶解する処理液の組成は、特に限定されるものではく、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、及び王水等を用いることができる。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドすることが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、アルミニウムを溶解する処理液の組成は、特に限定されるものではく、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、及び王水等を用いることができる。
また、アルミニウムを溶解する処理液の酸又はアルカリ濃度は、０．０１～１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５～５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
更に、アルミニウムを溶解する処理液を用いた処理温度は、－１０℃～８０℃が好ましく、０℃～６０℃が好ましい。
更に、アルミニウムを溶解する処理液を用いた処理温度は、－１０℃～８０℃が好ましく、０℃～６０℃が好ましい。
また、上述のアルミニウム基板の溶解は、上述のめっき工程後のアルミニウム基板を上述の処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸漬法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒～５時間が好ましく、１分～３時間がより好ましい。
なお、絶縁膜１２に、例えば、支持体を設けてもよい。支持体は絶縁膜１２と同じ外形状であることが好ましい。支持体を取り付けることにより、取扱い性が増す。
〔突出工程〕
上述の絶縁膜１２の一部除去には、例えば、導体１４を構成する金属を溶解せず、絶縁膜１２、すなわち、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を溶解する酸水溶液又はアルカリ水溶液が用いられる。上述の酸水溶液又はアルカリ水溶液を、金属が充填された細孔１３を有する絶縁膜１２に接触させることにより、絶縁膜１２を一部除去する。上述の酸水溶液又はアルカリ水溶液を絶縁膜１２に接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法及びスプレー法が挙げられる。中でも浸漬法が好ましい。
上述の絶縁膜１２の一部除去には、例えば、導体１４を構成する金属を溶解せず、絶縁膜１２、すなわち、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を溶解する酸水溶液又はアルカリ水溶液が用いられる。上述の酸水溶液又はアルカリ水溶液を、金属が充填された細孔１３を有する絶縁膜１２に接触させることにより、絶縁膜１２を一部除去する。上述の酸水溶液又はアルカリ水溶液を絶縁膜１２に接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸漬法及びスプレー法が挙げられる。中でも浸漬法が好ましい。
酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸及び塩酸等の無機酸又はこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でもクロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１～１０質量％であることが好ましい。酸水溶液の温度は、２５～６０℃であることが好ましい。
また、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１～５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０～３５℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液又は０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
また、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１～５質量％であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０～３５℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液又は０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液又はアルカリ水溶液への浸漬時間は、８～１２０分であることが好ましく、１０～９０分であるのがより好ましく、１５～６０分であるのが更に好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。
また、金属３５、すなわち、導体１４を絶縁膜１２の表面１２ａ又は裏面１２ｂより突出させる程度であるが、導体１４を絶縁膜１２の表面１２ａ又は裏面１２ｂよりも１０ｎｍ～１０００ｎｍ突出させることが好ましく、５０ｎｍ～５００ｎｍ突出させることがより好ましい。すなわち、突出部１４ａの表面１２ａからの突出量、突出部１４ｂの裏面１２ｂからの導体１４の突出量は、それぞれ１０ｎｍ～１０００ｎｍが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。
導体１４の突出部１４ａ，１４ｂの高さは、突出部１４ａの平均突出長さｈａ及び突出部１４ｂの平均長さｈｂと同じである。
導体１４の突出部１４ａ，１４ｂの高さは、突出部１４ａの平均突出長さｈａ及び突出部１４ｂの平均長さｈｂと同じである。
導体１４の突出部の高さを厳密に制御する場合は、細孔１３の内部に、金属等の導電性物質を充填した後、絶縁膜１２と、金属等の導電性物質の端部とを同一平面状になるように加工した後、陽極酸化膜を選択的に除去することが好ましい。
また、上述の金属の充填後、又は突出工程の後に、金属の充填に伴い発生した導体１４内の歪みを軽減する目的で、加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも、気体密度及び気圧のうち、少なくとも一方が低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、絶縁膜１２に応力を加えながら行うことが好ましい。
また、上述の金属の充填後、又は突出工程の後に、金属の充填に伴い発生した導体１４内の歪みを軽減する目的で、加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも、気体密度及び気圧のうち、少なくとも一方が低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、絶縁膜１２に応力を加えながら行うことが好ましい。
［構造体の一例］
構造体は、異方導電性部材に、複数の電子デバイスが電気的に接続されたものである。複数の電子デバイスは、異方導電性部材に電気的に接続される電極を複数有し、複数の電子デバイスは、それぞれ電極の高さ、幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つが異なる構成である。
電子デバイスの電極の高さ、幅及び電極間距離は、電子デバイスの仕様書又は実測により特定される。実測の場合、例えば、レーザー顕微鏡、又は実体顕微鏡を用いて、電極を拡大して、電極の高さ、幅及び電極間距離を測定する。
複数の電子デバイスは、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なってもよい。また、複数の電子デバイスは、それぞれ厚さが異なってもよい。
電子デバイスの機能とは、電子デバイスの動作により区別され、機能としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等の演算、メモリ等の記憶、コンバータ等の変換、フィルタ、及びセンシング等が挙げられる。また、これらの機能が１つのチップ又はユニットにまとめられた場合には、まとめられた状態で機能が特定される。特定された機能が異なる場合には、異なる電子デバイスである。
半導体種とは、半導体を構成する組成のことであり、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム、ダイヤモンド、シリコン（Ｓｉ）、及びガリウムひ素（ＧａＡｓ）等である。
複数の電子デバイスの厚さは、電子デバイスの電極のうち、外部と接触する端面から、電子デバイスの電極の反対側の端面迄の長さである。例えば、後述の図２７の半導体メモリ５２では、電極５２ａの端面５２ｃから電極５２ａの反対側の端面５２ｄ迄の長さである。センサー５３では、電極５３ａの端面５３ｃから電極５３ａの反対側の端面５３ｄ迄の長さである。センサー５３は半導体メモリ５２よりも厚い構成である。
構造体は、異方導電性部材に、複数の電子デバイスが電気的に接続されたものである。複数の電子デバイスは、異方導電性部材に電気的に接続される電極を複数有し、複数の電子デバイスは、それぞれ電極の高さ、幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つが異なる構成である。
電子デバイスの電極の高さ、幅及び電極間距離は、電子デバイスの仕様書又は実測により特定される。実測の場合、例えば、レーザー顕微鏡、又は実体顕微鏡を用いて、電極を拡大して、電極の高さ、幅及び電極間距離を測定する。
複数の電子デバイスは、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なってもよい。また、複数の電子デバイスは、それぞれ厚さが異なってもよい。
電子デバイスの機能とは、電子デバイスの動作により区別され、機能としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等の演算、メモリ等の記憶、コンバータ等の変換、フィルタ、及びセンシング等が挙げられる。また、これらの機能が１つのチップ又はユニットにまとめられた場合には、まとめられた状態で機能が特定される。特定された機能が異なる場合には、異なる電子デバイスである。
半導体種とは、半導体を構成する組成のことであり、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム、ダイヤモンド、シリコン（Ｓｉ）、及びガリウムひ素（ＧａＡｓ）等である。
複数の電子デバイスの厚さは、電子デバイスの電極のうち、外部と接触する端面から、電子デバイスの電極の反対側の端面迄の長さである。例えば、後述の図２７の半導体メモリ５２では、電極５２ａの端面５２ｃから電極５２ａの反対側の端面５２ｄ迄の長さである。センサー５３では、電極５３ａの端面５３ｃから電極５３ａの反対側の端面５３ｄ迄の長さである。センサー５３は半導体メモリ５２よりも厚い構成である。
図２６は本発明の実施形態の構造体の第１の例を示す模式図であり、図２７は本発明の実施形態の構造体の第２の例を示す模式図である。
例えば、図２６に示すように構造体４０は、複数の半導体メモリ４２が異方導電性部材１０により積層方向Ｄｓに積層されて電気的に接続されている。また、ＣＰＵ４４が、半導体メモリ４２とは異なる異方導電性部材１０の一方の面に電気的に接続されている。ＣＰＵ４４が電気的に接続された異方導電性部材１０の他方の面に、センサー４５と、ＲＦ（Radio Frequency）デバイス４６とが並べて電気的に接続されている。
また、ＣＰＵ４４は、配線基板４７上に異方導電性部材１０を介して電気的に接続されている。半導体メモリ４２の積層体も、配線基板４７上に異方導電性部材１０を介して電気的に接続されている。このように構造体４０では、異方導電性部材に、複数の電子デバイスが電気的に接続されている。半導体メモリ４２と、ＣＰＵ４４と、センサー４５と、ＲＦデバイス４６とが電気的に接続されされており、例えば、構造体４０は、通信モジュールとして機能する。
例えば、図２６に示すように構造体４０は、複数の半導体メモリ４２が異方導電性部材１０により積層方向Ｄｓに積層されて電気的に接続されている。また、ＣＰＵ４４が、半導体メモリ４２とは異なる異方導電性部材１０の一方の面に電気的に接続されている。ＣＰＵ４４が電気的に接続された異方導電性部材１０の他方の面に、センサー４５と、ＲＦ（Radio Frequency）デバイス４６とが並べて電気的に接続されている。
また、ＣＰＵ４４は、配線基板４７上に異方導電性部材１０を介して電気的に接続されている。半導体メモリ４２の積層体も、配線基板４７上に異方導電性部材１０を介して電気的に接続されている。このように構造体４０では、異方導電性部材に、複数の電子デバイスが電気的に接続されている。半導体メモリ４２と、ＣＰＵ４４と、センサー４５と、ＲＦデバイス４６とが電気的に接続されされており、例えば、構造体４０は、通信モジュールとして機能する。
上述のように構造体４０の複数の電子デバイスは、電極の高さ、電極の幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つが異なる。例えば、センサー４５の電極４５ａは、ＲＦデバイス４６の電極４６ａによりも電極幅が広い。ＣＰＵ４４は、電極４４ａと電極４４ｂとを有するが、電極４４ａの方が電極４４ｂよりも電極幅が広い。
また、図２７に示すように構造体５０は、異方導電性部材１０の表面１１ａに半導体メモリ５２と、センサー５３とが並べて電気的に接続されている。半導体メモリ５２の電極５２ａ、５２ｂの周囲に樹脂層５９が充填され、センサー５３の電極５３ａの周囲に樹脂層５９が充填されている。異方導電性部材１０の裏面１１ｂにＣＰＵ５４が電気的に接続されている。ＣＰＵ５４の電極５４ａ、５４ｂ、５４ｃの周囲に樹脂層５９が充填されている。樹脂層５９は有機層２０により構成されたものである。図２７に示すように構造体５０は、半導体メモリ５２及びセンサー５３が、ＣＰＵ５４と積層方向Ｄｓに積層されている。
半導体メモリ５２は、電極５２ａと、電極５２ｂとを有するが、電極５２ａが電極５２ｂよりも電極幅が狭い。センサー５３の電極５３ａは、半導体メモリ５２の電極５２ａ、５２ｂのいずれよりも、電極幅が広く、かつ電極高さも高い。上述のようにセンサー５３は半導体メモリ５２よりも厚い構成である。
ＣＰＵ５４は、電極５４ａと、電極５４ｂと、電極５４ｃとを有する。電極５４ａ、電極５４ｂ及び電極５４ｃは電極高さは同じであるが、電極５４ａが電極５４ｂ及び電極５４ｃよりも電極幅が狭く、電極５４ｃが電極幅が最も広い。
なお、図２６に示す構造体４０及び図２７に示す構造体５０において、異方導電性部材１０に限定されるものではなく、他の異方導電性部材１０ａ～１０ｆを用いることもできる。
半導体メモリ５２は、電極５２ａと、電極５２ｂとを有するが、電極５２ａが電極５２ｂよりも電極幅が狭い。センサー５３の電極５３ａは、半導体メモリ５２の電極５２ａ、５２ｂのいずれよりも、電極幅が広く、かつ電極高さも高い。上述のようにセンサー５３は半導体メモリ５２よりも厚い構成である。
ＣＰＵ５４は、電極５４ａと、電極５４ｂと、電極５４ｃとを有する。電極５４ａ、電極５４ｂ及び電極５４ｃは電極高さは同じであるが、電極５４ａが電極５４ｂ及び電極５４ｃよりも電極幅が狭く、電極５４ｃが電極幅が最も広い。
なお、図２６に示す構造体４０及び図２７に示す構造体５０において、異方導電性部材１０に限定されるものではなく、他の異方導電性部材１０ａ～１０ｆを用いることもできる。
［構造体の製造方法の一例］
図２８は本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例を示す模式図である。
構造体の製造方法では、図２８に示すように異方導電性部材１０を用意する。有機層２０は、厚みが異なる部分２０ｂを有し、凹部２０ｃと凸部２０ｄとを有する。異方導電性部材１０は、表面２０ａが露出した状態で電子デバイスと接合される。
第１の電子デバイス５６と、第２の電子デバイス５７とを、異方導電性部材１０の表面１１ａに接合する場合、第１の電子デバイス５６よりも第２の電子デバイス５７の方が電極５７ａの高さが高い。このため、有機層２０の凹部２０ｃに対向して第１の電子デバイス５６を載置し、凸部２０ｄに対向して第２の電子デバイス５７を載置する。
第３の電子デバイス５８を異方導電性部材１０の裏面１１ｂに接合するが、第３の電子デバイス５８の電極５８ａと、電極５８ｂと、電極５４ｃとは電極高さは同じであるため、異方導電性部材１０の裏面１１ｂ側の有機層２０は厚みが均一である。
異方導電性部材１０の裏面１１ｂ側の有機層２０に対向して第３の電子デバイス５８を載置する。
図２８は本発明の実施形態の構造体の製造方法の一例を示す模式図である。
構造体の製造方法では、図２８に示すように異方導電性部材１０を用意する。有機層２０は、厚みが異なる部分２０ｂを有し、凹部２０ｃと凸部２０ｄとを有する。異方導電性部材１０は、表面２０ａが露出した状態で電子デバイスと接合される。
第１の電子デバイス５６と、第２の電子デバイス５７とを、異方導電性部材１０の表面１１ａに接合する場合、第１の電子デバイス５６よりも第２の電子デバイス５７の方が電極５７ａの高さが高い。このため、有機層２０の凹部２０ｃに対向して第１の電子デバイス５６を載置し、凸部２０ｄに対向して第２の電子デバイス５７を載置する。
第３の電子デバイス５８を異方導電性部材１０の裏面１１ｂに接合するが、第３の電子デバイス５８の電極５８ａと、電極５８ｂと、電極５４ｃとは電極高さは同じであるため、異方導電性部材１０の裏面１１ｂ側の有機層２０は厚みが均一である。
異方導電性部材１０の裏面１１ｂ側の有機層２０に対向して第３の電子デバイス５８を載置する。
次に、複数の電子デバイスの接合を行う。接合は、まず、上述のように第１の電子デバイス５６を異方導電性部材１０の表面１１ａ側の有機層２０の凹部２０ｃに載置し、第２の電子デバイス５７を凸部２０ｄに載置する。
また、第３の電子デバイス５８を異方導電性部材１０の裏面１１ｂ側の有機層２０に載置する。
次に、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８に対して、例えば、予め定められた圧力を加え、予め定められた温度に加熱し、予め定められた時間保持して、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８を仮接合する。
次に、全ての電子デバイス、例えば、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８を異方導電性部材１０に仮接合した状態で、各電子デバイスに、予め定められた圧力を加え、予め定められた温度に加熱し、予め定められた時間保持して、複数の電子デバイスを全て一括して、異方導電性部材１０に接合する。この接合は本接合と呼ばれるものである。これにより、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８の各電極が異方導電性部材１０の導体１４（図１参照）に電気的に接続されて、構造体が得られる。このとき、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８の各電極の周囲には有機層２０が充填され、図２７に示す樹脂層５９となる充填される。
また、第３の電子デバイス５８を異方導電性部材１０の裏面１１ｂ側の有機層２０に載置する。
次に、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８に対して、例えば、予め定められた圧力を加え、予め定められた温度に加熱し、予め定められた時間保持して、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８を仮接合する。
次に、全ての電子デバイス、例えば、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８を異方導電性部材１０に仮接合した状態で、各電子デバイスに、予め定められた圧力を加え、予め定められた温度に加熱し、予め定められた時間保持して、複数の電子デバイスを全て一括して、異方導電性部材１０に接合する。この接合は本接合と呼ばれるものである。これにより、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８の各電極が異方導電性部材１０の導体１４（図１参照）に電気的に接続されて、構造体が得られる。このとき、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８の各電極の周囲には有機層２０が充填され、図２７に示す樹脂層５９となる充填される。
第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８は、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なっていてもよい。また、第１の電子デバイス５６、第２の電子デバイス５７及び第３の電子デバイス５８は、それぞれ厚さが異なっていてもよい。
複数の電子デバイスを接合する場合、ハンドリングの観点から、小さい電子デバイスから接合することが好ましい。電子デバイスの大きさが同じ場合には、厚みが薄い電子デバイスから接合することが好ましい。
複数の電子デバイスを接合する場合、ハンドリングの観点から、小さい電子デバイスから接合することが好ましい。電子デバイスの大きさが同じ場合には、厚みが薄い電子デバイスから接合することが好ましい。
なお、仮接合する際に、仮接合強度が弱いと、搬送工程等及び接合する迄の工程で位置ズレが生じてしまうため、仮接合強度は重要となる。
また、仮接合工程における温度条件及び加圧条件は、特に限定されるものではなく、後述の温度条件及び加圧条件が例示される。
本接合における温度条件及び加圧条件は、特に限定されるものではない。適切な条件で本接合を行うことにより、有機層が、電子デバイスの電極間に流動し、接合部に残存し難くなる。上述のように本接合では、複数の電子デバイスの接合を一括して行うことにより、タクトタイムを低減でき、生産性を高くできる。
なお、構造体の製造方法において、異方導電性部材１０に限定されるものではなく、他の異方導電性部材１０ａ～１０ｆを用いることもできる。
また、仮接合工程における温度条件及び加圧条件は、特に限定されるものではなく、後述の温度条件及び加圧条件が例示される。
本接合における温度条件及び加圧条件は、特に限定されるものではない。適切な条件で本接合を行うことにより、有機層が、電子デバイスの電極間に流動し、接合部に残存し難くなる。上述のように本接合では、複数の電子デバイスの接合を一括して行うことにより、タクトタイムを低減でき、生産性を高くできる。
なお、構造体の製造方法において、異方導電性部材１０に限定されるものではなく、他の異方導電性部材１０ａ～１０ｆを用いることもできる。
〔電子デバイス〕
電子デバイスは、半導体デバイス等であるが、半導体デバイス単体に限定されるものではなく、複数の半導体デバイスが集まって特定の機能を発揮するものも含まれ、更には、電気信号を伝達するだけのものも含まれる。
また、電子デバイスは、素子領域を有する構成でもよい。素子領域とは、電子素子として機能するための各種の素子構成回路等が形成された領域である。素子領域には、例えば、フラッシュメモリ等のようなメモリ回路、マイクロプロセッサ及びＦＰＧＡ（field-programmable gate array）等のような論理回路が形成された領域、無線タグ等の通信モジュールならびに配線が形成された領域である。素子領域には、これ以外にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）が形成されてもよい。ＭＥＭＳとしては、例えば、センサー、アクチュエーター及びアンテナ等が挙げられる。センサーには、例えば、加速度、音、及び光等の各種のセンサーが含まれる。
上述のように、素子領域は素子構成回路等が形成されており、半導体チップを外部と電気的に接続するために電極（図示せず）が設けられている。素子領域は電極が形成された電極領域を有する。なお、素子領域の電極とは、例えば、Ｃｕポストである。電極領域とは、基本的には、形成された全ての電極を含む領域のことである。しかしながら、電極が離散して設けられていれば、各電極が設けられている領域のことも電極領域という。
構造体の形態は、特に限定されるものではなく、半導体チップのように個片化されたものでも、半導体ウエハのような形態でもよく、配線層の形態でもよい。
また、構造体は、電子デバイス以外に、プリント配線板、及びヒートシンク等を有する構成でもよい。
電子デバイスは、半導体デバイス等であるが、半導体デバイス単体に限定されるものではなく、複数の半導体デバイスが集まって特定の機能を発揮するものも含まれ、更には、電気信号を伝達するだけのものも含まれる。
また、電子デバイスは、素子領域を有する構成でもよい。素子領域とは、電子素子として機能するための各種の素子構成回路等が形成された領域である。素子領域には、例えば、フラッシュメモリ等のようなメモリ回路、マイクロプロセッサ及びＦＰＧＡ（field-programmable gate array）等のような論理回路が形成された領域、無線タグ等の通信モジュールならびに配線が形成された領域である。素子領域には、これ以外にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）が形成されてもよい。ＭＥＭＳとしては、例えば、センサー、アクチュエーター及びアンテナ等が挙げられる。センサーには、例えば、加速度、音、及び光等の各種のセンサーが含まれる。
上述のように、素子領域は素子構成回路等が形成されており、半導体チップを外部と電気的に接続するために電極（図示せず）が設けられている。素子領域は電極が形成された電極領域を有する。なお、素子領域の電極とは、例えば、Ｃｕポストである。電極領域とは、基本的には、形成された全ての電極を含む領域のことである。しかしながら、電極が離散して設けられていれば、各電極が設けられている領域のことも電極領域という。
構造体の形態は、特に限定されるものではなく、半導体チップのように個片化されたものでも、半導体ウエハのような形態でもよく、配線層の形態でもよい。
また、構造体は、電子デバイス以外に、プリント配線板、及びヒートシンク等を有する構成でもよい。
電子デバイスは、上述のもの以外に、例えば、ロジックＬＳＩ（Large Scale Integration）（例えば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＳＰ（Application Specific Standard Product）等）、マイクロプロセッサ（例えば、ＣＰＵ、ＧＰＵ等）、メモリ（例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＨＭＣ（Hybrid Memory Cube）、ＭＲＡＭ（MagneticRAM：磁気メモリ）とＰＣＭ（Phase-Change Memory：相変化メモリ）、ＲｅＲＡＭ（Resistive RAM：抵抗変化型メモリ）、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric RAM：強誘電体メモリ）、フラッシュメモリ（ＮＡＮＤ（Not AND）フラッシュ）等）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、（例えば、携帯端末のマイクロフラッシュ、車載用、プロジェクタ光源、ＬＣＤバックライト、一般照明等）、パワー・デバイス、アナログＩＣ（Integrated Circuit）、（例えば、ＤＣ（Direct Current）－ＤＣ（Direct Current）コンバータ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、（例えば、加速度センサー、圧力センサー、振動子、ジャイロセンサ等）、ワイヤレス（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）、ＦＭ（Frequency Modulation）、ＮＦＣ（Nearfieldcommunication）、ＲＦＥＭ（RF Expansion Module）、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）、ＷＬＡＮ（WirelessLocalAreaNetwork）等）、ディスクリート素子、ＢＳＩ（Back Side Illumination）、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、カメラモジュール、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、Passiveデバイス、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ、ＲＦ（Radio Frequency）フィルタ、ＲＦＩＰＤ（Radio Frequency Integrated Passive Devices）、ＢＢ（Broadband）等が挙げられる。
電子デバイスは、例えば、１つで完結したものであり、電子デバイス単体で、回路又はセンサー等の特定の機能を発揮するものである。電子デバイス、上述のものに、特に限定されるものではない。
電子デバイスは、例えば、１つで完結したものであり、電子デバイス単体で、回路又はセンサー等の特定の機能を発揮するものである。電子デバイス、上述のものに、特に限定されるものではない。
〔有機層〕
有機層は、以下に示す組成を用いることもできる。以下、有機層の組成について説明する。例えば、有機層は、高分子材料を含有するものであり、酸化防止材料を含んでもよい。
有機層を構成する樹脂材料としては、具体的には、例えば、エチレン系共重合体、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、アクリロニトリル系樹脂、及びセルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂を挙げることができる。有機層２０を構成する樹脂材料として、ポリアクリロニトリルも用いることができる。
有機層は、以下に示す組成を用いることもできる。以下、有機層の組成について説明する。例えば、有機層は、高分子材料を含有するものであり、酸化防止材料を含んでもよい。
有機層を構成する樹脂材料としては、具体的には、例えば、エチレン系共重合体、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、アクリロニトリル系樹脂、及びセルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂を挙げることができる。有機層２０を構成する樹脂材料として、ポリアクリロニトリルも用いることができる。
＜高分子材料＞
有機層に含まれる高分子材料としては特に限定されないが、半導体チップ等の電子デバイスの電極と構造体との隙間を効率よく埋めることができ、構造体と半導体チップ等の電子デバイスとの密着性がより高くなる理由から、熱硬化性樹脂であることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。
なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂及び／又はエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
有機層に含まれる高分子材料としては特に限定されないが、半導体チップ等の電子デバイスの電極と構造体との隙間を効率よく埋めることができ、構造体と半導体チップ等の電子デバイスとの密着性がより高くなる理由から、熱硬化性樹脂であることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。
なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂及び／又はエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
＜酸化防止材料＞
有機層に含まれる酸化防止材料としては、具体的には、例えば、１，２，３，４－テトラゾール、５－アミノ－１，２，３，４－テトラゾール、５－メチル－１，２，３，４－テトラゾール、１Ｈ－テトラゾール－５－酢酸、１Ｈ－テトラゾール－５－コハク酸、１，２，３－トリアゾール、４－アミノ－１，２，３－トリアゾール、４，５－ジアミノ－１，２，３－トリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－１，２，３－トリアゾール、４，５－ジカルボキシ－１Ｈ－１，２，３－トリアゾール、１Ｈ－１，２，３－トリアゾール－４－酢酸、４－カルボキシ－５－カルボキシメチル－１Ｈ－１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール、３－カルボキシ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジカルボキシ－１，２，４－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール－３－酢酸、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール－５－カルボン酸、ベンゾフロキサン、２，１，３－ベンゾチアゾール、ｏ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、カテコール、ｏ－アミノフェノール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－メルカプトベンゾイミダゾール、２－メルカプトベンゾオキサゾール、メラミン、及びこれらの誘導体が挙げられる。
これらのうち、ベンゾトリアゾール及びその誘導体が好ましい。
ベンゾトリアゾール誘導体としては、ベンゾトリアゾールのベンゼン環に、ヒドロキシル基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）、アミノ基、ニトロ基、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ブチル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）等を有する置換ベンゾトリアゾールが挙げられる。また、ナフタレントリアゾール、ナフタレンビストリアゾール、と同様に置換された置換ナフタレントリアゾール、置換ナフタレンビストリアゾール等も挙げることができる。
有機層に含まれる酸化防止材料としては、具体的には、例えば、１，２，３，４－テトラゾール、５－アミノ－１，２，３，４－テトラゾール、５－メチル－１，２，３，４－テトラゾール、１Ｈ－テトラゾール－５－酢酸、１Ｈ－テトラゾール－５－コハク酸、１，２，３－トリアゾール、４－アミノ－１，２，３－トリアゾール、４，５－ジアミノ－１，２，３－トリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－１，２，３－トリアゾール、４，５－ジカルボキシ－１Ｈ－１，２，３－トリアゾール、１Ｈ－１，２，３－トリアゾール－４－酢酸、４－カルボキシ－５－カルボキシメチル－１Ｈ－１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール、３－カルボキシ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジカルボキシ－１，２，４－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール－３－酢酸、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール－５－カルボン酸、ベンゾフロキサン、２，１，３－ベンゾチアゾール、ｏ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、カテコール、ｏ－アミノフェノール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－メルカプトベンゾイミダゾール、２－メルカプトベンゾオキサゾール、メラミン、及びこれらの誘導体が挙げられる。
これらのうち、ベンゾトリアゾール及びその誘導体が好ましい。
ベンゾトリアゾール誘導体としては、ベンゾトリアゾールのベンゼン環に、ヒドロキシル基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）、アミノ基、ニトロ基、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ブチル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）等を有する置換ベンゾトリアゾールが挙げられる。また、ナフタレントリアゾール、ナフタレンビストリアゾール、と同様に置換された置換ナフタレントリアゾール、置換ナフタレンビストリアゾール等も挙げることができる。
また、有機層に含まれる酸化防止材料の他の例としては、一般的な酸化防止剤である、高級脂肪酸、高級脂肪酸銅、フェノール化合物、アルカノールアミン、ハイドロキノン類、銅キレート剤、有機アミン、有機アンモニウム塩等が挙げられる。
有機層に含まれる酸化防止材料の含有量は特に限定されないが、防食効果の観点から、有機層の全質量に対して０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましい。また、本接合プロセスにおいて適切な電気抵抗を得る理由から、５．０質量％以下が好ましく、２．５質量％以下がより好ましい。
＜マイグレーション防止材料＞
有機層は、有機層に含有し得る金属イオン、ハロゲンイオン、ならびに半導体チップ及び半導体ウエハに由来する金属イオンをトラップすることによって絶縁信頼性がより向上する理由から、マイグレーション防止材料を含有しているのが好ましい。
有機層は、有機層に含有し得る金属イオン、ハロゲンイオン、ならびに半導体チップ及び半導体ウエハに由来する金属イオンをトラップすることによって絶縁信頼性がより向上する理由から、マイグレーション防止材料を含有しているのが好ましい。
マイグレーション防止材料としては、例えば、イオン交換体、具体的には、陽イオン交換体と陰イオン交換体との混合物、又は、陽イオン交換体のみを使用することができる。
ここで、陽イオン交換体及び陰イオン交換体は、それぞれ、例えば、後述する無機イオン交換体及び有機イオン交換体の中から適宜選択することができる。
ここで、陽イオン交換体及び陰イオン交換体は、それぞれ、例えば、後述する無機イオン交換体及び有機イオン交換体の中から適宜選択することができる。
（無機イオン交換体）
無機イオン交換体としては、例えば、含水酸化ジルコニウムに代表される金属の含水酸化物が挙げられる。
金属の種類としては、例えば、ジルコニウムのほか、鉄、アルミニウム、錫、チタン、アンチモン、マグネシウム、ベリリウム、インジウム、クロム、ビスマス等が知られている。
これらの中でジルコニウム系のものは、陽イオンのＣｕ2+、Ａｌ3+について交換能を有している。また、鉄系のものについても、Ａｇ+、Ｃｕ2+について交換能を有している。同様に、錫系、チタン系、アンチモン系のものは、陽イオン交換体である。
一方、ビスマス系のものは、陰イオンのＣｌ-について交換能を有している。
また、ジルコニウム系のものは条件に製造条件によっては陰イオンの交換能を示す。アルミニウム系、錫系のものも同様である。
これら以外の無機イオン交換体としては、リン酸ジルコニウムに代表される多価金属の酸性塩、モリブドリン酸アンモニウムに代表されるヘテロポリ酸塩、不溶性フェロシアン化物等の合成物が知られている。
これらの無機イオン交換体の一部は既に市販されており、例えば、東亞合成株式会社の商品名イグゼ「ＩＸＥ」における各種のグレードが知られている。
なお、合成品のほか、天然物のゼオライト、又はモンモリロン石のような無機イオン交換体の粉末も使用可能である。
無機イオン交換体としては、例えば、含水酸化ジルコニウムに代表される金属の含水酸化物が挙げられる。
金属の種類としては、例えば、ジルコニウムのほか、鉄、アルミニウム、錫、チタン、アンチモン、マグネシウム、ベリリウム、インジウム、クロム、ビスマス等が知られている。
これらの中でジルコニウム系のものは、陽イオンのＣｕ2+、Ａｌ3+について交換能を有している。また、鉄系のものについても、Ａｇ+、Ｃｕ2+について交換能を有している。同様に、錫系、チタン系、アンチモン系のものは、陽イオン交換体である。
一方、ビスマス系のものは、陰イオンのＣｌ-について交換能を有している。
また、ジルコニウム系のものは条件に製造条件によっては陰イオンの交換能を示す。アルミニウム系、錫系のものも同様である。
これら以外の無機イオン交換体としては、リン酸ジルコニウムに代表される多価金属の酸性塩、モリブドリン酸アンモニウムに代表されるヘテロポリ酸塩、不溶性フェロシアン化物等の合成物が知られている。
これらの無機イオン交換体の一部は既に市販されており、例えば、東亞合成株式会社の商品名イグゼ「ＩＸＥ」における各種のグレードが知られている。
なお、合成品のほか、天然物のゼオライト、又はモンモリロン石のような無機イオン交換体の粉末も使用可能である。
（有機イオン交換体）
有機イオン交換体には、陽イオン交換体としてスルホン酸基を有する架橋ポリスチレンが挙げられ、そのほかカルボン酸基、ホスホン酸基又はホスフィン酸基を有するものも挙げられる。
また、陰イオン交換体として四級アンモニウム基、四級ホスホニウム基又は三級スルホニウム基を有する架橋ポリスチレンが挙げられる。
有機イオン交換体には、陽イオン交換体としてスルホン酸基を有する架橋ポリスチレンが挙げられ、そのほかカルボン酸基、ホスホン酸基又はホスフィン酸基を有するものも挙げられる。
また、陰イオン交換体として四級アンモニウム基、四級ホスホニウム基又は三級スルホニウム基を有する架橋ポリスチレンが挙げられる。
これらの無機イオン交換体及び有機イオン交換体は、捕捉したい陽イオン、陰イオンの種類、そのイオンについての交換容量を考慮して適宜選択すればよい。勿論、無機イオン交換体と有機イオン交換体とを混合して使用してもよいことはいうまでもない。
電子素子の製造工程では加熱するプロセスを含むため、無機イオン交換体が好ましい。
電子素子の製造工程では加熱するプロセスを含むため、無機イオン交換体が好ましい。
また、イオン交換体と上述した高分子材料との混合比は、例えば、機械的強度の観点から、イオン交換体を１０質量％以下とすることが好ましく、イオン交換体を５質量％以下とすることがより好ましく、更にイオン交換体を２．５質量％以下とすることが更に好ましい。また、半導体チップ又は半導体ウエハと、構造体とを接合した際のマイグレーションを抑制する観点から、イオン交換体を０．０１質量％以上とすることが好ましい。
＜無機充填剤＞
有機層は、無機充填剤を含有しているのが好ましい。
無機充填剤としては特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカ、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等が挙げられる。
有機層は、無機充填剤を含有しているのが好ましい。
無機充填剤としては特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカ、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等が挙げられる。
導体間に無機充填剤が入ることを防ぎ、導通信頼性がより向上する理由から、無機充填剤の平均粒子径が、各導体の間隔よりも大きいことが好ましい。
無機充填剤の平均粒子径は、３０ｎｍ～１０μｍであることが好ましく、８０ｎｍ～１μｍであることがより好ましい。
ここで、平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒子径測定装置(日機装株式会社製マイクロトラックＭＴ３３００)で測定される、一次粒子径を平均粒子径とする。
無機充填剤の平均粒子径は、３０ｎｍ～１０μｍであることが好ましく、８０ｎｍ～１μｍであることがより好ましい。
ここで、平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒子径測定装置(日機装株式会社製マイクロトラックＭＴ３３００)で測定される、一次粒子径を平均粒子径とする。
＜硬化剤＞
有機層は、硬化剤を含有していてもよい。
硬化剤を含有する場合、接続対象の半導体チップ又は半導体ウエハの表面形状との接合不良を抑制する観点から、常温で固体の硬化剤を用いず、常温で液体の硬化剤を含有しているのがより好ましい。
ここで、「常温で固体」とは、２５℃で固体であることをいい、例えば、融点が２５℃より高い温度である物質をいう。
有機層は、硬化剤を含有していてもよい。
硬化剤を含有する場合、接続対象の半導体チップ又は半導体ウエハの表面形状との接合不良を抑制する観点から、常温で固体の硬化剤を用いず、常温で液体の硬化剤を含有しているのがより好ましい。
ここで、「常温で固体」とは、２５℃で固体であることをいい、例えば、融点が２５℃より高い温度である物質をいう。
硬化剤としては、具体的には、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンのような芳香族アミン、脂肪族アミン、４－メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ジシアンジアミド、テトラメチルグアニジン、チオ尿素付加アミン、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等のカルボン酸無水物、カルボン酸ヒドラジド、カルボン酸アミド、ポリフェノール化合物、ノボラック樹脂、ポリメルカプタン等が挙げられ、これらの硬化剤から、２５℃で液体のものを適宜選択して用いることができる。なお、硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
有機層には、その特性を損なわない範囲内で、広く一般に半導体パッケージの樹脂絶縁膜に添加されている分散剤、緩衝剤、粘度調整剤等の種々の添加剤を含有させてもよい。
有機層としては、上述のもの以外に、例えば、以下に示すアクリルポリマーと、アクリルモノマーと、マレイミド化合物とを含む主組成物を含有するものを用いることができる。
＜アクリルポリマー＞
アクリルポリマーは、（メタ）アクリレート成分に由来する構成単位を含むポリマーであり、有機層のタック性が強くなりすぎず、半導体の実装工程で作業性を害するおそれが少ないものが好ましい。（メタ）アクリレート成分としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート等を用いることができる。
アクリルポリマーは、（メタ）アクリレート成分に由来する構成単位を含むポリマーであり、有機層のタック性が強くなりすぎず、半導体の実装工程で作業性を害するおそれが少ないものが好ましい。（メタ）アクリレート成分としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート等を用いることができる。
アクリルポリマーは、上述の（メタ）アクリレート成分以外に、上述の（メタ）アクリレート成分と共重合可能な他のモノマー成分に対応する構成単位を更に含んでいてもよい。他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシル基含有モノマー（例えば、（メタ）アクリル酸）、エポキシ基含有モノマー（例えば、グリシジル（メタ）アクリレート）、ニトリル基含有モノマー（例えば、アクリロニトリル等）を用いることができる。
例えば、アクリルポリマーとしては、ブチルアクリレート、メチルアクリレート、アクリル酸、グリシジルメタクリレート及びアクリロニトリルに対応する構成単位を含むものを用いることができる。
アクリルポリマーは、上述の（メタ）アクリレート成分や他のモノマー成分を重合することにより得ることができる。重合方法は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。アクリルポリマーの重合反応の種類としては、例えば、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合等が挙げられる。
アクリルポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に制限されないが、例えば、１０００００以上１２０００００以下の範囲に含まれるようにすることができ、５０００００以上１００００００以下の範囲に含まれるようにすることもできる。
有機層中のアクリルポリマーとアクリルモノマーとマレイミド化合物とを主組成物と称することにすると、アクリルポリマーは、１００質量部の主組成物の中に、１０質量部以上６０質量部以下の範囲に含有され、好ましくは１０質量部以上４５質量部以下の範囲に含有され、更に好ましくは１５質量部以上４０質量部以下の範囲に含有される。アクリルポリマーの含有量が１０質量部未満であると、ボイドの排除が困難となる傾向にある。また、アクリルポリマーの含有量が６０質量部を超えると、低圧実装を実現することが困難な傾向にあり、接続性も悪化する傾向にある。
アクリルポリマーは、１種類のアクリルポリマーを単独で主組成物に含有させてもよいし、２種類以上のアクリルポリマーを併用して含有させてもよい。アクリルポリマーを２種類以上併用する場合、有機層中のアクリルポリマーの含有量の合計は、上述の範囲内が好ましい。
＜アクリルモノマー＞
アクリルモノマーとしては、単官能（メタ）アクリレート、２官能以上の（メタ）アクリレートを用いることができる。アクリルモノマーとしては、例えば、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート（東亞合成株式会社製）、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート（東亞合成株式会社製）、ジペンタエリスリトール及びテトラアクリレート（東亞合成株式会社製）、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート（東亞合成株式会社製）、９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（新中村化学工業株式会社製）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（新中村化学工業株式会社製）、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート（新中村化学工業株式会社製）、フルオレン系アクリレート（例えば、製品名：オグソールＥＡ０２００、ＥＡ０３００、大阪ガスケミカル株式会社製）等が挙げられる。これらのアクリルモノマーの中でも、耐熱性等を考慮すると、高耐熱性であるフルオレン系アクリレートが好ましい。
アクリルモノマーとしては、単官能（メタ）アクリレート、２官能以上の（メタ）アクリレートを用いることができる。アクリルモノマーとしては、例えば、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート（東亞合成株式会社製）、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート（東亞合成株式会社製）、ジペンタエリスリトール及びテトラアクリレート（東亞合成株式会社製）、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート（東亞合成株式会社製）、９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（新中村化学工業株式会社製）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（新中村化学工業株式会社製）、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート（新中村化学工業株式会社製）、フルオレン系アクリレート（例えば、製品名：オグソールＥＡ０２００、ＥＡ０３００、大阪ガスケミカル株式会社製）等が挙げられる。これらのアクリルモノマーの中でも、耐熱性等を考慮すると、高耐熱性であるフルオレン系アクリレートが好ましい。
有機層中のアクリルモノマーは、１００質量部の主組成物の中で、１０質量部以上６０質量部以下の範囲で含有され、好ましくは１０質量部以上５５質量部以下の範囲で含有され、より好ましくは１０質量部以上５０質量部以下の範囲で含有されるようにすることができる。アクリルモノマーの含有量が１０質量部未満であると、接続性が悪化する傾向にある。また、アクリルモノマーの含有量が６０質量部を超えると、ボイドの排除が困難となる傾向にある。
アクリルモノマーは、１種類のアクリルモノマーを単独で含有させてもよいし、２種類以上のアクリルモノマーを併用して含有させてもよい。アクリルモノマーを２種類以上併用する場合、有機層中のアクリルモノマーの含有量の合計は、上述の範囲内が好ましい。
＜マレイミド化合物＞
マレイミド化合物としては、例えば、１分子中にマレイミド基を２つ以上有する化合物を用いることができ、ビスマレイミドが好ましい。マレイミド化合物としては、例えば、４－メチル－１，３－フェニレンビスマレイミド、４，４－ビスマレイミドジフェニルメタン、ｍ－フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールＡジフェニルエーテルビスマレイミド、３，３’－ジメチル－５，５’－ジエチル－４，４’－ジフェニルメタンビスマレイミド等が挙げられる。これらの中でも、芳香族ビスマレイミドが好ましく、特に、有機層の製造工程における作業性を考慮すると、溶剤溶解性又はフロー性が良好な３，３’－ジメチル－５，５’－ジエチル－４，４’－ジフェニルメタンビスマレイミドが好ましい。
マレイミド化合物としては、例えば、１分子中にマレイミド基を２つ以上有する化合物を用いることができ、ビスマレイミドが好ましい。マレイミド化合物としては、例えば、４－メチル－１，３－フェニレンビスマレイミド、４，４－ビスマレイミドジフェニルメタン、ｍ－フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールＡジフェニルエーテルビスマレイミド、３，３’－ジメチル－５，５’－ジエチル－４，４’－ジフェニルメタンビスマレイミド等が挙げられる。これらの中でも、芳香族ビスマレイミドが好ましく、特に、有機層の製造工程における作業性を考慮すると、溶剤溶解性又はフロー性が良好な３，３’－ジメチル－５，５’－ジエチル－４，４’－ジフェニルメタンビスマレイミドが好ましい。
有機層中のマレイミド化合物は、１００質量部の主組成物の中で、２０質量部以上７０質量部以下の範囲で含有され、好ましくは２０質量部以上６０質量部以下の範囲で含有され、より好ましくは２０質量部以上５５質量部以下の範囲で含有される。マレイミド化合物の含有量が２０質量部未満であると、低圧実装を実現することが困難な傾向にあり、接続性も悪化する傾向にある。また、マレイミド化合物の含有量が７０質量部を超えると、低圧実装及びボイドレス実装が困難となる傾向にある。
有機層に用いる組成物は、目的に応じて、上述の主組成物を構成する成分以外の他の成分を更に含有してもよい。他の成分としては、例えば、フェノール化合物、フィラー等が挙げられる。
＜フェノール化合物＞
フェノール化合物は、上述のマレイミド化合物用の硬化剤として用いることができるが、フェノールを含有しなくても熱硬化反応を開始させることができる。フェノール化合物としては、例えば、アリル化ビスフェノールを用いることができ、具体的には、２，２’－ジアリルビスフェノールＡ（製品名：ＤＡＢＰＡ）、４，４’－（ジメチルメチレン）ビス［２－（２－プロペニル）フェノール］、４，４’－メチレンビス［２－（２－プロペニル）フェノール］、４，４’－（ジメチルメチレン）ビス［２－（２－プロペニル）－６－メチルフェノール］等を用いることができる。これらの中でも、２，２’－ジアリルビスフェノールＡが好ましい。
フェノール化合物は、上述のマレイミド化合物用の硬化剤として用いることができるが、フェノールを含有しなくても熱硬化反応を開始させることができる。フェノール化合物としては、例えば、アリル化ビスフェノールを用いることができ、具体的には、２，２’－ジアリルビスフェノールＡ（製品名：ＤＡＢＰＡ）、４，４’－（ジメチルメチレン）ビス［２－（２－プロペニル）フェノール］、４，４’－メチレンビス［２－（２－プロペニル）フェノール］、４，４’－（ジメチルメチレン）ビス［２－（２－プロペニル）－６－メチルフェノール］等を用いることができる。これらの中でも、２，２’－ジアリルビスフェノールＡが好ましい。
フェノール化合物を含有させる場合のフェノール化合物の含有量は、例えば、アクリルポリマーと、アクリルモノマーと、マレイミド化合物と、フェノール化合物との合計１００質量部に対して１５質量部以下とすることができる。フェノール化合物は、１種類のフェノール化合物を単独で含有させてもよいし、２種類以上のフェノール化合物を併用して含有させてもよい。フェノール化合物を２種類以上併用する場合、有機層中のフェノール化合物の含有量の合計は、上述の範囲内が好ましい。
＜フィラー＞
フィラーとしては、無機充填剤、有機充填剤、導電性粒子等を用いることができる。特に、線膨張率の低減や信頼性の向上の観点から、無機充填剤（例えば、シリカフィラー）を用いることが好ましい。
フィラーとしては、無機充填剤、有機充填剤、導電性粒子等を用いることができる。特に、線膨張率の低減や信頼性の向上の観点から、無機充填剤（例えば、シリカフィラー）を用いることが好ましい。
フィラーを用いる場合、フィラーの含有量は、例えば、アクリルポリマーと、アクリルモノマーと、マレイミド化合物と、フィラーとの合計１００質量部に対して３０質量部以下とすることができる。フィラーは、１種類のフィラーを単独で含有させてもよいし、２種類以上のフィラーを併用して含有させてもよい。フィラーを２種類以上併用する場合、有機層中のフィラーの含有量の合計は、上述の範囲内が好ましい。
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、及び、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
本実施例では、実施例１～１１の構造体及び比較例１の構造体を作製した。実施例１～１１の構造体、及び比較例１の構造体について、導通信頼性を評価した。導通信頼性の評価結果を下記表２に示す。まず、導通信頼性の評価について説明する。
本実施例では、実施例１～１１の構造体及び比較例１の構造体を作製した。実施例１～１１の構造体、及び比較例１の構造体について、導通信頼性を評価した。導通信頼性の評価結果を下記表２に示す。まず、導通信頼性の評価について説明する。
（導通信頼性の評価）
＜導通信頼性の評価に用いた電子デバイス＞
導通信頼性の評価に用いた電子デバイスについて説明する。
全ての表面に熱酸化膜層（ＳｉＯ２）を設けたシリコンウエハ表面に、スパッタ法により銅膜を、それぞれの電極厚みになるよう形成した。その後、フォトレジスト（ＡＺ Ｐ４９０３：メルク社製）を銅膜の表面に１０μｍ厚で塗布し、レジスト膜を形成した。マスクを用いて密着露光した後、レジスト膜に現像を施し、銅膜のエッチングマスクパターンを形成した。その後、銅膜を、硝酸を用いてエッチング除去して銅パターンを形成し、洗浄したものを用いた。なお、現像液にはメルク社製ＡＺ４００Ｋを用いた。
＜導通信頼性の評価に用いた電子デバイス＞
導通信頼性の評価に用いた電子デバイスについて説明する。
全ての表面に熱酸化膜層（ＳｉＯ２）を設けたシリコンウエハ表面に、スパッタ法により銅膜を、それぞれの電極厚みになるよう形成した。その後、フォトレジスト（ＡＺ Ｐ４９０３：メルク社製）を銅膜の表面に１０μｍ厚で塗布し、レジスト膜を形成した。マスクを用いて密着露光した後、レジスト膜に現像を施し、銅膜のエッチングマスクパターンを形成した。その後、銅膜を、硝酸を用いてエッチング除去して銅パターンを形成し、洗浄したものを用いた。なお、現像液にはメルク社製ＡＺ４００Ｋを用いた。
導通信頼性の評価には、電子デバイスとして、下側チップと上側チップとを用いた。上側チップには、３種類の第１テストチップ、第２テストチップ及び第３テストチップを用いた。
下側チップは、図２９に示す構成であり、表面６０ａに第１電極部６１、第２電極部６２及び第３電極部６３が形成されている。
第１電極部６１は、線状に伸びた配線６１ｃが平行に配置された配線群６１ａを有し、配線群６１ａの両側に、電極６１ｂが互いに離間して、配線６１ｃの配列方向に２列、設けられている。配線群６１ａの配線６１ｃには、配列方向にひとつおきに、端子６１ｄが設けられている。電極６１ｂは電極サイズが１０μｍ角であり、電極高さが５００ｎｍである。
第２電極部６２は、線状に伸びた配線６２ｃが平行に配置された配線群６２ａを有し、配線群６２ａの両側に、電極６２ｂが互いに離間して、配線６２ｃの配列方向に２列、設けられている。配線群６２ａの配線６２ｃには、配列方向にひとつおきに、端子６２ｄが設けられている。電極６２ｂは電極サイズが２０μｍ角であり、電極高さが５００ｎｍである。
第３電極部６３は、線状に伸びた配線６３ｃが平行に配置された配線群６３ａを有し、配線群６３ａの両側に、電極６３ｂが互いに離間して、配線６３ｃの配列方向に１列、設けられている。配線群６３ａの配線６３ｃの延在方向の端部が端子を兼ねる。電極６３ｂは電極サイズが８０μｍ角であり、電極高さが５００ｎｍである。
下側チップは、図２９に示す構成であり、表面６０ａに第１電極部６１、第２電極部６２及び第３電極部６３が形成されている。
第１電極部６１は、線状に伸びた配線６１ｃが平行に配置された配線群６１ａを有し、配線群６１ａの両側に、電極６１ｂが互いに離間して、配線６１ｃの配列方向に２列、設けられている。配線群６１ａの配線６１ｃには、配列方向にひとつおきに、端子６１ｄが設けられている。電極６１ｂは電極サイズが１０μｍ角であり、電極高さが５００ｎｍである。
第２電極部６２は、線状に伸びた配線６２ｃが平行に配置された配線群６２ａを有し、配線群６２ａの両側に、電極６２ｂが互いに離間して、配線６２ｃの配列方向に２列、設けられている。配線群６２ａの配線６２ｃには、配列方向にひとつおきに、端子６２ｄが設けられている。電極６２ｂは電極サイズが２０μｍ角であり、電極高さが５００ｎｍである。
第３電極部６３は、線状に伸びた配線６３ｃが平行に配置された配線群６３ａを有し、配線群６３ａの両側に、電極６３ｂが互いに離間して、配線６３ｃの配列方向に１列、設けられている。配線群６３ａの配線６３ｃの延在方向の端部が端子を兼ねる。電極６３ｂは電極サイズが８０μｍ角であり、電極高さが５００ｎｍである。
第１電極部６１の第１接続領域６０ｂに、各構造体７０（図３３参照）を介して第１テストチップ６４が接続される。第２電極部６２の第２接続領域６０ｃに、各構造体７０（図３３参照）を介して第２テストチップ６５が接続される。第３電極部６３の第３接続領域６０ｄに、各構造体７０（図３３参照）を介して第３テストチップ６６が接続される。
上側チップにおいて、図３０に示す第１テストチップ６４は、配線群６１ａに対応する配線部６４ｂを有し、配線部６４ｂの配列方向の両側に、電極６１ｂに対応する電極６４ｃを有する。電極６４ｃは電極サイズが１０μｍ角であり、電極高さが３００ｎｍである。
図３１に示す第２テストチップ６５は、配線群６２ａに対応する配線部６５ｂを有し、配線部６５ｂの配列方向の両側に、電極６２ｂに対応する電極６５ｃを有する。電極６５ｃは電極サイズが２０μｍ角であり、電極高さが５００ｎｍである。
図３２に示す第３テストチップ６６は、配線群６３ａに対応する配線部６６ｂを有し、配線部６６ｂの配列方向の両側に、電極６３ｂに対応する電極６６ｃを有する。電極６６ｃは電極サイズが８０μｍ角であり、電極高さが１０００ｎｍ（１μｍ）である。
上側チップにおいて、図３０に示す第１テストチップ６４は、配線群６１ａに対応する配線部６４ｂを有し、配線部６４ｂの配列方向の両側に、電極６１ｂに対応する電極６４ｃを有する。電極６４ｃは電極サイズが１０μｍ角であり、電極高さが３００ｎｍである。
図３１に示す第２テストチップ６５は、配線群６２ａに対応する配線部６５ｂを有し、配線部６５ｂの配列方向の両側に、電極６２ｂに対応する電極６５ｃを有する。電極６５ｃは電極サイズが２０μｍ角であり、電極高さが５００ｎｍである。
図３２に示す第３テストチップ６６は、配線群６３ａに対応する配線部６６ｂを有し、配線部６６ｂの配列方向の両側に、電極６３ｂに対応する電極６６ｃを有する。電極６６ｃは電極サイズが８０μｍ角であり、電極高さが１０００ｎｍ（１μｍ）である。
図３３に示すように、下側チップ６０の表面６０ａ上に、各構造体７０を配置した。下側チップ６０は後述の異方導電層の陽極酸化膜の他方の面のベース層に配置した。
次に、第１テストチップ６４、第２テストチップ６５及び第３テストチップ６６を、それぞれ、各構造体７０において、下側チップ６０の第１電極部６１の第１接続領域６０ｂに相当する位置に載置し、第２電極部６２の第２接続領域６０ｃに相当する位置に載置し、第３電極部６３の第３接続領域６０ｄに相当する位置に載置した。なお、電極高さが１０００ｎｍ（１μｍ）の第３テストチップ６６は、有機層が厚いところに載置し、電極高さが３００ｎｍの第１テストチップ６４及び電極高さが５００ｎｍの第２テストチップ６５は有機層が薄いところに載置した。
次に、フリップチップボンダーを用いてアライメント調整をして、下側チップ６０と、第１テストチップ６４、第２テストチップ６５及び第３テストチップ６６とを仮接着し、その後、ウエハボンダーを用いて本接合した。
次に、第１テストチップ６４、第２テストチップ６５及び第３テストチップ６６を、それぞれ、各構造体７０において、下側チップ６０の第１電極部６１の第１接続領域６０ｂに相当する位置に載置し、第２電極部６２の第２接続領域６０ｃに相当する位置に載置し、第３電極部６３の第３接続領域６０ｄに相当する位置に載置した。なお、電極高さが１０００ｎｍ（１μｍ）の第３テストチップ６６は、有機層が厚いところに載置し、電極高さが３００ｎｍの第１テストチップ６４及び電極高さが５００ｎｍの第２テストチップ６５は有機層が薄いところに載置した。
次に、フリップチップボンダーを用いてアライメント調整をして、下側チップ６０と、第１テストチップ６４、第２テストチップ６５及び第３テストチップ６６とを仮接着し、その後、ウエハボンダーを用いて本接合した。
本接合の際は圧力を一定にするため仮接合した下側チップ６０と、構造体７０と、第１テストチップ６４．第２テストチップ６５及び第３テストチップ６６との積層体の上面にカーボンシートを重ね、更にその上に下側チップ６０と同じサイズのシリコンチップを重ねた状態で加圧した。
接合の際は、チャンバー内部に積層体がセットされた後、上下のチップがずれないよう５Ｎ程度加圧した状態で真空引きし、その後、数回に分けて５％水素を含む窒素ガスにチャンバー内を置換し、温度１５０℃に加温した状態で３０分保持した後、温度２２０℃に昇温するとともに、電極当たりの圧力が５０ＭＰａとなるよう加圧した状態で３０分保持した。その後、除荷し、真空雰囲気下で自然冷却した後、接合後の積層体を大気中に取り出した。本接合により、図３３に示すように、下側チップ６０と、第１テストチップ６４．第２テストチップ６５及び第３テストチップ６６とは、構造体７０を介した接合部６８が生じる。
上述のように、電極高さが１０００ｎｍ（１μｍ）の第３テストチップ６６は有機層が厚いところに載置し、電極高さが３００ｎｍの第１テストチップ６４及び電極高さが５００ｎｍの第２テストチップ６５は有機層が薄いところに載置したが、有機層の厚みが均一の場合には、全て同じ厚みのところに載置される。
接合の際は、チャンバー内部に積層体がセットされた後、上下のチップがずれないよう５Ｎ程度加圧した状態で真空引きし、その後、数回に分けて５％水素を含む窒素ガスにチャンバー内を置換し、温度１５０℃に加温した状態で３０分保持した後、温度２２０℃に昇温するとともに、電極当たりの圧力が５０ＭＰａとなるよう加圧した状態で３０分保持した。その後、除荷し、真空雰囲気下で自然冷却した後、接合後の積層体を大気中に取り出した。本接合により、図３３に示すように、下側チップ６０と、第１テストチップ６４．第２テストチップ６５及び第３テストチップ６６とは、構造体７０を介した接合部６８が生じる。
上述のように、電極高さが１０００ｎｍ（１μｍ）の第３テストチップ６６は有機層が厚いところに載置し、電極高さが３００ｎｍの第１テストチップ６４及び電極高さが５００ｎｍの第２テストチップ６５は有機層が薄いところに載置したが、有機層の厚みが均一の場合には、全て同じ厚みのところに載置される。
＜導通信頼性の評価方法＞
接合後の積層体のそれぞれの配線群は、２ジョイント分のデイジーチェインである。下側チップ６０において露出した端子６１ｄ、６２ｄ、配線６３ｃの端部に、それぞれプローブを当てて抵抗値Ｒを測定し、導通性を以下の評価基準で判断した。
評価基準
Ａ Ｒ≦１Ω
Ｂ １Ω＜Ｒ＜１０Ω
Ｃ １０Ω≦Ｒ＜１ｋΩ
Ｄ １ｋΩ≦Ｒ
接合後の積層体のそれぞれの配線群は、２ジョイント分のデイジーチェインである。下側チップ６０において露出した端子６１ｄ、６２ｄ、配線６３ｃの端部に、それぞれプローブを当てて抵抗値Ｒを測定し、導通性を以下の評価基準で判断した。
評価基準
Ａ Ｒ≦１Ω
Ｂ １Ω＜Ｒ＜１０Ω
Ｃ １０Ω≦Ｒ＜１ｋΩ
Ｄ １ｋΩ≦Ｒ
以下、実施例１～１１及び比較例１について説明する。
（実施例１）
実施例１の構造体について説明する。
［構造体］
＜＜異方導電性部材＞＞
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理及びろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す各処理を施した。
（実施例１）
実施例１の構造体について説明する。
［構造体］
＜＜異方導電性部材＞＞
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理及びろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す各処理を施した。
＜電解研磨処理＞
上述のアルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
上述のアルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬） ６６０ｍＬ
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬） ６６０ｍＬ
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ
＜陽極酸化処理工程＞
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７－２０４８０２号公報に記載の手順に従って、自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．３ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、３時間４５分の再陽極酸化処理を施し、膜厚４０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理及び再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０－３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ－１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７－２０４８０２号公報に記載の手順に従って、自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．３ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、３時間４５分の再陽極酸化処理を施し、膜厚４０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理及び再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０－３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ－１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
＜バリア層除去工程＞
次いで、陽極酸化処理工程後に、水酸化ナトリウム水溶液（５０ｇ／ｌ）に酸化亜鉛を２０００ｐｐｍとなるように溶解したアルカリ水溶液を用いて、３０℃で１５０秒間浸漬させるエッチング処理を施し、陽極酸化膜のマイクロポア（細孔）の底部にあるバリア層を除去し、かつ、露出したアルミニウム基板の表面に同時に亜鉛を析出させた。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは４０μｍであった。
次いで、陽極酸化処理工程後に、水酸化ナトリウム水溶液（５０ｇ／ｌ）に酸化亜鉛を２０００ｐｐｍとなるように溶解したアルカリ水溶液を用いて、３０℃で１５０秒間浸漬させるエッチング処理を施し、陽極酸化膜のマイクロポア（細孔）の底部にあるバリア層を除去し、かつ、露出したアルミニウム基板の表面に同時に亜鉛を析出させた。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは４０μｍであった。
＜金属充填工程＞
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された異方導電層を作製した。ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ－３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成及び条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ２
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された異方導電層を作製した。ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ－３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成及び条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ２
マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面を、走査電子顕微鏡を用いて観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、９８％であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対して、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工し、その断面を走査電子顕微鏡を用いて表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対して、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工し、その断面を走査電子顕微鏡を用いて表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
＜基板除去工程＞
次いで、塩化銅／塩酸の混合溶液に浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去し、平均厚み４０μｍの異方導電層を作製した。
作製された異方導電層における導体の平均直径は６０ｎｍであり、隣接する突出部との間隔が４０ｎｍであり、導体の密度は５７７０万個／ｍｍ２であった。
次いで、塩化銅／塩酸の混合溶液に浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去し、平均厚み４０μｍの異方導電層を作製した。
作製された異方導電層における導体の平均直径は６０ｎｍであり、隣接する突出部との間隔が４０ｎｍであり、導体の密度は５７７０万個／ｍｍ２であった。
＜突出工程＞
基板除去工程後の異方導電層を、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液（濃度：０．０１ｍｏｌ／Ｌ）に浸漬させ、突出部の高さが３００ｎｍとなるように浸漬時間を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導体である銅の円柱、すなわち、導体を突出させた。
同様に、アルミニウムの陽極酸化膜の裏面についても、導体の突出部１４ａの平均突出長さｈａ（図１参照）及び突出部１４ｂの平均長さｈｂ（図１参照）が３００ｎｍとなるように、導体である銅の円柱、すなわち、導体を突出させた。
基板除去工程後の異方導電層を、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液（濃度：０．０１ｍｏｌ／Ｌ）に浸漬させ、突出部の高さが３００ｎｍとなるように浸漬時間を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導体である銅の円柱、すなわち、導体を突出させた。
同様に、アルミニウムの陽極酸化膜の裏面についても、導体の突出部１４ａの平均突出長さｈａ（図１参照）及び突出部１４ｂの平均長さｈｂ（図１参照）が３００ｎｍとなるように、導体である銅の円柱、すなわち、導体を突出させた。
導体の平均直径は、走査電子顕微鏡を用いて、陽極酸化膜の表面を真上から倍率１００～１００００倍で撮影し撮影画像を得た。撮影画像において、周囲が環状に連なっている導体を少なくとも２０個抽出し、その直径を測定し開口径とし、これら開口径の平均値を導体の平均直径として算出した。なお、導体の平均直径は、突出部の平均径である。
導体の突出部１４ａの平均突出長さｈａ、ｈｂ（図１参照）は、陽極酸化膜を厚み方向Ｄｔ（図１参照）に対して集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工し、その断面を走査電子顕微鏡を用いて表面写真（倍率５万倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した値である。
導体の突出部１４ａの平均突出長さｈａ、ｈｂ（図１参照）は、陽極酸化膜を厚み方向Ｄｔ（図１参照）に対して集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて切削加工し、その断面を走査電子顕微鏡を用いて表面写真（倍率５万倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した値である。
＜有機層の形成工程＞
異方導電層の陽極酸化膜の一方の面に、組成物１を用い、スピンコート法により膜厚が６００ｎｍのベース層を形成した。次に、ベース層にパターンエッチング処理を施し、部分的に厚みを変えた。これにより、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差を１００ｎｍとした有機層を得た。
パターンエッチング処理は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を用いて、パターン露光を行い、その後、現像処理を実施した。このようにしてベース層に凹部と凸部とを形成して有機層を得た。
異方導電層の陽極酸化膜の一方の面に、組成物１を用い、スピンコート法により膜厚が６００ｎｍのベース層を形成した。次に、ベース層にパターンエッチング処理を施し、部分的に厚みを変えた。これにより、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差を１００ｎｍとした有機層を得た。
パターンエッチング処理は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を用いて、パターン露光を行い、その後、現像処理を実施した。このようにしてベース層に凹部と凸部とを形成して有機層を得た。
（組成物１）
組成物１は、下記表１に示す組成を有するものであり、特開２００９‐９８６０号公報に記載の「実施例１」の組成物である。下記表１に示す組成物１を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度６質量％の溶液を調製し、これをポアサイズ０．１μｍのポリエチレンフィルターで濾過して溶液を調製した。これを上述のスピンコート法に用いた。
組成物１は、下記表１に示す組成を有するものであり、特開２００９‐９８６０号公報に記載の「実施例１」の組成物である。下記表１に示す組成物１を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度６質量％の溶液を調製し、これをポアサイズ０．１μｍのポリエチレンフィルターで濾過して溶液を調製した。これを上述のスピンコート法に用いた。
〔樹脂１〕
樹脂１の合成について説明する。窒素気流下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）／プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）（２／８：質量比）混合溶媒１８．１ｇを３つ口フラスコに入れ、これを８０℃に加熱した。これにメタクリル酸４．３ｇ、３－ヒドロキシアダマンチルメタクリレート３５．５ｇ、重合開始剤Ｖ－６０１（和光純薬製）をモノマーに対し１２ｍｏｌ％をＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ（２／８：質量比）混合溶媒１６３．０ｇに溶解させた溶液を６時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃で２時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン１４００ｍ／酢酸エチル６００ｍｌの混合液に２０分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂１が２６．４ｇ得られた。得られた樹脂１の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で８９００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８４であった。
重合性基を持つ化合物（ＣＬＲ－１）、開始剤（Ｉ－４）、溶剤、及び界面活性剤を下記に示す。
樹脂１の合成について説明する。窒素気流下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）／プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）（２／８：質量比）混合溶媒１８．１ｇを３つ口フラスコに入れ、これを８０℃に加熱した。これにメタクリル酸４．３ｇ、３－ヒドロキシアダマンチルメタクリレート３５．５ｇ、重合開始剤Ｖ－６０１（和光純薬製）をモノマーに対し１２ｍｏｌ％をＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ（２／８：質量比）混合溶媒１６３．０ｇに溶解させた溶液を６時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃で２時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン１４００ｍ／酢酸エチル６００ｍｌの混合液に２０分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂１が２６．４ｇ得られた。得られた樹脂１の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で８９００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８４であった。
重合性基を持つ化合物（ＣＬＲ－１）、開始剤（Ｉ－４）、溶剤、及び界面活性剤を下記に示す。
〔溶剤〕
Ａ１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｂ１：プロピレングリコールモノメチルエーテル
〔界面活性剤〕
Ｗ－１：メガファックＦ１７６（ＤＩＣ株式会社製）（フッ素系）
Ａ１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｂ１：プロピレングリコールモノメチルエーテル
〔界面活性剤〕
Ｗ－１：メガファックＦ１７６（ＤＩＣ株式会社製）（フッ素系）
有機層を構成する組成物１は、水に対する接触角が３０°であった。また、有機層は、スロープ長さが２０ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．２であった。
スロープの傾斜を示す指標は、（スロープ長さ）／（第２の層の厚み）で規定される値である。スロープの傾斜を示す指標は、有機層は傾斜部２０ｅ（図６参照）の絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対する傾きを示す。スロープの傾斜を示す指標が小さい程、傾きが急になり、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対する傾斜部２０ｅ（図６参照）の角度が９０°に近くなる。
スロープの傾斜を示す指標は、以下のようにして求めた。まず、有機層を形成した後、表面をデジタルマイクロスコープＶＨＸ－７０００（株式会社キーエンス社製）で走査し、断面プロファイルを取得した。断面プロファイルの段差形状からスロープ長さと第２の層の厚みを求めた。次に、（スロープ長さ）／（第２の層厚み）を計算して、スロープの傾斜を示す指標を得た。
なお、水に対する接触角は、ＪＩＳ Ｒ３２５７ 基板ガラス表面のぬれ性試験方法の手法をもとに、有機層表面に水を滴下して測定した。接触角の測定装置には、全自動接触角計ＤＭｏ－９０２（商品名、協和界面科学株式会社製）を用いた。
また、異方導電層の陽極酸化膜の他方の面に、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面と同じものを用い、スピンコート法により膜厚が６００ｎｍのベース層を形成した。
上述のように異方導電層の陽極酸化膜の他方の面に、スピンコート法によりベース層を形成する際には、汚染抑止のため、多孔質のフッ素樹脂シート(ポリテトラフルオロエチレン製)を介して、異方導電層をステージに吸着してスピンコートを実施した。多孔質のフッ素樹脂シートには、中興化成工業株式会社製のＣ－Ｐｏｒｏｕｓ（登録商標）を利用した。
なお、下記表２の「第２の層」の「膜厚」の欄は、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差、又は第２の層の膜厚を示す。
スロープの傾斜を示す指標は、（スロープ長さ）／（第２の層の厚み）で規定される値である。スロープの傾斜を示す指標は、有機層は傾斜部２０ｅ（図６参照）の絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対する傾きを示す。スロープの傾斜を示す指標が小さい程、傾きが急になり、絶縁膜１２の表面２０ａ又は裏面１２ｂに対する傾斜部２０ｅ（図６参照）の角度が９０°に近くなる。
スロープの傾斜を示す指標は、以下のようにして求めた。まず、有機層を形成した後、表面をデジタルマイクロスコープＶＨＸ－７０００（株式会社キーエンス社製）で走査し、断面プロファイルを取得した。断面プロファイルの段差形状からスロープ長さと第２の層の厚みを求めた。次に、（スロープ長さ）／（第２の層厚み）を計算して、スロープの傾斜を示す指標を得た。
なお、水に対する接触角は、ＪＩＳ Ｒ３２５７ 基板ガラス表面のぬれ性試験方法の手法をもとに、有機層表面に水を滴下して測定した。接触角の測定装置には、全自動接触角計ＤＭｏ－９０２（商品名、協和界面科学株式会社製）を用いた。
また、異方導電層の陽極酸化膜の他方の面に、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面と同じものを用い、スピンコート法により膜厚が６００ｎｍのベース層を形成した。
上述のように異方導電層の陽極酸化膜の他方の面に、スピンコート法によりベース層を形成する際には、汚染抑止のため、多孔質のフッ素樹脂シート(ポリテトラフルオロエチレン製)を介して、異方導電層をステージに吸着してスピンコートを実施した。多孔質のフッ素樹脂シートには、中興化成工業株式会社製のＣ－Ｐｏｒｏｕｓ（登録商標）を利用した。
なお、下記表２の「第２の層」の「膜厚」の欄は、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差、又は第２の層の膜厚を示す。
（実施例２）
実施例２は、実施例１に比して、有機層の構成が異なり、それ以外は、実施例１と同じとした。
有機層は、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面に、ＰＡＫ－０２（商品名、東洋合成工業株式会社）を用い、スピンコート法により、膜厚が１０００ｎｍ（１μｍ）のベース層を形成した。次に、ベース層にナノインプリント処理を施し、部分的に厚みを変えた。これにより、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差を２００ｎｍとした有機層を得た。このようにしてベース層に凹部と凸部とを形成して有機層を得た。
ナノインプリント処理は、ナノインプリント用の金型をベース層に金型を重ね、０．１ＭＰａの圧力でプレスした状態でＵＶ光を露光し、離形した。ナノインプリント用の金型には、１００ｎｍの段差と、２００ｎｍの段差とを有し、１００ｎｍの段差及び２００ｎｍの段差は、それぞれ段差部面積が３ｍｍ２のガラス製の金型を用いた。
有機層を構成するＰＡＫ－０２（商品名、東洋合成工業株式会社）は、水に対する接触角が４０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１０ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．０５であった。
実施例２は、実施例１に比して、有機層の構成が異なり、それ以外は、実施例１と同じとした。
有機層は、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面に、ＰＡＫ－０２（商品名、東洋合成工業株式会社）を用い、スピンコート法により、膜厚が１０００ｎｍ（１μｍ）のベース層を形成した。次に、ベース層にナノインプリント処理を施し、部分的に厚みを変えた。これにより、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差を２００ｎｍとした有機層を得た。このようにしてベース層に凹部と凸部とを形成して有機層を得た。
ナノインプリント処理は、ナノインプリント用の金型をベース層に金型を重ね、０．１ＭＰａの圧力でプレスした状態でＵＶ光を露光し、離形した。ナノインプリント用の金型には、１００ｎｍの段差と、２００ｎｍの段差とを有し、１００ｎｍの段差及び２００ｎｍの段差は、それぞれ段差部面積が３ｍｍ２のガラス製の金型を用いた。
有機層を構成するＰＡＫ－０２（商品名、東洋合成工業株式会社）は、水に対する接触角が４０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１０ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．０５であった。
（実施例３）
実施例３は、実施例２に比して、さらに、タフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）を用いて、スピンコート法により、膜厚が２００ｎｍの第２の層を形成した点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
実施例４の有機層は、２層構造であり、２層目のタフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）は、水に対する接触角が６５°であった。また、有機層は、スロープ長さが１０００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が５であった。
（実施例４）
実施例４は、実施例２に比して、さらに、スピンコート法により、膜厚が１０００ｎｍの第２の層を形成した点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
第２の層については、まず、アクリルポリマー（０６５００－１００Ｍｗ＝１００００００）１００ｇと、アクリルモノマー（製品名：オグソールＥＡ０２００、大阪ガスケミカル株式会社製）１５０ｇと、マレイミド化合物（製品名：ＢＭＩ５１００、大和化成工業株式会社製）８０ｇと、ビスフェノール（製品名：ＤＡＢＰＡ、大和化成工業株式会社製）２０ｇとメチルエチルケトン１００ｇとを、秤量し、この組成物を１２時間以上２４時間以下の時間範囲で混合し、均一に溶解混合された組成物を得た。得られた組成物を、所定の膜厚となるよう回転数を調整したスピンコーターを用いて第１の層に塗布し、連続して８０℃のオーブンで乾燥させて第２の層を形成した。乾燥時間は、作製膜中の残留溶剤分が２質量％以下になるように５分間乾燥した。
実施例４の有機層は、２層構造であり、第２の層は、水に対する接触角が３０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．１であった。
実施例３は、実施例２に比して、さらに、タフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）を用いて、スピンコート法により、膜厚が２００ｎｍの第２の層を形成した点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
実施例４の有機層は、２層構造であり、２層目のタフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）は、水に対する接触角が６５°であった。また、有機層は、スロープ長さが１０００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が５であった。
（実施例４）
実施例４は、実施例２に比して、さらに、スピンコート法により、膜厚が１０００ｎｍの第２の層を形成した点が異なり、それ以外は、実施例２と同じとした。
第２の層については、まず、アクリルポリマー（０６５００－１００Ｍｗ＝１００００００）１００ｇと、アクリルモノマー（製品名：オグソールＥＡ０２００、大阪ガスケミカル株式会社製）１５０ｇと、マレイミド化合物（製品名：ＢＭＩ５１００、大和化成工業株式会社製）８０ｇと、ビスフェノール（製品名：ＤＡＢＰＡ、大和化成工業株式会社製）２０ｇとメチルエチルケトン１００ｇとを、秤量し、この組成物を１２時間以上２４時間以下の時間範囲で混合し、均一に溶解混合された組成物を得た。得られた組成物を、所定の膜厚となるよう回転数を調整したスピンコーターを用いて第１の層に塗布し、連続して８０℃のオーブンで乾燥させて第２の層を形成した。乾燥時間は、作製膜中の残留溶剤分が２質量％以下になるように５分間乾燥した。
実施例４の有機層は、２層構造であり、第２の層は、水に対する接触角が３０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．１であった。
（実施例５）
実施例５は、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面に、Ｓｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）を用い、スピンコート法により膜厚が５００ｎｍの第１の層を形成した。次に、第１の層上に、ＴＰＩＲ（登録商標）－２０００Ｓ ＮＬ（製品名、東京応化工業株式会社）を用いて、スピンコート法により膜厚５００ｎｍの膜を形成した。その後、ナノインプリント法を用いて、部分的に膜の厚みを変えて第２の層を形成した。これにより、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差を５００ｎｍとした有機層を得た。ナノインプリント処理は、実施例２と同様に実施したが、ガラス製の金型の段差を５００ｎｍとした。
実施例５の有機層は、２層構造であり、１層目のＳｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）は水に対する接触角が６５°、２層目のＴＰＩＲ（登録商標）－２０００Ｓ ＮＬ（製品名、東京応化工業株式会社）は水に対する接触角が６０°であった。また、有機層は、スロープ長さが２０ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．０４であった。
また、実施例１と同様に、異方導電層の陽極酸化膜の他方の面に、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面と同じものを用い、スピンコート法により膜厚が５００ｎｍの第１の層を形成した。
実施例５は、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面に、Ｓｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）を用い、スピンコート法により膜厚が５００ｎｍの第１の層を形成した。次に、第１の層上に、ＴＰＩＲ（登録商標）－２０００Ｓ ＮＬ（製品名、東京応化工業株式会社）を用いて、スピンコート法により膜厚５００ｎｍの膜を形成した。その後、ナノインプリント法を用いて、部分的に膜の厚みを変えて第２の層を形成した。これにより、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差を５００ｎｍとした有機層を得た。ナノインプリント処理は、実施例２と同様に実施したが、ガラス製の金型の段差を５００ｎｍとした。
実施例５の有機層は、２層構造であり、１層目のＳｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）は水に対する接触角が６５°、２層目のＴＰＩＲ（登録商標）－２０００Ｓ ＮＬ（製品名、東京応化工業株式会社）は水に対する接触角が６０°であった。また、有機層は、スロープ長さが２０ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．０４であった。
また、実施例１と同様に、異方導電層の陽極酸化膜の他方の面に、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面と同じものを用い、スピンコート法により膜厚が５００ｎｍの第１の層を形成した。
（実施例６）
実施例６は、実施例５に比して、第２の層に代えて有機部材を形成した点が異なり、それ以外は、実施例５と同じとした。実施例６は、インクジェット法によりタフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）の液滴を、第１の層上に液滴の打滴密度を変えて吐出し、接合後の高さが１００ｎｍとなるように有機部材を形成した。
タフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）の液滴の吐出には、マテリアルプリンターＤＭＰ－２８５０（富士フイルム株式会社製）を用いた。
実施例６の有機層は、複合層であり、タフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）は水に対する接触角が６５°であった。また、有機層は、スロープ長さが１０００ｎｍ（１μｍ）、スロープの傾斜を示す指標が１０であった。
（実施例７）
実施例７は、実施例５に比して、第２の層をＰＡＫ－０２（商品名、東洋合成工業株式会社）を用いて形成した点、及び凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差が５００ｎｍである点が異なり、それ以外は、実施例５と同じとした。
実施例７の有機層は、２層構造であり、２層目のＰＡＫ－０２（商品名、東洋合成工業株式会社）は水に対する接触角が４０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．２であった。
実施例６は、実施例５に比して、第２の層に代えて有機部材を形成した点が異なり、それ以外は、実施例５と同じとした。実施例６は、インクジェット法によりタフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）の液滴を、第１の層上に液滴の打滴密度を変えて吐出し、接合後の高さが１００ｎｍとなるように有機部材を形成した。
タフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）の液滴の吐出には、マテリアルプリンターＤＭＰ－２８５０（富士フイルム株式会社製）を用いた。
実施例６の有機層は、複合層であり、タフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）は水に対する接触角が６５°であった。また、有機層は、スロープ長さが１０００ｎｍ（１μｍ）、スロープの傾斜を示す指標が１０であった。
（実施例７）
実施例７は、実施例５に比して、第２の層をＰＡＫ－０２（商品名、東洋合成工業株式会社）を用いて形成した点、及び凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差が５００ｎｍである点が異なり、それ以外は、実施例５と同じとした。
実施例７の有機層は、２層構造であり、２層目のＰＡＫ－０２（商品名、東洋合成工業株式会社）は水に対する接触角が４０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．２であった。
（実施例８）
実施例８は、実施例６に比して、有機部材に、実施例４の第２の層と同じものを用いて、接合後の高さが１０００ｎｍとなるように有機部材を形成した点が異なり、それ以外は、実施例６と同じとした。
実施例８の有機層は、複合層であり、第２の層は水に対する接触角が３０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１０００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が１０であった。
（実施例９）
実施例９は、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面に、Ｓｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）を用い、スピンコート法により膜厚が５００ｎｍの第１の層を形成した。第１の層は、連続的に厚みを変化させた。
次に、第１の層上に、Ｓｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）を用いて、インクジェット法により有機部材を形成して、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差を１０μｍ（１００００ｎｍ）とした有機層を得た。実施例９のインクジェット法は、実施例６のインクジェット法と同じにした。
実施例９の有機層は、２層構造であり、２層目のＳｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）は、水に対する接触角が６５°であった。また、有機層は、スロープ長さが５０ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．００５であった。
また、実施例１と同様に、異方導電層の陽極酸化膜の他方の面に、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面と同じものを用い、スピンコート法により膜厚が５００ｎｍの第１の層を形成した。
実施例８は、実施例６に比して、有機部材に、実施例４の第２の層と同じものを用いて、接合後の高さが１０００ｎｍとなるように有機部材を形成した点が異なり、それ以外は、実施例６と同じとした。
実施例８の有機層は、複合層であり、第２の層は水に対する接触角が３０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１０００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が１０であった。
（実施例９）
実施例９は、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面に、Ｓｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）を用い、スピンコート法により膜厚が５００ｎｍの第１の層を形成した。第１の層は、連続的に厚みを変化させた。
次に、第１の層上に、Ｓｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）を用いて、インクジェット法により有機部材を形成して、凹部２０ｃと凸部２０ｄとの差を１０μｍ（１００００ｎｍ）とした有機層を得た。実施例９のインクジェット法は、実施例６のインクジェット法と同じにした。
実施例９の有機層は、２層構造であり、２層目のＳｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）は、水に対する接触角が６５°であった。また、有機層は、スロープ長さが５０ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．００５であった。
また、実施例１と同様に、異方導電層の陽極酸化膜の他方の面に、異方導電層の陽極酸化膜の一方の面と同じものを用い、スピンコート法により膜厚が５００ｎｍの第１の層を形成した。
（実施例１０）
実施例１０は、実施例９に比して、有機部材をタフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）を用いて形成した点が異なり、それ以外は、実施例１０と同じとした。実施例１０の有機層は、複合層であり、タフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）は水に対する接触角が６５°であった。また、有機層は、スロープ長さが１００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．０１であった。
（実施例１１）
実施例１１は、実施例９に比して、有機部材に、実施例４の第２の層と同じものを用いた点が異なり、それ以外は、実施例９と同じとした。実施例１１の有機層は、複合層であり、第２の層は水に対する接触角が３０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．０１であった。
実施例１０は、実施例９に比して、有機部材をタフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）を用いて形成した点が異なり、それ以外は、実施例１０と同じとした。実施例１０の有機層は、複合層であり、タフテック（登録商標）Ｈ１０４３（製品名、旭化成株式会社）は水に対する接触角が６５°であった。また、有機層は、スロープ長さが１００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．０１であった。
（実施例１１）
実施例１１は、実施例９に比して、有機部材に、実施例４の第２の層と同じものを用いた点が異なり、それ以外は、実施例９と同じとした。実施例１１の有機層は、複合層であり、第２の層は水に対する接触角が３０°であった。また、有機層は、スロープ長さが１００ｎｍ、スロープの傾斜を示す指標が０．０１であった。
（比較例１）
比較例１は、異方導電層の陽極酸化膜の両方の面に、Ｓｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）を用い、スピンコート法により膜厚が１０μｍ（１００００ｎｍ）の有機層を形成した。比較例２の有機層は、水に対する接触角が６５°であり、厚みが均一である。比較例１は、第２の層がないため、スロープの傾斜を示す指標はない。
比較例１は、異方導電層の陽極酸化膜の両方の面に、Ｓｔａｙｓｔｉｋ ３８３（品番、alpha advanced materials社）を用い、スピンコート法により膜厚が１０μｍ（１００００ｎｍ）の有機層を形成した。比較例２の有機層は、水に対する接触角が６５°であり、厚みが均一である。比較例１は、第２の層がないため、スロープの傾斜を示す指標はない。
表２に示すように、実施例１～１１は、比較例１に比して導通信頼性が優れていた。
比較例１は、有機層が均一な厚みであり、導通信頼性が悪かった。
実施例１、６、及び実施例２、３から、スロープの傾斜を示す指標が大きい方が導通信頼性がより優れていた。
実施例４、５及び実施例１０、１１から、有機層は表面側、すなわち、接合側の方が水に対する接触角が小さいと、導通信頼性がより優れていた。
比較例１は、有機層が均一な厚みであり、導通信頼性が悪かった。
実施例１、６、及び実施例２、３から、スロープの傾斜を示す指標が大きい方が導通信頼性がより優れていた。
実施例４、５及び実施例１０、１１から、有機層は表面側、すなわち、接合側の方が水に対する接触角が小さいと、導通信頼性がより優れていた。
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ 異方導電性部材
１１ａ、１２ａ、２０ａ 表面
１１ｂ、１２ｂ 裏面
１２ 絶縁膜
１３ 細孔
１４ 導体
１４ａ、１４ｂ 突出部
１５ 陽極酸化膜
１６ 異方導電層
２０ 有機層
２０ｂ 部分
２０ｃ 凹部
２０ｄ 凸部
２０ｅ 傾斜部
２１ 第１の層
２２ 複合層
２２ａ 有機部材
２３、２４、２５、２６ 第２の層
２７ ベース層
２７ａ 表面
２８ モールド
２８ａ 凸部
２９ 層
３０ アルミニウム基板
３０ａ 表面
３１ バリア層
３２ｃ 底部
３２ｄ 面
３５ 金属
３５ａ 金属層
３５ｂ 金属
３７ ベース層
３７ａ 表面
３７ｂ 傾斜部
４０、５０ 構造体
４２、５２ 半導体メモリ
４４、５４ ＣＰＵ
４４ａ、４４ｂ、４５ａ、４６ａ、５２ａ、５２ｂ 電極
４５、５３ センサー
４６ ＲＦデバイス
４７ 配線基板
５３ａ、５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５７ａ、５８ａ、５８ｂ 電極
５６ 第１の電子デバイス
５７ 第２の電子デバイス
５８ 第３の電子デバイス
５９ 樹脂層
６０ 下側チップ
６０ａ 表面
６０ｂ 第１接続領域
６０ｃ 第２接続領域
６０ｄ 第３接続領域
６１ 第１電極部
６１ａ、６２ａ、６３ａ 配線群
６１ｂ、６２ｂ、６３ｂ、６４ｃ、６５ｃ、６６ｃ 電極
６１ｃ、６２ｃ、６３ｃ 配線
６１ｄ、６２ｄ 端子
６２ 第２電極部
６３ 第３電極部
６４ 第１テストチップ
６４ｂ、６５ｂ、６６ｂ 配線部
６５ 第２テストチップ
６６ 第３テストチップ
６８ 接合部
７０ 構造体
ｄ 平均直径
Ｄｓ 積層方向
Ｄｔ 厚み方向
ｈｊ 平均厚み
ｈｍ 平均厚み
ｈｔ 厚み
Ｍ１ 金属
ｐ 中心間距離
θ 傾斜角
１１ａ、１２ａ、２０ａ 表面
１１ｂ、１２ｂ 裏面
１２ 絶縁膜
１３ 細孔
１４ 導体
１４ａ、１４ｂ 突出部
１５ 陽極酸化膜
１６ 異方導電層
２０ 有機層
２０ｂ 部分
２０ｃ 凹部
２０ｄ 凸部
２０ｅ 傾斜部
２１ 第１の層
２２ 複合層
２２ａ 有機部材
２３、２４、２５、２６ 第２の層
２７ ベース層
２７ａ 表面
２８ モールド
２８ａ 凸部
２９ 層
３０ アルミニウム基板
３０ａ 表面
３１ バリア層
３２ｃ 底部
３２ｄ 面
３５ 金属
３５ａ 金属層
３５ｂ 金属
３７ ベース層
３７ａ 表面
３７ｂ 傾斜部
４０、５０ 構造体
４２、５２ 半導体メモリ
４４、５４ ＣＰＵ
４４ａ、４４ｂ、４５ａ、４６ａ、５２ａ、５２ｂ 電極
４５、５３ センサー
４６ ＲＦデバイス
４７ 配線基板
５３ａ、５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５７ａ、５８ａ、５８ｂ 電極
５６ 第１の電子デバイス
５７ 第２の電子デバイス
５８ 第３の電子デバイス
５９ 樹脂層
６０ 下側チップ
６０ａ 表面
６０ｂ 第１接続領域
６０ｃ 第２接続領域
６０ｄ 第３接続領域
６１ 第１電極部
６１ａ、６２ａ、６３ａ 配線群
６１ｂ、６２ｂ、６３ｂ、６４ｃ、６５ｃ、６６ｃ 電極
６１ｃ、６２ｃ、６３ｃ 配線
６１ｄ、６２ｄ 端子
６２ 第２電極部
６３ 第３電極部
６４ 第１テストチップ
６４ｂ、６５ｂ、６６ｂ 配線部
６５ 第２テストチップ
６６ 第３テストチップ
６８ 接合部
７０ 構造体
ｄ 平均直径
Ｄｓ 積層方向
Ｄｔ 厚み方向
ｈｊ 平均厚み
ｈｍ 平均厚み
ｈｔ 厚み
Ｍ１ 金属
ｐ 中心間距離
θ 傾斜角
Claims (21)
- 絶縁膜の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体と、前記絶縁膜の少なくとも一方の面を覆う有機層とを有する異方導電性部材であって、
前記有機層は、表面が露出した状態において、前記絶縁膜の前記面からの厚みが厚い部分と前記厚みが薄い部分とを有する、異方導電性部材。 - 前記有機層は、前記厚みが厚い部分と前記厚みが薄い部分との間は厚みが連続的に変化している、請求項１に記載の異方導電性部材。
- 前記有機層は、前記絶縁膜側に配置された第１の層と、前記第１の層上に点在して配置された有機部材とを有する、請求項１に記載の異方導電性部材。
- 前記有機層は、多層構造を有する、請求項１又は２に記載の異方導電性部材。
- 前記有機層は、前記絶縁膜側よりも前記絶縁膜の反対側の方が接触角が小さい、請求項１、２及び４のうち、いずれか１項に記載の異方導電性部材。
- 前記有機層は、前記第１の層よりも前記有機部材の方が前記接触角が小さい、請求項３に記載の異方導電性部材。
- 絶縁膜の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、複数の導体と、前記絶縁膜の少なくとも一方の面を覆う有機層とを有する異方導電性部材の製造方法であって、
前記絶縁膜の少なくとも一方の前記面に対して、前記有機層を形成する組成物の適用量を変えて前記有機層を形成する工程を有する、異方導電性部材の製造方法。 - 前記有機層を形成する工程は、前記有機層を形成する前記組成物の適用量を変えて、前記有機層の前記厚みが厚い部分と前記厚みが薄い部分とを、前記厚みが厚い部分と前記厚みが薄い部分との間を連続的に厚みを変化させて、前記有機層を形成する、請求項７に記載の異方導電性部材の製造方法。
- 前記有機層を形成する工程は、
前記絶縁膜側に第１の層を形成する工程と、
前記第１の層上に前記有機部材を点在させて形成する工程とを有する、請求項７に記載の異方導電性部材の製造方法。 - 前記有機層は、多層構造を有する、請求項７又は８に記載の異方導電性部材の製造方法。
- 前記第１の層よりも前記有機部材の方が接触角が小さい、請求項９に記載の異方導電性部材の製造方法。
- 前記有機層は、接触角が異なる層を有し、
前記有機層を形成する工程は、前記接触角が小さい層を、前記絶縁膜の反対側に形成して、部分的に厚みが異なる前記有機層を形成する、請求項１０に記載の異方導電性部材の製造方法。 - 前記有機層を形成する工程は、均一な厚みの第１の層を形成する工程と、前記第１の層の表面に対して、部分的に第２の層を形成する工程とを有する、請求項７に記載の異方導電性部材の製造方法。
- 前記第１の層よりも前記第２の層の方が、接触角が小さい、請求項１３に記載の異方導電性部材の製造方法。
- 前記有機層を形成する工程は、インクジェット法及び塗布法のうち、少なくとも１つの方法を含む工程を有する、請求項７～１４のいずれか１項に記載の異方導電性部材の製造方法。
- 前記有機層を形成する工程は、均一な厚みのベース層を形成する工程と、前記ベース層に対して、パターンエッチング処理を施し、部分的に厚みを変える工程を有する、請求項７、８、１０、１１、及び１２のうち、いずれか１項に記載の異方導電性部材の製造方法。
- 請求項１～６のいずれか１項に記載の異方導電性部材に、複数の電子デバイスが電気的に接続された構造体であって、
前記複数の電子デバイスは、前記異方導電性部材に電気的に接続される電極を複数有し、
前記複数の電子デバイスは、それぞれ前記電極の高さ、幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つが異なる、構造体。 - 前記複数の電子デバイスは、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なる、請求項１７に記載の構造体。
- 前記複数の電子デバイスは、それぞれ厚さが異なる、請求項１７又は１８に記載の構造体。
- 請求項１～６のいずれか１項に記載の異方導電性部材に、複数の電子デバイスが電気的に接続された構造体の製造方法であって、
前記複数の電子デバイスは、前記異方導電性部材に電気的に接続される電極を複数有し、
前記複数の電子デバイスは、それぞれ前記電極の高さ、幅及び電極間距離のうち、少なくとも１つが異なり、かつ高さが異なり、
高さが低い順に前記複数の電子デバイスを前記異方導電性部材に載置して、前記複数の電子デバイスを接合する工程を有する、構造体の製造方法。 - 前記複数の電子デバイスは、それぞれ機能及び半導体種のうち、少なくとも一方が異なる、請求項２０に記載の構造体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021182064A JP2023069883A (ja) | 2021-11-08 | 2021-11-08 | 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法 |
| CN202211381345.7A CN116092726A (zh) | 2021-11-08 | 2022-11-03 | 各向异性导电性部件、各向异性导电性部件的制造方法、结构体及结构体的制造方法 |
| TW111141925A TW202319223A (zh) | 2021-11-08 | 2022-11-03 | 各向異性導電性構件、各向異性導電性構件之製造方法、結構體及結構體之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021182064A JP2023069883A (ja) | 2021-11-08 | 2021-11-08 | 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023069883A true JP2023069883A (ja) | 2023-05-18 |
Family
ID=86201352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021182064A Pending JP2023069883A (ja) | 2021-11-08 | 2021-11-08 | 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023069883A (ja) |
| CN (1) | CN116092726A (ja) |
| TW (1) | TW202319223A (ja) |
-
2021
- 2021-11-08 JP JP2021182064A patent/JP2023069883A/ja active Pending
-
2022
- 2022-11-03 TW TW111141925A patent/TW202319223A/zh unknown
- 2022-11-03 CN CN202211381345.7A patent/CN116092726A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202319223A (zh) | 2023-05-16 |
| CN116092726A (zh) | 2023-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210363653A1 (en) | Anodizing method and manufacturing method for an anisotropic conductive member | |
| JPWO2018173764A1 (ja) | 積層デバイス、積層体および積層デバイスの製造方法 | |
| JP6887396B2 (ja) | 異方導電性部材の製造方法 | |
| JP6818707B2 (ja) | 金属膜、構造体、複合材料、構造体の製造方法、および複合材料の製造方法 | |
| JP6513281B2 (ja) | 異方導電性接合部材、半導体デバイス、半導体パッケージおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6906616B2 (ja) | 構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージ | |
| JP6976883B2 (ja) | 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、接合体および電子デバイス | |
| TW201908541A (zh) | 金屬填充微細構造體的製造方法 | |
| JP7394956B2 (ja) | 金属充填微細構造体、及び金属充填微細構造体の製造方法 | |
| WO2022163260A1 (ja) | 構造体、異方導電性部材の製造方法、及び保護層形成用組成物 | |
| JP7493039B2 (ja) | 構造体、構造体の製造方法、接合体の製造方法及びデバイスの製造方法 | |
| JP2023069883A (ja) | 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、構造体及び構造体の製造方法 | |
| JP7336584B2 (ja) | 金属充填微細構造体の製造方法 | |
| WO2018159186A1 (ja) | 半導体デバイス、積層体ならびに半導体デバイスの製造方法および積層体の製造方法 | |
| WO2022158277A1 (ja) | めっき液、および、金属充填構造体の製造方法 | |
| WO2021153112A1 (ja) | 金属充填微細構造体の製造方法 | |
| JP7357142B2 (ja) | 充填微細構造体および搬送方法 | |
| JP6890668B2 (ja) | 金属充填微細構造体の製造方法および絶縁性基材 | |
| JP2023013811A (ja) | 構造体の製造方法 | |
| WO2019065118A1 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および接合部材 | |
| TW201939689A (zh) | 接合體之製造方法、臨時固定構件及積層體 |