CN116041963A - 一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法 - Google Patents
一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116041963A CN116041963A CN202310219742.2A CN202310219742A CN116041963A CN 116041963 A CN116041963 A CN 116041963A CN 202310219742 A CN202310219742 A CN 202310219742A CN 116041963 A CN116041963 A CN 116041963A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silica gel
- waterproof
- tearing strength
- gel film
- wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 title claims abstract description 52
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 27
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 29
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 18
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- -1 modified vinyl montmorillonite Chemical compound 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 10
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 108010009736 Protein Hydrolysates Proteins 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 8
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 7
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 7
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WQTNGCZMPUCIEX-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-prop-2-enylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC=C WQTNGCZMPUCIEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C=C JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CVZTYTBFQPBMFS-UHFFFAOYSA-N ethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[SiH2]CC=C CVZTYTBFQPBMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000413 hydrolysate Substances 0.000 claims description 5
- AKRQMTFHUVDMIL-UHFFFAOYSA-N tetrakis(prop-2-enyl)silane Chemical compound C=CC[Si](CC=C)(CC=C)CC=C AKRQMTFHUVDMIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PKRKCDBTXBGLKV-UHFFFAOYSA-N tris(ethenyl)-methylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C=C)C=C PKRKCDBTXBGLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GKBKTZVWTWAFSW-WEVVVXLNSA-N [(e)-but-2-enyl]-triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C\C=C\C GKBKTZVWTWAFSW-WEVVVXLNSA-N 0.000 claims description 4
- GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N diethoxy(methyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)OCC GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OWUTVCVPEOXXHD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-1-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=CC OWUTVCVPEOXXHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YPENMAABQGWRBR-UHFFFAOYSA-N dibutyl(dimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)CCCC YPENMAABQGWRBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)OCC ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LMQORFSQFKHATF-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[4-(oxiran-2-yl)butyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCC1CO1 LMQORFSQFKHATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RIVZIMVWRDTIOQ-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co].[Co] RIVZIMVWRDTIOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 claims 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 28
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 24
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 12
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- XEVZIAVUCQDJFL-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Fe].[Si] Chemical compound [Cr].[Fe].[Si] XEVZIAVUCQDJFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KSIIOJIEFUOLDP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Fe].[Ni] Chemical compound [Si].[Fe].[Ni] KSIIOJIEFUOLDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- ARLJCLKHRZGWGL-UHFFFAOYSA-N ethenylsilicon Chemical compound [Si]C=C ARLJCLKHRZGWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2383/04—Polysiloxanes
- C08J2383/07—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2483/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2483/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2483/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2483/04—Polysiloxanes
- C08J2483/05—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2483/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2483/04—Polysiloxanes
- C08J2483/07—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
- C08K3/346—Clay
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/38—Boron-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
- C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法。所述防水吸波硅胶膜由有机硅树脂、交联剂、铂金和电磁波吸收剂组成。制备方法为按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度200～800r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到不同厚度的流延膜，将流延膜在100～120℃烘烤25～35min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。本发明在传统的防水硅胶垫片上赋予其特殊的电磁波吸收抗干扰功能，应用于电子产品中信号转接口处或器件插拔卡槽处，有效抑制信号干扰和电磁辐射问题就，该产品的邵氏硬度在10～45A，撕裂强度在2～8N/mm。
Description
技术领域
本发明涉及吸波材料技术领域，具体涉及一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法。
背景技术
电子元器件广泛应用于互联网、通信领域。随着高集成度、多层设计、小型化设计的集成电路发展，以及5G技术的成熟发展使电子器件的工作频率大幅提升和设备的小型集成化造成器件内部和器件质检的电磁波辐射干扰明显加重，在产品设计过程中不得不考虑这一不利影响。针对这一问题，在传统的防水硅胶垫片上赋予其特殊的电磁波吸收抗干扰功能，应用于电子产品中信号转接口、器件插拔卡槽等有防水需求且有明显电磁辐射或受电磁辐射干扰的位置，在解决防水问题同时有效抑制信号干扰和电磁辐射问题。
目前，市场已有的吸波片材料由树脂和磁性材料复合制成片状，再由应用厂家裁成各自定制形状贴附于所需设备。该材料吸波有两种方式，一是通过吸收电磁波将能量转化为热量，降低电磁波干扰，另一种是通过反射电磁波。但是应用于电子产品中信号转接口、器件插拔卡槽等有防水需求且有明显电磁辐射或受电磁辐射干扰的位置的硅胶膜必须具有高撕裂强度、低硬度，而现有的吸波硅胶膜存在撕裂强度低、硬度高的问题，限制了吸波硅胶膜的应用、缩短了吸波硅胶膜的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。
本发明的另一目的在于提供高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 5～60； 交联剂： 0.1～10；
铂金： 0.001～0.5； 电磁波吸收剂： 40～100；
其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂或/和改性乙烯基蒙脱土的混合。
作为优选技术方案，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 50； 交联剂： 8；
铂金： 0.05； 电磁波吸收剂： 100。
进一步地，所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度均为100～20000 mpa·s。
进一步地，所述有机硅低聚物交联剂由硅烷偶联剂缩合而成，具体方法为：
取硅烷偶联剂100重量份、水1～50重量份、乙酸0.1～5重量份加入反应釜内搅拌并升温至25～90℃，反应30～300 min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂。
进一步地，所述硅烷偶联剂为乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基乙氧基硅烷、烯丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、四烯丙基硅烷、三乙烯基甲基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二正丁基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油基丙基甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷或3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷中的至少一种。
进一步地，所述电磁波吸收剂为基铁粉、铁硅铝粉、铁硅铬粉、铁硅镍粉、铁钴镍粉、碳化硅粉或硼硅酸铝粉的一种或多种的混合。
进一步地，所述电磁波吸收剂还包括预处理的步骤：电磁波吸收剂经pH为5～6的盐酸或乙酸溶液搅拌洗涤3～30min除锈，抽滤并水洗2～4次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，室温～90℃下搅拌20～120min，反应后抽滤水洗5～7次，乙醇洗涤2～3次，55～65℃真空烘12～48h。
进一步地，所述偶联剂水解液的制备如下：选取1～50重量份的乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、2-丁烯基三乙氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷中的一种或多种，加入到100～500重量份pH为5～6的盐酸溶液中室温下搅拌20～90min进行水解。
进一步地，所述防水吸波硅胶膜的邵氏硬度为10～45A，撕裂强度为2～8N/mm。
一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法，按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度200～800r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到不同厚度的流延膜，将流延膜在100～120℃烘烤25～35min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。
本发明中的有机硅树脂为双组份加成型硅树脂即乙烯基硅树脂和含氢硅树脂，粘度均在100~20000mp.s内，为多种不同粘度硅树脂的混合物，反应活性点（乙烯基、硅氢键）不限于在分子链两端和分子链内侧。交联剂由硅烷偶联剂缩合制得液态有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂或/和改性乙烯基蒙脱土填料组成，该复配的交联剂组份可以有效降低体系的粘度，通过不同配比可以实现不同程度的交联密度设计来优化加成型硅胶固化后的硬度和撕裂强度等力学特性。本发明的电磁波吸收剂表面产生可反应性官能团，吸收剂经过处理去除粉体粒子表面的油和锈，同时赋予粒子表面可反应官能团或改变粒子的表面能，实现填料粒子与有机硅树脂基体更好的混合分散效果、实现填料粒子和胶体树脂间的化学键联从而提高整体的力学性能。
本发明具有以下优点：本发明提供了一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法，在传统的防水硅胶垫片上赋予其特殊的电磁波吸收抗干扰功能，应用于电子产品中信号转接口处或器件插拔卡槽处，有效抑制信号干扰和电磁辐射问题。本发明提供的高撕裂强度低硬度防水吸波硅胶膜片基于双组加成型硅胶热硫化工艺，经交联单体设计、粉体填料改性、硅树脂改性等有效解决在加入一定量的吸波填料后硅胶膜片易撕裂强度低和硬度偏高问题，该产品的邵氏硬度在10～45A，撕裂强度在2～8N/mm。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的描述，本发明的保护范围不局限于以下所述：
实施例1：一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 5； 交联剂： 0.1；
铂金： 0.001； 电磁波吸收剂： 40；
其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂以重量比为1:1的混合。
所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度分别为：1000 mpa·s、3000 mpa·s。所述电磁波吸收剂为基铁粉和铁硅铝粉的混合。
上述一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法为：
（1）制备交联剂：取硅烷偶联剂200重量份、水1重量份、乙酸0.1重量份加入反应釜内搅拌并升温至25℃，反应30 min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂，将有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂混合得到交联剂；所述硅烷偶联剂为乙烯基甲基二甲氧基硅烷和乙烯基甲基乙氧基硅烷的混合；
（2）电磁波吸收剂预处理：
A.偶联剂水解液的制备如下：选取1重量份的乙烯基三甲氧基硅烷，加入到100重量份pH为5的盐酸溶液中室温下搅拌20min进行水解；
B. 电磁波吸收剂经pH为5的盐酸溶液搅拌洗涤3min除锈，抽滤并水洗2次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，室温下搅拌20min，反应后抽滤水洗5次，乙醇洗涤3次，55℃真空烘12h；
（3）制备防水吸波硅胶膜：按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度200r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到1.2mm厚度的流延膜，将流延膜在100℃烘烤25min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。硅胶模经裁切设备裁切成10*10mm的方形防水吸波硅胶圈垫片，产品的邵氏硬度小于45A，撕裂强度达到4.8N/mm。
实施例2：一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 40； 交联剂： 3；
铂金： 0.01； 电磁波吸收剂： 100；
其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂和改性乙烯基蒙脱土以重量比为2:1的混合。所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度分别为10000mpa·s、20000 mpa·s。所述电磁波吸收剂为铁硅铬粉、铁硅镍粉和铁钴镍粉的混合。
上述一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法为：
（1）制备交联剂：取硅烷偶联剂100重量份、水12重量份、乙酸5重量份加入反应釜内搅拌并升温至90℃，反应180 min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂，将有机硅低聚物交联剂与改性乙烯基蒙脱土的混合得到交联剂；所述硅烷偶联剂为烯丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、四烯丙基硅烷和三乙烯基甲基硅烷以任意比例的混合；
（2）电磁波吸收剂预处理：
A.偶联剂水解液的制备如下：选取25重量份的乙烯基三乙氧基硅烷和25重量份的苯基三甲氧基硅烷，加入到500份pH为6的盐酸溶液中室温下搅拌90min进行水解；
B.电磁波吸收剂经pH为5.5的乙酸溶液搅拌洗涤10min除锈，抽滤并水洗3次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，90℃下搅拌20min，反应后抽滤水洗6次，乙醇洗涤3次，55℃真空烘48h；
（3）制备防水吸波硅胶膜：按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度800r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到1.2mm厚度的流延膜，将流延膜在120℃烘烤35min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。硅胶模经裁切设备裁切成10*10mm的方形防水吸波硅胶圈垫片，产品的邵氏硬度小于45A，撕裂强度达到6.3N/mm。
实施例3：一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 15； 交联剂： 2；
铂金： 0.005； 电磁波吸收剂： 60；
其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂、MQ硅树脂和改性乙烯基蒙脱土以重量比为1:1:1的混合。所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度分别为5000mpa·s、8000 mpa·s。所述电磁波吸收剂为铁钴镍粉、碳化硅粉和硼硅酸铝粉以任意比例的混合。
上述一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法为：
（1）制备交联剂：取硅烷偶联剂100重量份、水8重量份、乙酸1重量份加入反应釜内搅拌并升温至38℃，反应80min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂，将有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂和改性乙烯基蒙脱土的混合得到交联剂；所述硅烷偶联剂为烯丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、四烯丙基硅烷、三乙烯基甲基硅烷和甲基二甲氧基硅烷以任意比例的混合；
（2）电磁波吸收剂预处理：
A.偶联剂水解液的制备如下：选取10重量份的己基三甲氧基硅烷、10重量份的丙基三甲氧基硅烷、5重量份的2-丁烯基三乙氧基硅烷，加入到200重量份pH为5.5的盐酸溶液中室温下搅拌50min进行水解；
B.电磁波吸收剂经pH为5.5的盐酸溶液搅拌洗涤15min除锈，抽滤并水洗4次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，60℃下搅拌35min，反应后抽滤水洗7次，乙醇洗涤2次，65℃真空烘20h；
（3）制备防水吸波硅胶膜：按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度400r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到1.2mm厚度的流延膜，将流延膜在112℃烘烤30min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。硅胶模经裁切设备裁切成10*10mm的方形防水吸波硅胶圈垫片，产品的邵氏硬度小于45A，撕裂强度达到5.2N/mm。
实施例4：一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 45； 交联剂： 7；
铂金： 0.3； 电磁波吸收剂： 80；
其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂和改性乙烯基蒙脱土以重量比为2:1:2的混合。所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度分别为1000mpa·s、15000 mpa·s。所述电磁波吸收剂为铁硅铬粉、铁硅镍粉、铁钴镍粉、碳化硅粉和硼硅酸铝粉以任意比例的混合。
上述一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法为：
（1）制备交联剂：取硅烷偶联剂100重量份、水23重量份、乙酸2重量份加入反应釜内搅拌并升温至50℃，反应120 min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂，将有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂和改性乙烯基蒙脱土的混合得到交联剂；所述硅烷偶联剂为乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基乙氧基硅烷、烯丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、四烯丙基硅烷、三乙烯基甲基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二正丁基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油基丙基甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷和3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷以任意比例的混合；
（2）电磁波吸收剂预处理：
A. 选取5重量份的乙烯基三甲氧基硅烷、12重量份的苯基三甲氧基硅烷、8重量份的己基三甲氧基硅烷、2重量份的丙基三甲氧基硅烷、5重量份的丙烯基三甲氧基硅烷，加入到350重量份pH为6的盐酸溶液中室温下搅拌60min进行水解。
B.电磁波吸收剂经pH为5.5的乙酸溶液搅拌洗涤22min除锈，抽滤并水洗2次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，室温下搅拌30min，反应后抽滤水洗5次，乙醇洗涤3次，50℃真空烘25h；
（3）制备防水吸波硅胶膜：按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度500r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到1.2mm厚度的流延膜，将流延膜在118℃烘烤30min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。硅胶模经裁切设备裁切成10*10mm的方形防水吸波硅胶圈垫片，产品的邵氏硬度小于45A，撕裂强度达到5.8N/mm。
实施例5：一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 60； 交联剂： 10；
铂金： 0.5； 电磁波吸收剂： 100。
其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂以重量比为5:1的混合。
所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度分别为5000mpa·s、18000mpa·s。所述电磁波吸收剂为硼硅酸铝粉。
上述一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法为：
（1）制备交联剂：取硅烷偶联剂50重量份、水50重量份、乙酸4.5重量份加入反应釜内搅拌并升温至80℃，反应300min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂，将有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂混合得到交联剂；所述硅烷偶联剂为乙烯基甲基二甲氧基硅烷和乙烯基甲基乙氧基硅烷以重量比为3:2的混合；
（2）电磁波吸收剂预处理：
A. 选取6重量份的乙烯基三甲氧基硅烷、10重量份的乙烯基三乙氧基硅烷、4重量份的苯基三甲氧基硅烷、7重量份的己基三甲氧基硅烷、1重量份的丙基三甲氧基硅烷、12重量份的2-丁烯基三乙氧基硅烷、5重量份的丙烯基三甲氧基硅烷，加入到420份pH为5的盐酸溶液中室温下搅拌85min进行水解；
B.电磁波吸收剂经pH为6的盐酸溶液搅拌洗涤25min除锈，抽滤并水洗2次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，40℃下搅拌100min，反应后抽滤水洗5次，乙醇洗涤3次，55℃真空烘30h；
（3）制备防水吸波硅胶膜：按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度650r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到1.2mm厚度的流延膜，将流延膜在100℃烘烤30min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。硅胶模经裁切设备裁切成10*10mm的方形防水吸波硅胶圈垫片，产品的邵氏硬度小于45A，撕裂强度达到6.7N/mm。
实施例6：一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 50； 交联剂： 8；
铂金： 0.05； 电磁波吸收剂： 100。
其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂以重量比为2:1的混合。
所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，取4000mpa.s、12000mpa.s两种粘度乙烯基硅树脂混合，混合后粘度控制在8000mpa.s；取1000mpa.s、5000mpa.s两种粘度含氢硅树脂混合，混合后粘度控制在3000mpa.s；所述电磁波吸收剂为铁钴镍粉。
上述一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法为：
（1）制备交联剂：取硅烷偶联剂100重量份、水35重量份、乙酸5重量份加入反应釜内搅拌并升温至80℃，反应180 min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂，将有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂混合得到交联剂；所述硅烷偶联剂为乙烯基甲基二甲氧基硅烷；
（2）电磁波吸收剂预处理：
A. 选取20重量份的乙烯基三甲氧基硅烷、10重量份的乙烯基三乙氧基硅烷、3重量份的苯基三甲氧基硅烷、5重量份的丙基三甲氧基硅烷，加入到480份pH为6的盐酸溶液中室温下搅拌70min进行水解；
B.电磁波吸收剂经pH为5.5的乙酸溶液搅拌洗涤30min除锈，抽滤并水洗2次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，室温下搅拌120min，反应后抽滤水洗5次，乙醇洗涤3次，55℃真空烘40h；
（3）制备防水吸波硅胶膜：按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌500r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到800μm厚度的流延膜，将流延膜在100℃烘烤30min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。硅胶模经裁切设备裁切成宽4mm外径10mm的圆环状防水吸波硅垫圈，产品的邵氏硬度小于45A，撕裂强度达到5.5N/mm。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 5～60； 交联剂： 0.1～10；
铂金： 0.001～0.5； 电磁波吸收剂： 40～100；
其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂与MQ硅树脂或/和改性乙烯基蒙脱土的混合。
2.根据权利要求1所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，它包含以下重量份的原料：
有机硅树脂： 50； 交联剂： 8；
铂金： 0.05； 电磁波吸收剂： 100。
3.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度均为100～20000mpa·s。
4.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述有机硅低聚物交联剂由硅烷偶联剂缩合而成，具体方法为：
取硅烷偶联剂100重量份、水1～50重量份、乙酸0.1～5重量份加入反应釜内搅拌并升温至25～90℃，反应30～300 min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂。
5.根据权利要求4所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述硅烷偶联剂为乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基乙氧基硅烷、烯丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、四烯丙基硅烷、三乙烯基甲基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二正丁基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油基丙基甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷或3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述电磁波吸收剂为基铁粉、铁硅铝粉、铁硅铬粉、铁硅镍粉、铁钴镍粉、碳化硅粉或硼硅酸铝粉的一种或多种的混合。
7.根据权利要求1或2或6所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述电磁波吸收剂还包括预处理的步骤：电磁波吸收剂经pH为5～6的盐酸或乙酸溶液搅拌洗涤3～30min除锈，抽滤并水洗2～4次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，室温～90℃下搅拌20～120min，反应后抽滤水洗5～7次，乙醇洗涤2～3次，55～65℃真空烘12～48h。
8.根据权利要求7所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述偶联剂水解液的制备如下：选取1～50重量份的乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、2-丁烯基三乙氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷中的一种或多种，加入到100～500重量份pH为5～6的盐酸溶液中室温下搅拌20～90min进行水解。
9.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述防水吸波硅胶膜的邵氏硬度为10～45A，撕裂强度为2～8N/mm。
10.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法，其特征在于，按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度200～800r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到不同厚度的流延膜，将流延膜在100～120℃烘烤25～35min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310219742.2A CN116041963A (zh) | 2023-03-09 | 2023-03-09 | 一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310219742.2A CN116041963A (zh) | 2023-03-09 | 2023-03-09 | 一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116041963A true CN116041963A (zh) | 2023-05-02 |
Family
ID=86125738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310219742.2A Pending CN116041963A (zh) | 2023-03-09 | 2023-03-09 | 一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116041963A (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101177595A (zh) * | 2007-12-13 | 2008-05-14 | 同济大学 | 纳米mq硅树脂增强的湿固化有机硅压敏胶及其制备方法 |
| CN102924927A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-02-13 | 深圳市森日有机硅材料有限公司 | 全透明液体硅橡胶组合物及其制备方法 |
| CN105482466A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-04-13 | 佛山市华联有机硅有限公司 | 一种低硬度高强度硅橡胶及其制备方法 |
| CN106519711A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-03-22 | 安徽中翰高分子科技有限公司 | 一种低硬度抗撕裂耐高温tpe及其制备方法 |
| CN110294938A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-10-01 | 东莞市天桉硅胶科技有限公司 | 一种高撕裂强度的模具胶及其制备方法 |
| CN113861660A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-31 | 成都佳驰电子科技股份有限公司 | 一种耐高温磁性吸波薄膜及其制备方法 |
| CN114085534A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-02-25 | 广州市白云化工实业有限公司 | 一种高伸长率低永久变形高温硅橡胶及其制备方法 |
| CN114214025A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-22 | 杭州之江有机硅化工有限公司 | 一种新型双组份硅酮结构密封胶及其制备方法 |
| CN114989764A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-02 | 江西晨光新材料股份有限公司 | 室内装饰装修用硅烷改性聚醚密封胶及制备方法和应用 |
| CN115109418A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-09-27 | 航天科工武汉磁电有限责任公司 | 一种吸波硅橡胶及其制备方法 |
-
2023
- 2023-03-09 CN CN202310219742.2A patent/CN116041963A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101177595A (zh) * | 2007-12-13 | 2008-05-14 | 同济大学 | 纳米mq硅树脂增强的湿固化有机硅压敏胶及其制备方法 |
| CN102924927A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-02-13 | 深圳市森日有机硅材料有限公司 | 全透明液体硅橡胶组合物及其制备方法 |
| CN105482466A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-04-13 | 佛山市华联有机硅有限公司 | 一种低硬度高强度硅橡胶及其制备方法 |
| CN106519711A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-03-22 | 安徽中翰高分子科技有限公司 | 一种低硬度抗撕裂耐高温tpe及其制备方法 |
| CN110294938A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-10-01 | 东莞市天桉硅胶科技有限公司 | 一种高撕裂强度的模具胶及其制备方法 |
| CN113861660A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-31 | 成都佳驰电子科技股份有限公司 | 一种耐高温磁性吸波薄膜及其制备方法 |
| CN114085534A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-02-25 | 广州市白云化工实业有限公司 | 一种高伸长率低永久变形高温硅橡胶及其制备方法 |
| CN114214025A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-22 | 杭州之江有机硅化工有限公司 | 一种新型双组份硅酮结构密封胶及其制备方法 |
| CN114989764A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-02 | 江西晨光新材料股份有限公司 | 室内装饰装修用硅烷改性聚醚密封胶及制备方法和应用 |
| CN115109418A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-09-27 | 航天科工武汉磁电有限责任公司 | 一种吸波硅橡胶及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 贾振梅 等: "填料对端乙烯基室温硫化硅橡胶性能的影响", 橡胶工业, vol. 60, no. 3, 2 May 2013 (2013-05-02), pages 147 - 153 * |
| 韩纪慧 等: "乙烯基MQ硅树脂补强液体硅橡胶的力学性能", 高分子材料科学与工程, vol. 36, no. 7, 31 July 2020 (2020-07-31), pages 169 - 175 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112552794B (zh) | 一种用于电瓶壳的高耐热涂料及其制备方法 | |
| CN107880827B (zh) | 一种环氧树脂有机硅复合灌封胶及其制备方法 | |
| CN114525500B (zh) | 一种覆铜陶瓷基板局部镀银方法 | |
| CN114539959A (zh) | 一种环氧树脂胶粘剂及其制备方法 | |
| CN114214025B (zh) | 一种新型双组份硅酮结构密封胶及其制备方法 | |
| CN116041963A (zh) | 一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法 | |
| CN113999531A (zh) | 一种模具胶及其制备方法 | |
| CN110256848B (zh) | 一种电磁复合材料及其制备方法 | |
| CN111471280A (zh) | 一种微波辐照协同磁热诱导固化树脂及其制备方法 | |
| CN116694007A (zh) | 一种与金属粘合全氟醚橡胶材料 | |
| CN113025160B (zh) | 一种耐高温电磁屏蔽涂料及其应用 | |
| CN111286009A (zh) | 一种可自修复环氧树脂材料及其制备方法和应用 | |
| CN106751907A (zh) | 一种加成型硅橡胶及其制备方法 | |
| CN110922924A (zh) | 一种石墨烯改性环氧树脂胶及其制作方法 | |
| CN109722212A (zh) | 一种酰亚胺环氧有机硅胶及其制备方法 | |
| CN115449211A (zh) | 一种柔性耐腐蚀ppo树脂基覆铜板及其制备方法 | |
| CN115403741A (zh) | 一种环氧树脂及其合成方法和应用 | |
| CN109627407B (zh) | 一种原位还原氧化石墨烯/苯并噁嗪复合材料的制备方法及其产品 | |
| CN112877017A (zh) | 一种低固化收缩率导热环氧灌封胶及其制备方法 | |
| CN112961352A (zh) | 甲基乙烯基羟基聚硅氧烷及其制备方法和应用 | |
| CN108913076A (zh) | 一种导热绝缘灌封胶 | |
| CN115073858B (zh) | 高频板用双马改性烯烃树脂胶液、胶布及制备方法和应用 | |
| CN116715965B (zh) | 一种高透加成型液体硫化硅橡胶的制备方法 | |
| CN114685116B (zh) | 一种水泥基电磁屏蔽板的制备方法 | |
| CN111454538B (zh) | 一种环氧树脂组合物及其制备毫米波电路基板的应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |