CN115933237B - 显示装置及其操作方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置包括控制电路、第一画素单元列及与第一画素单元列排列的第二画素单元列。控制电路用以提供彼此不同的第一参考电压信号及一第二参考电压信号。第一画素单元列包括第一开关及第一发光组件。第一开关耦接于第一节点及第二节点之间。第一发光组件的第一端耦接第二节点，且第一发光组件的第二端用以接收第一参考电压信号。第二画素单元列包括第二开关及第二发光组件。第二开关耦接于第一节点及第三节点之间。第二发光组件的第一端耦接第三节点，且第二发光组件的第二端用以接收第二参考电压信号。如此一来，显示装置的闪烁问题减少。
Description
技术领域
本揭示内容是有关于一种显示技术，特别是关于一种显示装置及显示装置的操作方法。
背景技术
随着源极图案的尺寸缩小，制造工艺要求逐渐严格。在高分辨率及大尺吋的液晶显示器应用上，源极图案的偏移导致低灰阶时的画面闪烁问题。因此，要如何设计以解决上述问题为本领域重要之课题。
发明内容
本发明实施例包含一种显示装置。显示装置包括控制电路、第一画素单元列及与第一画素单元列排列的第二画素单元列。控制电路用以提供彼此不同的一第一参考电压信号及一第二参考电压信号。第一画素单元列包括第一开关及第一发光组件。第一开关耦接于一第一节点及一第二节点之间。第一发光组件的一第一端耦接第二节点，且第一发光组件的一第二端用以接收第一参考电压信号。第二画素单元列包括第二开关及第二发光组件。第二开关耦接于第一节点及一第三节点之间。第二发光组件的一第一端耦接第三节点，且第二发光组件的一第二端用以接收第二参考电压信号。
在一些实施例中，第一画素单元列更包括：一第三开关，耦接于一第四节点及一第五节点之间；以及一第三发光组件，第三发光组件的一第一端耦接第五节点，且第三发光组件的一第二端用以接收第一参考电压信号。第二画素单元列更包括：一第四开关，耦接于第四节点及一第六节点之间；以及一第四发光组件，第四发光组件的一第一端耦接第六节点，且第四发光组件的一第二端用以接收第二参考电压信号。
在一些实施例中，显示装置更包括：一第一源极线，在一第一方向上延伸，且对应第一节点。第一参考电压信号的一第一电压准位及第二参考电压信号的一第二电压准位与第一源极线在不同于第一方向的一第二方向上的位置有关，以及第一画素单元列及第二画素单元列在第一方向上依序排列。
在一些实施例中，显示装置更包括：第一闸极线，在第二方向上延伸，且包含对应第一开关的一控制端的一第一闸极线部分；以及第二闸极线，在第二方向上延伸，且包含对应第二开关的一控制端的一第二闸极线部分。当第一源极线与第一闸极线部分的一第一重叠面积大于第一源极线与第二闸极线部分的一第二重叠面积时，第一电压准位小于第二电压准位，以及当第一重叠面积小于第二重叠面积时，第一电压准位大于第二电压准位。
在一些实施例中，控制电路更用以：在第二画素单元列关闭时，依据第一画素单元列的一第一闪烁强度调整第一参考电压信号，以降低第一闪烁强度，以及在第一画素单元列关闭时，依据第二画素单元列的一第二闪烁强度调整第二参考电压信号，以降低第二闪烁强度。
本发明实施例包含一种操作显示装置的方法。方法包括：提供一第一参考电压信号至一第一画素单元列；量测第一画素单元列的一第一闪烁强度；依据第一闪烁强度调整第一参考电压信号；提供一第二参考电压信号至与第一画素单元列排列的一第二画素单元列；量测第二画素单元列的一第二闪烁强度；以及依据第二闪烁强度调整第二参考电压信号。
在一些实施例中，方法更包括：在量测第二闪烁强度时，关闭第一画素单元列；以及在量测第一闪烁强度时，关闭第二画素单元列。
在一些实施例中，方法更包括：通过一第一开关，依据一第一闸极线部分的一第一控制信号提供一源极线的一数据信号至一第一节点；以及第一画素单元列依据第一节点的电压准位及第一参考电压信号发光。当第一闸极线部分与源极线的一第一重叠面积增加时，第一参考电压信号的电压准位减少。
在一些实施例中，方法更包括：通过一第二开关，依据一第二闸极线部分的一第二控制信号提供数据信号至一第二节点；第二画素单元列依据第二节点的电压准位及第二参考电压信号发光。当第二闸极线部分与源极线的一第二重叠面积增加时，第二参考电压信号的电压准位减少。
在一些实施例中，方法更包括：提供第一参考电压信号至复数个第一画素单元列；以及提供第二参考电压信号至复数个第二画素单元列。第一画素单元列及第二画素单元列交错排列。
附图说明
图1A为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的示意图。
图1B为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的进一步细节的示意图。
图2为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的示意图。
图3A为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的示意图。
图3B为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的示意图。
图4为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的示意图。
图5为根据本案之一实施例所绘示之显示装置的操作的时序图。
图6为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的布局图。
图7A为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的第一种情境的示意图。
图7B为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的第二种情境的示意图。
图7C为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的第三种情境的示意图。
图8A为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的操作的示意图。
图8B为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置的另一操作的示意图。
图9为根据本案之一些实施例所绘示之对应第8图所示之显示装置的闪烁强度及电压的关系图。
符号说明： DS31:汲极结构
100:显示装置 PX31、PX32:液晶画素
110:发光电路 DP31:数据线部分
111～114:画素单元 GP31:闸极线部分
120:控制电路 T31:薄膜晶体管
VOD、VEV:参考电压信号 PP31、PP32:电源线部分
R(1)～R(2N):画素单元列 CS31、CS32:电容
X、Y:方向 300B:显示装置
T11～T14:开关 DL32:资料线
CL11～CL14:发光组件 GL32:闸极线
CS11～CS14:电容 DS32:汲极结构
N11～N110:节点 PX33、PX34:液晶画素
SS1、SS2:数据信号 DP32:数据线部分
GS1、GS2:控制信号 GP32、GP33、GP34:闸极线部分
200:显示装置 T32:薄膜晶体管
211～213:液晶结构 CS33、CS34:电容
T21～T23:晶体管 400:显示装置
GL21:闸极线 411、412:画素单元
SL21～SL23:源极线 T41、T42:开关
C21～C23:等效电容 CL41、CL42:发光组件
300A:显示装置 CS41、CS42:电容
DL31:资料线 SS3:数据信号
GL31:闸极线 N41～N43:节点
PL31、PL32:电源线 GS3:控制信号
500:时序图
PS1～PS3:期间
VEVL、VODL、VH、VL、DL51～DL56:电压准位
600:显示装置
GL61、GL62:闸极线
SL61、SL62:源极线
DS61～DS64:汲极结构
SP61～SP65:源极线部分
GP61～GP64:闸极线部分
ML7:中线
PC61、PC62:寄生电容
800:显示装置
801～806:画素单元
900:关系图
C91、C92:曲线
Y1～Y5、X2～X5:电压准位
F1～F5:闪烁强度
具体实施方式
于本文中，当一组件被称为「连接」或「耦接」时，可指「电性连接」或「电性耦接」。「连接」或「耦接」亦可用以表示二或多个组件间相互搭配操作或互动。此外，虽然本文中使用「第一」、「第二」、…等用语描述不同组件，该用语仅是用以区别以相同技术用语描述的组件或操作。除非上下文清楚指明，否则该用语并非特别指称或暗示次序或顺位，亦非用以限定本案。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本案所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本案的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式「一」、「一个」和「该」旨在包括复数形式，包括「至少一个」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，术语「及/或」包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语「包括」及/或「包含」指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、组件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、组件、部件及/或其组合的存在或添加。
以下将以附图揭露本案之复数个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本案。也就是说，在本揭示内容部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些习知惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式绘示之。
图1A为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置100的示意图。如图1A所示，显示装置100包含发光电路110及控制电路120。在一些实施例中，控制电路120用以提供参考电压信号VOD及VEV至发光电路110。发光电路110用以依据参考电压信号VOD及VEV进行发光操作。
在一些实施例中，参考电压信号VOD及VEV具有不同的电压准位。举例来说，参考电压信号VOD的电压准位可以大于参考电压信号VEV的电压准位。举另一例来说，参考电压信号VOD的电压准位也可以小于参考电压信号VEV的电压准位。
如图1A所示，发光电路110包含画素单元列R(1)～R(2N)，其中N为正整数。画素单元列R(1)～R(2N)在Y方向上依序排列。画素单元列R(1)～R(2N)的每一者包含多个画素单元，例如图1B所示之画素单元111～114。在一些实施例中，画素单元列R(1)～R(2N)的每一者中的多个画素单元在X方向上排列。在一些实施例中，X方向垂直于Y方向。
如图1A所示，画素单元列R(1)～R(2N)中的奇数画素单元列用以接收参考电压信号VOD，且画素单元列R(1)～R(2N)中的偶数画素单元列用以接收参考电压信号VEV。换言之，画素单元列R(1)、R(3)、…、R(2N-1)用以接收参考电压信号VOD，且画素单元列R(2)、R(4)、…、R(2N)用以接收参考电压信号VEV。在一些实施例中，奇数画素单元列及偶数画素单元列在Y方向上交错排列。
在一些作法中，源极图案的偏移会导致奇数画素单元列及偶数画素单元列在低灰阶时对应的参考电压信号的电压准位有差异，使得画面闪烁，造成显示装置发光质量不佳。
相较于上述作法，在本发明实施例中，响应于源极图案的不同偏移状况，控制电路120分别提供对应的参考电压信号VOD及VEV至奇数画素单元列及偶数画素单元列，以降低画面闪烁，且提升显示装置100的发光质量。关于调整参考电压信号VOD及VEV的细节在以下关于图6至图9的实施例中进一步说明。
图1B为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置100的进一步细节的示意图。如图1B所示，画素单元列R(2N-1)包含画素单元111及112，且画素单元列R(2N)包含画素单元113及114。画素单元111及112在X方向上依序排列，且画素单元113及114在X方向上依序排列。
如图1B所示，画素单元111包含开关T11、发光组件CL11及电容CS11。开关T11的第一端用以接收数据信号SS1于节点N11，开关T11的第二端耦接节点N12，且开关T11的控制端用以接收控制信号GS1于节点N13。发光组件CL11的第一端耦接于节点N12，且发光组件CL11的第二端用以接收参考电压信号VOD于节点N14。电容CS11的第一端耦接于节点N12，且电容CS11的第二端用以接收参考电压信号VOD于节点N14。
在一些实施例中，开关T11用以依据控制信号GS1提供数据信号SS1至节点N12。电容CS11用以储存节点N12的数据。发光组件CL11用以依据节点N12的电压准位及参考电压信号VOD的电压准位发光。
如图1B所示，画素单元112包含开关T12、发光组件CL12及电容CS12。开关T12的第一端用以接收数据信号SS2于节点N15，开关T12的第二端耦接节点N16，且开关T12的控制端用以接收控制信号GS2于节点N13。发光组件CL12的第一端耦接于节点N16，且发光组件CL12的第二端用以接收参考电压信号VOD于节点N14。电容CS12的第一端耦接于节点N16，且电容CS12的第二端用以接收参考电压信号VOD于节点N14。
在一些实施例中，开关T12用以依据控制信号GS2提供数据信号SS2至节点N16。电容CS12用以储存节点N16的数据。发光组件CL12用以依据节点N16的电压准位及参考电压信号VOD的电压准位发光。
如图1B所示，画素单元113包含开关T13、发光组件CL13及电容CS13。开关T13的第一端用以接收数据信号SS1于节点N11，开关T13的第二端耦接节点N17，且开关T13的控制端用以接收控制信号GS1于节点N18。发光组件CL13的第一端耦接于节点N17，且发光组件CL13的第二端用以接收参考电压信号VEV于节点N19。电容CS13的第一端耦接于节点N17，且电容CS13的第二端用以接收参考电压信号VEV于节点N19。
在一些实施例中，开关T13用以依据控制信号GS1提供数据信号SS1至节点N17。电容CS13用以储存节点N17的数据。发光组件CL13用以依据节点N17的电压准位及参考电压信号VEV的电压准位发光。
如图1B所示，画素单元114包含开关T14、发光组件CL14及电容CS14。开关T14的第一端用以接收数据信号SS2于节点N15，开关T14的第二端耦接节点N110，且开关T14的控制端用以接收控制信号GS1于节点N18。发光组件CL14的第一端耦接于节点N110，且发光组件CL14的第二端用以接收参考电压信号VEV于节点N19。电容CS14的第一端耦接于节点N17，且电容CS14的第二端用以接收参考电压信号VEV于节点N19。
在一些实施例中，开关T14用以依据控制信号GS1提供数据信号SS2至节点N110。电容CS14用以储存节点N110的数据。发光组件CL14用以依据节点N110的电压准位及参考电压信号VEV的电压准位发光。
在一些实施例中，开关T11～T14的每一者可以通过薄膜晶体管实施。发光组件CL11～CL14的每一者可以通过液晶实施。电容CS11～CS14分别是画素单元111～114的等效储存电容。请注意，本发明的各种实施方式不在此限。
请参照图1A及图1B，画素单元列R(1)、R(3)、…、R(2N-1)的每一者可以包含各种数量且具有类似画素单元111之配置的画素单元，且画素单元列R(2)、R(4)、…、R(2N)的每一者可以包含各种数量且具有类似画素单元113之配置的画素单元。
图2为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置200的示意图。如图2所示，显示装置200包含液晶结构211～213、晶体管T21～T23、闸极线GL21及源极线SL21～SL23。
如图2所示，晶体管T21～T23的每一者的闸极耦接闸极线GL21。晶体管T21～T23的源极分别耦接源极线SL21～SL23。晶体管T21～T23的汲极分别耦接液晶结构211～213。液晶结构211～213分别具有等效电容C21～C23。在一些实施例中，液晶结构211～213分别用以发出红色光、绿色光及蓝色光。请注意，本发明的各种实施方式不在此限。
请参照图2及图1B，显示装置200是显示装置100的一种实施例。液晶结构211～213对应发光组件CL11～CL14，且晶体管T21～T23对应开关T11～T14。举例来说，发光组件CL11、CL12及开关T11、T12可以分别通过液晶结构211、212及晶体管T21、T22实施。在上述范例中，闸极线GL21对应节点N13，且源极线SL21及SL22分别对应节点N11及N15。
图3A为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置300A的示意图。如图3A所示，显示装置300A包含资料线DL31、闸极线GL31、电源线PL31、PL32、汲极结构DS31及液晶画素PX31、PX32。
如图3A所示，闸极线GL31及电源线PL31、PL32的每一者在X方向上延伸。数据线DL31在Y方向上延伸并跨越闸极线GL31及电源线PL31、PL32的每一者。
如图3A所示，数据线DL31包含朝X方向凸出的数据线部分DP31，且闸极线GL31包含朝负Y方向凸出的闸极线部分GP31。数据线部分DP31与闸极线部分GP31重叠。汲极结构DS31与闸极线部分GP31及液晶画素PX31部分重叠。数据线部分DP31、闸极线部分GP31及汲极结构DS31形成薄膜晶体管T31。
如图3A所示，电源线PL31包含朝Y方向凸出的电源线部分PP31。电源线PL32包含朝Y方向凸出的电源线部分PP32。电源线部分PP31与液晶画素PX31重叠，并形成电容CS31。电源线部分PP32与液晶画素PX32重叠，并形成电容CS32。
请参照图1B及图3A，显示装置300A是显示装置100的一种实施例。液晶画素PX31及PX32对应发光组件CL11～CL14，且薄膜晶体管T31对应开关T11～T14。举例来说，发光组件CL11、CL13及开关T11可以分别通过液晶画素PX31、PX32及薄膜晶体管T31实施。在上述范例中，闸极线GL31、数据线DL31及电源线PL31、PL32分别对应节点N13、N11、N14及N19，且电容CS31及CS32分别对应电容CS11及CS13。
图3B为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置300B的示意图。请参照图3B及图3A，显示装置300B是显示装置300A的一种变化例。如图3B所示，显示装置300B包含资料线DL32、闸极线GL32、闸极线部分GP34、汲极结构DS32及液晶画素PX33、PX34。
如图3B所示，闸极线GL32在X方向上延伸。数据线DL32在Y方向上延伸并跨越闸极线GL32。数据线DL32包含朝X方向凸出的数据线部分DP32，且闸极线GL32包含朝负Y方向凸出的闸极线部分GP32及朝Y方向凸出的闸极线部分GP33。
如图3B所示，数据线部分DP32与闸极线部分GP32重叠。汲极结构DS32与闸极线部分GP32及液晶画素PX33部分重叠。数据线部分DP31、闸极线部分GP31及汲极结构DS31形成薄膜晶体管T32。闸极线部分GP33和液晶画素PX34部分重叠并形成电容CS34。闸极线部分GP34和液晶画素PX33部分重叠并形成电容CS33。在一些实施例中，闸极线部分GP34包含于在X方向上延伸的另一闸极线(图中未示出)。
请参照图1B及图3B，显示装置300B是显示装置100的一种实施例。液晶画素PX33及PX34对应发光组件CL11～CL14，且薄膜晶体管T32对应开关T11～T14。举例来说，发光组件CL11、CL13及开关T11可以分别通过液晶画素PX33、PX34及薄膜晶体管T32实施。在上述范例中，闸极线GL32及数据线DL31分别对应节点N13及N11，且电容CS33及CS34分别对应电容CS11及CS13。
图4为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置400的示意图。请参照图4及图1B，显示装置400是显示装置100的一种实施例。显示装置400的部分配置类似于显示装置100的配置。为简明起见，说明将集中于显示装置400与显示装置100的相异之处而非相同之处。
请参照图4及图1B，相较于显示装置100，显示装置400更包含画素单元411及412。在一些实施例中，画素单元411包含于画素单元列R(2N)且与画素单元113及114在X方向上排列。画素单元412包含于画素单元列R(2N-1)且与画素单元111及112在X方向上排列。
如图4所示，画素单元411包含开关T41、发光组件CL41及电容CS41。开关T41的第一端用以接收数据信号SS3于节点N41，开关T41的第二端耦接节点N42，且开关T41的控制端用以接收控制信号GS1于节点N18。发光组件CL41的第一端耦接于节点N42，且发光组件CL41的第二端用以接收参考电压信号VEV于节点N19。电容CS41的第一端耦接于节点N42，且电容CS41的第二端用以接收参考电压信号VEV于节点N19。
在一些实施例中，开关T41用以依据控制信号GS1提供数据信号SS3至节点N42。电容CS41用以储存节点N42的数据。发光组件CL41用以依据节点N42的电压准位及参考电压信号VEV的电压准位发光。
如图4所示，画素单元412包含开关T42、发光组件CL42及电容CS42。开关T42一端耦接节点N43，且开关T42的控制端用以接收控制信号GS2于节点N13。发光组件CL42的第一端耦接于节点N43，且发光组件CL42的第二端用以接收参考电压信号VOD于节点N14。电容CS42的第一端耦接于节点N43，且电容CS42的第二端用以接收参考电压信号VOD于节点N14。
在一些实施例中，开关T42用以依据控制信号GS2提供数据信号至节点N43。电容CS42用以储存节点N43的数据。发光组件CL42用以依据节点N43的电压准位及参考电压信号VOD的电压准位发光。
在一些实施例中，显示装置400更用以接收控制信号GS3。请参照图4及图1A，画素单元列R(2N-2)中的开关用以依据控制信号GS3导通以传输数据信号SS1～SS3至对应节点。
在一些实施例中，开关T41及T42的配置可以类似于开关T11～T14，发光组件CL41及CL42的配置可以类似于发光组件CL11～CL14，且电容CS41及CS42的配置可以类似于电容CS11～CS14。因此，部分叙述不再重复说明。
图5为根据本案之一实施例所绘示之显示装置400的操作的时序图500。如图5所示，时序图500包括依序且连续排列的期间PS1～PS3。在期间PS1～PS3，参考电压信号VEV及VOD分别具有电压准位VEVL及VODL，且控制信号GS1～GS3在电压准位VH及VL之间变化。在一些实施例中，电压准位VH大于电压准位VL。请参照图4及图5，对于开关T11～T14、T41及T42的每一者而言，电压准位VH系致能电压准位，且电压准位VL系禁能电压准位。
在期间PS1，控制信号GS1具有电压准位VH，且控制信号GS2及GS3的每一者具有电压准位VL，使得开关T41、T13及T14的每一者导通，且开关T42、T11及T12的每一者关闭。
此时，开关T41将具有电压准位DL51的数据信号SS3提供至节点N42，使得发光组件CL41可以依据电压准位DL51及电压信号VEV的电压准位VEVL发光。开关T13将具有电压准位DL52的数据信号SS1提供至节点N17，使得发光组件CL13可以依据电压准位DL52及电压准位VEVL发光。开关T14将具有电压准位DL53的数据信号SS2提供至节点N110，使得发光组件CL14可以依据电压准位DL53及电压准位VEVL发光。
在期间PS2，控制信号GS2具有电压准位VH，且控制信号GS1及GS3的每一者具有电压准位VL，使得开关T42、T11及T12的每一者导通，且开关T41、T13及T14的每一者关闭。
此时，开关T11将具有电压准位DL54的数据信号SS3提供至节点N12，使得发光组件CL11可以依据电压准位DL54及电压信号VOD的电压准位VODL发光。开关T12将具有电压准位DL55的数据信号SS1提供至节点N16，使得发光组件CL12可以依据电压准位DL55及电压准位VODL发光。
在期间PS3，控制信号GS3具有电压准位VH，且控制信号GS1及GS2的每一者具有电压准位VL。请参照图4、图5及图1A，在期间PS3，画素单元列R(2N-2)中的开关依据控制信号GS3导通并提供数据信号SS1～SS3至对应的发光组件，使得发光组件依据对应的电压准位发光。
图6为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置600的布局图。如图6所示，显示装置600包含闸极线GL61、GL62、源极线SL61、SL62、汲极结构DS61～DS64及源极线部分SP61。
如图6所示，闸极线GL61及GL62在Y方向上依序排列。闸极线GL61及GL62的每一者在X方向上延伸。源极线SL61及SL62在X方向上依序排列。源极线SL61及SL62的每一者在Y方向上延伸并跨越闸极线GL61及GL62的每一者。
如图6所示，闸极线GL61包含闸极线部分GP63及GP64。闸极线部分GP63及GP64在X方向上依序排列。闸极线GL62包含闸极线部分GP61及GP62。闸极线部分GP61及GP62在X方向上依序排列。闸极线部分GP61～GP64的每一者朝Y方向凸出。
如图6所示，源极线SL61包含源极线部分SP62及SP63。源极线部分SP62及SP63在Y方向上依序排列。源极线SL62包含源极线部分SP64及SP65。源极线部分SP64及SP65在Y方向上依序排列。源极线部分SP63及SP65的每一者朝X方向凸出，且源极线部分SP62及SP64的每一者朝负X方向凸出。
如图6所示，源极线部分SP61及汲极结构DS61的每一者与闸极线部分GP61部分重叠。源极线部分SP63及汲极结构DS63的每一者与闸极线部分GP62部分重叠。源极线部分SP62及汲极结构DS62的每一者与闸极线部分GP63部分重叠。源极线部分SP64及汲极结构DS64的每一者与闸极线部分GP64部分重叠。
在一些实施例中，源极线部分SP61、汲极结构DS61与门极线部分GP61形成晶体管T61。源极线部分SP63、汲极结构DS63与门极线部分GP62形成晶体管T62。源极线部分SP62、汲极结构DS62与门极线部分GP63形成晶体管T63。源极线部分SP64、汲极结构DS64与门极线部分GP64形成晶体管T64。
请参照图6及图4，显示装置600是显示装置400的一种实施例。举例来说，开关T41、T13、T11及T12分别可以通过晶体管T61～T64实施。在上述范例中，节点N41、N42、N12、N17及N16分别对应源极线部分SP61及极结构DS61～DS64，且节点N13、N18、N11及N15分别对应闸极线GL61、GL62、源极线SL61及SL62。
在一些实施例中，源极线部分SP62与门极线部分GP63的重叠面积可能不同于源极线部分SP63与门极线部分GP62的重叠面积，使得源极线部分SP62与门极线部分GP63的等效寄生电容不同于源极线部分SP63与门极线部分GP62的等效寄生电容。等效寄生电容的馈通效应造成参考电压信号的损耗，使得画面闪烁。损耗电压VKB可以通过以下公式表示:
其中电容CGS代表源极线部分与门极线部分的等效寄生电容，电容CST代表储存电容，且CLC代表液晶的等效电容。
对应地，响应于不同的损耗电压VKB，图1B中的控制电路120调整提供至显示装置600的参考电压信号VEV及VOD，以减少显示装置600的画面闪烁。关于源极线部分与门极线部分的重叠面积的细节在以下关于图7A至图7C的实施例中进一步说明。
图7A为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置600的第一种情境的示意图。为了说明之目的，图7A绘示了显示装置600的一部分。举例来说，对于源极线SL61，图7A仅绘示了源极线部分SP62、SP63及与源极线部分SP62、SP63相连的部分。
如图7A所示，中线ML7与闸极线部分GP61之间的距离以及中线ML7与闸极线部分GP62之间的距离相同，且中线ML7与闸极线部分GP63之间的距离以及中线ML7与闸极线部分GP64之间的距离相同。
在第一种情境中，源极线SL61的中央对齐中线ML7，使得源极线SL61与闸极线部分GP61之间的距离以及源极线SL61与闸极线部分GP62之间的距离相同，且源极线SL61与闸极线部分GP63之间的距离以及源极线SL61与闸极线部分GP64之间的距离相同。此时，源极线部分SP62与闸极线部分GP63的重叠面积以及源极线部分SP63与闸极线部分GP62的重叠面积相同。
在一些实施例中，重叠面积的大小代表对应的闸极至源极寄生电容的大小。在第一种情境中，极线部分SP62与闸极线部分GP63的寄生电容PC62以及源极线部分SP63与闸极线部分GP62的寄生电容PC61相同。
请参照图7A及图4，源极线部分SP62及SP63分别对应开关T11及T13。在第一种情境中，开关T11的寄生电容PC62及开关T13的寄生电容PC61相同。对应地，控制电路120用以调整参考电压信号VOD及VEV，使得对应的电压准位VODL及VEVL相同。
图7B为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置600的第二种情境的示意图。在第二种情境中，源极线SL61的中央朝X方向偏离中线ML7，使得源极线SL61与闸极线部分GP62及GP64的每一者之间的距离比源极线SL61与闸极线部分GP61及GP63的每一者之间的距离小。此时，源极线部分SP62与闸极线部分GP63的重叠面积小于源极线部分SP63与闸极线部分GP62的重叠面积。对应地，寄生电容PC62小于寄生电容PC61。
请参照图7B及图4，在第二种情境中，开关T11的寄生电容PC62小于开关T13的寄生电容PC61。对应地，控制电路120用以调整参考电压信号VOD及VEV，使得电压准位VEVL小于电压准位VODL，以对应开关T13的寄生电容PC61造成的损耗电压VKB。
图7C为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置600的第三种情境的示意图。在第三种情境中，源极线SL61的中央朝负X方向偏离中线ML7，使得源极线SL61与闸极线部分GP62及GP64的每一者之间的距离比源极线SL61与闸极线部分GP61及GP63的每一者之间的距离大。此时，源极线部分SP62与闸极线部分GP63的重叠面积大于源极线部分SP63与闸极线部分GP62的重叠面积。对应地，寄生电容PC62大于寄生电容PC61。
请参照图7B及图4，在第三种情境中，开关T11的寄生电容PC62大于开关T13的寄生电容PC61。对应地，控制电路120用以调整参考电压信号VOD及VEV，使得电压准位VODL小于电压准位VEVL，以对应开关T11的寄生电容PC62造成的损耗电压VKB。
图8A为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置800的操作的示意图。请参照图8A及第1图，显示装置800是显示装置100的一种实施例。对于显示装置800而言，N等于三。如图8A所示，显示装置800包含在Y方向上依序排列的画素单元列R(1)～R(6)。
在图8A所示之操作中，画素单元列R(1)、R(3)及R(5)关闭。画素单元列R(2)、R(4)及R(6)启动且依据参考电压信号VEV发光。此时，光学仪器(图中未示出)用以量测画素单元列R(2)、R(4)及R(6)的闪烁强度，且图1A所示之控制电路120依据画素单元列R(2)、R(4)及R(6)的闪烁强度调整参考电压信号VEV，直到画素单元列R(2)、R(4)及R(6)的闪烁强度具有最小值。依据闪烁强度调整参考电压信号VEV的细节在以下关于图9的实施例中进一步说明。
如图8A所示，画素单元列R(6)包含在X方向上依序排列的画素单元601～603，且画素单元列R(5)包含在X方向上依序排列的画素单元604～606。在一些实施例中，画素单元601～603分别用以发出红色光、绿色光及蓝色光，且画素单元604～606分别用以发出红色光、绿色光及蓝色光。请注意，本发明的各种实施方式不在此限。
请参照图8A及图4，画素单元601～606可以分别通过画素单元411、113、114、111、112及412实施。在图8A所示之操作中，画素单元411、113及114启动并发光，且画素单元111、112及412关闭。
图8B为根据本案之一些实施例所绘示之显示装置800的另一操作的示意图。在图8B所示之操作中，画素单元列R(2)、R(4)及R(6)关闭。画素单元列R(1)、R(3)及R(5)启动且依据参考电压信号VOD发光。此时，光学仪器(图中未示出)用以量测画素单元列R(1)、R(3)及R(5)的闪烁强度，且图1A所示之控制电路120依据画素单元列R(1)、R(3)及R(5)的闪烁强度调整参考电压信号VOD，直到画素单元列R(1)、R(3)及R(5)的闪烁强度具有最小值。依据闪烁强度调整参考电压信号VOD的细节在以下关于图9的实施例中进一步说明。
请参照图8B及图4，画素单元601～606可以分别通过画素单元411、113、114、111、112及412实施。在图8B所示之操作中，画素单元111、112及412启动并发光，且画素单元411、113及114关闭。
图9为根据本案之一些实施例所绘示之对应第8图所示之显示装置800的闪烁强度及电压的关系图900。关系图900的横轴对应参考电压信号VOD或VEV的电压，且关系图900的纵轴对应显示装置800的闪烁强度。
如图9所示，关系图900包含曲线C91及C92。曲线C91及C92分别对应参考电压信号VEV及VOD。在一些变化例中，曲线C91及C92也可以分别对应参考电压信号VOD及VEV。
请参照图8A及图9，图8A所示之调整参考电压信号VEV的操作可以包含下述操作。首先，测量参考电压信号VEV具有电压准位Y1时的闪烁强度F1。接着，调整参考电压信号VEV的电压准位，例如将参考电压信号VEV的电压准位减少至电压准位Y2。接着，响应于参考电压信号VEV具有电压准位Y2时的闪烁强度F2大于闪烁强度F1，将参考电压信号VEV的电压准位增加至电压准位Y2及Y1之间的电压准位Y3。接着，响应于参考电压信号VEV具有电压准位Y3时的闪烁强度F3小于闪烁强度F2，将参考电压信号VEV的电压准位进一步增加至电压准位Y3及Y1之间的电压准位Y4。接着，响应于参考电压信号VEV具有电压准位Y4时的闪烁强度F4大于闪烁强度F3，将参考电压信号VEV的电压准位减少至电压准位Y2及Y3之间的电压准位Y5。
如图9所示，当参考电压信号VEV具有电压准位Y5时，显示装置800具有最小的闪烁强度F5。进一步增加或减少参考电压信号VEV的电压准位都会导致显示装置800的闪烁强度增加。此时，图1A所示之控制电路120储存电压准位Y5作为电压信号VEV的电压准位VEVL。
类似第，请参照图8B及图9，图8B所示之调整参考电压信号VOD的操作可以包含下述操作。首先，测量参考电压信号VOD具有电压准位Y1时的闪烁强度F1。接着，调整参考电压信号VOD的电压准位，例如将参考电压信号VOD的电压准位增加至电压准位X2。接着，响应于参考电压信号VOD具有电压准位X2时的闪烁强度F2大于闪烁强度F1，将参考电压信号VOD的电压准位减少至电压准位X2及Y1之间的电压准位X3。接着，响应于参考电压信号VOD具有电压准位X3时的闪烁强度F3小于闪烁强度F2，将参考电压信号VOD的电压准位进一步减少至电压准位X3及Y1之间的电压准位X4。接着，响应于参考电压信号VOD具有电压准位X4时的闪烁强度F4大于闪烁强度F3，将参考电压信号VOD的电压准位增加至电压准位X2及X3之间的电压准位X5。
如图9所示，当参考电压信号VOD具有电压准位X5时，显示装置800具有最小的闪烁强度F5。进一步增加或减少参考电压信号VOD的电压准位都会导致显示装置800的闪烁强度增加。此时，图1A所示之控制电路120储存电压准位X5作为电压信号VOD的电压准位VODL。
在图9所示之实施例中，电压准位VODL大于电压准位VEVL。请参照图9、图4及图7B，图9所示之实施例对应图7B所示之情境，通过较大的电压准位VODL对应较小的闸极线部分GP63及源极线部分SP62的寄生电容的损耗电压VKB。
相对地，在图7C所示之情境中，曲线C91及C92分别对应参考电压信号VOD及VEV，使得控制电路120储存电压准位X5分别作为电压信号VEV的电压准位VEVL，并储存电压准位Y5分别作为电压信号VOD的电压准位VODL。电压准位VEVL大于电压准位VODL，以通过较大的电压准位VEVL对应较小的闸极线部分GP62及源极线部分SP63的寄生电容的损耗电压VKB。
在图7A所示之情境中，曲线C91及C92相同，且电压准位Y5及X5相等。
虽然本揭示内容已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本揭示内容，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本揭示内容的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本揭示内容的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (6)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
控制电路，用以提供彼此不同的第一参考电压信号及第二参考电压信号；
第一画素单元列，包括：
第一开关，耦接于第一节点及第二节点之间；以及
第一发光组件，所述第一发光组件的第一端耦接所述第二节点，且所述第一发光组件的第二端用以接收所述第一参考电压信号；以及
与所述第一画素单元列排列的第二画素单元列，包括：
第二开关，耦接于所述第一节点及第三节点之间；以及
第二发光组件，所述第二发光组件的第一端耦接所述第三节点，且所述第二发光组件的第二端用以接收所述第二参考电压信号；
第一源极线，在第一方向上延伸，且对应所述第一节点，
其中所述第一参考电压信号的第一电压准位及所述第二参考电压信号的第二电压准位与所述第一源极线在不同于所述第一方向的第二方向上的位置有关，以及
所述第一画素单元列及所述第二画素单元列在所述第一方向上依序排列；
第一闸极线，在所述第二方向上延伸，且包含对应所述第一开关的控制端的第一闸极线部分；以及
第二闸极线，在所述第二方向上延伸，且包含对应所述第二开关的控制端的第二闸极线部分，
其中当所述第一源极线与所述第一闸极线部分的第一重叠面积大于所述第一源极线与所述第二闸极线部分的第二重叠面积时，所述第一电压准位小于所述第二电压准位，以及
当所述第一重叠面积小于所述第二重叠面积时，所述第一电压准位大于所述第二电压准位。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中
所述第一画素单元列更包括：
第三开关，耦接于第四节点及第五节点之间；以及
第三发光组件，所述第三发光组件的第一端耦接所述第五节点，且所述第三发光组件的第二端用以接收所述第一参考电压信号；以及
所述第二画素单元列更包括：
第四开关，耦接于所述第四节点及第六节点之间；以及
第四发光组件，所述第四发光组件的第一端耦接所述第六节点，且所述第四发光组件的第二端用以接收所述第二参考电压信号。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中所述控制电路更用以：
在所述第二画素单元列关闭时，依据所述第一画素单元列的第一闪烁强度调整所述第一参考电压信号，以降低所述第一闪烁强度，以及
在所述第一画素单元列关闭时，依据所述第二画素单元列的第二闪烁强度调整所述第二参考电压信号，以降低所述第二闪烁强度。
4.一种操作显示装置的方法，其特征在于，其特征在于，包括：
提供第一参考电压信号至第一画素单元列；
量测所述第一画素单元列的第一闪烁强度；
依据所述第一闪烁强度调整所述第一参考电压信号；
提供第二参考电压信号至与所述第一画素单元列排列的第二画素单元列；
量测所述第二画素单元列的第二闪烁强度；以及
依据所述第二闪烁强度调整所述第二参考电压信号；
通过第一开关，依据第一闸极线部分的第一控制信号提供源极线的数据信号至第一节点；以及
所述第一画素单元列依据所述第一节点的电压准位及所述第一参考电压信号发光，
其中当所述第一闸极线部分与所述源极线的第一重叠面积增加时，所述第一参考电压信号的电压准位减少
通过第二开关，依据第二闸极线部分的第二控制信号提供所述数据信号至第二节点；以及；
所述第二画素单元列依据所述第二节点的电压准位及所述第二参考电压信号发光，
其中当所述第二闸极线部分与所述源极线的第二重叠面积增加时，所述第二参考电压信号的电压准位减少。
5.如权利要求4所述的方法，更包括：
在量测所述第二闪烁强度时，关闭所述第一画素单元列；以及
在量测所述第一闪烁强度时，关闭所述第二画素单元列。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，更包括：
提供所述第一参考电压信号至多个第一画素单元列；以及
提供所述第二参考电压信号至多个第二画素单元列，
其中所述多个第一画素单元列及所述多个第二画素单元列交错排列。
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