CN115917235A - 烧成用承烧板 - Google Patents

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Abstract

烧成用承烧板具有陶瓷质的基材及被膜层,该被膜层将基材表面覆盖,被膜厚度为1μm以上且20μm以下,表面粗糙度Ra为1μm以下。

Description

烧成用承烧板
技术领域
本申请主张基于2020年9月7日申请的日本专利申请第2020-150061号的优先权。其申请的全部内容均通过参考而援引到本说明书中。本说明书公开了与烧成用承烧板相关的技术。特别是公开了与在基材表面具有被膜层的烧成用承烧板相关的技术。
背景技术
日本特开2002-154884号公报(以下称为专利文献1)中公开了:在基材表面设置有被膜层的烧成用承烧板。设置被膜层的目的在于,抑制被烧成物和基材发生反应。专利文献1中,为了可靠地抑制被烧成物和基材发生反应,在基材表面设置有材质不同的2层以上的被膜层。专利文献1中,设置2层以上的喷涂层或者在喷涂层的表面设置喷镀层,形成被膜层。另外,专利文献1中,在基材表面设置有50~1000μm的被膜层。
发明内容
通过像专利文献1那样在基材表面设置50~1000μm的被膜层,能够充分抑制被烧成物和基材发生反应。但是,如果在基材表面设置50μm以上的较厚被膜层,则烧成用承烧板的热容量增大,烧成用承烧板的温度追随性会降低。另外,由于利用喷雾、喷镀形成50μm以上的较厚被膜层,所以,被膜层的原料成品率不好(高成本)。如果使被膜层的厚度变薄,则上述课题得以解决,但是,这种情况下,有时会产生被膜不均,从而有时无法可靠地抑制被烧成物和基材发生反应。即,以往,为了发挥出作为被膜层的功能,尽管热容量增大,也容许使被膜层变厚。本说明书提供一种实现被膜层的厚度较薄、温度追随性良好的烧成用承烧板的技术。
本说明书中公开的烧成用承烧板可以具备陶瓷质的基材以及被膜层,该被膜层将基材表面覆盖,被膜厚度为1μm以上且20μm以下,表面粗糙度Ra为1μm以下。
本说明书中,还公开一种烧成用承烧板的制造方法,该烧成用承烧板具有:陶瓷质的基材、以及将基材表面覆盖且被膜厚度为1μm以上且20μm以下的被膜层。该制造方法具有如下工序,即,在基材的表面印刷被膜层形成用糊料,来制作出在基材表面设置有被膜层形成用涂膜的成型体。
附图说明
图1表示第一实施例的烧成用承烧板的立体图。
图2表示第一实施例的烧成用承烧板的表面的放大图。
图3表示第一实施例的烧成用承烧板的截面的放大图。
图4表示第二实施例的烧成用承烧板的表面的放大图。
图5表示第二实施例的烧成用承烧板的截面的放大图。
图6表示第三实施例的烧成用承烧板的表面的放大图。
图7表示实验例的汇总。
具体实施方式
本说明书中公开的烧成用承烧板具备:基材、以及将基材表面覆盖的被膜层。本说明书中公开的烧成用承烧板没有特别限定,优选在陶瓷制的电子元器件(陶瓷电容器等)的制造工序(烧成工序)中使用。作为烧成用承烧板的形状,例如可以举出:三角形、四边形、五边形、六边形等多边形。基材为板状且陶瓷质。作为基材的材料,例如可以举出:SiC质、氧化铝质、多铝红柱石质。特别是,SiC质的热传导率良好,被膜层表面(被烧成物的载放面)的面内温度容易变得均匀。应予说明,作为SiC质的一例,可以举出Si-SiC质。“Si-SiC质”是指:以SiC粒子为主体且在SiC粒子间包含金属Si的材料。基材的厚度可以为例如0.1~5mm。烧成用承烧板中的基材为由被膜层覆盖的部分,在对烧成用承烧板的截面进行观察时,是指构成烧成用承烧板的部分(基材、被膜层)中厚度最厚的部分。
如上所述,被膜层设置于基材的表面,将基材表面覆盖。被膜层的被膜厚度(基材表面的厚度)可以为1μm以上且20μm以下。另外,被膜层可以为单层,也可以为多个层进行层叠而得到的多层结构。在被膜层为多层结构的情况下,可以使各层的材料发生变化,例如抑制由热膨胀率差所引起的被膜层劣化。另外,在被膜层为多层结构的情况下,多个层的合计厚度可以为上述的1μm以上且20μm以下。如果被膜层的合计厚度为1μm以上,则能够抑制基材和被烧成物接触,从而能够防止基材和被烧成物发生反应。另外,如果被膜层的合计厚度为20μm以下,则被膜层的热容量减少,能够抑制被膜层的表层温度(被烧成物接触到的部分的温度)偏离基材温度。换言之,如果被膜层的合计厚度为20μm以下,则能够实现温度追随性良好的烧成用承烧板。另外,如果覆盖厚度为1μm以上且20μm以下,而采用了具有高热传导率的SiC质基材的情况下,能够良好地抑制:热传导率比SiC低的氧化物的被膜层导致热传导性降低的情形。
被膜层的厚度(合计厚度)可以如下得到,即,采用扫描型显微镜(SEM),取得烧成用承烧板的截面(表面附近的截面)的SEM图像,在5处对该截面SEM图像中的被膜层的膜厚进行测定,计算出测定值的平均值,由此得到被膜层的厚度。应予说明,被膜层的合计厚度可以为2μm以上,可以为4μm以上,可以为6μm以上,可以为8μm以上,可以为10μm以上,可以为12μm以上。另外,被膜层的合计厚度可以为18μm以下,可以为16μm以下,可以为14μm以下,可以为12μm以下,可以为10μm以下。
被膜层的表面粗糙度Ra可以为1μm以下。如果表面粗糙度Ra为1μm以下,则即便被膜层的厚度较薄,也能够抑制基材表面的被膜不均。这样的薄膜且表面粗糙度小的被膜层可以采用例如丝网印刷等印刷技术,进行制作。具体而言,可以将用于形成被膜层的原料粒子与有机溶剂进行混合,来制作被膜层形成用糊料,将被膜层形成用糊料印刷于基材表面,来制作成型体(中间成型体),之后,对成型体进行烧成,由此制作出被膜层。采用印刷技术制作被膜层的情况下,原料尺寸(粒径)的自由度升高。因此,印刷法中可以采用喷雾、喷镀等中难以使用的微粒原料。通过采用微粒原料来形成被膜层,能够形成薄膜且表面粗糙度小的被膜层。被膜层的表面粗糙度Ra可以为0.5μm以下,可以为0.2μm以下。另外,表面粗糙度Ra的下限值没有特别限定,可以为0.05μm以上。应予说明,可以利用触针式的接触法,来测定被膜层的表面粗糙度Ra。
被膜层的厚度偏差(多层结构的情况下为合计厚度的偏差)可以为被膜厚度的40%以下且为被膜厚度的±3μm。例如,在被膜层的被膜厚度为1μm的情况下,实质上应用“被膜厚度的40%以下”这一条件,被膜层的厚度可以为1±0.4μm。另外,在被膜层的被膜厚度为20μm的情况下,实质上应用“被膜厚度的±3μm”这一条件,被膜层的厚度可以为20±3μm。应予说明,可以随机选择10处覆盖层,取得截面(表面附近的截面)的SEM图像,针对各图像,测定最大被膜厚度及最小被膜厚度,计算出各图像中最大被膜厚度及最小被膜厚度相对于被膜厚度的比率,由此得到被膜层的厚度偏差。
被膜层可以无间隙地覆盖整个基材表面,也可以以使基材表面的一部分露出的状态覆盖基材表面。具体而言,被膜层可以包括将基材表面覆盖的多个被膜片,在各被膜片之间设置有间隙。各被膜片间的间隙可以为5μm以上且50μm以下。如果被膜片间的间隙为5μm以上,则能够抑制:由被膜层(被膜片)与基材的热膨胀率差所带来的力施加于被膜层。其结果,被膜层的损伤得以抑制,被膜层的耐久性提高。如果被膜片间的间隙为50μm以下,则可防止被烧成物和基材接触,被烧成物和基材发生反应得以抑制。各被膜片间的间隙可以为10μm以上,可以为15μm以上,可以为20μm以上,可以为25μm以上,可以为30μm以上,可以为35μm以上,可以为40μm以上。另外,各被膜片间的间隙可以为45μm以下,可以为40μm以下,可以为35μm以下,可以为30μm以下,可以为25μm以下,可以为20μm以下,可以为15μm以下。应予说明,可以从250μm×200μm的范围选择多处SEM观察用试样(用于观察表面附近的截面的试样),取得截面(表面附近的截面)的SEM图像,从得到的图像中选择10处间隙进行测定,计算出测定值的平均值,由此得到被膜片间的间隙。
通过采用上述的印刷法,能够在基材表面形成出:在被膜片间设置有间隙的被膜层。另外,通过采用印刷法,能够在基材表面形成任意形状的被膜片,从而能够形成几何图形的被膜片。被膜片的形状没有特别限定,可以为圆形、多边形(三角形、四边形、五边形、六边形等)。此外,通过采用印刷法,能够在基材表面的任意位置形成被膜片。不过,从将被烧成物均匀加热的观点出发,被膜片优选规律性地出现在基材的表面。例如,可以在基材表面等间隔地形成各被膜片,且使各被膜片间的间隙均匀。
如上所述,被膜层可以为:多个层进行层叠而得到的多层结构。这种情况下,可以在设置于基材表面的被膜片(第一被膜片)的表面,进一步设置有被膜片(第二被膜片)。能够得到:为多层结构且在被膜片间设置有间隙的被膜层。这种情况下,第一被膜片间的间隔(间隙的尺寸)和第二被膜片间的间隔可以不同。例如,第二被膜片间的间隔可以大于第一被膜片间的间隔。能够抑制基材成分向被膜层(被膜片)移动,并且,使被膜层(第二被膜层)与被烧成物的接触面积减小。第一被膜片间的间隔和第二被膜片间的间隔不同这样的被膜层也可以通过采用印刷法而容易地制作出来。应予说明,可以在第二被膜片的表面进一步设置有第三、第四、…第n被膜片。
被膜层的材料可以根据基材材料、被烧成物的种类而适当选择。例如,被膜层(被膜片)的材料可以为ZrO2/Y2O3(Y2O3稳定ZrO2)、ZrO2/CaO(CaO稳定ZrO2)、Y2O3、Al2O3、MgO、多铝红柱石等或这些材料的混合物。应予说明,在被膜层为多层结构的情况下,例如,可以像第一被膜层(被膜片)为多铝红柱石、且第二被膜层(被膜片)为ZrO2/Y2O3这样,材料在各层中不同。
被膜层的气孔率可以为5%以上且50%以下。如果气孔率为5%以上,则烧成时由被烧成物产生的气体从被膜层通过,能够抑制气体滞留在被烧成物与被膜层之间。如果气孔率为50%以下,则被膜层的强度得以维持,烧成用承烧板的耐久性提高。被膜层的气孔率可以为10%以上,可以为15%以上,可以为20%以上,可以为25%以上,可以为30%以上,可以为35%以上。另外,被膜层的气孔率可以为45%以下,可以为40%以下,可以为35%以下,可以为30%以下,可以为25%以下,可以为20%以下,可以为15%以下。应予说明,可以依据JIS R2205-1992来测定被膜层的气孔率。
实施例
(第一实施例)
参照图1至图3,对烧成用承烧板10进行说明。如图1所示,烧成用承烧板10为平板状,其具备:SiC质的基材2、以及设置于基材2的表面的被膜层4。应予说明,被膜层4为2层结构,其具备:设置于基材2的表面的中间层6、以及设置于中间层6的表面的表层8。下文中,对中间层6和表层8的详细情况进行说明。
如图2及图3所示,中间层6将基材2的整个表面覆盖。中间层6的材料为多铝红柱石。中间层6是利用印刷法而形成于基材2的表面的,厚度T6为约1μm。在中间层6的表面设置有表层8。表层8的材料为三氧化二钇。表层8由多个被膜片8a构成。被膜片8a为四边形,各被膜片8a间的间隙G8为约10μm。表层8(被膜片8a)是利用印刷法而形成于中间层6的表面的,厚度T8为约1μm。另外,被膜层4的表面(表层8的表面)的表面粗糙度Ra被抑制在1μm以下。
在烧成用承烧板10中,由于利用印刷法形成被膜层4(中间层6、表层8),所以,能够容易地实现:厚度薄且表面粗糙度Ra小的被膜层4。通过使被膜层4的厚度变薄,使得被膜层4的热容量变小,烧成时,烧成用承烧板10的面内的温度偏差得以抑制,烧成用承烧板10的温度追随性提高。另外,表层8具有多个被膜片8a,并在各被膜片8a间设置有间隙,因此,可抑制:由基材2与被膜层4的热膨胀率差所带来的力施加于被膜层4,从而被膜层4的损伤得以抑制。
以下,对烧成用承烧板10的变形例(第二~第三实施例)进行说明。以下说明的烧成用承烧板10a、10b中,针对与烧成用承烧板10通用的特征,标记与烧成用承烧板10相同的参考编号,由此有时省略说明。
(第二实施例)
参照图4及图5,对烧成用承烧板10a进行说明。烧成用承烧板10a中,被膜层4为3层结构,其具备:设置于基材2的表面的中间层6、设置于中间层的表面的表层8、以及设置于表层8的表面的最表层9。中间层6的材料为多铝红柱石,表层8及最表层9的材料为三氧化二钇。最表层9由多个被膜片9a构成。被膜片9a为四边形,1个被膜片9a设置于1个被膜片8a的表面。被膜片9a的尺寸小于被膜片8a的尺寸。因此,各被膜片9a间的间隙G9大于各被膜片8a间的间隙G8。具体而言,间隙G9为约20μm。应予说明,最表层9(被膜片9a)的厚度为约1μm。
如图5所示,当将被烧成物20载放于烧成用承烧板10a时,被烧成物20与最表层9接触。如上所述,被膜片9a的尺寸小于被膜片8a的尺寸。因此,烧成用承烧板10a与烧成用承烧板10相比较,能够使被烧成物20与被膜层4的接触面积变小。通过使被烧成物20与被膜层4的接触面积变小,可抑制:烧成时由被烧成物产生的气体滞留于被烧成物20的周围,从而能够抑制被烧成物产生烧成不均。
(第三实施例)
参照图6,对烧成用承烧板10b进行说明。烧成用承烧板10b中,被膜层4为2层结构。被膜层4具备:将基材(参照图1)的整个表面覆盖的中间层6、以及设置于中间层6的表面的表层8。表层8由多个圆形的被膜片8a构成。各被膜片8a间的间隙(最短距离)G8为约10μm。即,烧成用承烧板10b与烧成用承烧板10相比,构成表层8的被膜片8a的形状不同。
(其他实施方式)
在上述实施例中,例示了表层8及最表层9的形状为四边形(第一、第二实施例)及圆形(第三实施例)的烧成用承烧板,不过,表层8(最表层9)的形状可以为三角形、五边形、六边形等多边形。或者,表层8(最表层9)可以将中间层6的整个表面覆盖。即,表层8(最表层9)可以并非由被膜片形成。另外,在第三实施例的烧成用承烧板10b中,与第二实施例的烧成用承烧板10a同样地,可以在表层8的表面进一步设置最表层9。应予说明,在表层8的表面设置最表层9的情况下,表层8的被膜片8a的形状和最表层9的被膜片9a的形状可以不同。另外,可以在中间层6的表面设置有3层以上的表层。
在上述实施例中,对在基材2的表面设置中间层6的方式进行了说明,不过,可以省略中间层6。省略中间层6的情况下,表层8(最表层9)可以将基材2的整个表面覆盖,也可以由多个被膜片形成。
(实验例)
制作:被膜层4的形态不同的烧成用承烧板10(试样1~试样4),对烧成用承烧板10的升温降温时的面内温度偏差进行评价。图7中示出了各试样的特征。首先,对试样1~试样4的制造方法进行说明。
关于试样1,首先,将粒径(D50)0.5μm的多铝红柱石粒子和有机溶剂进行混合,制作多铝红柱石糊料(被膜层形成用糊料)。接下来,将多铝红柱石糊料以厚度1μm印刷于150mm×150mm×1mm的SiC基材的整面,于1300℃进行2小时烧成,由此在SiC基材的表面制作多铝红柱石层(中间层)。之后,将粒径(D50)0.5μm的三氧化二钇粒子和有机溶剂进行混合,制作出三氧化二钇糊料。之后,将三氧化二钇糊料以厚度1μm印刷于多铝红柱石层的表面,于1350℃进行2小时烧成,由此在多铝红柱石层的表面制作出三氧化二钇层(表层)。由此,得到:在SiC基材的表面具有2μm的被膜层(多铝红柱石层1μm、三氧化二钇层1μm)的试样1。应予说明,三氧化二钇层未印刷于多铝红柱石层的整个表面,按相邻的被膜片间的间隙为10μm的方式印刷了多个四边形的被膜片。得到的试样的表面粗糙度为0.5μm。
关于试样2,除了多铝红柱石层的厚度为5μm,三氧化二钇层的厚度为5μm以外,以与试样1相同的原料及制造方法进行制作。试样2的表面粗糙度为0.2μm。
关于试样3,将粒径(D50)70μm的多铝红柱石粒子喷镀于SiC基材的整面,在SiC基材的表面制作出50μm的多铝红柱石层。之后,将粒径(D50)20μm的三氧化二钇粒子喷镀于多铝红柱石层的整面,在多铝红柱石层的表面制作出50μm的三氧化二钇层(表层)。得到的试样的表面粗糙度为5μm。
关于试样4,将制作试样1(试样2)时使用的多铝红柱石粒子与试样3同样地喷镀于SiC基材的整面,之后,将制作试样1(试样2)时使用的三氧化二钇粒子喷镀于多铝红柱石层的整面,进行制作。不过,试样4中,在SiC基材的表面未充分附着有粒子(多铝红柱石粒子、三氧化二钇粒子),无法得到稳定的被膜层。如上所述,试样1及试样2中使用的粒子的粒径(D50)较小,仅为0.5μm,推测为:由于粒子过轻,所以,从涂敷面(SiC基材的表面)弹起,因此,粒子无法充分附着于SiC基材的表面。
如上所述,试样4无法得到稳定的被膜层。因此,针对试样1~3进行了加热冷却试验,对烧成用承烧板10的升温降温时的面内温度偏差进行了评价。加热冷却试验中,将各试样配置于加热炉内,使炉内温度从室温以600℃/分钟升温至1200℃,对炉内温度为1200℃时的烧成用承烧板10的两端部的温度差进行测定。另外,使炉内温度从1200℃以600℃/分钟降温至室温,对炉内温度到达室温时的烧成用承烧板10的两端部的温度差进行测定。在图7中示出了结果。
如图7所示,确认到了:被膜层的厚度较薄(20μm以下)的试样1及2在升温时及降温时,烧成用承烧板10的面内温度偏差较小(升温时:温度差小于15℃,降温时:温度差小于10℃)。还确认到了:与此相对,被膜层的厚度较厚(超过20μm)的试样3在升温时及降温时,烧成用承烧板10的面内温度偏差较大(升温时:温度差15℃以上,降温时:温度差10℃以上)。该结果说明了:由于试样1及2与试样3相比较,被膜层的厚度较薄,所以,被膜层的热容量较小,被膜层的温度良好地追随炉内温度。应予说明,试样1及2的表面粗糙度Ra小于试样3的表面粗糙度Ra。该结果反映了所使用的原料粒子的粒径不同。即,试样1及2的原料粒子的粒径较小,因此,被膜层的表面粗糙度Ra较小(1μm以下)。换言之,通过采用被膜层的表面粗糙度Ra为1μm以下这样的粒径的原料来形成被膜层,能够使被膜层的厚度变薄。
以上对本发明的具体例详细地进行了说明,不过,这些具体例只不过是示例,并不限定权利要求书。权利要求书中记载的技术中包括对以上例示的具体例进行各种变形、变更得到的方案。另外,本说明书或附图中说明的技术要素单独或者以各种组合发挥出技术有用性,并不限定于申请时权利要求中记载的组合。另外,本说明书或附图中例示的技术能够同时实现多个目的,实现其中一个目的的方案本身具有技术有用性。
符号说明
2:基材
4:被膜层
10:烧成用承烧板

Claims (10)

1.一种烧成用承烧板,其特征在于,具有:
陶瓷质的基材;以及
被膜层,该被膜层将基材表面覆盖,被膜厚度为1μm以上且20μm以下,表面粗糙度Ra为1μm以下。
2.根据权利要求1所述的烧成用承烧板,其特征在于,
被膜层的厚度偏差为被膜厚度的40%以下,并且为被膜厚度的
±3μm。
3.根据权利要求1或2所述的烧成用承烧板,其特征在于,
被膜层包含:将基材表面覆盖的多个被膜片,
在各被膜片之间设置有5μm以上且50μm以下的间隙。
4.根据权利要求3所述的烧成用承烧板,其特征在于,
被膜片为圆形或多边形的规定形状,规律性地出现在基材的表面。
5.根据权利要求3或4所述的烧成用承烧板,其特征在于,
在各被膜片的表面设置有第二被膜片,
被膜片间的间隔与第二被膜片间的间隔不同。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的烧成用承烧板,其特征在于,
被膜层的材料包含:ZrO2/Y2O3、ZrO2/CaO、Y2O3、Al2O3、MgO、多铝红柱石、或者这些材料的混合物。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的烧成用承烧板,其特征在于,
所述基材的材料为SiC质。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的烧成用承烧板,其特征在于,
被膜层具有2层以上的多层结构。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的烧成用承烧板,其特征在于,
被膜层的气孔率为5%以上且50%以下。
10.一种烧成用承烧板的制造方法,该烧成用承烧板具有:陶瓷质的基材、以及将基材表面覆盖且被膜厚度为1μm以上且20μm以下的被膜层,
所述制造方法的特征在于,具有如下工序:
在所述基材的表面印刷被膜层形成用糊料,制作出在基材表面设置有被膜层形成用涂膜的成型体。
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