JP2001004286A - フラットディスプレイパネル熱処理用平板とその製造方法 - Google Patents

フラットディスプレイパネル熱処理用平板とその製造方法

Info

Publication number
JP2001004286A
JP2001004286A JP11179462A JP17946299A JP2001004286A JP 2001004286 A JP2001004286 A JP 2001004286A JP 11179462 A JP11179462 A JP 11179462A JP 17946299 A JP17946299 A JP 17946299A JP 2001004286 A JP2001004286 A JP 2001004286A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display panel
heat treatment
flat display
flat
flat plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11179462A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4119042B2 (ja
Inventor
Hiroshi Mori
博 森
Hiroaki Nihonmatsu
浩明 二本松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
NGK Adrec Co Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
NGK Adrec Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd, NGK Adrec Co Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP17946299A priority Critical patent/JP4119042B2/ja
Publication of JP2001004286A publication Critical patent/JP2001004286A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4119042B2 publication Critical patent/JP4119042B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5053Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
    • C04B41/5057Carbides
    • C04B41/5059Silicon carbide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶化ガラス板よりもたわみにくく、高い熱
伝導度を持ち、フラットディスプレイパネル熱処理時の
プリントの欠陥や乾燥・焼きつけのムラが生じにくいフ
ラットディスプレイパネル熱処理用平板を提供する。 【解決手段】 フラットディスプレイパネルの熱処理の
際にフラットディスプレイパネルを載置するために用い
る熱処理用平板1である。炭化珪素に金属珪素を含浸さ
せたセラミック材からなる。炭化珪素粉末と炭素粉末と
を所定の割合で混合し成形して得られた平板状の炭化珪
素-炭素質成形体を、金属珪素が存在する減圧の不活性
ガス雰囲気又は真空中において前記金属珪素を含浸させ
ながら焼成するフラットディスプレイパネル熱処理用平
板の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】 本発明は、フラットディス
プレイパネルの製造工程において、熱処理の際に使用さ
れる平板(棚板)に関する。
【0002】
【従来の技術】 フラットディスプレイパネルの製造工
程においては、熱処理として、フラットディスプレイパ
ネルのガラス基板にプリントを施した後に乾燥と焼きつ
けを行っており、この熱処理の際にパネルを載置するた
めの平板(棚板)が必要となる。このようなフラットデ
ィスプレイパネル熱処理用平板として、従来は結晶化ガ
ラス板が使用されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、近
年、フラットディスプレイの大型化、高精細化、薄型化
が進行する中で、フラットディスプレイパネル熱処理用
平板として使用される結晶化ガラス板のたわみや熱伝導
性が問題となってきた。すなわち、フラットディスプレ
イパネルを載置する結晶化ガラス板が熱間でたわむこと
により、プリントに欠陥が発生したり、また、結晶化ガ
ラスの熱伝導度の低さから、熱処理時に平板内で温度の
不均一な場所が生じ、乾燥や焼きつけにムラができたり
することがあった。
【0004】 本発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、従来フラッ
トディスプレイパネル熱処理用平板として使用されてき
た結晶化ガラス板よりもたわみにくく、高い熱伝導度を
持ち、フラットディスプレイパネル熱処理時のプリント
の欠陥や乾燥・焼きつけのムラが生じにくいフラットデ
ィスプレイパネル熱処理用平板を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本発明によれば、フラ
ットディスプレイパネルの熱処理の際にフラットディス
プレイパネルを載置するために用いる熱処理用平板であ
って、炭化珪素に金属珪素を含浸させたセラミック材か
らなることを特徴とするフラットディスプレイパネル熱
処理用平板(第一の熱処理用平板)、が提供される。
【0006】 また、本発明によれば、炭化珪素粉末と
炭素粉末とを所定の割合で混合し成形して得られた平板
状の炭化珪素-炭素質成形体を、金属珪素が存在する減
圧の不活性ガス雰囲気又は真空中において前記金属珪素
を含浸させながら焼成することを特徴とするフラットデ
ィスプレイパネル熱処理用平板の製造方法、が提供され
る。
【0007】 更に、本発明によれば、炭化珪素粉末と
炭素粉末とを所定の割合で混合し成形して得られた薄板
状の炭化珪素-炭素質成形体を複数枚貼り合わせて積層
体とし、これを金属珪素が存在する減圧の不活性ガス雰
囲気又は真空中において前記金属珪素を含浸させながら
焼成することを特徴とするフラットディスプレイパネル
熱処理用平板の製造方法、が提供される。
【0008】 更にまた、本発明によれば、フラットデ
ィスプレイパネルの熱処理の際にフラットディスプレイ
パネルを載置するために用いる熱処理用平板であって、
炭素粉末と炭素繊維との混合物に金属珪素を含浸させた
セラミック材からなる少なくとも1枚の薄板を、炭化珪
素に金属珪素を含浸させたセラミック材からなる薄板で
挟み込んだ構造を有することを特徴とするフラットディ
スプレイパネル熱処理用平板(第二の熱処理用平板)、
が提供される。
【0009】 更にまた、本発明によれば、炭素粉末と
炭素繊維とを所定の割合で混合し成形して得られた薄板
状の炭素質成形体の両面に、炭化珪素粉末と炭素粉末と
を所定の割合で混合し成形して得られた薄板状の炭化珪
素-炭素質成形体を貼り合わせて積層体とし、これを金
属珪素が存在する減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中に
おいて前記金属珪素を含浸させながら焼成することを特
徴とするフラットディスプレイパネル熱処理用平板の製
造方法、が提供される。
【0010】
【発明の実施の形態】 まず、第一の熱処理用平板につ
いて説明する。第一の熱処理用平板は、炭化珪素に金属
珪素を含浸させたセラミック材(Si含浸SiC)から
なることを特徴とするものである。従来、このようなセ
ラミック材を、窯業製品焼成用棚板等の用途に用いる試
みがなされているが、フラットディスプレイパネルの熱
処理用平板に用いることは知られていない。下表は、従
来、フラットディスプレイパネルの熱処理用平板として
使用されてきた結晶化ガラス(多結晶ガラス)と、第一
の熱処理用平板に使用されるSi含浸SiCとの主な特
性を比較したものである。
【0011】
【表1】
【0012】 この表に示すように、Si含浸SiC
は、多結晶ガラスよりもはるかに高い熱伝導度を有し、
また、たわみやすさの指標となるヤング率も高く、たわ
みにくいものである。したがって、Si含浸SiCから
なる第一の熱処理用平板を使用してフラットディスプレ
イパネルの熱処理を行うと、従来品を使用した場合に比
してプリントの欠陥や乾燥・焼きつけのムラが生じにく
い。
【0013】 なお、第一の熱処理用平板は、一体形成
して得られたものであってもよいが、Si含浸SiCか
らなる薄板が複数枚重ね合わされた構造を有するもので
あってもよい。図1は、Si含浸SiCからなる薄板3
a、3b、3cを3枚重ね合わせた構造を有する熱処理
用平板1を示す。このような積層構造とした場合、薄板
の重ね方や薄板の珪素含有率について検討することによ
り、更にたわみを少なくしたり、熱伝導度をより向上さ
せたりすることができる。
【0014】 熱処理用平板が押出し成形法により成形
されたものである場合、成形体中の粒子は成形時の押出
し方向に配向していることがあるが、このような配向性
を持った成形体より得られた熱処理用平板は、特定の方
向にたわみやすくなる。そこで、熱処理用平板を押出し
成形法により成形された複数枚の薄板からなる積層構造
とし、薄板をその押出し成形時の押出し方向が一致しな
いように重ね合わせることにより、たわみの方向性を解
消し、また、たわみ自体をより小さく抑えることができ
る。例えば、図2は薄板3aと3bとを押出し方向を9
0゜ずらして重ね合わせた熱処理用平板1を示している
(図中、矢印Aが薄板3aの押出し方向、矢印Bが薄板
3bの押出し方向である。)。
【0015】 また、前記のような積層構造を有する第
一の熱処理用平板において、それを構成する薄板の珪素
含有率を同一にせず、フラットディスプレイパネルが載
置される面を構成する薄板3aが他の薄板よりも高い珪
素含有率を有するようにすると、熱処理時において、フ
ラットディスプレイパネルが載置される面の熱伝導度が
特に向上し、乾燥・焼成のむらがより生じにくくなる。
【0016】 図1のように、Si含浸SiCからなる
薄板を3枚又はそれより多く重ね合わせた構造の場合
は、熱処理用平板1の両面を構成する2枚の薄板3a、
3cが他の薄板3bよりも高い珪素含有率を有するよう
にすると、熱処理用平板表面部分の面の熱伝導度が向上
して、前記同様、フラットディスプレイパネルの乾燥・
焼成のむらがより生じにくくなる。
【0017】 このように、フラットディスプレイパネ
ルが載置される面を構成する薄板、又は熱処理用平板の
両面を構成する2枚の薄板の珪素含有率を、他の薄板の
それよりも高くする場合、その具体的な珪素含有率は2
0重量%以上とすることが、良好な熱伝導度を得る上で
好ましい。なお、フラットディスプレイパネルが載置さ
れる面を構成する薄板や熱処理用平板の両面を構成する
2枚の薄板だけでなく、熱処理用平板全体の珪素含有率
を20重量%以上に高めた場合には、良好な熱伝導度は
得られるものの、強度は前記の場合に比して低下する。
【0018】 また、前記のような積層構造を有する第
一の熱処理用平板において、それを構成する薄板の気孔
率を同一にせず、フラットディスプレイパネルが載置さ
れる面を構成する薄板3aが他の薄板よりも高い気孔率
を有するようにしてもよい。フラットディスプレイパネ
ル熱処理用平板は、そのフラットディスプレイパネルが
載置される面の表面粗さが、Ra(中心線平均粗さ)5
μm程度であることが必要であり、この表面粗さは熱処
理用平板表面の研磨加工により得られる。
【0019】 ここで、熱処理用平板の気孔が含浸した
金属珪素により完全に埋められている場合、表面の緻密
さのため研磨加工が困難で長時間の研磨作業が必要とな
る。そこで、前記のようにフラットディスプレイパネル
が載置される面を構成する薄板が他の薄板よりも高い気
孔率を有するようにし、気孔を金属珪素により完全に埋
め切らないようにしておくことにより、研磨加工が容易
となり研磨作業の時間を短縮することができるようにな
る。
【0020】 このように、フラットディスプレイパネ
ルが載置される面を構成する薄板の気孔率を、他の薄板
のそれよりも高くする場合、その具体的な気孔率は5%
以上とすることが、良好な研磨加工性を得る上で好まし
い。なお、フラットディスプレイパネルが載置される面
を構成する薄板だけでなく、熱処理用平板全体の気孔率
を5%以上に高めた場合には、研磨加工はしやすくなる
ものの、強度や熱伝導度は前記の場合に比して低下す
る。
【0021】 第一の熱処理用平板が一体的に形成され
たものである場合、その製造は、炭化珪素粉末と炭素粉
末とを所定の割合で混合し成形して得られた平板状の炭
化珪素-炭素質成形体を、金属珪素が存在する減圧の不
活性ガス雰囲気又は真空中において前記金属珪素を含浸
させながら焼成するという方法で行うことができる。
【0022】 また、第一の熱処理用平板が積層構造を
有するものである場合においては、その製造は、炭化珪
素粉末と炭素粉末とを所定の割合で混合し成形して得ら
れた薄板状の炭化珪素-炭素質成形体を複数枚貼り合わ
せて積層体とし、これを金属珪素が存在する減圧の不活
性ガス雰囲気又は真空中において前記金属珪素を含浸さ
せながら焼成するという方法で行うことができる。
【0023】 炭化珪素-炭素質成形体の炭化珪素粉末
と炭素粉末との混合割合は、重量比で100:0〜7
0:30とすることが好ましい。なお、積層構造の熱処
理用平板を製造する場合は、すべての炭化珪素-炭素質
成形体の前記混合割合を同一にしなくてもよい。例え
ば、フラットディスプレイパネルが載置される面を構成
する炭化珪素-炭素質成形体の珪素含有率を高めるた
め、当該炭化珪素-炭素質成形体の炭化珪素粉末の割合
を、他の炭化珪素-炭素質成形体の炭化珪素粉末の割合
よりも大きくするようにしてもよい。また、積層体を構
成する薄板状の炭化珪素-炭素質成形体の厚みは、1〜
5mm程度とすることが好ましい。
【0024】 炭化珪素-炭素質成形体の成形方法とし
ては、押出し成形、プレス成形、流し込み成形等が挙げ
られるが、押出し成形が特に好ましい。積層構造を有す
る熱処理用平板を製造する場合において、薄板状の炭化
珪素-炭素質成形体を押出し成形にて成形したときは、
前述のようにその押出し成形時の押出し方向が一致しな
いように重ねて貼り合わせると、たわみの方向性を解消
し、また、たわみ自体をより小さく抑えることができる
ので好ましい。
【0025】 薄板状の炭化珪素-炭素質成形体の貼り
合わせには、炭化珪素微粒子と炭素微粒子との混合物
に、フェノールやメチルセルロースなどを有機バインダ
ーとして添加し、更にこれがペースト状になる程度の水
を加えて得た接合用スラリーが好適に使用できる。この
ような接合用スラリーを貼り合わせようとする面の両方
に塗布して重ね合わせる。
【0026】 焼成温度は1350〜2500℃の範囲
とすることが好ましい。金属珪素が存在する減圧の不活
性ガス雰囲気又は真空中にて、このような温度で焼成す
ると、溶融した金属珪素が、成形体中に含浸されて成形
体中の炭素粉末と反応してこれを炭化珪素化するととも
に、気孔中に充填されて緻密化する。
【0027】 なお、積層構造の熱処理用平板であっ
て、フラットディスプレイパネルが載置される面を構成
する薄板が他の薄板よりも高い気孔率を有するものを製
造する場合には、フラットディスプレイパネルが載置さ
れる面を構成する炭化珪素-炭素質成形体が、他の炭化
珪素-炭素質成形体よりも高い気孔率を有するように
し、当該高い気孔率を有する炭化珪素-炭素質成形体の
気孔が、金属珪素で完全に充填されることのないよう
に、含浸させる金属珪素量を調整して焼成を行う。
【0028】 このような方法で製造された熱処理用平
板は、前述のようにフラットディスプレイパネルが載置
される面の研磨加工が容易で研磨作業を短時間で行え
る。成形体の気孔率は、例えば押出し成形時の押出し圧
力や造孔材の添加、粗粒と微粒の配合割合などによって
制御することができる。
【0029】 次に、第二の熱処理用平板について説明
する。第二の熱処理用平板は、炭素粉末と炭素繊維との
混合物に金属珪素を含浸させたセラミック材からなる少
なくとも1枚の薄板を、炭化珪素に金属珪素を含浸させ
たセラミック材からなる薄板で挟み込んだ構造を有する
ことを特徴とするものである。すなわち、熱処理用平板
の両面を構成する薄板は、前記第一の熱処理用平板と同
様Si含浸SiCであるが、内層部分を構成する薄板に
は、炭素粉末と炭素繊維との混合物に金属珪素を含浸さ
せたセラミック材を使用している。
【0030】 図3は、第二の熱処理用平板の実施形態
の一例であって、炭素粉末と炭素繊維との混合物に金属
珪素を含浸させたセラミック材からなる1枚の薄板9
を、Si含浸SiCからなる薄板7a、7bで挟み込ん
だ熱処理用平板5を示している。このような構造を有す
る第二の熱処理用平板は、熱処理用平板5の両面を構成
する薄板7a、7bにSi含浸SiCからなるものを用
いたことにより、前記第一の熱処理用平板と同様に、従
来の多結晶ガラスからなる熱処理用平板よりもはるかに
高い熱伝導度とたわみにくさを有し、フラットディスプ
レイパネルの熱処理時のプリントの欠陥や乾燥・焼きつ
けのムラが生じにくい。
【0031】 加えて、第二の熱処理用平板は、その内
層となる部分に、炭素粉末と炭素繊維との混合物に金属
珪素を含浸させたセラミック材からなる薄板9を用いた
ことにより、熱処理用平板全体の軽量化が図られ、ま
た、この軽量化に伴う省エネ効果が得られる。なお、こ
の内層部分を構成する薄板9は、前記のようにSi含浸
SiCからなる薄板7a、7bで挟み込まれてほとんど
外部に露出しないので、炭素の酸化消失が防止される。
【0032】 第二の熱処理用平板も、前記第一の熱処
理用平板と同様に、各薄板が押出し成形にて成形された
ものである場合には、押出し成形時の押出し方向が一致
しないように重ね合わされていることが好ましい。ま
た、フラットディスプレイパネルが載置される面を構成
する薄板7aが、他の薄板よりも高い珪素含有率を有
し、その具体的な珪素含有率が20重量%以上であるこ
とが好ましい。更に、フラットディスプレイパネルが載
置される面を構成する薄板7aが、他の薄板よりも高い
気孔率を有し、その具体的な気孔率が5%以上であるこ
とが好ましい。
【0033】 第二の熱処理用平板の製造は、炭素粉末
と炭素繊維とを所定の割合で混合し成形して得られた薄
板状の炭素質成形体の両面に、炭化珪素粉末と炭素粉末
とを所定の割合で混合し成形して得られた薄板状の炭化
珪素-炭素質成形体を貼り合わせて積層体とし、これを
金属珪素が存在する減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中
において前記金属珪素を含浸させながら焼成するという
方法で行うことができる。
【0034】 炭素質成形体の、炭素粉末と炭素繊維と
の混合割合は、重量比で70:30〜40:60とする
ことが好ましい。また、炭化珪素-炭素質成形体の炭化
珪素粉末と炭素粉末との混合割合は、重量比で100:
0〜70:30とすることが好ましい。なお、例えば、
フラットディスプレイパネルが載置される面を構成する
炭化珪素-炭素質成形体の珪素含有率を高めるため、当
該炭化珪素-炭素質成形体の炭化珪素粉末の割合を、他
の炭化珪素-炭素質成形体の炭化珪素粉末の割合より大
きくするようにしてもよい。また、積層体を構成する薄
板状の炭素質成形体及び炭化珪素-炭素質成形体の厚み
は、1〜5mm程度とすることが好ましい。
【0035】 成形体の成形方法としては、押出し成
形、プレス成形、流し込み成形等が挙げられるが、押出
し成形が特に好ましい。各成形体を押出し成形にて成形
したときは、前述のようにその押出し成形時の押出し方
向が一致しないように重ねて貼り合わせると、たわみの
方向性を解消し、また、たわみ自体をより小さく抑える
ことができるので好ましい。
【0036】 成形体の貼り合わせには、炭化珪素微粒
子と炭素微粒子との混合物に、フェノールやメチルセル
ロースなどを有機バインダーとして添加し、更にこれが
ペースト状になる程度の水を加えて得た接合用スラリー
が好適に使用できる。このような接合用スラリーを貼り
合わせようとする面の両方に塗布して重ね合わせる。
【0037】 焼成温度は1350〜2500℃の範囲
とすることが好ましい。金属珪素が存在する減圧の不活
性ガス雰囲気又は真空中にて、このような温度で焼成す
ると、溶融した金属珪素が、成形体中に含浸されて成形
体中の炭素粉末及び炭素繊維と反応してこれらを炭化珪
素化するとともに、気孔中に充填されて緻密化する。
【0038】 なお、フラットディスプレイパネルが載
置される面を構成する薄板が他の薄板よりも高い気孔率
を有するものを製造する場合には、炭素質成形体の両面
に貼り合わせる炭化珪素-炭素質成形体のうち、フラッ
トディスプレイパネルが載置される面を構成する炭化珪
素-炭素質成形体が、他の成形体よりも高い気孔率を有
するようにし、当該高い気孔率を有する炭化珪素-炭素
質成形体の気孔が、金属珪素で完全に充填されることの
ないように、含浸させる金属珪素量を調整して焼成を行
う。
【0039】 このような方法で製造された熱処理用平
板は、前述のようにフラットディスプレイパネルが載置
される面の研磨加工が容易で研磨作業を短時間で行え
る。成形体の気孔率は、例えば押出し成形時の押出し圧
力や造孔材の添加、粗粒と微粒の配合割合などによって
制御することができる。
【0040】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明のフラッ
トディスプレイパネル熱処理用平板は、その構成材料と
して、従来用いられてきた結晶化ガラスよりも熱伝導度
が高く、たわみにくい性質を有するSi含浸SiCを用
いたことにより、フラットディスプレイパネル熱処理時
のプリントの欠陥や乾燥・焼きつけのムラが生じにく、
近年におけるフッラトディスプレイの大型化、高精細
化、薄型化に好適に対応できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第一の熱処理用平板の実施形態の一例を示す
説明図であって、Si含浸SiCからなる薄板を3枚重
ね合わせた構造を有する熱処理用平板を示す斜視図であ
る。
【図2】 第一の熱処理用平板の実施形態の一例を示す
説明図であって、押出し成形時の押出し方向を90゜ず
らして薄板を重ね合わせた熱処理用平板を示す斜視図で
ある。
【図3】 第一の熱処理用平板の実施形態の一例を示す
説明図であって、炭素粉末と炭素繊維との混合物に金属
珪素を含浸させたセラミック材からなる1枚の薄板を、
Si含浸SiCからなる薄板で挟み込んだ例を示す断面
図である。
【符号の説明】
1…第一の熱処理用平板、3a…薄板、3b…薄板、3
c…薄板、5…第二の熱処理用平板、7a…薄板、7b
…薄板、9…薄板。
フロントページの続き (72)発明者 二本松 浩明 岐阜県可児郡御嵩町美佐野3040番地 エヌ ジーケイ・アドレック株式会社内 Fターム(参考) 4K055 AA06 HA02 HA11 HA23 HA27

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フラットディスプレイパネルの熱処理の
    際にフラットディスプレイパネルを載置するために用い
    る熱処理用平板であって、炭化珪素に金属珪素を含浸さ
    せたセラミック材からなることを特徴とするフラットデ
    ィスプレイパネル熱処理用平板。
  2. 【請求項2】 炭化珪素に金属珪素を含浸させたセラミ
    ック材からなる薄板が複数枚重ね合わされた構造を有す
    る請求項1記載のフラットディスプレイパネル熱処理用
    平板。
  3. 【請求項3】 各薄板が押出し成形にて成形されたもの
    であって、押出し成形時の押出し方向が一致しないよう
    に重ね合わされている請求項2記載のフラットディスプ
    レイパネル熱処理用平板。
  4. 【請求項4】 フラットディスプレイパネルが載置され
    る面を構成する薄板が、他の薄板よりも高い金属珪素含
    有率を有する請求項2記載のフラットディスプレイパネ
    ル熱処理用平板。
  5. 【請求項5】 炭化珪素に金属珪素を含浸させたセラミ
    ック材からなる薄板が3枚以上重ね合わされた構造を有
    し、熱処理用平板の両面を構成する2枚の薄板が、他の
    薄板よりも高い珪素含有率を有する請求項2記載のフラ
    ットディスプレイパネル熱処理用平板。
  6. 【請求項6】 フラットディスプレイパネルが載置され
    る面を構成する薄板の金属珪素含有率が20重量%以上
    である請求項4記載のフラットディスプレイパネル熱処
    理用平板。
  7. 【請求項7】 熱処理用平板の両面を構成する2枚の薄
    板の珪素含有率が20重量%以上である請求項5記載の
    フラットディスプレイパネル熱処理用平板。
  8. 【請求項8】 フラットディスプレイパネルが載置され
    る面を構成する薄板が、他の薄板よりも高い気孔率を有
    する請求項2記載のフラットディスプレイパネル熱処理
    用平板。
  9. 【請求項9】 フラットディスプレイパネルが載置され
    る面を構成する薄板の気孔率が5%以上である請求項8
    記載のフラットディスプレイパネル熱処理用平板。
  10. 【請求項10】 炭化珪素粉末と炭素粉末とを所定の割
    合で混合し成形して得られた平板状の炭化珪素-炭素質
    成形体を、金属珪素が存在する減圧の不活性ガス雰囲気
    又は真空中において前記金属珪素を含浸させながら焼成
    することを特徴とするフラットディスプレイパネル熱処
    理用平板の製造方法。
  11. 【請求項11】 炭化珪素粉末と炭素粉末とを所定の割
    合で混合し成形して得られた薄板状の炭化珪素-炭素質
    成形体を複数枚貼り合わせて積層体とし、これを金属珪
    素が存在する減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中におい
    て前記金属珪素を含浸させながら焼成することを特徴と
    するフラットディスプレイパネル熱処理用平板の製造方
    法。
  12. 【請求項12】 フラットディスプレイパネルが載置さ
    れる面を構成する炭化珪素質成形体が、他の炭化珪素-
    炭素質成形体よりも高い気孔率を有するようにし、当該
    高い気孔率を有する炭化珪素-炭素質成形体の気孔が、
    金属珪素で完全に充填されることのないように、含浸さ
    せる金属珪素量を調整して焼成を行う請求項11記載の
    フラットディスプレイパネル熱処理用平板の製造方法。
  13. 【請求項13】 フラットディスプレイパネルの熱処理
    の際にフラットディスプレイパネルを載置するために用
    いる熱処理用平板であって、炭素粉末と炭素繊維との混
    合物に金属珪素を含浸させたセラミック材からなる少な
    くとも1枚の薄板を、炭化珪素に金属珪素を含浸させた
    セラミック材からなる薄板で挟み込んだ構造を有するこ
    とを特徴とするフラットディスプレイパネル熱処理用平
    板。
  14. 【請求項14】 各薄板が押出し成形にて成形されたも
    のであって、押出し成形時の押出し方向が一致しないよ
    うに重ね合わされている請求項13記載のフラットディ
    スプレイパネル熱処理用平板。
  15. 【請求項15】 フラットディスプレイパネルが載置さ
    れる面を構成する薄板が、他の薄板よりも高い金属珪素
    含有率を有する請求項13記載のフラットディスプレイ
    パネル熱処理用平板。
  16. 【請求項16】 フラットディスプレイパネルが載置さ
    れる面を構成する薄板の金属珪素含有率が20重量%以
    上である請求項15記載のフラットディスプレイパネル
    熱処理用平板。
  17. 【請求項17】 フラットディスプレイパネルが載置さ
    れる面を構成する薄板が、他の薄板よりも高い気孔率を
    有する請求項13記載のフラットディスプレイパネル熱
    処理用平板。
  18. 【請求項18】 フラットディスプレイパネルが載置さ
    れる面を構成する薄板の気孔率が5%以上である請求項
    17記載のフラットディスプレイパネル熱処理用平板。
  19. 【請求項19】 炭素粉末と炭素繊維とを所定の割合で
    混合し成形して得られた薄板状の炭素質成形体の両面
    に、炭化珪素粉末と炭素粉末とを所定の割合で混合し成
    形して得られた薄板状の炭化珪素-炭素質成形体を貼り
    合わせて積層体とし、これを金属珪素が存在する減圧の
    不活性ガス雰囲気又は真空中において前記金属珪素を含
    浸させながら焼成することを特徴とするフラットディス
    プレイパネル熱処理用平板の製造方法。
  20. 【請求項20】 炭素質成形体の両面に貼り合わせる炭
    化珪素-炭素質成形体のうち、フラットディスプレイパ
    ネルが載置される面を構成する炭化珪素-炭素質成形体
    が、他の成形体よりも高い気孔率を有するようにし、当
    該高い気孔率を有する炭化珪素-炭素質成形体の気孔
    が、金属珪素で完全に充填されることのないように、含
    浸させる金属珪素量を調整して焼成を行う請求項19記
    載のフラットディスプレイパネル熱処理用平板の製造方
    法。
JP17946299A 1999-06-25 1999-06-25 フラットディスプレイパネル熱処理用平板とその製造方法 Expired - Fee Related JP4119042B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17946299A JP4119042B2 (ja) 1999-06-25 1999-06-25 フラットディスプレイパネル熱処理用平板とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17946299A JP4119042B2 (ja) 1999-06-25 1999-06-25 フラットディスプレイパネル熱処理用平板とその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001004286A true JP2001004286A (ja) 2001-01-12
JP4119042B2 JP4119042B2 (ja) 2008-07-16

Family

ID=16066284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17946299A Expired - Fee Related JP4119042B2 (ja) 1999-06-25 1999-06-25 フラットディスプレイパネル熱処理用平板とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4119042B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014108896A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Nihon Ceratec Co Ltd SiC/Si複合材料体及びその製造方法
JP2015124124A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 日本ファインセラミックス株式会社 SiC/金属複合材料体の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014108896A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Nihon Ceratec Co Ltd SiC/Si複合材料体及びその製造方法
JP2015124124A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 日本ファインセラミックス株式会社 SiC/金属複合材料体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4119042B2 (ja) 2008-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8377240B2 (en) Method for the production of a metal-ceramic substrate or copper-ceramic substrate, and support to be used in said method
TWI564266B (zh) A laminated structure, a member for a semiconductor manufacturing apparatus, and a method for manufacturing the laminated structure
WO2003036666A1 (fr) Composant electronique ceramique stratifie et son procede de fabrication
JP3760942B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
TWI816975B (zh) 燒成夾具
JPH0629664A (ja) 多層セラミックス配線基板
JP2001004286A (ja) フラットディスプレイパネル熱処理用平板とその製造方法
JP2010093001A (ja) 金属−セラミック基板または銅−セラミック基板の製造方法および該方法で使用するための支持体
JPH07240217A (ja) 電解質基板及び平板型セルの製造方法
JP2019011238A (ja) 焼成用道具材
JP3603655B2 (ja) 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の製造方法
CN211626113U (zh) 一种打印机加热器长条形陶瓷基板高温烧结用的多孔陶瓷垫板
JP3669056B2 (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
JPH0624880A (ja) 金属−セラミックス複合体及びその製造方法
JPH11322445A (ja) セラミック板融着防止用グリーンシートおよびこれを用いたセラミック板の製造方法
CN1167929C (zh) 陶瓷烧结用窑具及制造方法
JPH08109069A (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP3053949B2 (ja) 窒化アルミニウム多層基板の製造方法
KR102195633B1 (ko) 저온동시소결용 복합체의 제조방법
JPH05105526A (ja) 窒化アルミニウム基板の製造方法
JP3486745B2 (ja) プレートヒーターとその製造方法
JPH0479984B2 (ja)
JPH10316475A (ja) セラミック基板の製造方法
JPH02296774A (ja) 窒化アルミニウム基板の製造方法
JP3182094B2 (ja) セラミックの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071030

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080422

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080424

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110502

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees